DE3732063A1

DE3732063A1 - Process for displacing Bloch lines in a magnetic domain wall and magnetic storage device for the displacing, recording and reproducing of information on Bloch lines

Info

Publication number: DE3732063A1
Application number: DE19873732063
Authority: DE
Inventors: Takeo Ono; Fumihiko Saito; Hitoshi Oda; Kou Yoneda; Akira Shinmi; Tetsuya Kaneko; Nobuo Watanabe
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-09-24
Filing date: 1987-09-23
Publication date: 1988-04-07
Also published as: JPS6381677A; JP2713889B2; FR2604282A1; FR2604282B1; DE3732063C2

Abstract

In a process or system for displacing Bloch lines, in one step only a first Bloch line of a pair of Bloch lines in a magnetic domain wall is displaced in a predetermined direction and in another step the second Bloch line of the pair of Bloch lines is displaced in the predetermined direction in order to form the pair of Bloch lines. Typically, in a first step a magnetic field perpendicular to a plane of a magnetic thin film containing the domain wall is set up at the thin film and in a second step a magnetic field parallel to the plane of the thin film is set up at the thin film along the domain wall.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum dauer haften Versetzen einer Blochlinie, die in einer Domänen wand einer streifenförmigen magnetischen Domäne ausgebildet ist. Ferner bezieht sich die Erfindung auf eine Magnet speichereinrichtung, mit der Informationen dauerhaft und mit hoher Geschwindigkeit dadurch aufgezeichnet und wieder gegeben werden können, daß Blochlinien als Informations träger nach einem neuartigen Verfahren versetzt werden.The invention relates to a method for the duration adhere to a Bloch line stuck in a domain wall of a stripe-shaped magnetic domain is. The invention further relates to a magnet storage device with which information is permanent and thereby recorded at high speed and again can be given that Blochlinien as information carriers are moved using a new method.

Als externe Speicher für Computer, Speicher für elektro nische Dateien und Speicher für Stehbilddateien werden Speichervorrichtungen wie Magnetbänder, Festspeicherplatten, Disketten, optomagnetische Platten oder Magnetblasenspeicher verwendet. Außer bei dem Magnetblasenspeicher ist bei den Speichervorrichtungen eine Relativbewegung zwischen einem Aufzeichnungsträger wie einem Band oder einer Platte und einem Wiedergabekopf erforderlich. Infolgedessen ent stehen bei einer Aufzeichnung in hoher Dichte Probleme hinsichtlich der Spurnachführung, des Antriebs und der Abnutzung des Aufzeichnungsträgers und des Kopfes, der Staubentwicklung und der Vibrationen, sowie ferner bei der optischen Platte und der optomagnetischen Platte ein Problem hinsichtlich der Scharfeinstellung.As external storage for computers, storage for electro niche files and storage for still image files Storage devices such as magnetic tapes, hard drives, Floppy disks, optomagnetic disks or magnetic bubble memories used. Except for the magnetic bubble memory is at the storage devices have a relative movement between a record carrier such as a tape or a disc and a playback head is required. As a result, ent have problems with high density recording in terms of tracking, drive and Wear of the record carrier and the head that Dust generation and vibrations, as well as the optical disk and the optomagnetic disk Focusing problem.

Gemäß der Beschreibung in der US-Patentanmeldung Serien nummer 8 01 401 ist bei dem Magnetblasenspeicher kein mecha nischer Antrieb erforderlich ist, so daß der Speicher außerordentlich zuverlässig ist. Infolgedessen ist der Magnetblasenspeicher als vorteilhaft für eine Aufzeichnung in hoher Dichte anzusehen. Da jedoch bei dem Magnetblasen speicher als ein Bit eine kreisförmige magnetische Do mäne bzw. Blase in einem magnetischen Granatfilm verwendet ist, dessen Achse leichter Magnetisierbarkeit zu der Film ebene senkrecht steht, ist auch bei einer durch die Material eigenschaften gegenwärtig verfügbarer Granatfilme bedingten kleinsten Blase (mit dem Durchmesser 0,3 µm) für die Auf zeichnungsdichte eine obere Grenze von einigen zehn Mbit je Baustein. Im Vergleich zu einem Halbleiterspeicher der in Zukunft zu einem konkurrierenden Speicher wird, besteht kein allzu großer Unterschied hinsichtlich der Kapazität. Infolgedessen ist der Anwendungsbereich des Magnetblasenspeichers sehr eng.As described in the US patent application series Number 8 01 401 is not a mecha for the magnetic bubble memory African drive is required so that the memory is extremely reliable. As a result, the Magnetic bubble memory as advantageous for recording to look at in high density. However, because of magnetic blowing store as a bit a circular magnetic do used in a magnetic garnet film whose axis is easier to magnetize to the film level is vertical, is also due to the material properties of currently available garnet films smallest bubble (with a diameter of 0.3 µm) for the on drawing density an upper limit of several ten Mbit per block. Compared to a semiconductor memory that will become a competing store in the future, there is not too much of a difference in terms of Capacity. As a result, the scope of the Magnetic bubble memory very tight.

Zur Überwindung der Begrenzung der Aufzeichnungsdichte in dem Magnetblasenspeicher hat in der letzten Zeit ein in der US-PS 45 83 200 beschriebener Blochlinienspeicher Aufmerksamkeit gefunden. Die Technologien von Blochlinien speichern sind in den US-Patentanmeldung Seriennummer 8 00 770 und 72 668 sowie in einer am 28. Juli 1987 einge reichten US-Patentanmeldung beschrieben. In dem Bloch linienspeicher werden als Speichereinheit zwei Übergangs bereiche, in denen die Magnetisierungsrichtungen in einer Domänenwand gedreht sind, die gegenüberliegend um eine in einem magnetischen Granatfilm ausgebildete streifen förmige magnetische Domäne herum verlaufen, nämlich zwei als Blochlinien bezeichnete Bereiche, die durch eine Nail-Do mänenwand zwischen Bloch-Domänenwandstrukturen bestimmt sind, wobei ein Blochlinienpaar als ein Bit benutzt wird. Da in dem Blochlinienspeicher die Breite einer Blochlinie normalerweise ein Zehntel der Breite einer magnetischen Domäne ist, kann eine Aufzeichnungsdichte erreicht werden, die nahezu zehnmal so hoch ist wie diejenige des Magnet blasenspeichers. Beispielsweise ist bei der Verwendung eines Granatfilms mit einem Blasendurchmesser von 0,5 µm eine Speicherkapazität von 1,06 Gbit je Baustein erreich bar.To overcome the limitation of the recording density has recently been in the magnetic bubble memory Bloch line memory described in US Pat. No. 4,583,200 Attention found. Blochlinien technologies are stored in the US patent application serial number 8 00 770 and 72 668 as well as in one on July 28, 1987 filed US patent application. In the bloch Line memories become two transitions as a storage unit areas in which the magnetization directions in one Domain wall are rotated, the opposite one strips formed in a magnetic garnet film shaped magnetic domain, namely two areas referred to as bloch lines, which are marked by a nail-do male wall between Bloch domain wall structures determined where a Bloch line pair is used as a bit. Since the width of a Bloch line in the Bloch line memory usually a tenth of the width of a magnetic Domain, a recording density can be achieved which is almost ten times as high as that of the magnet bladder accumulator. For example, when using a garnet film with a bubble diameter of 0.5 µm achieve a storage capacity of 1.06 Gbit per module bar.

Bei dem Blochlinienspeicher ist es erforderlich, eine stabile Lage des die Speichereinheit bildenden Blochlinien paars in der Domänenwand herbeizuführen, um die Infor mationen auf stabile Weise einzuspeichern, und das Bloch linienpaar Bit für Bit mit hoher Geschwindigkeit auf be ständige Weise zu versetzen.With the Blochline memory, it is necessary to use a stable position of the Bloch lines forming the storage unit bring about in the domain wall to the Infor Stations in a stable way, and the Bloch line pair bit by bit at high speed on be constant way to move.

Fig. 1A und 1B und Fig. 2A und 2B veranschaulichen das in der US-PS 45 83 200 beschriebene Verfahren zum Stabili sieren und Versetzen der Blochlinienpaare. Fig. 1A zeigt ein Stabilisierungs-Muster, das auf einem Magnetfilm ge bildet ist, um das Blochlinienpaar zu stabilisieren. Fig. 1B veranschaulicht ein Potential in dem Magnetfilm und die Stabilisierung des Blochlinienspeichers infolge der Ausbildung des Stabilisierungsmusters. Die Fig. 2A ver anschaulicht ein Verfahren für das Versetzen des Blochlinien paars, während die Fig. 2B die Impulskurvenform eines für die Versetzung des Blochlinienpaars verwendeten senk rechten Impulsmagnetfelds zeigt. Fig. 1A and 1B and Figs. 2A and 2B illustrate the method described 45 83 200 Sieren in US-PS to Stabili and displacement of the Bloch line pairs. Fig. 1A shows a stabilization pattern formed on a magnetic film to stabilize the Bloch line pair. Fig. 1B illustrates a potential in the magnetic film and the stabilization of the Bloch line memory due to the formation of the stabilization pattern. FIG. 2A illustrates a method for displacing the Bloch line pair, while FIG. 2B shows the pulse curve shape of a perpendicular pulse magnetic field used for displacing the Bloch line pair.

In der Vergangenheit wurde zum Stabilisieren des Bloch linienpaars gemäß Fig. 1A auf einem Magnetfilm ein Streifen muster 3 senkrecht zur Längsrichtung von streifenförmigen magnetischen Domänen 1 ausgebildet, wobei als stabile bzw. Festpunkte für das Blochlinienpaar die Kreuzungs punkte einer Domänenwand 2 der magnetischen Domäne 1 mit dem Streifenmuster 3 benutzt wurden.In the past, a strip pattern 3 was formed perpendicular to the longitudinal direction of strip-shaped magnetic domains 1 on a magnetic film to stabilize the Bloch line pair according to FIG. 1A, with the crossing points of a domain wall 2 of the magnetic domain 1 also being used as stable or fixed points for the Bloch line pair the stripe pattern 3 were used.

Das Streifenmuster 3 kann durch eine Schicht aus ferro magnetischem Material mit einer zur Filmebene in der ma gnetischen Domäne 1 senkrechten oder entlang der Breite des Streifens in der Filmebene verlaufenden Achse leichter Magnetisierbarkeit oder aber durch Implantieren von Ionen in gleichförmige Tiefe in den magnetischen Film gebildet werden.The stripe pattern 3 can be formed by a layer of ferromagnetic material with a perpendicular to the film plane in the magnetic domain 1 or along the width of the stripe in the film plane axis of easier magnetizability or by implanting ions at a uniform depth in the magnetic film .

Durch das Hervorrufen einer Verteilung 4 eines Magnetfelds Hx durch das Muster aus dem ferromagnetischen Material oder das Ionenimplantationsmuster in der Längsrichtung der streifenförmigen magnetischen Domäne 1 entlang der Domänenwand 2 der Domäne wird gemäß Fig. 1B für ein Bloch linienpaar 6 durch Zeemann-Energie zwischen dem Magnetfeld Hx und einer Magnetisierung 7 in der Domänenwand zwischen den Blochlinien eine periodische Potentialsenke gebildet.By causing a distribution 4 of a magnetic field Hx through the pattern of the ferromagnetic material or the ion implantation pattern in the longitudinal direction of the stripe-shaped magnetic domain 1 along the domain wall 2 of the domain, according to FIG. 1B for a Bloch line pair 6 by Zeemann energy between the magnetic field Hx and a magnetization 7 in the domain wall between the Bloch lines formed a periodic potential sink.

In diesen Speicher wird gemäß Fig. 2A durch das Errichten eines Impulsmagnetfelds Hp⟂ in der Richtung eines Pfeils 8 senkrecht zur Filmebene des magnetischen Granatfilms die Magnetisierung der Blochlinie durch Gyrokraft bzw. Wirbelkraft gedreht. Nach Fig. 2A wird durch die Drehung der Magnetisierung die Blochlinie in der Richtung eines Pfeils 9 bewegt, so daß das Blochlinienpaar 6 um ein Bit versetzt wird.In this memory, according to Fig. 2A rotated by building a pulse magnetic field Hp ⟂ in the direction of arrow 8 perpendicular to the film plane of the magnetic garnet film, the magnetization of the Bloch line through Gyrokraft or swirling force. According to Fig. 2A, the Bloch line is moved in the direction of arrow 9 by the rotation of the magnetization so that the Bloch line pair 6 is offset by one bit.

Bei diesem System ist die Potentialsenke für das Bloch linienpaar seitensymmetrisch. Falls daher das Impulsmagnet feld für die Blochlinienversetzung einfache Rechteckkurven form hat, wird bei dem Impulsanstieg das Blochlinienpaar in der Richtung des Pfeils 9 bewegt, aber bei dem Impuls abfall wieder in die ursprüngliche Lage zurückgebracht, so daß keine beständige Versetzung in einer Richtung er reicht wird. Bei dem Stand der Technik wird die Versetzung in einer Richtung dadurch erzielt, daß ein Impulsmagnet feld errichtet wird, welches gemäß der Darstellung durch eine Kurve 10 in Fig. 2B eine Abfallzeit t₂ hat, die aus reichend länger als eine Anstiegszeit t₁ ist. Da jedoch bei diesem System zwei Blochlinien gleichzeitig bewegt werden, vibrieren die Blochlinien infolge der Anziehungs- oder Abstoßungskraft zwischen den Blochlinien, so daß eine beständige Versetzung nicht erzielt wird. Da ferner der Abstand zwischen den Blochlinien des Paares sehr klein ist, ist die Tiefe der durch die Zeemann-Energie gebil deten Potentialsenke gering, so daß die Stabilisierung des Blochlinienpaars 6 schwer zu erreichen ist. Wenn der magnetische Granatfilm aus herkömmlichem Magnetblasen- Material gebildet wird, muß die Abfallzeit t₂ länger als 1 µs sein. Dies führt zu einer sehr geringen Geschwindigkeit der Blochlinienversetzung. Für das Erzeugen der Impuls kurvenform gemäß Fig. 2B ist die elektrische Schaltung komplizierter und der Leistungsverbrauch höher als für das Erzeugen von Rechteckimpulsen.In this system, the potential sink for the Bloch line pair is side-symmetrical. Therefore, if the pulse magnetic field for the Bloch line displacement has simple rectangular curves, the Bloch line pair is moved in the direction of arrow 9 when the pulse rises, but is returned to the original position when the pulse falls, so that no constant displacement in one direction is sufficient . In the prior art, the displacement in one direction is achieved in that a pulse magnetic field is established which, as shown by a curve 10 in Fig. 2B, has a fall time t ₂ which is sufficiently longer than a rise time t ₁. However, since two Bloch lines are moved at the same time in this system, the Bloch lines vibrate between the Bloch lines due to the attraction or repulsion force, so that a permanent displacement is not obtained. Furthermore, since the distance between the Bloch lines of the pair is very small, the depth of the potential sink formed by the Zeemann energy is small, so that the stabilization of the Bloch line pair 6 is difficult to achieve. If the magnetic garnet film is formed from conventional magnetic bubble material, the fall time t ₂ must be longer than 1 µs. This leads to a very low speed of Bloch line displacement. For generating the pulse waveform shown in FIG. 2B, the electric circuit more complicated and the power consumption is higher than for generating rectangular pulses.

Wenn die Blochlinien für das Aufzeichnen oder Auslesen von Informationen in dem bzw. aus dem Blochlinienspeicher gemäß dem Versetzungsverfahren nach dem Stand der Technik versetzt werden, ist es wegen der Unbeständigkeit der Blochlinienversetzung, nämlich der Informationsversetzung schwierig, die Informationen auf genaue Weise aufzuzeichnen oder auszulesen.If the Bloch lines for recording or reading out of information in or from the bloch line memory according to the state of the art transfer method be moved, it is because of the inconsistency of the Bloch line transfer, namely the transfer of information difficult to record the information accurately or read out.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, zum Versetzen einer Blochlinie in einer Domänenwand ein Verfahren zu schaffen, nach dem die Blochlinie auf beständige Weise versetzt wird. Das Verfahren soll ferner mit einer einfachen Schaltung und geringem Leistungsverbrauch ausführbar sein. Weiterhin soll mit der Erfindung eine Magnetspeicherein richtung geschaffen werden, bei der Blochlinien als In formationsträger verwendet werden und durch das Versetzen der Blochlinien nach einem neuartigen Verfahren die Infor mationen auf genaue Weise aufgezeichnet und reproduziert werden.The invention has for its object to move a method to a Bloch line in a domain wall create after which the Bloch line in a constant manner is moved. The process is also intended to be simple Circuit and low power consumption to be executable. Furthermore, the invention is intended to be a magnetic memory direction in which Bloch lines are created as In formation carriers are used and by moving of the Bloch lines using a new method mations recorded and reproduced precisely will.

Zur Lösung der Aufgabe wird nach dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Blochlinienversetzung das Blochlinienpaar in der Domänenwand in einer vorbestimmten Richtung ver setzt. Das Verfahren umfaßt einen Schritt für das Ver setzen nur einer ersten Blochlinie des Blochlinienpaares in der vorbestimmten Richtung und einen Schritt für das Versetzen der zweiten Blochlinie des Blochlinienpaares in der vorbestimmten Richtung, um damit das Blochlinienpaar zu bilden.To solve the problem according to the invention Procedure for Bloch line displacement the Bloch line pair ver in the domain wall in a predetermined direction puts. The method includes a step for ver only set a first Bloch line of the Bloch line pair in the predetermined direction and a step for that Move the second Bloch line of the Bloch line pair in the predetermined direction, so that the Blochlinienpaar to build.

Nach dem erfindungsgemäßen Versetzungsverfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel werden die Blochlinien in der Domänenwand in der vorbestimmten Richtung versetzt. Dieses Verfahren umfaßt einen ersten Schritt, bei dem an einem magnetischen Dünnfilm, der die Domänenwand enthält, senk recht zu der Filmebene des Dünnfilms ein Magnetfeld errichtet wird, und einen zweiten Schritt, bei dem an dem magnetischen Dünnfilm längs der Domänenwand ein zur Filmebene des Dünn films paralleles Magnetfeld errichtet wird.According to the transfer method according to the invention In one embodiment, the Bloch lines in the Domain wall offset in the predetermined direction. This The method comprises a first step in which an lower magnetic thin film containing the domain wall a magnetic field is built right to the film plane of the thin film and a second step in which the magnetic Thin film along the domain wall to the film plane of the thin film parallel magnetic field is established.

Ferner wird mit der Erfindung zur Lösung der Aufgabe eine Magnetspeichereinrichtung geschaffen, mit der Informationen unter Verwendung der Blochlinien in der Domänenwand als Informationsträger aufgezeichnet und reproduziert werden. Die Magnetspeichereinrichtung hat eine Blochlinienspeicher vorrichtung, in der auf einem Substrat ein magnetischer Dünnfilm mit einer streifenförmigen magnetischen Domäne ausgebildet ist, eine Schreibeinrichtung für das Ein schreiben einer Blochlinie entsprechend einer eingegebenen Information an einer vorbestimmten Stelle in der Domänen wand der streifenförmigen magnetischen Domäne, eine Aus leseeinrichtung für das Ermitteln einer Blochlinie an der vorbestimmten Stelle der streifenförmigen magnetischen Domäne und das Abgeben eines die Information darstellenden Signals, eine Versetzungseinrichtung für das aufeinander folgende Versetzen der Blochlinien eines Blochlinienpaares längs der Domänenwand der streifenförmigen magnetischen Domäne und eine Steuereinrichtung, die diesen Einrichtungen Steuersignale zur synchronen Steuerung der Auslese- oder Schreibeinrichtung und der Versetzungseinrichtung zuführt.Furthermore, with the invention to achieve the object Magnetic storage device created with the information using the Bloch lines in the domain wall as Information carriers are recorded and reproduced. The magnetic storage device has a Bloch line storage device in which a magnetic on a substrate Thin film with a stripe-shaped magnetic domain is designed, a writing device for the one write a Bloch line corresponding to an entered one Information at a predetermined location in the domain wall of the stripe-shaped magnetic domain, an off reading device for determining a Bloch line the predetermined position of the strip-shaped magnetic Domain and the submission of one that represents the information Signals, a transfer device for each other subsequent displacement of the Bloch lines of a Bloch line pair along the domain wall of the stripe-shaped magnetic Domain and a control facility that these facilities Control signals for synchronous control of the readout or Feeding device and the transfer device.

Die Erfindung wird nachstehend an Hand von Ausführungs beispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung ausführlich erläutert.The invention is described below with reference to the embodiment examples in detail with reference to the drawing explained.

Fig. 1A und 1B veranschaulichen ein Blochlinienpaar-Sta bilisierverfahren nach dem Stand der Technik. FIGS. 1A and 1B illustrate a Bloch line pair Sta bilisierverfahren according to the prior art.

Fig. 2A und 2B veranschaulichen ein Blochlinienpaar-Ver setzungsverfahren nach dem Stand der Technik. Figs. 2A and 2B illustrate a Bloch line pair Ver setting process according to the prior art.

Fig. 3A, 3B und Fig. 4A bis 4D veranschaulichen ein erfindungsgemäßes Blochlinien-Versetzungsverfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel. Fig. 3A, 3B and Fig. 4A to 4D illustrate an inventive Bloch line transfer method according to an embodiment.

Fig. 5 zeigt eine Einrichtung zum Ausführen des in den Fig. 3A, 3B und 4A bis 4D dargestellten Versetzungs verfahrens. Fig. 5 shows a device for executing the displacement method shown in Figs. 3A, 3B and 4A to 4D.

Fig. 6 zeigt eine andere Einrichtung für das Ausführen des Versetzungsverfahrens. Fig. 6 shows another means for performing the relocation process.

Fig. 7 ist eine graphische Darstellung eines Bereiches von Amplituden eines Impulsmagnetfelds in gleicher Ebene und eines senkrechten Impulsmagnetfelds, mit denen die Blochlinien nach dem Versetzungsver fahren versetzt werden können. Fig. 7 is a graphical representation of a range of amplitudes of a pulse magnetic field in the same plane and a vertical pulse magnetic field with which the Bloch lines can be displaced after the displacement process.

Fig. 8 ist eine Blockdarstellung der Magnetspeicherein richtung gemäß einem Ausführungsbeispiel. Fig. 8 is a block diagram of the magnetic spoke device according to an embodiment.

Die Fig. 3A, 3B und 4A bis 4D veranschaulichen das er findungsgemäße Versetzungsverfahren für Blochlinien. FIGS. 3A, 3B and 4A to 4D illustrate the invention he proper transfer method for Bloch lines.

In den Fig. 3A, 3B und 4A bis 4D sind außer den Kurven formdarstellungen die eine Domänenwand 2 betreffenden Figuren Teildraufsichten auf eine in Fig. 1 gezeigte strei fenförmige magnetische Domäne in Z-Richtung gesehen.In FIGS. 3A, 3B and 4A to 4D are other than the curves shape representations, the domain wall 2 figures are partial plan views corresponding to an embodiment shown in Fig. 1 strei fenförmige magnetic domain in the Z direction seen.

Demnach ist die Domänenwand 2 eine Domänenwand einer vorbestimmten streifenförmigen magnetischen Domäne, die in einem magnetischen Dünnfilm wie einem magnetischen Granatfilm ausgebildet ist. Der magnetische Dünnfilm ist auf einem bestimmten Substrat durch Flüssigphasen-Wachstum ausgebildet. Die Domäne kann in dem Dünnfilm in einem erwünschten Zustand gebildet werden, daß senkrecht zur Ebene des Dünnfilms ein Vormagnetisierungsfeld errichtet wird.Accordingly, the domain wall 2 is a domain wall of a predetermined stripe-shaped magnetic domain formed in a magnetic thin film such as a magnetic garnet film. The magnetic thin film is formed on a certain substrate by liquid phase growth. The domain can be formed in the thin film in a desired state that a bias field is established perpendicular to the plane of the thin film.

Eine bestimmte Struktur des die streifenförmige magnetische Domäne enthaltenden magnetischen Materials ist in der US-PS 45 83 200 beschrieben.A certain structure of the stripe-shaped magnetic Magnetic material containing domain is in the US-PS 45 83 200 described.

Die Fig. 3A, 3B und 4A bis 4D zeigen die Domänenwand 2, die ein Blochlinienpaar 6 enthält, eine Magnetisierung 5 in der Domänenwand in Bereichen außerhalb des Bereichs des Blochlinienpaares, das Blochlinienpaar 6, eine Magnetisierung 7 in der Domänenwand zwischen den Blochlinien des Blochlinienpaares und ein Impulsmagnetfeld 8, das senkrecht zu dem magnetischen Film errichtet wird, um an Blochlinien 18 und 19 zu deren Versetzung eine Gyrokraft bzw. Wirbelkraft auszuüben. Mit 13 A und 13 B ist ein Magnet feld in gleicher Ebene bzw. Ebenen-Magnetfeld H|| in der Längsrichtung der Domäne bezeichnet, durch das an den Blochlinien 18 und 19 zu der Versetzung in einer Richtung eine Antriebskraft ausgeübt wird; mit 14 A und 14 B ist eine durch das Ebenen-Magnetfeld H|| an der linken Blochlinie 18 hervorgerufene Antriebskraft FH|| bezeichnet. Mit 15 A und 15 B ist eine durch ein senkrechtes Impulsmagnetfeld Hp⟂ an der linken Blochlinie 18 ausgeübte Gyrokraft FHp⟂ bezeichnet, mit 16 A und 16 B ist eine durch das Ebenen- Magnetfeld H|| an der rechten Blochlinie 19 ausgeübte Kraft bezeichnet und 17 A und 17 B ist eine durch das senkrechte Magnetfeld Hp⟂ an der rechten Blochlinie 19 ausgeübte Kraft bezeichnet. In der Fig. 4A ist mit 4 eine Verteilung eines Magnetfelds Hx in gleicher Ebene entlang der Domänen wand dargestellt, durch das eine Potentialsenke für das Blochlinienpaar 6 gebildet wird. In der Fig. 4B sind mit 18 und 19 wiederum die beiden Blochlinien des Blochlinien paares 6 bezeichnet. In den Fig. 4C und 4D sind Kurven formen 20 A und 20 B des Ebenen-Magnetfelds H||, Kurvenformen 21 A und 21 B des senkrechten Impulsmagnetfelds HP⟂ und eine Zeitspanne Δ t dargestellt, während der die beiden Magnetfelder H|| und Hp⟂ gleichzeitig errichtet werden; in der Fig. 4A ist mit 23 ein Teilungsabstand Δ Xp der periodischen Verteilung des Magnetfelds Hx in gleicher Ebene bezeichnet. FIGS. 3A, 3B and 4A to 4D show the domain wall 2, which includes a pair of Bloch lines 6, a magnetization 5 in the domain wall in areas outside the area of the Bloch line pair, the pair of Bloch lines 6, a magnetization 7 in the domain wall between the Bloch lines of the Bloch line pair and a pulse magnetic field 8 which is established perpendicular to the magnetic film in order to exert a gyro force on Bloch lines 18 and 19 to displace them. With 13 A and 13 B is a magnetic field in the same plane or plane magnetic field H || denotes in the longitudinal direction of the domain by which a driving force is exerted on the Bloch lines 18 and 19 for displacement in one direction; with 14 A and 14 B is one by the plane magnetic field H || driving force FH || generated on the left Bloch line 18 designated. 15 A and 15 B designate a gyro force FHp ⟂ exerted by a vertical pulse magnetic field Hp ⟂ on the left Bloch line 18 , 16 A and 16 B designate a plane magnetic field H || Force exerted on the right Bloch line 19 and 17 A and 17 B denote a force exerted by the vertical magnetic field Hp ⟂ on the right Bloch line 19 . In FIG. 4A is a distribution of a magnetic field Hx in the same plane along the domain wall is shown with 4, is formed by a potential well for the Bloch line pair. 6 In FIG. 4B, the two Bloch lines of the Bloch line pair are designated 6 with 18 and 19 in turn. In FIGS. 4C and 4D are graphs form 20 A and 20 B of the plane magnetic field H ||, waveforms 21 A and 21 B of the vertical magnetic field pulse HP ⟂ and a time period Δ t represented, during which the two magnetic fields H || and Hp ⟂ can be established simultaneously; in FIG. 4A, the periodic distribution of the magnetic field Hx referred to in the same plane with a pitch Δ 23 Xp.

Nachstehend wird nun der Funktionsablauf bei der Blochlinien versetzung gemäß dem Versetzungsverfahren erläutert. Nach Fig. 3A entstehen durch das senkrechte Impulsmagnetfeld HpI an den Blochlinien 18 und 19 in der gleichen Richtung die durch die Pfeile 15 A und 17 A dargestellten Kräfte FHp⟂, so daß das Bestreben zu einer Linksbewegung der Blochlinien 18 und 19 besteht. Falls zu diesem Zeitpunkt des Ebenen-Magnetfelds H|| längs der Domänenwand (in Längs richtung der streifenförmigen magnetischen Domäne) errichtet wird, wirken die durch die Pfeile 14 A und 16 A dargestellten Kräfte FH||, die bestrebt sind, den Abstand zwischen den Blochlinien zu erweitern. Infolgedessen wirkt an der linken Blochlinie 18 eine Kraft mit der Größe |FHp⟂| + |FH|||, während an der rechten Blochlinie 19 eine Kraft mit der Größe |FHp⟂| - |FH||| wirkt. Eine Geschwindigkeit V _BL der Bewegung der Blochlinie durch die Kraft FHpI ist gegeben durchThe functional sequence in the Bloch line displacement according to the displacement method will now be explained. According to Fig. 3A arise from the vertical pulse magnetic field HpI on the Bloch lines 18 and 19 in the same direction, the forces FHp ⟂ shown by the arrows 15 A and 17 A , so that there is an effort to move the Bloch lines 18 and 19 to the left . If the plane magnetic field H || at this time along the domain wall (in the longitudinal direction of the strip-shaped magnetic domain), the forces FH || represented by the arrows 14 A and 16 A , which tend to widen the distance between the Bloch lines, act. As a result, a force of size | acts on the left Bloch line 18 FHp ⟂ | + | FH ||| while on the right Bloch line 19 is a force with the size | FHp ⟂ | - | FH ||| works. A speed V _{BL of} the movement of the Bloch line by the force FHpI is given by

wobei die Bewegung der Domänenwand nicht berücksichtigt ist, a die Länge der in Betracht zu ziehenden Domänenwand ist (von der in diesem Fall nur eine Breite πΔ der Blochlinie in Betracht zu ziehen ist), γ eine magnetische Gyrokraft konstante ist und Λ ein Blochlinienbreiten-Parameter ist. Da in der Gleichung (1) a = πΛ gilt, ergibt sich darausthe movement of the domain wall is not taken into account, a is the length of the domain wall to be considered (of which only a width πΔ of the Bloch line is to be considered in this case), γ is a magnetic gyro force constant and Λ is a Bloch line width parameter is. Since a = πΛ in equation (1), it follows from this

V _BL = Λγ Hp⟂ (2)
V _BL = Λγ Hp ⟂ (2)

Eine Geschwindigkeit V′ _BL der von der durch das Ebenen- Magnetfeld H|| entwickelten Kraft FH|| bewegten Blochlinie ist gegeben durchA speed V ′ _BL of that through the plane magnetic field H || developed force FH || moving Bloch line is given by

wobei α eine Gilbertsche Dämpfungskonstante ist, Q ein Parameter für die Angabe magnetischer Anisotropie ist, der durch Q = Kv/2π M _s² mit einer einachsigen Anisotropie konstante Kv und einer Sättigungsmagnetisierung M _s ausge drückt ist, und Δ₀ ein Domänenwandbreite-Parameter ist, der durch πΔ₀ ausgedrückt ist.where α a Gilbertsche damping constant, Q is a parameter for the indication of magnetic anisotropy, the π by Q = Kv / 2 M _s ² with a uniaxial anisotropy constant Kv and a saturation magnetization M _s is expressed, and Δ ₀ a domain wall width parameter which is expressed by πΔ ₀.

Infolgedessen ergibt sich nach Fig. 3A eine Geschwindigkeit V _BL18 der linken Blochlinie 18 aus den Gleichungen (2) und (3) zuConsequently, results shown in FIG. 3A is a velocity V _{BL 18} of the left Bloch line 18 from the equations (2) and (3) to

Eine Geschwindigkeit V _BL19 der Blochlinie 19 ergibt sich zuA speed V _{BL 19 of} the Bloch line 19 results in

Da die Größen Λ und Δ₀ im wesentlichen gleich sind, ist die Wirkung des Ebenen-Magnetfelds H|| (π Q ^1/2/2α)-mal so groß wie die Wirkung des senkrechten Impulsmagnetfelds Hp⟂. Wenn ein Magnetfilm wie Granat verwendet wird, der üblicherweise als Magnetblasenmaterial benutzt wird, gilt Q < 1 und α « 1. Infolgedessen beeinflußt bei gleicher Magnetfeldstärke das Ebenen-Magnetfeld H|| die Geschwindig keit der Blochlinie stärker als das senkrechte Impulsmagnet feld Hp⟂. Daher ergibt das Ebenen-Magnetfeld H|| eine sehr starke Antriebskraft. Since the quantities Λ and Δ ₀ are essentially the same, the effect of the plane magnetic field is H || ( π Q ^1/2 / 2 α ) times as large as the effect of the vertical pulse magnetic field Hp ⟂. If a magnetic film such as garnet is used, which is usually used as a magnetic bubble material, Q <1 and α «1 apply. As a result, the plane magnetic field H || influences the same magnetic field strength the speed of the Bloch line is stronger than the vertical pulse magnetic field Hp ⟂. Therefore the plane magnetic field gives H || a very strong driving force.

Auf diese Weise ist es selbst bei Verwendung des üblicher weise als Magnetblasenmaterial benutzten Magnetfilms möglich, nur eine Blochlinie des Blochlinienpaares 6 mittels eines Ebenen-Magnetfeld H|| in gleicher Ebene zu bewegen, das schwächer als das senkrechte Impulsmagnetfeld Hp⟂ ist.In this way, even when using the magnetic film usually used as a magnetic bubble material, it is possible to use only one Bloch line of the Bloch line pair 6 by means of a plane magnetic field H || to move in the same plane, which is weaker than the perpendicular pulse magnetic field Hp ⟂.

Gleichermaßen bewirkt bei dem Errichten des Magnetfelds H|| in gleicher Ebene in der Gegenrichtung, wie es durch den Pfeil 13 B in Fig. 3B dargestellt ist, der Kraft FH|| eine Verkürzung des Abstandes zwischen den Blochlinien, wobei gemäß Fig. 4D nur die rechte Blochlinie 19 des Paares nach links bewegt wird. Es wird nun die Versetzung des Blochlinienpaares zwischen den Potentialsenken in der Domänenwand erläutert, an der das Magnetfeld Hx mit der in Fig. 4A gezeigten Verteilung 4 errichtet ist.Likewise, when the magnetic field is established, H || in the same plane in the opposite direction, as shown by arrow 13 B in Fig. 3B, the force FH || a shortening of the distance between the Bloch lines, whereby only the right Bloch line 19 of the pair is moved to the left according to FIG. 4D. The displacement of the Bloch line pair between the potential sinks in the domain wall on which the magnetic field Hx with the distribution 4 shown in FIG. 4A is established will now be explained.

Wenn gemäß Fig. 4B und 4C das Ebenen-Magnetfeld H|| und das senkrechte Impulsmagnetfeld Hp⟂ mit den Kurvenformen 20 A bzw. 21 A an einem Bereich bzw. an einer Potentialsenke errichtet werden, an der das Blochlinienpaar 6 stabil ist bzw. feststeht, wird durch den vorstehend beschriebenen Effekt nur die Blochlinie 18 derart nach links bewegt, daß sie die nächste stabile Lage, nämlich die angrenzende Potentialsenke erreicht. Infolgedessen wird die Blochlinie gemäß der Darstellung in Fig. 4C bewegt und in einer Lage 181 stabilisiert bzw. festgelegt. Durch das Errichten des Ebenen-Magnetfelds H|| und des senkrechten Impulsmagnet felds Hp⟂ mit den Kurvenformen 20 B und 21 B gemäß Fig. 4D wird nun nur die Blochlinie 19 nach links bewegt und in einer Lage 191 festgelegt.If according to FIG. 4B and 4C, the levels of magnetic field H || and the vertical pulse magnetic field Hp ⟂ with the waveforms 20 A and 21 A are established at an area or at a potential sink where the Bloch line pair 6 is stable or is fixed, only the Bloch line 18 becomes to the left through the effect described above moves that it reaches the next stable position, namely the adjacent potential sink. As a result, the Bloch line is moved as shown in FIG. 4C and stabilized or fixed in a position 181 . By establishing the plane magnetic field H || and the vertical pulse magnetic field Hp ⟂ with the waveforms 20 B and 21 B according to FIG. 4D, only the Bloch line 19 is now moved to the left and fixed in a position 191 .

Gemäß den graphischen Darstellungen in den Fig. 4C und 4D fällt die Kurvenform des Ebenen-Magnetfelds H|| zu einem früheren Zeitpunkt als die Kurvenform des senkrechten Impulsmagnetfelds HP⟂ ab, um damit zu verhindern, daß an dem Blochlinienpaar 6 die durch das Ebenen-Magnetfeld H|| hervorgerufene Antriebskraft FH|| wirkt, wenn eine durch den Abfall des senkrechten Impulsmagnetfelds Hp⟂ entstehende Rückstellkraft -FHp⟂ auf das Blochlinienpaar 6 einwirkt. Zur beständigen Versetzung des Blochlinien paares 6 in einer Richtung wird eine an der Blochlinie durch einen Spitzenwert Hxp des Magnetfeldes Hx mit der Verteilung 4 bewirkte Haltekraft genutzt, so daß daher eine Versetzung allein mittels des senkrechten Impulsmagnetfelds verhindert wird. Infolgedessen ergibt sich hinsichtlich der Versetzungsgeschwindigkeit zwischen den beiden vonein ander verschiedenen Magnetfeldern Hp⟂ und Hxp aus den Gleichungen (2) und (3) ein Zusammenhang durchAccording to the graphs in FIGS. 4C and 4D, the waveform of the plane magnetic field H || falls at an earlier point in time than the curve shape of the perpendicular pulse magnetic field HP ⟂, in order to prevent the Bloch line pair 6 from being damaged by the plane magnetic field H || induced driving force FH || acts when a restoring force - FHp ⟂ caused by the drop in the vertical pulse magnetic field Hp ⟂ acts on the Bloch line pair 6 . For constant displacement of the Bloch lines pair 6 in one direction, a holding force caused on the Bloch line by a peak value Hxp of the magnetic field Hx with the distribution 4 is used, so that a displacement is prevented solely by means of the vertical pulse magnetic field. As a result, the relationship between the two mutually different magnetic fields Hp ⟂ and Hxp results from the relationship (2) and (3)

Zum Versetzen der Blochlinie über die Potentialsenke der Verteilung des Magnetfelds Hx hinaus muß folgende Bedingung eingehalten werden:To move the Bloch line beyond the potential sink of the distribution of the magnetic field Hx , the following condition must be met:

Da es erforderlich ist, eine Rechtsbewegung der Bloch linie 19 durch das Ebenen-Magnetfeld H|| nach Fig. 4C zu verhindern, muß folgende Bedingung eingehalten werden:Since it is necessary to move the Bloch line 19 to the right through the plane magnetic field H || To prevent according to Fig. 4C, the following condition must be met:

Hpx < H|| (8)
Hpx < H || (8th)

Nach den Gleichungen (6), (7) und (8) ist es möglich, eine beständige Bewegung der Blochlinie in der Domänenwand in eine Richtung dadurch zu erzielen, daß das Ebenen- Magnetfeld H|| und das senkrechte Impulsmagnetfeld Hp⟂ folgende Bedingungen erfüllen:According to equations (6), (7) and (8) it is possible to achieve a constant movement of the Bloch line in the domain wall in one direction in that the plane magnetic field H || and the perpendicular pulse magnetic field Hp ⟂ meet the following conditions:

Zum Versetzen der Blochlinie um ein Bit sollte die Bewegungs strecke in der Zeitspanne Δ t, in der das Ebenen-Magnetfeld H|| und das senkrechte Impulsmagnetfeld Hp⟂ einander überlap pen, kleiner als der Teilungsabstand Δ Xp der Verteilung 4 des Magnetfelds Hx sein. Daher werden gemäß der Glei chung (4) die beiden Magnetfelder H|| und Hp⟂ über die Zeitspanne Δ t überlappt, die der BedingungTo move the Bloch line by one bit, the movement distance should be in the period of time Δ t in which the plane magnetic field H || and the vertical magnetic field pulse Hp ⟂ overlap area pen to each other is smaller than the pitch Xp Δ 4 of the distribution of the magnetic field Hx be. Therefore, according to equation (4), the two magnetic fields H || and Hp ⟂ overlaps the period of time Δ t that of the condition

entspricht, so daß eine beständige Versetzung Bit für Bit erreicht wird. Bei dem vorstehend beschriebenen Prinzip ist angenommen, daß sich die Domänenwand nicht bewegt. Wenn sich die Domänenwand bewegt, kann die Blochlinie im wesentlichen nach der gleichen Theorie versetzt werden.corresponds so that a constant offset bit for Bit is reached. With the principle described above it is assumed that the domain wall is not moving. If the domain wall moves, the Bloch line can be moved essentially according to the same theory.

Eine bestimmte Versetzungseinrichtung wird nun anhand der Fig. 5 erläutert. Mit 24 ist ein Baustein bezeichnet, auf dem ein Magnetfilm mit der streifenförmigen magnetischen Domäne ausgebildet ist, die Domänenwände mit Blochlinien hat. Mit 25 ist eine Wicklung für das Errichten eines Magnetfelds in der Längsrichtung der streifenförmigen magnetischen Domäne, nämlich in Querrichtung zur Zeich nungsebene bezeichnet; mit 26 ist eine Wicklung für das Errichten eines Magnetfelds senkrecht zu dem Magnetfilm, nämlich vertikal an der Zeichnungsebene bezeichnet; mit 27 ist eine Impulstreiberstufe für das Zuführen von Impuls strom zu der Wicklung 25 bezeichnet; mit 28 ist eine Im pulstreiberstufe für das Zuführen von Impulsstrom zu der Wicklung 26 bezeichnet; mit 29 ist eine Zeitsteuereinheit mit einem Triggerimpulsgenerator für das zeitliche Steuern der Impulstreiberstufen 27 und 28 bezeichnet. Mittels eines derartigen einfachen Systems zur Errichutng von Magnetfeldern wird eine stabile bzw. beständige Versetzung von Blochlinienpaaren erreicht. Die Zeitsteuereinheit 29 betreibt die Impulstreiberstufen 27 und 28 unter einer Zeitsteuerung, die der Gleichung (10) entspricht. Die Impulstreiberstufen 27 und 28 geben Impulsströme mit den Kurvenformen 20 A und 20 B für das Magnetfeld H|| in gleicher Ebene bzw. 21 A und 21 B für das senkrechte Impulsmagnetfeld Hp⟂ gemäß Fig. 4C und 4D an die Wicklungen 25 bzw. 26 ab. Als Magnetfilm des Bausteins 24 wird (YSmLuGa)₃(GeFe)₅O₁₂ benutzt. Dieses Material hat einen magnetischen Parameter 4 π M = 195 (Gs), eine Steifigkeitskonstante A = 2,63×10^-7 (erg/cm), eine Anisotropiekonstante Ku = 8690 (erg/cm³), eine Konstante α = 0,11 und eine Konstante γ = 1,83×10⁷.A specific displacement device will now be explained with reference to FIG. 5. 24 denotes a module on which a magnetic film with the stripe-shaped magnetic domain is formed, which has domain walls with Bloch lines. 25 is a winding for establishing a magnetic field in the longitudinal direction of the strip-shaped magnetic domain, namely in the transverse direction to the drawing plane; 26 denotes a winding for establishing a magnetic field perpendicular to the magnetic film, namely vertically on the plane of the drawing; 27 denotes a pulse driver stage for the supply of pulse current to the winding 25 ; 28 denotes a pulse driver stage for supplying pulse current to the winding 26 ; 29 denotes a time control unit with a trigger pulse generator for the timing of the pulse driver stages 27 and 28 . Such a simple system for establishing magnetic fields achieves a stable or permanent displacement of Bloch line pairs. The timing control unit 29 operates the pulse driver stages 27 and 28 under a timing control which corresponds to the equation (10). The pulse driver stages 27 and 28 give pulse currents with the waveforms 20 A and 20 B for the magnetic field H || in the same plane or 21 A and 21 B for the vertical pulse magnetic field Hp ⟂ according to FIGS . 4C and 4D to the windings 25 and 26 respectively. As the magnetic film of the block 24 (YSmLuGa) ₃ (GeFe) ₅O₁₂ is used. This material has a magnetic parameter 4π M = 195 (Gs), a stiffness constant A = 2.63 × 10 ^-7 (erg / cm), an anisotropy constant Ku = 8690 (erg / cm³), a constant α = 0.11 and a constant γ = 1.83 × 10⁷.

Wenn die Amplitude der Potentialsenke (Hx) 10 e beträgt und der Teilungsabstand Δ Xp der Periode der Potentialsenken 1 µm ist, ergibt sich aus den Bedingungen der Gleichung (10) gemäß Fig. 7 für die Amplituden des Ebenen-Magnetfelds H|| und des senkrechten Impulsmagnetfelds Hp⟂ ein durch einen gestrichelten Bereich 30 dargestellter Bereich für die Versetzung. Nach Fig. 7 ist in einem Leerbereich 31 außerhalb des strichlierten Bereichs 30 zwar die Versetzung möglich, jedoch nicht die Versetzung Bit für Bit. Nimmt man an, daß die Feldstärke des Magnetfelds H|| in der gleichen Ebene 0,9 Oe und die Feldstärke des senkrechten Impuls magnetfelds Hp⟂ 20 Oe beträgt, sollte gemäß den Bedingungen der Gleichung (10) die Überlappungszeit Δ t des Ebenen- Magnetfeldimpulses und des senkrechten Magnetfeldimpulses weniger als 20 ns betragen. Dies kann auf einfache Weise durch den Triggerimpulsgenerator der Zeitsteuereinheit 29 gesteuert werden.If the amplitude of the potential well (Hx) is 10 s and the pitch Δ Xp of the period of the potential wells 1 .mu.m, the equation (10) results from the conditions shown in Fig. 7 for the amplitudes of the levels of magnetic field H || and the perpendicular pulse magnetic field Hp ⟂ an area represented by a dashed area 30 for the offset. According to FIG. 7, the displacement is possible in an empty area 31 outside of the dashed area 30 , but not bit by bit. Assume that the field strength of the magnetic field H || in the same plane 0.9 Oe and the field strength of the vertical pulse magnetic field Hp ⟂ 20 Oe, according to the conditions of equation (10), the overlap time Δ t of the plane magnetic field pulse and the vertical magnetic field pulse should be less than 20 ns. This can be controlled in a simple manner by the trigger pulse generator of the timing control unit 29 .

Die Fig. 6 zeigt eine Abwandlung der Versetzungseinrichtung. Mit 24 ist ein Baustein mit einem Magnetfilm bezeichnet, mit 270 ist eine Impulstreiberstufe für das Errichten des Magnetfelds H|| in der gleichen Ebene bezeichnet, mit 33 ist eine auf dem Baustein 24 ausgebildete Leiterschicht für das Errichten des Magnetfelds H|| bezeichnet und mit 34 ist die Richtung eines durch die Leiterschicht 33 fließen den Stroms i bezeichnet. Fig. 6 shows a modification of the displacement means. 24 is a component with a magnetic film, 270 is an impulse driver stage for establishing the magnetic field H || in the same plane, with 33 is a conductor layer formed on the module 24 for establishing the magnetic field H || and 34 denotes the direction of a current i flowing through the conductor layer 33 .

Bei diesem Ausführungsbeispiel wird statt der Verwendung der Wicklung 25 für das Errichten des Ebenen-Magnetfelds H|| bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 5 der auf dem Baustein 24 ausgebildeten Leiterschicht 33 der Strom i in der Richtung 31 zugeführt, um an der streifenförmigen magnetischen Domäne in gleicher Ebene das Magnetfeld H|| zu errichten. Die Längsrichtung der streifenförmigen ma gnetischen Domäne ist die X-Richtung. Da bei diesem Ausfüh rungsbeispiel der Abstand zwischen der Leiterschicht 33 und dem Magnetfilm des Bausteins 24 klein ist, kann der für das Erzeugen der Feldstärke des Magnetfelds H|| für das Erfüllen der Bedingung (9) erforderliche Strom i gering sein und die Blochlinie mit geringem Leistungsverbrauch versetzt werden.In this embodiment, instead of using the winding 25 for the establishment of the plane magnetic field, H || In the exemplary embodiment according to FIG. 5, the current i is supplied in the direction 31 to the conductor layer 33 formed on the module 24 in order to generate the magnetic field H || at the strip-shaped magnetic domain in the same plane to build. The longitudinal direction of the stripe-shaped magnetic domain is the X direction. Since the distance between the conductor layer 33 and the magnetic film of the component 24 is small in this exemplary embodiment, the one for generating the field strength of the magnetic field H || current i required for fulfilling condition (9) must be low and the Bloch line can be moved with low power consumption.

Die Fig. 8 ist eine Blockdarstellung der Magnetspeicherein richtung gemäß einem Ausführungsbeispiel, bei dem die als Informationsträger dienenden Blochlinien durch Anwendung des beschriebenen Versetzungsverfahrens versetzt werden. Fig. 8 is a block diagram of the Magnetspeicherein direction according to an embodiment in which the Bloch lines serving as information carriers are displaced by using the described displacement method.

In der Fig. 8 ist mit 101 ein Blochlinienspeicher-Substrat bezeichnet, auf dem eine Vielzahl von streifenförmigen magnetischen Domänen 1 mit einem konstanten Teilungsabstand senkrecht zur Längsrichtung der Domänen 1 angeordnet ist. In FIG. 8, 101 denotes a Bloch line storage substrate, on which a multiplicity of stripe-shaped magnetic domains 1 with a constant pitch are arranged perpendicular to the longitudinal direction of the domains 1 .

In den Domänenwänden der Domänen 1 werden längs der Do mänenwände in gleichmäßigem Teilungsabstand Potentialsenken gebildet. Informationen werden zeitlich aufeinanderfolgend dadurch gespeichert, daß Blochlinien auf die Reihe von Potentialsenken verteilt werden. Mit 102 ist ein Magnet blasen-Generator bezeichnet, der entsprechend eingegebenen Informationen zeitlich aufeinanderfolgend Magnetblasen erzeugt. Die die eingegebenen Informationen dargestellten magnetischen Blasen werden mittels einer Schreibtreiber stufe 105 zu der entsprechenden streifenförmigen magnetischen Domäne übertragen.Potential sinks are formed in the domain walls of the domains 1 along the domain walls at an even pitch. Information is stored successively in time in that Bloch lines are distributed over the series of potential sinks. With 102 a magnetic bubble generator is designated, which generates magnetic bubbles in succession according to information entered. The magnetic bubbles represented by the entered information are transmitted by means of a write driver stage 105 to the corresponding strip-shaped magnetic domain.

Mit 106 ist eine Lesetreiberstufe bezeichnet, die nach einem in der US-PS 45 83 200 beschriebenen Verfahren die Blochlinien in magnetische Blasen umsetzt, um die Informa tionen auszulesen, und die die magnetischen Blasen an den Enden der streifenförmigen magnetischen Domänen zu einem Blasen-Detektor 107 versetzt. 106 with a reading driver stage is designated, which converts the Bloch lines into magnetic bubbles according to a method described in US Pat. No. 4,583,200 in order to read out the information, and which converts the magnetic bubbles at the ends of the strip-shaped magnetic domains to a bubble detector 107 offset.

Der Blasen-Detektor 107 erfaßt zeitlich aufeinanderfolgend die mittels der Lese-Treiberstufe 106 versetzten magnetischen Blasen unter Nutzung eines magnetoresistiven Effekts, um die Blasen in ein die Information darstellendes elektri sches Signal umzusetzen.The bubble detector 107 sequentially detects the magnetic bubbles displaced by the read driver stage 106 using a magnetoresistive effect in order to convert the bubbles into an electrical signal representing the information.

Mit 103 ist eine Schreibstromquelle für das Zuführen eines Stroms zu einem Schreibleiter 111 bei dem Einschreiben von Informationen in den Speicher bezeichnet, mit 104 ist eine Lesestromquelle für das Zuführen eines Stroms zu einem Leseleiter 114 bei dem Auslesen der Informationen aus dem Speicher bezeichnet, mit 110 ist eine Magnetfeld erzeugungseinrichtung für das Erzeugen des senkrechten Impulsmagnetfelds und des Ebenen-Impulsmagnetfelds an dem Substrat 101 bezeichnet, wobei die Einrichtung das in Fig. 5 dargestellte System zur Magnetfelderzeugung sein kann, und mit 109 ist eine Steuerschaltung bezeichnet, die die Treiberstufen 105 und 106, die Erzeugungseinrichtun gen 102 und 110, den Detektor 107 und die Stromquellen 103 und 104 entsprechend einem Eingangssignal IN steuert. 103 designates a write current source for supplying a current to a write conductor 111 when writing information into the memory, 104 designates a read current source for supplying a current to a read conductor 114 for reading the information out of the memory, 110 is a magnetic field generating device for generating the vertical pulse magnetic field and the plane pulse magnetic field on the substrate 101 , which device may be the system for magnetic field generation shown in FIG. 5, and 109 is a control circuit which designates the driver stages 105 and 106 which controls generation devices 102 and 110 , detector 107 and current sources 103 and 104 in accordance with an input signal IN .

Bei der in Fig. 8 gezeigten Magnetspeichereinrichtung sind ein Verfahren zum Bilden der Blochlinien in den Do mänenwänden der streifenförmigen magnetischen Domänen für die Informationsaufzeichnung und ein Verfahren zum Ermitteln des Vorhandenseins oder Fehlens der Blochlinie für die Informationswiedergabe ausführlich in der US-PS 45 83 200 beschrieben. Infolgedessen wird hier die Auf zeichnung und die Wiedergabe von Informationen nicht be schrieben.In the magnetic storage device shown in FIG. 8, a method for forming the Bloch lines in the domain walls of the stripe-shaped magnetic domains for information recording and a method for determining the presence or absence of the Bloch line for information reproduction are described in detail in US Pat. No. 4,583,200 . As a result, the recording and reproduction of information is not described here.

Die Magnetfelderzeugungseinrichtung 110 erzeugt das zur Filmebene des magnetischen Dünnfilms mit den darin ausge bildeten streifenförmigen magnetischen Domänen senkrechte Impulsmagnetfeld sowie das Impulsmagnetfeld in gleicher Ebene parallel zu der Längsrichtung der streifenförmigen magnetischen Domäne. An die Magnetfelderzeugungseinrichtung 110 wird aus der Steuerschaltung 109 ein Signal über die in Fig. 5 gezeigte Zeitsteuereinheit 29 angelegt. Im einzel nen wird an die Zeitsteuereinheit aus der Steuerschaltung 109 ein Steuersignal abgegeben, mit dem das senkrechte Impulsmagnetfeld und das Ebenen-Impulsmagnetfeld an den Domänenwänden der streifenförmigen magnetischen Domänen auf dem Substrat 100 zu vorbestimmten Zeiten und mit vor bestimmten magnetischen Feldstärken entsprechend dem Steuer signal erzeugt werden.The magnetic field generating device 110 generates the pulse magnetic field perpendicular to the film plane of the magnetic thin film with the strip-shaped magnetic domains formed therein and the pulse magnetic field in the same plane parallel to the longitudinal direction of the strip-shaped magnetic domain. A signal is applied to the magnetic field generating device 110 from the control circuit 109 via the timing control unit 29 shown in FIG. 5. In detail, a control signal is emitted from the control circuit 109 to the time control unit, with which the vertical pulse magnetic field and the plane pulse magnetic field on the domain walls of the strip-shaped magnetic domains on the substrate 100 are generated at predetermined times and with predetermined magnetic field strengths in accordance with the control signal will.

Bei der Verwendung der Magnetfelderzeugungseinrichtung 110 werden durch die Wirkung der beiden Magnetfelder die erste und die zweite Blochlinie des Blochlinienpaars in der Potentialsenke in der Domänenwand der streifenförmigen magnetischen Domäne seriell zu den angrenzenden Potential senken versetzt.When using the magnetic field generating device 110 , the action of the two magnetic fields causes the first and the second Bloch line of the Bloch line pair in the potential sink in the domain wall of the strip-shaped magnetic domain to be serially offset from the adjacent potentials.

Die Potentialsenke wird derart ausgebildet, daß sie die streifenförmige magnetische Domäne längs der Domänenwand derselben umgibt, wobei für die Blochlinien durch die Potentialsenken stabile Punkte unter im wesentlichen kon stanten Teilungsabständen mit Ausnahme der einander gegen überliegenden Enden der streifenförmigen magnetischen Domäne, nämlich mit Ausnahme der Nähe der Stellen für das Einschreiben und das Auslesen von Blochlinien gebildet werden.The potential sink is designed such that it stripe-shaped magnetic domain along the domain wall surrounds the same, for the Bloch lines through the Potential sinks stable points under essentially con constant spacing apart from each other overlying ends of the strip-shaped magnetic Domain, with the exception of the proximity of the places for the writing and reading of Bloch lines formed will.

Die Versetzung des Blochlinienpaars mittels der Magnetfeld erzeugungseinrichtung 110, das Einschreiben einer Bloch linie über die Schreib-Leiter 111 und die Erfassung einer Blochlinie mittels der Lese-Leiter 114 wird durch die Steuerschaltung 109 über die Schreibstromquelle 103 und die Lesestromquelle 104 synchronisiert.The displacement of the Bloch line pair using the magnetic field generating device 110 , the writing of a Bloch line via the write conductor 111 and the detection of a Bloch line using the read conductor 114 is synchronized by the control circuit 109 via the write current source 103 and the read current source 104 .

Infolgedessen werden das genaue beständige Versetzen des Blochlinienpaars mittels der Magnetfelderzeugungseinrichtung 110, das Aufzeichnen von Informationen in der Domänenwand der streifenförmigen magnetischen Domäne und die Wiedergabe der Informationen aus der streifenförmigen magnetischen Domäne auf genaue Weise und schnell ausgeführt.As a result, the accurate steady displacement of the Bloch line pair by the magnetic field generator 110 , the recording of information in the domain wall of the stripe magnetic domain, and the reproduction of the information from the stripe magnetic domain are performed accurately and quickly.

Bei der vorstehend beschriebenen Magnetspeichereinrichtung werden zum Auslesen der Informationen die Blochlinien in Magnetblasen umgesetzt oder die Informationen zu einem Vorhandensein oder Fehlen einer Blase umgesetzt, um die Informationen in die Blochlinien-Domäne einzuschreiben. Ein solches Aufzeichnen und Wiedergeben von Informationen, nämlich das Einschreiben und Auslesen von Informationen in bzw. aus dem Blochlinienspeicher kann jedoch mittels anderer Einrichtungen erfolgen, wie z. B. mittels einer in der US-Patentanmeldung Seriennummer 8 00 770 vorgeschla genen optischen Einrichtung.In the magnetic storage device described above the Bloch lines are used to read out the information converted into magnetic bubbles or the information about one Presence or absence of a bladder implemented to the Write information into the Blochlines domain. Such recording and playback of information, namely the writing and reading of information in or out of the Bloch line memory can, however, by means of other facilities, such as. B. by means of a in U.S. Patent Application Serial No. 8 00 770 gene optical device.

Bei dem beschriebenen Verfahren zur Versetzung der Bloch linien werden die Blochlinien des Blochlinienpaares von einander getrennt und voneinander gesondert bewegt. Infolge dessen wird eine Stabilisierung bzw. Festlegung der Bloch linien durch die Potentialsenken auf einfache Weise erzielt, während durch die Abstoßkräfte der Blochlinien verursachte Vibrationen nicht berücksichtigt werden müssen. Für das Versetzen der Blochlinien in einer Richtung können das senkrechte Impulsmagnetfeld und das Magnetfeld gleicher Ebene die übliche symmetrische Rechteckimpulsform haben. Infolgedessen können die peripheren Schaltungen vereinfacht sein. Zum Bewegen des Blochlinienpaares zu der nächsten Bitstelle wird gegenüber den Breiten der Impulsmagnetfelder vorwiegend der Unterschied zwischen den Zeiten der beiden Impulsmagnetfelder genutzt. Infolgedessen ist die Steuerung leicht zu erzielen.In the described method for moving the Bloch lines become the Bloch lines of the Bloch line pair of separated from each other and moved separately from each other. As a result this will stabilize or fix the Bloch lines easily achieved through the potential sinks, while caused by the repulsive forces of the Bloch lines Vibrations do not have to be taken into account. For the Moving the Bloch lines in one direction can do that vertical pulse magnetic field and the magnetic field the same Plane have the usual symmetrical rectangular pulse shape. As a result, the peripheral circuits can be simplified be. To move the Bloch line pair to the next one Bit position is compared to the widths of the pulse magnetic fields predominantly the difference between the times of the two Impulse magnetic fields used. As a result, the controller easy to achieve.

Zum Erreichen der Versetzung in einer Richtung muß die Abfallzeit nicht lang sein, so daß daher eine Versetzung mit hoher Geschwindigkeit erreicht wird. Durch eine Ein stellung in der Weise, daß das parallele Magnetfeld H|| stärker als das senkrechte Magnetfeld Hp⟂ ist, wird die Versetzung mit schwächerem Strom erzielt und der Leistungs verbrauch verringert.The fall time does not have to be long to achieve the unidirectional displacement, so a high-speed displacement is therefore achieved. By setting in such a way that the parallel magnetic field H || stronger than the vertical magnetic field Hp ⟂, the dislocation is achieved with weaker current and the power consumption is reduced.

Bei einem Blochlinien-Versetzungsverfahren bzw. -system wird in einem Schritt nur eine erste Blochlinie eines Blochlinienpaares in einer magnetischen Domänenwand in einer vorbestimmten Richtung versetzt und in einem Schritt die zweite Blochlinie des Blochlinienpaares in der vor bestimmten Richtung verschoben, um das Blochlinienpaar zu bilden. Typischerweise wird in einem ersten Schritt ein zu einer Ebene eines die Domänenwand enthaltenden magnetischen Dünnfilms senkrechtes Magnetfeld an dem Dünnfilm errichtet und in einem zweiten Schritt ein Magnetfeld parallel zu der Ebene des Dünnfilms an dem Dünnfilm längs der Domänenwand errichtet.With a Bloch line transfer method or system is only a first Bloch line of one in one step Blochlinienpaares in a magnetic domain wall in offset in a predetermined direction and in one step the second Bloch line of the Bloch line pair in the front certain direction shifted to the Blochlinienpaar to build. Typically, in a first step one to a level of one containing the domain wall magnetic thin film vertical magnetic field on the thin film built and in a second step a magnetic field parallel to the plane of the thin film along the thin film the domain wall.

Claims

1. Verfahren zum Versetzen von Blochlinienpaaren in einer magnetischen Domänenwand, dadurch gekennzeichnet, daß nur eine erste Blochlinie des Blochlinienpaares in einer vorbestimmten Richtung versetzt wird und daß das zweite Blochlinienpaar des Blochlinienpaares in der vor bestimmten Richtung versetzt und das Blochlinienpaar ge bildet wird.1. A method for moving Blochlinienpaaren in a magnetic domain wall, characterized in that only a first Blochlinie of the Blochlinienpaares is displaced in a predetermined direction and that the second Blochlinienpaar of the Blochlinienpaares offset in the predetermined direction and the Blochlinienpaar is formed ge.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Blochlinienpaar zwischen Potentialsenken versetzt wird, die längs der Domänenwand ausgebildet werden.2. The method according to claim 1, characterized in that that the Bloch line pair is displaced between potential sinks that are formed along the domain wall.

3.Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn zeichnet, daß bei einem ersten Schritt an einem die Do mänenwand enthaltenden magnetischen Dünnfilm ein zur Film ebene des Dünnfilms senkrechtes Magnetfeld richtet wird und in einem zweiten Schritt an dem Dünnfilm entlang der Domänenwand ein zur Filmebene des Dünnfilms paralleles Magnetfeld gerichtet wird. 3.Procedure according to claim 1 or 2, characterized records that in a first step the Do magnetic thin film containing the wall of a man plane of the thin film is directed perpendicular magnetic field and in a second step on the thin film along the Domain wall parallel to the film plane of the thin film Magnetic field is directed.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Schritt und der zweite Schritt zum Teil parallel zueinander ausgeführt werden.4. The method according to claim 3, characterized in that the first step and the second step in part run parallel to each other.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Schritt früher als der zweite Schritt beendet wird.5. The method according to claim 4, characterized in that the first step ends earlier than the second step becomes.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem zweiten Schritt bei der Ver setzung der ersten Blochlinie das Magnetfeld entgegenge setzt zu der Richtung bei der Versetzung der zweiten Bloch linie ausgerichtet wird.6. The method according to any one of claims 3 to 5, characterized characterized in that in the second step in Ver opposing the first Bloch line the magnetic field continues to the direction when moving the second Bloch line is aligned.

7. Verfahren zum Versetzen von Blochlinien in einer magnetischen Domänenwand, dadurch gekennzeichnet, daß in einem ersten Schritt an einem magnetischen Dünnfilm, der die Domänenwand enthält, ein zur Filmebene des Dünn films senkrechtes Magnetfeld gerichtet wird und daß in einem zweiten Schritt an dem Dünnfilm entlang der Domänen wand ein zur Filmebene des Dünnfilms paralleles Magnetfeld errichtet wird.7. Method for moving Bloch lines in one magnetic domain wall, characterized in that in a first step on a magnetic thin film, which contains the domain wall, one to the film plane of the thin film is directed perpendicular magnetic field and that in a second step on the thin film along the domains magnetic field parallel to the film plane of the thin film is established.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Schritt und der zweite Schritt über eine Zeitdauer Δ t parallel zueinander ausgeführt werden.8. The method according to claim 7, characterized in that the first step and the second step are carried out over a period of time Δ t in parallel.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Schritt früher als der zweite Schritt beendet wird.9. The method according to claim 8, characterized in that the first step ends earlier than the second step becomes.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Bedingungen H||<Hxp eingehalten werden, wobei H|| die Feldstärke des zur Ebene parallelen Magnetfelds ist, Hp⟂ die Feldstärke des senk rechten Magnetfelds, Hxp der Spitzenwert der Feldstärke einer in der Domänenwand zum Bilden von stabilen Punkten für die Blochlinien gebildeten Magnetfeldverteilung ist, α die Gilbertsche Dämpfungskonstante ist und Q = Kv/2π Ms² gilt, wobei Kv eine einachsige Anisotropiekonstante ist und Ms eine Magnetisierungssättigung ist.10. The method according to any one of claims 7 to 9, characterized in that the conditions H || < Hxp are observed, where H || is the field strength of the magnetic field parallel to the plane, Hp ⟂ the field strength of the perpendicular magnetic field, Hxp is the peak value of the field strength of a magnetic field distribution formed in the domain wall to form stable points for the Bloch lines, α is Gilbert's damping constant and Q = Kv / 2 π Ms ² applies, where Kv is a uniaxial anisotropy constant and Ms is a magnetization saturation.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Bedingung eingehalten wird, wobei γ eine magnetische Gyrokraftkonstante ist, Λ ein Blochlinien-Breitenparameter ist, Δ₀ ein Domänen wandparameter ist und Δ _Xp ein Teilungsabstand der Magnet feldverteilung ist.11. The method according to claim 10, characterized in that the condition is observed, where γ is a magnetic gyro force constant, Λ is a Bloch line width parameter, Δ ₀ is a domain wall parameter and Δ _{Xp is} a pitch of the magnetic field distribution.

12. System zum Versetzen von Blochlinien in einer ma gnetischen Domänenwand, gekennzeichnet durch eine erste Magnetfelderzeugungseinrichtung (26, 28) zum Errichten eines zur Filmebene eines die Domänenwand (2) enthaltenden magnetischen Dünnfilms senkrechten Magnetfelds an dem Dünnfilm, eine zweite Magnetfelderzeugungseinrichtung (25, 27) zum Errichten eines zur Filmebene des Dünnfilms parallelen Magnetfelds an dem Dünnfilm längs der Domänen wand und eine Steuereinrichtung (29) zur synchronisierten Steuerung der ersten und der zweiten Magnetfelderzeugungs einrichtung. 12. System for displacing Bloch lines in a magnetic domain wall, characterized by a first magnetic field generating device ( 26, 28 ) for establishing a magnetic field perpendicular to the film plane of a magnetic thin film containing the domain wall ( 2 ) on the thin film, a second magnetic field generating device ( 25, 27 ) for establishing a magnetic field parallel to the film plane of the thin film on the thin film along the domains and a control device ( 29 ) for synchronized control of the first and second magnetic field generating device.

13. System nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Magnetfelderzeugungseinrichtung (25 bis 28) Impulsmagnetfelder erzeugen.13. System according to claim 12, characterized in that the first and second magnetic field generating means ( 25 to 28 ) generate pulse magnetic fields.

14. System nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß von der zweiten Magnetfelderzeugungseinrichtung (25, 27) die Richtung des errichteten Impulsmagnetfelds umkehrbar ist.14. System according to claim 13, characterized in that the direction of the pulse magnetic field established is reversible from the second magnetic field generating device ( 25, 27 ).

15. System nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (29) die erste und die zweite Magnetfelderzeugungseinrichtung (25 bis 28) über eine Zeitdauer Δ t parallel betreibt.15. System according to one of claims 12 to 14, characterized in that the control device ( 29 ) operates the first and the second magnetic field generating device ( 25 to 28 ) in parallel over a period of time Δ t .

16. System nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (29) die Ansteuerung der ersten Magnetfelderzeugungseinrichtung (26, 28) früher als die Ansteuerung der zweiten Magnetfelderzeugungseinrichtung (25, 27) beendet.16. System according to claim 15, characterized in that the control device ( 29 ) ends the control of the first magnetic field generating device ( 26, 28 ) earlier than the control of the second magnetic field generating device ( 25, 27 ).

17. Magnetspeichereinrichtung für das Aufzeichnen und Wiedergeben von Informationen unter Verwendung von in einer magnetischen Domänenwand gebildeten Blochlinien als Informationsträger, gekennzeichnet durch eine Bloch linienspeichervorrichtung (101), die auf einem Substrat einen magnetischen Dünnfilm mit einer streifenförmigen magnetischen Domäne (1) trägt, eine Schreibeinrichtung (102, 105) für das Einschreiben einer der eingegebenen Information entsprechenden Blochlinie an einer vorbestimmten Stelle der Domänenwand der Domäne, eine Leseeinrichtung (104, 106) für das Erfassen der an der vorbestimmten Stelle der Domänenwand ausgebildeten Blochlinie und zum Erzeugen eines Signals, das die Information wiedergibt, eine Ver setzungseinrichtung (110) zum Versetzen eines Blochlinien paares in einer vorbestimmten Richtung längs der Domänenwand, wobei die Versetzungseinrichtung die Blochlinien des Bloch linienpaares nacheinander versetzt, und eine Steuerein richtung (109) für das Anlegen von Steuersignalen an die Schreibeinrichtung, die Leseeinrichtung und die Verset zungseinrichtung zur synchronen Steuerung derselben.17. Magnetic storage device for recording and reproducing information using Bloch lines formed in a magnetic domain wall as information carriers, characterized by a Bloch line storage device ( 101 ) which carries a magnetic thin film with a strip-shaped magnetic domain ( 1 ) on a substrate, a writing device ( 102, 105 ) for writing a Bloch line corresponding to the input information at a predetermined position on the domain wall of the domain, a reading device ( 104, 106 ) for detecting the Bloch line formed at the predetermined position on the domain wall and for generating a signal which corresponds to the Reproduces information, a displacement device ( 110 ) for displacing a Bloch line pair in a predetermined direction along the domain wall, the displacement device displacing the Bloch lines of the Bloch line pair in succession, and a control device ( 109 ) for the A Apply control signals to the writing device, the reading device and the offset device for synchronous control thereof.

18. Magnetspeichereinrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Versetzungseinrichtung (110) eine Einrichtung zum Errichten eines zu der Ebene des Dünnfilms senkrechten Magnetfelds an der streifenförmigen magnetischen Domäne (1) und eine Einrichtung zum Errichten eines zu der Ebene des Dünnfilms parallelen Magnetfelds an der streifenförmigen magnetischen Domäne aufweist.18. Magnetic storage device according to claim 17, characterized in that the displacement device ( 110 ) means for establishing a magnetic field perpendicular to the plane of the thin film on the strip-shaped magnetic domain ( 1 ) and a device for establishing a magnetic field parallel to the plane of the thin film of the stripe-shaped magnetic domain.

19. Magnetspeichereinrichtung nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß senkrecht zur Längsrichtung der magnetischen Domäne (1) eine Vielzahl streifen förmiger magnetischer Domänen ausgebildet ist.19. Magnetic memory device according to claim 17 or 18, characterized in that a plurality of stripe-shaped magnetic domains is formed perpendicular to the longitudinal direction of the magnetic domain ( 1 ).

20. Verfahren zum Versetzen von in einer magnetischen Domänenwand ausgebildeten Blochlinien entlang der Domänen wand, dadurch gekennzeichnet, daß eine Blochlinie in eine erste Lage in der Domänenwand gebracht wird und daß parallel zu der Ebene eines die Domänenwand enthaltenden magnetischen Dünnfilms entlang der Domänenwand ein Magnetfeld errichtet wird, um die Blochlinie aus der ersten Lage in eine zweite Lage zu versetzen.20. Method of moving in a magnetic Bloch lines formed along the domains wall, characterized in that a Bloch line into a first layer is brought in the domain wall and that parallel to the plane of a magnetic containing the domain wall A magnetic field is established along the domain wall the Bloch line from the first layer to a second Able to move.