FR2604282A1 - METHOD AND SYSTEM FOR TRANSFERRING BLOCH LINES IN A MAGNETIC WALL AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS - Google Patents
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Abstract
L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE ET UN SYSTEME DE TRANSFERT DE LIGNES DE BLOCH. UNE PREMIERE LIGNE DE BLOCH 18 D'UNE PAIRE 6 EST D'ABORD TRANSFEREE DANS LA PAROI MAGNETIQUE 2, DANS UNE DIRECTION PREDETERMINEE, PUIS UNE SECONDE LIGNE 19 DE LA PAIRE 6 EST TRANSFEREE DANS LA MEME DIRECTION POUR FORMER LA PAIRE 6 DE LIGNES DE BLOCH. A CETEFFET, UN CHAMP MAGNETIQUE H, PERPENDICULAIRE AU PLAN D'UN FILM MAGNETIQUE MINCE COMPORTANT LA PAROI MAGNETIQUE 2, EST APPLIQUE A CE FILM MINCE, ET UN CHAMP MAGNETIQUE H PARALLELE AU PLAN DU FILM, EST APPLIQUE, AU COURS D'UNE SECONDE ETAPE, AU FILM MINCE, LE LONG DE LA PAROI MAGNETIQUE 2. DOMAINE D'APPLICATION : MEMOIRES MAGNETIQUES, ETC.THE INVENTION CONCERNS A METHOD AND A SYSTEM FOR TRANSFERRING BLOCH LINES. A FIRST LINE OF BLOCH 18 OF A PAIR 6 IS FIRST TRANSFERRED INTO MAGNETIC WALL 2, IN A PREDETERMINED DIRECTION, THEN A SECOND LINE 19 OF PAIR 6 IS TRANSFERRED IN THE SAME DIRECTION TO FORM PAIR 6 OF LINES OF BLOCH. TO THIS EFFECT, A MAGNETIC FIELD H, PERPENDICULAR TO THE PLAN OF A THIN MAGNETIC FILM CONTAINING THE MAGNETIC WALL 2, IS APPLIED TO THIS THIN FILM, AND A MAGNETIC FIELD H PARALLEL TO THE PLAN OF THE FILM, IS APPLIED DURING ONE SECOND STAGE, WITH THIN FILM, ALONG THE MAGNETIC WALL 2. FIELD OF APPLICATION: MAGNETIC MEMORIES, ETC.
Description
L'invention concerne un procédé pour trans-The invention relates to a method for trans-
férer de façon stable une ligne de Bloch qui est pré- stably maintain a Bloch line that is pre-
sente dans une paroi magnétique d'un domaine magnétique sits in a magnetic wall of a magnetic domain
en bande.in band.
L'invention concerne également un appareil à mémoire magnétique qui peut enregistrer et reproduire de façon stable et à grande vitesse une information par transfert d'une ligne de Bloch qui est un support The invention also relates to a magnetic memory apparatus which can record and reproduce in a stable manner and at a high speed information by transfer of a Bloch line which is a medium
d'information, suivant un procédé nouveau. information, using a new process.
Une mémoire externe d'ordinateur, une mémoire de fichier électronique et une mémoire de fichier d'images fixes utilisent des dispositifs de mémorisation tels qu'une bande magnétique, un disque Winchester, un disque souple, un disque opto-magnétique ou une mémoire à bulles magnétiques. Les dispositifs An external computer memory, an electronic file memory, and a still image file memory use storage devices such as a magnetic tape, a Winchester disc, a floppy disk, an opto-magnetic disk, or a memory device. magnetic bubbles. The devices
de mémorisation autres que la mémoire à bulles magné- other than magnetic bubble memory
tiques nécessitent un mouvement relatif entre un sup- ticks require a relative movement between a
port d'enregistrement tel qu'une bande ou un disque et une tête de reproduction. En conséquence, pour atteindre une densité d'enregistrement élevée, il recording port such as a tape or a disc and a reproduction head. As a result, to achieve a high recording density, it
se pose des problèmes d'erreur de piste, d'entraîne- problems of runway error, training
ment et d'usure du support et de la tête, d'accumula- wear and tear on the support and the head, accumu-
tion de poussière, de vibration et, dans le disque dust, vibration and, in the disc
optique et le disque opto-magnétique, de focalisation. optical and opto-magnetic disc, focus.
Comme décrit dans la demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique N' 801 401, la mémoire à As described in United States Patent Application No. 801,401,
bulles magnétiques n'a pas besoin d'entraînement mécani- magnetic bubbles does not require mechanical training.
que et est très fiable. En conséquence, on a considéré que la mémoire à bulles magnétiques est avantageuse pour un enregistrement à haute densité. Cependant, étant donné que la mémoire à bulles magnétiques utilise, en tant que bit, un domaine magnétique circulaire (bulle) développé dans un film de grenat magnétique possédant un axe de magnétisation aisé qui est normal au plan du film, la limite supérieure de la densité d'enregistrement est de plusieurs dizaines de M bits/ puce ou microplaquette même si l'on utilise une bulle minimale (0,3 gm de diamètre) limitée par une propriété that and is very reliable. Accordingly, it has been considered that magnetic bubble memory is advantageous for high density recording. However, since the magnetic bubble memory uses, as a bit, a circular magnetic (bubble) domain developed in a magnetic garnet film having an easy magnetization axis which is normal to the plane of the film, the upper limit of the recording density is several tens of M bits / chip or chip even if a minimum bubble (0.3 gm in diameter) limited by a property is used
matérielle d'un film de grenat actuellement disponible. material of a garnet film currently available.
En comparaison avec une mémoire à semiconducteur appe- lée à devenir compétitive dans le futur, la différence de capacité n'est pas très grande. En conséquence, le domaine d'application en tant que mémoire est très étroit. Une mémoire à lignes de Bloch, décrite dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique N 4 583 200, a récemment attiré l'attention pour son aptitude à s'affranchir de la limitation de la densité d'enregistrement dans la mémoire à bulles magnétiques. Les technologies de la mémoire à lignes de Bloch sont décrites dans les demandes de brevets In comparison with a semiconductor memory which is expected to become competitive in the future, the difference in capacitance is not very great. As a result, the scope of application as memory is very narrow. A Bloch line memory, described in U.S. Patent No. 4,583,200, has recently attracted attention for its ability to overcome the limitation of recording density in bubble memory. magnetic. Bloch line memory technologies are described in patent applications
des Etats-Unis d'Amérique N 800 700 et N 72 668. United States of America N 800 700 and N 72 668.
Dans la mémoire à lignes de Bloch, deux In Bloch's line memory, two
zones de transition, dans lesquelles les sens de magné- transition zones, in which the senses of magneto-
tisation se retournent dans une paroi magnétique en- turn around in a magnetic wall
tourant un domaine magnétique en bande développé dans un film de grenat magnétique, sont opposées l'une à l'autre, c'est-à-dire que deux zones (lignes de Bloch), définies par une paroi magnétique de Neil entre les structures de parois magnétiques de Bloch, sont utilisées en tant qu'unité de mémoire, et la rotating a magnetic domain band developed in a magnetic garnet film, are opposed to each other, that is to say that two areas (Bloch lines), defined by a magnetic wall of Neil between the structures of magnetic walls of Bloch, are used as a unit of memory, and the
paire de lignes de Bloch est utilisée pour un bit. pair of Bloch lines is used for one bit.
Dans la mémoire à lignes de Bloch, étant donné que la largeur d'une ligne de Bloch est habituellement d'un dixième de la largeur d'un domaine magnétique, In Bloch line memory, since the width of a Bloch line is usually one-tenth the width of a magnetic domain,
on peut atteindre une densité d'enregistrement supé- higher recording density can be achieved
rieure de presque dix fois celle de la mémoire à bulles magnétiques. Par exemple, lorsque l'on utilise un film de grenat ayant un diamètre de bulles de 0,5 pm, on peut atteindre une capacité de mémoire about ten times that of magnetic bubble memory. For example, when a garnet film having a bubble diameter of 0.5 μm is used, memory capacity can be reached
de 1,6 G bits/puce ou microplaquette. 1.6 Gbit / chip or chip.
Dans la mémoire à lignes de Bloch, il est nécessaire d'établir une position stable de la paire de lignes de Bloch, qui est une unité de mémoire, dans la paroi magnétique pour enregistrer de façon stable une information dans la mémoire et la transférer In the Bloch line memory, it is necessary to establish a stable position of the pair of Bloch lines, which is a memory unit, in the magnetic wall to stably record information in memory and transfer it.
de façon stable, bit par bit, à grande vitesse. stably, bit by bit, at high speed.
Les figures 1A et lB et les figures 2A et 2B des dessins annexés et décrits ci-après montrent un procédé de stabilisation de transfert des paires de lignes de Bloch tel que décrit dans le brevet Figs. 1A and 1B and Figs. 2A and 2B of the accompanying drawings and described hereinafter show a transfer stabilization method of Bloch line pairs as described in US Pat.
N 4 583 200 précité. La figure 1A montre une configu- N 4,583,200 above. Figure 1A shows a configuration
ration de stabilisation formée sur un film magnétique pour stabiliser la paire de lignes de Bloch. La figure lB illustre un potentiel apparaissant dans le film magnétique et la stabilisation de la mémoire à lignes de Bloch, par suite de la formation de la configuration ou du motif de stabilisation. La figure 2A montre un procédé pour transférer la paire de lignes de Bloch et la- figure 2B montre une forme d'onde d'un champ magnétique pulsatoire perpendiculaire utilisé pour stabilization ration formed on a magnetic film to stabilize the pair of Bloch lines. FIG. 1B illustrates a potential occurring in the magnetic film and the stabilization of the Bloch line memory as a result of formation of the pattern or stabilizing pattern. Fig. 2A shows a method for transferring the pair of Bloch lines and Fig. 2B shows a waveform of a perpendicular pulsating magnetic field used for
transférer la paire de lignes de Bloch. transfer the pair of lines of Bloch.
Dans le passé, pour stabiliser la paire de lignes de Bloch, on formait sur le film magnétique, comme montré sur la figure 1A, une configuration 3 en bandes s'étendant orthogonalement à une direction longitudinale du domaine magnétique 1 en forme de bande, et on utilisait les points de croisement de la paroi magnétique 2 du domaine magnétique 1 et de la configuration 3 en bandes en tant que points stables In the past, to stabilize the pair of Bloch lines, a pattern 3 in strips extending orthogonally to a longitudinal direction of the band-shaped magnetic domain 1 was formed on the magnetic film, as shown in FIG. 1A, and we used the cross points of the magnetic wall 2 of the magnetic domain 1 and the configuration 3 in bands as stable points
de la paire de lignes de Bloch.of the pair of Bloch lines.
La configuration 3 en bandes peut être The 3-band configuration can be
formée par une couche de matière ferromagnétique possé- formed by a layer of ferromagnetic material
dant un axe privilégié de magnétisation normal au plan du film ou situé dans le domaine magnétique 1 en bandes, ou bien un axe privilégié de magnétisation s'étendant le long d'une largeur de la bande dans le plan du film, ou encore par implantation d'ions a preferred magnetization axis normal to the plane of the film or located in the magnetic domain 1 in bands, or a preferred axis of magnetization extending along a width of the strip in the plane of the film, or by implantation ion
à une profondeur uniforme dans le film magnétique. at a uniform depth in the magnetic film.
En établissant une distribution 4 d'un champ magnétique HX le long de la direction longitudi- nale du domaine magnétique en bande 1 comme montré sur la figure lB, le long de la paroi magnétique 2 du domaine magnétique 1 en bande, par la configuration By establishing a distribution 4 of a magnetic field HX along the longitudinal direction of the band magnetic domain 1 as shown in FIG. 1B, along the magnetic wall 2 of the magnetic domain 1 in band, by the configuration
du film de matière ferromagnétique ou par la configura- ferromagnetic material film or by configura-
tion de la région dans laquelle des ions sont implantés, on forme une paroi à potentiel périodique sur la paire de lignes de Bloch 6 par énergie de Sehmann entre le champ magnétique HX et la magnétisation 7 est la tion of the region in which ions are implanted, a periodic potential wall is formed on the pair of Bloch 6 lines by Sehmann energy between the magnetic field HX and the magnetization 7 is the
paroi magnétique entre la paire de lignes de Bloch. magnetic wall between the pair of lines of Bloch.
Dans la mémoire ci-dessus, la magnétisation de la ligne de Bloch est tournée sous l'effet d'une force giratoire résultant de l'application d'un champ magnétique pulsatoire Hpi dans le sens de la flèche 8, normalement au plan du film de grenat magnétique comme montré sur la figure 2A. Sur la figure 2A, la ligne de Bloch est déplacée dans le sens d'une flèche 9 pendant que la magnétisation est tournée de façon que la paire 6 de lignes de Bloch soit transférée In the above memory, the magnetization of the Bloch line is rotated under the effect of a gyratory force resulting from the application of a pulsating magnetic field Hpi in the direction of the arrow 8, normally to the plane of the film magnetic garnet as shown in Figure 2A. In Fig. 2A, the Bloch line is moved in the direction of an arrow 9 while the magnetization is rotated so that the pair 6 of Bloch lines is transferred.
d'un bit.one bit.
Dans ce système, la forme du puits de In this system, the shape of the well of
potentiel pour la paire de lignes de Bloch est à symé- potential for the Bloch line pair is symmetrically
trie latérale. Par conséquent, si le champ magnétique pulsatoire de transfert des lignes de Bloch est une simple forme d'onde carrée, la paire de lignes de Bloch est déplacée dans le sens de la flèche 9 au front montant de l'impulsion, mais elle est ramenée lateral sorting. Therefore, if the pulsating magnetic field of transfer of the Bloch lines is a simple square waveform, the pair of Bloch lines is moved in the direction of the arrow 9 at the rising edge of the pulse, but is brought back
vers la position initiale au front descendant de l'im- towards the initial position on the falling front of the
pulsion, et on n'obtient pas un transfert stable dans un drive, and we do not get a stable transfer in a
sens. Dans l'art antérieur, le transfert unidirection- meaning. In the prior art, the unidirectional transfer
nel est obtenu par l'application d'un champ magnétique pulsatoire ayant un temps de chute t2 suffisamment plus long que le temps de montée t1, comme indiqué par la courbe 10 du graphique de la figure 2B. Cependant, dans ce système, étant donné que deux lignes de Bloch sont déplacées simultanément, les lignes de Bloch vibrent sous l'effet d'une force d'attraction ou d'une force de repulsion entre les lignes de Bloch et on n'obtient pas de transfert stable. En outre, étant donné que l'écartement entre les lignes de Bloch de la paire est très faible, la profondeur du puits de potentiel due à l'énergie de Sehmann est faible et la stabilisation de la paire 6 de lignes de Bloch est difficile à atteindre. Lorsque le film de grenat magnétique est constitué d'une matière classique pour bulles, il est nécessaire que le temps de chute t2 soit supérieur à 1 Us. Ceci entraîne une très faible vitesse du transfert des lignes de Bloch. Pour générer la forme d'onde pulsatoire telle que montrée sur la figure 2B, le circuit électrique utilisé est plus complexe et la consommation d'énergie est plus grande que. dans nel is obtained by applying a pulsating magnetic field having a fall time t2 sufficiently longer than the rise time t1, as indicated by the curve 10 of the graph of Figure 2B. However, in this system, since two Bloch lines are moved simultaneously, the Bloch lines vibrate under the effect of a force of attraction or a force of repulsion between the Bloch lines and one obtains no stable transfer. In addition, since the gap between the Bloch lines of the pair is very small, the depth of the potential well due to Sehmann's energy is low and the stabilization of the pair of Bloch lines is difficult. achieve. When the magnetic garnet film is made of a conventional material for bubbles, it is necessary that the fall time t2 is greater than 1 Us. This results in a very slow transfer speed of the Bloch lines. To generate the pulsating waveform as shown in FIG. 2B, the electric circuit used is more complex and the energy consumption is greater than. in
le cas d'une impulsion à onde carrée. the case of a square wave pulse.
Lorsque les lignes de Bloch sont transfé- When Bloch's lines are transferred
rées par le procédé de transfert de l'art antérieur pour enregistrer ou reproduire une information sur by the transfer method of the prior art for recording or reproducing information about
la mémoire à lignes de Bloch, il est difficile d'enre- the Bloch line memory, it is difficult to record
gistrer ou de reproduire avec précision une information par suite de l'instabilité du transfert des lignes de Bloch, c'est-à-dire de l'instabilité du transfert record or accurately reproduce information as a result of the instability of the transfer of Bloch lines, that is, the instability of the transfer
de l'information.some information.
L'invention a pour objet un procédé pour transférer de manière stable une ligne de Bloch dans une paroi magnétique, et notamment un procédé pour transférer des lignes de Bloch au moyen d'un circuit The subject of the invention is a method for stably transferring a Bloch line into a magnetic wall, and in particular a method for transferring Bloch lines by means of a circuit.
simple avec une faible consommation d'énergie. simple with low energy consumption.
L'invention a également pour objet un appareil à mémoire magnétique qui utilise des lignes de Bloch en tant que support d'information et qui enregistre et reproduit avec précision une information par transfert des lignes de Bloch suivant un procédé nouveau. Pour réaliser les objets cidessus, le The invention also relates to a magnetic memory apparatus which uses Bloch lines as an information medium and which accurately records and reproduces information by transfer of Bloch lines according to a new method. To achieve the objects above, the
procédé de transfert de la ligne de Bloch selon l'inven- method of transferring the Bloch line according to the invention.
tion transfère la paire de lignes de Bloch dans la paroi magnétique dans un sens prédéterminé. Il comprend The transfer transfers the pair of Bloch lines into the magnetic wall in a predetermined direction. He understands
une étape consistant à transférer seulement une pre- a step of transferring only a first
mière ligne de Bloch de la paire de lignes de Bloch dans le sens prédéterminé, et une étape consistant à transférer une ligne de Bloch d'enregistrement de la paire -de lignes de Bloch dans le sens prédéterminé first Bloch line of the pair of Bloch lines in the predetermined direction, and a step of transferring a registration Bloch line of the Bloch line pair in the predetermined direction
pour former la paire de lignes de Bloch. to form the pair of Bloch lines.
Un mode normal de mise en oeuvre du procédé de transfert de l'invention consiste à transférer les lignes de Bloch dans la paroi magnétique dans le sens prédéterminé. Il comprend une première étape A normal mode of implementation of the transfer method of the invention is to transfer the Bloch lines in the magnetic wall in the predetermined direction. It includes a first step
consistant à appliquer un champ magnétique perpendicu- of applying a perpendicular magnetic field
laire au plan d'un film magnétique mince comportant la paroi magnétique, le champ étant appliqué au film magnétique mince, et une seconde étape qui consiste à appliquer un champ magnétique parallèlement au plan de ce film, ce second champ magnétique étant appliqué planar magnetic thin film having the magnetic wall, the field being applied to the thin magnetic film, and a second step of applying a magnetic field parallel to the plane of the film, this second magnetic field being applied
au film magnétique mince le long de la paroi magnéti- thin magnetic film along the magnetic wall
que.than.
Pour réaliser les objets ci-dessus, l'appa- To achieve the above objects, the
reil à mémoire magnétique selon l'invention enregistre et reproduit une information en utilisant les lignes de Bloch présentes dans la paroi magnétique, en tant que support d'information. Il comprend un dispositif à mémoire à lignes de Bloch portant, sur un substrat, magnetic memory device according to the invention records and reproduces information using the Bloch lines present in the magnetic wall, as an information carrier. It comprises a Bloch line memory device carrying, on a substrate,
un film magnétique mince possédant un domaine magnéti- a thin magnetic film having a magnetic domain
que en bandes, des moyens destinés à écrire une ligne de Bloch conformément à une information d'entrée dans une position prédéterminée dans une paroi magnétique du domaine magnétique en bandes, des moyens de lecture destinés à détecter une ligne de Bloch présente dans la position prédéterminée du domaine magnétique en that in strips, means for writing a Bloch line according to an input information in a predetermined position in a magnetic wall of the magnetic band domain, reading means for detecting a Bloch line present in the predetermined position of the magnetic domain in
bandes pour produire un signal représentatif de l'infor- tapes to produce a signal representative of the information
mation, des moyens destinés à transférer les lignes de Bloch d'une paire, une par une, le long de la paroi O10 magnétique du domaine magnétique en bandes, et des moyens de commande destinés à appliquer des signaux de commande aux moyens précédents pour commander en mation, means for transferring the Bloch lines of a pair, one by one, along the magnetic stripe magnetic field O10, and control means for applying control signals to the preceding means for controlling in
synchronisme les moyens de lecture ou les moyens d'écri- synchronism the means of reading or the means of writing
ture et les moyens de transfert.ture and the means of transfer.
L'invention sera décrite plus en détail The invention will be described in more detail
en regard des dessins annexés à titre d'exemples nulle- with reference to the accompanying drawings as examples
ment limitatifs et sur lesquels: les figures 1A et lB illustrent un procédé de stabilisation d'une paire de lignes de Bloch selon l'art antérieur; les figures 2A et 2B illustrent un procédé de transfert de la paire de lignes de Bloch selon l'art antérieur; les figures 3A et 3B et les figures 4A à 4D illustrent un procédé de transfert de lignes de Bloch selon l'invention; la figure 5 est un schéma d'un appareil pour la mise en oeuvre du procédé de transfert montré sur les figures 3A et 3B et 4A à 4D; la figure 6 montre schématiquement un autre appareil pour la mise en oeuvre du procédé de transfert selon l'invention; la figure 7 est un graphique montrant and in which: FIGS. 1A and 1B illustrate a method of stabilizing a pair of Bloch lines according to the prior art; FIGS. 2A and 2B illustrate a method of transferring the pair of Bloch lines according to the prior art; FIGS. 3A and 3B and FIGS. 4A to 4D illustrate a method for transferring Bloch lines according to the invention; Fig. 5 is a diagram of an apparatus for carrying out the transfer method shown in Figs. 3A and 3B and 4A to 4D; FIG. 6 schematically shows another apparatus for implementing the transfer method according to the invention; Figure 7 is a graph showing
la relation entre les valeurs d'amplitude d'une impul- the relation between amplitude values of a pulse
sion de champ magnétique dans le plan et les valeurs magnetic field sion in the plane and values
d'amplitude d'un champ magnétique pulsatoire perpen- amplitude of a pulsating magnetic field
diculaire, permettant le transfert des lignes de Bloch conformément au procédé de l'invention; et la figure 8 est un schéma simplifié d'une forme de réalisation d'un appareil à mémoire magnétique dicular, allowing the transfer of Bloch lines according to the method of the invention; and Fig. 8 is a schematic diagram of one embodiment of a magnetic memory apparatus
selon l'invention.according to the invention.
Les figures 3A, 3B et 4A à 4D illustrent le procédé de transfert de lignes de Bloch conforme FIGS. 3A, 3B and 4A to 4D illustrate the Bloch line transfer method according to
à l'invention.to the invention.
Parmi les figures 3A, 3B et 4A à 4D, celles portant sur une paroi magnétique 2, et non sur des Of FIGS. 3A, 3B and 4A to 4D, those relating to a magnetic wall 2, and not to
formes d'ondes, sont des vues en plan partiel du domai- waveforms, are partial plan views of the
ne magnétique en bandes montré sur la figure 1A, tel que vu dans une direction Z. En conséquence, la paroi magnétique 2 est une paroi magnétique se trouvant dans un domaine Magnetic stripe shown in Figure 1A, as seen in a Z direction. As a result, the magnetic wall 2 is a magnetic wall in a field.
magnétique prédéterminé en bandes, et le domaine magné- predetermined magnetic band, and the magnetic domain
tique en bandes est formé dans un film magnétique mince tel qu'un film de grenat magnétique. Le film magnétique mince est formé sur un substrat prédéterminé par un procédé de croissance en phase liquide. Le domaine magnétique en bandes peut être formé dans le film magnétique mince dans un état souhaité, par Strip tick is formed in a thin magnetic film such as a magnetic garnet film. The thin magnetic film is formed on a predetermined substrate by a liquid phase growth process. The band magnetic domain can be formed in the thin magnetic film in a desired state by
application d'un champ magnétique polarisant, perpen- application of a polarizing magnetic field,
diculairement au plan du film magnétique mince. in the plane of the thin magnetic film.
Une structure particulière de la matière magnétique comprenant le domaine magnétique en bandes A particular structure of the magnetic material comprising the magnetic domain in strips
est décrite dans le brevet N 4 583 200 précité. is described in the aforementioned patent N 4,583,200.
Sur les figures 3A, 3B et 4A à 4D, la référence numérique 2 désigne une paroi magnétique comprenant une paire de lignes de Bloch, la référence numérique 5 désigne une magnétisation dans la paroi magnétique, dans des zones autres que la zone de la paire de lignes de Bloch, la référence numérique 6 désigne la paire de lignes de Bloch, la référence In FIGS. 3A, 3B and 4A to 4D, reference numeral 2 designates a magnetic wall comprising a pair of Bloch lines, numeral 5 denotes a magnetization in the magnetic wall, in zones other than the zone of the pair of Bloch lines, reference numeral 6 denotes the Bloch line pair, the reference
26042O826042O8
numérique 7 désigne une magnétisation dans la paroi magnétique entre les lignes de Bloch de la paire, et la référence numérique 8 désigne un champ magnétique pulsatoire appliqué orthogonalement au film magnétique pour soumettre les lignes de Bloch 18 et 19 à une force giratoire afin de les transférer, les références numériques 13A et 13B désignant un champ magnétique numeral 7 denotes magnetization in the magnetic wall between the Bloch lines of the pair, and numeral 8 designates a pulsating magnetic field applied orthogonally to the magnetic film to subject the Bloch lines 18 and 19 to a gyratory force in order to transfer them , reference numerals 13A and 13B designating a magnetic field
Hi' dans le plan, orienté dans la direction longitudi- Hi 'in the plane, oriented in the longitudinal direction
nale du domaine magnétique en bandes afin d'appliquer une force d'entraînement aux lignes de Bloch 18 et 19 pour les transférer dans un premier sens, et les références numériques 14A et 14B désignant une force d'entraînement FH appliquée à la ligne de Bloch de the magnetic field in strips to apply a driving force to the Bloch lines 18 and 19 to transfer them in a first direction, and the numerals 14A and 14B designating a driving force FH applied to the Bloch line of
gauche 18 par le champ magnétique H. dans le plan. left 18 by the magnetic field H. in the plane.
Les références numériques 15A et 15B désignent une force giratoire FHpL appliquée à la ligne de Bloch Numerals 15A and 15B designate a FHpL gyratory force applied to the Bloch line
18 de gauche par le champ magnétique pulsatoire perpen- 18 left by the pulsating magnetic field
diculaire Hpl, les références numériques 16A et 16B désignent une force appliquée à la ligne de Bloch de droite par le champ magnétique H. dans le plan, et les références numériques 17A et 17B désignent une force appliquée à la ligne de Bloch de droite 19 par le champ magnétique perpendiculaire Hpl. Sur la With respect to the dies Hpl, reference numerals 16A and 16B designate a force applied to the right Bloch line by the magnetic field H. in the plane, and numerals 17A and 17B designate a force applied to the right Bloch line 19 by the perpendicular magnetic field Hpl. On the
figure 4A, la référence numérique 4 désigne la distri- 4A, the reference numeral 4 designates the distribution
bution du champ magnétique dans le plan HX le long de bution of the magnetic field in the plane HX along
la paroi magnétique qui constituera une paroi à poten- the magnetic wall which will constitute a wall with potential
tiel pour la paire 6 de lignes de Bloch. Sur la figure 4B, les références numériques 18 et 19 désignent comme précédemment deux lignes de Bloch de la paire 6. Sur les figures 4C et 4D, les références numériques 20A et 20B désignent des formes d'ondes du champ magnétique Hi dans le plan, les références numériques 21A et 21B désignent des formes d'ondes du champ magnétique pulsatoire perpendiculaire Hpú, Et désigne un temps pendant lequel les deux champs H et HpL sont appliqués simultanément, et la référence numérique 23 désigne un pas AXp de la distribution périodique du champ magnétique dans le plan Hx. L'opération de transfert de lignes de Bloch selon la présente invention sera maintenant expliquée de façon séquentielle. Sur la figure 3A, des forces FHpú indiquées par des flèches 15A et 17A, sont appliquées aux lignes de Bloch 18 et tiel for the pair 6 of Bloch lines. In FIG. 4B, the reference numerals 18 and 19 designate as previously two Bloch lines of the pair 6. In FIGS. 4C and 4D, the reference numerals 20A and 20B designate waveforms of the magnetic field Hi in the plane, reference numerals 21A and 21B designate waveforms of the perpendicular pulsating magnetic field Hpu, and denotes a time during which the two fields H and HpL are applied simultaneously, and the reference numeral 23 designates a pitch AXp of the periodic distribution of the field magnetic in the plane Hx. The Bloch line transfer operation according to the present invention will now be explained sequentially. In FIG. 3A, forces FHpu indicated by arrows 15A and 17A are applied to the lines of Bloch 18 and
19, dans le même sens, par un champ magnétique pulsa- 19, in the same direction, by a pulsating magnetic field
toire perpendiculaire HPl afin que les lignes de Bloch perpendicular HPl so that the lines of Bloch
18 et 19 tendent à être déplacées vers la gauche. 18 and 19 tend to be moved to the left.
Si un champ magnétique dans le plan Hi, suivant la paroi magnétique (direction longitudinale du domaine magnétique en bandes), est appliqué à cet instant, des forces F,, qui tendent à élargir l'écartement entre les lignes de Bloch, s'exercent, comme indiqué par les flèches 14A et 16A. En conséquence, une force d'amplitude IFHPI + IFHi est appliquée vers la gauche à la ligne de Bloch de gauche 18, et une force d'amplitude IFHPI.l - IFHj est appliquée à la ligne de Bloch de droite 19. Une vitesse VBL de la ligne de Bloch déplacée par FHpL est donnée par la relation V a If a magnetic field in the plane Hi, following the magnetic wall (longitudinal direction of the magnetic domain in bands), is applied at this moment, forces F ,, which tend to widen the distance between the lines of Bloch, are exerted as indicated by arrows 14A and 16A. As a result, an amplitude force IFHPI + IFHi is applied to the left at the left Bloch line 18, and an amplitude force IFHPI.I-IFHj is applied to the right Bloch line 19. A LAV speed of the Bloch line displaced by FHpL is given by the relation V a
BL PL.... (1)BL PL .... (1)
dans laquelle le mouvement de la paroi magnétique n'est pas pris en compte, a est la longueur de la paroi magnétique considérée (dans le cas présent, on peut ne considérer qu'une largeur IA de la ligne de Bloch) y est une constante magnétique de force giratoire, et A est un paramètre de largeur de ligne de Bloch. Dans la formule (1), étant donné que a = IA, la vitesse est exprimée par VBL = YHpi (2) il in which the motion of the magnetic wall is not taken into account, a is the length of the magnetic wall considered (in this case, we can consider only a width IA of the Bloch line) is a constant Magnetic force of gyratory force, and A is a parameter of Bloch line width. In formula (1), since a = IA, velocity is expressed as VBL = YHpi (2).
Une vitesse V'BL de la ligne de Bloch dépla- A speed V'BL of the Bloch line moved
BL cée par la force FH. développée par le champ magnétique H,, dans le plan He est représentée par V' AoYQ1/2 BL created by the force FH. developed by the magnetic field H ,, in the plane He is represented by V 'AoYQ1 / 2
= H... (3)= H ... (3)
BL 2a dans laquelle î est la constante d'amortissement de BL 2a where i is the damping constant of
Gilbert, Q est un paramètre lié à l'anisotropie magné- Gilbert, Q is a parameter related to magnetic anisotropy
tique et exprimé par Q= Kv/2 tMs Kv est une constante d'anisotropie uniaxiale, Ms est la magnétisation de saturation, à0 est un paramètre de largeur de la paroi magnétique et est exprimé par rAO.' En conséquence, sur la figure 3A, la vitesse VBL18 de la ligne de Bloch de gauche 18 est donnée, d'après les formules (2) et (3), par Et Q1/2 2 y(AH + 0 H,,)... (4) BL18 =YHPl + 2a H) La vitesse VBL19 de la ligne de Bloch 19 est donnée BLi19 par tA oQ1/2 VBLl9 = y(AH 2a H,) (5) Tick and expressed by Q = Kv / 2 tMs Kv is a uniaxial anisotropy constant, Ms is the saturation magnetization, where 0 is a parameter of magnetic wall width and is expressed by rAO. Accordingly, in FIG. 3A, the velocity VBL18 of the left Bloch line 18 is given, according to the formulas (2) and (3), by and Q1 / 2 2 y (AH + 0 H ,,) ... (4) BL18 = YHPl + 2a H) The velocity VBL19 of the Bloch line 19 is given BLi19 by tA oQ1 / 2 VBL19 = y (AH 2aH,) (5)
Etant donné que les amplitudes de A et A0 sont sensible- Since the amplitudes of A and A0 are
ment égales, l'effet du champ magnétique dans le plan Hj, est Q12/2/2x fois aussi grand que l'effet du champ magnétique pulsatoire perpendiculaire Hpú. Dans le cas d'un film magnétique tel qu'un film de grenat, qui est habituellement utilisé en tant que matière pour Equally equal, the effect of the magnetic field in the plane Hj is Q12 / 2 / 2x times as large as the effect of the perpendicular pulsating magnetic field Hpu. In the case of a magnetic film such as a garnet film, which is usually used as a material for
bulles magnétiques, on a Q > 1 et a <_< 1. En consé- magnetic bubbles, we have Q> 1 and a <_ <1. As a result,
quence, le champ magnétique dans le plan Ho, affecte davantage la vitesse de la ligne de Bloch que le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire Hp,, pour la même amplitude de champ magnétique. Par conséquent, le champ magnétique dans le plan Hq produit une force d'entraînement très grande. Ainsi, même si le film magnétique qui est habituellement utilisé en tant que matière pour bulles magnétiques est mis en oeuvre, il est possible de ne déplacer qu'une ligne de Bloch de la paire 6 de lignes de Bloch au moyen du champ magnétique dans Hence, the magnetic field in the Ho plane affects the speed of the Bloch line more than the perpendicular pulsating magnetic field H p, for the same magnetic field amplitude. Therefore, the magnetic field in the plane Hq produces a very large driving force. Thus, even if the magnetic film which is usually used as a magnetic bubble material is implemented, it is possible to move only one Bloch line of the pair 6 of Bloch lines by means of the magnetic field in
le plan H, qui est inférieur au champ magnétique pulsa- the plane H, which is smaller than the pulsating magnetic field
toire perpendiculaire Hpl.perpendicular roof Hpl.
De façon similaire, lorsque le champ magné- Similarly, when the magnetic field
tique dans le plan Ha est appliqué dans le sens opposé comme montré par une flèche 13B sur la figure 3B, la force H" agit de façon à réduire l'écartement entre les lignes de Bloch et seule la ligne de Bloch de droite 19 de la paire est déplacée vers la gauche in the plane Ha is applied in the opposite direction as shown by an arrow 13B in FIG. 3B, the force H "acts to reduce the gap between the Bloch lines and only the right Bloch line 19 of the pair is moved to the left
comme montré sur la figure 4D.as shown in Figure 4D.
Le transfert de la paire de lignes de Bloch entre le puits de potentiel présent dans la The transfer of the pair of Bloch lines between the potential well present in the
paroi magnétique à laquelle est appliquée la distribu- magnetic wall to which the distribution is applied
tion de champ magnétique HX comme sur la figure 4A magnetic field HX as in FIG. 4A
sera à présent expliqué.will now be explained.
Comme montré sur la figure 4B, lorsque As shown in Figure 4B, when
le champ magnétique dans le plan Hm et le champ magné- the magnetic field in the plane Hm and the magnetic field
tique pulsatoire perpendiculaire Hp sont appliqués par des formes d'ondes 20A et 21A à une zone (puits de potentiel) dans laquelle la paire 6 de lignes de Bloch est stable, seule la ligne de Bloch 18 est déplacée vers la gauche par l'effet précité pour atteindre perpendicular pulsed tick Hp are applied by waveforms 20A and 21A to a zone (potential well) in which the pair 6 of Bloch lines is stable, only the Bloch line 18 is displaced to the left by the effect aforementioned to achieve
une nouvelle position stable (puits de potentiel adja- a new stable position (potential wells adja-
cent). En conséquence, la ligne de Bloch est dépla- hundred). As a result, Bloch's line is
cée comme montré sur la figure 4C et stabilisée dans la position 18B. En appliquant le champ magnétique dans le plan H, et le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire Hp comme montré en 20B et 21B sur la figure 4D, seule la ligne de Bloch 19 est à présent déplacée vers la gauche et stabilisée dans la position as shown in FIG. 4C and stabilized in position 18B. By applying the magnetic field in the plane H, and the perpendicular pulsating magnetic field Hp as shown in 20B and 21B in FIG. 4D, only the Bloch line 19 is now displaced to the left and stabilized in the position
19B.19B.
Sur les graphiques des figures 4C et 4D, la chute de la forme d'onde du champ magnétique dans le plan Hi, se produit plus tôt que la chute du champ In the graphs of Figures 4C and 4D, the fall of the magnetic field waveform in the Hi plane occurs earlier than the fall of the field.
magnétique pulsatoire perpendiculaire HPL afin d'empê- magnetic perpendicular pulse HPL in order to prevent
cher la force d'entraînement FHu$ due au champ magnéti- the driving force FHu $ due to the magnetic field
que dans le plan H, d'agir sur la paire 6 de lignes that in the plane H, to act on the pair 6 of lines
de Bloch lorsqu'une force de restauration -FHPL, déve- Bloch when a restoration force -FHPL, devel-
loppée par la chute du champ magnétique pulsatoire perpendiculaire HpL, agit sur la paire 6 de lignes de Bloch. Pour transférer de façon stable la paire 6 de lignes de Bloch dans un premier sens, on utilise une force de retenue de la ligne de Bloch résultant lopped by the fall of the perpendicular pulsating magnetic field HpL, it acts on the pair 6 of lines of Bloch. To stably transfer the pair 6 of Bloch lines in a first direction, a resulting Bloch line retaining force is used.
d'une crête Hxp de la distribution HX du champ magnéti- of a Hxp peak of the HX distribution of the magnetic field
que de la figure 3A, et on empêche le transfert dû than Figure 3A, and the transfer due
uniquement au champ magnétique pulsatoire perpendicu- only to the perpendicular pulsating magnetic field
laire. En conséquence, du point de vue de la vitesse lar. As a result, from the point of view of speed
de transfert, la relation entre les deux champs magné- the relationship between the two magnetic fields
tiques différents Hpú et HXp est donnée, d'après les formules (2) et (3), par different ticks Hpú and HXp is given, according to formulas (2) and (3), by
1QJ/21QJ / 2
YHp' Q Hà... (6) pL <2a XP Pour transférer la ligne de Bloch au-delà du puits de potentiel de la distribution de champ magnétique HX, il faut satisfaire la relation àoYQ1/2 àA YQ1/2 \YHpL + 2a Ha> 2a HXp... (7) Etant donné qu'il est nécessaire d'empêcher la ligne de Bloch 19 d'être déplacée vers la droite par le champ magnétique dans le plan Hil sur la 'figure 4C, on a Hpx>HIi HPX > Hi/...(8) D'après les formules (6), (7) et (8), il est possible de déplacer de façon stable la ligne de Bloch dans la paroi magnétique dans un sens en appliquant le champ magnétique dans le plan Hi, et le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire HpL qui satisfont H x < Hp YHp 'Q Hà ... (6) pL <2a XP To transfer the Bloch line beyond the potential well of the magnetic field distribution HX, the relationship to oYQ1 / 2 to A YQ1 / 2 \ YHpL + must be satisfied. 2a Ha> 2a HXp ... (7) Since it is necessary to prevent the Bloch line 19 from being shifted to the right by the magnetic field in the Hil plane in FIG. 4C, we have Hpx > HIi HPX> Hi / ... (8) According to the formulas (6), (7) and (8), it is possible to stably move the Bloch line in the magnetic wall in one direction by applying the magnetic field in the plane Hi, and the perpendicular pulsating magnetic field HpL which satisfy H x <Hp
2-H <H... (9)2-H <H ... (9)
Q PL XPQ PL XP
2a Hi" + -l Hp > Hp iîQ Pj XP Pour transférer d'un bit la ligne de Bloch, l'amplitude du mouvement, au temps At auquel le champ magnétique dans le plan Hi/ et le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire Hpl se chevauchent mutuellement, doit être inférieure à un pas X de la distribution Hx du champ magnétique. Par conséquent, d'après la formule 2a Hi "+ -l Hp> Hp iîQ Pj XP To transfer by one bit the Bloch line, the amplitude of the motion, to the time At which the magnetic field in the Hi / plane and the perpendicular pulsating magnetic field Hpl overlap mutually, must be less than one step X of the magnetic field distribution Hx.Therefore, according to the formula
(4), les deux champs magnétiques H, et Hpi se chevau- (4), the two magnetic fields H, and Hpi overlap
chent à un temps At qui satisfait iA Q 1/2 y(AH 2+ Hv)At < AX... (10) PI. 2cr P ce qui permet d'atteindre un transfert bit par bit stable. Dans le principe ci-dessus, on suppose que la paroi magnétique ne se déplace pas. Lorsque la paroi magnétique se déplace, la ligne de Bloch peut at a time At which satisfies iA Q 1/2 y (AH 2+ Hv) At <AX ... (10) PI. 2cr P which achieves stable bit-by-bit transfer. In the above principle, it is assumed that the magnetic wall does not move. When the magnetic wall moves, the Bloch line can
être transférée suivant sensiblement la même théorie. to be transferred following substantially the same theory.
Un appareil particulier de transfert sera A particular transfer device will be
à présent décrit en référence à la figure 5. La réfé- now described with reference to FIG.
rence numérique 24 désigne une puce ou microplaquette du film magnétique comprenant le domaine magnétique en bandes possédant la paroi magnétique renfermant les lignes de Bloch, la référence numérique 25 désigne une bobine destinée à appliquer un champ magnétique Numerical reference 24 designates a chip or chip of the magnetic film comprising the magnetic stripe domain having the magnetic wall enclosing the Bloch lines, numeral 25 denotes a coil for applying a magnetic field.
suivant une direction longitudinale du domaine magné- along a longitudinal direction of the magnetic domain
tique en bandes (latéralement au plan du dessin), la référence numérique 26 désigne une bobine destinée à appliquer un champ magnétique perpendiculairement au film magnétique (verticalement au plan du dessin), la référence numérique 27 désigne un circuit d'attaque à impulsions destiné à appliquer des impulsions de courant à la bobine 25, la référence numérique 28 désigne un circuit d'attaque à impulsions destiné à appliquer des impulsions de courant à la bobine 26 et la référence numérique 29 désigne un circuit de commande de synchronisation comprenant un générateur d'impulsions de déclenchement destiné à commander la synchronisation des circuits d'attaque à impulsions 27 et 28. Le transfert stable de la paire de lignes In stripes (laterally at the drawing plane), numeral 26 designates a coil for applying a magnetic field perpendicular to the magnetic film (vertically in the plane of the drawing), numeral 27 designates a pulse driver for applying current pulses to the coil 25, the reference numeral 28 designates a pulse driver for applying current pulses to the coil 26 and the reference numeral 29 designates a synchronization control circuit comprising a generator of trigger pulses for controlling the timing of the pulse drivers 27 and 28. The stable transfer of the pair of lines
de Bloch est assuré par ce simple système d'applica- Bloch is ensured by this simple system of application
tion de champs magnétiques. Le générateur 29 d'impul- magnetic fields. The generator of impulse
sions de déclenchement commande les circuits d'attaque 27 et 28 à impulsions à l'instant qui satisfait la formule (10). Les circuits d'attaque à impulsions 27 et 28 produisent des impulsions de courant ayant les formes d'ondes 20A et 20B du champ magnétique dans le plan Hq et 21A et 21B du champ magnétique pulsatoire perpendiculaire Hpl des figures 4C et 4D, Trigger circuits control the pulse drivers 27 and 28 at the instant that satisfies the formula (10). The pulse driving circuits 27 and 28 produce current pulses having the waveforms 20A and 20B of the magnetic field in the plane Hq and 21A and 21B of the perpendicular pulsating magnetic field Hpl of Figures 4C and 4D,
ces impulsions de courant étant appliquées, respec- these current pulses being applied,
tivement,aux bobines 25 et 26.to the coils 25 and 26.
On utilise une matière du type (YSmLuGa)3(GeFe)5012 pour le film magnétique de la microplaquette 24. Elle possède un paramètre magnétique de 4nM = 195.10-4 (tesla), une constante de raideur A = 2,63. 10-14 (J/cm) , une constante d'anisotropie A material of the (YSmLuGa) 3 (GeFe) 5012 type is used for the magnetic film of the chip 24. It has a magnetic parameter of 4nM = 195.10-4 (tesla), a stiffness constant A = 2.63. 10-14 (J / cm), an anisotropy constant
Ku = 8690.10-7 (J/cm3), a = 0,11 et y = 1,83 x 10. Ku = 8690.10-7 (J / cm3), a = 0.11 and y = 1.83 x 10.
Lorsque].'amplitude du puits de potentiel HX est de 80 A/m et que le pas AXp de la période du puits de potentiel est de 1 im, la plage transférable de l'amplitude du champ magnétique pulsatoire dans When the amplitude of the potential well HX is 80 A / m and the pitch AXp of the period of the potential well is 1 μm, the transferable range of the amplitude of the pulsating magnetic field in
le plan H, et de l'amplitude du champ magnétique pulsa- the plane H, and the amplitude of the pulsating magnetic field
toire perpendiculaire HPl est donnée par la zone hachu- perpendicular HPl is given by the
rée 30 de la figure 7 d'après la condition de la for- 30 of Figure 7 according to the condition of the
mule (10). Sur la figure 7, la zone blanche 31 est une zone non transférable, et toute zone autre que la zone hachurée 30 et la zone blanche 31 permet un transfert, mais autre que bit par bit. En supposant que le champ magnétique dans le plan H, soit égal mule (10). In Fig. 7, the white area 31 is a non-transferable area, and any area other than the hatched area 30 and the white area 31 permits transfer, but other than bit by bit. Assuming that the magnetic field in the H plane is equal
à 72 A/m et que le champ magnétique pulsatoire per- at 72 A / m and that the pulsating magnetic field
pendiculaire HpL soit de 160 A/m, le temps de chevau- the pendulum HpL is 160 A / m, the riding time
chement At de l'impulsion du champ magnétique dans At the magnetic field impulse in
le plan et de l'impulsion du champ magnétique perpen- the plane and momentum of the magnetic field
diculaire devrait être inférieur à 20 ns d'après la condition établie par la formule (10). Ceci peut être aisément commandé par le générateur d'impulsions de dicular should be less than 20 ns based on the condition of formula (10). This can be easily controlled by the pulse generator of
déclenchement du dispositif 29 de commande de synchro- triggering the sync control device 29
nisation.nization.
La figure 6 montre une modification de l'appareil de transfert. La référence numérique 24 Figure 6 shows a modification of the transfer apparatus. The reference number 24
désigne une microplaquette comportant le film magnéti- means a chip comprising the magnetic film
que, la référence numérique 270 désigne un circuit d'attaque à impulsions destiné à appliquer le champ magnétique dans le plan H,, la référence numérique that, numeral 270 designates a pulse driver for applying the magnetic field in the plane H ,, the numerical reference
33 désigne une couche conductrice formée sur la micro- 33 denotes a conductive layer formed on the micro-
plaquette 24 pour l'application du champ magnétique dans le plan Hi,,, et la référence numérique 34 désigne la direction d'un courant i qui circule à plate 24 for the application of the magnetic field in the plane Hi ,,, and the reference numeral 34 designates the direction of a current i which flows at
travers la couche conductrice 33.through the conductive layer 33.
Dans la présente forme de réalisation, au lieu de la bobine 25 destinée à appliquer le champ magnétique dans le plan H,, utilisée dans la forme de réalisation de la figure 5, on applique le courant i dans la direction 34à la couche conductrice 33 formée sur la microplaquette 24 afin d'appliquer le champ magnétique dans le plan H, au domaine magnétique In the present embodiment, instead of the coil 25 for applying the magnetic field in the plane H 1 used in the embodiment of FIG. 5, the current i is applied in the direction 34 to the conducting layer 33 formed on the chip 24 in order to apply the magnetic field in the plane H, to the magnetic domain
en bandes. La direction longitudinale du domaine magné- in strips. The longitudinal direction of the magnetic field
tique en bandes est la direction X. Dans la présente O10 forme de réalisation, étant donné que l'écartement entre la couche conducrice 33 et le film magnétique 24 est faible, le courant i nécessaire pour générer Hq, qui satisfait la condition (9), peut être faible et la ligne de Bloch peut être transférée avec une This is the embodiment of the present invention, since the spacing between the conductive layer 33 and the magnetic film 24 is small, the current i required to generate Hq, which satisfies the condition (9). , can be weak and the Bloch line can be transferred with a
faible consommation d'énergie.low energy consumption.
La figure 8 montre un schéma simplifié d'une forme de réalisation de l'appareil à mémoire Figure 8 shows a simplified diagram of an embodiment of the memory apparatus
magnétique qui transfère les lignes de Bloch, consti- which transfers the Bloch lines, constituting
tuant un support d'information, en utilisant le procédé killing an information carrier, using the method
de transfert selon l'invention.transfer device according to the invention.
Sur la figure 8, la référence numérique 101 désigne un substrat de mémoire à lignes de Bloch sur lequel sont agencés plusieurs domaines magnétiques en bandes 6, à un pas constant orthogonalement à une direction longitudinale du domaine magnétique 6. Des puits de potentiel sont formés à un pas constant dans des parois magnétiques des domaines magnétiques 6 le long des parois magnétiques. Une information est enregistrée en série dans le temps par distribution In FIG. 8, the reference numeral 101 denotes a Bloch line memory substrate on which are arranged several magnetic domains in strips 6, at a constant pitch orthogonal to a longitudinal direction of the magnetic domain 6. Potential wells are formed at a constant pitch in the magnetic walls of the magnetic domains 6 along the magnetic walls. Information is recorded serially in time by distribution
de lignes de Bloch dans la suite de puits de potentiel. of Bloch lines in the wake of potential wells.
La référence numérique 102 désigne un générateur de bulles magnétiques qui génère en série dans le temps des bulles magnétiques conformément à une information Reference numeral 102 denotes a magnetic bubble generator which serially generates magnetic bubbles in accordance with a piece of information.
d'entrée. Les bulles magnétiques représentant l'infor- input. Magnetic bubbles representing the information
mation d'entrée sont transférées vers le domaine magné- input are transferred to the magnetic field.
tique en bandes correspondant 6 par un circuit 105 tick in corresponding bands 6 by a circuit 105
d'attaque d'écriture.write attack.
La référence numérique 106 désigne un circuit d'attaque de lecture qui convertit les lignes de Bloch en bulles magnétiques conformément à un procédé décrit dans le brevet N 4 583 200 précité pour reproduire l'information, et qui transfère les bulles magnétiques aux extrémités des domaines magnétiques Reference numeral 106 denotes a read drive circuit which converts Bloch lines into magnetic bubbles in accordance with a method described in the aforesaid Patent No. 4,583,200 to reproduce the information, and which transfers the magnetic bubbles to the ends of the domains. magnetic
en bandes 6 vers un détecteur 107 de bulles. in strips 6 to a bubble detector 107.
Le détecteur 107 de bulles détecte en série dans le temps les bulles magnétiques transférées par le circuit d'attaque 106 de lecture en utilisant un effet magnéto-résistif pour les convertir en un The bubble detector 107 detects in time the magnetic bubbles transferred by the read driver 106 using a magneto-resistive effect to convert them into a
signal électrique représentant l'information. electrical signal representing the information.
La référence numérique 103 désigne une source de courant d'écriture destinée à appliquer un courant à un conducteur 111 d'écriture lorsqu'une information doit être écrite dans la ligne de Bloch, Reference numeral 103 denotes a source of write current for applying a current to a write conductor 111 when information is to be written in the Bloch line,
la référence numérique 104 désigne une source de cou- reference numeral 104 designates a source of cou-
rant de lecture destinée à appliquer un courant à un conducteur 114 de lecture lorsqu'une information doit être lue sur la ligne de Bloch, la référence A read stream for applying a current to a read driver 114 when information is to be read on the Bloch line, the reference
numérique 110 désigne un générateur de champs magnéti- numeral 110 designates a magnetic field generator
ques destiné à générer et à appliquer au substrat 101 le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire et le champ magnétique pulsatoire dans le plan, lequel générateur peut être le système de génération de champ magnétique montré sur la figure 5, et la référence for generating and applying to the substrate 101 the perpendicular pulsating magnetic field and the pulsating magnetic field in the plane, which generator may be the magnetic field generating system shown in FIG. 5, and the reference
numérique 109 désigne un circuit de commande des cir- numeral 109 denotes a control circuit of the circuits
cuits d'attaque 105 et 106, des générateurs 102 et cooked attack 105 and 106, generators 102 and
, du détecteur 107 et des sources 103 et 104, confor- , detector 107 and sources 103 and 104, in accordance with
mément à un signal d'entrée (EN). to an input signal (EN).
Dans l'appareil à mémoire magnétique montré sur la figure 8, on utilise un procédé pour former les lignes de Bloch dans les patois magnétiques des domaines magnétiques 6 en bandes pour enregistrer une information et un procédé pour détecter la présence ou l'absence des lignes de Bloch afin de reproduire une information, tels que décrits en détail dans le brevet N 4 583 200 précité. Par conséquent, l'enre- gistrement et la reproduction d'une information ne In the magnetic memory apparatus shown in FIG. 8, a method is used to form the Bloch lines in the magnetic patois of the banded magnetic domains 6 to record information and a method for detecting the presence or absence of the lines. Bloch to reproduce information, as described in detail in the aforementioned Patent No. 4,583,200. Consequently, the recording and reproduction of information does not
seront pas décrits ici.will not be described here.
Le générateur 110 de champs magnétiques génère le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire au plan du film magnétique mince dans lequel sont formés les domaines magnétiques en bandes 6, et le champ magnétique pulsatoire dans le plan, parallèle à la direction longitudinale des domaines magnétiques en bandes 6. Un signal est appliqué par le circuit de commande 109 au générateur 110 de champs magnétiques, par l'intermédiaire du dispositif 29 de commande de synchronisation montré sur la figure 5. En particulier, un signal de commande est transmis par le circuit The generator 110 of magnetic fields generates the pulsating magnetic field perpendicular to the plane of the thin magnetic film in which are formed the magnetic domains in strips 6, and the magnetic field pulsating in the plane, parallel to the longitudinal direction of the magnetic domains in strips 6. A signal is applied by the control circuit 109 to the generator 110 of magnetic fields, via the synchronization control device 29 shown in FIG. 5. In particular, a control signal is transmitted by the circuit
109 de commande au dispositif de commande de synchro- 109 to the sync control device
nisation qui applique le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire et le champ magnétique pulsatoire which applies the perpendicular pulsating magnetic field and the pulsating magnetic field
dans le plan aux parois magnétiques des domaines magné- in the plane with the magnetic walls of magnetic domains
tiques en bandes 6 du substrat 100, à un instant pré- strips 6 of the substrate 100, at a pre-
déterminé et avec une force de champ magnétique prédé- determined and with a predefined magnetic field strength
terminée, conformément au signal de commande. completed, according to the control signal.
Du fait de l'utilisation du générateur de champs magnétiques, les première et seconde lignes de Bloch de la paire de lignes de Bloch présente dans le puits de potentiel se trouvant dans la paroi magnétique du domaine magnétique 6 en bande sont Due to the use of the magnetic field generator, the first and second Bloch lines of the pair of Bloch lines present in the potential well located in the magnetic wall of the magnetic domain 6 in band are
transférées en série vers des puits de potentiel adja- transferred in series to potential wells adja-
cents entre eux sous l'action des deux champs magné- between them under the action of the two magnetic fields
tiques. Le puits de potentiel est formé de façon à entourer le domaine magnétique 6 en bande le long de sa paroi magnétique, et les points stables des lignes de Bloch dus au puits de potentiel sont formés ticks. The potential well is formed to surround the magnetic domain 6 in a strip along its magnetic wall, and the stable points of the Bloch lines due to the potential well are formed.
à un pas sensiblement constant, sauf pour les extrémi- at a substantially constant pace, except for the
tés opposées du domaine magnétique 6 en bande, c'est- opposed to the magnetic domain 6 in the band, that is,
à-dire au voisinage des positions de lecture et d'écri- in the vicinity of the reading and writing positions
ture des lignes de Bloch.the lines of Bloch.
Le transfert de la paire de lignes de Bloch par le générateur 110 de champs magnétiques, l'écriture de la ligne de Bloch par le conducteur 111 d'écriture et la détection de la ligne de Bloch par le conducteur 114 de lecture sont commandés en The transfer of the pair of Bloch lines by the generator 110 of magnetic fields, the writing of the Bloch line by the writing conductor 111 and the detection of the Bloch line by the read conductor 114 are controlled by
synchronisme par le circuit 109 de commande, par l'in- synchronism by the control circuit 109, by the
termédiaire de la source 103 de courant d'écriture intermediate of the source 103 of the writing current
et de la source 104 de courant de lecture. and the read current source 104.
En conséquence, en transférant avec préci- Consequently, by transferring
* sion et de façon stable la paire de lignes de Bloch au moyen du générateur 110 de champs magnétiques,* and stably the pair of lines of Bloch by means of the generator 110 of magnetic fields,
on effectue rapidement et avec précision l'enregistre- the recording is carried out quickly and accurately
ment d'une information dans la paroi magnétique du domaine magnétique 6 en bande et la reproduction de information in the magnetic wall of the magnetic domain 6 in tape and the reproduction of
l'information à partir de ce domaine magnétique 6. information from this magnetic domain 6.
L'appareil à mémoire magnétique décrit ci-dessus convertit les lignes de Bloch en bulles Magnetic memory device described above converts Bloch lines into bubbles
magnétiques pour la lecture de l'information, ou con- magnetic devices for reading information, or
vertit l'information en présence ou absence de bulles vertit the information in the presence or absence of bubbles
pour écrire l'information dans la ligne de Bloch. to write the information in Bloch's line.
Cependant, cet enregistrement et cette reproduction d'une information, c'est-à-dire cette lecture et cette However, this recording and reproduction of information, that is to say, this reading and this
écriture de l'information sur la ligne de Bloch, peu- writing of information on the Bloch line, can
vent être effectués par d'autres moyens, par exemple par des moyens optiques comme proposé dans la demande may be carried out by other means, for example by optical means as proposed in the application
de brevet N 800 700 précitée.aforementioned patent N 800 700.
Conformément au procédé de transfert de lignes de Bloch selon l'invention, les lignes de Bloch de la paire sont séparées et entraînées (déplacées) séparément. En conséquence, la stabilisation des lignes de Bloch par le puits de potentiel est aisément atteinte et la vibration due à la force répulsive According to the Bloch line transfer method according to the invention, the Bloch lines of the pair are separated and driven (displaced) separately. Consequently, the stabilization of the Bloch lines by the potential well is easily reached and the vibration due to the repulsive force
des lignes de Blochn'a pas à être prise en considéra- Bloch lines need not be taken into consideration
tion. Pour transférer les lignes de Bloch dans un sens, le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire et le champ magnétique dans le plan peuvent être de tion. To transfer the Bloch lines in one direction, the perpendicular pulsating magnetic field and the magnetic field in the plane can be
formes d'ondes classiques à impulsions carrées symétri- symmetrical square pulse classical waveforms
ques. En conséquence, on peut simplifier les circuits périphériques. Pour déplacer la paire de lignes de Bloch vers la position de bit suivante, on utilise c. As a result, the peripheral circuits can be simplified. To move the line pair from Bloch to the next bit position, we use
la différence entre les temps des deux champs magné- the difference between the times of the two magnetic fields
tiques pulsatoires plutôt que les largeurs des champs magnétiques pulsatoires. En conséquence, on parvient pulsating ticks rather than the widths of pulsating magnetic fields. As a result, we reach
à une commande aisée.easy ordering.
Il n'est pas nécessaire que le temps de It is not necessary that the time of
chute soit long pour aboutir au transfert unidirec- fall is long to arrive at the unidirectional
tionnel et, par conséquent, on atteint une vitesse de transfert élevée. En donnant au champ magnétique parallèle Hu une valeur supérieure à celle du champ and, therefore, a high transfer rate is achieved. By giving the parallel magnetic field Hu a value greater than that of the field
magnétique perpendiculaire Hu, on réalise un trans- perpendicular magnet Hu, a trans-
fert avec un courant plus faible et on réduit la con- with a lower current and reduces the con-
sommation d'énergie.summation of energy.
Il va de soi que de nombreuses modifica- It goes without saying that many changes
tions peuvent être apportées au procédé et au système can be made to the process and the system
décrits et représentés sans sortir du cadre de l'inven- described and represented without departing from the scope
tion.tion.
Claims (20)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61226825A JP2713889B2 (en) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | Bloch line transfer method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2604282A1 true FR2604282A1 (en) | 1988-03-25 |
| FR2604282B1 FR2604282B1 (en) | 1993-03-05 |
Family
ID=16851177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8713117A Expired - Lifetime FR2604282B1 (en) | 1986-09-24 | 1987-09-23 | METHOD AND SYSTEM FOR TRANSFERRING BLOCH LINES IN A MAGNETIC WALL AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2713889B2 (en) |
| DE (1) | DE3732063A1 (en) |
| FR (1) | FR2604282B1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0106358A2 (en) * | 1982-10-18 | 1984-04-25 | Nec Corporation | Magnetic memory device capable of memorizing information in a stripe domain in the form of a vertical Bloch line pair |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5996592A (en) * | 1982-11-24 | 1984-06-04 | Nec Corp | Magnetic storage element |
| DE3542279A1 (en) * | 1984-11-30 | 1986-06-05 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Recording and/or reproducing method for Bloch-line memories |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP61226825A patent/JP2713889B2/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-09-23 DE DE19873732063 patent/DE3732063A1/en active Granted
- 1987-09-23 FR FR8713117A patent/FR2604282B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0106358A2 (en) * | 1982-10-18 | 1984-04-25 | Nec Corporation | Magnetic memory device capable of memorizing information in a stripe domain in the form of a vertical Bloch line pair |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, vol. MAG-21, no. 5, septembre 1985, pages 1762-1766, IEEE, New York, US; F.B. HUMPHREY et al.: "Vertical Bloch line memory" * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6381677A (en) | 1988-04-12 |
| JP2713889B2 (en) | 1998-02-16 |
| DE3732063A1 (en) | 1988-04-07 |
| FR2604282B1 (en) | 1993-03-05 |
| DE3732063C2 (en) | 1991-03-28 |
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