FR2809523A1 - Afficheur a cristal liquide et procede de fabrication d'un tel afficheur - Google Patents
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Abstract
On décrit un afficheur à cristal liquide et son procédé de fabrication avec une pluralité de motifs sur un seul substrat, pour réduire le coût de fabrication et simplifier les étapes du procédé en minimisant le nombre de masques formant les motifs. L'afficheur comprend des premier et second substrats, un transistor en couche mince formé dans une région du substrat, une électrode de pixel (45) formée dans une région de pixel du premier substrat, une couche de filtre de couleur (47) formée sur l'électrode de pixel, un motif de matrice noire (43) formée dans une région autre que l'électrode de pixel, et une couche de cristal liquide entre les substrats.Le procédé comprend les étapes de formation du transistor sur le substrat, d'un motif de matrice noire dans une région autre que celle de pixel, d'une électrode de pixel sur la région de pixel et d'une couche de filtre de couleur sur l'électrode de pixel.
Description
AFFICHEUR A CRISTAL LIQUIDE ET PROCEDE DE FABRICATION
D'UN TEL AFFICHEUR
La présente invention concerne un dispositif d'affichage et plus s particulièrement un dispositif d'affichage à cristal liquide ainsi qu'un procédé de
fabrication de ce dispositif.
Des dispositifs à panneau plat ultrafin présentant un dispositif d'affichage d'une épaisseur de quelques centimètres ou moins et en particulier, des dispositifs à cristal liquide à panneau plat sont largement utilisés dans les écrans pour ordinateurs
portables, pour les vaisseaux spatiaux et pour les avions.
De tels dispositifs d'affichage à cristal liquide présentent une faible consommation de puissance et sont facilement transportables. De ce point de vue, l'afficheur à cristal liquide est considéré comme un dispositif d'affichage avancé
pouvant se substituer au tube à rayons cathodiques.
Un afficheur à cristal liquide inclut un substrat présentant des transistors en couche mince (TFT), un substrat avec un filtre de couleur et une couche de cristal liquide scellée entre le substrat à transistors en couche mince et le substrat à filtre de couleur. L'afficheur à cristal liquide est un dispositif qui n'émet pas de lumière et qui peut permettre de fournir un effet d'image grâce aux caractéristiques électro-optiques
de la couche de cristal liquide.
En d'autres termes, une matrice de transistors en couche mince et d'électrodes de pixel est formée sur le substrat à transistors en couche mince, tandis qu'un motif de matrice noire, un filtre de couleur et une électrode commune sont formés sur le substrat à filtre de couleur. Le substrat à transistors en couche mince et le substrat à 2s filtre de couleur sont reliés l'un à l'autre par un agent de scellement comme par
exemple de la résine epoxy.
Un circuit de pilotage est relié au substrat à transistors en couche mince en utilisant comme moyen de transport des signaux un conducteur en bande. Le circuit de pilotage génère divers signaux de contrôle et des tensions de contrôle pour
afficher les images.
Le développement et l'application des industries des afficheurs à cristal liquide à transistors en couche mince s'est accéléré avec l'augmentation des dimensions et l'augmentation de la résolution des afficheurs à cristal liquide. Pour augmenter la productivité et assurer un faible coût, de nombreux efforts ont été effectués pour
simplifier les étapes de procédé et améliorer le rendement.
Un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide selon un exemple de
l'état de la technique est maintenant décrit en référence aux dessins joints.
Les figures la à If sont des vues en coupe illustrant des étapes de procédé de fabrication d'un substrat inférieur d'un afficheur à cristal liquide selon les exemples de l'art antérieur, et les figures 2a à 2e sont des vues en coupe illustrant des étapes de procédé de fabrication d'un substrat supérieur d'un afficheur à cristal liquide selon
s un exemple de l'état de la technique.
Un procédé de fabrication d'un substrat inférieur d'un afficheur à cristal
liquide est décrit en référence aux figures la à 1f.
Comme représenté sur la figure la, une couche de métal tel que AI, Ta, Cr ou un alliage d'aluminium, qui constitue un matériau pour l'électrode de grille est formé sur un premier substrat isolant 1. Une électrode de grille 2 est formée en structurant
cette couche à l'aide d'un premier masque (non représenté).
Comme représenté sur la figure lb, un film d'isolation de grille 3, de préférence en SiNx, est formé sur le premier substrat isolant 1, y compris sur l'électrode de grille
2, par un traitement de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Une couche semi-
conductrice 4 est ensuite formée sur le film d'isolation de grille 3, audessus de
l'électrode de grille 2.
Comme représenté sur la figure 1 c, la couche semi-conductrice 4 est structurée
en utilisant un deuxième masque (non représenté) de sorte à former un motif actif 4a.
Une couche de métal 5 tel que Al, Cr, Mo ou un alliage d'aluminium est formée par un procédé de pulvérisation cathodique, et ensuite sélectivement enlevée pour former une électrode de source 6a et une électrode de drain 6b comme représenté sur la figure ld. Les électrodes de source et de drain 6a et 6b sont formées par un traitement d'attaque en utilisant un troisième masque (non représenté). Un film de passivation 7 est formé sur toute la surface y compris sur les électrodes de source et
de drain 6a et 6b.
Comme représenté sur la figure le, un trou de contact 8 est formé en utilisant un quatrième masque (non représenté) de sorte à découvrir une portion de l'électrode de drain 6b. Comme représenté sur la figure 1f, une couche d'oxyde d'étain et d'indium (ITO) servant comme électrode de pixel est formée sur toute la surface de sorte que cette couche est électriquement reliée à l'électrode de drain 6b à travers le trou de contact 8. La couche d'oxyde d'étain et d'indium est structurée par un traitement d'attaque en utilisant un cinquième masque (non représenté) pour former
une électrode de pixel 9.
Un procédé de fabrication du substrat supérieur pour un afficheur à cristal
liquide est maintenant décrit en référence aux figures 2a à 2e.
Comme représenté sur la figure 2a, un matériau bloquant la lumière est formé sur un second substrat isolant la, et est structuré par traitement de photolithographie en utilisant un premier masque (non représenté) de sorte à former un motif de matrice noire 12. Le motif de matrice noire 12 est formé sur le second substrat isolant la sous forme d'une matrice. Le motif de matrice noire 12 présente une structure à deux couches de CrOx et Cr, ou une structure à triple couche de CrOx,
Crx et Cr.
Comme représenté sur la figure 2b, un premier filtre de couleur 14a choisi parmi des filtres de couleur rouge (R), vert (G), et bleu (B) est formé sur le motif de matrice noire 12 par un traitement de photolithographie en utilisant un deuxième
masque (non représenté).
Ensuite, comme représenté sur les figures 2c et 2d, un second filtre de couleur 14b et un troisième filtre de couleur 14c sont sélectivement formés de la même façon que le premier filtre de couleur 14a a été formé. La figure 2c est une vue en coupe montrant le second filtre de couleur 14b tandis que la figure 2d est une vue en coupe montrant le troisième filtre de couleur 14c. Bien que ceci ne soit pas représenté, des masques distincts (troisième et quatrième masques) sont respectivement nécessaires
pour la formation des second et troisième filtres de couleur 14b et 14c.
Après que le motif de matrice noire 12 et les filtres de couleur R, G et B, 14a, 14b et 14c sont formés sur le second substrat isolant la, on forme, comme représenté sur la figure 2e, une couche d'oxyde d'étain et d'indium sur toute la surface par un procédé de pulvérisation cathodique, et on structure cette couche en utilisant un
cinquième masque (non représenté) de sorte à former une électrode commune 16.
Après avoir fabriqué les substrats supérieur et inférieur comme indiqués ci-
dessus, on assemble ces deux substrats l'un à l'autre, et du cristal liquide est injecté entre les deux substrats à travers un trou d'injection de cristal liquide. Ceci achève le procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide selon l'exemple de l'état de la
technique.
Toutefois, le procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide selon l'état
de la technique présente plusieurs problèmes.
Du fait qu'un total de dix masques sont nécessaires pour la fabrication des substrats supérieur et inférieur, les coûts de fabrication augmentent et le temps de traitement augmente du fait du nombre d'étapes de photolithographie, ce qui
augmente le temps total nécessaire pour la fabrication.
En conséquence, la présente invention concerne un afficheur à cristal liquide et un procédé de fabrication d'un tel afficheur qui pallie sensiblement un ou plusieurs
des problèmes et les limitations et inconvénients de l'état de la technique.
Un objet de la présente invention est de fournir un afficheur à cristal liquide et un procédé de fabrication de cet afficheur qui permet de réduire le coût de fabrication et le temps total de fabrication et améliore la productivité en minimisant le nombre
de masques nécessaires pour les différentes étapes du procédé.
Un autre objet de l'invention est de fournir un afficheur à cristal liquide ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel afficheur dans lequel une couche de filtre de couleur est formée sur une électrode de pixel, dans un état o le transistor en couche
mince n'est pas piloté.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront dans la
description qui suit ou pourront être enseignés par la mise en oeuvre de l'invention.
Ces objectifs ainsi que d'autres avantages de l'invention peuvent être obtenus grâce à
l'objet qui est décrit dans la description qui suit ainsi que dans les revendications ou
dans les dessins.
Pour obtenir ces avantages, un afficheur à cristal liquide selon la présente invention comprend des premier et second substrats, un transistor en couche mince formé dans une région prédéterminée d'un premier substrat, une électrode de pixel formée dans une région de pixel du deuxième substrat, une couche de filtre de couleur formée sur l'électrode de pixel, un motif de matrice noire formé dans une région autre que l'électrode de pixel et une couche de cristal liquide formée entre le
premier et le second substrats.
Dans un mode de réalisation, on prévoit aussi une électrode commune formée
sur le second substrat.
Avantageusement, le motif de matrice noire est formé de benzocyclobutène
(BCB).
Dans un autre mode de réalisation, le transistor en couche mince est formé dans une région d'intersection entre une ligne de grille et une ligne de données sur le
premier substrat.
De préférence, l'afficheur comprend en outre un motif de connexion qui relie électriquement une électrode de drain du transistor en couche mince avec la ligne de données. Dans ce cas, le motif de connexion peut être enlevé après la formation de la couche de filtre de couleur. Il est aussi préférable que le motif de connexion passe au-dessus de la ligne de grille. Dans un mode de réalisation, le motif de connexion
est monobloc avec la ligne de données et l'électrode de drain.
Avantageusement, le motif de matrice noire est utilisé comme film de passivation. Le procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide présentant une région de pixel définie par des lignes de données et des lignes de grille comprend la formation d'un transistor en couche mince sur un premier substrat, la formation d'un motif de matrice noire dans une région autre que la région de pixel, la formation d'une électrode de pixel dans la région de pixel, et la formation d'une couche de filtre de couleur sur l'électrode de pixel. Ainsi, lorsque l'on forme le transistor en couche mince, à l'étape de formation des électrodes de source et de drain, on enlève une couche dopée n+ entre ces électrodes. Lorsqu'on enlève la couche dopée n+, on enlève aussi un film d'isolation de grille d'une région de borne ou de plage de
contact, par un traitement d'attaque afin de former la plage de grille.
Selon un autre aspect de l'invention, lorsque l'on forme le transistor en couche mince, la couche métallique pour les électrodes de source et de drain, la couche dopée n+ pour le contact ohmique et la couche semiconductrice de Si amorphe sont structurées, et la couche de métal structurée est sélectivement enlevée de sorte à former les électrodes de source et de drain en même temps que l'on enlève une couche de np+ entre les électrodes de source et de drain. Lorsqu'on enlève la couche dopée n+, le film d'isolation de grille dans une région de plage peut être aussi enlevé
pour découvrir une plage de grille.
En outre, lorsque l'on structure la couche métallique, un motif de connexion qui relie électriquement la ligne de données et l'électrode de drain est formé de sorte
à fournir une source de puissance à l'électrode de pixel.
En conséquence, le nombre de masques nécessaire pour la formation d'une pluralité de motifs sur le substrat est minimisé, ce qui réduit le coût de fabrication, et le matériau de filtre de couleur peut être déposé par électrodéposition en appliquant une tension à la ligne de données, dans un état dans lequel le transistor en couche
mince n'est pas piloté.
Plus spécifiquement, l'invention propose un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide présentant une région de pixel définie par des lignes de données et de grille, le procédé comprenant: - la formation d'un transistor en couche mince sur un premier substrat; - la formation d'un motif de matrice noire dans une région autre que la région de pixel; - la formation d'une électrode de pixel dans la région de pixel; et
- la formation d'un filtre de couleur sur l'électrode de pixel.
Dans un mode de mise en oeuvre, le procédé comprend en outre: - la formation d'une électrode commune sur un second substrat faisant face au premier substrat; et - la formation d'une couche de cristal liquide entre les premier et second substrats. Avantageusement, la formation du transistor en couche mince comprend: - la formation d'une électrode de grille sur un premier substrat; - le dépôt successif d'un film d'isolation de grille, d'une couche de silicium amorphe, d'une couche dopée n+ et d'une couche métallique sur toute la surface du premier substrat, y compris sur l'électrode de grille; - la formation d'une structure dans la couche métallique et dans la couche dopée n+; et - l'enlèvement sélectif de la couche métallique structurée de sorte à former des électrodes de drain et de source; et - l'enlèvement de la couche dopée n+ entre les électrodes de drain et de source et l'enlèvement du film d'isolation de grille dans une région de plage. Dans ce cas, la couche de silicium amorphe de la région de pixel peut être
enlevée lorsque le motif de matrice noire est formé.
Avantageusement, le motif de matrice noire (43) est formé de
benzocyclobutène (BCB). Il peut dans ce cas être utilisé comme film de passivation.
Dans un mode de mise en oeuvre, le procédé comprend en outre: l'enlèvement du motif de matrice noire dans une région de plage après la formation de la couche de filtre de couleur; et - la formation d'un agent de liaison sur la couche de filtre de couleur et sur
la couche de matrice noire.
L'invention propose en outre un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide présentant une région de pixel définie par des lignes de données et des lignes de grille, le procédé comprenant: - la formation d'un transistor en couche mince sur un premier substrat; - la formation d'une électrode de pixel dans la région de pixel; - la formation d'un motif de matrice noire dans une région autre que la région de pixel; et
- la formation d'une couche de filtre de couleur sur l'électrode de pixel.
Il est alors avantageux que la formation du transistor en couche mince comprenne: - la formation d'une électrode de grille sur un premier substrat; - le dépôt successif d'un film d'isolation de grille, d'une couche de silicium amorphe, d'une couche dopée n+ et d'une couche métallique sur toute la surface du premier substrat, y compris sur l'électrode de grille; - la formation d'une structure dans la couche métallique et dans la couche dopée n+; - l'enlèvement sélectif de la couche métallique structurée de sorte à former des électrodes de drain et de source; et - l'enlèvement de la couche dopée n+ entre les électrodes de drain et de source et l'enlèvement du film d'isolation de grille dans une région de plage. Le procédé peut encore comprendre: - la formation d'une électrode commune sur un second substrat faisant face au premier substrat; et - la formation d'une couche de cristal liquide entre les premier et second substrats. De préférence, le motif de matrice noire est formé de benzycyclobutène. Il peut
alors être utilisé comme film de passivation.
Dans un mode de mise en oeuvre, le procédé comprend en outre: l'enlèvement du motif de matrice noire dans une région de plage après la formation de la couche de filtre de couleur; et - la formation d'un agent de liaison sur la couche de filtre de couleur et sur
le motif de matrice noire.
L'invention propose encore un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide présentant une région de pixel définie par des lignes de données et des lignes de grille, le procédé comprenant: - la formation d'un transistor en couche mince et d'un motif de connexion sur un premier substrat, le motif de connexion reliant une électrode de drain du transistor en couche mince avec une ligne de données; - la formation d'une électrode de pixel reliée à l'électrode de drain; - la formation d'un motif de matrice noire dans une région autre que la région de pixel; - la formation d'une couche de filtre de couleur sur l'électrode de pixel; et la formation d'une couche de cristal liquide entre le premier substrat et
un second substrat faisant face au premier substrat.
Dans un mode de mise en oeuvre de ce procédé, l'étape de formation du transistor en couche mince et du motif de connexion comprend: - la formation d'une électrode de grille sur le premier substrat; - le dépôt d'un film d'isolation de grille, d'une couche de silicium amorphe, d'une couche dopée n+ et d'une couche métallique sur toute la surface du premier substrat y compris l'électrode de grille; - la formation d'une structure dans la couche métallique et dans la couche dopée n+; - l'enlèvement sélectif de la couche métallique structurée pour former des électrodes de source et de drain; et - l'enlèvement de la couche dopée n+ entre les électrodes de drain et de source et l'enlèvement du film d'isolation de grille dans une région de plage. De préférence, le motif de connexion est formé de sorte à relier la ligne de données avec l'électrode de drain en court-circuit lorsque la couche métallique et la
couche dopée n+ sont attaquées.
Avantageusement, l'étape de formation d'un filtre de couleur inclut s l'électrodéposition d'un matériau de filtre de couleur sur l'électrode de pixel dans un
état o une tension est appliquée à la ligne de données.
Le procédé peut comprendre en outre: - l'enlèvement de motif de matrice noire dans une région de plage; et - la formation d'un agent de liaison sur le motif de matrice noire et sur la
couche de filtre de couleur.
Dans un mode de mise en oeuvre, que le motif de matrice noire est structuré pour exposer le motif de connexion. Dans ce cas, le motif de connexion peut être
enlevé après formation de la couche de filtre de couleur.
Avantageusement, l'étape de formation d'un transistor en couche mince, comprenant: - la formation d'une électrode de grille sur le premier substrat; - le dépôt d'un film d'isolation de grille, d'une couche de silicium amorphe, d'une couche dopée n+ et d'une couche métallique sur toute la surface y compris l'électrode de grille; - la formation d'une structure dans la couche métallique, la couche dopée n+, et de la couche de silicium amorphe; - l'enlèvement sélectif de la couche de métal structurée pour former des électrodes de source et de drain; et l'enlèvement de la couche dopée n+ entre les électrodes de source et de
drain et l'enlèvement du film d'isolation de grille d'une région de plage.
De préférence, le motif de connexion est formé lorsque la couche métallique, la
couche dopée n+ et la couche de silicium amorphe sont attaquées.
On comprendra que la description générale qui précède et la description
détaillée qui suit ne sont données qu'à titre d'exemples et ne sont supposées que
fournir une explication de l'invention telle qu'elle est revendiquée.
L'invention est maintenant décrite en détail en référence aux dessins qui suivent, dans lesquels des références similaires renvoient à des éléments similaires: - les figures la à If montrent des vues en coupe illustrant un procédé de fabrication d'un substrat inférieur pour un afficheur à cristal liquide selon un exemple de l'état de la technique; - les figures 2a à 2e sont des vues en coupe illustrant un procédé de fabrication d'un substrat supérieur pour un afficheur à cristal liquide selon un exemple de l'état de la technique; - la figure 3 est une vue en coupe illustrant un substrat inférieur d'un afficheur à cristal liquide selon le premier mode de réalisation de la présente invention; - les figures 4a à 4g sont des vues en coupe illustrant un procédé de fabrication d'un substrat inférieur pour un afficheur à cristal liquide selon le premier mode de réalisation de la présente invention; - les figures 5a à Sg sont des vues de dessus illustrant un procédé de fabrication d'un substrat inférieur pour un afficheur à cristal liquide selon le premier mode de réalisation de la présente invention; - les figures 6a à 6g sont des vues en coupe illustrant un procédé de fabrication d'un substrat inférieur pour un afficheur à cristal liquide selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention; - les figures 7a à 7g sont des vues en coupe le long d'une direction de coupe perpendiculaire à celle des figures 6a à 6g et illustrant un procédé de fabrication d'un substrat inférieur pour un afficheur à cristal liquide selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention; - les figures 8a à 8e sont des vues de dessus illustrant un procédé de fabrication d'un substrat inférieur pour un afficheur à cristal liquide selon le troisième mode de
réalisation de la présente invention.
Il est maintenant fait référence en détail aux modes de réalisation préférés de la
présente invention dont des exemples sont illustrés dans les dessins joints.
Premier mode de réalisation La figure 3 est une vue en coupe illustrant un substrat inférieur d'un afficheur à cristal liquide selon un premier mode de réalisation de la présente invention et les figures 4a à 4g sont des vues en coupe illustrant un procédé de fabrication d'un substrat inférieur pour un afficheur à cristal liquide selon le premier mode de
réalisation de la présente invention.
Comme représenté sur la figure 3, l'afficheur à cristal liquide selon le premier mode de réalisation de la présente invention comprend des premier et second substrats 31 et 31 a, un transistor en couche mince et une électrode de pixel 45 formés sur le premier substrat 31, une couche de filtre de couleur 47 formée sur l'électrode de pixel 45, un motif de matrice noire 43 formé dans une région autre qu l'électrode de pixel 45, une électrode commune 32 formée sur le second substrat 31a, et une couche de cristal liquide (non représentée) disposée entre les premier et second
substrats 31 et 31a.
Le transistor en couche mince comprend: une électrode de grille 33a qui est structurée sur le premier substrat 31; un film d'isolation de grille 35 formé sur l'ensemble de la surface du premier substrat 31, y compris sur l'électrode de grille 33a; une couche semiconductrice 37 de silicium amorphe (a-Si) qui est structurée sur le film d'isolation de grille 35; des électrodes de source et de drain 41b et 41c formées sur la couche de silicium amorphe 37; et une couche dopée n+ 39 pour contract ohmique formée entre les électrodes de source et de drain 41b et 41c et la
couche de silicium amorphe 37.
Les électrodes de source et de drain 41b et 41c et la couche dopée n+ 39 sont attaquées sur la couche de silicium amorphe 37. L'électrode de pixel 45 est directement reliée à l'électrode de drain 41c de sorte que l'électrode de pixel 45 est
formée sur le film d'isolation de grille 35.
De préférence, on utilise comme matériau du motif de matrice noire 43 du benzocyclobutène (BCB). A la place, on peut utiliser pour le motif de matrice noire 43 un film métallique tel que du Cr ou un matériau organique à base de carbone. De façon alternative, on peut utiliser comme motif de matrice noire 43 pour diminuer la réflexion, un film à deux couches avec un composé de chrome et de chrome, ou un film à trois couches d'un composé de chrome et de chrome, avec un autre composé
de chrome interposé entre ces deux couches.
En outre, du fait que le motif de matrice noire 43 bloque la lumière et en même
temps sert de film de passivation, il n'y a pas besoin de film de passivation distinct.
Par ailleurs, un agent de liaison ou liant 49 est en outre prévu sur la couche de filtre de couleur 47 et sur le filtre de matrice noire 43, à l'aide d'un traitement de liaison. Un procédé de fabrication de l'afficheur à cristal liquide qui vient d'être décrit selon un premier mode de réalisation de la présente invention est maintenant décrit
en référence aux figures 4a à 4g.
Comme représenté sur la figure 4a, une couche métallique telle que Al, Cr, Mo, Ta ou un alliage d'aluminium est formée sur le premier substrat isolant 31 par un traitement de pulvérisation cathodique et ensuite structurée en utilisant un premier masque (non représenté) de sorte à former une ligne de grille (non représentée) ainsi
qu'une électrode de grille 33a.
Ensuite, comme représenté sur la figure 4b, le film d'isolation de grille 35, qui est de préférence constitué de SiNX ou de SiOx est formé sur toute la surface du
premier substrat 31 y compris sur l'électrode de grille 33a par un traitement de CVD.
La couche semi-conductrice 37 en silicium amorphe, la couche n+ 39 de contact ohmique, et la couche de métal 41 pour les lignes de données et les électrodes de
drain et de source sont successivement déposées sur le film d'isolation de grille 35.
Comme représenté sur la figure 4c, la couche de métal 41 est sélectivement enlevée par un traitement d'attaque en utilisant un second masque (non représenté) de telle sorte qu'une ligne de données (non représentée) est formée, en coupant la ligne de grille. L'électrode de source 41b est formée en saillie par rapport à la ligne
de données, l'électrode de drain 41c est formée séparée de cette dernière.
Ensuite, comme représenté sur la figure 4d la couche dopée n+ 39 entre l'électrode de source 41b et l'électrode de drain 41c est enlevée par un traitement d'attaque à sec. Ainsi, dans une étape ultérieure, du fait que la couche de matériau bloquant la lumière est formée et ensuite attaquée par un traitement d'attaque pour former un contact de la plage de grille, le traitement permettant d'exposer la plage de
grille devient plus simple.
Ensuite, comme représenté sur la figure 4 e, une couche de matériau bloquant la lumière est formée sur toute la surface de substrat 31, y compris sur les électrodes de source et de drain 41b et 41c. La couche de matériau bloquant la lumière est sélectivement enlevée par photolithographie en utilisant un troisième masque (non représenté) pour former le motif de matrice noire 43 dans une région autre que la région de pixel. En même temps, la couche de silicium amorphe 37 formée sur le
film d'isolation de grille 35 de la région de pixel est enlevé.
Du fait que le motif de matrice noire 43 sert de film de passivation, iln'y a pas besoin de film de passivation supplémentaire. En conséquence, on omet l'étape de
formation d'un film de passivation.
De préférence, on utilise du benzocyclobutène comme matériau pour le motif de matrice noire 43. A la place, on peut utiliser un film mince de métal tel que du chrome, ou un matériau organique à base de carbone comme pour le motif de matrice noire 43. De façon alternative, on peut utiliser pour le motif de matrice noire un film à double couche formé d'un composé de chrome et de chrome, ou un film à triple couche formé d'un composé de chrome, et de chrome avec un autre composé de
chrome interposé entre les deux couches.
Comme représenté sur la figure 4g, une couche de matériau transparent conducteur (par exemple de l'oxyde d'étain et d'indium) est formée sur toute la surface du substrat 31 y compris le motif de matrice noire 43, par un traitement de pulvérisation cathodique. La couche d'oxyde d'étain et d'indium est ensuite sélectivement enlevée par un traitement de photolithographie en utilisant un quatrième masque (non représenté) de sorte à former l'électrode de pixel 45 qui est
directement reliée à l'électrode de drain 41c.
Ensuite, comme représenté sur la figure 4g, un matériau de filtre de couleur est déposé sur l'électrode de pixel 45 par électrodéposition, de sorte à former la couche de filtre de couleur 47. Le liant 49 est ensuite formé sur la couche de filtre de couleur
47, et sur le motif de matrice noire 43 en utilisant un traitement de liaison.
Ensuite, et bien que ceci ne soit pas représenté, le matériau de blocage de la lumière au-dessus de la plage de grille est sélectivement enlevé en utilisant un masque d'ouverture de plage (cinquième masque) afin d'ouvrir ou de découvrir la
plage de grille. Ainsi, s'achève le procédé de fabrication du substrat inférieur.
En outre, bien que ceci ne soit pas représenté, une électrode commune est formée sur le second substrat (substrat supérieur) et le premier substrat et le second substrat sont assemblés l'un à l'autre afin de pouvoir injecter entre les deux le cristal liquide. Le procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide selon le premier
mode de réalisation est alors achevé.
Comme décrit ci-dessus dans le premier mode de réalisation de la présente invention, du fait qu'un total de six masques est nécessaire pour réaliser le premier et
le second substrats, le nombre de masques peut être remarquablement réduit.
Deuxième mode de réalisation Les figures 5a à 5g sont des vues de dessus illustrant un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention. Dans le second mode de réalisation de la présente invention, les numéros de référence identiques se réfèrent à des éléments identiques à ceux du premier mode de réalisation. Comme représenté sur la figure 5a, une ligne de grille 33 et une électrode de grille 33a sont formées sur un premier substrat 31. Ensuite, un film d'isolation de grille 35, une couche semiconductrice 37 de silicium amorphe, une couche dopée n+ 39 de contact ohmique et une couche de métal 41 sont successivement déposés sur toute la surface d'un premier substrat 31, y compris sur la ligne de grille 33 et sur l'électrode de grille 33a. A titre de référence, la figure 5b montre la couche
métallique 41 sur la partie supérieure.
Comme représenté sur la figure 5c, une ligne de données 41a est formée de sorte à couper la ligne de grille 33, et un motif en saillie 41d est formé de sorte à s'étendre jusqu'à l'électrode de grille 33a. Une portion du motif en saillie 41d est sélectivement enlevée de sorte à former une électrode de source et de drain 41b et 41c comme représenté sur la figure 5d. La couche dopée n+ 39 entre les électrodes de source et de drain 41b et 41c est sélectivement enlevée. Lorsque la couche dopée n+ 39 est enlevée, le film d'isolation de grille 35 au-dessus d'une plage de grille (non
représentée) est aussi enlevé de sorte à découvrir la plage de grille.
Ensuite, comme représenté sur la figure 5e, l'électrode de pixel 45 est formée de sorte à être directement en contact avec l'électrode de drain 41c. Comme représenté sur la figure 5f, un motif de matrice noire 43 formé d'un matériau
bloquant la lumière est réalisé dans une région autre que l'électrode de pixel 45.
Comme représenté sur la figure 5g, une couche de filtre de couleur 47 est formée sur l'électrode de pixel 45 par un traitement d'électrodéposition. Un agent de liaison (non représenté) est ensuite formé sur la couche de filtre de couleur 47 et sur
le motif de matrice noire 43. Enfin, le matériau bloquant la lumière est enlevé au-
dessus de la plage de grille de sorte à permettre un contact avec la plage de grille. Ainsi, s'achève le procédé de fabrication d'un substrat inférieur pour un afficheur à
cristal liquide selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention.
Bien que ceci ne soit pas représenté, une électrode commune est formée sur le second substrat (substrat supérieur), et le premier substrat et le second substrat sont assemblés l'un à l'autre pour permettre d'injecter entre ces deux substrats du cristal liquide. Le procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide selon le second
mode de réalisation de la présente invention est alors achevé.
Comme décrit ci-dessus, dans le second mode de réalisation de la présente invention, le motif de matrice noire 43 et la couche de filtre de couleur 47 sont formés sur le substrat sur lequel sont disposées le transistor en couche mince et l'électrode de pixel 45. Lorsque l'on attaque la couche métallique pour former les électrodes de source et de drain 41b et 41c, la couche dopée n+ dans la partie de canal et le film d'isolation de grille sur la plage de grille sont simultanément enlevées
pour minimiser le nombre de masques et simplifier les étapes du procédé.
Un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide selon un mode de réalisation de la présente invention est maintenant décrit plus en détail en référence
aux figures 6aà6get7aà7g.
Les figures 6a à 6g sont des vues en coupe le long de la ligne A-A' de la figure g et les figures 7a à 7g sont des vues en coupe le long de la ligne B-B' de la figure
5g.
Comme représenté sur les figures 6a et 7a, une couche métallique pour l'électrode de grille, telle que Al, Cr, Mo, Ta ou un alliage d'aluminium est formée sur le premier substrat 31 par un traitement de pulvérisation cathodique, et ensuite structurée en utilisant un premier masque (non représenté) pour former une ligne de
grille (non représentée) ainsi qu'une électrode de grille 33a.
Ensuite, comme représenté sur les figures 6b et 7b, un film d'isolation de grille de SiNx, ou de SiO,, est formé sur toute la surface du premier substrat 31 y
compris sur l'électrode de grille 33a, par un traitement de CVD. Une couche semi-
conductrice 37 de silicium amorphe, une couche dopée n+ 39 de contact ohmique et une couche métallique 41 pour une ligne de données et des électrodes de drain et de
source sont successivement déposées sur le film d'isolation de grille 35.
Comme représenté sur les figures 6c et 7c, la couche métallique 41, la couche dopée n+ 39, et la couche de silicium amorphe 36 sont enlevées par un traitement d'attaque en utilisant un deuxième masque (non représenté) de sorte à former une ligne de données 41a et un motif en saillie 41d. Le motif en saillie 41d s'étend jusqu'à une portion supérieure de l'électrode de grille 33a, et va être divisé en
électrodes de drain et de source 41b et 41c dans un traitement ultérieur.
Ensuite, comme représenté sur les figures 6d et 7d, un agent photosensible 71 est formé sur toute la surface y compris sur le motif en saillie 41d et ensuite structuré
par exposition et développement en utilisant un troisième masque (non représenté).
Le motif en saillie 41d est enlevé sélectivement par un traitement d'attaque en utilisant l'agent photosensible structuré 71, de sorte à former les électrodes de drain
et de source 41b et 41c.
A ce moment, la couche dopée n+ 39 entre les électrodes de source et de drain 41b et 41c est attaquée. Bien que ceci ne soit pas représenté, le film d'isolation de grille au-dessus de la plage de grille est aussi attaqué de sorte à découvrir la plage de grille. En conséquence, dans le second mode de réalisation de la présente invention, on notera la formation des électrodes de source et de drain 41b et 41c, l'attaque de la couche dopée n+ 39 et l'exposition de la plage de grille sont réalisées en utilisant un
masque unique.
En d'autres termes, lorsque la couche dopée n+ 39 est attaquée, le film d'isolation de grille 35 au-dessus de la plage de grille est aussi attaqué en utilisant la sélectivité de l'agent d'attaque. Ainsi, dans un traitement ultérieur, du fait que la couche de matériau bloquant la lumière du motif de matrice noire est formée et ensuite attaquée dans un traitement d'attaque pour entrer en contact avec la plage de
grille, le traitement de la plage de grille devient simple.
Ensuite, comme représenté sur les figures 6e et 7e, on enlève l'agent photosensible 71 et l'électrode de pixel 45 qui est directement reliée à l'électrode de drain 41c. C'est dire, qu'après qu'une couche d'oxyde d'étain et d'indium pour l'électrode de pixel a été formée sur toute la surface y compris sur les électrodes de source et de drain 41b et 41c, la couche d'oxyde d'étain et d'indium est structurée en utilisant un quatrième masque (non représenté) de sorte à former l'électrode de pixel
45.
Comme représenté sur les figures 6f et 7f, le matériau de blocage de la lumière est formé sur toute la surface y compris sur l'électrode de pixel 45. Le matériau de blocage de la lumière est sélectivement enlevé par un traitement d'attaque en utilisant un cinquième masque (non représenté) de sorte à former un motif de matrice
noire 43 dans une région autre que la région d'électrode de pixel 45.
De préférence, on utilise du benzocyclobutène comme matériau pour le motif de matrice noire 43. A la place, on peut utiliser comme matériau pour le motif de matrice noire un film métallique comme du chrome, ou un matériau organique à base de carbone. De façon alternative, on peut utiliser pour le motif de matrice noire 43, un film à deux couches formé d'un composé de chrome et de chrome, ou un film à trois couches formé d'un composé de chrome et de chrome avec un autre composé de chrome interposé entre ces deux couches, ce qui fournit une réflexion faible. A titre s de rappel, du fait que le motif de matrice noire 43 sert de film de passivation, il n'y a
pas besoin de film de passivation supplémentaire.
Ensuite, comme représenté sur les figures 6g et 7g, un matériau de filtre de couleur est déposé par électrodéposition sur l'électrode de pixel 45 de sorte à former une couche de filtre de couleur 47. Un agent de liaison est ensuite formé sur la couche de filtre de couleur 47, et sur le motif de matrice noire 43 en utilisant un
traitement de liaison.
Ensuite, bien que ceci ne soit pas représenté, le matériau bloquant la lumière est enlevé en utilisant un sixième masque pour découvrir la plage de grille. Ceci achève le procédé de fabrication d'un substrat inférieur dans le deuxième mode de
réalisation de la présente invention.
Troisième mode de réalisation Les figures 8a à 8e sont des vues de dessus illustrant un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide selon le troisième mode de réalisation de la présente invention. Comme représenté sur la figure 8a, une couche de métal pour une électrode de grille, tel que AI, Cr, Mo, Ta ou un alliage d'aluminium est formée sur un premier substrat 31 par un traitement de pulvérisation cathodique, et ensuite structurée en utilisant un masque (non représenté) pour former une ligne de grille 33 et une
électrode de grille 33a.
Ensuite; un film d'isolation de grille 35 de SiNX ou de SiOx est formé sur toute la surface du premier substrat 31, y compris sur la ligne de grille 33 et l'électrode de grille 33a, par un traitement au CVD. Une couche semi-conductrice 37 de silicium amorphe, une couche dopée n+ 39 de contact ohmique, et une couche métallique 41 pour la ligne de données et les électrodes de drain et de source sont successivement
déposées sur le film d'isolation de grille 35.
Comme représenté sur la figure 8b, la couche de métal 41 est sélectivement enlevée par un traitement d'attaque en utilisant un second masque (non représenté) de telle sorte qu'une ligne de données 41, une électrode de source 41b, une électrode de drain 41c et un motif de connexion 91 soient formés. La ligne de données 41a est formée de sorte à croiser la ligne de grille. L'électrode de source s'étend en saillie à partir de la ligne de données 41a. L'électrode de drain 41c est en face de l'électrode de source 41b. Le motif de connexion 91 relie l'électrode de drain 41c à la ligne de données 41a. A cet instant, la couche dopée n+ 39 entre les électrodes de source et de drain 41b et 41c est enlevée, et en même temps le film d'isolation de grille 35 est enlevé dans une région de plage de sorte à découvrir une plage de grille (non représentée). C'est-à-dire que lorsque la couche dopée n+ 39 est attaquée, le film d'isolation de grille 35 au-dessus de la plage de grille est aussi attaqué, grâce à la sélectivité de l'agent. Ainsi, dans un traitement ultérieur, du fait que la couche de matériau bloquant la lumière est formée puis attaquée dans un traitement d'attaque de sorte à former un contact avec la plage de grille, le traitement permettant de découvrir la
plage de grille devient plus simple.
Par ailleurs, le motif de connexion 91 relie la ligne de données 41a avec l'électrode de drain 41c à travers une portion supérieure s'étendant audessus de la ligne de grille 33. Lorsqu'un matériau de filtre de couleur est électrodéposé pour former la couche de filtre de couleur dans un traitement ultérieur, le motif de connexion 91 sert à l'électrodéposition du matériau de filtre de couleur, en appliquant une tension qui n'est appliquée à la ligne de données que dans l'état o le transistor à couche mince n'est pas piloté. Le motif de connexion 91 est monobloc avec la ligne de données 41a et avec l'électrode de drain 41c. De façon alternative,
on pourrait former le motif de connexion 91 par un traitement séparé.
Ensuite, comme représenté sur la figure 8c, un matériau conducteur transparent (par exemple de l'oxyde d'étain et d'indium) servant d'électrode transparente est formée sur toute la surface y compris sur les électrodes de drain et de source 41b et 41c et est ensuite structuré en utilisant un troisième masque (non représenté) pour
former une électrode de pixel 45.
Comme représenté sur la figure 8d, un matériau de blocage de la lumière est formé sur toute la surface y compris sur l'électrode de pixel 45, et ensuite structurée pour rester présent dans une région autre que l'électrode de pixel 45, de sorte à former un motif de matrice noire 43. A cet instant, le matériau de blocage de la lumière est structuré de sorte à découvrir le motif de connexion 91. Ce motif de connexion 91 permet au matériau formant le filtre de couleur d'être déposé par électrodéposition sur l'électrode de pixel 45 alors que la tension est uniquement appliquée à la ligne de données sans que le transistor en couche mince ne soit piloté, grâce à la connexion entre la ligne de données 41a et l'électrode de drain 41c à travers la portion supérieure au-dessus de la ligne de grille 33. Une fois que le matériau de filtre de couleur est électrodéposé, le motif de connexion est enlevé de
sorte à séparer électriquement la ligne de données 41a et l'électrode de drain 41c.
Dans le troisième mode de réalisation de la présente invention, le motif de connexion 91 est découvert lorsque le matériau de blocage de la lumière est structuré. Toutefois, après que le matériau de filtre de couleur est déposé par électrodéposition, le matériau de blocage de la lumière au-dessus du motif de connexion 91 peut être enlevé, lorsqu'on enlève la portion non nécessaire de la
couche de filtre de couleur, de sorte que le motif de connexion 91 est découvert.
Par ailleurs, du fait que le motif de matrice noire 43 sert de film de passivation, il n'est pas nécessaire de disposer d'un film de passivation supplémentaire. En
conséquence, on omet l'étape de formation d'un film de passivation.
De préférence, on utilise du benzocyclobutène comme matériau pour le motif de matrice noire 43. A la place, on peut utiliser un film de métal mince tel que du chrome ou un matériau organique à base de carbone comme motif de matrice noire 43. De façon alternative, on peut utiliser, pour diminuer la réflexion, un film à double couche d'un composé de chrome et de chrome, ou un film à triple couche d'un composé de chrome et de chrome avec un autre composé de chrome entre les deux,
pour former le motif de matrice noire 43.
Ensuite, comme représenté sur la figure 8e, le matériau de filtre de couleur est déposé par électrodéposition sur l'électrode de pixel 45 de sorte à former la couche de filtre de couleur 47. A cet instant, si une tension est appliquée à la ligne de données 41, dans un état o le transistor en couche mince n'est pas piloté, la tension est transférée à l'électrode de pixel 45 à travers le motif de connexion 91 de sorte à
permettre l'électrodéposition du matériau du filtre de couleur.
Lorsque le matériau de filtre de couleur est électrodéposé sur l'électrode de pixel 45, le matériau de filtre de couleur est aussi électrodéposé sur le motif de connexion 91. Le matériau de filtre de couleur électrodéposé sur le motif de connexion 91 est enlevé lors du traitement d'enlèvement du matériau de filtre de couleur qui est électrodéposé sur la portion non nécessaire, après avoir formé la
couche de filtre de couleur.
Un agent de liaison (non représenté) est ensuite formé sur la couche de filtre de
couleur 47 et sur le motif de matrice noire 43 en utilisant un traitement de liaison.
Ensuite, et bien que ceci ne soit pas représenté, le matériau de blocage de la lumière est sélectivement enlevé en utilisant un masque d'ouverture de plage afin d'ouvrir ou de découvrir ou exposer la plage de grille. Ceci achève le procédé de fabrication du
substrat inférieur.
Ensuite, bien que ceci ne soit pas représenté, une électrode commune est formée sur le second substrat (substrat supérieur), et le premier substrat ainsi que le second substrat sont assemblés pour permettre d'injecter entre les deux un matériau de cristal liquide. Le traitement de fabrication d'un afficheur à cristal liquide selon le
troisième mode de réalisation de l'invention est alors achevé.
Comme décrit ci-dessus, dans le troisième mode de réalisation de la présente invention, le nombre de masques peut être remarquablement réduit. En outre, du fait que le matériau de filtre de couleur peut être déposé dans un état ou le transistor en couche mince n'est pas piloté, il est possible d'éviter que les caractéristiques du
transistor en couche mince soient modifiées.
Comme mentionné plus haut, l'afficheur à cristal liquide et le procédé de fabrication de celui-ci présentent les avantages suivants. Première, du fait que tous les motifs nécessaires pour fabriquer l'afficheur à cristal liquide sont formés sur un substrat, et qu'une pluralité de motifs sont utilisés en utilisant un seul masque, le nombre de masques peut être minimisé ce qui réduit le
coût de fabrication.
Deuxièmement, du fait que le film d'isolation de grille au-dessus de la plage de grille est attaqué en même temps que la couche dopée n+ est attaquée, il est possible
de facilement réaliser le procédé de contact avec la plage de grille.
Ensuite, du fait que le motif de matrice noire est utilisé comme film de passivation, il n'y a pas besoin d'un film de passivation distinct. En conséquence, il
est possible de simplifier les étapes du procédé, ce qui réduit le temps de fabrication.
Les modes de réalisation qui précèdent ne sont donnés qu'à titre d'exemples et ne doivent pas être interprétés comme limitant l'invention comme revendiqué. Les enseignements de cette invention peuvent être appliqués à d'autres types de dispositifs.
Claims (31)
1.- Un afficheur à cristal liquide comprenant: - des premier et second substrats (31, 31 a); - un transistor en couche mince formé dans une région prédéterminée sur le premier substrat (31); - une électrode de pixel (35) formée dans une région de pixel sur le premier substrat (31); une couche de filtre de couleur (47) formée sur l'électrode de pixel (45) ; - un motif de matrice noire (43) formé dans une région autre que l'électrode de pixel; et
- une couche de cristal liquide formée entre les premier et second substrats.
2.- L'afficheur de la revendication 1, comprenant en outre une électrode
commune formée sur le second substrat.
3.- L'afficheur de la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le motif de
matrice noire est formé de benzocyclobutène (BCB).
4.- L'afficheur de la revendication 1, 2 ou 3 caractérisé en ce que le transistor en couche mince est formé dans une région d'intersection entre une ligne de grille
(33) et une ligne de données sur le premier substrat (31).
5.- L'afficheur de la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un motif de connexion (91) qui relie électriquement une électrode de drain (41c) du
transistor en couche mince avec la ligne de données (41a).
6.- L'afficheur de la revendication 5, caractérisé en ce que le motif de
connexion est enlevé après la formation de la couche de filtre de couleur.
&
7.- L'afficheur de la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que le motif de
connexion (91) passe au-dessus de la ligne de grille (33).
8.- L'afficheur de la revendication 5, 6 ou 7, caractérisé en ce que le motif de
connexion (91) est monobloc avec la ligne de données et l'électrode de drain.
9.- L'afficheur l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le motif de
matrice noire (43) est utilisé comme film de passivation.
10.- Un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide présentant une région de pixel définie par des lignes de données et de grille, le procédé comprenant: - la formation d'un transistor en couche mince sur un premier substrat (31); - la formation d'un motif de matrice noire (43) dans une région autre que la région de pixel; - la formation d'une électrode de pixel (45) dans la région de pixel; et
- la formation d'un filtre de couleur (47) sur l'électrode de pixel (45).
11.- Le procédé de la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: - la formation d'une électrode commune sur un second substrat (31 la) faisant face au premier substrat; et - la formation d'une couche de cristal liquide entre les premier et second
substrats.
12.- Le procédé de la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce que la formation du transistor en couche mince comprend: - la formation d'une électrode de grille (33a) sur un premier substrat (31); - le dépôt successif d'un film d'isolation de grille (35), d'une couche de silicium amorphe (37), d'une couche dopée n+ (39) et d'une couche métallique (41) sur toute la surface du premier substrat, y compris sur l'électrode de grille (33a); - la formation d'une structure dans la couche métallique et dans la couche dopée n+; et - l'enlèvement sélectif de la couche métallique structurée de sorte à former des électrodes de drain et de source (41b, 41c); et - l'enlèvement de la couche dopée n+ (39) entre les électrodes de drain et de source et l'enlèvement du film d'isolation de grille (35) dans une
région de plage.
13.- Le procédé de la revendication 12, caractérisé en ce que la couche de silicium amorphe de la région de pixel est enlevée lorsque le motif de matrice noire
(43) est formé.
14.- Le procédé de l'une des revendications 10 à 13, caractérisé en ce que le
motif de matrice noire (43) est formé de benzocyclobutène (BCB).
15.- Le procédé de la revendication 14, caractérisé en ce que le motif de
matrice noire (43) est utilisé comme film de passivation.
16.- Le procédé de l'une des revendications 10 à 15, caractérisé en ce qu'il
comprend en outre: - l'enlèvement du motif de matrice noire (43) dans une région de plage après la formation de la couche de filtre de couleur (47); et - la formation d'un agent de liaison sur la couche de filtre de couleur et sur
la couche de matrice noire (43).
17.- Un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide présentant une région de pixel définie par des lignes de données et des lignes de grille, le procédé comprenant: - la formation d'un transistor en couche mince sur un premier substrat (31); - la formation d'une électrode de pixel (45) dans la région de pixel; - la formation d'un motif de matrice noire (43) dans une région autre que la région de pixel; et - la formation d'une couche de filtre de couleur (47) sur l'électrode de pixel.
18.- Le procédé de la revendication 17, caractérisé en ce que la formation du transistor en couche mince comprend: - la formation d'une électrode de grille (33a) sur un premier substrat (31); - le dépôt successif d'un film d'isolation de grille (35), d'une couche de silicium amorphe (37), d'une couche dopée n+ (39) et d'une couche métallique (41) sur toute la surface du premier substrat, y compris sur l'électrode de grille (33a); - la formation d'une structure dans la couche métallique et dans la couche dopée n+; et - l'enlèvement sélectif de la couche métallique structurée de sorte à former des électrodes de drain et de source (41lb, 41c); et l'enlèvement de la couche dopée n+ (39) entre les électrodes de drain et de source et l'enlèvement du film d'isolation de grille (35) dans une
région de plage.
19.- Le procédé de la revendication 17 ou 18, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: - la formation d'une électrode commune sur un second substrat (31 la) faisant face au premier substrat; et - la formation d'une couche de cristal liquide entre les premier et second substrats.
20. - Le procédé de la revendication 17, 18, 19, caractérisé en ce que le motif de
matrice noire est formé de benzycyclobutène.
21.- Le procédé de la revendication 20, caractérisé en ce que le motif de
matrice noire est utilisé comme film de passivation.
22.- Le procédé de l'une des revendications 19 à 21, caractérisé en ce qu'il
comprend en outre: - l'enlèvement du motif de matrice noire dans une région de plage après la formation de la couche de filtre de couleur (47); et - la formation d'un agent de liaison sur la couche de filtre de couleur et sur
le motif de matrice noire.
23.- Un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide présentant une région de pixel définie par des lignes de données et des lignes de grille, le procédé comprenant: - la formation d'un transistor en couche mince et d'un motif de connexion (91) sur un premier substrat, le motif de connexion reliant une électrode de drain (41c) du transistor en couche mince avec une ligne de données (41a); - la formation d'une électrode de pixel (45) reliée à l'électrode de drain; - la formation d'un motif de matrice noire (43) dans une région autre que la région de pixel; - la formation d'une couche de filtre de couleur (47) sur l'électrode de pixel; et - la formation d'une couche de cristal liquide entre le premier substrat et
un second substrat faisant face au premier substrat.
24.- Le procédé de la revendication 23, caractérisé en ce que l'étape de formation du transistor en couche mince et du motif de connexion (91) comprend: - la formation d'une électrode de grille (33a) sur le premier substrat (31); - le dépôt d'un film d'isolation de grille (35), d'une couche de silicium amorphe (37), d'une couche dopée n+ (39) et d'une couche métallique (41) sur toute la surface du premier substrat y compris l'électrode de grille; - la formation d'une structure dans la couche métallique et dans la couche dopée n+; - l'enlèvement sélectif de la couche métallique structurée pour former des électrodes de source et de drain (41b, 41c); et - l'enlèvement de la couche dopée n+ (39) entre les électrodes de drain et de source et l'enlèvement du film d'isolation de grille (35) dans une
région de plage.
25.- Le procédé de la revendication 24, caractérisé en ce que le motif de connexion (91) est formé de sorte à relier la ligne de données (41a) avec l'électrode de drain (41c) en court-circuit lorsque la couche métallique et la couche dopée n+
sont attaquées.
26.- Le procédé de la revendication 23, 24, ou 25, caractérisé en ce que l'étape de formation d'un filtre de couleur inclut l'électrodéposition d'un matériau de filtre de couleur sur l'électrode de pixel dans un état o une tension est appliquée à la ligne
de données.
27.- Le procédé de la revendication 26, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: - l'enlèvement de motif de matrice noire dans une région de plage; et - la formation d'un agent de liaison sur le motif de matrice noire et sur la
couche de filtre de couleur.
28.- Le procédé de l'une des revendications 23 à 27, caractérisé en ce que le
motif de matrice noire est structuré pour exposer le motif de connexion (91).
29.- Le procédé de la revendication 28, caractérisé en ce que le motif de
connexion (91) est enlevé après formation de la couche de filtre de couleur.
30.- Le procédé de l'une des revendications 23 à 29, caractérisé en ce que
l'étape de formation d'un transistor en couche mince, comprenant: - la formation d'une électrode de grille (33a) sur le premier substrat (31); le dépôt d'un film d'isolation de grille (35), d'une couche de silicium amorphe (37), d'une couche dopée n+ (39) et d'une couche métallique (41) sur toute la surface y compris l'électrode de grille (33a); - la formation d'une structure dans la couche métallique, la couche dopée n+, et de la couche de silicium amorphe; - l'enlèvement sélectif de la couche de métal structurée pour former des électrodes de source et de drain (4 lb, 41c); et l- 'enlèvement de la couche dopée n+ entre les électrodes de source et de
drain et l'enlèvement du film d'isolation de grille d'une région de plage.
31.- Le procédé de la revendication 30, caractérisé en ce que le motif de connexion (91) est formé lorsque la couche métallique, la couche dopée n+ et la
couche de silicium amorphe sont attaquées.
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