FR2738926A1 - Module modulateur de lumiere et procede pour fabriquer un tel module - Google Patents

Module modulateur de lumiere et procede pour fabriquer un tel module Download PDF

Info

Publication number
FR2738926A1
FR2738926A1 FR9604009A FR9604009A FR2738926A1 FR 2738926 A1 FR2738926 A1 FR 2738926A1 FR 9604009 A FR9604009 A FR 9604009A FR 9604009 A FR9604009 A FR 9604009A FR 2738926 A1 FR2738926 A1 FR 2738926A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
terminal
light modulator
wire
resistor
semiconductor light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR9604009A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2738926B1 (fr
Inventor
Eitaro Ishimura
Yasunori Miyazaki
Minoru Kawano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of FR2738926A1 publication Critical patent/FR2738926A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2738926B1 publication Critical patent/FR2738926B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50—Transmitters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0121—Operation of devices; Circuit arrangements, not otherwise provided for in this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
    • G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
    • G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
    • G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0265—Intensity modulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0427—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

La présente invention concerne un module modulateur de lumière ainsi que le procédé de fabrication de celui-ci. Le module est caractérisé en ce qu'il comprend notamment une résistance terminale (5) pour terminer une ligne en bande (3); un premier fil (4) reliant la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur (1) à une première borne de la ligne en bande (3); et un second fil (10) reliant la première extrémité de la résistance terminale (5) à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur (5). L'invention trouve application dans le domaine de l'électronique.

Description

1 2738926
La présente invention concerne un module modulateur de lumière et un procédé de fabrication du module modulateur de lumière et, plus particulièrement, un câblage à un modulateur de lumière à semiconducteur dans le module modulateur de lumière. La figure 10 (a) est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière de l'art antérieur pour expliquer un câblage à un modulateur de lumière à semiconducteur. Dans cette figure, le chiffre de référence 25 désigne un modulateur de lumière et une pastille laser intégrés comprenant un laser à semiconducteur 2 et un modulateur de lumière à semiconducteur i qui est optiquement couplé au laser 2. Bien que cela ne soit pas représenté à la figure, le modulateur de lumière à semiconducteur 1 est optiquement couplé à une lentille. Le modulateur de lumière
et la pastille laser intégrés 25 sont disposés sur un sous-
montage 9. Un patte de liaison 21 pour le modulateur de lumière 1 et une patte de liaison 22 pour le laser 2 sont disposées sur un côté du sousmontage 9. Le sous-montage 9
est disposé sur un support 20 comprenant un conducteur.
Sur le support 20, un diélectrique d'alumine en bande 23 ayant une épaisseur prescrite est disposé en parallèle au sous-montage 9 et un conducteur en bande 24 ayant une largeur prescrite est disposé dans le centre de la surface du diélectrique d'alumine 23. Le support 20, le diélectrique d'alumine 23 et le conducteur en bande 24 forment une ligne en bande 3 qui est une sorte de ligne plate parallèle en plan. Par exemple, la ligne en bande 3 comprend un conducteur en bande 24 d'une largeur de 250 pmn et un diélectrique d'alumine 23 d'une épaisseur de 250 Mm et a une impédance caractéristique Z0 de 50 Q. Une résistance terminale 5 et comprenant une résistance de film mince est fabriquée sur une portion terminale du diélectrique d'alumine 23. Une extrémité de la résistance terminale 5 est reliée à une première borne du conducteur en bande 24 tandis que l'autre extrémité de celle-ci est reliée à un trou traversant 6 à la masse. La résistance de la résistance terminale 5 est de 50 Q qui est
2 2738926
équivalente à l'impédance caractéristique Z0 de la ligne en
bande 3 pour rendre la ligne en bande 3 en ligne d'accord.
Une seconde borne, opposée à la première borne, du conducteur en bande 24 est reliée à une alimentation de signaux 8. Une borne de signal d'entrée du modulateur de lumière à semiconducteur 1 est reliée à la première borne du conducteur en bande 24 par l'intermédiaire de la patte de liaison 21 par un fil 4. De préférence, un fil d'or de 25 pm de 0 est utilisé comme fil 4. Un fil d'alimentation 7 pour fournir une alimentation électrique au laser à semiconducteur 2 est relié au laser à semiconducteur 2 par l'intermédiaire de la patte
de liaison 22.
La figure 10(b) est un schéma de circuit équivalent du module modulateur de lumière représenté en figure 10 (a), par lequel un signal électrique haute fréquence appliqué au circuit de l'alimentation en signaux 8 est transmis au modulateur de lumière à semiconducteur 1. Dans ce schéma de circuit équivalent, le caractère de référence L1 désigne une inductance du fil 4, C désigne une capacité du modulateur de lumière à semiconducteur 1, R désigne une résistance de la résistance terminale 5, et Z0 désigne une impédance caractéristique de la ligne en bande 3. La ligne en bande 3 ayant l'impédance caractéristique Z0 est reliée à l'alimentation en signaux 8. La résistance R et un circuit série comprenant l'inductance L1 et le condensateur C sont reliés en parallèle, et un noeud de la résistance R et du circuit série est relié à la ligne en bande 3. L'inductance
L1 du fil 4 est proportionnelle à la longueur du fil 4.
Une description est donnée du fonctionnement du module
modulateur de lumière de l'art antérieur. Une lumière laser émise du laser à semiconducteur 2 est appliquée au modulateur de lumière à semiconducteur 1. Puisque des signaux électriques de haute fréquence sont appliqués par la ligne en bande 3 et le fil 4 à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur 1, la lumière laser est modulée en réponse aux signaux de haute fréquence et
3 2738926
émise à une lentille. Les signaux de haute fréquences ont une
bande de fréquence de 2 - 10 GHz.
Lorsque le modulateur de lumière à semiconducteur 1 module la lumière laser par des signaux électriques de haute fréquence, si l'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux 8 n'est pas équivalente à l'impédance de l'alimentation en signaux 8 vue par le circuit, certains des signaux de haute fréquence appliqués au circuit de l'alimentation en signaux 8 n'atteignent pas le modulateur de lumière 1 et retournent à l'alimentation en signaux 8. Ce phénomène est appelé une réflection haute-fréquence ou une perte de retour Sll et la perte de retour Sll est définie par
Sll = 10 log (énergie de réflection/énergie d'entrée).
Comme on peut le voir à partir de la figure 10(b), cette perte de retour Sll est significativement influencée par le câblage au modulateur de lumière à semiconducteur 1 en ce que l'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux 8 dépend de l'inductance L1 du fil 4. Lorsque la perte de retour Sll est grande, la forme d'onde du signal électrique de haute-fréquence est désordonnée. Aussi, la perte de retour Sll est souhaitée pour être aussi petite que possible. Cependant, dans le module modulateur de lumière de l'art antérieur, par exemple, la perte de retour Sll à 2,5 GHz est aussi élevé que - 5 dB, et il est nécessaire de
réduire la perte de retour à environ - 10 dB.
C'est un objet de la présente invention de réaliser un module modulateur de lumière qui peut réduire la perte de retour en reliant une résistance terminale à une borne d'une ligne en bande par un fil et un procédé de fabrication du
module modulateur de lumière.
D'autres objets et avantages de l'invention deviendront
apparents à partir de la description détaillée qui suit. La
description détaillée et des modes de réalisation spécifiques
décrits sont prévus seulement pour une illustration puisque diverses additions et modifications dans la portée de
4 2738926
l'invention seront apparentes à ceux de l'art à partir de la
description détaillée.
Selon un premier aspect de la présente invention, un module modulateur de lumière comprend une alimentation en signaux pour fournir un signal électrique de haute fréquence un laser à semiconducteur et un modulateur de lumière à semiconducteur ayant une borne d'entrée de signaux étant intégrés sur un sous-montage, le laser à semiconducteur produisant une lumière laser et le modulateur de lumière semiconducteur modulant la lumière laser en réponse au signal électrique de haute-fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée des signaux; une ligne en bande pour transmettre le signal électrique de haute-fréquence, la ligne en bande ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux; une résistance terminale pour terminer la ligne en bande, la résitance terminale ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; un premier fil reliant la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur à la première borne de la ligne en bande; et un second fil reliant la première extrémité de la résistance terminale à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur. Dans cette structure, une inductance du second fil et une inductance du premier fil sont présentes entre l'alimentation en signaux et la résistance terminale. De ce fait, lorsque la fréquence du signal est augmentée, du courant circulant dans la résistance terminale diminue et cette diminution compense une augmentation en courant circulant à travers le modulateur de lumière, de la sorte la dépendance de fréquence du courant total est réduite. En conséquence, un écart d'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux d'une valeur
prescrite est réduit et la perte de retour est réduite.
Selon un second aspect de la présente invention, dans le module modulateur de lumière ci-dessus décrit, la
résistance terminale est disposée sur une portion du sous-
montage. Dans cette structure, puisqu'un espace vacant du
2738926
sous-montage est effectivement utilisé, la dimension du
module modulateur de lumière est réduite.
Selon un troisième aspect de la présente invention, dans le module modulateur de lumière laser ci-dessus décrit, l'emplacement de la résistance terminale peut être changé. De ce fait, la longueur du second fil peut être changée de sorte que l'inductance du second fil prend la valeur optimum en changeant l'emplacement de la résistance terminale, de la
sorte la perte de retour est minimisée.
Selon un quatrième aspect de la présente invention, le module modulateur de lumière ci-dessus décrit comprend de plus une patte de liaison disposée sur le sous-montage et reliant le second fil. De ce fait, le second fil est divisé en deux parties, c'est-à-dire, une partie reliant le modulateur de lumière à la seconde patte de liaison et une partie reliant la seconde patte de liaison à la résistance terminale. Puisque la longueur de chaque partie du second fil
est courte, la résistance du second fil est augmentée.
Selon un cinquième aspect de la présente invention, un module modulateur de lumière comprend une alimentation en signaux pour fournir un signal électrique de haute fréquence; un laser à semiconducteur et un modulateur de lumière à semiconducteur intégrés, le modulateur de lumière à semiconducteur ayant une borne d'entrée de signaux, le laser à semiconducteur produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur modulant la lumière laser en réponse au signal électrique de haute-fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux; une ligne en bande pour transmettre le signal électrique de haute fréquence, la ligne en bande ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux; une résistance terminale pour terminer la ligne en bande, la résistance terminale ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; un premier fil reliant la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur à la première borne de la ligne en bande; et un second fil
6 2738926
reliant la première extrémité de la résistance terminale & une portion intermédiaire du premier fil. Dans cette structure, une inductance du second fil et une inductance d'une portion du premier fil sont présentes entre l'alimentation en signaux et la résistance terminale. De ce fait, lorsque la fréquence du signal est augmentée, du courant circulant dans la résistance terminale diminue et cette diminution compense une augmentation en courant circulant à travers le modulateur de lumière, de la sorte la dépendance des fréquences du courant total est réduite. En conséquence, un écart d'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux d'une valeur prescrite est réduit
et la perte de retour est réduite.
Selon un sixième aspect de la présente invention, dans le module modulateur de lumière ci-dessus décrit, la résistance terminale est disposée & proximité de la première borne de la ligne en bande. De ce fait, une partie d'un espace pour disposer la ligne en bande peut être ménagée pour la résistance terminale 5, résultant en une réduction dans la
dimension du module modulateur de lumière.
Selon un septième aspect de la présente invention, dans le module modulateur de lumière ci-dessus décrit, le second fil a une inductance L (nH) et le modulateur de lumière & semiconducteur a une capacité C (pF), et l'inductance L est réglée selon la formule suivante: L (nH) = C (pF) X m (m = 0,7 - 2.5 nH/pF) De ce fait, l'inductance du second fil est établie à une valeur optimum selon la capacité C du modulateur de
lumière à semiconducteur.
Selon un huitième aspect de la présente invention, un module modulateur de lumière comprend une alimentation en signaux pour fournir un signal électrique de haute fréquence; un laser à semiconducteur et un modulateur de lumière à semiconducteur intégrés, le modulateur de lumière à semiconducteur ayant une borne d'entrée de signaux, le laser à semiconducteur produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur modulant la lumière
7 2738926
laser en réponse au signal électrique de haute fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux; une ligne en bande pour transmettre le signal électrique de haute fréquence, la ligne en bande ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux; une résistance terminale pour terminer la ligne en bande, la résistance terminale ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; un premier fil reliant la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur à la première borne de la ligne en bande; et un second fil reliant la première extrémité de la résistance terminale à la première borne de la ligne en bande. Dans cette structure, une inductance du second fil et une inductance du premier fil sont présentes entre l'alimentation en signaux et la résistance terminale. De ce fait, lorsque la fréquence du signal est augmentée, du courant circulant dans la résistance terminale diminue et cette diminution compense une augmentation en courant circulant à travers le modulateur de lumière, de la sorte la dépendance de fréquence du courant total est réduite. En conséquence, un écart d'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux d'une valeur
prescrite est réduit et la perte de retour est réduite.
Selon un neuvième aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un module modulateur de lumière comprend les étapes de préparer un sous-montage sur lequel un laser à semiconducteur et un modulateur de lumière à semiconducteur ayant une borne d'entrée de signaux sont montés, le laser à semiconducteur produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur modulant la lumière laser en réponse à un signal électrique de haute fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière d'une alimentation en signaux; disposer un sous-montage sur un support; disposer une ligne en bande pour transmettre le signal électrique de haute fréquence sur le support, la ligne en bande ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant
8 2738926
reliée à l'alimentation en signaux; disposer une résistance terminale pour terminer la ligne en bande sur le support, la résistance terminale ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; relier la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur à la première borne de la ligne en bande par un premier fil; et relier la première extrémité de la résistance terminale à la borne d'entrée de signaux du
modulateur de lumière à semiconducteur par un second fil.
Dans un module modulateur de lumière fabriqué comme décrit ci-dessus, une inductance du second fil et une inductance du premier fil sont présentes entre l'alimentation en signaux et la résistance terminale. De ce fait, lorsque la fréquence du signal est augmentée, du courant circulant dans la résistance terminale diminue et cette diminution compense une augmentation en courant circulant à travers le modulateur de lumière, de la sorte la dépendance de fréquence du courant total est réduite. En conséquence, un écart d'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux d'une valeur
prescrite est réduit et la perte de retour est réduite.
Selon un dixième aspect de la présente invention, dans le procédé cidessus décrit, la résistance terminale est disposée sur une portion du sous-montage. Puisqu'un espace vacant du sous-montage est effectivement utilisé, la
dimension du module modulateur de lumière est réduite.
Selon un onzième aspect de la présente invention, dans le procédé cidessus décrit, la longueur du second fil est réglée en changeant la position o la résistance terminale est disposée. De ce fait, la longueur du second fil peut être changée de sorte que l'inductance du second fil prend la valeur optimum en changeant l'emplacement de la résistance
terminale, de la sorte la perte de retour est minimisée.
Selon un douzième aspect de la présente invention, dans le procédé cidessus décrit, une patte de liaison qui relaye le second fil est disposée sur le sous-montage. De ce fait, le second fil est divisé en deux parties, à savoir une partie reliant le modulateur de lumière à la seconde patte de
9 2738926
liaison et une partie reliant la seconde patte de liaison à la résistance terminale. Puisque la longueur de chaque partie du second fil est courte, la résistance mécanique du second
fil est augmentée.
Selon un treizième aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un module modulateur de lumière comprend préparer un sousmontage sur lequel un laser à semiconducteur et un modulateur de lumière à semiconducteur ayant une borne d'entrée de signaux sont montés, le laser à semiconducteur produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur modulant la lumière laser en réponse à un signal électrique de haute-fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux du modulateur de
lumière d'une alimentation en signaux; disposer le sous-
montage sur un support; disposer une ligne en bande pour transmettre le signal électrique de haute fréquence sur le support, la ligne en bande ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux; disposer une résistance terminale pour terminer la ligne en bande sur le support, la résistance terminale ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; relier la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur à la première borne de la ligne en bande par un premier fil; et relier la première extrémité de la résistance terminale à
une portion intermédiaire du premier fil par un second fil.
Dans le module modulateur de lumière fabriqué comme décrit ci-dessus, une inductance du second fil et une inductance d'une portion du premier fil sont présentes entre l'alimentation en signaux et la résistance terminale. De ce fait, lorsque la fréquence du signal est augmentée, du courant circulant dans la résistance terminale diminue et cette diminution compense une augmentation de courant circulant à travers le modulateur de lumière, de la sorte la dépendance de fréquence du courant total est réduite. En conséquence, un écart d'impédance du circuit vue par
2738926
l'alimentation en signaux d'une valeur prescrite est réduit
et la perte de retour est réduite.
Selon un quatorzième aspect de la présente invention, dans le procédé cidessus décrit, la résistance terminale est disposée à proximité de la première borne de la ligne en bande. De ce fait, une partie d'un espace pour disposer la ligne en bande peut être ménagé pour la résistance terminale , résultant en une réduction en la dimension du module
modulateur de lumière.
Selon un quinzième aspect de la présente invention, dans le procédé cidessus décrit, le second fil a une inductance L (nH) et le modulateur de lumière à semiconducteur a une capacité C (pF) et l'inductance de L est réglée selon la formule suivante: L (nH) = C (pF) X m (m = 0,7 - 2.5 nH/pF) De ce fait, l'inductance du second fil est établie à une valeur optimum selon la capacité C du modulateur de
lumière à semiconducteur.
Selon un seizième aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un module modulateur de lumière comprend préparer un sousmontage sur lequel un laser à semiconducteur et un modulateur de lumière à semiconducteur ayant une borne d'entrée de signaux sont montés, le laser à semiconducteur produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur modulant la lumière laser en réponse à un signal électrique de haute-fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux du modulateur de
lumière d'une alimentation en signaux; disposer le sous-
montage sur un support; disposer une ligne en bande pour transmettre le signal électrique de haute fréquence sur le support, la ligne en bande ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux; disposer une résistance terminale pour terminer la ligne en bande sur le support, la résistance terminale ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; relier la bande d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur 1il 2738926 à la première borne de la ligne en bande par un premier fil; et relier la première extrémité de la résistance terminale à
la première borne de la ligne en bande par un second fil.
Dans un module modulateur de lumière fabriqué comme décrit ci-dessus, une inductance du second fil et une inductance du premier fil sont présentes entre l'alimentation en signaux et la résistance terminale. De ce fait, lorsque la fréquence du signal est augmentée, du courant circulant dans la résistance terminale diminue et cette diminution compense une augmentation en courant circulant à travers le modulateur de lumière, de la sorte la dépendance de fréquence du courant total est réduite. En conséquence, un écart d'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux d'une valeur
prescrite est réduit et la perte de retour est réduite.
L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci
apparaîtront plus clairement au cours de la description
explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: - La figure l(a) est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon un premier mode de réalisation de la présente invention et la figure l(b) est un schéma de circuit équivalent de celui-ci; - La figure 2 est un graphe représentant la relation entre la fréquence et la perte de retour pour expliquer un effet du premier mode de réalisation de la présente invention; - Les figures 3(a), 3(b) sont des schémas de circuit pour expliquer une fonction du premier mode de réalisation de la présente invention; - La figure 4 est un graphe représentant la relation entre l'inductance d'un second fil et la perte de retour selon le premier mode de réalisation de la présente invention;
12 2738926
- La figure 5 est un graphe représentant la relation entre l'inductance optimum du second fil et la capacité d'un modulateur de lumière à semiconducteur selon le premier mode de réalisation de la présente invention; - La figure 6 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon un second mode de réalisation de la présente invention; - La figure 7 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon un troisième mode de réalisation de la présente invention; - La figure 8 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention; - La figure 9 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention; - La figure 10(a) est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon l'art antérieur et la figure 10(b) est un schéma de circuit équivalent de celui-ci; et - La figure 11 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon un
sixième mode de réalisation de la présente invention.
Mode de réalisation 1 La figure l(a) est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière pour expliquer un câblage à un modulateur de lumière à semiconducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention. Dans cette figure, le chiffre de référence 25 désigne un modulateur de lumière et une pastille laser intégrés comprenant un laser à semiconducteur 2 et un modulateur de lumière à semiconducteur 1 qui est optiquement couplé au laser 2. Le modulateur de lumière 1 module une lumière laser produite par le laser 2 en réponse à un signal électrique de haute fréquence appliqué par une alimentation en signaux 8. Bien que cela ne soit pas représenté à la figure, le modulateur de lumière à semiconducteur 1 est
13 2738926
optiquement couplé & une lentille. Le modulateur de lumière
et la pastille laser intégrés 25 sont disposés sur un sous-
montage 9. Une patte de liaison 21 pour le modulateur de lumière 1 et une patte de liaison 22 pour le laser 2 sont disposées sur un côté du sous-montage 9. Le sous-montage 9
est disposé sur un support 20 comprenant un conducteur.
Sur le support 20, une ligne en bande 3 et une résistance terminale 5 sont disposées sur les deux côtés du sous-montage 9 et en parallèle & celui-ci. Plus spécifiquement sur le côté droit du sous-montage 9 à la figure, un diélectrique d'alumine en bande 23 ayant une épaisseur prescrite est disposé en parallèle au sous-montage 9 et un conducteur en bande 24 ayant une largeur prescrite est disposé au centre de la surface diélectrique d'alumine 23. Le support 20, le diélectrique d'alumine 23 et le conducteur en bande 24 forment la ligne en bande 3 qui est une sorte de ligne plate en plan parallèle. Par exemple, la ligne en bande 3 comprend un conducteur en bande 24 d'une largeur de 250 pm et un diélectrique d'alumine 23 d'une épaisseur de 250 pm et a une impédance caractéristique Z0 de Q. Une première borne du conducteur en bande 24 est reliée à une borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur 1 par un premier fil 4 et une seconde borne, opposée à la première borne, du conducteur en bande 24 est reliée à l'alimentation en signaux 8. Le premier fil 4 est relayé par la patte de liaison 21. Cette patte de liaison 21 facilite le câblage au sous-montage 9 lorsque le sous-montage
9 est monté sur le support 20. C'est-à-dire, dans le sous-
assemblage du sous-montage 9, le modulateur de lumière à semiconducteur 1 est relié à la patte de liaison 21 par un fil et, lorsque le sous-montage 9 est monté sur le support 20 la patte de liaison 21 est reliée à la ligne en bande 3 par un fil. De préférence, un fil d'or de 25 Hm de 0 est utilisé
comme premier fil 4.
Sur le côte gauche du sous-montage 9 à la figure, un substrat d'alumine 26 est disposé et une résistance terminale comprenant une résistance à film mince est disposée sur le
14 2738926
substrat d'alumine 26. Une extrémité de la résistance terminale 5 est reliée à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière 1 par un second fil 10 et l'autre extrémité de la résistance terminale 5 est reliée & un trou traversant 6 & la masse. La résistance de la résistanceterminale 5 est de 50 Q qui est équivalente à l'impédance caractéristique Z0 de la ligne en bande 3 pour rendre la ligne en bande 3 en ligne d'accord. Un fil du même matériau que le premier fil 4 est utilisé comme second fil 10. Un fil d'alimentation 7 pour fournir une alimentation électrique au laser semiconducteur 2 est relié au laser semiconducteur 2
par l'intermédiaire d'une patte de liaison 22.
La figure l(b) est un schéma de circuit équivalent du module modulateur de lumière représenté en figure l(a), par lequel un signal électrique de haute-fréquence appliqué au circuit par l'alimentation en signaux 8 est transmis au modulateur de lumière à semiconducteur 1. Dans ce circuit équivalent, le caractère de référence L1 désigne une inductance du premier fil 4, L2 désigne une inductance du second fil 10, C désigne une capacité du modulateur de lumière à semiconducteur 1, R désigne une résistance de la résistance terminale 5, Z0 désigne une impédance caractéristique de la ligne en bande 3. La ligne en bande 3 ayant l'impédance caractéristique Z0 est relié à l'alimentation en signaux 8. L'inductance L1 est reliée à la ligne en bande 3. La capacité C et un circuit série comprenant l'inductance L2 et la résistance R sont reliés en parallèle et un noeud du condensateur C et du circuit série
est relié à l'inductance L1.
Dans la structure de l'art antérieur, la résistance
terminale 5 est reliée directement à la ligne en bande 3.
Cependant, dans ce premier mode de réalisation, la résistance terminale 5 est reliée à la ligne en bande 3 par le second fil 10 et le premier fil 4, de sorte que la perte de retour Sll du signal de haute- fréquence est réduite en comparaison à celle réalisée dans la structure de l'art antérieur. Par exemple, dans les schémas de circuits équivalents selon l'art
2738926
antérieur (figure 10(b)) et selon le premier mode de réalisation de l'invention (figure l(b)), lorsque la perte de retour Sll est calculée sur la supposition que la capacité C du modulateur de lumière 1 est de 0, 8 pF, l'inductance L1 du premier fil 4 est de 0,5 nH, l'inductance L2 du second fil 10 est de 1,2 nH, et la résistance R de la résistance terminale est de 50 Q. ces résultats sont tracés comme représenté en figure 2. La figure 2 est un graphe représentant les caractéristiques perte de retour Sll (dB) c. fréquence (GHz) selon le premier mode de réalisation en comparaison à l'art antérieur. Comme représenté en figure 2, à la fois dans le premier mode de réalisation et l'art antérieur, la perte de retour Sll augmente avec une augmentation en fréquence dans la gamme de fréquence disponible de 2 GHz à 10 GHz. Lorsque la perte de retour Sll selon le premier mode de réalisation est comparée à la perte de retour Sll selon l'art antérieur à 2,5 GHz, cette première est d'environ 10 dB inférieur à cette dernière. C'est-à-dire, la perte de retour Sll selon le premier mode de réalisation est réduite à environ 1/10 de la
perte de retour Sll selon l'art antérieur.
La fonction du circuit selon ce premier mode de réalisation sera décrite théoriquement. La perte de retour Sll prend sa plus petite valeur lorsque l'impédance du circuit relié à l'alimentation en signaux 8 est égale à
l'impédance caractéristique de la ligne en bande 3, c'est-à-
dire, 50 Q. vue par l'alimentation en signaux 8. Cependant, dans le circuit de l'art antérieur, comme on peut le voir à partir de la figure 3(a), le courant IR circulant à travers la résistance R (50 Q) de la résistance terminale est constant même lorsque la fréquence est augmentée. Par ailleurs, dans le circuit série comprenant l'inductance L1 du premier fil et la capacité C du modulateur de lumière 1, lorsque la fréquence est augmentée, la réactance du condensateur C diminue en excédant une augmentation dans la réactance de l'inductance L1 dans la gamme de fréquences disponible de 2 GHz à 10 GHz, de sorte que le courant IC qui circule à travers le condensateur C du modulateur de lumière
16 2738926
augmente avec l'augmentation en fréquence. De ce fait, l'impédance totale du circuit vue par la borne d'entrée devient inférieure à 50 Q, de la sorte la perte de retour Sll
est augmentée.
Cependant, dans le circuit selon le premier mode de réalisation de l'invention, comme on peut le voir à partir de la figure 3(b), puisque l'inductance L1 du premier fil 4 et l'inductance L2 du second fil 10 sont présentes entre la résistance R de la résistance terminale 5 et la borne d'entrée, lorsque la fréquence est augmentée, le courant IR circulant à travers la résistance R de la résistance terminale 5 diminue. La diminution dans le courant IR compense l'augmentation dans le courant IC circulant à travers le condensateur C du modulateur de lumière 1. En conséquence, la dépendance de fréquence du courant total, c'est-à-dire, IR + IC, est réduite. En d'autres termes, l'écart de l'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux 8 de 50 Q est réduit et, dans ce premier mode de réalisation, la perte de retour Sll est réduite en comparaison à celle obtenue dans le circuit de l'art antérieur. Ensuite, une valeur optimum pour l'inductance L2 du second fil 10 sera examinée. L'inductance L1 du premier fil 4 est d'environ 0,5 nH qui est équivalente à 500 Mm lorsqu'elle est convertie en une longueur d'un fil d'Au de 25 pm de 0. La capacité C du modulateur de lumière 1 est de 0,4 - 0,8 pF. La perte de retour Sll est calculée à quatre capacités différentes C, c'est-à-dire, 0,4, 0,6, 0,8 et 1,0 pF, et les résultats sont tracés comme représenté en figure 4. La figure 4 est un graphe illustrant la dépendance de la perte de retour Sll sur l'inductance L2 à 2,5 GHz. Comme on peut le voir à partir du graphe, la valeur de l'inductance L2 à laquelle la perte de retour Sll prend sa plus petite valeur (ci-après référée en inductance optimum L2) varie selon la valeur de la capacité C, mais l'inductance optimum L2 peut être approximativement représentée par L2 (nH) = C(pF) X m(nH/pF)... (1)
17 2738926
o m est la constante proportionnelle (m = 0,7 - 2,5).
Par exemple, lorsque la capacité C est de 0,4 pF, l'inductance optimum L2 est d'environ 0,5 nH à partir de la figure 4 et la constante proportionnelle m dans ce cas est de 1,25 à partir de la formule (1). La relation entre la capacité C et l'inductance optimum L2 est représentée en figure 5. En figure 5, les marques o et * représentent des valeurs de l'inductance optimum L2 à 2,5 GHz et 10 GHz, respectivement. Puisque les tracés prennent des valeurs dans une gamme de m = 0,7 à m = 2,5 en figure 5,
on confirme que la formule (1) est correcte.
Bien que les résultats représentés aux figures 4 et 5 soient obtenus lorsque l'inductance L1 du premier fil 4 est de 0,5 nH, même lorsque l'inductance L1 prend une valeur
autre que 0,5 nH, elle satisfait la condition de m = 0,7 -
2,5 dans la formule (1), de sorte que la formule (1) est applicable à ce cas. De plus, l'examen de l'inductance optimum L2 dans ce cas est accompli de la manière similaire
que décrit ci-dessus.
Comme décrit ci-dessus, selon le premier mode de réalisation de l'invention, puisque la résistance terminale 5 est reliée à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière semiconducteur 1 par le second fil 10 et le premier fil 4, l'inductance L2 du second fil 10 et l'inductance L1 du premier fil 4 sont présentes entre l'alimentation en signaux 8 et la résistance terminale 5. De ce fait, lorsque la fréquence est augmentée, le courant IR circulant à travers la résistance terminale 5 diminue et cette diminution dans le courant IR compense une augmentation dans le courant IC circulant à travers le modulateur de lumière 1 à cause de l'augmentation en fréquence. En conséquence, la perte de
retour Sll est réduite.
De plus, puisque l'inductance L2 du second fil 10 est établie sur la base de la formule (1), l'inductance L2 peut être établie à une valeur optimum pour la capacité C du
modulateur de lumière 1.
Mode de réalisation 2
18 2738926
La Figure 6 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière pour expliquer un câblage à un modulateur de lumière à semiconducteur selon un second mode de réalisation de la présente invention. En figure 6, les mêmes chiffres de référence que ceux représentés en figure 1 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. La structure représentée en figure 6 est fondamentalement identique à la structure représentée en figure i à l'excepté que la résistance terminale 5 est située à proximité de la première borne de la ligne en bande 3 et reliée à la patte de liaison 21 par le second fil 10. Plus spécifiquement, le substrat d'alumine 26 est disposé sur une ligne d'extension de la ligne en bande 3 et adjacent à la première borne de la ligne en bande 3 et la résistance terminale 5 est disposée sur le substrat d'alumine 26 de sorte qu'elle s'étend dans la direction de largeur de la ligne en bande 3. Une extrémité de la résistance terminale 5 est reliée à un trou traversant à la masse 6 et l'autre extrémité de celle-ci est reliée à la patte de liaison 21 par le second fil 10. C'est-à-dire, l'extrémité non à la masse de la résistance terminale 5 est reliée à la première borne de la ligne en bande 3 par le
second fil 10 et une partie du premier fil 4.
Dans ce second mode de réalisation de l'invention, puisque la résistance terminale 5 est située à proximité de la première borne de la ligne en bande 3, une partie de l'espace pour disposer la ligne en bande 3 peut être ménagée pour la résistance terminale 5, de la sorte on peut se dispenser de l'espace pour la résistance terminale 5 sur le côté gauche du sous-montage représenté en figure 1, résultant en une réduction dans la dimension du module modulateur de lumière. De plus, à la différence de la structure selon le premier mode de réalisation, la résistance terminale 5 est reliée à une portion intermédiaire du premier fil 4 par le second fil 10. Egalement dans ce cas, l'inductance L2 du second fil 10 et l'inductance L1 d'une partie du premier fil
19 2738926
4 sont présentes entre l'alimentation en signaux 8 et la résistance terminale 5. De ce fait, lorsque la fréquence est augmentée, le courant IR circulant à travers la résistance terminale 5 diminue et cette diminution dans le courant IR compense une augmentation dans le courant IC circulant à travers le modulateur de lumière 1 à cause de l'augmentation en fréquence. En conséquence, la perte de retour Sll est réduite. Mode de réalisation 3 La Figure 7 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière pour expliquer un cablâge à un modulateur de lumière à semiconducteur selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. Dans cette figure, les mêmes chiffres de référence que ceux en figure 1 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. La structure représentée en figure 7 est fondamentalement identique à la structure représentée en figure 1 à l'excepté qu'une seconde patte de liaison 11 est disposée sur une portion du sous-montage 9 entre la résistance terminale 5 et le modulateur de lumière à semiconducteur 1, et le second fil 10 reliant la résistance terminale 5 au modulateur de lumière 1 est relayé à la
seconde patte de liaison 11.
Dans ce troisième mode de réalisation de l'invention, la seconde patte de liaison 11 qui relaye le second fil 10 est disposée sur le sous- montage 9 et le second fil 10 est divisé en deux parties, c'est-à-dire, une partie l0a reliant le modulateur de lumière 1 à la seconde patte de liaison 11 et une partie 10b reliant la seconde patte de liaison 11 à la résistance terminale 5. Puisque la longueur de chaque partie du fil 10 est courte, la résistance mécanique du fil 10 est augmentée. Mode de réalisation 4 La Figure 8 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière pour expliquer un câblage à un modulateur de lumière à semiconducteur selon un quatrième mode de réalisation de la
2738926
présente invention. Dans cette figure, les mêmes chiffres de référence que ceux en figure 1 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. La structure représentée en figure 8 est fondamentalement identique & la structure représentée en figure 1 à l'excepté que la résistance terminale 5 est disposée sur le sous-montage 9. Plus spécifiquement, la résistance terminale 5 est située sur un espace vacant du sous-montage 9 sur le côté gauche du modulateur de lumière et du laser intégrés 25. Une extrémité de la résistance terminale 5 est directement reliée à la seconde patte de liaison 11 qui est reliée au modulateur de
lumière 1 par le second fil 10 et l'autre extrémité de celle-
ci est reliée à la masse par un troisième fil 27.
Dans ce quatrième mode de réalisation de la présente invention, puisque la résistance terminale 5 est disposée sur le sous-montage 9, un espace vacant du sous-montage 9 peut être effectivement utilisé, résultant en une réduction dans
la dimension du module modulateur de lumière.
Mode de réalisation 5 La figure 9 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière pour expliquer un câblage à un modulateur de lumière à semiconducteur selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention. Dans cette figure, les mêmes chiffres de référence que ceux représentés en figure 1 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. La structure représentée en figure 9 est fondamentalement identique à la structure représentée en figure 1 à l'excepté que
l'emplacement de la résistance terminale 5 peut être changé.
Plus spécifiquement, la résistance terminale 5, par exemple, une pastille de résistance, est fixée au substrat d'alumine 26. Dans la fabrication du module modulateur de lumière, le substrat d'alumine 26 est fixé à une portion prescrite du support 20 par soudure ou analogue. Une extrémité de la résistance terminale 5 est reliée au modulateur de lumière 1 par le second fil 10 via la seconde patte de liaison 11 et l'autre extrémité de celle-ci est reliée à la masse par le
21 2738926
troisième fil 27. Puisque la résistance terminale 5 est à la masse non pas par un trou traversant comme représenté en figure 7 mais par le troisième fil 27, le substrat d'alumine
26 est mobile avant qu'il soit fixé au support 20.
Puisque le substrat d'alumine 26 est mobile comme décrit ci- dessus, même lorsque le module modulateur de lumière est sujet à une défectuosité dans le processus d'inspection à cause d'une perte de retour défectueux grande, il est possible de rendre le module modulateur de lumière non défectueux en changeant l'emplacement du substrat d'alumine 26 et réglant la longueur du second fil 10 de sorte que la perte de retour Sll prend sa plus petite valeur. De façon identique, lorsque le module modulateur de lumière est fabriqué, la capacité C du modulateur de lumière 1 est mesurée et classée et, après cela, la résistance terminale 5 est située de sorte que le second fil 10 a une longueur optimum pour la capacité C de la rangée, de la sorte la perte de retour Sll du module modulateur de lumière est réduite
dans la production en série.
Comme décrit ci-dessus, dans ce cinquième mode de réalisation de l'invention, puisque l'emplacement de la résistance terminale 5 peut être changé, la plus petite perte de retour Sll est réalisée en réglant la longueur du second
fil 10 de sorte que le fil a l'inductance optimum.
Mode de réalisation 6 La figure 11 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon un
sixième mode de réalisation de la présente invention.
Dans les premier à cinquième modes de réalisation de l'invention, la résistance terminale est reliée à la borne de signaux d'entrée du modulateur de lumière par le second fil
ou elle est reliée à la portion intermédiaire du premier fil.
Cependant, la résistance terminale 5 peut être reliée directement à la première borne de la ligne en bande 3 par le second fil 10 comme représenté en figure 11. Egalement dans ce cas, l'inductance du second fil 10 est présente entre l'alimentation en signaux 8 et la résistance terminale 5. De
22 2738926
ce fait, lorsque la fréquence est augmentée, le courant
circulant à travers la résistance terminale 5 diminue et cette diminution en courant compense une augmentation dans le courant circulant à travers le modulateur de lumière à5 semiconducteur i à cause de l'augmentation dans la fréquence. En conséquence, la perte de retour Sll est réduite.
23 2738926

Claims (16)

REVENDICATIONS
1. Module modulateur de lumière, caractérisé en ce qu'il comprend: une alimentation en signaux (8) pour fournir un signal électrique de hautefréquence; un laser à semiconducteur (2) et un modulateur de lumière à semiconducteur (1) ayant une borne d'entrée de signaux étant intégrés sur un sous-montage (9), le laser à semiconducteur (2) produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) modulant la lumière laser en réponse au signal électrique de haute fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux; une ligne en bande (3) pour transmettre le signal électrique de haute fréquence, la ligne en bande (3) ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux (8); une résistance terminale (5) pour terminer la ligne en bande (3), la résistance terminale (5) ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; un premier fil (4) reliant la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur (1) à la première borne de la ligne en bande (3); et un second fil (10) reliant la première extrémité de la résistance terminale (5) à la borne d'entrée de signaux du
modulateur de lumière à semiconducteur (1).
2. Module selon la revendication 1, caractérisé en ce que la résistance terminale (5) est disposée sur une portion
du sous-montage (9).
3. Module selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'emplacement de la résistance terminale (5) peut être changé.
4. Module selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend de plus une patte de liaison (11) disposée sur
le sous-montage (9) et relayant le second fil (10).
24 2738926
5. Module modulateur de lumière, caractérisé en ce qu'il comprend: une alimentation en signaux (8) pour fournir un signal électrique de haute fréquence; un laser à semiconducteur (2) et un modulateur de lumière à semiconducteur (1) intégrés, le modulateur de lumière à semiconducteur (1) ayant une borne d'entrée de signaux, le laser à semiconducteur (2) produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) modulant la lumière laser en réponse au signal électrique de haute fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux; une ligne en bande (3) pour transmettre le signal électrique de haute fréquence, la ligne en bande (3) ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux (8); une résistance terminale (5) pour terminer la ligne en bande (3), la résistance terminale (5) ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; un premier fil (4) reliant la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semi-conducteur (1) à la première borne de la ligne en bande (3); et un second fil (10) reliant la première extrémité de la résistance terminale (5) à une portion intermédiaire du
premier fil (4).
6. Module selon la revendication 1 ou 5, caractérisé en ce que la résistance terminale (5) est disposée à
proximité de la première borne de la ligne en bande (3).
7. Module modulateur de lumière selon la revendication 1 ou 5, caractérisé en ce que le second fil (10) a une inductance L (nH) et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) a une capacité C (pF), et l'inductance L est réglée selon la formule suivante: L (nH) = C (pF) X m (m = 0.7 - 2.5 nH/pF)
8. Module modulateur de lumière, caractérisé en ce qu'il comprend:
2738926
une alimentation en signaux (8) pour fournir un signal électrique de haute fréquence; un laser à semiconducteur (2) et un modulateur de lumière semiconducteur (1) intégrés, le modulateur de lumière à semiconducteur (1) ayant une borne d'entrée de signaux, le laser à semiconducteur (2) produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) modulant la
lumière laser en réponse au signal électrique de haute-
fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux; une ligne en bande (3) pour transmettre le signal électrique de haute fréquence, la ligne en bande (3) ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux (8); une résistance terminale (5) pour terminer la ligne en bande (3), la résistance terminale (5) ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; un premier fil (4) reliant la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur (1) à la première borne de la ligne en bande (3); et un second fil (10) reliant la première extrémité de la résistance terminale (5) à la première borne de la ligne en
bande (3).
9. Procédé de fabrication d'un module modulateur de lumière, caractérisé en ce qu'il consiste à: préparer un sous-montage (9) sur lequel un laser à semiconducteur (2) et un modulateur de lumière à semiconducteur (1) ayant une borne d'entrée de signaux sont montés, le laser à semiconducteur (2) produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) modulant la lumière laser en réponse à un signal électrique de haute-fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière (1) à partir d'une alimentation en signaux (8); disposer un sous- montage (9) sur un support (20); disposer une ligne en bande (3) pour transmettre le signal électrique de haute fréquence sur le support (20), la
26 2738926
ligne en bande (3) ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux (8); disposer une résistance terminale (5) pour terminer la ligne en bande (3) sur le support (20), la résistance terminale (5) ayant des première et seconde extrémités, la seconde extrémité étant à la masse; relier la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur (1) à la première borne de la ligne en bande (3) par un premier fil (4); et relier la première extrémité de la résistance terminale (5) à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à
semiconducteur (1) par un second fil (10).
10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la résistance terminale (5) est disposée sur une portion
du sous-montage (9).
11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la longueur du second fil (10) est ajustée en changeant
la position o la résistance terminale (5) est disposée.
12. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'une patte de liaison (11) qui relaye le second fil (10)
est disposée sur le sous-montage (9).
13. Procédé de fabrication d'un module modulateur de lumière, caractérisé en ce qu'il comprend: préparer un sous-montage (9) sur lequel un laser à semiconducteur (2) et un modulateur de lumière à semiconducteur (1) ayant une borne d'entrée de signaux sont montés, le laser semiconducteur (2) produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) modulant la lumière laser en réponse à un signal électrique de haute fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière (1) à partir d'une alimentation en signaux (8); disposer le sous-montage (9) sur un support (20); disposer une ligne en bande (3) pour transmettre le signal électrique de haute-fréquence sur le support, la ligne en bande (3) ayant des première et seconde bornes opposées,
27 2738926
la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux (8); disposer une résistance terminale (5) pour terminer la ligne en bande (3) sur le support, la résistance terminale (5) ayant des première et seconde extrémité opposées, la seconde extrémité étant à la masse; relier la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur (1) à la première borne de la ligne en bande (3) par un premier fil (4); et relier la première extrémité de la résistance terminale (5) à une portion intermédiaire du premier fil (4) par un
second fil (10).
14. Procédé selon la revendication 9 ou 13, caractérisé en ce que la résistance terminale (5) est disposée à
proximité de la première borne de la ligne en bande (3).
15. Procédé selon la revendication 9 ou 13, caractérisé en ce que le second fil (10) a une inductance L (nH) et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) a une capacité (C) (pF), et l'inductance L est établie selon la formule suivante: L (nH) = C (pF) X m (m = 0.7 - 2. 5 nH/pF)
16. Procédé de fabrication d'un module modulateur de lumière, caractérisé en ce qu'il consiste à: préparer un sous-montage (9) sur lequel un laser semiconducteur (2) et un modulateur de lumière à semiconducteur (1) ayant une borne d'entrée de signaux sont montés, le laser à semiconducteur (2) produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) modulant la lumière laser en réponse à un signal électrique de haute-fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière (1) à partir d'une alimentation en signaux (8); disposer le sous-montage (9) sur un support (20); disposer une ligne en bande (3) pour transmettre le signal électrique de haute-fréquence sur le support (20), la ligne en bande (3) ayant des première et seconde bornes
28 2738926
opposées, la seconde borne étant reliée & l'alimentation en signaux (8); disposer une résistance terminale (5) pour terminer la ligne en bande (3) sur le support (20), la résistance terminale (5) ayant des première et seconde extrémités, la seconde extrémité étant à la masse; relier la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur (1) à la première borne de la ligne en bande (3) par un premier fil (4); et relier la première extrémité de la résistance terminale (5) à la première borne de la ligne en bande (3) par un
second fil (10).
FR9604009A 1995-09-20 1996-03-29 Module modulateur de lumiere et procede pour fabriquer un tel module Expired - Lifetime FR2738926B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24201495A JP3553222B2 (ja) 1995-09-20 1995-09-20 光変調器モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2738926A1 true FR2738926A1 (fr) 1997-03-21
FR2738926B1 FR2738926B1 (fr) 1998-10-23

Family

ID=17082989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR9604009A Expired - Lifetime FR2738926B1 (fr) 1995-09-20 1996-03-29 Module modulateur de lumiere et procede pour fabriquer un tel module

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5602672A (fr)
JP (1) JP3553222B2 (fr)
KR (1) KR100215232B1 (fr)
FR (1) FR2738926B1 (fr)
GB (1) GB2305511B (fr)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1051069A (ja) * 1996-07-29 1998-02-20 Mitsubishi Electric Corp 光半導体装置
DE19719853A1 (de) * 1997-05-12 1998-11-19 Bosch Gmbh Robert Hochfrequenz-Halbleitermodul
US5987196A (en) * 1997-11-06 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Semiconductor structure having an optical signal path in a substrate and method for forming the same
DE59901985D1 (de) 1998-05-26 2002-08-14 Infineon Technologies Ag Hochfrequenz-Lasermodul und Verfahren zur Herstellung desselben
US6057954A (en) * 1998-09-18 2000-05-02 Lucent Technologies Inc. Asymmetric inductive peaking for optoelectronic devices
AU2001247338A1 (en) * 2000-03-09 2001-09-17 Optium, Inc. Apparatuses and methods for generating optical signals
JP4199901B2 (ja) * 2000-03-10 2008-12-24 日本オプネクスト株式会社 光送信モジュール
JP4290314B2 (ja) * 2000-04-26 2009-07-01 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 高周波回路及びそれを実装したモジュール、通信機
JP3975786B2 (ja) * 2002-03-12 2007-09-12 日本電気株式会社 光変調器励振回路
JP2004325495A (ja) * 2003-04-21 2004-11-18 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd 光半導体装置、これを備える光通信用ボード及び光通信用モジュール
US6873449B1 (en) * 2003-09-05 2005-03-29 The Furukawa Electric Co., Ltd. Signal transmission line for an optical modulator
JP4762487B2 (ja) * 2003-09-12 2011-08-31 古河電気工業株式会社 光モジュール
KR100594063B1 (ko) 2004-01-15 2006-06-30 삼성전자주식회사 반도체 광소자와 그를 이용한 반도체 광패키지
US7317742B2 (en) * 2004-02-19 2008-01-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical sub-assembly having a thermo-electric cooler and an optical transceiver using the optical sub-assembly
US7228014B2 (en) * 2004-03-11 2007-06-05 Avanex Corporation System for reducing the electrical return loss of a lithium niobate traveling wave optical modulator with low characteristic impedance
CN101015100B (zh) * 2004-05-14 2011-05-11 C8麦迪森瑟斯公司 使用可变热阻抗对半导体激光器的波长进行温度调谐
JP2005338678A (ja) 2004-05-31 2005-12-08 Opnext Japan Inc 光変調器モジュール
JP4578164B2 (ja) * 2004-07-12 2010-11-10 日本オプネクスト株式会社 光モジュール
US7294904B1 (en) * 2005-02-10 2007-11-13 Xilinx, Inc. Integrated circuit package with improved return loss
JP5381074B2 (ja) * 2008-12-16 2014-01-08 三菱電機株式会社 光変調装置および光変調装置の製造方法
JP6303481B2 (ja) * 2013-12-20 2018-04-04 セイコーエプソン株式会社 発光素子モジュール、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体
JP6497980B2 (ja) * 2015-03-04 2019-04-10 日本オクラロ株式会社 光送信モジュール及び光送受信モジュール
JP6218087B2 (ja) * 2015-12-25 2017-10-25 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光変調装置
CN106785886A (zh) * 2016-12-21 2017-05-31 武汉市观达科技有限责任公司 一种高速微带线装置
CN112740051B (zh) * 2018-09-20 2022-06-10 华为技术有限公司 一种光电子组件及其制造方法
US10547158B1 (en) * 2018-10-31 2020-01-28 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Optical communication device and system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1987002834A1 (fr) * 1985-10-28 1987-05-07 American Telephone & Telegraph Company Montage a ligne a bande parallele pour lasers a semi-conducteurs
JPH04101484A (ja) * 1990-08-21 1992-04-02 Mitsubishi Electric Corp レーザ・ダイオード・パッケージ
EP0632550A2 (fr) * 1993-06-30 1995-01-04 Fujitsu Limited Modulation de diodes laser
JPH07234390A (ja) * 1994-02-25 1995-09-05 Hitachi Ltd 高速光素子の実装法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS623534A (ja) * 1985-06-28 1987-01-09 Sharp Corp 光変調装置
JP2917333B2 (ja) * 1989-11-30 1999-07-12 日本電気株式会社 光送信方法及び光送信装置
DE69128097T2 (de) * 1990-08-24 1998-02-26 Nippon Electric Co Verfahren zur Herstellung einer optischen Halbleitervorrichtung
JP3008608B2 (ja) * 1991-10-31 2000-02-14 富士通株式会社 電界吸収型光変調器駆動方法
US5394260A (en) * 1992-02-03 1995-02-28 Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha Optical pulse generator
JPH05327111A (ja) * 1992-05-20 1993-12-10 Fujitsu Ltd 半導体レーザ装置及びその製造方法
US5367530A (en) * 1992-05-29 1994-11-22 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser apparatus
JPH06230328A (ja) * 1993-02-04 1994-08-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電界吸収型光変調器の実装方法
GB2292011B (en) * 1993-07-20 1997-11-05 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor optical devices and methods for fabricating semiconductor optical devices
DE69531010T2 (de) * 1994-03-18 2003-12-24 Fujitsu Ltd Ansteuerungsschaltung eines optischen Modulators

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1987002834A1 (fr) * 1985-10-28 1987-05-07 American Telephone & Telegraph Company Montage a ligne a bande parallele pour lasers a semi-conducteurs
JPH04101484A (ja) * 1990-08-21 1992-04-02 Mitsubishi Electric Corp レーザ・ダイオード・パッケージ
EP0632550A2 (fr) * 1993-06-30 1995-01-04 Fujitsu Limited Modulation de diodes laser
JPH07234390A (ja) * 1994-02-25 1995-09-05 Hitachi Ltd 高速光素子の実装法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 016, no. 336 (E - 1237) 21 July 1992 (1992-07-21) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 096, no. 001 31 January 1996 (1996-01-31) *

Also Published As

Publication number Publication date
GB2305511A (en) 1997-04-09
KR100215232B1 (ko) 1999-08-16
US5602672A (en) 1997-02-11
FR2738926B1 (fr) 1998-10-23
GB2305511B (en) 1997-09-24
JPH0990302A (ja) 1997-04-04
GB9612959D0 (en) 1996-08-21
JP3553222B2 (ja) 2004-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2738926A1 (fr) Module modulateur de lumiere et procede pour fabriquer un tel module
FR2837059A1 (fr) Circuits et procedes pour ameliorer la performance d&#39;un element emetteur de lumiere
US7149024B2 (en) Optical modulator module
US6368890B1 (en) Top contact VCSEL with monitor
FR2881890A1 (fr) Module optique
JP4199901B2 (ja) 光送信モジュール
JP2001209017A (ja) 光電変換半導体装置
JP2003134051A (ja) 光受信モジュール、光受信器及び光ファイバ通信機器
EP0048189A1 (fr) Oscillateur à transistor comportant un résonateur diélectrique qui lui confère une stabilité maximale et un bruit minimal en très haute fréquence
EP0161166B1 (fr) Combineur compact de dispositifs semi-conducteurs, fonctionnant en hyperfréquences
JP2011054667A (ja) 光受信モジュール及び光受信器
EP0199332B1 (fr) Récepteur de signaux optiques à très large bande
FR2621755A1 (fr) Dispositif de traitement de signal de haute frequence et procede de fabrication
EP0280722A1 (fr) Composants opto-electroniques a impedance adaptes au moyen d&#39;elements sans pertes
FR2678450A1 (fr) Dispositif de filtrage coupe-bande hyperfrequence.
EP0281773A1 (fr) Filtre hyperfréquence accordable
EP0592293B1 (fr) Tête laser perfectionnée
EP0040567B1 (fr) Elément résistif en technique microbande
EP0986170A1 (fr) Dispositif d&#39;interface entre un capteur optoélectronique hyperfréquence à large bande et une charge
FR2561048A1 (fr) Oscillateur hyperfrequences a transistor, commande par capacite variable
FR2806212A1 (fr) Agencement de type filtre ou multicoupleur, a resonateur electroniquement accordable
EP0017562B1 (fr) Source microonde à l&#39;état solide
FR2747524A1 (fr) Amplificateur adaptateur haute impedance pour recevoir des signaux hyperfrequences a tres large bande d&#39;une source de courant capacitive a haute impedance telle qu&#39;une photodiode
WO2022195437A1 (fr) Circuit de polarisation en bande de base et rf, et circuit amplificateur de puissance rf le comprenant
JP2952302B2 (ja) 受光素子

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 20