FR2883432A1 - Circuit de filtrage accordable en frequence integrable, comportant un jeu de resonateurs baw - Google Patents
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Abstract
Un circuit de filtrage accordable en fréquence présentant des entrées IN1-IN2 et des sorties OUT1-OUT2, comportant au moins un quadripôle primaire (61), comportant en cascade :- un premier varactor (17) disposant d'une première électrode connectée à IN1 et d'une seconde électrode ;- une première inductance (15) connectée entre la seconde électrode du varactor (17) et l'entrée IN2,- un quadripôle secondaire (10) comportant quatre résonateurs BAW (11, 12, 13, 14). Les résonateurs 11 et 12 ont une première électrode connectée à l'entrée 1 du quadripôle secondaire et une seconde électrode respectivement connectée aux sorties 1 et 2 de ce même quadripôle. De la même manière , les résonateurs 13 et 14 ont une première électrode connectée à l'entrée 2 du quadripôle seconde et une seconde électrode respectivement connectée aux sorties 2 et 1 de ce même quadripôle secondaire. Le circuit comporte en outre une seconde inductance (16) connectée en parallèle sur les sortie 1 et 2 du quadripôle secondaire (10) et un second varactor disposant d'une première électrode connectée à la première sortie quadripôle secondaire et d'une seconde électrode permettant la connexion d'un second quadripôle primaire de même structure. Cela permet de réaliser un circuit de filtrage accordable particulièrement efficace avec seulement quatre inductances.
Description
Circuit de filtrage accordable en fréquence intégrable,
comportant un jeu de résonateurs BAW Domaine technique de l'invention La présente invention concerne l'électronique de traitement des signaux analogiques, et plus spécifiquement un circuit de filtrage accordable en fréquence 10 comportant des résonateurs acoustiques.
Etat de la technique L'essor considérable de la téléphonie mobile, avec ses tous derniers développements impose de recourir à des filtres accordables en fréquence de plus en plus sophistiqués.
Si l'on considère en particulier la norme Wideband Code Division Multiple Access (WCDMA), relative à la téléphonie mobile de 3ème génération, centrée sur 2.14 Ghz, on envisage de réaliser des circuits de filtrage de type passe-bande nécessitant l'utilisation de circuits résonants. Mais de tels circuits sont particulièrement délicats à réaliser à l'aide de composants passifs de type LC et encore plus à intégrer dans un produit semi-conducteur.
On connaît l'utilisation de résonateurs de type SAW qui, malheureusement ne permettent pas une intégration dans un circuit intégré.
On a alors recherché la possibilité d'intégrer un résonateur acoustique de type BAW dans un circuit intégré, mais la fabrication de ces résonateurs est particulièrement difficile à maîtriser. La demande de brevet français n 03 15480, déposée le 29 Décembre 2003 et non publiée à la date de dépôt de la présente ST04-GR1-499
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2 2883432 demande de brevet Européen, décrit la manière de réaliser un élément de filtrage comportant un résonateur BAW....
II reste cependant que la combinaison d'éléments de filtrage indépendants, en vue de la réalisation d'un circuit de filtrage sophistiqué, reste une opération délicate car il s'agit de combiner un grand nombre de composants, notamment des inductances, des varactors, et des résonateurs de type BAW.
En particulier, tous les composants et notamment les inductances devront lo présenter une fort coefficient de qualité. En outre, il faudra s'assurer que ces inductances ne se gênent pas mutuellement.
D'une manière générale, il serait souhaitable de réduire autant que possible la surface occupée dans un circuit intégré. Il est en effet courant de constater qu'une inductance planaire disposée sur un substrat de silicium est susceptible d'occuper une surface de l'ordre de 400x400 micromètres. Il est clair qu'un grand nombre d'inductances devient alors rédhibitoire dans la fabrication d'un circuit intégré.
On rappelle en effet que la taille typique d'un résonateur BAW est de l'ordre de 150x150 micromètres.
L'invention a pour but de remédier à tous ces problèmes.
Exposé de l'invention La présente invention a pour but de proposer un circuit de filtrage accordable 30 en fréquence optimisé pour une intégration dans un produit semi-conducteur.
Un autre but de la présente invention consiste à proposer un circuit de filtrage accordable en fréquence comportant des circuits varactors, des inductances et des résonateurs de type BAW agencés d'une manière particulièrement optimisée afin de ST04-GRI-499 3 2883432 réduire l'encombrement dans un produit semi-conducteur tout en autorisant des performances élevées.
C'est un autre but de la présente invention que de fournir un circuit de filtrage 5 accordable en fréquence, comportant des résonateurs de type BAW, particulièrement adapté à la réalisation d'un téléphone mobile.
L'invention réalise ces buts au moyen d'un circuit de filtrage accordable en fréquence comportant une première et une seconde entrée (IN1, IN2) ainsi qu'une lo première et seconde sortie (OUT1, OUT2) conforme à la présente invention.
Le circuit comporte au moins un quadripôle primaire ayant, en cascade: un premier varactor disposant d'une première électrode connectée à ladite 1s première entrée (IN1) et d'une seconde électrode; -une première inductance disposant d'une première électrode connectée à la seconde électrode du premier varactor et disposant d'une seconde électrode connectée à l'entrée IN2; - un quadripôle secondaire comportant un premier, un second, un troisième et un 20 quatrième résonateurs de type BAW.
- une seconde inductance connectée en parallèle sur les deux sorties du quadripôle secondaire; - un second varactor disposant d'une première électrode connectée à la première sortie dudit quadripôle secondaire (10), et d'une seconde électrode.
Le quadripôle secondaire est monté de telle manière que les premier et deuxième résonateurs ont une première électrode connectée à la première entrée de ce même quadripôle secondaire, et une seconde électrode respectivement connectée aux sorties 1 et 2 de ce quadripôle secondaire. D'une manière similaire, les troisième et quatrième résonateurs ont une première électrode connectée à la seconde entrée du quadripôle secondaire et une seconde électrode respectivement connectée aux sorties 2 et 1 de ce même quadripôle.
ST04-GRI-499 -4 2883432 Ce circuit ne requérant que deux inductances permet la constitution d'une unité de filtrage particulièrement efficace lorsque l'on choisit la valeur des inductances de manière à correspondre à la fréquence de résonance parallèle des résonateurs BAW.
En effet, dans ce cas, on obtient, grâce à l'élément de réglage capacitif que réalise les varactors, un filtre particulièrement efficace, proche d'un ensemble LC résonant dotés de quatre inductances, et ce uniquement avec deux inductances.
lo On réalise ainsi une économie considérable en terme de surface à l'intérieur d'un produit semi-conducteur.
En outre, on s'aperçoit que le circuit peut être facilement intégré sur plusieurs substrats distincts, et notamment un substrat de type IPAD assurant des 15 performances de qualité pour les composants passifs et un substrat de type silicium permettant la réalisation des varactors.
Dans un mode de réalisation préféré le circuit est constitué d'une cascade comportant un premier condensateur en parallèle, un premier quadripôle primaire 20 61, un second condensateur en parallèle, un second quadripôle primaire identique au premier quadripôle primaire et enfin un troisième condensateur en parallèle.
On obtient alors, au prix de seulement quatre inductances, un circuit de filtrage particulièrement performant qui, en outre, est accordable en fréquence.
De préférence on connectera les deux quadripôles primaires de manière à réaliser une structure différentielle.
Dans un mode de réalisation préféré, les inductances sont disposées sur un 30 substrat de type IPAD alors que les varactors sont disposés sur un substrat de type silicium. Les résonateurs BAW sont, eux, disposés sur un substrat distinct.
L'invention permet également la réalisation d'un circuit de résonance acoustique destiné à être intégré dans un produit semi-conducteur comportant un ST04-GRI-499 -5 2883432 résonateur de type BAW (92) ayant une première et une seconde fréquence de résonance caractérisé en ce qu'il comporte: - un premier substrat (31) de type IPAD sur verre comportant une inductance (93) destinée à annuler ladite seconde fréquence de résonance un second substrat (32) comportant un élément de réglage capacitif (91) permettant d'ajuster l'accord dudit résonateur (92) sur ladite première fréquence de résonance.
De préférence l'élément de réglage capacitif est un composant actif (de type lo diode ou transistor MOS).
Description des dessins
D'autres caractéristiques, but et avantages de l'invention apparaîtront à la 15 lecture de la description et des dessins ci-après, donnés uniquement à titre d'exemples non limitatifs. Sur les dessins annexés: La figure 1 illustre le schéma de principe d'un circuit de filtrage conforme à la présente invention, présentant une structure différentielle.
La figure 2 illustre un mode de réalisation préféré du circuit de filtrage, basé sur un substrat de type IPAD, un substrat destiné au support des résonateurs BAW et un substrat de silicium pour les varactors.
La figure 3 illustre un mode de réalisation préféré d'un substrat IPAD conforme à la présente invention, permettant l'interfaçage avec deux substrats BAW et un substrat ASIC.
La figure 4 illustre la topographie du substrat destiné à recevoir les composants BAW ST04-GRI-499 6- 2883432 Les figures 5 et 6 illustrent la transformation du circuit de filtrage en un schéma équivalent comportant des inductance en parallèle sur chacun des résonateurs BAW.
La figure 7 illustre une seconde transformation permettant de conduire à un schéma équivalent dans lequel le varactor vient en série à l'intérieur de chaque bras du quadripôle.
La figure 8 illustre le schéma de principe de l'élément de base auquel on lo aboutit avec le circuit de filtrage selon l'invention.
La figure 9a rappelle le principe des deux fréquences de résonance, série et parallèle, d'un résonateur BAW.
La figure 9b illustre le schéma équivalent d'un résonateur BAW.
La figure 10 montre une structure de filtre passe-bande typique relative à la présente invention.
Description d'un mode de réalisation préféré
La figure 1 montre une architecture d'un circuit de filtrage accordable en fréquence, conforme à la présente invention, qui présente une structure différentielle. Le circuit est particulièrement adapté à la réalisation d'un circuit de filtrage pour un téléphone mobile de nouvelle génération UMTS 3G, permettant l'extraction des différents canaux constitutifs de la bande utile d'émission et/ou de réception. Il ne s'agit là que d'un exemple de réalisation et l'homme du métier pourra adapter l'enseignement de l'invention à la réalisation de tout autre circuit de filtrage accordable en fréquence.
ST04-GRI-499 7 2883432 Le circuit de filtrage selon la présente invention est basé sur la mise en cascade d'un condensateur parallèle 19, d'un premier quadripôle primaire 61, d'un condensateur parallèle 29, d'un second quadripôle primaire 62 et enfin d'un troisième condensateur parallèle 30.
Chacun des quadripôles primaires est basés sur un quadripôle secondaire (resp. 10 ou 20) composé de quatre résonateurs de type de type BAW (Bulk Acoustic Resonator). Comme on le sait, les résonateurs de type BAW sont disposés à l'intérieur d'un volume délimité entre une électrode inférieure (B) et une lo électrode supérieure (T) en sorte que l'onde acoustique se développe dans ce même volume.
Comme on le voit dans la figure 1, le premier quadripôle secondaire 10 dispose d'une première et seconde entrées qui sont respectivement connectées à une première électrode (de type T) d'un premier résonateur BAW 11 ainsi qu'à une première électrode (de type T) d'un second résonateur BAW 14. Le quadripôle secondaire 10 dispose également d'une première et seconde sorties qui sont respectivement connectées à une seconde électrode (B) du résonateur 11 ainsi qu'à une seconde électrode (B) du résonateur 14.
Le quadripôle secondaire 10 dispose ensuite d'un troisième résonateur BAW 13 ayant une première électrode (T) connectée à la seconde entrée et une seconde électrode (B) connecté à la première sortie.
Le quadripôle secondaire 10 dispose enfin d'un quatrième résonateur BAW 12 ayant une première électrode (T) connectée à la seconde entrée du quadripôle 10 et une seconde électrode (B) connectée à la seconde sortie de ce même quadripôle.
La structure du quadripôle secondaire 20 est exactement similaire à celle du quadripôle secondaire 10, les résonateurs 11, 12, 13 et 14 étant simplement respectivement remplacés par les résonateurs 21, 22, 23 et 24. On ne reprendra donc pas le détail des connexions de ces derniers.
ST04-GRI-499 8 2883432 Comme on le voit dans la figure 1, le circuit de filtrage selon l'invention comporte une première et une seconde entrée respectivement désignées par IN1 et IN2.
La première entrée IN1 est connectée à une première électrode du premier condensateur 19 (Ct) et à une première électrode d'un premier varactor 17 (Cv). Ce dernier dispose d'une seconde électrode connectée à une première électrode d'une première inductance 15 (Lo) ainsi qu'à la première entrée du quadripôle 10. La seconde entrée IN2 est connectée à une seconde électrode du condensateur 19, à la seconde électrode de l'inductance 15 ainsi qu'à la seconde entrée du quadripôle 10.
La première sortie du quadripôle 10 est connectée à une première électrode d'une seconde inductance 16 (Lo) et à une première électrode d'un second varactor 18 (Cv) . Ce dernier dispose d'une seconde électrode qui est connectée à une première électrode du second condensateur 29 (C23) , à une première électrode d'une troisième inductance 26 (Lo) ainsi qu'à la première entrée du second quadripôle 20.
La seconde sortie du quadripôle 10 est connectée à la seconde électrode de l'inductance 16, à la seconde électrode du condensateur 29 ainsi qu'à une première entrée d'un troisième varactor 27 (Cv) . Ce dernier dispose d'une seconde électrode connectée à la seconde électrode de l'inductance 26 ainsi qu'à la seconde entrée du quadripôle 20.
La première sortie du quadripôle 20 qui est également la première sortie OUT1 du circuit de filtrage - est connectée à une première électrode d'une quatrième inductance 25 (Lo) et à une première électrode du troisième condensateur fixe 30 (Ct) La seconde sortie du quadripôle 20 est connectée à la seconde électrode de l'inductance 25 ainsi qu'à une première entrée d'un quatrième varactor 28 (C ) . Ce dernier dispose d'une seconde électrode connectée à la seconde électrode du condensateur 30 ainsi qu'à la sortie OUT2 du circuit de filtrage.
ST04-GR1-499 -9 2883432 En référence à la figure 2, on montre à présent la réalisation concrète du circuit de filtrage de la figure 1, lequel présente une aptitude toute particulière à une 5 intégration dans un produit semi-conducteur.
On constate que le circuit de filtrage comporte un premier module composé d'un premier substrat 31 sur lequel sont disposés des circuits passifs intégrés, et notamment les inductances 15, 16, 25 et 26. On pourra ainsi réaliser des lo composants présentant des coefficients de qualité particulièrement élevés. Dans un mode de réalisation préféré, le substrat 31 est réalisé au moyen d'une technologie connue sous l'appellation anglo saxonne Integrated PAssive Device Technology (IPAD). Comme on le sait cette technologie IPAD permet de réaliser composants passifs réalisés sur un substrat de verre, et assurant un excellant coefficient de qualité. Les inductances qui sont disposés sur le substrat 31 sont ainsi dotées d'un facteur de qualité Q élevé.
Lorsque l'invention est destinée à la réalisation d'un circuit de filtrage pour de la téléphonie mobile, , on pourra avantageusement mettre à profit le substrat IPAD déjà existant pour réaliser le BALUN. On pourra ainsi, sans coût supplémentaire, obtenir un BALUN présentant de très faible pertes d'insertion ( 1 dB).
Le circuit de filtrage comporte ensuite un second module constitué d'un substrat 32 typiquement un substrat de silicium - dans lequel viennent se disposer les circuits électroniques, réalisés à l'aide de transistors de type MOS ou bipolaire notamment, et varactors permettant la réalisation du filtre accordable décrit précédemment. Le substrat 31 comporte un ou plusieurs substrats (la figure montrant un exemple de deux substrats 33 et 34) sur lequel(s) sont disposés les huit résonateurs BAW du circuit de la figure 1. On obtient ainsi un assemblage de type module.
On utilise des connexions de type reports par billes 35 (étain-plomb) (connus dans la littérature anglo-saxonne sous l'expression flip-chip) pour les connexions entre le substrat 31 et les substrats 32, 33 et 34.
ST04-GR1-499 -10- 2883432 L'architecture illustrée sur la figure 2 peut ensuite être, elle même, reportée par des reports de type billes sur un substrat diélectrique à l'intérieur d'un boîtier pour réaliser le produit semi-conducteur final. La constitution de tels reports ne fait pas partie de la présente invention et ne sera par conséquent pas décrite plus avant.
Comme on le voit avec les topographies des substrats IPAD 31, ASIC 32 et BAW 33 et 34, le circuit de filtrage de la figure 1 permet un agencement avec un nombre minimum de connexions de type flip-chip, tout en permettant de bien lo dissocier l'emplacement des différents composants sur leurs substrats respectifs. Ainsi, et c'est un avantage considérable pour la réalisation d'un circuit de filtrage performant, on est assuré de pouvoir combiner des inductances à fort coefficient de qualité, des circuits BAW efficaces et des varactors permettant l'ajustage du circuit de filtrage.
On décrit à présent en référence à la figure 3 un mode de réalisation préféré d'un substrat IPAD 31 conforme à la présente On y voit représenté les quatre inductances planaires 15, 16, 25 et 26 de la figure 1.
On a représenté en outre les surfaces de contacts des reports par billes les plus importantes pour la connexion des substrats BAW 33 et 34 ainsi que celles du substrat ASIC 32.
Les connexions entre le substrat IPAD 31 et le substrat ASIC 32 sont 25 essentiellement assurées par les surfaces de contact A, B, C, G, L, M, N, L', C' et G'.
Dans le mode de réalisation préféré, les entrées IN1-IN2 et les sorties OUT1-OUT2 sont disposées sur le substrat IPAD 31.
Le signal IN1 (resp. IN2) arrive sur la surface de contact A (resp. IN2) qui permet de le déporter sur le substrat ASIC 32. On a disposé sur le substrat ASIC le condensateur fixe 19 entre les surfaces A et B, ainsi que le varactor 17 entre les surfaces de contact A et C. Cette dernière permet donc de ramener le signal ST04-GR1-499 -11- 2883432 électrique sur le substrat IPAD 31 et de le conduire aux surfaces D et E qui assurent la transmission jusqu'aux électrodes T des BAW 11 et 12.
La figure 4 illustre plus spécifiquement la structure du quadripôle 10 (étant entendu que celle du quadripôle 20 sera identique). On y voit un premier barreau horizontal 51, disposé au-dessus de la structure, qui permet la connexion des surfaces E et D aux électrodes de type T (Top) des résonateurs BAW 11 et 12. Un deuxième barreau horizontal 52 permet de réaliser une connexion entre des surfaces de contact 1 et H aux électrodes de type T des résonateurs BAW 13 et 14.
Un troisième barreau 53, disposé verticalement et en dessous des barreaux horizontaux 51 et 52, sert à la constitution des électrodes inférieures (de type Bottom) des résonateurs BAW 11 et 13, ainsi qu'à celle des surfaces de contact K et F. De la même manière, un quatrième barreau vertical 54, disposé lui-également 1s en dessous des barreaux 51 et 52, réalise la constitution des électrodes de type B des résonateurs BAW 12 et 14.
En revenant au schéma de la figure 4, on voit donc que la seconde électrode du varactor 17 est connectée, via les surfaces de contacts C, puis D, aux électrodes supérieures des résonateurs BAW 11 et 12. La surface de contact E, qui est disposée entre les deux barreaux verticaux 53 et 54, permet une connexion au plus près de la première électrode de l'inductance 15, dont la seconde électrode peut être connectée au substrat BAW 33 via la surface I. La seconde inductance 16 est connectée au substrat 33 via les deux surfaces de contact K et J, cette dernière étant également connectée à la surface de contact L. L'entrée IN2 est connectée via la surface H aux électrodes supérieures (T) 30 des résonateurs BAW 13 et 14.
Les deux signaux de sortie du quadripôle 10, rapportées sur le substrat IPAD au moyen des surfaces de contact F et J, sont transmises aux surfaces de contact G et L, respectivement.
ST04-GRI-499 - 12 - 2883432 La surface de contact G permet alors de ramener le signal en sortie du premier quadripôle 10 sur la première électrode du varactor 18 disposé sur le substrat ASIC, la deuxième électrode de celui-ci étant connecté à la surface G' permettant la transmission du signal vers le second quadripôle 20.
La surface de contact L permet de transmettre le potentiel de la seconde sortie du quadripôle 10 sur la première électrode du varactor 27 disposé sur le substrat ASIC, la seconde électrode de celui-ci étant connectée à la surface L' de manière à permettre la transmission du signal vers le second quadripôle.
Le potentiel de la première sortie du quadripôle 20 est transmis via les électrodes T des résonateurs BAW 21 et 23 à la surface de contact M comme on le voit sur la figure 4. Le potentiel apparaissant sur la seconde sortie du quadripôle 20 est transmis via la surface de contact C' au substrat ASIC 32 et est, par suite, connectée à la première électrode du varactor 28, dont la seconde électrode est connectée à la surface N qui permet donc de ramener le signal de sortie sur le substrat IPAD.
Dans un mode de réalisation préférée, le substrat ASIC 32 comporte également les condensateurs 29 et 30, respectivement connectés entre les surfaces LG' et N-M.
Comme on le voit la connexion entre le substrat IPAD 31 et le substrat BAW 33 se fait par les surfaces E, D, F, I, H, K et J tandis que la connexion entre le substrat IPAD 31 et le substrat ASIC 32 se fait via les surfaces A, B, C, G, L, N et M. Les connexions entre le substrat IPAD 31 et le substrat BAW 34 sont parfaitement symétriques de celles existantes pour le substrat 33. On a simplement représenté les surfaces L' , C' et G' qui correspondent aux surfaces L, C et G que l'on connaissait pour le substrat BAW 32.
ST04-GRI-499 -13- 2883432 Le circuit de filtrage de l'invention permet de distribuer harmonieusement les différents composants entre le substrat IPAD, le(s) substrat BAW(s) et le substrat ASIC, tout en ne requérant qu'un nombre réduit de reports par billes ou de connexion.
C'est là un avantage significatif de l'invention.
On va montrer à présent que le circuit de filtrage réalise, et ce au prix de quatres inductances seulement, une fonction de filtrage sophistiquée identique à un lo filtre comportant huit inductances.
En effet, en considérant le circuit de filtrage de l'invention, et représentée à nouveau dans la figure 5, on observe que ce circuit est constitué par la mise en cascade des éléments suivants: - le condensateur fixe Ct, - un premier quadripôle de filtrage primaire 61 comportant le quadripôle secondaire 10, - le condensateur Ces; - un second quadripôle de filtrage primaire 62 comportant le quadripôle secondaire 20, associé aux éléments passifs C et Lo.
On peut montrer que chacun des deux quadripôle primaires 61 ou 62 peut être représentée sous une forme équivalente, telle qu'illustrée en figure 6, où l'on voit que l'inductance de valeur Lo identique à celle des inductances 15, 16, 25 et 26, est directement mise en parallèle sur chacun des résonateurs BAW.
On peut montrer également, au moyen d'une transformation représentée sur la figure 7, que chacun des quadripôles 61 et 62 peut alors être modélisé par un nouveau schéma électrique équivalent dans lequel on peut remplacer chaque branche du quadripôle par un élément, représenté dans la figure 8, comportant en série un varactor 91 et un résonateur BAW 92, ce dernier comportant en parallèle une inductance 93.
ST04-GRI-499 - 14 - 2883432 Dans le circuit de filtrage selon l'invention, l'inductance 93 (de valeur Lo) est calibrée de manière à entrer en résonance avec la capacité parallèle du résonateur BAW auquel elle est associée.
On obtient alors un résultat extrêmement important. En effet, les résonateurs acoustiques présentent deux fréquences de résonance très proches, respectivement fs (série) et fp (parallèle), comme cela est illustré dans la figure 9a. Si l'on se ramène à un schéma électrique équivalent présenté en figure 9b, cela lo revient à considérer deux circuits résonants de type LC, respectivement série et parallèle.
Classiquement, les deux circuits résonnants sont, l'un et l'autre, employés simultanément à des fins de filtrage comme c'est le cas dans le document RF MEMS Circuit Desiqn for Wireless Communications , Hector J. De Los Santos, Artech House, ISBN 1-58033 329-9, 2002, p. 163 et s. . Dans l'invention, on vient annuler la fréquence parallèle au moyen de l'inductance équivalente (LO) choisie dans un voisinage de la fréquence parallèle.
On peut alors très simplement venir agir sur la fréquence série pour rendre le filtre ajustable.
Cela permet alors de réaliser un filtre complexe, tel qu'illustré sur la figure 10 et ce au moyen d'un circuit simple à fabriquer.
On notera que l'on a employé dans le mode de réalisation préféré un varactor pour réaliser un élément de réglage capacitif. Ce composant est bien connu d'un homme du métier et l'on ne développera pas plus avant sa réalisation. Tout autre élément de réglage capacitif pourra également lui être substitué.
On notera aussi que l'on pourra disposer les condensateurs fixes 19, 29 et 30 sur l'IPAD et non pas sur le substrat ASIC 32.
ST04-GR1-499
Claims (10)
1. Circuit de filtrage accordable en fréquence comportant une première et une seconde entrée (IN1, IN2) ainsi qu'une première et seconde sortie (OUT1, OUT2), comportant au moins un quadripôle primaire (61) comportant, en cascade: - un premier varactor (17) disposant d'une première électrode connectée à ladite première entrée (IN1) et d'une seconde électrode; - une première inductance (15) disposant d'une première électrode connectée à la seconde électrode dudit premier varactor (17) et disposant d'une seconde électrode connectée à la dite seconde entrée IN2; - un quadripôle secondaire (10) comportant un premier (11), un second (12), un troisième (13) et un quatrième (14) résonateurs de type BAW, ledit quadripôle secondaire (10) disposant d'une première et seconde entrée et disposant d'une première et seconde sortie, - les dits premier et deuxième résonateurs (11, 12) ayant une première électrode connectée à ladite première entrée du quadripôle secondaire et une seconde électrode respectivement connectée à ladite première et à la dite seconde sortie dudit quadripôle secondaire; - lesdits troisième et quatrième résonateurs (13, 14) ayant une première électrode connectée à ladite seconde entrée dudit quadripôle secondaire (10) et une seconde électrode respectivement connectée à ladite seconde et à ladite première sortie du quadripôle secondaire; - une seconde inductance (16) disposant d'une première électrode connectée à la première sortie dudit quadripôle secondaire (10) et disposant d'une seconde électrode connectée à la seconde sortie dudit quadripôle secondaire(10) ; - un second varactor disposant d'une première électrode connectée à la première sortie dudit quadripôle secondaire (10), et d'une seconde électrode, .
2. Circuit de filtrage selon la revendication 1 caractérisé en ce qu'il comporte, en amont dudit quadripôle primaire (61), un premier condensateur (19) connecté entre lesdites premières et secondes entrées (IN1, IN2) et, en aval, un second condensateur (29) connectée entre la seconde électrode dudit second varactor (18) ST04-GRI-499 - 16 - et la seconde sortie dudit quadripôle secondaire (10), et en ce que les inductances ont une valeur correspondant à la fréquence parallèle des résonateurs BAW.
3. Circuit de filtrage selon la revendication 2 caractérisé en ce qu'il comporte, en 5 aval, un second quadripôle primaire (62) en tout point identique audit premier quadripôle primaire (61).
4. Circuit de filtrage selon la revendication 3 caractérisé en ce que lesdits premier et second quadripôle primaires (61, 62) sont connectés de manière à constituer une 10 structure parfaitement différentielle.
5. Circuit de filtrage selon la revendication 3 caractérisé en ce qu'il comporte, en aval dudit second quadripôle primaire (62), un troisième condensateur (30) permettant de compléter le filtre.
6. Circuit de filtrage selon la revendication 5 caractérisé en ce que lesdites inductances sont disposées sur un substrat de type IPAD (31) et en ce que lesdits varactors sont disposés sur un substrat de type silicium, lesdits résonateurs BAW étant disposés sur au moins un substrat distinct.
7. Circuit de filtrage selon la revendication 6 caractérisé en ce que lesdits condensateurs fixes sont disposés sur le substrat de silicium (32) .
8. Circuit de filtrage selon la revendication 6 caractérisé en ce que lesdits 25 condensateurs fixes sont disposés sur le substrat de type IPAD (31).
9. Circuit de filtrage accordable en fréquence comportant, en cascade, un premier quadripôle comportant, en série un premier varactor (17) et, en parallèle, une première inductance (15); - un second quadripôle comportant quatre résonateurs de type BAW (11, 12, 13, 14) comportant une première et une seconde fréquence de résonance, dont deux BAW sont montés en série et deux sont montés en parallèle; - un troisième quadripôle comportant, en série, un second varactor (18) et, en parallèle, une seconde inductance, (16); STO4-GR1-499 - 17 - 2883432 lesdites premières et seconde inductances étant choisies de manière à correspondre à un voisinage d'une première fréquence de résonance et lesdites premiers et second varactors permettant l'accord dudit filtre.
10. Circuit de filtrage accordable en fréquence comportant une cascade de deux circuits tel que définis dans la revendication 10.
ST04-GR1-499
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