CN117293104B - 一种sic器件散热封装结构及封装方法 - Google Patents
一种sic器件散热封装结构及封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117293104B CN117293104B CN202311587616.9A CN202311587616A CN117293104B CN 117293104 B CN117293104 B CN 117293104B CN 202311587616 A CN202311587616 A CN 202311587616A CN 117293104 B CN117293104 B CN 117293104B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cavity
- sic device
- channel
- shell
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 105
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 21
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 15
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 6
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- -1 acrylic ester Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 93
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 92
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005676 thermoelectric effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种SiC器件散热封装结构及封装方法，属于SiC器件封装技术领域。一种SiC器件散热封装结构包括装配模组用于放置SiC器件，并用于连通SiC器件与外界电路。传热组件内具有用于放置制冷剂的第一腔体和第二腔体。传热组件靠近第一腔体的外壁用于与SiC器件抵接，并与装配模组围设形成用于放置SiC器件的容置腔。吸热件一端位于第二腔体内，并用于吸收第二腔体内冷却剂蒸汽的热量以使第二腔体内的冷却剂液化，吸热件的另一端位于传热组件外，并用于向外界释放热量。传热组件内具有第一通道和第二通道，第一腔体内的冷却剂的蒸汽从第一通道进入第二腔体。第二腔体内的冷却剂从第二通道进入第一腔体内，吸热件通过装配模组与温控电路电连接。
Description
技术领域
本发明属于SiC器件封装技术领域，特别涉及一种SiC器件散热封装结构及封装方法。
背景技术
SiC（碳化硅）元件是指基于碳化硅材料制造的电子器件或电力器件。碳化硅是一种具有优异性能的半导体材料，具有高熔点、高硬度、高热导率和高电子迁移率等特点，使得SiC器件在高温、高频、高压等特殊环境下具有出色的性能。SiC器件被广泛应用于高压、高温、高频率的功率转换***中，用于替代传统的硅功率器件。SiC器件通常需要进行封装以保护元件本身并提供适当的引脚连接。封装是将芯片或器件放置在适当的封装材料中，并通过引脚与外部电路连接的过程。
通过检索发现公告号为CN112670278A名称为一种芯片封装结构及芯片封装方法的专利中提及了一种芯片封装结构包括基板，在所述基板的上方设有载板，在所述载板的上表面设有至少一个芯片，在所述载板的下表面也设有至少一个芯片；在所述载板和所述基板之间设有连接所述载板和所述基板的电连接结构。
但以上述专利为代表的现有技术存在以下技术问题：其仅通过与芯片贴邻的金属片散热，如用于SiC器件的封装其散热效率较慢导致SiC器件工作温度较高，严重的还会导致SiC器件的使用寿命严重降低。
发明内容
本发明提供一种SiC器件散热封装结构及封装方法，用于解决现有的SiC器件封装结构散热效率低下的技术问题。
为了达到上述目的，本发明通过下述技术方案实现：一方面提供一种SiC器件散热封装结构包括装配模组、传热组件和吸热件。装配模组用于放置SiC器件，并用于连通SiC器件与外界电路。传热组件内具有用于放置制冷剂的第一腔体和第二腔体。传热组件靠近第一腔体的外壁用于与SiC器件抵接，并与装配模组围设形成用于放置SiC器件的容置腔。吸热件一端位于第二腔体内，并用于吸收第二腔体内冷却剂蒸汽的热量以使第二腔体内的冷却剂液化，吸热件的另一端位于传热组件外，并用于向外界释放热量。传热组件内具有第一通道和第二通道，第一腔体内的冷却剂的蒸汽从第一通道进入第二腔体。第二腔体内的冷却剂从第二通道进入第一腔体内，吸热件通过装配模组与温控电路电连接。
通过上述结构，本发明提供的一种SiC器件散热封装结构能够无需驱动件便对第一腔体和第二腔体内的冷却液进行循环，从而快速降低第一腔体的温度，进而提升了对SiC器件进行散热能力。具体地，SiC器件在使用时，温度升高从而使得第一腔体内的温度升高，进而使得第一腔体内的冷却剂升温汽化蒸发，以维持SiC器件和第一腔体内的温度。随后冷却剂的蒸汽从第一通道进入第二腔体内，并被位于第二腔体内的吸热件的一端吸收热量从而液化，随后液化的冷却剂沿第二通道进入第一腔体内，并降低第一腔体内的冷却液的温度，并冷却SiC器件，从而形成循环。以此往复以将SiC器件的温度维持在较低的温度。
可选地，传热组件包括壳体、隔板和底板。壳体的一侧上开设有与壳体内部相连通的开口。隔板的一端安装在壳体远离开口的内壁上，隔板的另一端安装在壳体的内周侧上。第二腔体由隔板与壳体围设形成。壳体上开设有与第二腔体相连通的安装孔，吸热件的中部插设在安装孔中。吸热件的一端位于第二腔体内，并用于吸收第二腔体内的热量，吸热件的另一端位于壳体外，并用于向外界释放热量。隔板上开设有第一通道，第一通道远离开口。第二通道由相互连通的第一连接道和第二连接道组成。第一连接道位于隔板靠近开口的一端上，第一连接道的一端位于第二腔体内。底板插设在开口中以闭合开口，第一腔体由壳体的内壁、底板和隔板围设形成。第二连接道位于底板内，第二连接道的一端与第一连接道靠近开口的另一端相连通。第二连接道的另一端位于第一腔体内，底板用于与SiC器件抵接以吸收SiC器件的热量。
可选地，第一通道包括第一气道、第二气道和第三气道。第一气道的两端分别与第一腔体和第二腔体相连通，第一气道位于隔板远离开口的一端上。第二气道的一端与第一气道相连通，第二气道的轴线与第一气道的轴线之间的距离沿靠近第二腔体的方向逐渐减小。第三气道的一端与第一气道相连通，第三气道的轴线与第一气道的轴线之间的距离沿靠近第二腔体的方向逐渐减小。第三气道的另一端与第二气道的另一端相连通。第二气道和第三气道沿第一气道的轴线依次交替分布在第一气道的相对两侧。
可选地，第二连接道包括第一液道、第二液道和第三液道。第一液道位于底板内，第一液道具有第一端和第二端。第一端与第一连接道的另一端相连通。第二端与第一腔体相连通，并位于底板的中部，第一端和第二端均位于底板朝向开口的侧面上。第二液道的一端与第一液道的中部相连通，第二液道的轴线与第一液道的轴线之间的距离沿靠近第一腔体的方向逐渐减小。第三液道的一端与第一液道的中部相连通，第三液道的轴线与第一液道的轴线之间的距离沿靠近第一腔体的方向逐渐减小。第三液道的另一端与第二液道的另一端相连通。第二液道和第三液道沿第一液道的轴线依次交替分布在第一液道的相对两侧。
可选地，一种SiC器件散热封装结构还包括热敏电阻。壳体远离开口的外侧上开设有与热敏电阻对应的凹槽，热敏电阻安装在凹槽内，并通过装配模组与温控电路电连接。
可选地，隔板位于第一腔体内的一侧具有导向面。
可选地，装配模组包括外壳、基座、第一管脚和第二管脚。外壳安装在壳体靠近开口的侧面上。容置腔由外壳与底板远离壳体的侧面围设形成。基座安装在外壳远离壳体的内侧上，并开设有用放置SiC器件的放置槽。第一管脚安装在外壳上，第一管脚的一端位于容置腔内，并与SiC器件电连接。第一管脚的另一端位于壳体外并用于与外界电路电连接。第二管脚的中部安装在外壳上，第二管脚的一端位于外壳外，并用于与热敏电阻和吸热件电连接。第二管脚的另一端位于外壳外，并用于与温控电路电连接。
可选地，装配模组还包括电路板。电路板装在壳体远离开口的外侧上。第二管脚的一端安装在电路板上，热敏电阻安装在电路板上并通过电路板与第二管脚电连接。吸热件与电路板电连接，并通过电路板与第二管脚电连接。
可选地，一种SiC器件散热封装结构还包括连接件。SiC器件与第一管脚件通过连接件电连接。
一方面，为了更好的实现本发明，基于该SiC器件散热封装结构的封装方法包括如下步骤：S1、将基座通过共晶工艺或者高导热银胶粘接工艺安装在外壳远离壳体的内壁上。并在基座上开设放置槽，且将SiC器件放置在放置槽内。S2、将连接件的两端通过金丝键合工艺分别安装在第一管脚和SiC器件上。以使第一管脚和SiC器件的电极一一连通，并在SiC器件上涂抹导热硅脂。S3、通过安装孔向壳体内滴入冷却剂。并将吸热件的中部通过聚氨酯或环氧树脂粘接安装孔内上，以使得吸热件的一端位于第二腔体内，并使得吸热件的另一端位于壳体外，且使得安装孔闭合。S4、通过锡焊将热敏电阻焊接在电路板上，并在热敏电阻的表面涂抹导热硅脂。S5、通过高导热银胶粘接工艺将电路板粘接在壳体远离开口的一侧上，并使得热敏电阻插设在凹槽内。通过锡焊将吸热件的焊盘焊接在电路板上。S6、将外壳通过丙烯酸酯、聚氨酯或环氧树脂粘接在壳体上。以使底板与外壳的内壁围设形成容置腔，并使得底板与SiC器件抵接，以完成对SiC器件的封装。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种SiC器件散热封装结构的结构示意图；
图2为图1中A方向上的一种SiC器件散热封装结构的结构示意图；
图3为沿图2中B-B路径进行剖切后得到的剖视图；
图4为沿图3中C-C路径进行剖切后得到的剖视图；
图5为图4中D1处的放大图；
图6为图4中D2处的放大图；
图7为沿图4中E1-E1路径进行剖切后得到的剖视图；
图8为图7中F处的放大图；
图9为一种SiC器件散热封装结构的第一通道处于第二工位时图7中F处的放大图；
图10为沿图4中E2-E2路径进行剖切后得到的剖视图；
图11为图10中G处的放大图；
图12为一种SiC器件散热封装结构的第二通道处于第二工位时图10中G处的放大图；
图13为本发明实施例提供的传热组件的***图；
图14为图13中I1处的放大图；
图15为图13中I2处的放大图；
图16为图13中I3处的放大图；
图17为本发明实施例提供的底板的***图；
图18为本发明实施例提供的隔板的***图；
图19为本发明实施例提供的装配模组的***图；
图20为本发明实施例提供的装配模组的结构示意图。
图中：
1-装配模组；101-容置腔；11-外壳；12-基座；121-放置槽；13-第一管脚；14-第二管脚；15-电路板；16-连接件；2-传热组件；201-第一腔体；202-第二腔体；203-第一通道；204-第二通道；21-壳体；211-凹槽；212-安装孔；22-隔板；221-挡板；222-盖板；223-导向面；22A-第一气道；22B-第二气道；22C-第三气道；22D-第一预设焊盘；22E-第一连接道；23-底板；231-第一安装板；232-第二安装板；233-第二连接道；23A-第一液道；23B-第二液道；23C-第三液道；23D-第二预设焊盘；23E-第一端；23F-第二端；24-热敏电阻；3-吸热件；4-SiC器件；5-制冷剂。
具体实施方式
下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
实施例
通过检索发现公告号为CN112670278A名称为一种芯片封装结构及芯片封装方法的专利中提及了一种芯片封装结构包括基板，在所述基板的上方设有载板，在所述载板的上表面设有至少一个芯片，在所述载板的下表面也设有至少一个芯片；在所述载板和所述基板之间设有连接所述载板和所述基板的电连接结构。
但以上述专利为代表的现有技术存在以下技术问题：其仅通过与芯片贴邻的金属片散热，如用于SiC器件的封装其散热效率较慢导致SiC器件工作温度较高，严重的还会导致SiC器件的使用寿命严重降低。
为了解决上述技术问题，本实施例一方面提供一种SiC器件4散热封装结构，该一种SiC器件4散热封装结构如图1所示包括装配模组1、传热组件2和吸热件3。
如图3所示装配模组1用于放置SiC器件4，如图2和图3所示并用于连通SiC器件4与外界电路。如图4所示传热组件2内具有用于放置制冷剂5的第一腔体201和第二腔体202。如图3和图4所示传热组件2靠近第一腔体201的外壁用于与SiC器件4抵接，并与装配模组1围设形成用于放置SiC器件4的容置腔101。
如图4所示吸热件3一端位于第二腔体202内，并用于吸收第二腔体202内冷却剂蒸汽的热量以使第二腔体202内的冷却剂液化，吸热件3的另一端位于传热组件2外，并用于向外界释放热量。吸热件3通过装配模组1与温控电路电连接。
需要说明的是吸热件3为半导体制冷器，半导体制冷器(Thermoelectric cooler)是指利用半导体的热-电效应制取冷量的器件，又称热电制冷器。其采用重掺杂的N型和P型的碲化铋以及两块陶瓷电极制造，碲化铋元件采用电串联，并且是并行发热。半导体制冷器包括一些P型和N型对（组），它们通过电极连在一起，并且夹在两个陶瓷电极之间。当有电流从半导体制冷器流过时，电流产生的热量会从半导体制冷器的一侧传到另一侧，在半导体制冷器上产生“热”侧和“冷”侧，（即珀尔帖效应：当直流电流通过两种半导体材料组成的电偶时，其一端吸热，一端放热的现象）。从而使得该吸热件3在温控电路的控制下不仅可以从第二腔体202内进行吸热，也可以通过改变电流流向向第二腔体202内放热，从而提升第一腔体201内的温度，进而提升SiC器件4运行的温度，进而防止SiC器件4在过低的温度下运行从而损坏SiC器件4。
如图4-6所示传热组件2内具有第一通道203和第二通道204。如图4和图5所示第一腔体201内的冷却剂的蒸汽沿N2方向从第一通道203进入第二腔体202。如图4和图6所示第二腔体202内的冷却剂沿N3方向从第二通道204进入第一腔体201内。
显而易见的是，第二通道204应位于第一通道203与SiC器件4之间。且如图4所示第二腔体202底面到第一腔底面应该具有一定的距离，从而使因为吸热件3吸收热量而冷却液化的冷却剂的液面到第一腔体201的距离H’与第一腔体201内冷却剂的液面到第一腔体201的底面的距离H满足H’＞H，以使得在液压大于第一腔体201内的气压，从而如图4和图6所示第二腔体202内的冷却剂沿N3方向从第二通道204进入第一腔体201内。
需要说明的是，本实施例提及的封装结构应适用于在水平面工作的SiC器件4，且采用***或乙醇作为冷却剂使用。
通过上述结构，本实施例提供的一种SiC器件4散热封装结构，能够无需驱动件便对第一腔体201和第二腔体202内的冷却液进行循环，从而快速降低第一腔体201的温度，进而提升了对SiC器件4进行散热能力。具体地，SiC器件4在使用时，温度升高从而使得第一腔体201内的温度升高，进而使得第一腔体201内的冷却剂升温汽化蒸发，以维持SiC器件4和第一腔体201内的温度。
如图4所示随后冷却剂的蒸汽沿N1方向靠近第一通道203。并如图5所示沿N2方向从第一通道203进入第二腔体202内，并被位于第二腔体202内的吸热件3的一端吸收热量从而液化，并在第二腔体202底面上堆积。如图6所示随后液化的冷却剂沿N3方向经过第二通道204进入第一腔体201内，并降低第一腔体201内的冷却液的温度，并冷却SiC器件4，从而形成循环。以此往复以将SiC器件4的温度维持在较低的温度。
基于上述基础。如图13所示传热组件2包括壳体21、隔板22和底板23。壳体21的一侧上开设有与壳体21内部相连通的开口。如图4所示隔板22的一端安装在壳体21远离开口的内壁上，隔板22的另一端安装在壳体21的内周侧上。第二腔体202由隔板22与壳体21围设形成。如图13所示壳体21上开设有与第二腔体202相连通的安装孔212，吸热件3的中部插设在安装孔212中。吸热件3的一端位于第二腔体202内，并用于吸收第二腔体202内的热量，吸热件3的另一端位于壳体21外，并用于向外界释放热量。如图5所示隔板22上开设有第一通道203，第一通道203远离开口，且如图7所示第一通道203沿平行于吸热件3位于第二腔体202内的端面的方向均匀分布的在隔板22上。如图6所示第二通道204由相互连通的第一连接道22E和第二连接道233组成。如图6和图16所示第一连接道22E位于隔板22靠近开口的一端上，第一连接道22E的一端位于第二腔体202内。底板23插设在开口中以闭合开口，第一腔体201由壳体21的内壁、底板23和隔板22围设形成。如图6所示第二连接道233位于底板23内，第二连接道233的一端与第一连接道22E靠近开口的另一端相连通。第二连接道233的另一端位于第一腔体201内，底板23用于与SiC器件4抵接以吸收SiC器件4的热量。
更优地，如图10所示第二连接道233沿垂直于第二连接道233延伸方向的方向均匀的分布在底板23上，以使得第二连接道233内的制冷剂5能够更为接近SiC器件4从而能够更好的向SiC器件4吸热和放热。
基于上述基础，为了如图7所示使得冷却剂的气体沿N2方向沿第一通道203从第一腔体201进入第二腔体202内。如图8所示第一通道203包括第一气道22A、第二气道22B和第三气道22C。如图8和图14所示第一气道22A的两端分别与第一腔体201和第二腔体202相连通，第一气道22A位于隔板22远离开口的一端上。第二气道22B的一端与第一气道22A相连通，第二气道22B的轴线与第一气道22A的轴线之间的距离H1沿靠近第二腔体202的方向逐渐减小。第三气道22C的一端与第一气道22A相连通，第三气道22C的轴线与第一气道22A的轴线之间的距离H3沿靠近第二腔体202的方向逐渐减小。第三气道22C的另一端与第二气道22B的另一端相连通。第二气道22B和第三气道22C沿第一气道22A的轴线依次交替分布在第一气道22A的相对两侧。
具体地，如图7所示当冷却剂的气体沿N2方向从第一腔体201内向第二腔体202运动时，如图8所示由于第二气道22B的轴线与第一气道22A的轴线之间的距离H1沿远离第二腔体202的方向逐渐增大，且第三气道22C的轴线与第一气道22A的轴线之间的距离H2也沿远离第二腔体202的方向逐渐增大。所以冷却剂的气体沿第一气道22A向靠近腔体方向运动时不易进入第二气道22B和第三气道22C，从而使得冷却剂的气体沿N1方向直接从第一气道22A进入第二腔体202内。
如图9所示当冷却剂的气体沿N4方向从第二腔体202向第一腔体201方向运动，由于第二气道22B的轴线与第一气道22A的轴线之间的距离H1沿远离第二腔体202的方向逐渐增大。所以冷却剂的气体更容易从第二气道22B靠近第二腔体202的一端沿N5方向进入第二气道22B中，并沿N5方向从第三气道22C远离第二腔体202的另一端回到第一气道22A内，并与原本在第一气道22A中向远离腔体方向流动的冷却剂的气体产生对流。从而减缓了冷却剂的气体在第一气道22A中的流动速度。以使得冷却剂的气体会较为缓慢的从第二腔体202向靠近第一腔体201方向运动。
需要说明的是，当冷却剂的气体沿N4方向从第二腔体202向第一腔体201方向运动时，一种SiC器件散热封装结构的第一通道处于第二工位。
这样，当SiC器件4在较热环境下工作时，冷却剂的气体会更为容易的从第一腔体201内沿第一气道22A沿N1方向进入第二腔体202内。而第二腔体202内的冷却剂的气体不容易从第二腔体202内沿N4方向经过第一气道22A进入第一腔体201内。从而使得冷却剂的气体能够更好的停留在第二腔体202内被吸热件3吸取热量从而液化。
更优地，如图8和图9所示第一气道22A包括四个子气道。四个子气道依次相连通，并分别与第二气道22B和第三气道22C一一对应，第二气道22B的一端与子气道相连通，第二气道22B的轴线与子气道的轴线之间的距离H1沿靠近第二腔体202的方向逐渐减小，第三气道22C远离第二气道22B的一端与子气道相连通，第三气道22C的轴线与子气道的轴线之间的距离H2沿靠近第二腔体202的方向逐渐减小，子气道、第二气道22B和第三气道22C围设形成回路，沿靠近第二腔体202的方向第二气道22B和相邻的子气道同轴线。
这样，如图9所示当冷却剂的气体从第二腔体202沿N4方向向第一腔体201方向运动时，更容易产生分流使得冷却剂的气体同时沿N4方向和N5方向运动，从而更容易在第三气道22C和子道的连接处产生对流，从而进一步降低冷却剂的气体从第二腔体202向第一腔体201方向运动时的运动速度。从而使得冷却剂的气体能够更好的停留在第二腔体202内被吸热件3吸取热量从而液化。
需要说明的是为了方便子气道、第二气道22B以及第三气道22C的加工。隔板22可以如图18所示由挡板221和盖板222组成，其中挡板221上开设有与第一气道22A、第二气道22B以及第三气道22C对应的加工槽，其中对应子气道、第二气道22B和第三气道22C的加工槽所围设形成的中间处可以放置第一预设焊盘22D，上述第一预置焊盘可以为金锡混合物，其金锡比例可以在1:1到3:1之间，其中金的含量通常在10%到30%之间，第一预置焊盘的厚度通常在0.025mm到0.1mm之间。其余非加工槽处也应放置于第一预置焊盘材料一致的预置焊料，以方便挡板221和盖板222的焊接。
基于上述基础，为了如图10所示使得冷却剂的液体沿N3方向的沿第二通道204从第二腔体202进入第一腔体201内。如图11第二连接道233包括第一液道23A、第二液道23B和第三液道23C。如图17所示第一液道23A位于底板23内，如图10所示第一液道23A具有第一端23E和第二端23F。如图6和图15所示第一端23E与第一连接道22E的另一端相连通。第二端23F与第一腔体201相连通，并位于底板23的中部，第一端23E和第二端23F均位于底板23朝向开口的侧面上。如图11所示第二液道23B的一端与第一液道23A的中部相连通，第二液道23B的轴线与第一液道23A的轴线之间的距离H4沿靠近第一腔体201的方向逐渐减小。第三液道23C的一端与第一液道23A的中部相连通，第三液道23C的轴线与第一液道23A的轴线之间的距离H3沿靠近第一腔体201的方向逐渐减小。第三液道23C的另一端与第二液道23B的另一端相连通。第二液道23B和第三液道23C沿第一液道23A的轴线依次交替分布在第一液道23A的相对两侧。这样，增加了冷却剂液体，位于底板23内的体积，从而能够好的吸收SiC器件4的热量。
具体地，如图10所示当冷却剂的液体沿N3方向从第二腔体202内向第一腔体201运动时，如图11所示由于第二液道23B的轴线与第一液道23A的轴线之间的距离H4沿远离第二端23F的方向逐渐增大，且第三液道23C的轴线与第一液道23A的轴线之间的距离H3也沿远离第二端23F的方向逐渐增大。所以冷却剂的液体沿第一液道23A向靠近腔体方向运动时不易进入第二液道23B和第三液道23C，从而使得冷却剂的液体沿N3方向直接从第一液道23A进入第一腔体201内。
如图12所示当冷却剂的液体沿N6方向从第二腔体202向第一腔体201方向运动，由于第二液道23B的轴线与第一液道23A的轴线之间的距离H4沿远离第二端23F的方向逐渐增大。所以冷却剂的液体更容易从第二液道23B靠近第二端23F的一端沿N7方向进入第二液道23B中，并沿N7方向从第三液道23C远离第二端23F的另一端回到第一液道23A内，并与原本在第一液道23A中向远离腔体方向流动的冷却剂的液体产生对流。从而减缓了冷却剂的液体在第一液道23A中的流动速度。以使得冷却剂的液体会较为缓慢的从第二端23F向靠近第一端23E方向运动。
需要说明的是，当冷却剂的液体沿N6方向从第二腔体202向第一腔体201方向运动时，一种SiC器件散热封装结构的第二通道处于第二工位。
更优地，如图11和图12所示第一液道23A包括若干子液道。若干子液道依次相连通，并分别与第二液道23B和第三液道23C一一对应，第二液道23B的一端与子液道相连通，第二液道23B的轴线与子液道的轴线之间的距离H4沿靠近第二端23F的方向逐渐减小，第三液道23C远离第二液道23B的一端与子液道相连通，第三液道23C的轴线与子液道的轴线之间的距离H3沿靠近第二端23F的方向逐渐减小，子液道、第二液道23B和第三液道23C围设形成回路，沿靠近第二端23F的方向第二液道23B和相邻的子液道同轴线。
这样，当SiC器件4在较热环境下工作时，冷却剂的液体从第二通道204沿N3进入第一腔体201时，在第一液道23A、第二液道23B和第三液道23C中吸收SiC器件4热量从而汽化时更容易从第二端23F离开第二液道23B，而不容易沿N6方向返回第二腔体202内从而减少第二腔体202向第一腔体201内输送冷却剂的液体的速率，从而影响SiC器件4的降温。
需要说明的是为了方便子液道、第二液道23B以及第三液道23C的加工。底板23可以如图17所示由第一安装板231和第二安装板232组成，其中第二安装板232上开设有与第一液道23A、第二液道23B以及第三液道23C对应的加工槽，其中对应子液道、第二液道23B和第三液道23C的加工槽所围设形成的中间处可以放置第二预设焊盘23D，上述第二预置焊盘可以为金锡混合物，其金锡比例可以在1:1到3:1之间，其中金的含量通常在10%到30%之间，第一预置焊盘的厚度通常在0.025mm到0.1mm之间。其余非加工槽处也应放置于第一预置焊盘材料一致的预置焊料，以方便挡板221和盖板222的焊接而第一安装板231上应预加工与第一液道23A对应的第一端23E和第二端23F的通孔。完成上述第一安装板231和第二安装板232的焊接后，应使得第二安装板232位于壳体21外以用于与SiC器件4抵接。
基于上述基础。如图13所示一种SiC器件4散热封装结构还包括热敏电阻24。壳体21远离开口的外侧上开设有与热敏电阻24对应的凹槽211，热敏电阻24安装在凹槽211内，并通过装配模组1与温控电路电连接。需要说明的是热敏电阻24可以为NTC(NegativeTemperature CoeffiCient)热敏电阻24。其与温度值反相关，即温度升高时，热敏电阻24的电阻下降，温度降低时，热敏电5的阻值增大。同时温控电路可以为亚德诺投资有限公司(ADI)生产的ADN8834超紧凑1.5 A热电冷却器TEC(Thermoelectric Cooler)控制器。该温控电路可以包括线性功率级、脉冲宽度调制PWM(Pulse Width Modulation)功率级和两个零点漂移、轨到轨运算放大器。线性控制器采用PWM（Pulse Width Modulatio）驱动器工作，在H桥配置下控制内部功率金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET（Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor）。通过测量热传感器反馈电压，并使用集成运算放大器作为比例-积分-微分PID(Proportional-Integral-Derivative)补偿器来调理信号，ADN8834通过TEC（Negative Temperature Coefficient Thermistor）驱动电流，将连接至TEC模块的激光二极管或无源组件的温度建立至可编程的目标温度。ADN8834支持负温度系数(NTC)热敏电阻24以及正温度系数PTC（Positive Temperature CoefficientThermistor）电阻温度检测器RTD（Resistance Temperature Detector）。目标温度设置为数模转换器DAC(Digital-to-Analog Converter)或外部电阻分压器的模拟电压输入。ADN8834温度控制环路利用内置零漂移斩波放大器通过PID补偿方式实现稳定。内部2.50 V基准电压提供精确的1%输出，用于热敏电阻24温度检测电桥和分压器网络偏置，从而在加热和冷却模式下对最大TEC电流和电压限值进行编程。它利用零点漂移斩波放大器，通过自动模拟温度控制环路可维持极佳的长期温度稳定性。
这样，外界温控电路可以根据热敏电阻24的测量数据对吸热件3的电流进行调控，在控制其吸热效率的同时也能控制其吸热和放热。
基于上述基础。如图4所示隔板22位于第一腔体201内的一侧具有导向面223。
基于上述基础。如图19所示装配模组1包括外壳11、基座12、第一管脚13和第二管脚14。外壳11安装在壳体21靠近开口的侧面上。容置腔101由外壳11与底板23远离壳体21的侧面围设形成。基座12安装在外壳11远离壳体21的内侧上，并开设有用放置SiC器件4的放置槽121。第一管脚13安装在外壳11上，第一管脚13的一端位于容置腔101内，并与SiC器件4电连接。第一管脚13的另一端位于壳体21外并用于与外界电路电连接。第二管脚14的中部安装在外壳11上，第二管脚14的一端位于外壳11外，并用于与热敏电阻24和吸热件3电连接。第二管脚14的另一端位于外壳11外，并用于与温控电路电连接。
基于上述基础，为了使得电路板15与热敏电阻24和吸热件3电连接。如图2所示装配模组1还包括电路板15。电路板15装在壳体21远离开口的外侧上。第二管脚14的一端安装在电路板15上，热敏电阻24安装在电路板15上并通过电路板15与第二管脚14电连接。吸热件3与电路板15电连接，并通过电路板15与第二管脚14电连接。
需要说明的是电路板15（Printed Circuit Board）是一种用于支持和连接电子元器件的基础材料。它通常由一块绝缘材料，如玻璃纤维强化塑料（FR-4（FR代表“火焰抑制”（Fire Retardant），4代表材料的等级））等，上面覆盖着一层铜箔，经过化学腐蚀或机械加工等工艺，形成导电图案来连接各种电子元器件。
基于上述基础为了使得SiC器件4能与第一管脚13电连接。如图20所示一种SiC器件4散热封装结构还包括连接件16。SiC器件4与第一管脚13件通过连接件16电连接。需要说明的是连接件16为25um-50um的金丝。
该SiC器件4散热封装结构的封装方法包括如下步骤S1、将基座12通过共晶工艺或者高导热银胶粘接工艺安装在外壳11远离壳体21的内壁上。并在基座12上开设放置槽121，且将SiC器件4放置在放置槽121内。S2、将连接件16的两端通过金丝键合工艺分别安装在第一管脚13和SiC器件4上。以使第一管脚13和SiC器件4的电极一一连通，并在SiC器件4上涂抹导热硅脂。S3、通过安装孔212向壳体21内滴入冷却剂。并将吸热件3的中部通过聚氨酯或环氧树脂粘接安装孔212内上，以使得吸热件3的一端位于第二腔体202内，并使得吸热件3的另一端位于壳体21外，且使得安装孔212闭合。S4、通过锡焊将热敏电阻24焊接在电路板15上，并在热敏电阻24的表面涂抹导热硅脂。S5、通过高导热银胶粘接工艺将电路板15粘接在壳体21远离开口的一侧上，并使得热敏电阻24插设在凹槽211内。通过锡焊将吸热件3的焊盘焊接在电路板15上。S6、将外壳11通过丙烯酸酯、聚氨酯或环氧树脂粘接在壳体21上。以使底板23与外壳11的内壁围设形成容置腔101，并使得底板23与SiC器件4抵接，以完成对SiC器件4的封装。
由上述可知本实施例提供的一种SiC器件4散热封装结构能够无需驱动件便对第一腔体201和第二腔体202内的冷却液进行循环，从而快速降低第一腔体201的温度，进而提升了对SiC器件4进行散热能力。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明记载的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种SiC器件散热封装结构，其特征在于，包括：
装配模组，用于放置SiC器件，并用于连通所述SiC器件与外界电路；
传热组件，内具有用于放置制冷剂的第一腔体和第二腔体，所述传热组件靠近所述第一腔体的外壁用于与所述SiC器件抵接，并与所述装配模组围设形成用于放置所述SiC器件的容置腔；
吸热件，一端位于所述第二腔体内，并用于吸收所述第二腔体内冷却剂蒸汽的热量以使第二腔体内的冷却剂液化，所述吸热件的另一端位于所述传热组件外，并用于向外界释放热量，所述传热组件内具有第一通道和第二通道，所述第一腔体内的冷却剂的蒸汽从所述第一通道进入所述第二腔体，所述第二腔体内的冷却剂从所述第二通道进入所述第一腔体内，所述吸热件通过所述装配模组与温控电路电连接；
所述第二通道应位于所述第一通道与所述SiC器件之间，所述第二腔体底面到第一腔底面应该具有一定的距离，以使所述第二腔体内的冷却剂的液面到第一腔体的底部的距离H’与所述第一腔体内冷却剂的液面到所述第一腔体的底面的距离 H 满足 H’＞H。
2.根据权利要求1所述的一种SiC器件散热封装结构，其特征在于，所述传热组件包括：
壳体，一侧上开设有与所述壳体内部相连通的开口；
隔板，一端安装在所述壳体远离所述开口的内壁上，所述隔板的另一端安装在所述壳体的内周侧上，所述第二腔体由所述隔板与所述壳体围设形成，所述壳体上开设有与所述第二腔体相连通的安装孔，所述吸热件的中部插设在所述安装孔中，所述吸热件的一端位于所述第二腔体内，并用于吸收所述第二腔体内的热量，所述吸热件的另一端位于所述壳体外，并用于向外界释放热量，所述隔板上开设有所述第一通道，所述第一通道远离所述开口，所述第二通道由相互连通的第一连接道和第二连接道组成，所述第一连接道位于所述隔板靠近所述开口的一端上，所述第一连接道的一端位于所述第二腔体内；
底板，插设在所述开口中以闭合所述开口，所述第一腔体由所述壳体的内壁、所述底板和所述隔板围设形成，所述第二连接道位于所述底板内，所述第二连接道的一端与所述第一连接道靠近所述开口的另一端相连通，所述第二连接道的另一端位于所述第一腔体内，所述底板用于与所述SiC器件抵接以吸收所述SiC器件的热量。
3.根据权利要求2所述的一种SiC器件散热封装结构，其特征在于，所述第一通道包括：
第一气道，两端分别与所述第一腔体和所述第二腔体相连通，所述第一气道位于所述隔板远离所述开口的一端上；
第二气道，所述第二气道的一端与所述第一气道相连通，所述第二气道的轴线与所述第一气道的轴线之间的距离沿靠近所述第二腔体的方向逐渐减小；
第三气道，一端与所述第一气道相连通，所述第三气道的轴线与所述第一气道的轴线之间的距离沿靠近所述第二腔体的方向逐渐减小，所述第三气道的另一端与所述第二气道的另一端相连通，所述第二气道和所述第三气道沿所述第一气道的轴线依次交替分布在所述第一气道的相对两侧。
4.根据权利要求3所述的一种SiC器件散热封装结构，其特征在于，所述第二连接道包括：
第一液道，位于所述底板内，所述第一液道具有第一端和第二端，所述第一端与所述第一连接道的另一端相连通，所述第二端与所述第一腔体相连通，并位于所述底板的中部，所述第一端和所述第二端均位于所述底板朝向所述开口的侧面上；
第二液道，所述第二液道的一端与所述第一液道的中部相连通，所述第二液道的轴线与所述第一液道的轴线之间的距离沿靠近所述第一腔体的方向逐渐减小；
第三液道，一端与所述第一液道的中部相连通，所述第三液道的轴线与所述第一液道的轴线之间的距离沿靠近所述第一腔体的方向逐渐减小，所述第三液道的另一端与所述第二液道的另一端相连通，所述第二液道和所述第三液道沿所述第一液道的轴线依次交替分布在所述第一液道的相对两侧。
5.根据权利要求4所述的一种SiC器件散热封装结构，其特征在于，还包括：
热敏电阻，所述壳体远离所述开口的外侧上开设有与所述热敏电阻对应的凹槽，所述热敏电阻安装在所述凹槽内，并通过所述装配模组与温控电路电连接。
6.根据权利要求5所述的一种SiC器件散热封装结构，其特征在于，所述隔板位于所述第一腔体内的一侧具有导向面。
7.根据权利要求6所述的一种SiC器件散热封装结构，其特征在于，所述装配模组包括：
外壳，安装在所述壳体靠近所述开口的侧面上，所述容置腔由所述外壳与所述底板远离壳体的侧面围设形成；
基座，安装在所述外壳远离所述壳体的内侧上，并开设有用放置所述SiC器件的放置槽；
第一管脚，安装在所述外壳上，所述第一管脚的一端位于所述容置腔内，并与所述SiC器件电连接，所述第一管脚的另一端位于所述壳体外并用于与外界电路电连接；
第二管脚，中部安装在所述外壳上，所述第二管脚的一端位于所述外壳外，并用于与所述热敏电阻和所述吸热件电连接，所述第二管脚的另一端位于所述外壳外，并用于与温控电路电连接。
8.根据权利要求7中所述的一种SiC器件散热封装结构，其特征在于，所述装配模组还包括：
电路板，安装在所述壳体远离所述开口的外侧上，所述第二管脚的一端安装在所述电路板上，所述热敏电阻安装在所述电路板上并通过所述电路板与所述第二管脚电连接，所述吸热件与所述电路板电连接，并通过所述电路板与所述第二管脚电连接。
9.根据权利要求8所述的一种SiC器件散热封装结构，其特征在于，还包括：
连接件，所述SiC器件与所述第一管脚件通过所述连接件电连接。
10.一种基于如权利要求9所述SiC器件散热封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将所述基座通过共晶工艺或者高导热银胶粘接工艺安装在所述外壳远离所述壳体的内壁上，并在所述基座上开设所述放置槽，且将所述SiC器件放置在所述放置槽内；
S2、将所述连接件的两端通过金丝键合工艺分别安装在所述第一管脚和所述SiC器件上，以使所述第一管脚和所述SiC器件的电极一一连通，并在所述SiC器件上涂抹导热硅脂；
S3、通过所述安装孔向壳体内滴入冷却剂，并将所述吸热件的中部通过聚氨酯或环氧树脂粘接所述安装孔内上，以使得所述吸热件的一端位于所述第二腔体内，并使得所述吸热件的另一端位于所述壳体外，且使得所述安装孔闭合；
S4、通过锡焊将所述热敏电阻焊接在所述电路板上，并在热敏电阻的表面涂抹导热硅脂；
S5、通过高导热银胶粘接工艺将所述电路板粘接在所述壳体远离所述开口的一侧上，并使得所述热敏电阻插设在所述凹槽内，通过锡焊将所述吸热件的焊盘焊接在所述电路板上；
S6、将所述外壳通过丙烯酸酯、聚氨酯或环氧树脂粘接在所述壳体上，以使所述底板与所述外壳的内壁围设形成所述容置腔，并使得所述底板与所述SiC器件抵接，以完成对所述SiC器件的封装。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311587616.9A CN117293104B (zh) | 2023-11-27 | 2023-11-27 | 一种sic器件散热封装结构及封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311587616.9A CN117293104B (zh) | 2023-11-27 | 2023-11-27 | 一种sic器件散热封装结构及封装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117293104A CN117293104A (zh) | 2023-12-26 |
| CN117293104B true CN117293104B (zh) | 2024-03-22 |
Family
ID=89244824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311587616.9A Active CN117293104B (zh) | 2023-11-27 | 2023-11-27 | 一种sic器件散热封装结构及封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117293104B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001035199A1 (en) * | 1999-11-08 | 2001-05-17 | Lee Mok Hyoung | Heat transfer apparatus using refrigerant and computer having the same |
| KR20080029756A (ko) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | 친 쿠앙 루오 | 열 소산 시스템, 컴퓨터 모듈 및 열 소산 방법 |
| CN101282075A (zh) * | 2007-04-02 | 2008-10-08 | 通用汽车环球科技运作公司 | 用于电力电子设备的相变冷却的装置及其方法 |
| CN105491858A (zh) * | 2009-05-12 | 2016-04-13 | 爱思欧托普有限公司 | 被冷却的电子*** |
| CN106252309A (zh) * | 2016-09-26 | 2016-12-21 | 北京无线电测量研究所 | 一种用于高热流密度芯片的微通道液冷散热器及导冷插件 |
| DE202018004502U1 (de) * | 2018-06-06 | 2018-12-07 | Cooler Master Technology Inc. | Kühlsystem und Wasserkühlradiator |
| IT201800000950A1 (it) * | 2018-01-15 | 2019-07-15 | St Microelectronics Srl | Dispositivo incapsulato di potenza con migliorate capacita' di dissipazione del calore e migliori prestazioni termiche |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4122250B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2008-07-23 | 山洋電気株式会社 | 電子部品冷却装置 |
| TWI272056B (en) * | 2005-08-12 | 2007-01-21 | Foxconn Tech Co Ltd | Integrated liquid cooling system |
-
2023
- 2023-11-27 CN CN202311587616.9A patent/CN117293104B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001035199A1 (en) * | 1999-11-08 | 2001-05-17 | Lee Mok Hyoung | Heat transfer apparatus using refrigerant and computer having the same |
| KR20080029756A (ko) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | 친 쿠앙 루오 | 열 소산 시스템, 컴퓨터 모듈 및 열 소산 방법 |
| CN101282075A (zh) * | 2007-04-02 | 2008-10-08 | 通用汽车环球科技运作公司 | 用于电力电子设备的相变冷却的装置及其方法 |
| CN105491858A (zh) * | 2009-05-12 | 2016-04-13 | 爱思欧托普有限公司 | 被冷却的电子*** |
| CN106252309A (zh) * | 2016-09-26 | 2016-12-21 | 北京无线电测量研究所 | 一种用于高热流密度芯片的微通道液冷散热器及导冷插件 |
| IT201800000950A1 (it) * | 2018-01-15 | 2019-07-15 | St Microelectronics Srl | Dispositivo incapsulato di potenza con migliorate capacita' di dissipazione del calore e migliori prestazioni termiche |
| DE202018004502U1 (de) * | 2018-06-06 | 2018-12-07 | Cooler Master Technology Inc. | Kühlsystem und Wasserkühlradiator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117293104A (zh) | 2023-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1378153B1 (en) | Electronic module including a cooling substrate and manufacturing method thereof | |
| US11610832B2 (en) | Heat transfer for power modules | |
| CN100581334C (zh) | 冷却装置及其制造方法 | |
| US20100032150A1 (en) | Microscale cooling apparatus and method | |
| AU2002306686B2 (en) | Electronic module with fluid dissociation electrodes and methods | |
| AU2002254176A1 (en) | Electronic module including a cooling substrate and related methods | |
| EP2605345A1 (en) | Thermal management of photonics assemblies | |
| US20130235527A1 (en) | Power electronic system and method of assembly | |
| JPH04216656A (ja) | 熱電冷却器を有する集積回路パッケージ | |
| AU2008244383A1 (en) | Cooling box for components or circuits | |
| AU2002306686A1 (en) | Electronic module with fluid dissociation electrodes and methods | |
| Cong et al. | A combined solution of thermoelectric coolers and microchannels for multi-chip heat dissipation with precise temperature uniformity control | |
| CN117293104B (zh) | 一种sic器件散热封装结构及封装方法 | |
| US6837059B2 (en) | Temperature adjustment device and laser module | |
| CN218216098U (zh) | 激光发射装置和激光雷达 | |
| CN113448027B (zh) | 光模块散热结构、光模块及光通信设备 | |
| CN219760239U (zh) | 一种低温漂带制冷同轴激光器封装结构 | |
| JP2016004989A (ja) | 光通信用パッケージ及び光モジュール | |
| CN115842283B (zh) | 一种泵浦封装壳体 | |
| CN220292421U (zh) | 散热装置和电子设备 | |
| CN116581639A (zh) | 基于热电制冷耦合均热板和微通道的ltcc器件散热结构 | |
| CN116365352A (zh) | 一种低温漂带制冷同轴激光器封装结构 | |
| Fan et al. | Design and fabrication of micro thermoelectric cooler on LTCC substrate | |
| CN115954759A (zh) | 微通道散热耦合热电制冷激光器温控结构及其温控方法 | |
| CN117529053A (zh) | 液冷控温装置及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |