FR2520557A1 - Capteur chromatique - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 72
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 14
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 claims description 9
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 18
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 101000856746 Bos taurus Cytochrome c oxidase subunit 7A1, mitochondrial Proteins 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000681 Silicon-tin Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- LQJIDIOGYJAQMF-UHFFFAOYSA-N lambda2-silanylidenetin Chemical compound [Si].[Sn] LQJIDIOGYJAQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
UN CAPTEUR CHROMATIQUE COMPREND NOTAMMENT UN SUBSTRAT TRANSPARENT 10 DONT UNE PREMIERE FACE PORTE DES FILTRES CHROMATIQUES 15R, 15V, 15B CORRESPONDANT RESPECTIVEMENT AU ROUGE, AU VERT ET AU BLEU. LA SECONDE FACE DU SUBSTRAT PORTE DES ELEMENTS PHOTOSENSIBLES 11R, 11V, 11B QUI SONT RESPECTIVEMENT SENSIBLES AU ROUGE, AU VERT ET AU BLEU ET QUI SONT SITUES FACE AUX FILTRES RESPECTIFS. LES COUCHES ACTIVES 13R, 13V, 13B DES ELEMENTS PHOTOSENSIBLES CONSISTENT EN UN SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE OU EN UN MELANGE D'UN SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE ET D'UN SEMI-CONDUCTEUR A STRUCTURE MICROCRISTALLINE.
Description
252055 ?
CAPTEUR CHROMATIQUE
La présente invention concerne un dispositif photosensible qui est sensible à la lumière dans plusieurs zones de longueurs d'onde particulières L'invention porte plus particulièrement sur un capteur chromatique oui est sensible à la lumière dans plusieurs zones de longueurs
d'onde qui ne nécessite aucun filtre de coupure de l'infra-
rouge et dont le rendement de fabrication est amélioré.
On connait déjà un dispositif photosensible qui est sensible à la lumière comprise dans plusieurs zones de
longueurs d'onde particulières utilisant du silicium mono-
cristallin en tant que couche active vis-à-vis de la lumiè-
re, ctest-à-dire ce qu'on appelle un capteur chromatique En
principe, comme le montre la figure 1, un capteur chromati-
que classique comprend un ensemble de régions de photodiode 2 R, 2 V et 2 B, qui sont des régions photosensibles, formées sur une surface d'un substrat de silicium monocristallin 1, et des filtres optiques qui transmettent la lumière dans différentes zones de longueurs d'onde, par exemple un filtre chromatique rouge 3 R, un filtre chromatique vert 3 V et un filtre chromatique bleu 3 B, sont disposés sur les régions de photodiode respectives, tandis qu'un filtre supplémentaire de coupure du rayonnement infrarouges 4, est placé sur les filtres optiques Dans le fonctionnement d'un tel capteur,
lorsqu'un rayonnement visible tombe sur le substrat 1 à tra-
vers chacun des filtres 3 R, 3 V et 3 B, des signaux de détec-
* tion respectifs sont émis par la région de photodiode 2 R
correspondant à un filtre chromatique rouge 3 R si le rayon-
nement visible incident contient la couleur rouge; par la
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région de photodiode 2 V correspondant au filtre chromatique vert 3 V si le rayonnement visible incident contient du vert et par la région de photodiode 2 B correspondant au filtre
chromatique bleu 3 B si le rayonnement visible incident con-
tient du bleu. La caractéristique de sensibilité à la lumière du silicium mondcristallin lui-même présente un pic dans une région infrarouge, comme le montre la courbe A de la figure 2 D'autre part, le filtre chromatique rouge 3 R présente un pic de transmission dans une bande de couleur rouge, mais la caractéristique correspondant à cette bande s'étend jusqu'à une région de rayonnement infrarouge bien qu'en s'atténuant Par conséquent, dans le cas o on utilise du silicium monocristallin en tant que couche active vis-à-vis
de la lumière, la région de photodiode 2 R destinée à détec-
ter la couleur rouge est sensible non seulement à la lumière de couleur rouge, mais également à un rayonnement infrarouge incident traversant le filtre chromatique rouge 3 R, bien qu'avec une atténuation correspondant à la caractéristique de sensibilité lumineuse décrite ci-dessus, ce qui fait que
l'information de couleur ne peut pas être détectée avec pré-
cision Dans ce capteur chromatique classique, on utilise le filtre de coupure du rayonnement infrarouge 4 pour supprimer un tel rayonnement infrarouge incident, et ce filtre est
donc obligatoire.
Cependant, outre le fait qu'elle complique la structure d'un capteur chromatique, l'existence d'un tel filtre de coupure du rayonnement infrarouge, 4, est également susceptible d'entralner un défaut consistant dans la cassure du substrat de silicium fragile 1 au cours de l'opération
dans laquelle le filtre 4 et les filtres chromatiques respec-
tifs 3 R, 3 V et 3 B sont superposés sur le substrat de silicium
monocristallin 1.
L'invention porte sur un capteur chromatique desti-
né à détecter la lumière dans plusieurs zones de longueurs d'onde particulières Un capteur chromatique conforme à l'invention comprend un substrat transparent capable de transmettre la lumière; plusieurs filtres optiques formés sur une surface principale du substrat transparent, ces filtres ayant des zones spectrales de transmission de la
lumière différentes et respectives; et un ensemble d'élé-
ments photosensibles sur l'autre surface principale du
substrat transparent, face au filtre optique respectif, cha-
que élément photosensible comprenant un semiconducteur amor-
phe ou un semiconducteur à phases mélangées comprenant un semiconducteur amorphe et un semiconducteur à structure microcristalline L'invention permet d'obtenir un capteur
chromatique dans lequel aucun filtre de coupure du rayonne-
ment infrarouge n'est nécessaire et dont le rendement de
fabrication est amélioré.
Dans un mode de réalisation préféré dé l'invention,
on détecte la lumière incidente en utilisant un effet photo-
voltaïque ou un effet de photoconductivité dans une couche
active vis-à-vis de la lumière.
Dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention, une couche active vis-à-vis de la lumière est formée sous la forme d'une seule couche commune à tous les éléments photosensibles, ce qui entraîne une simplification
du processus de fabrication.
Dans un autre mode de réalisation préféré de
l'invention, les rapports des aires de réception de la lumiè-
re d'un ensemble de couches actives vis-à-vis de la lumière sont déterminés de façon que toutes les couches actives
vis-à-vis de la lumière aient la même sensibilité lumineuse.
Il en résulte la possibilité d'améliorer la précision de la
détection des couleurs.
Un autre mode de réalisation préféré de l'inven-
tion comporte un élément photosensible qui n'est pas placé face à des filtres optiques, et on peut utiliser cet élément
photosensible pour compenser la sensibilité d'un capteur chro-
matique.
Dans un autre mode de réalisation préféré de l'in-
vention, un circuit de traitement est formé sur une surface
principale d'un substrat transparent, et ce circuit de trai-
tement est connecté électriquement aux éléments photosensi-
bles pour traiter des signaux de sortie provenant des élé-
ments photosensibles Conformément à ce mode de réalisation,
on peut réaliser un dispositif sous une forme intégrée.
Le but principal de l'invention est donc de réali-
ser un capteur chromatique dans lequel aucun filtre de cou-
pure du rayonnement infrarouge ne soit nécessaire et dans lequel le rendement de fabrication soit amélioré par rapport
à celui d'un capteur chromatique classique.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de la
description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à
titre d'exemples non limitatifs La suite de la description
se réfère aux dessins annexés sur lesquels La figure 1 est une coupe schématique montrant un
capteur chromatique classique qui utilise du silicium mono-
cristallin en tant que couche active vis-à-vis de la lumiè-
re;
La figure 2 est un graphique montrant la caracté-
ristique de sensibilité-à la lumière du silicium monocris-
tallin et du silicium amorphe; Les figures 3 A et 3 B représentent respectivement une vue de face schématique, du côté d'arrivée de la lumière, d'un capteur chromatique conforme à un mode de réalisation préféré de l'invention, et une coupe schématique selon la ligne IIIB IIIB' de la figure 3 A;
La figure 4 montre une caractéristique de trans-
mission de la lumière d'un filtre chromatique utilisé dans un mode de réalisation préféré de l'invention; La figure 5 est une coupe schématique montrant une
couche active vis-à-vis de la lumière d'un capteur chromati-
que conforme à l'invention, du type à jonction PIN; a 055 ? La figure 6 est une coupe schématique montrant une
couche active vis-à-vis de la lumière d'un capteur chromati-
que conforme à l'invention, qui n'est pas d'un type à jonc-
tion; Les figures 7 A et 7 B montrent respectivement une vue de face schématique, par le c 8 té d'arrivée de la lumière,
d'un capteur chromatique d'un autre mode de réalisation pré-
féré de l'invention, et une coupe schématique selon la ligne VIIB VIIB' de la figure 7 A Les figures 8 A, 8 B et 8 C montrent respectivement une vue de face schématique, par le c 8 té d'arrivée de la
lumière, d'un capteur chromatique d'un autre mode de réalisa-
tion préféré de l'invention, une coupe schématique selon la
ligne VIIIB VIIIB' de la figure 8 A, et une coupe schémati-
que selon la ligne VIIIC VIIIC' de la figure 8 A; Les figures 9 A et 9 B montrent respectivement une vue de face schématique, par le côté d'arrivée de la lumière,
d'un capteur chromatique d'un autre mode de réalisation pré-
féré de l'invention, et une coupe schématique selon la ligne IXB IXB' de la figure 9 A
La figure 10 montre un exemple d'une structure par-
ticulière d'un circuit de traitement utilisé dans le mode de réalisation de la figure 9; Les figures li A, 1 IB et li C montrent respectivement une vue de face schématique, par le côté d'arrivée de la
lumière, d'un capteur chromatique d'un autre mode de réalisa-
tion préféré de l'invention, une coupe schématique selon la ligne XIB XIB' de la figure li A, et une coupe schématique selon la ligne XIC XIC' de la figure li A
La figure 12 montre un exemple d'une structure par-
ticulière d'un circuit de traitement utilisé dans le mode de réalisation de la figure 11; et Les figures 13 A,13 B sont des vues de face sch matiues, par le côté d'arrivée de la lumière, montrant d' autresmodesde
réalisation d'un capteur chromatique conforme à l'invention.
On va maintenant considérer les figures 3 A et 3 B qui montrent respectivement une vue de face, par le côté
d'arrivée de la lumière, d'un capteur chromatique correspon-
dant à un mode de réalisation préféré de l'invention, et une coupe selon la ligne IIIB IIIB' Le capteur chromatique
comprend des premier, second et troisième éléments photosen-
sibles à cotfches minces, 11 R, 11 V et 11 B, qui sont formés sur un substrat transparent 10, par exemple en verre, en matière plastique ou en une matière analogue, ayant 0,3 mm d'épaisseur Les couches de filtre chromatique propres à chacun des éléments sont formées sur une surface principale
du substrat 10 Plus précisément, une couche de filtre chro-
matique rouge 15 R est formée en correspondance avec le pre-
mier élément photosensible 11 R, une couche de filtre chroma-
tique vert 15 V est formée en correspondance avec le second
élément photosensible 11 V et une couche de filtre chromati-
que-bleu 15 B est formée en correspondance avec le troisième élément photosensible 1 l B On utilise de préférence pour chacune des couches de filtre la matière WRATTEN GELATIN FILTER fabriquée par Eastman Kodak Incorporated On utilise par exemple la matière numéro 25 pour la couche de filtre chromatique rouge 15 R, la matière numéro 58 pour le filtre chromatique vert 15 V et la matière numéro 47 B pour le filtre chromatique bleu 15 B, et ces couches de filtre sont fixées sur le substrat par un adhésif consistant par exemple en une résine transparente Ces filtres ont les caractéristiques de
transmission de la lumière qui sont représentées sur la figu-
re 4 Les premier, second et troisième éléments photosensi-
bles 11 R, 11 V et 11 B sont formés par des empilements de cou-
ches comprenant des premières couches d'électrodes 12 R, 12 V et 12 B, des couches actives vis-à-vis de la lumière 13 R, 13 V et 13 B et des secondes couches d'électrodes 14 R, 14 V et 14 B,
et ces empilements sont déposés sur l'autre surface principa-
le du substrat Il Les empilements de couches respectifs sont
placés Individuellement face à la couche de filtre correspon-
dante. Les premières couches d'électrodes 12 R, 12 V et 12 B
consistent en électrodes transparentes formées par une matiè-
re conductrice de l'électricité et transparente, comme de l'oxyde d'étain, de l'oxyde d'indium-étain, etc, et les
secondes couches d'électrodes 14 R, 14 V et 14 B sont des élec-
trodes métalliques consistant en aluminium ou en une matière analogue. Les couches actives vis-à-vis de la lumière, 13 R, 13 V et 13 B sont formées par un semiconducteur amorphe ou par
un semiconducteur à phases mélangées consistant en un semi-
conducteur amorphe et en un semiconducteur à structure micro-
cristalline, et elles ont environ 1 pm d'épaisseur A titre de semiconducteur amorphe, on connaît le silicium aporphe (Si amorphe), le carbure de silicium amorphe (Si C amorphe), le composé silicium-germanium amorphe (Si Ge amorphe), le nitrure de silicium amorphe (Si N amorphe) et le composé silicium-étain amorphe (Si Sn amorphe), qui sont formés sur n'impqrte quel substrat par une réaction dans un gaz, comme
par décharge luminescente Le semiconducteur à phases mélan-
gées est un mélange d'un tel semiconducteur amorphe et d'une
forme microcristalline de celui-ci On peut en outre incor-
porer dans ces substances de l'hydrogène ou des éléments de la famille des halogènes, ou bien on peut les doper avec de
l'arsenic (As), du phosphore (P), du bore (B) et de l'alumi-
nium (Al) De telles couches actives vis-à-vis de la lumière
peuvent être ou non d'un type à jonction.
En ce qui concerne le fonctionne-ment, on supposera tout d'abord que les couches actives vis-à-vis de la lumière,
13 R, 13 V et 13 B, sont d'un type à jonction, comme une jonc-
tion PN, une jonction PIN, une jonction PI, une jonction IN,
une jonction Schottky, une jonction à hétérophases, une jonc-
tion MIS avec interposition d'une couche isolante, etc Dans ces conditions, des électrons et/ou des trous à l'état libre sont générés dans les couches actives vis-à-vis de la lumière, 13 R, 13 V et 13 B, sous l'effet de l'application à ces couches de lumière correspondant à des régions de longueurs d'onde
particulières sélectionnées par les filtres chromatiques res-
pectifs 15 R, 15 V et 15 B pour les couleurs rouge, verte et bleue, et ces électrons et/ou trous atteignent les premières électrodes transparentes respectives 12 R, 12 V et 12 B et les
secondes électrodes métalliques 14 R, 14 V et 14 B, ce qui génè-
re une force électromotrice photovoltaïque entre les paires d'électrodes respectives 12 R et 14 R, 12 V et 14 V, 12 B et 14 B. Si au contraire les couches actives vis-à-vis de la lumière, 13 R, 13 V et 13 B, ne comportent pas les jonctions décrites ci-dessus, il apparait un phénomène de photoconduction dans lequel la conductivité augmente sous l'effet de la génération d'électrons et/ou de trous à l'état libre Ainsi, chacun des éléments photosensibles lîR, 11 V et 11 B est sensible à la
lumière incidente d'une région de longueurs d'onde particu-
lière, ce qui fait apparaître en sortie un signal ayant un
niveau correspondant à l'intensité de la lumière incidente.
Plus précisément, on peut déterminer le rapport des composan-
tes de longueurs d'onde de la lumière incidente à partir du niveau du signal de sortie provenant de chacun des éléments photosensibles ll R, 11 V et 11 B Par conséquent, lorsqu'on utilise conformément à ce mode de réalisation les filtres chromatiques 14 R, 15 V et 15 B correspondant aux couleurs rouge, verte et bleue, qui sont trois couleurs primaires de la
lumière, on peut obtenir la totalité de l'information chro-
matique. La caractéristique de sensibilité à la lumière d'un semiconducteur amorphe comporte une bande qui est presque entièrement comprise dans une zone de rayonnement visible, comme le montre la courbe B sur la figure 2 Un semiconducteur à phases mélangées formé par un semiconducteur amorphe et un semiconducteur à structure microcristalline présente également pratiquement la même caractéristique Pour cette raison, dans un capteur chromatique conforme à l'invention, même si un
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rayonnement infrarouge entre par le filtre chromatique rouge R, ce rayonnement n'est pratiquement pas détecté, ce qui permet de détecter une information chromatique précise sans utiliser un filtre de coupure du rayonnement infrarouge qui est habituellement nécessaire De plus, dans un capteur chro-
matique conforme à l'invention, chacun des filtres chromati-
ques 14 R, 14 V et 15 B est fixé à une surface du substrat qui se trouve du côté opposé aux couches actives vis-à-vis de la lumière, 13 R, 13 V et 13 B, ce qui fait que ces couches ne peuvent pas être détériorées au cours de la mise en place des
filtres chromatiques.
On va maintenant décrire un mode de réalisation plus particulier en relation avec le processus de fabrication correspondant. Tout d'abord, pour former les premières électrodes
transparentes 12 R, 12 V et 12 B, on dépose de l'oxyde d'indium-
étain par pulvérisation cathodique, et on définit un motif dans l'oxyde déposé, sur une surface principale du substrat
transparent 10 On forme ensuite les couches actives vis-à-
vis de la lumière, 13 R, 13 V et 13 B, sur ces électrodes.
Comme décrit précédemment, les couches actives
vis-à-vis de la lumière sont constituées par un semiconduc-
teur consistant en silicium amorphe ou par un semiconducteur à phases mélangées,, d'environ 1 pm d'épaisseur, dont le détail est représenté sur la figure 5 On décrira ceci en
détail en relation avec le processus de fabrication corres-
pondant On place le substrat transparent 10, ne comportant que les premières électrodes 12 R, 12 V et 12 B des éléments
photosensibles respectifs l ER, 11 V et 11 B, entre des électro-
des de réaction d'un four de réaction à plasma Ensuite, avec le substrat transparent 10 chauffé à environ 3000 C dans le four de réaction, on introduit dans ce four un gaz consistant en silane (Si H 4) et un gaz d'impureté consistant en diborane
(B 2 H 6), avec une concentration de 1000 ppm On applique ensui-
te aux électrodes de réaction précitées de l'énergie électri-
que de haute fréquence, à 13,56 M Hz et avec une puissance de W, de façon à produire une décharge luminescente, ce qui forme sur le substrat transparent 10 une couche de silicium amorphe 13 P, de type P, d'une épaisseur d'environ 10 nm On interrompt ensuite seulement l'introduction du gaz (B 2 H 6) et
on dépose une couche de silicium amorphe de type I (intrin-
sèque), 13 I, avec une épaisseur d'environ 500 nm On mélange ensuite au gaz de la phosphine (PH 3) faisant fonction de gaz d'impureté, avec une concentration de 1000 ppm, de façon à former une couche de silicium amorphe de type N, 13 N, avec une épaisseur d'environ 30 nm On obtient ainsi une seule
couche active vis-à-vis de la lumière, 13, qui est consti-
tuée par une couche de semiconducteur consistant en silicium amorphe (Si:H amorphe) contenant une jonction PIN, avec les couches P I et N respectives empilées sur le substrat transparent 10 D'autre part, du fait que la vitesse de croissance de la couche de silicium amorphe décrite ci- dessus est d'environ 1 um/h pour chacune des couches, on définit la
durée de façon à obtenir l'épaisseur désirée pour chaque cou-
che Jn tel processus de fabrication de diode au silicium amorphe gu moyen d'une décharge luminescente est bien connu,
comme il ressort du brevet FR-B 1-2 304 1 e 0.
On divise ensuite la couche active vis-à-vis de la
lumière, 13, décrite ci-dessus, consistant en silicium amor-
phe, en procédant par photogravure, attaque par plasma ou
d'une manière analogue, de façon à définir des motifs prédé-
terminés Cette division isole entre elles de façon sûre les couches actives vis-à-vis de la lumière, 13 R, 13 V et 13 B qui
sont voisines Selon une variante, on peut former sélective-
ment dès le début les couches actives vis-à-vis de la lumiè-
re et séparées 13 R, 13 V et 13 B, en utilisant un masque
métallique, sans employer le procédé décrit ci-dessus.
On dépose ensuite l'électrode métallique 14, en aluminium, sur les couches actives vis-à-vis de la lumière,
13 R, 13 V et 13 B, décrites ci-dessus, puis on enlève les par-
ties inutiles de façon à former trois éléments photosensi-
bles li R, 11 V et 11 B sur le substrat transparent 10 décrit ci-dessus. Après formation des éléments photosensibles lîR, 11 V et 11 B de la manière décrite ci-dessus, on dispose les filtres chromatiques respectifs pour les couleurs rouge, verte et bleue sur l'autre surface principale du substrat transparent 10, face aux éléments photosensibles respectifs li R, 11 V et 11 B. Dans un dispositif de type photoconducteur qui ne comporte pas de jonction, on forme une couche non dopée (couche de type I) de 1 à 10 micromètres, soit par exemple micromètres, en procédant par décharge luminescente dans le gaz Si H 4 seulement La configuration des électrodes peut être identique à celle du type photovoltaique décrit ci-dessus, dans lequel les couches actives vis-à-vis de la
lumière, 13 R, 13 V et 13 B, sont intercalées entre des élec-
trodes transparentes 12 R, 12 V et 12 B et des électrodes métalliques 14 R, 14 V et 14 B, et cette configuration peut
également être du type dans lequel les couches actives vis-
à-vis de la lumière, 13 R, 13 V et 13 B, sont disposées direc-
tement sur le substrat transparent 10, tandis qu'une paire d'électrodes métalliques 14 et 14 ' sont disposées sur la surface principale à nu avec un écartement prédéterminé, comme le montre la figure 6 Outre le fait qu'elle permet de supprimer les électrodes transparentes 12 R, 12 V et 12 B, cette dernière configuration permet également d'éviter une légère atténuation de la lumière transmise, du fait de l'existence
des électrodes transparentes.
La figure 7 A est une vue de face, par le c 8 té d'irradiation par la lumière, d'un capteur chromatique correspondant à un autre mode de réalisation préféré de l'invention, et la figure 7 B est une coupe selon la ligne VIIB VIIB' de la figure 7 A Dans ce mode de réalisation, les éléments photosensibles ll R, 11 V et 11 B comprennent des électrodes transparentes 12 R, 12 V et 12 B, une couche active
vis-à-vis de la lumière, 13, constituée par un semiconduc-
teur amorphe, formée uniformément sur toute la surface, et des électrodes métalliques 14 R, 14 V et 14 B, les différents éléments étant empilés dans cet ordre sur une face du
substrat transparent 10.
Bien que la couche active vis-à-vis de la lumière,
13, soit formée par une telle couche commune unique de semi-
conducteur amorphe, sans division en couches individuelles pour chacun des éléments photosensibles lîR, 11 V et ll B, il
n'y a pratiquement pas de diaphonie entre les éléments pho-
tosensibles et les éléments respectifs peuvent donc être
pratiquement isolés led uns des autres du fait que le semi-
conducteur amorphe a une résistance plus élevée que celle d'un semiconducteur monocristallin classique De plus,
l'épaisseur de la couche est au plus de l'ordre d'un micro-
mètre, ce qui fait qu'on peut donner aux écartements entre chacun des éléments photosensibles 1 i R, 11 V et ll B une valeur' supérieure à l'épaisseur précitée de la couche On peut ainsi simplifier une opération de fabrication en formant chacun des éléments photosensibles 1 i R, 11 V et 1 l B avec une
seule couche commune de semiconducteur amorphe.
La figure 8 A est une vue de face, par le c 8 té d'irradiation par la lumière, d'un capteur chromatique qui
correspond-à un autre mode de réalisation préféré de l'inven-
tion, et les figures 8 B et 8 C sont des coupes faites respec-
tivement selon les lignes VIIIB VIIIB' et VIIIC VIIIC' de la figure 8 A.
Ce mode de réalisation vise à améliorer la préci-
sion de la détection des couleurs dans un capteur chromatique
conforme à l'invention En particulier, bien que la caracté-
ristique de sensibilité à la lumière d'un semiconducteur amorphe comporte une zone ou une bande comprise dans une région de rayonnement visible, comme le montre la figure 2, cette zone n'est pas plate mais présente un pic au voisinage de 550 nm, comme le montre la figure De plus, les couches des filtres chromatiques respectifs 15 R, 15 V et 15 B n'ont pas une transmission identique, comme le montre la figure 4 et, en particulier, la couche du filtre chromatique rouge, 15 R, présente la transmission la plus élevée Pour cette raison,
les sensibilités à la lumière des premier à troisième élé-
ments'photosensibles 11 R, 11 V et 11 B sont différentes les unes des autres, ce qui fait apparaître des 'signaux de sortie
de détection différents, même dans le cas d'une même intensi-
té de la lumière incidente.
La caractéristique la plus importante de ce mode de réalisation consiste en ce que l'aire de réception de la
lumière dans chacun des éléments photosensibles est diffé-
rente, en correspondance avec la sensibilité à la lumière de chaque élément, et on donne la valeur la plus faible à l'aire de réception de la lumière de l'élément ayant la plus grande sensibilité à la lumière Plus précisément, les rapports entre les aires de réception de la lumière des premier, second et troisième éléments photosensibles 11 R, 11 V et 11 B sont fixés à environ 2:3:5, ce qui fait que la sensibilité à la lumière (rapport entre la tension de sortie et l'intensité de la lumière incidente) de chaque élément photosensible devient pratiquement égale, ce qui améliore la
précision de la détection des couleurs.
La figure 9 A est une vue de face, par le côté d'irradiation par la lumière, d'un capteur chromatique qui
correspond à un autre mode de réalisation préféré de l'inven-
tion, et la figure 9 B est une coupe selon la ligne IXB IXB'.
Dans ce mode de réalisation, un capteur chromatique
conforme à l'invention comprend en outre un circuit de trai-
tement 20 qui est formé sur une surface principale d'un substrat 10, et ce circuit de traitement 20 est connecté électriquement aux paires de couches d'électrodes 12 R, 14 R; 12 V, 14 V; 12 B, 14 B des éléments photosensibles respectifs, et
il traite le signal de sortie de chacun des éléments photo-
sensibles. La connexion électrique du circuit de traitement 20 avec les couches d'électrodes respectives décrites ci-dessus est réalisée au moyen de chemins conducteurs 21, 21, qui s'étendent à partir des couches d'électrodes respectives De plus, une borne de source d'alimentation 22 et une borne de masse 23 connectées au circuit de traitement 20 et des bornes de sortie 24 R, 24 V et 24 B sont déposées et formées sur le
substrat 10.
La figure 10 montre un exemple d'une structure plus particulière pour le circuit de traitement 20, dans laquelle
les signaux de sortie des premier, second et troisième élé-
ments photosensibles 1 IR, 11 V et 1 l B entrent dans un détecteur de valeur maximale 31, par l'intermédiaire d'amplificateurs
correspondants 30 R, 30 V et 30 B Le détecteur de valeur maxi-
male 31 a une structure bien connue, comprenant un ensemble de comparateurs, et il détermine le niveau de sortie le plus
élevé parmi les signaux de sortie des amplificateurs respec- tifs 30 R, 30 V et 30 B,-et il émet ce niveau vers une ligne 32 R s'il
correspond à une couleur rouge, vers une ligne 32 V s'il correspond à une couleur verte, ou vers une ligne 32 B s'il
correspond à une couleur bleue.
Comme indiqué précédemment, ce mode de réalisation permet de réaliser un capteur chromatique sous une forme
intégrée, du fait qu'un circuit de traitement peut être inté-
gré sur un substrat d'un capteur chromatique -
La figure 11 A est une vue de face, par le côté d'irradiation par lalumière, d'un capteur chromatique qui
correspond à un autre mode de réalisation préféré de l'inven-
tion, et les figures 11 B et l C sont des coupes respectives selon les lignes XIB XIB' et XIC XIC' de la figure li A. Ce mode de réalisation vise à améliorer la précision de la détection des couleurs d'un capteur chromatique conforme à l'invention, et il est caractérisé de ce fait par l'existence d'un quatrième élément photosensible 11 W placé en position
* adjacente aux premier, second et troisième éléments photo-
sensibles li R, 11 V et 11 B Le quatrième élément photosensi-
ble 11 W est formé sur le substrat 10, avec la même structure et la même manière que les autres éléments, mais il diffère des autres éléments dans la mesure o aucun filtre chromati- que n'est placé face à lui sur l'autre surface principale du
substrat 10.
On utilise le quatrième élément photosensible 11 W pour-corriger les signaux de sortie d'autres éléments, et la
figure 12 montre un exemple d'utilisation de cet élément.
Sur la figure 12, les signaux de sortie provenant des pre-
mier, second et troisième éléments photosensibles lîR, 11 V et 11 V entrent dans un détecteur de valeur maximale 31 par l'intermédiaire des amplificateurs correspondants 30 R, 30 V et 30 B, comme on l'a expliqué en relation avec le mode de réalisation des figures 9 A, 9 B Comme décrit précédemment, le détecteur de valeur maximale 31 détermine le niveau de
sortie le plus élevé parmi les signaux de sortie des ampli-
ficateurs 30 R, 30 V et 30 B et il émet ce niveau vers une ligne 32 R s'il correspond à une couleur rouge, vers une ligne 32 V s'il correspond à une couleur verte, ou vers une
ligne 32 B s'il correspond à une couleur bleue Dans ces con-
ditions, si par exemple la lumière incidente est d'une cou-
leur intermédiaire entre le rouge et le vert, la couleur rouge ayant une intensité légèrement supérieure à celle du vert, le détecteur de valeur maximas 31 produit un signal de sortie indiquant que la lumière incidente est rouge, bien que cette lumière soit d'une couleur intermédiaire Pour éviter l'apparition d'un tel signal de sortie, on utilise un signal de sortie du quatrième élément photosensible 11 W.
Plus précisément, le signal de sortie passe par l'amplifica-
teur 30 W, puis il est comparé dans les comparateurs 33 R, 33 V et 33 B au signal de sortie des autres amplificateurs, R, 30 V et 30 B Les comparateurs respectifs 33 R, 33 V et 33 B fournissent un signal de sortie si les niveaux de sortie des
premier, second et troisième éléments photosensibles respec-
tifs 1 i R, 11 V et ll B sont supérieurs à une fraction prédé-
terminée du niveau de sortie du quatrième élément photosensi-
ble 11 W Les signaux de sortie des comparateurs 33 R, 33 V et 33 B valident le fonctionnement du détecteur de valeur maxima-
le 31 par l'intermédiaire d'une porte OU 34.
Du fait que la quatrième élement photosensible 11 W ne comporte pas de filtre chromatique, son niveau de sortie
est supérieur à ceux de tous les autres éléments photosensi-
bles Les niveaux de sortie des premier, second et troisième éléments photosensibles li R, 11 V et 11 B sont inférieurs au niveau de sortie du quatrième élément photosensible 11 W, et si la lumière incidente est d'une couleur intermédiaire, les
niveaux de sortie des premier à troisième éléments photosen-
sibles diminuent encore davantage Par conséquent, on utili-
se à titre de référence le rapport entre les niveaux de sor-
tie des premier, second et troisième éléments photosensibles l R, 11 V et 1 l B dans le cas o la lumière incidente n'est pas d'une couleur intermédiaire, et le niveau de sortie du quatrième élément photosensible 11 W, et on conçoit alors les
comparateurs respectifs 33 R, 33 V et 33 B de façon que ces com-
parateurs ne produisent aucun signal de sortie si les niveaux
de sortie des premier, second et troisième éléments photosen-
sibles 11 R, 11 V et 11 B sont inférieurs à une telle référence.
Il en résulte que, comme indiqué précédemment, si le capteur
chromatique 10 reçoit de la lumière d'une couleur intermé-
diaire entre le rouge et le vert, le détecteur de valeur maximale 31 ne fonctionne pas et ne produit donc aucun
signal de sortie Par conséquent, ce mode de réalisation per-
met d'éviter'de détecter par erreur une couleur intermédiaire comme étant une autre couleur, ce qui permet d'améliorer la
précision de la détection des couleurs.
Les figures 13 A et 13 B montrent encore d'autres modes de réalisation d'un capteur chromatique conforme à l'invention Sur la figure 13 A, trois régions photosensibles 11 sont disposées de façon proche les unes des autres, de manière à être symétriques par rapport à un centre, tandis que sur la figure 13 B, six éléments photosensibles 11 sont disposés de façon proche les unes des autres, de manière à être symétriquespar rapport à un centre Des filtres opti- ques 15,,ayant différentes zones de longueurs d'onde de
transmission de la lumière,sont placés face aux régions pho-
tosensibles respectives 11, Du fait que l'utilisation de trois couleurs primaires de la lumière permet de couvrir la
totalité de la zone de rayonnement visible, on peut compen-
ser une sensibilité faible par l'utilisation de plusieurs filtres chromatiques 15, ayant une zone de longueurs d'onde qui correspond à une sensibilité relative faible, s'il y a six régions photosensibles 11, On peut de plus ajouter des filtres chromatiques 15, ayant la couleur cyan, la couleur magenta et la couleur jaune, qui sont les couleurs complémentaires des trois couleurs primaires rouge,
vert et bleu.
Bien que non représentée, une configuration dans laquelle un certain nombre de régions photosensibles sont disposées en ligne est également utile, en particulier en tant que lecteur optique pour la télécopie en couleur Dans ce cas, on dispose en ligne un grand nombre de sousensembles, chacun d'eux comprenant trois régions photosensibles, avec
des filtres chromatiques rouge, vert et bleu.
D'autre part, on sait qu'on peut aisément obtenir les semiconducteurs amorphes indiqués précédemment, ayant différentes caractéristiques de sensibilité à la lumière, en choisissant de façon appropriée la composition du gaz réactif et le rapport de composition Par exemple, lorsque le gaz réactif comprend Si H 4 et du méthane (CH 4), ce qui forme du carbure de silicium amorphe, la sensibilité à la lumière augmente du c 8 té des plus courtes longueurs d'onde, tandis que si on ajoute au gaz réactif du germane (Ge H) on obtient
un composé siliciumn-germanium amorphe, ce qui permet d'aug-
menter la sensibilité à la lumière du c 6 té des plus grandes
longueurs d'onde.
Bien que les électrodes transparentes 12 R, 12 V et 12 B et les électrodes métalliques 14 R, 14 V et 14 B soient disposées de façon séparée par rapport aux régions photosen- sibles respectives 11 R, 11 V et 11 B, on peut former n'importe quelle électrode de façon uniforme sur toute la région En particulier, lorsque les électrodes transparentes 12 R, 12 V et 12 B sont formées uniformément sur toute la région, le semiconducteur amorphe qui doit être superposé devient plan,
ce qui est très utile.
Comme ii ressort de la description précédente, un
capteur chromatique conforme à l'invention comprend des élé-
ments photosensibles dont les régions actives vis-à-vis de la lumière sont formées par un semiconducteur amorphe ou un
semiconducteur à phases mélangées, consistant en un semicon-
ducteur amorphe et en un semiconducteur à structure micro-
cristalline, dont la caractéristique de sensibilité à la lumière s'étend dans une bande de rayonnement visible De
ce fait, on peut supprimer un filtre de coupure du rayonne-
ment infrarouge qui est indispensable avec du silicium monocristallin classique, ayant un maximum de sensibilité dans la zone du rayonnement infrarouge De plus, du fait que le substrat transparent fait fonction d'élément de protection et de support permettant de former des filtres optiques définissant une zone de longueurs d'onde de sensibilité à la lumière, sans affecter défavorablement les couches fragiles
actives vis-à-vis de la lumière, on peut éviter une diminu-
tion du rendement de fabrication du dispositif.
Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté,
sans sortir du cadre de l'invention.
Claims (6)
1 Capteur chromatique destiné à détecter la lumiè-
re dans un ensemble prédéterminé de zones de longueurs d'onde particulières, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat transparent ( 10) capable de transmettre la lumière; un ensemble de filtres optiques ( 15 R, 15 V, 15 B) formés sur une première surface principale du substrat transparent ( 10) pour transmettre vers le substrat transparent ( 10) la lumière d'une zone de longueurs d'onde particulière, les différents filtres optiques ( 15 R, 15 V, 15 B) ayant des zones de longueurs
d'onde de transmission de la lumière différentes et respec-
tives; et un ensemble d'éléments photosensibles ( 11 R, 11 V, 11 B) formés sur une seconde surface principale du substrat
transparent ( 10), et situés face aux filtres optiques respec-
tifs ( 15 R, 15 V, 15 B), qui sont destinés à détecter la lumière
dans la zone de longueurs d'onde particulière qui est trans-
mise par les filtres optiques ( 15 R, 15 V, 15 B) et le substrat
transparent ( 10), chacun des éléments de l'ensemble d'élé-
ments photosensibles ( 11 R, 11 V, 1 B) comprenant une couche active visà-vis de la lumière ( 13 R, 13 V, 13 B) qui consiste en un semiconducteur amorphe ou en un semiconducteur à phases
mélangées, formé par un semiconducteur amorphe et un semicon-
ducteur à structure microcristalline.
2 Capteur chromatique selon la revendication 1,
caractérisé en ce que la couche active vis-à-vis de la lumiè-
re ( 13 R, 13 V, 13 B) est du type à jonction, ce qui fait que la détection de la lumière par l'élément photosensible ( 11 R, 11 V, 11 B) s'effectue au moyen d'une force électromotrice
photovoltaïique qui est générée lorsque de la lumière est pro-
jetée sur la jonction.
3 Capteur chromatique selon la revendication 1,
caractérisé en ce que la couche active vis-à-vis de la lumiè-
re ( 13 R, 13 V, 13 B) comprend un semiconducteur, ce qui fait
que la détection de la lumière par les éléments photosensi-
bles (li R, 11 V, 11 B) est basée sur une augmentation de la conductivité de ce semiconducteur unique qui se produit lorsque de la lumière est projetée sur le semiconducteur unique. 4 Capteur chromatique selon l'une quelconque des
revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche active
vis-à-vis de la lumière ( 13 R, 13 V, 13 B) consiste en une seule couche commune à l'ensemble d'éléments photosensibles
(l R, 11 V, 11 B).
5 Capteur-chromatique selon l'une quelconque des
revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les rapports des
aires de réception de lumière des couches actives vis-à-vis
de la lumière ( 13 R, 13 V, 13 B) qui sont respectivement incor-
porées dans-l'ensemble d'éléments photosensibles ( 11 R, 11 V, 11 B) sont déterminés de telle façon que, compte tenu de la
caractéristique de la sensibilité à la lumière du semicon-
ducteur formant les couches actives vis-à-vis de la lumière ( 13 R, 13 V, 13 B), toutes les couches actives vis-à-vis de la lumièçe aient la même sensibilité à la lumière, celle-ci étant définie par le rapport entre le niveau de sortie de
détection de lumière et l'intensité de la lumière incidente.
6 Capteur chromatique selon l'une quelconque des
revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comprend en
outre un élément photosensible supplémentaire ( 11 W) qui est
formé sur la seconde surface principale du substrat transpa-
rent ( 10) dans un but de compensation de la sensibilité du
capteur chromatique, cet élément photosensible supplémentai-
re ( 11 W) n'étant placé face à aucun des filtres de l'ensem-
ble de filtres optiques ( 15 R, 15 V, 15 B) situés sur la pre-
mière surface principale du substrat transparent ( 10), de façon à détecter la lumière transmise à travers le substrat transparent ( 10) et non à travers les filtres optiques
( 15 R, 15 V, 15 B).
-7 Capteur chromatique selon l'une quelconque des revendication 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un circuit de traitement ( 20) formé sur la seconde
surface principale du substrat transparent ( 10), et ce cir-
cuit de traitement ( 20) est connecté électriquement aux élé-
ments photosensibles ( 11 R, 11 V, 11 B) et il traite des signaux de sortie des éléments photosensibles ( 11 R, 11 V,
11 B).
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57009197A JPS58125865A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 感光装置 |
JP57009201A JPS58125869A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 感光装置 |
JP57009200A JPS58125868A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 色センサ− |
JP57009199A JPS58125867A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 色センサ− |
JP57009198A JPS58125866A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 色センサ− |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2520557A1 true FR2520557A1 (fr) | 1983-07-29 |
FR2520557B1 FR2520557B1 (fr) | 1987-05-22 |
Family
ID=27519030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR8300882A Expired FR2520557B1 (fr) | 1982-01-22 | 1983-01-20 | Capteur chromatique |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR2520557B1 (fr) |
GB (1) | GB2115980B (fr) |
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JP3904841B2 (ja) | 2000-05-15 | 2007-04-11 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びそれを用いた電子機器並びに液晶表示方法 |
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