FR3093858B1 - Procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support - Google Patents
Procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support Download PDFInfo
- Publication number
- FR3093858B1 FR3093858B1 FR1902668A FR1902668A FR3093858B1 FR 3093858 B1 FR3093858 B1 FR 3093858B1 FR 1902668 A FR1902668 A FR 1902668A FR 1902668 A FR1902668 A FR 1902668A FR 3093858 B1 FR3093858 B1 FR 3093858B1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- support substrate
- buried
- useful layer
- plane
- embrittlement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
L’invention concerne un procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support, comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d’un substrat donneur comportant un plan fragile enterré, la couche utile étant délimitée par une face avant du substrat donneur et le plan fragile enterré ;b) la fourniture d’un substrat support ; c) l’assemblage, selon une interface de collage, du substrat donneur, au niveau de sa face avant, et du substrat support, pour former une structure collée ; d) le recuit de la structure collée pour augmenter le niveau de fragilisation du plan fragile enterré ; Le procédé de transfert étant remarquable en ce que : - une contrainte prédéterminée est appliquée au plan fragile enterré au cours de l’étape d) de recuit, pendant une période de temps, la contrainte prédéterminée étant choisie de manière à initier l’onde de fracture lorsqu’un niveau donné de fragilisation est atteint, - au bout de la période de temps, le niveau donné de fragilisation étant atteint, la contrainte prédéterminée provoque l’initiation et la propagation auto-entretenue de l’onde de fracture le long dudit plan fragile enterré, menant au transfert de la couche utile sur le substrat support. Figure à publier avec l’abrégé : Pas de figure
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1902668A FR3093858B1 (fr) | 2019-03-15 | 2019-03-15 | Procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support |
TW109105909A TWI811528B (zh) | 2019-03-15 | 2020-02-24 | 用於將有用層移轉至支撐底材上之方法 |
KR1020217032705A KR20210138051A (ko) | 2019-03-15 | 2020-02-26 | 유용 층을 캐리어 기판에 전사하는 공정 |
SG11202109798U SG11202109798UA (en) | 2019-03-15 | 2020-02-26 | Process for transferring a useful layer to a carrier substrate |
EP20713728.2A EP3939076A1 (fr) | 2019-03-15 | 2020-02-26 | Procede de transfert d'une couche utile sur un substrat support |
US17/436,532 US20220172983A1 (en) | 2019-03-15 | 2020-02-26 | Method for transferring a useful layer onto a support substrate |
CN202080016649.6A CN113574654A (zh) | 2019-03-15 | 2020-02-26 | 将有用层转移到载体衬底的方法 |
JP2021555272A JP2022526250A (ja) | 2019-03-15 | 2020-02-26 | キャリア基板へ有用層を移転するためのプロセス |
PCT/FR2020/050367 WO2020188167A1 (fr) | 2019-03-15 | 2020-02-26 | Procede de transfert d'une couche utile sur un substrat support |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1902668A FR3093858B1 (fr) | 2019-03-15 | 2019-03-15 | Procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support |
FR1902668 | 2019-03-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR3093858A1 FR3093858A1 (fr) | 2020-09-18 |
FR3093858B1 true FR3093858B1 (fr) | 2021-03-05 |
Family
ID=67384006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR1902668A Active FR3093858B1 (fr) | 2019-03-15 | 2019-03-15 | Procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220172983A1 (fr) |
EP (1) | EP3939076A1 (fr) |
JP (1) | JP2022526250A (fr) |
KR (1) | KR20210138051A (fr) |
CN (1) | CN113574654A (fr) |
FR (1) | FR3093858B1 (fr) |
SG (1) | SG11202109798UA (fr) |
TW (1) | TWI811528B (fr) |
WO (1) | WO2020188167A1 (fr) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2861497B1 (fr) | 2003-10-28 | 2006-02-10 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation |
US8845859B2 (en) * | 2011-03-15 | 2014-09-30 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Systems and methods for cleaving a bonded wafer pair |
EP2774176B1 (fr) * | 2011-10-31 | 2016-08-10 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Appareil de serrage permettant de cliver une structure de plaquette soudée et procédés de clivage |
JP2013143407A (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
FR2995441B1 (fr) * | 2012-09-07 | 2015-11-06 | Soitec Silicon On Insulator | Dispositif de separation de deux substrats |
FR3020175B1 (fr) * | 2014-04-16 | 2016-05-13 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert d'une couche utile |
JP6396852B2 (ja) * | 2015-06-02 | 2018-09-26 | 信越化学工業株式会社 | 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法 |
WO2017142849A1 (fr) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | Sunedison Semiconductor Limited | Structure de semi-conducteur sur isolant comprenant une couche enfouie à haute résistivité |
-
2019
- 2019-03-15 FR FR1902668A patent/FR3093858B1/fr active Active
-
2020
- 2020-02-24 TW TW109105909A patent/TWI811528B/zh active
- 2020-02-26 JP JP2021555272A patent/JP2022526250A/ja active Pending
- 2020-02-26 SG SG11202109798U patent/SG11202109798UA/en unknown
- 2020-02-26 KR KR1020217032705A patent/KR20210138051A/ko unknown
- 2020-02-26 EP EP20713728.2A patent/EP3939076A1/fr active Pending
- 2020-02-26 WO PCT/FR2020/050367 patent/WO2020188167A1/fr active Application Filing
- 2020-02-26 CN CN202080016649.6A patent/CN113574654A/zh active Pending
- 2020-02-26 US US17/436,532 patent/US20220172983A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220172983A1 (en) | 2022-06-02 |
KR20210138051A (ko) | 2021-11-18 |
TW202036782A (zh) | 2020-10-01 |
SG11202109798UA (en) | 2021-10-28 |
JP2022526250A (ja) | 2022-05-24 |
FR3093858A1 (fr) | 2020-09-18 |
EP3939076A1 (fr) | 2022-01-19 |
TWI811528B (zh) | 2023-08-11 |
CN113574654A (zh) | 2021-10-29 |
WO2020188167A1 (fr) | 2020-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2893554B1 (fr) | Procédé de séparation d'au moins deux substrats selon une interface choisie | |
FR3076292B1 (fr) | Procede de transfert d'une couche utile sur un substrat support | |
FR3093858B1 (fr) | Procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support | |
FR2920912B1 (fr) | Procede de fabrication d'une structure par transfert de couche | |
FR3079667B1 (fr) | Dispositif d'onde acoustique de surface sur substrat composite | |
FR3109016B1 (fr) | Structure demontable et procede de transfert d’une couche mettant en œuvre ladite structure demontable | |
JPH07106285A (ja) | 半導体製造方法 | |
US9315417B2 (en) | Attachment of a cap to a substrate-based device with in situ monitoring of bond quality | |
FR3074218A1 (fr) | Procede de fabrication d'un revetement annulaire pour un carter d'aubes tournantes d'une turbomachine | |
EP1520669B1 (fr) | Procédé de séparation de plaques collées entre elles pour constituer une structure empilée | |
EP1777735A3 (fr) | Procédé de recyclage d'une plaquette donneuse épitaxiée | |
FR3076170B1 (fr) | Procede de report de structures electroluminescentes | |
EP2948976A1 (fr) | Procédé de fabrication d'une structure par collage direct | |
EP1300378B1 (fr) | Procédé pour améliorer les propriétés d'adhésion d'un substrat céramique | |
FR3093859B1 (fr) | Procédé de transfert d’une couche utile sur une substrat support | |
FR3093860B1 (fr) | Procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support | |
NO940463L (no) | Fremgangsmåte og innretning for stabling av substrater, som skal forbindes med hverandre ved hjelp av adhesjonsbinding | |
EP3497713B1 (fr) | Procede de transfert d'une couche utile | |
FR3091620B1 (fr) | Procédé de transfert de couche avec réduction localisée d’une capacité à initier une fracture | |
FR3115278B1 (fr) | Procédé de transfert d’une membrane | |
FR3105569B1 (fr) | Procédé de collage de puces à un substrat par collage direct | |
FR3113772B1 (fr) | Procédé de transfert d’une couche mince sur un substrat receveur comportant des cavités et une région dépourvue de cavités en bordure d’une face de collage | |
US11167983B2 (en) | Selective wafer removal process for wafer bonding applications | |
FR3056825B1 (fr) | Structure comprenant des ilots semi-conducteurs monocristallins, procede de fabrication d'une telle structure | |
BR112022021544A2 (pt) | Matrizes de composto semicondutor iii-v com superfícies inativas tratadas por tensão e métodos de fabricação dos mesmos |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 2 |
|
PLSC | Publication of the preliminary search report |
Effective date: 20200918 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 3 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 4 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 5 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 6 |