FR2812969A1 - Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication - Google Patents

Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication Download PDF

Info

Publication number
FR2812969A1
FR2812969A1 FR0010582A FR0010582A FR2812969A1 FR 2812969 A1 FR2812969 A1 FR 2812969A1 FR 0010582 A FR0010582 A FR 0010582A FR 0010582 A FR0010582 A FR 0010582A FR 2812969 A1 FR2812969 A1 FR 2812969A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
sensor
metal
pins
electrolytic
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR0010582A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2812969B1 (fr
Inventor
Bertrand Leverrier
Marchionni Marie Dominiq Bruni
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Priority to FR0010582A priority Critical patent/FR2812969B1/fr
Priority to US10/110,065 priority patent/US6647759B2/en
Priority to PCT/FR2001/002568 priority patent/WO2002015257A1/fr
Priority to EP01963070A priority patent/EP1307911A1/fr
Publication of FR2812969A1 publication Critical patent/FR2812969A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2812969B1 publication Critical patent/FR2812969B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818Bonding techniques
    • H01L2224/81801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013Fully indexed content
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01073Tantalum [Ta]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19042Component type being an inductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

L'invention concerne les capteurs de grandeurs physiques tels que les capteurs de pression ou d'accélération, et plus précisément le montage de la partie active du capteur sur une embase (30) portant des broches de connexion (32).Selon l'invention, on prépare une partie active du capteur, composée par exemple de plaques de silicium micro-usinées (10, 12) portant des éléments électroniques, des conducteurs électriques, et des plots de connexion (22). On prépare aussi une embase (30) pourvue de broches (32) dont les extrémités supérieures sont disposées dans l'espace chacune en regard d'un plot respectif (22). On applique la face portant les plots contre la partie supérieure des broches, et on plonge l'ensemble dans un bain électrolytique pour déposer du métal (34) qui vient souder rigidement les broches sur les plots. De préférence on recouvre ensuite d'un isolant (36) les parties conductrices (plots et broches) de l'ensemble, pour éviter des fuites électriques entre broches soumises à des potentiels différents.

Description

<Desc/Clms Page number 1>
CAPTEUR MICRO-USINE AVEC SOUDURE ELECTROLYTIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION L'invention concerne le montage de capteurs de grandeurs physiques susceptibles de fonctionner en environnement sévère.
De manière générale, le montage consiste à reporter un capteur micro-usiné sur une embase pourvue de broches de connexion électriques. Le capteur est réalisé par exemple à partir d'une ou plusieurs plaques de silicium usinées, comportant des éléments mécaniques (membranes, poutres, masses sismiques, etc.), des éléments électroniques (armatures de capacités, ou jauges de contrainte notamment), des connexions électriques, et des plots de contact métalliques permettant la liaison électrique avec les broches de l'embase lorsque le capteur est fixé sur l'embase.
Classiquement, le capteur est collé ou brasé par sa face arrière sur l'embase, dans une partie centrale de celle-ci entourée par les broches de connexion qui traversent l'embase. Les plots de connexion du capteur, sur la face avant de celui-ci, sont reliés par des fils soudés (technique dite du wire-bonding ) entre les plots et les sommets des broches de connexion qui dépassent de la surface de l'embase.
Cette solution est coûteuse, soit en temps de réalisation soit en prix de machine de soudage automatique.
L'invention vise à proposer une solution moins coûteuse, présentant de bonnes qualités de résistance mécanique, un encombrement réduit, et utilisable dans un grand nombre d'applications, incluant notamment des capteurs de pression et des accéléromètres.
Selon l'invention on propose un capteur de grandeur physique comportant au moins une plaque micro-usinée pourvue de plots de connexion conducteurs sur une face principale, et une embase pourvue de broches de connexion conductrices, la face principale étant tournée vers l'embase et chaque plot de connexion venant en regard d'une extrémité de broche correspondante, un dépôt électrolytique de métal ou de métaux enrobant l'extrémité de chaque broche et le plot de connexion correspondant de manière à établir une fixation rigide entre cette extrémité et le plot.
<Desc/Clms Page number 2>
Par dépôt électrolytique, on entend un dépôt de métal ou de métaux (alliage de métaux ou dépôt de plusieurs métaux) sur une zone conductrice, obtenu par migration d'ions métallliques en provenance d'une solution liquide. La migration peut être provoquée soit par le passage d'un courant électrique (bain électrolytique classique avec électrodes d'amenée de courant), soit par réaction chimique sans alimentation en courant (dépôt dit electroless ).
Le procédé de réalisation selon l'invention consiste donc - à préparer une partie active de capteur et une embase, la partie active comprenant au moins une plaque pourvue de plots de connexion sur une face avant, et l'embase étant pourvue de broches conductrices dont les extrémités sont disposées spatialement de telle sorte que chaque extrémité vienne s'appuyer contre un plot respectif de la plaque lorsque la face avant de celle-ci est rapprochée de l'embase, - à maintenir la plaque contre l'embase et plonger la plaque et au moins les extrémités de broche dans un bain électrolytique, et effectuer un dépôt électrolytique de métal conducteur sur les extrémités de broche et les plots avec une épaisseur de métal suffisante pour assurer une fixation rigide entre les broches et les plots par le métal déposé.
Le dépôt électroltytique sur les plots et sur les broches réalise en quelque sorte une soudure avec apport de métal entre ces plots et les broches, et la résistance de cette soudure en environnement difficile est bien plus élevée que celle qu'on obtiendrait si on utilisait une simple colle conductrice entre les broches et les plots. De plus, cette fixation se fait sans avoir besoin de porter les plots à haute température comme ce serait le cas avec une véritable soudure ou brasure. Par ailleurs, l'opération de fixation par dépôt électrolytique se fait sans contrainte mécanique entre les plots et les broches.
Ce procédé peut être mis en oeuvre de manière collective pour des lots de capteurs, sans impliquer de machine coûteuse telles que celles qui permettent de faire du wire-bonding automatique.
Les broches peuvent avoir, au dessus de la surface de l'embase une hauteur importante, par exemple de quelques millimètres pour une embase d'un centimètre de diamètre, de sorte que le capteur est suspendu d'une manière relativement souple du fait de la souplesse propre des
<Desc/Clms Page number 3>
broches. II est donc moins soumis aux contraintes que peut supporter l'embase, en particulier aux contraintes de dilatation thermique, aux chocs, aux vibrations, etc.
De préférence, les broches de connexion et les plots de connexion recouverts de métal électrolytique sont recouverts d'une couche isolante pour supprimer les risques de court-circuit ou les chemins de fuite de courant entre broches lorsque celles-ci sont disposées dans un environnement liquide ou gazeux non parfaitement isolant (air humide et salin par exemple, ou eau).
La couche isolante peut être produite par oxydation ou nitruration électrolytique, ou par un deuxième dépôt métallique conducteur et une oxydation ou nitruration de ce deuxième dépôt. Elle peut être faite aussi par dépôt d'isolant minéral par décomposition chimique éventuellement assistée par plasma. Pour des environnements moins sévères, un dépôt de couche organique isolante peut être envisagé.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels - la figure 1 représente une phase du procédé de fabrication selon l'invention ; - la figure 2 représente une phase ultérieure du procédé ; - la figure 3 représente le capteur selon l'invention à la fin du procédé de fabrication.
L'invention sera décrite uniquement à propos d'un capteur de pression devant fonctionner en environnement sévère, par exemple un capteur de pression de gaz d'échappement d'un moteur à combustion interne, ou un capteur de pression placé à l'intérieur du cylindre d'un tel moteur. L'environnement est sévère en raison des très hautes températures (plusieurs centaines de degrés celsius) et de la nocivité du milieu ambiant (gaz agressifs). L'invention est applicable cependant à d'autres capteurs.
La figure 1 représente un capteur selon l'invention, avec une partie active et une embase, dans une phase qui précède la fixation de la partie active sur l'embase. La partie active du capteur est constituée dans cet
<Desc/Clms Page number 4>
exemple à partir de deux plaques de silicium soudées 10 et 12, usinées de manière à délimiter une cavité 14 fermée par une membrane mince de silicium 16. La plaque 10 pourrait être en verre.
Sur la membrane 16 sont formées, par des procédés de fabrication de microélectronique, les éléments électroniques 18 nécessaires à la détection des déformations de celle-ci. Dans un exemple ces éléments sont des jauges de contrainte formées directement dans le silicium (par implantation de dopants appropriés dans le silicium) ou formées dans une couche de silicium séparé du substrat de silicium par une couche isolante (structure silicium sur isolant, dite SOI pour silicon on insulator ). Pour des environnements très sévères, ces jauges peuvent être réalisées sur la membrane à l'intérieur de la cavité 14; si l'environnement est moins difficile, elles peuvent être formées à l'extérieur de la cavité 14. Les jauges sont sensibles aux déformations de la membrane, provoquées par les variations de pression qu'on veut mesurer.
Des connexions électriques 20 servant à l'alimentation des jauges et à la transmission de mesures faites sur ces jauges, sont formées sur la partie active du capteur. Ces connexions aboutissent, sur une face avant de la partie active du capteur à des plots de connexion 22 qui sont des surfaces métalliques conductrices servant à la liaison électrique avec des broches externes. La face avant, ou face principale, de la partie active du capteur est celle qui est tournée vers le bas sur la figure 1. La face avant est en général protégée par une couche de passivation 24 (en oxyde ou nitrure de silicium par exemple) qui recouvre toute la surface à l'exception des plots de connexion 22 ou au moins de leur partie centrale.
Pour le montage de la partie active du capteur sur une embase, on réalise une embase 30 traversée par des broches de connexion métalliques 32 dont le nombre est au moins égal au nombre de plots de connexion présents sur le capteur et nécessaires au fonctionnement de celui-ci. La partie supérieure des broches est située au dessus de l'embase et dépasse de la surface de celle-ci. La partie inférieure descend au dessous de la surface inférieure de l'embase et pourra être enfichée par exemple dans un connecteur femelle ou dans des trous d'un circuit imprimé, ou reliée par soudure à des fils conducteurs individuels, etc.
<Desc/Clms Page number 5>
L'embase peut être isolante ou conductrice, mais dans ce dernier cas il faut prévoir qu'un isolant 33 (par exemple du verre dans le cas d'une embase en métal) remplit les passages dans lesquels les broches sont insérées, afin d'isoler électriquement les broches les unes des autres. Dans une réalisation, l'embase est en alliage métallique tel que du Kovar, avec traversées de verre. Elle pourrait être en céramique isolante, voire en matière plastique pour des environnements à températures modérées.
La disposition spatiale des broches dans l'embase est telle que lorsqu'on rapproche la face avant du capteur (face inférieure sur la figure 1) de la partie supérieure de l'embase, chaque broche vient s'appuyer en contact direct (mécanique et électrique) respectivement avec un plot de connexion 22 du capteur.
Le procédé selon l'invention consiste alors à plonger dans un bain électrolytique la partie active du capteur ainsi que la partie supérieure des broches, en les maintenant en contact avec les plots, pour qu'un dépôt métallique conducteur se forme, par migration électrolytique, à la fois sur les plots et sur la partie supérieure des broches.
L'opération de dépôt électrolytique (avec ou sans courant électrique pour réaliser l'électrolyse) est poursuivie jusqu'à ce que l'épaisseur de métal déposé soit suffisante pour assurer une liaison mécanique rigide entre chacune des broches et un plot correspondant de la partie active du capteur.
La figure 2 représente le capteur ainsi fixé rigidement à son embase. La partie des plots 22 et des broches 32 qui a été en contact avec le bain électrolytique est entièrement recouverte d'une couche 34 de métal déposé. Le métal ne s'est pas déposé sur les parties non conductrices du capteur (la couche de passivation 24 notamment). Dans l'exemple représenté, toute la partie de broche dépassant de l'embase est recouverte parce qu'on a plongé toute cette partie dans le bain, mais ce n'est pas obligatoire; il suffit que la zone de broche à proximité immédiate du plot de connexion soit plongée dans le bain.
Le métal déposé par électrolyse peut être notamment du cuivre ou de l'or, ou du nickel, mais d'autres métaux sont possibles. Plusieurs métaux peuvent être déposés. Un alliage de métaux ou un co-dépôt de deux ou plusieurs métaux peut aussi être envisagé. Les plots de connexion peuvent
<Desc/Clms Page number 6>
être en or ou aluminium ou en d'autres métaux ou combinaison de métaux (plusieurs couches métalliques superposées parfois). Si le dépôt est fait par électrolyse classique avec passage de courant dans une solution contenant des ions métalliques, on s'arrange pour connecter toutes les broches ensemble pendant le temps de l'électrolyse (de préférence par l'arrière de l'embase, c'est-à-dire par une partie qui ne plonge pas dans le bain électrolytique). Une différence de potentiel d'électrolyse appropriée est appliquée entre ces broches et une autre électrode plongeant dans le bain.
Un dépôt électroless est également possible; dans ce cas l'électrolyse se produit par simple réaction chimique entre les broches ou plots de connexion et la solution ionique du @ bain électrolytique, sans application de différences de potentiel externes.
L'épaisseur de dépôt de métal sur les broches peut-être de quelques dizaines de micromètres ou plus pour assurer une soudure mécanique rigide entre les broches et la surface du capteur.
La partie supérieure des broches, dépassant au dessus de la surface supérieure de l'embase, peut avoir une longueur très faible, ou bien une longueur importante pour assurer alors une certaine souplesse de liaison entre le capteur et son embase, la souplesse étant due à la flexibilité naturelle des broches, d'autant plus grande que les broches sont plus minces et que leur partie dépassante est plus longue.
Lors de la fabrication de l'embase portant les broches traversantes, on doit faire attention à ce que les extrémités de broches se situent toutes dans un même plan pour s'appuyer uniformément contre tous les plots de connexion du capteur (en faisant l'hypothèse, généralement vraie, que tous les plots sont dans un même plan). Si toutefois un léger intervalle subsistait entre une broche et un plot, il serait vite comblé par le matériau de dépôt électrolytique.
Après le dépôt électrolytique qui soude le capteur sur les broches de l'embase, il est préférable de prévoir une opération supplémentaire de protection de toutes les parties conductrices du capteur, de l'embase et des broches, par une couche isolante. Cette couche sert de couche de passivation empêchant notamment des fuites électriques de courant entre les broches lorsque celles-ci sont en atmosphère non parfaitement isolante (ambiance d'air salin, etc.). Cette couche de passivation peut non seulement
<Desc/Clms Page number 7>
empêcher des fuites électriques à travers l'air ambiant, mais elle peut aussi empêcher une pénétration d'humidité vers les parties conductrices du capteur. La nature de cette couche est évidemment fonction de la sévérité des conditions ambiantes: une couche minérale sera nécessaire pour des hautes températures, une couche organique peut être suffisante si la température reste au dessous de 200 c par exemple. Les couches minérales qui peuvent être déposées sont par exemple de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, du carbure de silicium, et même du diamant. Alternativement, une couche organique pourrait être en silicone ou en parylène.
Un procédé particulièrement efficace pour des environnements sévères peut consister notamment à effectuer une oxydation ou nitruration électrolytique de la surface métallique conductrice des broches et des plots du capteur. Dans une réalisation, on oxyde ou nitrure électrolytiquement la couche métallique 34 qui a servi à souder le capteur sur les broches, en plongeant le capteur dans un nouveau bain électrolytique approprié à cette oxydation ou nitruration. Dans une autre réalisation, on dépose une deuxième couche métallique par électrolyse, par dessus la couche 34 (notamment si la couche 34 n'est pas facile à oxyder ou nitrurer électrolytiquement, ou si l'oxydation ou la nitruration aboutit à une couche insuffisamment résistante aux agressions de l'environnement, on peut préférer déposer une deuxième couche métallique plus facilement oxydable ou nitrurable) ; la deuxième couche peut être en nickel ou tantale par exemple ; puis on oxyde ou nitrure la deuxième couche métallique, soit en atmosphère gazeuse oxydante ou nitrurante soit en plongeant le capteur et les broches dans un bain chimique ou électrolytique oxydant ou nitrurant. Dans une troisième réalisation, la couche isolante est formée par un dépôt électrolytique d'isolant (oxyde métallique ou nitrure métallique).
Enfin, si cela est plus facile, la formation de la couche de passivation peut être effectuée plus classiquement par un dépôt de couche isolante minérale (oxyde de silicium ou nitrure de silicium) par dépôt en phase gazeuse assisté par plasma. Dans ce cas, bien sûr la couche supplémentaire ne se limite pas à recouvrir les parties conductrices apparentes du capteur, elle recouvre toutes les parties exposées à la source de produit de dépôt dans le réacteur de dépôt.
<Desc/Clms Page number 8>
La couche de protection isolante ainsi déposée permet notamment d'éviter d'avoir à protéger le capteur par un bain d'huile isolante et une membrane métallique comme on le faisait parfois dans la technique antérieure pour éviter les fuites électriques entre broches portées à des potentiels différents. Ce type de montage était coûteux, et la présence de ce bain d'huile modifie les caractéristiques propres du capteur: par exemple, dans le cas d'un capteur de pression, la pression extérieure est transmise à travers le bain d'huile, ce qui engendre des erreurs de mesure difficiles à compenser. La figure 3 représente le capteur pourvu d'une couche de protection supplémentaire 36 sur toutes les parties conductrices.
On a représenté sur les figures des broches conductrices droites. On peut envisager dans certains cas des formes de broches non droites et en particulier tordues de manière à augmenter leur souplesse vis-à-vis de mouvements à la fois parallèles au plan de l'embase et perpendiculaires à ce plan. Cela à l'avantage de faciliter l'application de l'extrémité des broches contre les plots conducteurs lors de l'électrolyse ; cela a aussi ultérieurement l'avantage de mieux découpler le capteur de son embase, évitant de transmettre à la partie active des efforts excessifs ou des vibrations indésirables, alors que la partie active, par sa nature même est particulièrement sensible aux contraintes mécaniques.
L'invention est particulièrement applicable à des capteurs de pression, d'efforts, d'accélérations, de température, fonctionnant en environnement sévère.
<Desc/Clms Page number 9>

Claims (11)

REVENDICATIONS
1. Capteur de grandeur physique comportant au moins une plaque micro-usinée (12) pourvue de plots de connexion conducteurs (22) sur une face principale, et une embase (30) pourvue de broches de connexion conductrices, la face principale étant tournée vers l'embase et chaque plot de connexion venant en regard d'une extrémité de broche correspondante, un dépôt électrolytique de métal ou de métaux (34) enrobant l'extrémité de chaque broche et le plot de connexion correspondant de manière à établir une fixation rigide entre cette extrémité et le plot.
2. Capteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal electrolytique déposé est du cuivre, ou de l'or, ou du nickel.
3. Capteur selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que les broches de connexion (32) et les plots de connexion (22) recouverts de métal électrolytique sont recouverts d'une couche isolante (36).
4. Capteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche isolante est en oxyde de silicium, ou en nitrure de silicium, ou en oxyde ou nitrure de tantale, ou en oxyde de nickel, ou en carbure de silicium, ou en diamant, ou en silicone, ou en parylène.
5. Capteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il constitue un capteur de pression, d'efforts, d'accélérations, ou de détection de gaz ou de liquide..
6. Procédé de fabrication d'un capteur de grandeur physique, consistant à préparer une partie active de capteur (10, 12) et une embase (30), la partie active comprenant au moins une plaque (12) pourvue de plots de connexion (22) sur une face avant, et l'embase étant pourvue de broches conductrices (32) dont les extrémités sont disposées spatialement de telle sorte que chaque extrémité vienne s'appuyer contre un plot respectif (22) de la plaque lorsque la face avant de celle-ci est rapprochée de l'embase, à maintenir la plaque contre l'embase, à plonger la plaque et au moins les
<Desc/Clms Page number 10>
extrémités de broche dans un bain électrolytique, et à effectuer un dépôt électrolytique de métal conducteur (34) ou de métaux conducteurs sur les extrémités de broche et les plots avec une épaisseur de métal suffisante pour assurer une fixation rigide entre les broches et les plots par le métal déposé.
7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le dépôt électrolytique est effectué par migration d'ions métallliques en provenance d'une solution liquide, avec passage de courant électrique dans la solution.
8. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le dépôt électrolytique est un dépôt électroless effectué par migration d'ions métalliques en provenance d'une solution liquide sans passage de courant électrique.
9. Procédé selon l'une des revendications 6 à 8, caractérisé en ce que les broches de connexion et les plots de connexion recouverts de métal électrolytique sont recouverts d'une couche isolante (36).
10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la couche isolante est obtenue par oxydation ou nitruration électrolytique du métal déposé par voie électrolytique, ou par un deuxième dépôt métallique conducteur et une oxydation ou nitruration de ce deuxième dépôt.
11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche isolante est obtenue par dépôt d'isolant minéral par décomposition chimique éventuellement assistée par plasma.
FR0010582A 2000-08-11 2000-08-11 Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication Expired - Fee Related FR2812969B1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0010582A FR2812969B1 (fr) 2000-08-11 2000-08-11 Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication
US10/110,065 US6647759B2 (en) 2000-08-11 2001-08-07 Sensor micro-machined with electrolytic welding and method for making same
PCT/FR2001/002568 WO2002015257A1 (fr) 2000-08-11 2001-08-07 Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication
EP01963070A EP1307911A1 (fr) 2000-08-11 2001-08-07 Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0010582A FR2812969B1 (fr) 2000-08-11 2000-08-11 Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2812969A1 true FR2812969A1 (fr) 2002-02-15
FR2812969B1 FR2812969B1 (fr) 2003-08-01

Family

ID=8853501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR0010582A Expired - Fee Related FR2812969B1 (fr) 2000-08-11 2000-08-11 Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6647759B2 (fr)
EP (1) EP1307911A1 (fr)
FR (1) FR2812969B1 (fr)
WO (1) WO2002015257A1 (fr)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7254986B2 (en) * 2002-12-13 2007-08-14 General Electric Company Sensor device for detection of dissolved hydrocarbon gases in oil filled high-voltage electrical equipment
CN100527372C (zh) * 2002-12-24 2009-08-12 株式会社电装 半导体传感器及其生成方法
JP2004361308A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 物理量検出装置および物理量検出手段格納ケース
FR2859528B1 (fr) * 2003-09-09 2006-01-06 Thales Sa Gyrometre micro-usine a double diapason et a detection dans le plan de la plaque usinee
FR2860865B1 (fr) * 2003-10-10 2006-01-20 Thales Sa Gyrometre micromecanique infertiel a diapason
FR2862761B1 (fr) * 2003-11-25 2006-02-03 Thales Sa Accelerometre differentiel micro-usine multiaxes
KR101706825B1 (ko) * 2014-11-13 2017-02-27 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
CN107919338A (zh) * 2017-12-20 2018-04-17 苏州市悠文电子有限公司 Pcb板led晶片插件组件

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5290423A (en) * 1992-04-27 1994-03-01 Hughes Aircraft Company Electrochemical interconnection
JPH095187A (ja) * 1995-06-21 1997-01-10 Fuji Electric Co Ltd 半導体圧力センサ
US5645707A (en) * 1994-08-25 1997-07-08 Sharp Kabushiki Kaisha Bonding method for chip-type electronic parts
US5693208A (en) * 1995-03-16 1997-12-02 Alusuisse Technology & Management Ltd. Process for continuously anodizing strips or wires of aluminum
JPH10153508A (ja) * 1996-11-26 1998-06-09 Fuji Electric Co Ltd 半導体圧力センサ
US5773889A (en) * 1992-11-17 1998-06-30 Fujitsu Limited Wire interconnect structures for connecting an integrated circuit to a substrate
WO1999054166A1 (fr) * 1998-04-16 1999-10-28 Kavlico Corporation Ensemble detecteur capacitif a revetement inhibant l'accumulation de suie
US5998864A (en) * 1995-05-26 1999-12-07 Formfactor, Inc. Stacking semiconductor devices, particularly memory chips

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4442716A (en) * 1982-04-30 1984-04-17 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Areonautics And Space Administration Electronic scanning pressure measuring system and transducer package
US4746893A (en) * 1985-01-31 1988-05-24 Motorola, Inc. Pressure transducer with sealed conductors
US5049421A (en) * 1989-01-30 1991-09-17 Dresser Industries, Inc. Transducer glass bonding technique
US5029478A (en) * 1990-07-19 1991-07-09 Honeywell Inc. Fluid isolated self-compensating absolute pressure sensor transducer
FR2722358B1 (fr) 1994-07-08 1996-08-14 Thomson Csf Transducteur acoustique multifrequences a larges bandes
US5594819A (en) * 1995-07-26 1997-01-14 Electric Power Research Institute Field-mountable fiber optic sensors for long term strain monitoring in hostile environments
US5948991A (en) * 1996-12-09 1999-09-07 Denso Corporation Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip
JPH1164137A (ja) * 1997-08-25 1999-03-05 Hitachi Ltd 半導体圧力センサ
JP4356238B2 (ja) * 2000-12-25 2009-11-04 株式会社デンソー 圧力センサ
WO2003008921A1 (fr) * 2001-07-17 2003-01-30 Measurement Specialties, Inc. Technique d'isolation pour structure de détection de pression

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5290423A (en) * 1992-04-27 1994-03-01 Hughes Aircraft Company Electrochemical interconnection
US5773889A (en) * 1992-11-17 1998-06-30 Fujitsu Limited Wire interconnect structures for connecting an integrated circuit to a substrate
US5645707A (en) * 1994-08-25 1997-07-08 Sharp Kabushiki Kaisha Bonding method for chip-type electronic parts
US5693208A (en) * 1995-03-16 1997-12-02 Alusuisse Technology & Management Ltd. Process for continuously anodizing strips or wires of aluminum
US5998864A (en) * 1995-05-26 1999-12-07 Formfactor, Inc. Stacking semiconductor devices, particularly memory chips
JPH095187A (ja) * 1995-06-21 1997-01-10 Fuji Electric Co Ltd 半導体圧力センサ
JPH10153508A (ja) * 1996-11-26 1998-06-09 Fuji Electric Co Ltd 半導体圧力センサ
WO1999054166A1 (fr) * 1998-04-16 1999-10-28 Kavlico Corporation Ensemble detecteur capacitif a revetement inhibant l'accumulation de suie

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DATABASE WPI Section EI Week 19833, Derwent World Patents Index; Class S02, AN 1998-382161, XP002171223 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1997, no. 05 30 May 1997 (1997-05-30) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 11 30 September 1998 (1998-09-30) *

Also Published As

Publication number Publication date
EP1307911A1 (fr) 2003-05-07
FR2812969B1 (fr) 2003-08-01
WO2002015257A1 (fr) 2002-02-21
US20020152798A1 (en) 2002-10-24
US6647759B2 (en) 2003-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1133683B1 (fr) Capteur de pression a membrane comportant du carbure de silicium et procede de fabrication
EP1210733A1 (fr) Procede de fabrication de connexions traversantes dans un substrat et substrat equipe de telles connexions
EP0983517A1 (fr) Micro-accelerometre a resonateur capacitif
EP2377573B1 (fr) Procédé de réalisation d&#39;une traversée électrique dans la paroi métallique d&#39;un boîtier, notamment de dispositif médical actif, et dispositif pourvu d&#39;une telle traversée
EP0599174B1 (fr) Cellule de mesure micro-usinée
KR20160065864A (ko) 금속-세라믹 땜납 연결을 생성하는 방법
FR2987892A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;un capteur de pression et capteur correspondant
FR2812969A1 (fr) Capteur micro-usine avec soudure electrolytique et procede de fabrication
FR2850488A1 (fr) Module photovoltaique comportant des bornes de connexion avec l&#39;exterieur
EP0188838B1 (fr) Boîtier pour composant électronique
EP0269485A1 (fr) Dispositif de mesure formant un fluxmètre et un capteur de température combinés, constitué d&#39;une structure multicouche, procédé de fabrication d&#39;un tel dispositif et structure multicouche
WO2002015256A1 (fr) Capteur micro-usine avec protection isolante des connexions
JP3826036B2 (ja) 温度測定装置および温度測定装置の接続ワイヤを接続する方法
EP3035017B1 (fr) Capteur differentiel de temperature
FR2769100A1 (fr) Boitier pour dispositif photosemi-conducteur
FR2495837A1 (fr) Embase de microboitier d&#39;encapsulation et microboitier comportant une telle embase
EP1433203B1 (fr) Procédé de réalisation d&#39;une prise de contact en face arriere d&#39;un composant à substrats empiles
EP1938863A1 (fr) Procédé d&#39;assemblage mécanique et d&#39;interconnexion électrique des éléments fonctionnels d&#39;un dispositif médical implantable actif
EP1438556A2 (fr) Ensemble de capteur fonctionnant a haute temperature et procede de montage
EP3035018A1 (fr) Capteur differentiel de temperature
FR2660797A1 (fr) Boitier d&#39;encapsulage perfectionne pour dispositif a semiconducteur.
FR2569052A1 (fr) Procede d&#39;interconnexion de circuits integres
FR2554275A1 (fr) Dispositif de connexion pour un semi-conducteur de puissance
CN117766594A (zh) 一种耐腐蚀无引线非晶碳传感器芯片的制造和封装方法
FR2574222A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;un substrat pour circuit hybride comportant des connexions faiblement resistives

Legal Events

Date Code Title Description
CD Change of name or company name
ST Notification of lapse

Effective date: 20100430