FR2841380A1 - Procede d'encapsulation d'un objet sous atmosphere controlee - Google Patents
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- 239000011148 porous material Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 2
- 235000013616 tea Nutrition 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000011256 aggressive treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011325 microbead Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012995 silicone-based technology Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00333—Aspects relating to packaging of MEMS devices, not covered by groups B81C1/00269 - B81C1/00325
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/26—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances, e.g. getters
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0145—Hermetically sealing an opening in the lid
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
Procédé d'encapsulation d'un objet sous atmosphère contrôlée. Selon l'invention, qui s'applique par exemple à l'encapsulation de dispositifs microélectroniques, on place l'objet (2) dans une cavité (12) pourvue d'au moins un évent (6), on met la cavité sous une atmosphère contrôlée et l'on ferme l'évent de façon étanche. Avant cette fermeture, on obture l'évent par une couche poreuse (16).
Description
B14172.3/PR
PROCEDE D' ENCAPSULATION D'UN OBJET SOUS ATMOSPHERE
CONTROLEE
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE
La presente invention concerne un procede d' encapsulation d' un objet sous atmosphere contr81ee, c'est a dire sous vice ou sous une atmosphere gazeuse, par exemple une atmosphere diun gaz neutre tel que
['helium.
L' invention stapplique principalement aux dispositifs microelectroniques ou optoelectroniques ainsi qu'aux dispositifs semiconducteurs et, plus particulierement, aux microbolometres, aux dispositifs a micropointes ("microtip") et aux dispositifs a ecrans plats. Wile s'applique egalement aux dispositifs a base d'autres materiaux que les semiconducteurs et aux
dispositifs a couches minces.
Plus generalement, l' invention s'applique a tout domaine ou le confinement d'un objet sous atmosphere contr81ee presente un interet, par exemple les domaines nucleaire et spatial, les telecommunications, la medecine, l' instrumentation, les
capteurs et la biologic.
ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE
On connalt de nombreuses methodes pour confiner, ou encapsuler, un dispositif dans une
atmosphere contr81ee.
L' encapsulation a pour but d'empecher des gaz contaminants d'etre en contact avec ce dispositif, tout en permettant aux informations, par exemple aux signaux electriques, de circuler du dispositif vers le monde exterieur. On considere uniquement dans ce qui suit le confinement d'une zone apres y avoir fait le vice. En fonction des besoins, on peut avantageusement remplacer le vice par un gaz predefini, en modifiant de facon
appropriee le procede de confinement utilise.
Une solution couramment employee pour l' encapsulation diun dispositif microelectronique consiste a placer ce dernier dans une enceinte isolante, par exemple un boltier scelle, que l'on met sous vice par pompage. Le dispositif est relic a l'exterieur par un assemblage hermetique de pistes conductrices. Le vice est maintenu par soudure ou par
scellement hermetique.
Cette solution est couteuse et done difficile a mettre en uvre dans le cas diune production industrielle. Il est par consequent avantageux d'utiliser une methode collective, afin de
diminuer les couts.
Precisons des maintenant que la presente invention peut s'appliquer a une encapsulation collective ou individuelle sur tranche de silicium
("silicon wafer").
Nous presentons ci-apres l'etat de la technique pour une telle encapsulation, dans le domaine
de la microelectronique ou de lioptoelectronique.
I1 existe de nombreuses techniques pour former des cavites depressurisees. On connalt principalement les techniques de soudure ("bonding"),
de scellement d' evens et de piegeage de contaminants.
Cependant, ces techniques connues
presentent des inconvenients.
Par exemple, en ce qui concerne les diverges techniques de soudure, on peut citer en particulier le risque de microfissuration, les contraintes de mise en uvre, l'utilisation de traitements agressifs, la fragilite, la sensibilite a l'humidite et le risque d'une contamination par ltor dans le cas d'une soudure par eutectique utilisant ce metal. Des techniques de bouchage d'une cavite par CVD ciest a dire par dep8t en phase vapeur ("chemical vapor deposition"), par evaporation ou par pulverisation ont egalement ete utilisees. Mais la press ion lors du depot ne permet generalement pas de garantir un ultravide dans la cavite, dans des
conditions industrielles.
En outre, une technique particuliere de bouchage d' evens est divulguee par les documents suivants: [1] US 6 036872A, R.A. Wood et al. [2] Article de M. Bartek et al., Vacuum sealing of microcavities using metal evaporation,
Sensors and Actuators, A61 (1997), pages 364 a 368.
Le document [1] decrit un dispositif hybride alors que le document [2] decrit un dispositif monolithique. Selon la technique divulguee, on depose une couche d'un materiau etanche pour boucher un event. Ce materiau doit etre imperativement non poreux pour
eviter toute fuite.
Par cette technique, la basse pression qu'il est possible d'obtenir dans la cavite pourvue de l' evens est limitee inferieurement par celle qui est utilisee lors du dep8t du materiau etanche, ce qui restreint considerablement le niveau de vice
accessible.
EXPOSE DE L'INVENTION
La presente invention a pour but de
remedier a cet inconvenient.
Le procede objet de l' invention est une amelioration de la technique decrite dans le document [1] et consiste a former une couche intermediaire en
materiau poreux avant la fermeture etanche de l' evens.
Cette couche intermediaire permet, apres avoir obtenu l' atmosphere adequate dans la cavite, d'avoir le temps de former la couche de materiau etanche. En effet, les fuites a travers cette couche intermediaire en materiau poreux vent relativement lenses par rapport au temps de depSt de la couche de materiau etanche. Cette derriere peut done etre formee
meme dans une atmosphere polluante.
En d'autres termes, la presente invention consiste a utiliser un materiau poreux pour ralentir les echanges gazeux entre l'interieur de la cavite et
le milieu exterieur.
I1 est alors possible de vider lentement cette cavite en la disposant dans une enceinte a vice, eventuellement a une temperature superieure a la temperature ambiante (de l'ordre de 20 C). Dans un deuxieme temps on rebouche, par une technique
appropriee, le trou obture par le materiau poreux.
Comme les echanges gazeux entre la cavite et le milieux exterieur vent ralentis, il est possible de reboucher ce trou a une pression elevee, sans pour
autant "casser le vice" dans la cavite.
La presente invention permet liencapsulation sous ultravide, meme a des temperatures
inferieures a 300 C.
Le materiau poreux permet de vider la cavite dans des temps et a des temperatures qui vent
compatibles avec des procedes industrials.
L'invention peut etre mise en uvre dans une grande variete de geometries ou de sequences de realisation. De fa,con precise, la presente invention concerne un procede d' encapsulation d' au moins un objet sous atmosphere contr81ee, procede dans lequel - on place cet objet dans une cavite, cette cavite etant pourvue d'au moins un event prevu pour mettre l'interieur de la cavite en contact avec l'exterieur de celle-ci, - on met cette cavite sous une atmosphere controlee et - on ferme l' evens de fa,con etanche, ce procede etant caracterise en ce que l'on obture l' evens par une couche intermediaire en materiau
poreux avant de fermer lt evens de facon etanche.
Selon un mode de mise en uvre prefere du procede objet de ['invention, on ferme lievent par une couche d' encapsulation etanche que l' on forme sur la
couche intermediaire en materiau poreux.
Selon un mode de mise en muvre particulier du procede objet de ['invention, - on forme un dispositif ainsi qu'une structure d' encapsulation de ce dispositif, ce dernier constituent ['objet a encapsuler, - on forme, autour du dispositif, la cavite pourvue de l' evens, - on met cette cavite sous l' atmosphere contr81ee et - - on ferme l' evens de facon etanche, et lton obture l' evens par la couche intermediaire en materiau poreux avant de fermer
l' evens de facon etanche.
Le dispositif que l'on forme et que l'on encapsule peut etre un microcomposant ou un ensemble de microcomposants tels que des composants microelectroniques, des composants optoelectroniques,
des capteurs ou des actionneurs.
Selon un mode de mi se en muvre part i cul ier de l 'invention, le dispositif a encapsuler est forme sur un substrat en silicium et le materiau poreux est choisi parmi le silicium poreux, le germanium poreux et les alliages du type Sil-x-yGexcy poreux, avec O<x<l,O<y<l,O<x+y<1. Selon un autre mode de mise en muvre particulier, le dispositif est forme sur un substrat et le materiau poreux est un alliage poreux comportant des
elements chimiques qui vent presents dans ce substrat.
Selon un premier mode de mise en muvre particulier du procede objet de ['invention, l' atmosphere controlee est le vice, on place la cavite pourvue de la couche intermediaire en materiau poreux dans une enceinte a vice et l'on fait le vice dans la cavite, a travers cette couche intermediaire, avant de
fermer l' evens de facon etanche.
Dans ce cas, le materiau poreux peut etre
un materiau poreux de type getter.
Selon un deuxieme mode de mise en muvre particulier, l' atmosphere contr81ee est un gaz, on place la cavite pourvue de la couche intermediaire en materiau poreux dans une enceinte contenant ce gaz et l'on remplit la cavite de ce gaz, a travers cette couche intermediaire, avant de fermer l' evens de facon
etanche.
On donne ci-apres divers avantages de ['invention. Le procede objet de l' invention permet la mise sous ultra-vice (ou sous atmosphere gazeuse controlee), a basse temperature (inferieure au seuil de degradation des dispositifs) et de maniere collective (done a fortiori de maniere individuelle), de dispositifs formes sur des plaquettes semiconductrices
(par exemple en silicium).
Ce procede permet de conserver un haut niveau de purete du milieu dans lequel est immerge un dispositif, lors de la fabrication puis de la mise en boltier. Avec ['invention, le dispositif n'a pas a subir une remise a l'air ou un choc thermique, chimique ou electrique, contrairement a ce qui a lieu avec
d' autres techniques d' encapsulation.
Le procede objet de l' invention s'integre parfaitement aux techniques collectives de la microelectronique ou de lioptoelectronique, et permet
done de diminuer les couts de fabrication.
En outre, ce procede est relativement simple car il ne necessite pas lTutilisation de niveaux
de masquage complexes pour aboutir a liencapsulation.
De plus, ce procede autorise le choix des parametres de mise en uvre dans des plages assez larges et staccommode aisement diune grande variete de
materiaux et de processus operatoires.
Pour encapsuler sous vice un objet conformement a ['invention, il suffit de deposer un materiau poreux approprie, choisi dans le vaste ensemble de tels materiaux (verres, polymeres, semi conducteurs), puis de retirer les gaz contaminants dans lenceinte a vice par un pompage de duree suffisante, et enfin de deposer la couche d' encapsulation finale en un temps suffisamment court pour eviter le remplissage de la cavite contenant ['objet.
BREVE DESCRIPTION DES DESSINS
La presente invention sera mieux comprise a
la lecture de la description d'exemples de realisation
donnes ci-apres, a titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant reference aux dessins annexes, sur lesquels: - la figure 1A est une vue en coupe schematique diun dispositif encapsule conformement a ['invention, - la figure 1B est une vue en coupe schematique diun autre dispositif encapsule conformement a ['invention, et - les figures 2A a 2G illustrent schematiquement diverges etapes d'un mode de mise en
muvre particulier du procede obet de ['invention.
EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS
La figure 1A illustre schematiquement une encapsulation diun dispositif microelectronique 2
conformement a ['invention.
Ce dispositif 2 peut etre un simple composant microelectronique ou un ensemble de tels composants, par exemple une puce ("chip") microelectronique ou une matrice de composants tous identiques. Ce dispositif 2 est forme sur un substrat 4 comprenant, comme on le volt sur la figure 1A, un
percage evase 6 a proximite du dispositif 2.
Dans cet exemple, on utilise aussi un autre substrat 8 qui est pourvu d'un evidement 10 dont la
taille est superieure a celle du dispositif 2.
On assemble les substrats 4 et 8 l'un a l'autre de facon que le dispositif 2 se trouve en regard de cette evidement 10. On definit ainsi une
cavite 12 dans laquelle se trouve le dispositif 2.
Pour assembler les substrats 4 et 8, on utilise un anneau de scellement 14 qui delimite une zone de ['assemblage, contenant la cavite 12 (et done
le dispositif 2) ainsi que le percage 6.
L'anneau de scellement 14 permet de fixer les substrats l'un a l'autre de fa,con etanche pour pouvoir faire ensuite le vice dans la zone qu'il delimite et done dans la cavite 12, par l'intermediaire du per,cage 6 qui consiste un event, en vue d'encapsuler
sous vice le dispositif 2.
Conformement a ['invention, on obture l' evens 6 au moyen d'une couche intermediaire 16 en materiau poreux. On depose cette derriere sur le substrat 4 de fa,con a boucher lt evens 6, la couche de materiau poreux sietendant jusqu'a l'autre substrat 8
comme on le volt sur la figure 1A.
Cette couche 16 permet de ralentir les echanges gazeux entre la cavite 12 et le milieu exterieur. On dispose ensuite la structure obtenue dans une enceinte a vice 18 et l'on fait le vice dans cette derriere pendant un temps raisonnable, typiquement quelques heures. La cavite 12 se vice alors
a travers la couche poreuse 16.
On depose ensuite une couche d'encapsulation etanche ou couche de scellement etanche sur la couche en materiau poreux 16 de fa,con a
fermer l' evens 6 et done la cavite 12 de fa,con etanche.
Ce depot est rendu possible par le fait que le vice se maintient pendant plusieurs minutes dans la cavite. Le dispositif 2 est ainsi encapsule sous vice dans l'exemple de la figure 1A. La figure 1B est une variante de la figure
1A et elle est a comparer a la cavite scellee micro-
usinee en surface du document [2] mats, dans le cas de la figure lB, les events vent bouches avec un materiau
poreux.
La figure 1B reprend les principales parties decrites dans la figure 1A mais sans le cordon, ou anneau, de scellement puisqu'il n'y a plus d'hybridation: dans le cas de la figure 1B, les events
vent places lateralement.
Des objets a encapsuler 2a vent dans une cavite 12a, sur un substrat 8a. La cavite est fermee par une couche 19a (correspondent a la couche structurelle du document [2]). Des events lateraux 6a vent prevus entre cette couche 19a et le substrat. Ces events vent bouches par un materiau poreux 16a. Une couche de scellement etanche 20a recouvre ce materiau
et la couche de fermeture de la cavite.
L' invention permet d'obtenir, dans la cavite 12, une tres basse pression, inferieure a 104Pa, stable dans le temps, et ce avec des techniques de
fabrication industrielles.
On precise que les sorties electriques du dispositif 2 peuvent deboucher a l'exterieur de la cavite 12 si cela est necessaire, en utilisant les
techniques classiques de la microelectronique.
Dans un autre exemple, au lieu de faire le vice dans la cavite 12, on remplit cette derriere d'un gaz, par exemple un gaz neutre tel que l'azote ou
['helium, suivant la nature du dispositif 2.
Ce remplissage se fait en mettant la structure dans une enceinte appropriee, contenant ce gaz sous pression. Ce dernier remplit alors la cavite
12 en traversant la couche poreuse 16.
Ensuite, on depose comme precedemment la couche etanche 20, ce qui permet encore d'encapsuler le dispositif sous atmosphere contr61ee (une atmosphere
gazeuse dans ce cas).
Outre les applications deja donnees de la presente invention, precisons que cette derriere siapplique a toutes sortes de dispositifs, par exemple aux diodes, aux. dispositifs d'affichage ou aux microlasers et ce, dans divers domaines tels que: appareils de tests de mesure, optique, capteurs solaires, microscopic, metrologie, imagerie et connectique (en plus des domaines deja mentionnes plus haut). I1 convient de noter que le procede objet de l' invention permet aussi bien l 'encapsulation collective que l' encapsulation individuelle de
dispositifs.
On choisit le materiau de la couche poreuse en fonction des contraintes thermiques, mecaniques, chimiques ou optiques propres aux applications souhaitees. On choisit par exemple un materiau poreux de type "getter" ou du silicium poreux ou du germanium poreux ou un alliage Si1-x-yGexCy poreux dans le cas ou l'on utilise une technologie a base de silicium pour la
fabrication du dispositif que l'on veut encapsuler.
Dans le cas d'autres technologies, par exemple des technologies a base de composes semiconducteurs III-V ou II-VI, on peut utiliser un alliage poreux comportant des elements chimiques presents dans le substrat sur lequel on forme le dispositif, afin de garantir une compatibilite chimique
maximale.
I1 est possible de contr81er la taille et
la distribution des pores des materiaux mentionnes ci-
dessus par les conditions de depOt de ces materiaux.
A titre d'exemple, pour encapsuler un dispositif tel qu'un microbolometre conformement a ['invention, on procede de la facon suivante: ouverture d'un event, liberation des microponts du microbolometre,dep8t d'un materiau poreux pour boucher l' evens, mise sous vice de la cavite contenant le microbolometre dans lienceinte servant au depot du materiau poreux et dep8t d'une couche standard, apte a
encapsuler de facon etanche le materiau poreux.
Si besoin est. cette sequence de base peut
etre completee par des etapes intermediaires.
Par exemple, il peut etre necessaire d'ajouter une etape de rebouchage partiel de l' evens afin de minimiser, pour des raisons mecaniques,
l'epaisseur du materiau poreux a deposer.
En effet ce materiau poreux est moins solide que le materiau dense correspondent car le
nombre de liaisons atomiques y est plus faible.
On explique dans ce qui suit diverges etapes d'un exemple du procede objet de ['invention en
faisant reference aux figures 2A a 2G.
On va d'abord commenter la figure 2G qui est une vue en coupe laterale schematique-et partielle
d'un dispositif encapsule conformement a ['invention.
Ce dispositif est par exemple un dispositif
microelectronique tel qu'un microbolometre.
On precise que l'axe X de croissance des couches permettant d'obtenir la structure que l'on volt sur la figure 2G est oriente du teas vers le haut de
cette figure.
L'empilement des diverges couches est simplement donne a titre d'exemple. Il s'agit d'une coupe (vue de c6te) perpendiculaire a l'axe de croissance X. Cet empilement n'est pas necessairement
borne lateralement.
Sur la figure 2G, les references 22, 24, 26, 28, 30, 32 et 36 representent respectivement un substrat, le dispositif, une cavite, un trou, une couche poreuse, une couche d' encapsulation etanche et
un capot.
Le substrat 22, sur lequel les differentes couches utilisees vent deposees, est par exemple en
silicium.
Le dispositif 24 (par exemple un microbolometre) est separe du capot 36 par les colonnes 34. Le trou 28 est un event permettant de faire le vice dans la cavite 26. Au lieu d'un event, il pourrait y en
avoir plusieurs.
Le nombre et la taille des events ou orifices vent choisis pour faire correctement le vice dans la cavite 26 tout en conservant une solidite mecanique suffisante pour le capot 36 pour permettre de reboucher ulterieurement le ou les events. La couche poreuse 30 permet de ralentir les echanges gazeux entre la cavite et l'exterieur de cette cavite. La couche etanche 32 permet de stopper ces
echanges gazeux.
On explique maintenant les diverges etapes de fabrication de ce dispositif (microbolometre)
encapsule en faisant reference aux figures 2A a 2G.
On commence par former le microbolometre 24
sur le substrat 22 (figure 2A).
Sur le micobolometre, on forme ensuite les colonnes 34 de ce microbolometre ainsi qu'une couche de
resine 38 qui entoure ces colonnes (figure 2B).
On forme ensuite une couche 36 constituent le capot par un depSt approprie sur la couche de resine
38 (figure 2C).
On forme ensuite le ou les events 28 a
travers le capot 36 (figure 2D).
On elimine ensuite la resine par une attaque chimique appropriee a travers les events (figure 2E). A la place de la resine, on obtient ainsi
la cavite 26 dans la structure formee.
On depose ensuite la couche de materiau
poreux 30 sur le capot 36 (figure 2F).
On met ensuite la cavite 26 sous vice, par pompage a travers les events, puis on forme la couche d'encapsulation etanche 32 sur la couche 30 (figure 2G). On precise que le dispositif 24 (par exemple un microbolometre) est depose, puis les colonnes realisees, par des techniques de depot standard. Ces colonnes ont des proprietes electriques, mecaniques, thermiques et optiques appropriees a ['application souhaitee. Wiles peuvent 8tre par exemple en nitrure de silicium ou en oxynitrure de silicium, en nitrure d'aluminium ou en
nitrure de titane.
Le capot est egalement depose par une methode standard. Il est par exemple en silicium amorphe ou en germanium poreux que lion depose par LPCVD ou PECVD. D'autres materiaux peuvent etre deposes
a la tournette ("spin coating") ou par un procede sol-
gel. Les orifices ou events vent perces dans ce capot pour permettre d'evacuer la resine adjacente aux colonnes et de liberer en meme temps les microponts
lorsque le dispositif est un microbolometre suspendu.
Dans l'etape illustree par la figure 2F le materiau poreux, par exemple du silicium nanoporeux, est depose par une methode standard, par exemple par depot a basse temperature (de 0 a 450 C), a forte
dilution d'hydrogene (superieure a 51).
L'utilisation diune basse temperature (typiquement 80 C) pour le depot de ce materiau poreux permet de ne pas degrader le composant que l'on veut encapsuler. La taille du ou des events et l'epaisseur du materiau poreux vent choisis afin de garantir une tenue mecanique suffisante de l 'ensemble, une vitesse de diffusion appropriee pour la mise sous vice en un temps raisonnable et un maintien du vice pendant le dep8t du materiau d' encapsulation finale (etape
illustree par figure 2G).
On utilise un materiau poreux compatible avec la technique de fabrication utilisee et les
performances sonhaitees pour le dispositif.
Ce materiau poreux est typiquement du silicium amorphe poreux ou du SiGe poreux ou du germanium poreux ou du Si1-x-yGexCy poreux, avec 0Sx<1 et O<y<1. D'autres materiaux poreux peuvent etre utilises suivant les besoins, comme par exemple des verres poreux, des ceramiques poreuses, des polymeres
poreux ou des metaux poreux.
Le materiau poreux utilise doit simplement adherer a la surface du ou des events et ne pas poser
de problemes de corrosion ou de fissuration.
Il doit aussi etre choisi en fonction du dispositif encapsule, par exemple etre transparent aux longueurs d'onde detectees par le dispositif si celui
ci est un detecteur optique.
Les materiaux ci-dessus permettent de faire varier la taille, la distribution et la microstructure des pores afin controler la tenue mecanique, la vitesse de diffusion des gaz, la permeabilite et les proprietes optiques (en particulier l'indice optique et
l' absorption optique).
L'utilisation du materiau poreux conformement a l' invention permet l' integration monolithique du boltier d' encapsulation par rapport au dispositif. Du point de vue industrial, une integration monolithique permet d'effectuer des operations collectives sans avoir besoin d'une remise a l'air ou
dans une atmosphere moins propre.
De plus la technique monolithique est avantageuse en termes de cout, par effet de masse. I1 est plus rapide d'encapsuler tous les dispositifs dinne meme plaquette semiconductrice, en une seule etape, que de mettre les dispositifs les uns apres les autres dans des boltiers, avec des risques supplementaires de
casser ces dispositifs lors de leur manutention.
On precise que pour obtenir Sil-x-yGexcy a l'etat poreux, eventuellement dope avec de l'oxygene, du bore ou de l'azote, en fonction des besoins, on peut proceder a une oxydation anodique d'une couche non
poreuse de ce materiau.
Pour ce faire, on injecte un fort courant electrique dans la couche qui est en contact avec un
bain acide typiquement a basse dacide fluorhydrique.
Cette methode peut etre mise en muvre en faisant flotter le dispositif tete en teas sur le bain, afin d'eviter de remplir la cavite au cas ou la pression du
liquide casserait la couche poreuse.
De preference, on fabrique le materiau poreux en choissant des parametres appropries lors du
dep8t de la couche faite de ce materiau.
Les pores ont typiquement une taille superieure a quelques nanometres, ce qui permet de
laisser passer quasiment tous les atomes.
Le reglage de la connexite des pores permet de controler la diffusivite de la couche poreuse. De basses temperatures de depSt (typiquement 100 C) et de fortes concentrations d'hydrogene dans la phase gazeuse permettent
generalement d'obtenir un materiau amorphe poreux.
Des traitements apres depSt (par exemple avec un plasma d'hydrogene) permettent d'obtenir une couche de silicium amorphe poreux (de l'ordre de 20nm
d'epaisseur dans le cas du plasma).
Claims (9)
- REVENDICATIONSl.Procede d' encapsulation d'au moins un objet (2) sous atmosphere controlee, procede dans lequel -on place cet objet dans une cavite (12), cette cavite etant pourvue d'au moins un event (6) prevu pour mettre l'interieur de la cavite en contact avec l'exterieur de celle-ci, -on met cette cavite sous une atmosphere controlee et -on ferme l' evens de fac, on etanche, ce procede etant caracterise en ce que l'on obture l' evens par une couche intermediaire (16) en materiau poreux avant de fermer lievent de fa,con etanche.
- 2.Procede selon la revendication 1, dans lequel on ferme lievent par une couche d' encapsulation etanche (20) que l'on forme sur la couche intermediaire (16) enmateriau poreux.
- 3.Procede selon l'une quelconque desrevendications 1 et 2, dans lequel-on forme un dispositif (2) ainsi qu'une structure d' encapsulation de ce dispositif, ce dernier constituent ['objet a encapsuler, -on forme, autour du dispositif, la cavite (12) pourvue de l' evens (6), -on met cette cavite sous l' atmosphere controlee et -on ferme l' evens de fa,con etanche, et dans lequel on obture l' evens par la couche intermediaire (16) en materiau poreux avant de fermerl' evens de fa,con etanche.
- 4.Procede selon la revendication 3, dans lequel le dispositif (2) que lion forme et que l'on encapsuleest un microcomposant.
- 5.Procede selon la revendication 3, dans lequel le dispositif (2) que l'on forme et que l'on encapsuleest un ensemble de microcomposants.
- 6.Procede selon liune quelconque desrevendications 3 a 5, dans lequel le dispositif aencapsuler est forme sur un substrat en silicium et le materiau poreux est choisi parmi le silicium poreux, le germanium poreux et les alliages Si1-x-yGexCyporeux' avec O<x<l,O<y<l,O<x+y<1.
- 7.Procede selon l'une quelconque desrevendications 3 a 5, dans lequel le dispositif aencapsuler est forme sur un substrat et le materiau poreux est un alliage poreux comportant des elementschimiques qui vent presents dans ce substrat.
- 8.Procede selon l'une quelconque desrevendications 1 a 7, dans lequel l' atmospherecontr81ee est le vice, on place la cavite (12) pourvue de la couche intermediaire (16) en materiau poreux dans une enceinte a vice (18) et l'on fait le vice dans la cavite, a travers cette couche intermediaire, avant defermer l' evens (6) de facon etanche.
- 9.Procede selon la revendication 8, dans lequel le materiau poreux est un materiau poreux de type getter. lO.Procede selon l'une quelconque desrevendications 1 a 7, dans lequel l' atmospherecontr81ee est un gaz, on place la cavite pourvue de la couche intermediaire en materiau poreux dans une enceinte contenant ce gaz et l'on remplit la cavite de ce gaz, a Cravers cette couche intermediaire, avant defermer l' evens de facon etanche.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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FR0207853A FR2841380A1 (fr) | 2002-06-25 | 2002-06-25 | Procede d'encapsulation d'un objet sous atmosphere controlee |
Applications Claiming Priority (1)
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Family
ID=29720023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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