FR3069677A1 - Dispositif de generation d'un nombre aleatoire - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un dispositif de génération d'un nombre aléatoire comprenant des lignes conductrices (4) comportant des interruptions (6) ; des vias conducteurs (8A, 8B), un via étant situé à chaque interruption, chaque via comblant ou non de manière aléatoire lesdites interruptions ; et un circuit adapté à déterminer la continuité ou la non continuité électrique des lignes conductrices.
Description
DISPOSITIF DE GENERATION D'UN NOMBRE ALEATOIRE
Domaine
La présente demande concerne le domaine des puces électroniques et plus particulièrement un dispositif de génération d'un nombre aléatoire associé à une puce, et son procédé de fabrication.
Exposé de l'art antérieur
De nombreuses tâches sont aujourd'hui effectuées sur des plateformes en ligne, par exemple avec des téléphones portables. Ces tâches peuvent inclure l'échange de données confidentielles comme des données bancaires ou des informations personnelles. Pour sécuriser ces échanges, il est nécessaire de pouvoir identifier efficacement des appareils tels que des téléphones portables ou plus spécifiquement les puces électroniques qui leur sont associées.
Une solution usuelle consiste à utiliser des fonctions physiques ne pouvant pas être clonées ou PUF (de l'anglais Physical Unclonable Function). Cela consiste à utiliser des variations aléatoires de caractéristiques physiques d'une puce survenant lors de sa fabrication pour générer un numéro d'identification aléatoire qui soit spécifique à la puce.
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Les PUF, en plus d'être utilisées pour l'identification de puces, peuvent être utilisées pour générer des clés de cryptage propres à la puce.
Résumé
Ainsi, un mode de réalisation prévoit un dispositif de génération d'un nombre aléatoire comprenant : des lignes conductrices comportant des interruptions ; des vias conducteurs, un via étant situé à chaque interruption, chaque via comblant ou non de manière aléatoire les interruptions ; et un circuit adapté à déterminer la continuité ou non continuité électrique des lignes conductrices.
Selon un mode de réalisation, les lignes conductrices sont des métallisations d'un niveau connexion.
Selon un mode de réalisation, connecte ou non, de manière aléatoire, d'un réseau d'interchaque via conducteur une ligne conductrice avec un niveau inférieur du réseau d'interconnexion.
Selon un mode de réalisation, la probabilité qu'une ligne soit interrompue est comprise entre 40 % et 60 %.
Selon un mode de réalisation, le nombre aléatoire comprend au moins 128 valeurs.
Selon un mode de réalisation, chaque interruption est située entre deux extrémités de portions de ligne.
Selon un mode de réalisation, chaque interruption est située entre trois extrémités de portions de ligne.
Selon un mode de réalisation, au moins une ligne conductrice est partiellement sur un niveau d'un réseau d'interconnexion et partiellement sur un autre niveau.
Selon un mode de réalisation, le circuit est adapté à mesurer la résistance entre les extrémités des lignes conductrices.
Un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif de génération d'un nombre aléatoire comprenant : former sur une couche d'isolant un premier masque comportant des premières ouvertures de définition de lignes
B16169 - 17-GR3-0130 conductrices, les lignes conductrices comportant des interruptions ; et former sur le premier masque un deuxième masque comportant des deuxièmes ouvertures de définition de vias, le deuxième masque étant placé de telle manière qu'un emplacement de via soit situé en regard de chaque interruption de ligne, les dimensions latérales desdites deuxièmes ouvertures étant choisies en fonction de la technologie de fabrication pour que, de façon aléatoire, chaque via comble ou non lesdites interruptions .
Selon un mode de réalisation, la couche d'isolant constitue un niveau d'un réseau d'interconnexion.
Selon un mode de réalisation, le procédé de fabrication comprend les étapes consistant à graver des premières cavités à travers les premières ouvertures de définition de vias du deuxième masque sans atteindre le niveau inférieur du réseau d'interconnexion ; retirer le deuxième masque ; graver des secondes cavités à travers les premières ouvertures et graver le fond des premières cavités jusqu'à atteindre le niveau inférieur ; retirer le premier masque ; et remplir les premières et secondes cavités de matériau conducteur.
Brève description des dessins
Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :
la figure 1 représente schématiquement un mode de réalisation d'un dispositif de génération d'un nombre aléatoire ;
la figure 2 est une vue de dessus d'une étape d'un mode de réalisation de procédé de fabrication d'un dispositif tel que celui de la figure 1 ;
les figures 3A à 7A sont des vues en coupe selon une ligne A-A d'étapes du procédé de fabrication d'un dispositif tel que celui de la figure 1 ;
B16169 - 17-GR3-0130 les figures 3B à 7B sont des vues en coupe selon une ligne B-B d'étapes du procédé de fabrication d'un dispositif tel que celui de la figure 1 ; et les figures 8A à 8H représentent plusieurs états d'un autre mode de réalisation d'un dispositif de génération d'un nombre aléatoire.
Description détaillée
De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par souci de clarté, seuls les éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, le circuit de mesure n'est ni représenté ni décrit en détail.
Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position, tels que les termes gauche, droite, inférieur, etc., il est fait référence à l'orientation des éléments concernés dans les figures. Sauf précision contraire, l'expression approximativement signifie à 10 % près, de préférence à 5 % près.
La figure 1 représente schématiquement un mode de réalisation d'un dispositif de génération d'un nombre aléatoire et plus particulièrement d'une PUF (fonction physique ne pouvant être clonée) . La figure 1 est une vue de dessus d'une couche d'isolant 2 dans laquelle sont situées des lignes conductrices 4 dont seules de petites portions sont illustrées. Les lignes conductrices 4 comportent des interruptions 6 qui divisent les lignes 4 en plusieurs portions de ligne 7. Un via conducteur 8 est situé au niveau de chaque interruption 6.
Parmi les vias 8, certains, 8A, comblent l'interruption 6 au niveau de laquelle ils sont utilisés et constituent une connexion électrique entre les deux portions de ligne conductrice 7. D'autres vias, 8B, de par leur placement et/ou leurs dimensions, ne comblent pas l'interruption 6 au niveau de
B16169 - 17-GR3-0130 laquelle ils sont utilisés et ne constituent pas une connexion électrique entre les deux portions de ligne 7.
Les lignes conductrices 4 sont par exemple des métallisations formées dans un niveau d'un réseau d'interconnexion et sont par exemple en cuivre. La couche d'isolant 2 est par exemple en oxyde de silicium. Les vias 8 sont par exemple des vias en tungstène normalement destinés à connecter deux niveaux d'un réseau d'interconnexion.
Un circuit électrique, non représenté, permet de déterminer la continuité électrique des lignes 4, par exemple en mesurant la résistance entre les deux extrémités des lignes 4. Il est alors possible de générer une information binaire à partir de l'état de chaque ligne. Si la résistance mesurée entre les deux extrémités d'une ligne indique une ligne continue, c'est-à-dire comprenant uniquement des vias 8A, la ligne correspond à une première valeur binaire, par exemple 0. Si la résistance mesurée indique une ligne interrompue, c'est-à-dire comprenant au moins un via 8B, la ligne correspond à la seconde valeur binaire, par exemple 1. La figure 1 représente six petites portions de lignes comprenant chacune un ou deux vias. La première ligne, en partant de la gauche, comprend un via 8A et un via 8B, la quatrième ligne comprend un via 8B. Les autres lignes comprennent un ou deux vias 8A. Le nombre binaire généré par les six lignes représentées est donc 100100, s'il n'y a pas de vias 8B dans les parties restantes des deuxième, troisième, cinquième et sixième lignes.
La présence de vias 8B est due à des imprécisions survenant aléatoirement durant la fabrication de vias 8A. Selon un premier exemple, certains vias peuvent ne pas être placés correctement par rapport aux portions de lignes. Selon un deuxième exemple, le diamètre de certains vias peut être inférieur au diamètre permettant de combler les interruptions. La continuité ou la non continuité électrique de chaque ligne est donc aléatoire.
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Des simulations ont montré que, pour une technologie donnée, les résistances mesurées aux extrémités des lignes conductrices peuvent être divisées en deux plages de valeurs bien distinctes, l'une correspondant aux lignes interrompues et l'autre correspondant aux lignes continues. Ces plages de valeurs peuvent varier selon des critères tels que le nombre d'interruptions 6, et donc de vias, dans chaque ligne, les dimensions latérales des vias ainsi que la longueur des lignes conductrices 4. Ces critères permettent aussi de choisir approximativement la probabilité, pour une ligne, d'être continue ou interrompue. La probabilité qu'une ligne soit interrompue, c'est-à-dire qu'elle comprenne au moins un via 8B, est de préférence choisie entre 40 % et 60 %.
Ainsi, pour une technologie donnée, il est possible de déterminer un nombre de vias par ligne, par exemple 1000 vias, et des dimensions des vias et des lignes pour lesquels il y a une probabilité d'approximativement 50 % qu'au moins un via sur mille soit un via 8B.
Un nombre suffisamment élevé de lignes, par exemple 128 lignes, permet d'assurer que le nombre aléatoire obtenu est spécifique à la puce.
Le dispositif génère donc un numéro d'identification aléatoire et spécifique à la puce à partir de caractéristiques propre à la puce.
Il est possible de former des ensembles de lignes dont chacune correspond à une valeur numérique à différents emplacements de la puce et sur différents niveaux de métallisation. De plus, des lignes leurres, similaires aux lignes conductrices mais ne participant pas à la génération du numéro d'identification, peuvent être formées de manière à induire en erreur un pirate qui chercherait à déterminer le numéro d'identification. En outre, une même ligne peut être partiellement située sur plusieurs niveaux du réseau d'interconnexion. Ainsi, il est difficile pour un pirate de retrouver les différentes lignes formant le numéro d'identification.
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Dans la structure représentée schématiquement en figure 1, il est facile de faire, à l'oeil nu, la distinction entre les vias 8A et les vias 8B, ce qui n'est pas le cas dans un dispositif réel. Il n'est pas toujours possible de faire la distinction sans tester électriquement la continuité des lignes conductrices, ce qui est difficile pour des pirates lorsque les dimensions sont petites.
Les figures 2, 3A à 7A et 3B à 7B illustrent un procédé de fabrication d'une puce comprenant un dispositif tel que celui décrit en relation avec la figure 1. Plus précisément, le procédé décrit en relation avec les figures 2, 3A à 7A et 3B à 7B décrit la formation d'un via au niveau d'une interruption et la formation d'un via de connexion avec le niveau inférieur du réseau d'interconnexion au niveau d'une partie continue d'une ligne conductrice 4.
La figure 2 est une vue de dessus de la puce à une étape initiale de fabrication. Les figures 3A et 3B sont des vues en coupe respectivement selon les lignes A-A et B-B de la figure 2.
La puce comprend un niveau 10 d'un réseau d'interconnexion (figures 3A et 3B). Il s'agit par exemple du deuxième niveau de métallisation du réseau d'interconnexion. Le niveau 10 comprend ici des métallisations 12, dont une est représentée, s'étendant dans une couche d'isolant 14, dans la direction de la ligne A-A.
Le niveau 10 est recouvert d'une couche d'isolant 16, par exemple du nitrure de silicium, pouvant servir de couche d'arrêt de gravure. La couche 16 est recouverte de la couche d'isolant 2, par exemple en oxyde de silicium.
Un premier masque 20, est formé sur la couche 2. Le masque 20 comprend des ouvertures de définition de lignes comportant des interruptions.
En particulier, la figure 2 représente partiellement des ouvertures de définition de lignes, l'une 21 continue et
B16169 - 17-GR3-0130 l'autre 22 comprenant une interruption 24 au niveau de laquelle le masque 20 n'est pas ouvert.
Le masque 20 est par exemple un masque dur en nitrure de titane ou en nitrure de tantale.
Les figures 4A et 4B sont des vues en coupe selon les mêmes lignes que les figures 3A et 3B à une étape suivante du procédé. Au cours de cette étape, un deuxième masque 26 est formé sur le premier masque 20. Le masque 2 6 comprend des ouvertures 28 et 29 de définition de vias. Les ouvertures 28 se situent sur les interruptions 24 pour la formation des vias 8A et 8B, comme cela est représenté en partie gauche de la figure 4A et en figure 4B. Les ouvertures 28 se situent donc au niveau d'une partie non ouverte du masque 20. Les ouvertures 29 se situent sur les ouvertures 21 de définition de lignes conductrices 4 pour la formation des vias de connexion avec le niveau inférieur du réseau d'interconnexion, comme cela est représenté en partie droite de la figure 4A.
Le diamètre des ouvertures 28 et 29 de définition de vias est choisi pour pouvoir découvrir entièrement les interruptions 24 et permettre de les graver. Le diamètre des ouvertures doit donc être au moins aussi grand que la plus grande dimension de l'interruption 24.
Cependant, des imprécisions de placement ou de dimensionnement, surviennent lors de la formation du masque 26 et modifient les ouvertures 28 et 29. L'ouverture 28 représentée en figure 4B est décalée vers la droite par rapport à la position initialement choisie. Une partie 30 périphérique de la partie du masque 20 formant l'interruption 24 est donc protégée par le deuxième masque 2 6 et une petite partie 31 de la couche 2 est découverte.
Les figures 5A et 5B sont des vues en coupe selon les mêmes lignes que les figures 4A et 4B à une étape suivante du procédé.
Au cours de cette étape, des cavités 32 sont gravées à travers les ouvertures du masque 26, qui est ensuite retiré. La
B16169 - 17-GR3-0130 gravure est arrêtée avant d'atteindre la couche 16 d'isolant. La distance entre le fond de la cavité 32 et le niveau 10 est approximativement égale à la hauteur des cavités qui seront gravées par la suite pour former les lignes conductrices.
Comme cela est illustré en figure 5A, la présence du de masque 20 sous l'ouverture 28, mais pas sous l'ouverture 29, entraine une différence de profondeur de gravure dans la couche d'isolant 2. Cependant, la différence exacte de profondeur comporte une incertitude.
Comme cela est illustré en figure 5B, la partie du masque 20 formant l'interruption 24 est gravée à travers l'ouverture 28, à l'exception de la partie protégée par le masque 26. La partie 30 du masque 20 est donc toujours présente sur la couche 2 entre l'ouverture de la cavité 32 et une partie de l'ouverture 22 de définition de ligne.
La partie 31 de la couche d'isolant 2 n'est pas recouverte par le masque 20 et est gravée directement. Cela entraîne la formation d'une partie 33 de la cavité 32 plus profonde que le reste de la cavité.
Les figures 6A et 6B sont des vues en coupe selon les mêmes lignes que les figures 5A et 5B à une étape suivante du procédé. Cette étape est une nouvelle étape de gravure au cours de laquelle des cavités 34 sont gravées à travers les ouvertures du masque 20 et les fonds des cavités 32 sont gravés de manière à atteindre les métallisations du niveau inférieur 10. Les cavités 32 ayant été creusées moins profondément à l'étape des figures 5A et 5B à cause de la présence du masque 20 sous l'ouverture peuvent, de manière aléatoire, ne pas atteindre la métallisation 12 du niveau 10, comme cela est illustré en figure 6A.
Comme cela est illustré en figure 6B, la couche 2 d'isolant est partiellement protégée lors de la gravure par la partie 30 du masque 20. La partie protégée forme un mur 36 d'isolant qui se situe entre une cavité 34 et la cavité 32.
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Les figures 7A et 7B sont des vues en coupe selon les mêmes lignes que les figures 6A et 6B à une étape suivante du procédé. Au cours de cette étape, les cavités 32 et 34 sont remplies d'un matériau conducteur, par exemple du cuivre, de manière à former les lignes conductrices 4 et les vias conducteurs .
La présence d'un mur 36 d'isolant entre une portion de ligne 7 et le via 8B empêche la continuité électrique de la ligne 4, comme cela est illustré en figure 7B.
La formation de vias 8B peut aussi survenir lorsque l'ouverture 28 est placée correctement mais a des dimensions inférieures aux dimensions choisies. Il y a alors un mur 36 entre le via 8B et chaque portion 7.
Dans le cas des vias 8A, l'ouverture a les dimensions et la position correctes pour que l'interruption soit comblée.
A titre de variante, la profondeur des vias 8A et 8B peut être utilisée dans la formation du nombre aléatoire de la même manière que la position et les dimensions latérales des vias. Par exemple, une ligne peut être constituée d'une partie dans un niveau du réseau d'interconnexion et d'une autre partie dans un niveau inférieur, les deux parties étant, aléatoirement, connectées ou non par un via 8A ou 8B. Ainsi, il peut ou non y avoir continuité électrique entre les extrémités de la ligne selon la longueur du via.
A titre de variante, les interruptions peuvent être situées entre plus de deux portions de ligne conductrice 7. Il est par exemple possible de former un quadrillage de lignes interrompues à leurs intersections ou tout autre motif de lignes. Le circuit de mesure peut alors mesurer une caractéristique entre diverses extrémités de ligne.
Les figures 8A à 8H illustrent un via 40 situé entre trois portions de ligne conductrice 42. Plus précisément, les figures 8A à 8H représentent les huit états possibles du via 40. Dans les figures suivantes, les portions de ligne 42 hachurées sont en contact latéral avec le via 40. On considère par exemple
B16169 - 17-GR3-0130 qu'un circuit de mesure, non représenté, mesure la résistance entre les portions deux à deux de manière à déterminer s'il y a ou non une connexion électrique entre ces portions. Les différentes portions 42 ont par exemple une longueur et donc une résistance différente.
Les figures 8A à 8C représentent les cas où le via 40 est en contact avec une seule des trois portions 42 de ligne. La figure 8D représente le cas où le via 40 n'est en contact avec aucune des portions 42. Il n'y a donc aucune connexion électrique entre les trois portions de ligne. Ces quatre états ne sont pas différentiables par une mesure, par exemple de résistance, et correspondent donc à une même valeur.
Les figures 8E à 8G représentent les cas où deux des trois portions de ligne sont connectées par le via 40. La figure 8H représente le cas où les trois portions de lignes sont en contact avec le via. Chacun de ces états correspond à une valeur différente.
Un via 40 entre trois portions de ligne 42 permet donc d'obtenir cinq valeurs différentes.
Le motif des lignes peut être autre que rectiligne. Par exemple, les lignes peuvent avoir une forme en spirale ou une forme en serpentin.
Un avantage des modes de réalisation décrits ici est qu'ils sont difficilement repérables.
Un autre avantage de ces modes de réalisation est que leur formation ne contient que des étapes usuelles de fabrication d'un niveau de réseau d'interconnexion qui sont effectuées au cours de la fabrication des vias du réseau d'interconnexion.
Un autre avantage de ces modes de réalisation est qu'ils sont adaptables à toute technologie.
Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, dans la description ci-dessus, la caractéristique mesurée entre les extrémités des lignes est la
B16169 - 17-GR3-0130 résistance. Toutefois, il serait possible de mesurer la capacité ou d'autres caractéristiques.
Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On notera que l'homme de l'art pourra 5 combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité inventive.
Claims (11)
- REVENDICATIONS1. Dispositif de génération d'un nombre aléatoire comprenant :des lignes conductrices (4) comportant des interruptions (6) ;des vias conducteurs (8, 8A, 8B), un via étant situé à chaque interruption, chaque via comblant ou non de manière aléatoire lesdites interruptions ; et un circuit adapté à déterminer la continuité ou la non continuité électrique des lignes conductrices.
- 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les lignes conductrices (4) sont des métallisations d'un niveau d'un réseau d'interconnexion.
- 3. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel chaque via conducteur (8) connecte ou non, de manière aléatoire, une ligne conductrice (4) avec un niveau inférieur (10) du réseau d'interconnexion.
- 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la probabilité qu'une ligne (4) soit interrompue est comprise entre 40 % et 60 %.
- 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le nombre aléatoire comprend au moins 128 valeurs.
- 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel chaque interruption est située entre deux extrémités de portions de ligne.
- 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel chaque interruption est située entre trois extrémités de portions de ligne.
- 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel au moins une ligne conductrice (4) est partiellement sur un niveau d'un réseau d'interconnexion et partiellement sur un autre niveau.B16169 - 17-GR3-0130
- 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le circuit est adapté à mesurer la résistance entre les extrémités des lignes conductrices (4).
- 10. Procédé de fabrication d'un dispositif de génération d'un nombre aléatoire, comprenant :former sur une couche d'isolant (2) un premier masque (20) comportant des premières ouvertures (21, 22) de définition de lignes conductrices (4), les lignes conductrices comportant des interruptions (24) ; et former sur le premier masque (20) un deuxième masque (22) comportant des deuxièmes ouvertures (28, 29) de définition de vias (8), le deuxième masque étant placé de telle manière qu'un emplacement de via soit situé en regard de chaque interruption de ligne, les dimensions latérales desdites deuxièmes
ouvertures étant choisies en fonction de la technologie de fabrication pour que, de façon aléatoire, chaque via comble ou non lesdites : interruptions. 11 . Procédé selon la revendication 10, dans lequel la couche d'isolant (2) constitue un niveau d'un réseau d'interconnexion. - 12. Procédé selon la revendication 10 ou 11, comprenant les étapes :graver des premières cavités (32) à travers les deuxièmes ouvertures (28, 29) de définition de vias du deuxième masque (22) sans atteindre le niveau inférieur (10) du réseau d'interconnexion ;retirer le deuxième masque (22) ;graver des secondes cavités (34) à travers les premières ouvertures (21, 22) et graver le fond des premières cavités (32) jusqu'à atteindre le niveau inférieur (10) ;retirer le premier masque (20) ; et remplir les premières et secondes cavités (32, 34) de matériau conducteur.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130101114A1 (en) * | 2010-12-09 | 2013-04-25 | Dong Kyue Kim | Apparatus and method for generating identification key |
US20130233608A1 (en) * | 2012-03-08 | 2013-09-12 | International Business Machines Corporation | Physical Unclonable Interconnect Function Array |
US20140042627A1 (en) * | 2012-08-09 | 2014-02-13 | International Business Machines Corporation | Electronic structure containing a via array as a physical unclonable function |
US20160247769A1 (en) * | 2013-10-10 | 2016-08-25 | Ictk Co., Ltd. | Apparatus and method for generating identification key |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2980920B1 (fr) | 2011-09-29 | 2013-10-04 | St Microelectronics Crolles 2 | Circuit integre a cle d'identification auto-programmee |
US11068620B2 (en) | 2012-11-09 | 2021-07-20 | Crossbar, Inc. | Secure circuit integrated with memory layer |
EP3032421A4 (fr) * | 2013-07-26 | 2017-04-19 | ICTK Co. Ltd. | Dispositif et procédé de test du caractère aléatoire |
KR102186475B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-12-03 | 주식회사 아이씨티케이 홀딩스 | 랜덤한 디지털 값을 생성하는 장치 및 방법 |
KR102198499B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2021-01-05 | 주식회사 아이씨티케이 홀딩스 | 디지털 값 처리 장치 및 방법 |
KR20150117225A (ko) * | 2014-04-09 | 2015-10-19 | (주) 아이씨티케이 | 인증 장치 및 방법 |
FR3051084B1 (fr) | 2016-05-04 | 2019-08-02 | Stmicroelectronics (Rousset) Sas | Generateur de nombres d'oscillations |
-
2017
- 2017-07-27 FR FR1757143A patent/FR3069677A1/fr not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-07-16 US US16/035,798 patent/US10754618B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130101114A1 (en) * | 2010-12-09 | 2013-04-25 | Dong Kyue Kim | Apparatus and method for generating identification key |
US20130233608A1 (en) * | 2012-03-08 | 2013-09-12 | International Business Machines Corporation | Physical Unclonable Interconnect Function Array |
US20140042627A1 (en) * | 2012-08-09 | 2014-02-13 | International Business Machines Corporation | Electronic structure containing a via array as a physical unclonable function |
US20160247769A1 (en) * | 2013-10-10 | 2016-08-25 | Ictk Co., Ltd. | Apparatus and method for generating identification key |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JEON DUHYUN ET AL: "Circuit design of physical unclonable function for security applications in standard CMOS technology", 2016 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), IEEE, 3 August 2016 (2016-08-03), pages 86 - 90, XP033026375, DOI: 10.1109/EDSSC.2016.7785216 * |
Also Published As
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