FR3097368B1 - Procédé de détermination d’un paramètre de fabrication d’une cellule de mémoire vive résistive - Google Patents

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PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION D’UN PARAMÈTRE DE FABRICATION D’UNE CELLULE DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE L’invention concerne un procédé pour déterminer au moins une valeur (tTE_opt , tOX_opt, xopt) d’au moins un paramètre de fabrication (tTE , tOX, x) d’une cellule mémoire résistive, la cellule mémoire résistive comprenant un empilement de couches minces, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : fournir (S1) plusieurs cellules mémoire de référence (10) correspondant à plusieurs variantes technologiques de l’empilement de couches minces ; mesurer (S2) pour chaque cellule mémoire de référence une valeur de résistance initiale (Ri) ; déterminer (S3, S4) pour chaque cellule mémoire de référence (10) une valeur d’un paramètre de programmation choisi parmi la résistance dans un état fortement résistif (RHRS) et la fenêtre de programmation ; établir (S5) une relation entre le paramètre de programmation et la résistance initiale (Ri) à partir des valeurs de résistance initiale (Ri) et des valeurs du paramètre de programmation ; et déterminer ladite au moins une valeur (tTE_opt , tOX_opt, xopt) dudit au moins un paramètre de fabrication (tTE , tOX, x) pour laquelle le paramètre de programmation est supérieur ou égal à une valeur cible (RHRS_tg), à partir de ladite relation entre le paramètre de programmation et la résistance initiale (Ri) et d’au moins une relation de dépendance entre la résistance initiale (Ri) et ledit au moins un paramètre de fabrication (tTE , tOX, x). Figure de l’abrégé : Figure 1
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2012042897A1 (fr) * 2010-10-01 2012-04-05 パナソニック株式会社 Procédé de fabrication d'un élément de mémoire non volatile, et élément de mémoire non volatile
US9000506B2 (en) * 2010-11-19 2015-04-07 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Variable resistance nonvolatile memory element and method for manufacturing the same
WO2013032983A1 (fr) 2011-08-26 2013-03-07 William Marsh Rice University Matrice mémoire adressable au siox comportant des diodes intégrées
WO2013073187A1 (fr) * 2011-11-17 2013-05-23 パナソニック株式会社 Dispositif de stockage non volatil à résistance variable et son procédé de fabrication
US20160020388A1 (en) * 2014-07-21 2016-01-21 Intermolecular Inc. Resistive switching by breaking and re-forming covalent bonds
FR3061799B1 (fr) * 2017-01-06 2020-06-19 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de determination d'une fenetre memoire d'une memoire vive resistive

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