FR2788060A1 - Polymere de revetement anti-reflecteur et procede de preparation - Google Patents

Polymere de revetement anti-reflecteur et procede de preparation Download PDF

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Abstract

La présente invention a pour objet des polymères organiques convenant à une utilisation à titre de revêtement anti-réflecteur sur des dispositifs semi-conducteurs et se rapporte aux procédés pour les préparer. Elle concerne leur utilisation dans des revêtements anti-réflecteurs et dans des procédés de photolithographie pour former des structures sub-micro faisant emploi de rayonnement lumineux utilisant des longueurs d'onde de 193 nm (ArF) et de 248 nm (KrF) dans la fabrication de systèmes semi-conducteurs.Des polymères selon la présente invention sont choisis dans le groupe comprenant les composés représentés par les formules générales (1),(2) et (3) : (CF DESSIN DANS BOPI) (CF DESSIN DANS BOPI) (CF DESSIN DANS BOPI)

Description

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POLYMERE DE REVETEMENT ANTI-REFLECTEUR
ET PROCEDE DE PREPARATION ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION 1. Domaine de l'invention
La présente invention a pour objet des polymères organiques convenant à une utilisation à titre de revêtement anti-réflecteur sur des dispositifs semi-conducteurs et se rapporte aux procédés pour les préparer. De façon plus spécifique, les polymères selon la présente invention peuvent être utilisés pour former une couche qui empêche la réflexion de lumière depuis les couches inférieures revêtant un chip semiconducteur lorsque les procédés de photolithographie utilisant des sources de lumière de courtes longueurs d'onde, telles que les longueurs d'onde de 248 nm (KrF) et de 193 nm (ArF) sont employés pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs de type 64 M, 256 M, 1 G, 4 G et 16 G DRAM. Des revêtements anti-réflecteurs comprenant des polymères selon la présente invention éliminent également l'effet d'onde constant qui se produit lorsqu'on utilise un rayonnement ArF et les phénomènes de réfraction/diffraction produits par des modifications de l'épaisseur de la couche photorésist elle-même. La présente invention a également pour objet une composition anti-réflectrice contenant ces polymères, seule ou en combinaison avec d'autres composés absorbant la lumière, ainsi que les revêtements anti-réflecteurs formés à partir des compositions; et elle se rapporte également à leurs procédés de préparation.
2. Description de l'état de la technique
Dans les procédés de photolithographie pour former des structures submicro durant la fabrication de semi-conducteurs, il est inévitable que se produise des encoche reflectrices des ondes classiques de la radiation exposante. Cet effet est dû aux propriétés spectroscopiques des couches inférieures revêtant la gaufrette semiconductrice, de modifications de la couche photorésist et de variations de la dimension critique (CD) dues à la lumière diffractée et réfléchie par les couches inférieures. Aussi, a-t-il été suggéré qu'une couche, appelée couche anti-réflecteur soit introduite dans le système semi-conducteur pour empêcher la réflexion de lumière par les couches inférieures. Ce revêtement anti-réflecteur comprend en général une matière organique qui absorbe la lumière dans le domaine des longueurs d'onde de la source de rayonnement lumineux utilisée dans le procédé de lithographie.
Les revêtements anti-réflecteurs sont catégorisés en revêtements inorganiques et revêtements organiques en fonction du matériau de revêtement utilisé ou en
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revêtements absorbant la lumière et interférant avec la lumière selon le mécanisme qui se produit.
Un revêtement anti-réflecteur inorganique est utilisé principalement dans le procédé de formation de structures submicro utilisant une radiation i-line présentant une longueur d'onde de 365 nm. TiN et le carbone amorphe ont été largement utilisés à titre de revêtements absorbant la lumière, et SiON a été utilisé à titre de revêtements interférant avec la lumière.
Le SiON inorganique a été utilisé à titre de revêtement anti-réflecteur dans des procédés de formation de structure sub-micro utilisant un rayonnement KrF. Une tendance récente a été d'essayer d'utiliser les composés organiques dans un revêtement anti-réflecteur. En se basant sur les informations disponibles à ce jour, les éléments suivants sont absolument pré-requis pour conduire à un revêtement antiréflecteur organique convenable.
Premièrement, durant le procédé de formation -de la structure, l'agent photorésist ne doit pas être détaché du substrat par des dissolutions dans le solvant utilisé dans le revêtement anti-réflecteur organique. Pour cette raison, le revêtement anti-réflecteur organique doit être tel qu'il forme une structure réticulée et ne doit pas produire de produits chimiques en tant que sous-produit.
Deuxièmement, les composés acides ou aminés ne doivent pas migrer ou s'échapper du revêtement anti-réflecteur. Ceci est dû à la tendance de formation de coupures sous-jacentes se produisant du côté inférieur de la structure si un acide migrait et au "foulage" si une base telle qu'une amine migrait.
Troisièmement, le revêtement anti-réflecteur ne doit pas avoir une vitesse d'ede gravure rapide par comparaison avec celle de la couche photorésist de sorte que le procédé de gravure, (etching) peut être mis en #uvre de façon efficace par utilisation de la couche photorésist en tant que masque.
Quatrièmement, le revêtement anti-réflecteur doit présenter une épaisseur minimale.
Jusqu'à présent, des revêtements anti-réflecteurs convenables n'ont pu être développés, pour être utilisés dans des procédés de formation de structure submicro utilisant un rayon ArF. De plus, comme on ne connaît pas de revêtement anti- réflecteur inorganique qui contrôle les interférences produites par une source de lumière 193 nm, des recherches sur l'utilisation d'agents chimiques organiques dans les revêtements anti-réflecteurs sont couramment faites.
Aussi, est-il souhaitable d'utiliser et de développer des revêtements anti-réflecteurs qui absorbent fortement la lumière pour des longueurs d'onde spécifiques de façon à empêcher que ne se produise l'effet d'onde et de réflexion de lumière classiques dans
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les procédés de lithographie et pour éliminer la diffraction en retour et la lumière réfléchie provenant des couches inférieures RESUME DE L'INVENTION
La présente invention a pour objet de nouveaux produits chimiques convenables pour une utilisation dans des revêtements anti-réflecteurs et dans des procédés de photolithographie pour former des structures sub-micro faisant emploi de rayonnement lumineux utilisant des longueurs d'onde de 193 nm (ArF) et de 248 nm (KrF) dans la fabrication de systèmes semi-conducteurs.
La présente invention a en outre pour objet des procédés de préparation de composés chimiques destinés à être utilisés dans les revêtements anti-réflecteurs.
La présente invention a encore pour objet des compositions de revêtements anti-réflecteurs contenant les composés précités et se rapporte également à leurs procédés de préparation.
La présente invention a également pour objet des revêtements anti-réflecteurs formés par emploi de la composition anti-réflectrice précitée et se rapporte aux procédés pour leur préparation.
DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION
Des polymères selon la présente invention sont choisis dans le groupe comprenant les composés représentés par les formules générales (1). (2) et (3): (formule générale 1)
Figure img00030001

dans laquelle R est un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C1-C6, hydroxy ou hydroxyméthyle; et m/n correspond à un rapport molaire de 0,1à0,9/0,1 à 0,9;
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Figure img00040001

dans laquelle R est un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C,-C,, hydroxy ou hydroxyméthyle; x est un nombre compris entre 1 et 5 ; et a/b/c/d correspond aux rapports molaires de 0,1à 0,9/0,1 à 0,9/0,1 à 0,9/0,1 à 0,9 ; (formule générale 3)
Figure img00040002

dans laquelle R, est un atome d'hydrogène, un groupe méthyle ou hydroxy; et e est le degré moyen de polymérisation. De préférence, e présente une valeur de 3,0 à 17,0.
Les polymères selon la présente invention sont tels qu'ils facilitent l'absorption de la lumière aux longueurs d'onde de 193 nm et de 248 nm du fait de la présence de groupes qui absorbent fortement la lumière pour ces deux longueurs d'onde.
Les polymères représentés par la formule générale 1 ci-dessus peuvent être préparés selon le schéma réactionnel 1 donné ci-dessous dans lequel une résine polyhydroxystyrène (composé I) et un halogénure de diazonaphtoquinone (Composé II) réagissent dans un solvant, en présence d'une amine.
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Figure img00050001

dans lequel R est un atome d'hydrogène, un radical-alkyle en C1-C6, hydroxy ou hydroxyméthyle; Y est un groupe halogène; et m/n correspond à un rapport molaire de 0,1 à 0,9/0,1 à 0,9.
Le polymère représenté par la formule générale 2 ci-dessus peut être préparé selon le schéma réactionnel 2 donné ci-dessous, dans lequel la résine d'acrylate de polystyrène (composé III) et l'halogénure de diazonaphtoquinone (composé II) réagissent dans un solvant, en présence d'une amine: (schéma réactionnel 2)
Figure img00050002
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Figure img00060001

composés dans lesquels R est un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C1-C6, hydroxy ou hydroxyméthyle; Y est un groupe halogène; x est un nombre compris entre 1 et 5 ; eta/b/c/d correspond aux rapports molaires 0,1 à 0,9/0,1 à 0,9/0,1 à 0,9/0,1 à 0,9.
Le polymère représenté par la formule générale 3 ci-dessus peut être préparé selon l'équation réactionnelle 3 donnée ci-dessous, dans laquelle une résine novolac (composé IV) et un halogénure de diazonaphtoquinone (composé II) réagissent dans un solvant, en présence d'une amine: (schéma réactionnel 3)
Figure img00060002
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dans laquelle R, est un atome d'hydrogène, un radical méthyle ou hydroxy, Y est un atome d'halogène et e est le degré moyen de polymérisation.
Les matières brutes utilisées dans les réactions précitées, à savoir polyhydroxystyrène (I), halogénure de diazonaphtoquinone (II), résine d'acrylate de polystyrène (III) et résine novolac (IV) sont des produits disponibles dans le commerce ou susceptibles d'être synthétisés par des méthodes connues.
L'amine qui est utilisée pour la préparation des polymères selon la présente invention est de préférence une trialkylamine et plus particulièrement une triéthylaminc.
Le solvant qui est utilisé pour la préparation des polymères selon la présente invention peut être choisi dans le groupe comprenant: tétrahydrofuranne, toluène, benzène, méthyléthylcétone et dioxanne.
La température de réaction du procédé de polymérisation qui est utilisée pour la préparation du polymère selon la présente invention est de préférence comprise entre 50 et 80 C.
La présente invention a également pour objet une composition de revêtement anti-réflecteur contenant un polymère de formule générale 1. 2 ou 3 seul dans un solvant organique.
Une composition de revêtement anti-réflecteur selon la présente invention peut également comprendre un des polymères de formule générale 1, 2 ou 3, et un composé absorbant la lumière choisi dans le groupe comprenant l'anthracène et ses dérivés, des dérivés de fluorénone, le fluorène et ses dérivés, le fluorénol, le xanthone, la quinazarine et la fluorescéine. Des exemples de tels composés sont donnés dans les tableaux la et 1 b ci-dessous.
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Tableau la
Figure img00080001

##~ CH:OH N \ \ W r"r rvr / / / LJU mthracene z--- 9-anthracenemethanol l>-anthraccnccarbomlrilc #########OH####### OH 1 ou C-0 OH OH z i,!l.l 0-ar.;hraccnctnol acide 9-anthracène carboxylique dtthranol ###################~ Il OH CH-lOH CH 1 \ 1 \ fY , \ \ \ HO acide antliraflavique 9-anthra)dehdeoxtmc 9-anthraldehyde H r P CN ? i o -;H2 2-ammo-7-methy)-5oxo-5H- 1 1 ]benzopyranol[2.3 b] ' -#""< rthr;>qu'nonc acide antluraquinone-2-carboxylique pyiidinc-3-carbonitnle OH T tli .nyrytlntl,nornmcthyiwaonc 1.5 ilihydroxyanthraquinonc anthronc R5 R5 1 w i dérivés 9-all. anthracène dérivés 9-carhov '? li 9 ue antluacène détirés 1 -carboxyl anthracène
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Tableau lb
Figure img00090001

~~~- RI R15 C= i 0 V" r AXW- Rw r (Ti # fS yçO"" /. 1 o=c Dérive 1 nuoi-enonc Dérivé 2 fluorénone Déiivé 3 fluorcnone R,O 1 1 c -o o C =0 CH, # C # OH R17 Dérivé 4 fluorénone f1110rene acide 9-fluorène acétique c ,i # h j c I Il Ii C = 0 OH 2-tluorene carboxaléehyde acide 2-fluorène carl7oylique acide 1-fluorène carhoylique 1 CO 1 CH~Oli - KïKK OH acide 4-fluorène carbox>7lique acide 9-fluorène carboxylique 9-nuorene meihnno! -------OYO- 1 1 '"", -'", 1 fYYi rv\ OH fluorcroi ",,,thol1c quinizarine () Olt 1: () :)() ----.- ---,- fluorescéine- ~-~ ~ ~
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Dans le tableau la ci-dessus, R5, R6 et R7 représentent chacun indépendamment l'un de l'autre un atome d'hydrogène, un radical cycloalcoxyalkyle, alcoxyalkyle, cycloalkyle, alkyle en C1-C5, linéaire ou ramifié, substitué ou non substitué, et p est un nombre entier. De préférence, p présente une valeur comprise entre 1 et 3.
Dans le tableau 1 b, R8-R15 représentent chacun, indépendamment l'un de l'autre, un atome d'hydrogène, un groupe hydroxy, un radical cycloalcoxyalkyle, alcoxyalkyle, cycloalkyle, alkyle en C1-C5, linéaire ou ramifié, substitué ou non substitué et R16 et R17 représentent chacun, indépendamment l'un de l'autre un radical alkyle.
La composition de revêtement anti-réflecteur selon la présente invention est préparée par dissolution d'un polymère de formule générale 1, 2 ou 3 ci-dessus dans un solvant organique et addition ultérieure de un ou plusieurs composés choisis parmi ceux cités dans les tableaux la et 1 b.
Le solvant organique utilisé pour la préparation peut être tout'solvant organique classique, de préférence un solvant choisi dans le groupe comprenant éthyl-3- éthoxypropionate, méthyl-3-méthoxypropionate, cyclohexanone, propylène-glycol et méthylétheracétate.
La quantité de solvant utilisé pour préparer la composition de revêtement antiréflecteur selon la présente invention est de préférence de l'ordre de 200 à 5000 % (poids/poids) par rapport au poids de polymère utilisé.
Le revêtement anti-réflecteur selon la présente invention peut être fixé sur une gaufrette de semi-conducteur à base de silicium par filtration d'une solution contenant seulement un polymère de formule générale 1, 2 ou 3 ou d'une composition contenant un polymère de formule générale 1, 2 ou 3 et un ou plusieurs des composés absorbant la lumière décrits dans les tableaux laet 1b, revêtement ultérieure de la composition ou solution filtrée sur la gaufrette qui a été préparée de façon classique, et durcissement par cuisson du revêtement, (par chauffage de la gaufrette à une température de 100 à 300 C pendant 10 à 1000 secondes) pour réticuler le polymère de revêtement anti-réflecteur.
Les polymères comprenant le revêtement anti-réflecteur selon la présente invention forment une structure réticulée lorsqu'ils sont revêtus sur une gaufrette et soumis à une cuisson à température élevée (durcissement par cuisson ") grâce à une réaction qui ouvre le cycle du groupe diazonaphtoquinone desdits polymères. Cette structure réticulée permet aux polymères selon la présente invention de former un matériau de revêtement anti-réflecteur organique qui est stable du point de vue spectroscopique dans les conditions photolithographiques classiques.
Les polymères et compositions selon la présente invention se sont révélés être d'excellents matériaux de revêtement anti-réflecteurs dans la formation de structures
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sub-micros dans des procédés photolithographiques faisant emploi de lasers opérant à des longueurs d'onde de 248 nm KrF et 193 nm ArF. L'effet anti-réflecteur produit conformément à la présente invention s'est également révélé être supérieur lorsque, de la lumière ultraviolette extrême (EUV) de rayonnement E, et des sources de lumière de faisceaux à rayonnement ionique sont utilisés au lieu d'une faisceau ArF. L'invention sera illustrée par les exemples suivants, bien qu'elle ne soit pas limitée aux exemples donnés.
EXEMPLE 1
Figure img00110001

Synthèse du copolymère de polyhvdroxystyrène présentant un groupe diazonaphtoguinonesulfonyle
Après dissolution totale de 49,6 g (0,3 mole) de résine polyhydroxystyrène dans un ballon rond à fond plat de 300 ml contenant 250 g de tétrahydrofuranne (THF), on ajoute 15,2 g (0,15 mole) de triéthylamine et on procède aumélange. On ajoute ensuite lentement 45,1 g (0,15 mole) de chlorure de diazonaphtoquinone et on laisse l'ensemble réagir pendant plus de 24 heures. Lorsque la réaction est achevée, la résine est séparée par précipitation dans le diéthyléther et séchée sous vide ; obtient un copolymère de poly(hydroxystyrène-diazonaphtoquinonesulfonylstyrène) selon la présente invention dans lequel 50 % du monomère hydroxystyrène est substitué par un groupe diazonaphtoquinonesulfonyle. Le rendement est de 90 à 95 %.
EXEMPLE 2 Synthèse du copolymère de polyhydroxy-[alpha]-méthylstyrène présentant un groupe diazonaphtoquinonesulfonyle
Après dissolution totale de 58,8 g (0,33 mole) de résine de poly(hydroxy-(améthylstyrène)) dans un ballon rond à fond plat de 300 ml contenant 250 g de tétrahydrofuranne (THF), on ajoute au mélange ainsi formé 13,45 g (0,132 mole) de triéthylamine et on mélange. On ajoute alors lentement au mélange 39,7 g (0,132 mole) de chlorure de diazonaphtoquinone et on laisse l'ensemble réagir pendant plus de 24 heures. Lorsque la réaction est achevée, la résine est séparée par précipitation dans le diéthyléther et séchée sous vide. On obtient ainsi un copolymère de poly(hydroxy-a-méthylstyrène-diazonaphtoquinonesulfonyl-(a-méthylstyrène)) selon la présente invention dans lequel 40 % du monomère hydroxy-a-méthylstyrène est substitué par un groupe diazonaphtoquinonesulfonyle. Le rendement est de 90 à 95 %.
EXEMPLE 3
Figure img00110002

Synthèse du copolymère de potYfhYdroxYstyrène-hydroxyéthylacrYtate) présentant un groupe diazonaphtoquinonesulfonyle
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Après dissolution totale de 84,1 g (0,3 mole) de résine de poly(hydroxystyrène- hydroxyéthylacrylate) dans un ballon rond à fond plat de 300 ml contenant 300 g de tétrahydrofuranne (THF), on ajoute au mélange ainsi formé 15,2 g (0,15mole) de triéthylamine et on mélange. On ajoute alors lentement au mélange 45,1 g (0,15 mole) de chlorure de diazonaphtoquinone et on laisse l'ensemble réagir pendant plus de 24 heures. Lorsque la réaction est achevée, la résine est séparée par précipitation dans le diéthyléther et séchée sous vide. On obtient ainsi un copolymère de poly(hydroxystyrène-hydroxyéthylacrylate) selon la présente invention dans lequel 50 % du monomère réagissant est substitué par un groupe diazonaphtoquinonesulfonyle. Le rendement est de 85à 95 %.
EXEMPLE 4 Synthèse du copolymère de poly(hydroxystyrèiie-hydroxyétliyliiietliacrylate) présentant un groupe diazonaphtoquinonesulfonyle Après dissolution totale de 88,3 g (0,3 mole) de résine de poly(hydroxystyrènehydroxyéthylmethacrylate) dans~un ballon rond à fond plat de 300 ml contenant 300 g de tétrahydrofuranne (THF), on ajoute au mélange ainsi formé 13,7 g (0,135 mole) de triéthylamine et on mélange. On ajoute alors lentement au mélange 40,6 g (0,135 mole) de chlorure de diazonaphtoquinone et on laisse l'ensemble réagir pendant plus de 24 heures. Lorsque la réaction est achevée, la résine est séparée par précipitation dans le diéthyléther et séchée sous vide. On obtient ainsi une résine novolac selon la présente invention dans laquelle 50 % du monomère réagissant est substitué par un groupe diazonaphtoquinonesulfonyle. Le rendement est de 90 à 95 % EXEMPLE 5 Synthèse du copolymère de phénylnovolac présentant un groupe diazonaphtoquinone sulfonyle Après dissolution totale de 63,1 g (0,35 mole) de résine phénylnovolac dans un ballon rond à fond plat de 300 ml contenant 250 g de tétrahydrofuranne (THF), on ajoute au mélange ainsi formé 17,7 g (0,175 mole) de triéthylamine et on mélange.
On ajoute alors lentement au mélange 52,6 g (0,175 mole) de chlorure de diazonaphtoquinone et on laisse l'ensemble réagir pendant plus de 24 heures. Lorsque la réaction est achevée, la résine est séparée par précipitation dans le diéthyléther et séchée sous vide. On obtient ainsi une résine phénylnovolac selon la présente invention dans lequel 50 % du réactif est substitué par un groupe diazonaphtoquinonesulfonyle. Le rendement est de 90 à 95 %.
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EXEMPLE 6 Synthèse du copolymère de crésolnovolac présentant un groupe diazonaphtoquinone sulfonyle Après dissolution totale de 62,2 g (0,3 mole) de résine crésolnovolac dans un ballon rond à fond plat de 300 ml contenant 250 g de tétrahydrofuranne (THF), on ajoute au mélange ainsi formé 15,2 g (0,15 mole) de triéthylamine et on mélange. On ajoute alors lentement au mélange 45,1 g (0,15 mole) de chlorure de diazonaphtoquinone et on laisse l'ensemble réagir pendant plus de 24 heures. Lorsque la réaction est achevée, la résine est séparée par précipitation dans le diéthyléther et séchée sous vide. On obtient ainsi une résine crésolnovolac selon la présente invention dans laquelle 50 % du réactif est substitué par un groupe diazonaphtoquinonesulfonyle. Le rendement est de 90 à 95 %.
EXEMPLE 7 Préparation d'un film de revêtement anti-réflecteur
50 g d'un copolymère préparé conformément aux exemples 1 à 6 ci-dessus est mélangé avec 0,1à 30 % (poids/poids) d'un des composés des tableaux 1 a et 1b ci-dessus dans environ 100 g de méthyléther-acétate de propylèneglycol (PGMEA) et le mélange est complètement dissous. La solution est filtrée, appliquée sur une gaufrette et durcie par cuissons à 100 à 300 C pendant 10 à 1000 secondes. Ensuite, un film sensible à la lumière est revêtu sur ce film anti-réflecteur pour former un dispositif semi-conducteur convenant à la formation d'un structure fine dans un procédé photolithographique conventionnel.
Les polymères selon la présente invention présentent une solubilité élevée dans la plupart des solvants hydrocarbonés, mais le revêtement anti-réflecteur est rendu insoluble dans tout solvant après durcissement par cuisson. Par conséquent, les polymères selon la présente invention sont d'une utilisation supérieur dans un film photorésis et ne présentent pas de problèmes tels que coupure ou foulage durant la formation de la structure.
Lorsque les polymères selon la présente invention sont utilisés en tant que revêtements anti-réflecteurs dans des procédés de formation de structure sub-micro pour la préparation de semi-conducteurs, le rendement en produit est augmenté du fait que l'élimination de la variation de dimension critique CD provenant de ce que les couches inférieures forme des structures sub-micro 64 M, 256 M, 1 G, 4G, 16 G
DRAM stables.

Claims (20)

REVENDICATIONS
1.- Un polymère diazonaphtoquinonesulfonyle substitué convenant à une utilisation dans le revêtement anti-réflecteur d'un dispositif semi-conducteur, ledit polymère étant choisi dans le groupe comprenant: (a) les polymères polyhydroxystyrène présentant la formule : (formule générale 1 )
Figure img00140001
dans laquelle R est un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C,-C, hydroxy ou hydroxyméthyle; et m/n correspond à un rapport molaire de 0,1à0,9/0,1à0,9; (b) les polymères poly (styrène-acrylate) présentant la formule : (formule générale 2)
Figure img00140002
dans laquelle R est un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C1-C6, hydroxy ou hydroxyméthyle; x est un nombre compris entre 1 et 5; et a/b/c/d correspond au rapport molaire de 0,1à0,9/0,1 à 0,9/0,1 à 0,9/0,1 à 0,9 ;
<Desc/Clms Page number 15>
dans laquelle RI est un atome d'hydrogène, un groupe méthyle ou hydroxy; et e est le degré moyen de polymérisation.
Figure img00150001
(c) les polymères novolac présentant la formule : (formule générale 3)
2. - Un polymère selon la revendication 1, dans lequel R est un atome d'hydrogène ou un radical méthyle, R, est un atome d'hydrogène ou un radical méthyle, et x est égal à 1.
Figure img00150002
3. - Un procédé de préparation d'un polymère selon la revendication 1 ou 2, qui consiste à faire réagir une résine polyhydroxystyrène (I) et un halogénure de diazonaphtoquinone (II) dans un solvant, en présence d'une amine, ainsi que montré par le schéma réactionnel suivant : (schéma réactionnel 1)
<Desc/Clms Page number 16>
dans lequel R est un atome d'hydrogène, un groupe hydroxyméthyle ou hydroxy ou un radical alkyle en C,-C,; Y est un groupe halogène ; etm/n correspond à un rapport molaire de 0,1à 0,9/0,1 à 0,9.
4. - Un procédé de préparation d'un polymère selon la revendication 1 ou 2, qui consiste à faire réagir une résine poly(styrène-acrylate) (III) et un halogénure de diazonaphtoquinone (II) réagissent dans un solvant, en présence d'une amine, ainsi que montré par le schéma réactionnel suivant : (schéma réactionnel 2)
Figure img00160001
dans lequel R est un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C,-C6, hydroxy ou hydroxyméthyle; Y est un groupe halogène ; est un nombre compris entre 1 et 5; et a/b/c/d correspond aux rapports molaires 0,1à 0,9/0,1 à 0,9/0,1 à 0,9/0,1 à 0,9.
<Desc/Clms Page number 17>
5. - Un procédé de préparation d'un polymère selon la revendication 1, qui consiste à faire réagir une résine novolac (IV) et un halogénure de diazonaphtoquinone (II) dans un solvant, en présence d'une amine, ainsi que montré par le schéma réactionnel suivant : (équation de réaction 3)
Figure img00170001
dans laquelle RI est un atome d'hydrogène, un radical méthyle ou hydroxy, Y est un atome d'halogène et e est le degré moyen de polymérisation.
6. - Un procédé selon les revendications 3,4 ou 5, dans lequel le rapport molaire de chaque réactif est de 0,1à 0,9.
7. - Un procédé selon les revendications 3,4, 5 ou 6, dans lequel l'amine est une triéthylamine.
<Desc/Clms Page number 18>
8. - Un procédé selon les revendications 3,4 ou 5, 6,7 dans lequel le solvant est choisi dans le groupe comprenant le tétrahydrofuranne, le toluène, le benzène, la méthyléthylcétone et le dioxane.
9. - Un procédé selon les revendications 3,4 ou 5, 6, 7,8, dans lequel la température de réaction est comprise entre 50 et 80 C.
10.- Une composition anti-réflectrice comprenant un polymère diazonaphtoquinonesulfonyle substitué selon la revendication 1 ou 2 et un ou plusieurs composés d'absorption de la lumière choisis dans le groupe comprenant l'anthracène et ses dérivés, les dérivés fluorénone, le fluorène et ses dérivés, le fluorénol, la xanthone, la quinazarine et la fluorescéine.
11.- Une composition de revêtement anti-réflecteur selon la revendication 10, dans laquelle ledit composé absorbant la lumière consiste en anthracène, 9anthracèneméthanol, 9-anthracènecarbonitrile, acide 9-anthracène carboxylique, 1,2,10-anthracènetriol, acide anthraflavique, 9-anthraldéhyde oxime, 9anthraldéhyde, 2-amino-7-méthyl-5-oxo-5H-[l]benzopyrano[2,3-b]pyridine-3- carbonitrile, I-aminoanthraquinone, acide anthraquinone-2-carboxylique, 1,5dihydroxyanthraquinone, anthrone, 9-anthryltrifluorométhylcétone, fluorène, acide 9fluorène acétique, 2-fluorène carboxaldehyde, acide 2-fluorène carboxylique, acide 1fluorène carboxylique, acide 4-fluorène carboxylique, acide 9-fluorène carboxylique, 9-fluorène méthanol, fluorénol, xanthone, quinizarine et fluorescéine, un dérivé d'anthracène 9-alkyle présentant la formule: (formule générale 4)
Figure img00180001
<Desc/Clms Page number 19>
Figure img00190003
un dérivé fluorénonc présentant la formule: (formule générale 7)
Figure img00190002
un dérivé d'anthracène 1 -carboxyle présentant la formule : (formule générale 6)
Figure img00190001
un dérivé d'anthracène 9-carboxylique présentant la formule : (formule générale 5)
<Desc/Clms Page number 20>
dans lesquelles R5, R6 et R7 sont, indépendamment l'un de l'autre, un atome d'hydrogène, un radical cycloalcoxyalkyle, alcoxyalkyle, cycloalkyle ou alkyle en C,-C5, linéaire ou ramifié, substitué ou non substitué; R8- R15 sont, indépendamment l'un de l'autre, un atome d'hydrogène, un radical cycloalcoxyalkyle, alcoxyalkyle, cyclo-
Figure img00200003
ou un dérivé fluorénonc présentant la formule : (formule générale 10)
Figure img00200002
un dérive fluorénone présentant la formule: (formule générale 9) @
Figure img00200001
un dérivé fluorénone présentant la formule: (formule générale 8)
<Desc/Clms Page number 21>
alkyle ou alkyle en C,-C5, R16 et R17 sont, indépendamment t'un de l'autre, un radical alkyle, et p est un nombre entier.
12.- Une composition de revêtement anti-réflecteur selon la revendication 10 ou 11, dans laquelle la composition est utilisée comme lithographie KrF.
13.- Un procédé de préparation d'une composition de revêtement antiréflecteur qui consiste: - à dissoudre un polymère selon la revendication 1 ou 2 dans 200 à environ
5000 % (poids/poids) d'un solvant organique; et - à ajouter à la solution résultante un ou plusieurs composés d'absorption de la lumière choisis dans le groupe comprenant : anthracène,9-anthracèneméthanol,
9-anthracènecarbonitrile, acide 9-anthracène carboxylique, 1,2,10-anthracène- triol, acide anthraflavique, 9-anthraldéhyde oxime, 9-anthraldéhyde, 2-amino-
Figure img00210001
7-méthyl-5-oxo-5H-[l ]benzopyrano[2,3-b ]pyridine-3-carbonitrile, 1 -amino- anthraquinone, acide anthraquinone-2-carboxylique, 1,5-dihydroxyanthra- quinone, anthrone, 9-anthryltrifluorométhylcétone, fluorène, acide 9-fluorène acétique, 2-fluorène carboxaldehyde, acide 2-fluorène carboxylique, acide 1- fluorène carboxylique, acide 4-fluorène carboxylique, acide 9-fluorène carboxylique, 9-fluorène méthanol, fluorénol, xanthone, quinizarine et fluorescéine, un dérivé d'anthracène 9-alkyle présentant la formule: (formule générale 4)
Figure img00210002
<Desc/Clms Page number 22>
Figure img00220003
un dérivé fluorénonc présentant la formule: (formule générale 7)
Figure img00220002
un dérivé d'anthracène 1-carboxyle présentant la formule: (formule générale 6)
Figure img00220001
un dérivé d'anthracène 9-carboxylique présentant la formule: (formule générale 5)
<Desc/Clms Page number 23>
dans lesquelles R5, R6 et R, sont, indépendamment l'un de l'autre, un atome d'hydrogène, un radical cycloalcoxyalkyle, alcoxyalkyle, cycloalkyle ou alkyle en C-C5, linéaire ou ramifié, substitué ou non substitué; R8- R15 sont, indépendamment l'un de l'autre, un atome d'hydrogène, un radical cycloalcoxyalkyle, alcoxyalkyle, cyclo-
Figure img00230003
ou un dérive fluorénone présentant la formule: (formule générale 10)
Figure img00230002
un dérivé fluorénone présentant la formule: (formule générale 9)
Figure img00230001
un dérivé fluorénonc présentant la formule: (formule générale 8)
<Desc/Clms Page number 24>
alkyle ou alkyle en C1-C5, R16 et R17 sont, indépendamment l'un de l'autre, un radical alkyle, et p est un nombre entier.
14.- Un procédé selon la revendication 13, dans lequel la quantité de composé absorbant la lumière est de 0,1 à 40 % (poids/poids).
15.- Un procédé selon la revendication 13ou 14, dans lequel le solvant est choisi dans le groupe comprenant l'éthyl-3-éthoxypropionate, le méthyl-3méthoxypropionate, le cyclohexanone, le propylèneglycol et le méthylétheracétate.
16. - Un revêtement anti-réflecteur contenant un polymère selon la revendication 1 ou 2.
17. - Un revêtement anti-réflecteur selon la revendication 16, convenant à une utilisation en photolithographique ArF.
18.- Un procédé de formation d'un revêtement anti-réflecteur comprenant les étapes de: - dissolution du polymère selon la revendication 1 ou 2 dans un solvant pour former une solution; - revêtement de ladite solution sur une gaufrette de silice ; - durcissement de ladite gaufrette à 100 à 300 C pendant 10 à 1000 secondes.
19. - Un procédé de formation d'une composition de revêtement antiréflecteur selon la revendication 18, comprenant en outre: la dissolution avec le polymère de la revendication 1, d'un ou plusieurs des composés absorbant la lumière choisis dans le groupe comprenant anthracène,
9-anthracèneméthanol, 9-anthracènecarbonitrile, acide 9-anthracène carboxy- lique. 1,2,10-anthracènetriol, acide anthraflavique, 9-anthraldéhyde oxime, 9-
Figure img00240001
anthraldéhyde, 2-amino-7-méthyl-5-oxo-5H-[l]benzopyrano[2,3-b]pyridine-3- carbonitrile, 1-aminoanthraquinone, acide anthraquinone-2-carboxylique, 1,5- dihydroxyanthraquinone, anthrone, 9-anthryltrifluorométhylcétone, fluorène, acide 9-fluorène acétique, 2-fluorène carboxaldehyde, acide 2-fluorène carboxylique, acide 1-fluorène carboxylique, acide 4-fluorène carboxylique, acide 9-fluorène carboxylique, 9-fluorène méthanol, fluorénol, xanthone, quinizarine et fluorescéine, un dérivé d'anthracène 9-alkyle présentant la formule:
<Desc/Clms Page number 25>
Figure img00250003
un dérivé d'anthracène 1-carboxyle présentant la formule: (formule générale 6)
Figure img00250002
un dérivé d'anthracène 9-carboxylique présentant la formule: (formule générale 5)
Figure img00250001
(formule générale 4)
<Desc/Clms Page number 26>
Figure img00260003
un dérivé fluorénone présentant la formule: (formule générale 9)
Figure img00260002
un dérivé fluorénone présentant la formule: (formule générale 8) @
Figure img00260001
un dérivé fluorénone présentant la formule : (formule générale 7)
<Desc/Clms Page number 27>
dans lesquelles R5, R6 et R7 sont, indépendamment l'un de l'autre, un atome d'hydrogène, un radical cycloalcoxyalkyle, alcoxyalkyle, cycloalkyle ou alkyle en C1-C5, linéaire ou ramifié, substitué ou non substitué; R8 et R15 sont, indépendamment l'un de l'autre, un atome d'hydrogène, un radical cycloalcoxyalkyle, alcoxyalkyle, cycloalkyle ou alkyle en C1-C5, R16 et R17 sont, indépendamment l'un del'autre, un radical alkyle, alcoxyalkyle; et p est un nombre entier.
Figure img00270001
ou un dérivé fluorénone présentant la formule: (formule générale 10)
20. - Un dispositif semi-conducteur comprenant un revêtement antiréflecteur à base d'un polymère diazonaphtoquinonesulfonyle substitué choisi dans le groupe comprenant: (a) les polymères polyhydroxystyrène présentant la formule : (formule générale 1 )
Figure img00270002
<Desc/Clms Page number 28>
dans laquelle RIest un atome d'hydrogène, un groupe méthyle ou hydroxy; et c est le degré moyen de polymérisation.
Figure img00280002
dans laquelle R est un atome d'hydrogène, un radical alkyle en C1-C6, hydroxy ou hydroxyméthyle; \ est un nombre compris entre 1 et 5; et a/b/c/d correspond au rapport molaire de 0.1à 0,9/0,1 à 0,9/0,1 à 0,9/0,1 à 0,9; et (c) les polymères novolac présentant la formule: (formule générale 3)
Figure img00280001
dans laquelle R est un atome d'hydrogène, un radical alkOyle en C1-C6, hydroxy ou hydroxyméthyle; et m/n correspond à un rapport molaire de 0,1à0,9/0,1 à 0,9; (b) les polymères poly(styrène-acrylate) présentant la formule: (formule générale 2)
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TW (1) TWI227259B (fr)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6824879B2 (en) 1999-06-10 2004-11-30 Honeywell International Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
KR100804873B1 (ko) * 1999-06-10 2008-02-20 얼라이드시그날 인코퍼레이티드 포토리소그래피용 ｓｏｇ 반사방지 코팅
KR100557606B1 (ko) * 1999-08-31 2006-03-10 주식회사 하이닉스반도체 유기 난반사 방지용 중합체
KR100427440B1 (ko) * 1999-12-23 2004-04-17 주식회사 하이닉스반도체 유기 반사방지 화합물 및 그의 제조방법
US7132219B2 (en) * 2001-02-02 2006-11-07 Brewer Science Inc. Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition
JP3509760B2 (ja) * 2001-02-08 2004-03-22 株式会社半導体先端テクノロジーズ 半導体装置の製造方法
KR100465866B1 (ko) * 2001-10-26 2005-01-13 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
JP4381143B2 (ja) * 2001-11-15 2009-12-09 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド フォトリソグラフィー用スピンオン反射防止膜
US6852474B2 (en) * 2002-04-30 2005-02-08 Brewer Science Inc. Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition
CN1669130A (zh) * 2002-09-20 2005-09-14 霍尼韦尔国际公司 用于低介电常数材料的夹层增粘剂
US7056826B2 (en) * 2003-01-07 2006-06-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of forming copper interconnects
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
US7078336B2 (en) * 2003-11-19 2006-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for fabricating a copper barrier layer with low dielectric constant and leakage current
US20050255410A1 (en) 2004-04-29 2005-11-17 Guerrero Douglas J Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers
US20060255315A1 (en) * 2004-11-19 2006-11-16 Yellowaga Deborah L Selective removal chemistries for semiconductor applications, methods of production and uses thereof
JP4720988B2 (ja) * 2005-07-11 2011-07-13 日産化学工業株式会社 フルオレン構造を有する化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物
KR100671114B1 (ko) 2005-07-28 2007-01-17 제일모직주식회사 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물
US7419611B2 (en) * 2005-09-02 2008-09-02 International Business Machines Corporation Processes and materials for step and flash imprint lithography
US7488771B2 (en) * 2005-09-02 2009-02-10 International Business Machines Corporation Stabilization of vinyl ether materials
US7914974B2 (en) 2006-08-18 2011-03-29 Brewer Science Inc. Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process
JP4952906B2 (ja) * 2006-11-15 2012-06-13 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 封止樹脂組成物及び発光素子
US8642246B2 (en) * 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
WO2009028360A1 (fr) * 2007-08-24 2009-03-05 Toray Industries, Inc. Composition photosensible, film durci formé à partir de celle-ci et dispositif à film durci
JP5357186B2 (ja) 2008-01-29 2013-12-04 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． 多重暗視野露光によるハードマスクのパターン形成のためのオントラックプロセス
US9640396B2 (en) 2009-01-07 2017-05-02 Brewer Science Inc. Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
JP5842503B2 (ja) * 2010-09-29 2016-01-13 Jsr株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法
KR101811064B1 (ko) 2010-09-29 2017-12-20 제이에스알 가부시끼가이샤 패턴형성 방법, 레지스트 하층막의 형성 방법, 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 레지스트 하층막
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
KR101993480B1 (ko) * 2011-12-16 2019-06-26 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 하층막 형성용 수지 조성물, 레지스트 하층막, 그의 형성 방법 및 패턴 형성 방법
JP6160068B2 (ja) * 2011-12-16 2017-07-12 Jsr株式会社 レジスト下層膜形成用樹脂組成物、レジスト下層膜、その形成方法及びパターン形成方法
EP3194502A4 (fr) 2015-04-13 2018-05-16 Honeywell International Inc. Formulations de polysiloxane et revêtements pour applications optoélectroniques
CN107797384B (zh) * 2016-09-07 2020-10-09 上海飞凯电子材料有限公司 一种感光树脂、正性光刻胶及应用
CN117820910A (zh) * 2022-06-30 2024-04-05 华为技术有限公司 涂层材料和集成电路及制备方法、电子设备

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2262329A1 (fr) * 1974-02-21 1975-09-19 Fuji Photo Film Co Ltd
JPH0210346A (ja) * 1988-06-29 1990-01-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成材料
EP0455223A2 (fr) * 1990-05-02 1991-11-06 Sumitomo Chemical Company, Limited Composition résiste
KR920005774B1 (ko) * 1990-06-16 1992-07-18 제일합섬 주식회사 반도체용 포지티브 포토레지스트 조성물
EP0501308A1 (fr) * 1991-02-28 1992-09-02 Hoechst Aktiengesellschaft Polymères sensibles aux radiations contenant des groupements naphthoquinone-2-diazid-4-sulfonyl et leur utilisation comme matériel d'enregistrement en positif
WO1996011895A1 (fr) * 1994-10-12 1996-04-25 Fusion Systems Corporation Procede de traitement d'un revetement antireflet sur un substrat
US5529880A (en) * 1995-03-29 1996-06-25 Shipley Company, L.L.C. Photoresist with a mixture of a photosensitive esterified resin and an o-naphthoquinone diazide compound
WO1996020429A1 (fr) * 1994-12-23 1996-07-04 Horsell P.L.C. Plaque lithographique
US5576138A (en) * 1994-04-22 1996-11-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive-working naphtho quinone diazide sulfonic acid ester photoresist composition containing select combination of additives
WO1998006008A1 (fr) * 1996-08-07 1998-02-12 Clariant International, Ltd. Composition de resine photosensible positive contenant un 2,4-dinitro-1-naphtol
EP0886182A1 (fr) * 1997-06-16 1998-12-23 Sumitomo Chemical Company, Limited Composition pour photoréserve de type positif

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3100077A1 (de) * 1981-01-03 1982-08-05 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters
US4822718A (en) 1982-09-30 1989-04-18 Brewer Science, Inc. Light absorbing coating
US5674648A (en) 1984-08-06 1997-10-07 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating
GB8430377D0 (en) * 1984-12-01 1985-01-09 Ciba Geigy Ag Modified phenolic resins
GB8505402D0 (en) * 1985-03-02 1985-04-03 Ciba Geigy Ag Modified phenolic resins
JP2740837B2 (ja) * 1987-01-30 1998-04-15 コニカ株式会社 多色転写画像形成方法
JPH05188588A (ja) * 1992-01-08 1993-07-30 Konica Corp 感光性平版印刷版
US5525457A (en) * 1994-12-09 1996-06-11 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Reflection preventing film and process for forming resist pattern using the same
TW457403B (en) 1998-07-03 2001-10-01 Clariant Int Ltd Composition for forming a radiation absorbing coating containing blocked isocyanate compound and anti-reflective coating formed therefrom

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2262329A1 (fr) * 1974-02-21 1975-09-19 Fuji Photo Film Co Ltd
JPH0210346A (ja) * 1988-06-29 1990-01-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成材料
EP0455223A2 (fr) * 1990-05-02 1991-11-06 Sumitomo Chemical Company, Limited Composition résiste
KR920005774B1 (ko) * 1990-06-16 1992-07-18 제일합섬 주식회사 반도체용 포지티브 포토레지스트 조성물
EP0501308A1 (fr) * 1991-02-28 1992-09-02 Hoechst Aktiengesellschaft Polymères sensibles aux radiations contenant des groupements naphthoquinone-2-diazid-4-sulfonyl et leur utilisation comme matériel d'enregistrement en positif
US5576138A (en) * 1994-04-22 1996-11-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive-working naphtho quinone diazide sulfonic acid ester photoresist composition containing select combination of additives
WO1996011895A1 (fr) * 1994-10-12 1996-04-25 Fusion Systems Corporation Procede de traitement d'un revetement antireflet sur un substrat
WO1996020429A1 (fr) * 1994-12-23 1996-07-04 Horsell P.L.C. Plaque lithographique
US5529880A (en) * 1995-03-29 1996-06-25 Shipley Company, L.L.C. Photoresist with a mixture of a photosensitive esterified resin and an o-naphthoquinone diazide compound
WO1998006008A1 (fr) * 1996-08-07 1998-02-12 Clariant International, Ltd. Composition de resine photosensible positive contenant un 2,4-dinitro-1-naphtol
EP0886182A1 (fr) * 1997-06-16 1998-12-23 Sumitomo Chemical Company, Limited Composition pour photoréserve de type positif

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DATABASE WPI Section Ch Week 9009, Derwent World Patents Index; Class A89, AN 1990-061557, XP002162665 *
DATABASE WPI Section Ch Week 9309, Derwent World Patents Index; Class A21, AN 1993-073976, XP002162664 *
KATSUAKI KAIFU: "APPLICATION OF DIAZONAPHTOQUINONE COMPOUNDS AND A DIAZONIUM SALT TO CONTRAST ENHANCED LITHOGRAPHY", JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY - PART B, vol. 5, no. 1, February 1987 (1987-02-01), WOODBURY,NY,USA, pages 439 - 441, XP002162663 *

Also Published As

Publication number Publication date
ITTO991027A0 (it) 1999-11-24
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