JP2000098368A

JP2000098368A - アクティブマトリクス基板とその製造方法、該基板を用いた液晶素子

Info

Publication number: JP2000098368A
Application number: JP10270633A
Authority: JP
Inventors: Naoki Kato; 直樹加藤
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-09-25
Filing date: 1998-09-25
Publication date: 2000-04-07

Abstract

(57)【要約】【課題】アクティブマトリクス基板にインクジェット
方式により高精度にカラーフィルタを形成する。【解決手段】ＴＦＴ１１及び配線上に導電層１３を形
成し、該導電層１３を電極として電着により黒色樹脂を
該導電層１３上に堆積させて、画素電極４上に開口部を
有する遮光層１４を形成し、該開口部にインクジェット
方式によりインクを付与してカラーフィルタ１５を形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、カラーテレビ、パ
ーソナルコンピュータ等に使用されるカラー表示の液晶
素子、及び該液晶素子の構成部材であるアクティブマト
リクス基板に関し、特に、カラーフィルタを備えたアク
ティブマトリクス基板とそのインクジェット法による製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータの発達、
特に携帯用パーソナルコンピュータの発達に伴い、液晶
ディスプレイ、特にカラー液晶ディスプレイの需要が増
加する傾向にある。しかしながら、さらなる普及のため
にはコストダウンが必要であり、特にコスト的に比重の
高いカラーフィルタのコストダウンに対する要求が高ま
っている。

【０００３】従来からカラーフィルタの要求特性を満足
しつつ、上記の要求に応えるべく種々の方法が試みられ
ているが、未だ全ての要求特性を満足する方法は確立さ
れていない。以下にそれぞれの方法を説明する。

【０００４】最も多く用いられている第１の方法が染色
法である。染色法は、先ずガラス基板上に染色用の材料
である水溶性の高分子材料層を形成し、これをフォトリ
ソグラフィ工程により所望の形状にパターニングした
後、得られたパターンを染色浴に浸漬して、着色された
パターンを得る。これを３回繰り返すことにより、Ｒ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタ層を形成
する。

【０００５】第２の方法は顔料分散法であり、近年染色
法に取って変わりつつある。この方法は、先ず基板上に
顔料を分散した感光性樹脂層を形成し、これをパターニ
ングすることにより単色のパターンを得る。さらに、こ
の工程を３回繰り返すことにより、Ｒ、Ｇ、Ｂのカラー
フィルタ層を形成する。

【０００６】第３の方法としては、電着法がある。この
方法は、先ず基板上に透明電極をパターニングし、顔
料、樹脂、電解液等の入った電着塗装液に浸漬して第１
の色を電着する。この工程を３回繰り返して、Ｒ、Ｇ、
Ｂのカラーフィルタ層を形成し、最後に焼成するもので
ある。

【０００７】第４の方法としては、熱硬化型の樹脂に顔
料を分散させ、印刷を３回繰り返すことにより、Ｒ、
Ｇ、Ｂを塗り分けた後、樹脂を熱硬化させることにより
着色層を形成するものである。また、いずれの方法にお
いても着色層上に保護層を形成するのが一般的である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記の方法に共通して
いる点は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色を着色するために同一の工
程を３回繰り返す必要があり、コスト高になることであ
る。また工程が多い程、歩留が低下するという問題を有
している。

【０００９】さらに、いずれの方法を用いた場合でも、
カラーフィルタ基板と、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を
形成したアクティブマトリクス基板とを組み合わせて液
晶ディスプレイを形成する必要があり、この組み合わせ
の際に、双方のパターンのサイズ、位置が正確に合致す
る必要があり、製造上の要求精度が非常に高くなると同
時に、組立精度に対する要求も非常に高くなり、コスト
アップの原因となっていた。

【００１０】アクティブマトリクス基板上に直接カラー
フィルタを形成すると、上記位置合わせ精度に対する要
求は緩和される。しかしながら、カラーフィルタ形成工
程で損品を生じた場合の損失コストが大きく、カラーフ
ィルタ製造工程に対して非常に高い歩留が求められる。
このため、カラーフィルタ製造工程はプロセスが単純で
工程数が少なく、アクティブマトリクス回路（ＴＦＴ、
配線等）にダメージを与える可能性のある露光、エッチ
ング等の工程を含まないものであることが望まれる。

【００１１】これらの欠点を補うべく、インクジェット
方式によるカラーフィルタの製造方法が、特開昭５９−
７５２０５号公報、特開昭６３−２３５９０１号公報、
特開平１−２１７３２０号公報などに提案されている
が、アクティブマトリクス基板の画素電極上にカラーフ
ィルタを形成する上で、精度上の問題があった。

【００１２】本発明の目的は、従来のカラーフィルタの
有する耐熱性、耐溶剤性、解像性等の必要特性を満足
し、パターン精度の高いカラーフィルタをインクジェッ
ト方式を用いてアクティブマトリクス基板に作り込み、
該基板を用いてカラー表示特性に優れた液晶素子を歩留
良く安価に提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に少な
くとも、複数の画素電極と、該画素電極にドレイン電極
を接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタ
のゲート電極を行毎に共通に接続する走査信号線と、上
記薄膜トランジスタのソース電極を列毎に共通に接続し
且つ上記走査信号線とは絶縁層を介して直交する情報信
号線とを形成し、上記薄膜トランジスタと走査信号線と
情報信号線上に絶縁層を介して導電層を形成し、該導電
層を電極とする電着法により、該導電層上に黒色樹脂を
堆積して遮光層を形成し、該遮光層の開口部にインクジ
ェット方式によりインクを付与して上記画素電極上にカ
ラーフィルタを形成することを特徴とするアクティブマ
トリクス基板の製造方法である。

【００１４】また本発明は、基板上に少なくとも、複数
の画素電極と、該画素電極にドレイン電極を接続された
複数の薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのゲー
ト電極を行毎に共通に接続する走査信号線と、上記薄膜
トランジスタのソース電極を列毎に共通に接続し且つ上
記走査信号線とは絶縁層を介して直交する情報信号線
と、該薄膜トランジスタと走査信号線と情報信号線上に
絶縁層を介して形成された導電層と遮光層を有し、上記
画素電極上で且つ該遮光層の開口部にカラーフィルタを
有することを特徴とするアクティブマトリクス基板を提
供するものである。

【００１５】さらに本発明は、一対の基板間に液晶化合
物を挟持してなる液晶素子であって、一方の基板が、上
記本発明のアクティブマトリクス基板を用いて構成され
ていることを特徴とする液晶素子を提供するものであ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明のアクティブマトリクス基
板の製造方法は、基板上に画素電極とＴＦＴとマトリク
ス配線を作り込んだ後、ＴＦＴ及び配線上に絶縁層を介
して導電層を形成し、該導電層を電極として電着法によ
り該導電層上に黒色樹脂を堆積させることにより、画素
電極上に開口部を有する遮光層を精度良く形成すること
ができる。特に、上記導電層をパターニングする際に、
基板全面に形成した導電層上にポジ型レジストを形成
し、裏面露光することにより、該ポジ型レジストは上記
ＴＦＴ及び配線がマスクとなってパターン露光されるた
め、現像後は所望の領域にのみ精度良くレジストが形成
され、該レジストで保護されていない領域のみをエッチ
ング除去すれば、ＴＦＴ及び配線上に精度良く遮光層が
形成される。よって、該開口部にインクジェット方式に
よってインクを付与すれば、画素電極上に精度良くカラ
ーフィルタを形成することができる。以下、実施形態を
挙げて本発明を説明する。

【００１７】図１は、本発明のアクティブマトリクス基
板の一実施形態の断面模式図である。また、図４にアク
ティブマトリクス基板に周辺駆動回路を組み込んだ配線
形態を示す。本実施形態では、ＴＦＴ構成としてチャネ
ル保護膜型アモルファス（ａ−）ＳｉＴＦＴを示すが、
本発明はこの構成に限定されるものではなく、トップゲ
ート型ａ−ＳｉＴＦＴやチャネルエッチ型等他の構成の
ＴＦＴに対しても同様に利用でき、また、ａ−Ｓｉ以外
の、例えば多結晶（ｐ−）ＳｉＴＦＴ等も同様に用いる
ことができる。

【００１８】図１において、１は基板、２はゲート電
極、３はゲート絶縁膜、４は画素電極、６はａ−Ｓｉ
層、７はチャネル保護膜、８はオーミックコンタクト
層、９はソース電極、１０はドレイン電極、１１はＴＦ
Ｔ、１２は保護層、１３は導電層、１４は遮光層、１５
はカラーフィルタである。

【００１９】本発明においては、基板１としては、通常
ガラス基板が用いられるが、アクティブマトリクス基板
としての透明性や機械的強度等を満足すれば、プラスチ
ック基板等でも良く、また、反射型液晶素子を形成する
場合には、Ｓｉ基板などの不透明基板に必要に応じて絶
縁層を形成して用いる場合もある。

【００２０】ＴＦＴ１１は、図１に示すように、アルミ
ニウム等からなるゲート電極２、ＳｉＮ_x 等からなるゲ
ート絶縁膜３、ａ−Ｓｉ層６、ＳｉＮ_x 等からなるチャ
ネル保護膜７、Ｎ⁺ 型ａ−Ｓｉからなるオーミックコン
タクト層８、アルミニウム等からなるソース電極９とド
レイン電極１０からなり、図４に示すように、ゲート電
極２は行毎に共通に走査信号線３１に接続され、ソース
電極９は列毎に情報信号線３２に接続される。走査信号
線３１と情報信号線３２は、互いに絶縁層（不図示）を
介して直交し、複数のＴＦＴ１１をマトリクス配線して
いる。走査信号線３１には順次走査信号印加回路３３よ
り走査信号が印加され、行毎に順次ＴＦＴ１１がオン
し、該走査信号に同期して、情報信号線３２には情報信
号印加回路３４から情報信号が印加され、オンしたＴＦ
Ｔ１１のソース電極９に所定の情報信号電圧が印加され
る。ＴＦＴ１１のドレイン電極１０は、ＩＴＯ等透明導
電材からなる画素電極４に接続されており、オンしたＴ
ＦＴ１１のソース電極９より印加された情報信号電圧は
画素電極４を所定の電位に設定する。尚、画素電極４
は、反射型液晶素子を構成する場合には、反射性の高い
不透明な金属素材で形成される場合もある。

【００２１】ＴＦＴ１１上には、ＳｉＮ_x 等からなる絶
縁層である保護層１２を介して、導電層１３と遮光層
（ブラックマトリクス）１４が形成され、該遮光層１４
の開口部にカラーフィルタ１５が形成されている。

【００２２】次に本発明の製造方法について、図１の実
施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法を例に挙
げて説明する。図２は、その製造工程図である。

【００２３】基板１上に、一般の半導体プロセス技術を
用いて、ＴＦＴ１１とその配線（走査信号線及び情報信
号線）及び画素電極４（ＴＦＴアレイ）を作り込む（図
２（ａ））。

【００２４】次に、導電層１３を形成する。導電層１３
としては、ＩＴＯ等の導電材料が好ましく用いられる。
また、前記したように、該導電層１３のパターニング方
法として、ポジ型レジストを裏面露光して用いる方法
が、精度良く導電層１３を形成し得るため、好ましい。
即ち、基板１上に全面にスパッタ法や蒸着等により導電
層を形成した後、その上にポジ型レジストを形成し、基
板１の裏面（ＴＦＴ１１が形成されていない側）より露
光することにより、ＴＦＴ１１と配線がマスクとなっ
て、画素電極４上のレジストが露光される。よって、現
像後には画素電極４上に開口部を有するパターンのレジ
ストが残り、該レジストで保護されていない領域の導電
層をエッチング除去することにより、ＴＦＴ１１及び配
線に対応したパターンの導電層１３が精度良く形成され
る（図２（ｂ））。

【００２５】導電層１３を電極として、電着法により該
導電層１３上に黒色樹脂を堆積して遮光層１４を形成す
る（図２（ｃ））。電着法には、アニオン系とカチオン
系の２種類があり、本発明においてはいずれも使用可能
である。電着法に用いる電着液は、一般に、バインダー
（樹脂材料）、色素等の成分を水に分散、溶解、希釈し
て調整される。電着液に用いられるバインダーとして
は、マレイン化油系、アクリル系、ポリエステル系、ポ
リブタジエン系、ポリオレフィン系などの樹脂が挙げら
れ、これらは単独でも、或いは混合しても使用できる。
また、色素としては、カーボンブラック、染料、顔料な
どを配合して黒色とする。また、電着液としては、水以
外にも有機溶剤を用いた電着液も使用することができ
る。

【００２６】電着工程は、上記電着液の入った浴中に上
記の工程を経て得られた基板を浸漬し、アニオン系の場
合には導電層１３を正極とし、非腐食性の導電材料（ス
テンレスなど）を対極として入れて直流電圧を印加する
と、導電層１３上に選択的に電着塗膜（黒色樹脂）が塗
着される。塗着された電着塗膜は次いで、例えば、１０
０〜２８０℃で１０〜１２０分間の条件で熱処理するこ
とによって、遮光層１４が形成される。電着塗膜の膜厚
は、電着条件により制御することができる。電着条件
は、通常１０〜３００Ｖで１秒〜３分程度である。電着
塗膜は、塗膜形成後に良く洗浄して不要物質を除去する
ことが望ましい。

【００２７】本発明において、遮光層１４は、開口部に
付与されるインクの混色を完全に防止するために、撥水
性を高めることが有効であり、そのため電着液に撥水剤
を添加しておくことが好ましい。さらに、遮光層１４
は、インクの混色を防止する隔壁部材としての機能を高
めるため、導電層１３及び保護層１２を含んだ遮光層１
４上部と画素電極４の高さの差を１μｍ以上の厚さで形
成することが好ましい。

【００２８】各画素電極４上に形成された遮光層１４の
開口部に、所定の着色パターンに沿ってインクジェット
方式によりＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のインクを付
与し、必要に応じて乾燥等必要な処理を施し、カラーフ
ィルタ１５を形成する（図２（ｄ））。用いるインクと
しては、エネルギー付与により硬化するインクであり、
樹脂と着色材とを含有する樹脂組成物が好ましい。着色
材としては、染料系、顔料系のいずれでも用いることが
可能であり、例えば染料としては、アントラキノン染
料、アゾ染料、トリフェニルメタン染料、ポリメチン染
料等などを用いることができる。また、樹脂としては、
加熱或いは光照射により硬化する樹脂素材が好ましく、
具体的には、熱硬化型樹脂として、公知の樹脂と架橋剤
との組み合わせが使用できる。例えば、アクリル樹脂、
メラミン樹脂、水酸基或いはカルボキシル基含有ポリマ
ーとメラミン、水酸基或いはカルボキシル基含有ポリマ
ーと多官能エポキシ化合物、水酸基或いはカルボキシル
基含有ポリマーと繊維素反応型化合物、エポキシ樹脂と
レゾール型樹脂、エポキシ樹脂とアミン類、エポキシ樹
脂とカルボン酸又は酸無水物、エポキシ化合物などが挙
げられる。また、光硬化型樹脂としては、公知のもの、
例えば市販のネガ型レジストが好適に用いられる。

【００２９】さらに、インクの付与に用いるインクジェ
ットヘッドとしては、エネルギー発生素子として電気熱
変換体を用いたバブルジェットタイプ、或いは、圧電素
子を用いたピエゾジェットタイプ等が使用可能であり、
着色面積及び着色パターンは任意に設定できる。

【００３０】必要に応じて、基板全面に保護層を形成す
る。保護層としては、光硬化タイプ、熱硬化タイプ、或
いは光熱併用タイプの樹脂材料、蒸着、スパッタ等によ
って形成された無機膜等を用いることができる。

【００３１】次に、本発明のアクティブマトリクス基板
の製造方法の他の実施形態について説明する。本実施形
態は、図２に示した工程（ａ）〜（ｃ）までは先に説明
した実施形態と同じであり、図２の工程（ｄ）において
エネルギー付与により硬化するインクを付与する代わり
に、図５（ａ）に示すように遮光層１４の開口部にイン
ク吸収性を有する樹脂組成物層４１を形成し、図５
（ｂ）に示すように該樹脂組成物層４１にインクジェッ
トヘッド方式によりインク４２を付与して着色し、硬化
させてカラーフィルタ１５（図５（ｃ））とするもので
ある。当該実施形態においても、必要に応じてカラーフ
ィルタ１５上には保護層を形成する。また、本実施形態
において用いられるインク吸収性樹脂組成物としては、
ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロ
キシプロピルセルロース等のセルロース誘導体、水溶性
アクリル樹脂等が好適に用いられ、インクとしては顔料
系、染料系いずれでも良く、用いる樹脂層の素材に応じ
て適宜選択される。

【００３２】図３に、上記実施形態のアクティブマトリ
クス基板を用いた本発明の液晶素子の一実施形態の断面
模式図を示す。図中、図１と同じ部材には同じ符号を付
して説明を省略する。

【００３３】カラー表示の液晶素子は、一般的にカラー
フィルタ基板と対向基板とを合わせ込み、その間隙に液
晶化合物を封入することにより形成される。本発明にお
いては、カラーフィルタ１５を具備した本発明のアクテ
ィブマトリクス基板１と、共通電極２６を形成した基板
２５とを合わせ込み、その間隙（２〜１０μｍ）に液晶
化合物２８を封入して構成される。両基板の面内にはさ
らに、配向膜２１、２７が形成されており、これをラビ
ング処理することにより液晶分子を一定方向に配列させ
ることができる。本発明の液晶素子は、その外側に偏光
板（不図示）を接着して（透過型の場合には両側に、反
射型の場合には使用者側に）用いる。また透過型の場合
には、一般にバックライトとして蛍光灯と散乱板の組み
合わせを用いる。いずれの場合も、液晶化合物をバック
ライトの光或いは入射及び反射光の透過率を変化させる
光シャッターとして機能させることにより表示を行な
う。

【００３４】本発明において、上記で説明した以外の他
の構成部材については、その素材や製法等、従来の液晶
素子の技術を適用することが可能である。

【００３５】

【実施例】（実施例１）基板上に、従来の半導体プロセ
ス技術を用いてＴＦＴアレイ（ＴＦＴ、画素電極、マト
リクス配線）を作り込み、ＴＦＴとマトリクス配線上に
絶縁層を設け、さらに、遮光層を電着するための電極パ
ターンを形成するために、厚さ１００ｎｍのＩＴＯ膜を
スパッタ法により形成した。

【００３６】次に、ナフトキノンジアジド型ポジ型レジ
スト（ヘキスト社製「ＡＺ−４９０３」）を膜厚１．５
μｍとなるようにスピンコートし、９０℃で３０分間の
プリベークを行なった。この後、裏面露光により４００
ｍＪ／ｃｍ² の露光量でパターン露光し、現像処理を行
なった。引き続き、上記ＩＴＯ膜をウエットエッチング
した。

【００３７】上記ＩＴＯからなる導電層を電極として電
着により該導電層上に遮光層を形成した。電着液は、バ
インダーとしてポリエステル系樹脂を用い、カーボンブ
ラックを配合して黒色とし、水に分散希釈して調整し
た。この電着液の入った浴中に、上記基板を浸漬し、導
電層を正極とし、ステンレス板を対極として入れて、７
０Ｖの直流電圧を１分間印加した。次いで、導電層上に
堆積した電着塗膜を２００℃で１０分間熱処理して膜厚
１．０μｍの遮光層を得た。

【００３８】インクジェットヘッドより、Ｒ、Ｇ、Ｂの
各着色材とアクリル系樹脂を含有するインクを所定の着
色パターンに沿って上記遮光層の開口部に付与した後、
９０℃で５分間加熱して上記インクを乾燥させた。ここ
で、必要に応じて樹脂を熱硬化させる工程を加えてもよ
い。本実施例においては、保護層の硬化時に同時に該樹
脂の硬化が起こるため、この工程は加えなかった。次い
で、基板全面に保護層として２液型の熱硬化性樹脂（Ｊ
ＳＲ製「ＳＳ−６６９９」）を膜厚１μｍとなるように
スピンコートし、２３０℃で１時間の熱処理を行なって
硬化させた。このようにして作製されたアクティブマト
リクス基板を光学顕微鏡により観察したところ、非常に
高精度に遮光層（ブラックマトリクス）が形成され、且
つ、カラーフィルタの混色も観察されず、高品質のカラ
ーフィルタであることがわかった。

【００３９】（実施例２）実施例１のアクティブマトリ
クス基板と、ＩＴＯからなる共通電極を形成したガラス
基板上にそれぞれ、ポリイミドからなる配向膜を形成
し、両基板を該配向膜を内側にしてシール材を介して貼
りあわせ、両基板の間隙にＴＮ（ツイストネマチック）
液晶を封入して液晶素子を作製した。

【００４０】上記液晶素子の基板の両側に偏光板を配置
すると共に、アクティブマトリクス基板側に冷陰極型平
面蛍光ランプを配し、液晶素子の駆動回路を接続して液
晶表示装置を構成した。この液晶表示装置にＮＴＳＣ方
式のテレビ信号を入力して画像表示を行なったところ、
優れたカラー画像を安定して表示することができた。ま
た、長時間画像表示を行なったが、混色、色むら、色抜
け等の障害は観察されなかった。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電着法によって形成された遮光層（ブラックマトリク
ス）の開口部にインクジェット方式によりインクを付与
してカラーフィルタを形成するため、短縮された工程
で、耐熱性、耐溶剤性、解像性等の必要特性を有するカ
ラーフィルタを高精度にアクティブマトリクス基板に形
成することができる。特に、ポジ型レジストを用いて、
電着法の電極となる導電層を形成することにより、ＴＦ
Ｔや配線とのアライメント不良を生ずることなく、且つ
高価な露光装置やフォトマスクを使用することなく、さ
らに高精度に且つ安価にカラーフィルタを具備したアク
ティブマトリクス基板を製造することが可能となる。よ
って、単純な工程で且つ工程数が少ないことから、歩留
良く高精度なアクティブマトリクス基板を製造すること
ができ、損失コストを大幅に低減して安価にアクティブ
マトリクスを提供することができる。

【００４２】その結果、カラー表示特性に優れた液晶素
子を歩留良く、安価に提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のアクティブマトリクス基板の一実施形
態の断面模式図である。

【図２】本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法
の一実施形態の工程図である。

【図３】図１のアクティブマトリクス基板を用いて構成
した本発明の液晶素子の一実施形態の断面模式図であ
る。

【図４】本発明のアクティブマトリクス基板に周辺駆動
回路を組み込んだ配線形態を示す図である。

【図５】本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法
の他の実施形態の工程図である。

【符号の説明】

１基板２ゲート電極３ゲート絶縁膜４画素電極６ａ−Ｓｉ層７チャネル保護膜８オーミックコンタクト層９ソース電極１０ドレイン電極１１ＴＦＴ１２保護層１３導電層１４遮光層１５カラーフィルタ２１配向膜２５基板２６共通電極２７配向膜２８液晶化合物３１走査信号線３２情報信号線３３走査信号印加回路３４情報信号印加回路４１インク吸収性樹脂組成物層４２インク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも、複数の画素電極
と、該画素電極にドレイン電極を接続された複数の薄膜
トランジスタと、該薄膜トランジスタのゲート電極を行
毎に共通に接続する走査信号線と、上記薄膜トランジス
タのソース電極を列毎に共通に接続し且つ上記走査信号
線とは絶縁層を介して直交する情報信号線とを形成し、
上記薄膜トランジスタと走査信号線と情報信号線上に絶
縁層を介して導電層を形成し、該導電層を電極とする電
着法により、該導電層上に黒色樹脂を堆積して遮光層を
形成し、該遮光層の開口部にインクジェット方式により
インクを付与して上記画素電極上にカラーフィルタを形
成することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製
造方法。
【請求項２】上記開口部側面における遮光層上部と画
素電極表面との高さの差が１μｍ以上である請求項１記
載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】上記インクが樹脂と着色材とを含有する
樹脂組成物からなる請求項１記載のアクティブマトリク
ス基板の製造方法。
【請求項４】遮光層の開口部に予めインク吸収性の樹
脂組成物を形成した上にインクを付与する請求項１記載
のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項５】上記導電層が、基板全面に形成した導電
層上にポジ型レジストを全面形成し、裏面露光して該レ
ジストをパターニングした後、該レジストで保護されて
いない領域の導電層をエッチング除去してパターニング
する請求項１記載のアクティブマトリクス基板の製造方
法。
【請求項６】基板上に少なくとも、複数の画素電極
と、該画素電極にドレイン電極を接続された複数の薄膜
トランジスタと、該薄膜トランジスタのゲート電極を行
毎に共通に接続する走査信号線と、上記薄膜トランジス
タのソース電極を列毎に共通に接続し且つ上記走査信号
線とは絶縁層を介して直交する情報信号線と、該薄膜ト
ランジスタと走査信号線と情報信号線上に絶縁層を介し
て形成された導電層と遮光層を有し、上記画素電極上で
且つ該遮光層の開口部にカラーフィルタを有することを
特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項７】一対の基板間に液晶化合物を挟持してな
る液晶素子であって、一方の基板が、請求項６記載のア
クティブマトリクス基板を用いて構成されていることを
特徴とする液晶素子。