FR2508460A1 - Procede de production d'acyloxysilanes - Google Patents
Procede de production d'acyloxysilanes Download PDFInfo
- Publication number
- FR2508460A1 FR2508460A1 FR8211063A FR8211063A FR2508460A1 FR 2508460 A1 FR2508460 A1 FR 2508460A1 FR 8211063 A FR8211063 A FR 8211063A FR 8211063 A FR8211063 A FR 8211063A FR 2508460 A1 FR2508460 A1 FR 2508460A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- column
- carboxylic acid
- chlorosilane
- aliphatic carboxylic
- process according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 76
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 105
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims abstract description 104
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 104
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims abstract description 54
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 19
- TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(methyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)OC(C)=O TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 154
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 24
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 claims description 16
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 14
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 14
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 5
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 claims description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000037213 diet Effects 0.000 claims description 2
- 235000005911 diet Nutrition 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HICCMIMHFYBSJX-UHFFFAOYSA-N [SiH4].[Cl] Chemical compound [SiH4].[Cl] HICCMIMHFYBSJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- -1 glacial acetic acid Chemical class 0.000 description 38
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 35
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- 235000017168 chlorine Nutrition 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 8
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 8
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 6
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 6
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- UHBIOBNJUHSVGA-UHFFFAOYSA-N triacetyloxysilyl 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)OC(C)=O UHBIOBNJUHSVGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NKTHDMDXQDMLNP-UHFFFAOYSA-N Cl[SiH3].[Cl] Chemical compound Cl[SiH3].[Cl] NKTHDMDXQDMLNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000005840 aryl radicals Chemical class 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000004508 fractional distillation Methods 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 208000006278 hypochromic anemia Diseases 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052572 stoneware Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1896—Compounds having one or more Si-O-acyl linkages
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
PROCEDE ASSURANT UN MEILLEUR RENDEMENT. IL CONSISTE A FAIRE REAGIR UN CHLOROSILANE AVEC UN ACIDE CARBOXYLIQUE ALIPHATIQUE DANS UNE COLONNE A TEMPERATURE ELEVEE DANS LAQUELLE DE L'ACIDE CARBOXYLIQUE S'ELEVE DANS LA COLONNE A PARTIR D'UNE SOURCE D'ACIDE SITUEE EN DESSOUS DE L'ALIMENTATION EN CHLOROSILANE ET DE L'ACIDE CARBOXYLIQUE EST INTRODUIT EN DESSUS DE CETTE ALIMENTATION EN CHLOROSILANE. APPLICATION A LA PRODUCTION DE METHYLTRIACETOXYSILANE.
Description
La présente invention concerne un procédé de production d'acyloxysilanes,
et plus particulièrement, un procédé perfectionné pour la production en continu d'acyloxysilanes dans un système qui augmente notablement la capacité par rapport au système de l'art antérieur et forme du chlorure
d'hydrogène recyclable.
Les acyloxysilanes sont des agents de réticulation bien connus pour les compositions de caoutchouc de silicone vulcanisable à température ambiante en une partie Un acyloxysilane commun comme agent de réticulation est le méthyltriacétoxysilane. On a fabriqué les acyloxysilanes utilisés comme agent de réticulation en faisant réagir un chlorosilane approprié
avec un anhydride carboxylique ou un acide carboxylique.
Le brevet des Etats-Unis d'Amérique no 3 974 198 décrit un procédé de préparation des acyloxysilanes en faisant réagir un chlorosilane avec un acide carboxylique ou un anhydride
d'acide carboxylique en présence de fer comme agent complexant.
Dans ce brevet des Etats-Unis no 3 974 198, on a ajouté un acide carboxylique aliphatique, tel que l'acide acétique glacial, au sommet d'une colonne de distillation à un mélange au reflux de chlorosilane et d'un solvant organique,
tel que du benzène, contenant du fer comme agent complexant.
A la fin de l'addition de l'acide carboxylique, on a chassé le solvant par distillation, et éventuellement, on a isolé
l'acyloxysilane du mélange.
Dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique no 4 176 130, on fait passer l'acide carboxylique aliphatique en phase vapeur de bas en haut dans une colonne remplie d'anneaux de Raschig à contre-courant d'un flux de chlorosilane Cependant, dans ce brevet des Etats-Unis d'Amérique no 4 176 130, on introduit seulement une quantité limitée d'acide carboxylique aliphatique dans la colonne de sorte que le débit d'alimentation de l'acide carboxylique ne dépasse pas 1,3 moles par atome gramme de chlore lié au silicium dans la colonne Ainsi, au plus, on introduit seulement un très léger excès d'acide carboxylique aliphatique dans la colonne L'acide acétique glacial liquide se vaporise lorsqu'il pénètre dans la colonne, et la vapeur
d'acide acétique s'élève à l'encontre du flux de chlorosilane.
Lorsqu'on utilise dans la réaction seulement un léger excès ou moins d'acide carboxylique aliphatique, on pense qu'une grande partie du chlorosilane ne réagit pas, et que le rendement de la colonne est faible De plus, la montée de la vapeur d'acide carboxylique aliphatique seulement depuis le bas de la colonne n'assure pas une quantité suffisante d'acide carboxylique dans les parties supérieures de la colonne o l'on introduit le chlorosilane, pour réagir avec les vapeurs de chlorosilane dans les parties supérieures de la colonne En conséquence, des quantités notables de vapeur de chlorosilane sont perdues ou restent sans réagir
au sommet de la colonne.
La formation de dimère au bas de la colonne est une réaction secondaire notable qui résulte de la décomposition thermique des acyloxysilanes monomériques ou d'une réaction du chlorosilane avec l'acyloxysilane ou des deux On peut représenter le dimère par la formule suivante Rn (R'COO) 3 n Si-O-Si(R'COO) 3 n R dans laquelle R et R' sont des radicaux alkyles contenant généralement de 1 à 8 atomes de carbone et N est un entier compris entre 1 et 3 inclus Lorsque le réactif forme le dimère, il y a réduction de l'acyloxysilane produit Ainsi, il est souhaitable de réduire la quantité de dimère formée au cours de la réaction, ou d'accroître le rendement de la
colonne pour fournir des quantités commerciales d'acyloxysi-
lanes même lorsque le dimère se forme Il est également souhaitable de fournir suffisamment d' acide carboxylique aliphatique dans les parties supérieures de la colonne pour qu'il réagisse avec les vapeurs de chlorosilane avant
qu'elles ne s'échappent ou ne se condensent.
Les procédés continus de l'art antérieur sont également peu avantageux du fait que des produits contaminants à bas point d'ébullition s'accumulent dans la colonne, et que ces produits contaminants à bas point d'ébullition réduisent la température de la colonne En conséauence, il est souhaitable de fournir un procédé qui élimine ce problème de sorte qu'on
puisse maintenir la température de la colonne à une tempéra-
ture maximum en régime permanent Dans les procédés de l'art antérieur, en particulier ceux utilisant une pression réduite, o du chlorure d'hydrogène gazeux est produit en tant que sous-produit, il est nécessaire de neutraliser le gaz et, par conséquent, de gaspiller un sous- produit économiquement valable En conséquence, il est souhaitable de fournir un procédé qui récupère le chlorure d'hydrogène gazeux afin de
le recycler et de l'utiliser dans d'autres procédés.
La présente invention a donc pour objet: de fournir un procédé perfectionné de production des acyloxysilanes par réaction d'un chlorosilane avec un acide carboxylique aliphatique dans une colonne à une température élevée; de fournir un procédé perfectionné pour produire des acyloxysilanes par réaction d'un chlorosilane avec un acide carboxylique aliphatique dans une colonne à des températures élevées, dans lequel l'acide carboxylique aliphatique en phase vapeur n'est pas seulement présent dans les-parties inférieures de la colonne mais également dans les parties supérieures de la colonne; de fournir un procédé perfectionné de production des acyloxysilanes dans un système qui maintient la température de la colonne à une température maximale en régime permanent; de fournir un procédé de production des acyloxysilanes en faisant réagir un chlorosilane avec un acide carboxylique aliphatique dans une colonne à une température élevée et à la pression atmosphérique; de fournir un procédé de production des acyloxysilanes par réaction d'un chlorosilane avec un acide carboxylique aliphatique dans une colonne à température élevée, dans lequel la capacité de la colonne est notablement accrue; de fournir un procédé de production des acyloxysilanes en faisant réagir un chlorosilane avec un acide carboxylique aliphatique et de récupération du chlorure d'hydrogène
gazeux comme sous-produit.
La présente invention fournit donc un procédé de production d'acyloxysilane par réaction d'un chlorosilane avec un acide carboxylique aliphatique dans une colonne à une température élevée, dans lequel on introduit le chlorosilane dans la partie supérieure de la colonne, le perfectionnement consistant à introduire l'acide carboxylique aliphatique dans la colonne en-dessus et en-dessous du courant d'alimentation en chlorosilane Ainsi, le perfectionnement consiste à introduire de l'acide carboxylique aliphatique dans la colonne à partir de plusieurs sources, à savoir au moins une source supérieure permettant d'introduire un courant d'alimentation en acide carboxylique aliphatique en-dessus du chlorosilane et au moins une source inférieure permettant d'introduire
de l'acide carboxylique aliphatique en-dessous du chlorosilane.
La source inférieure d'acide carboxylique aliphatique peut être constituée par toute source d'acide carboxylique aliphatique permettant de l'introduire en-dessous du chlorosilane et
comprend un courant d'alimentation d'acide carboxylique ali-
phatique situé en-dessous du courant d'alimentation en chlorosilane o l'acide carboxylique aliphatique est porté au reflux dans la colonne à partir d'un rebouilleur situé au bas de la colonne ou les deux, etc Le chlorure d'hydrogène gazeux produit comme sous-produit de la réaction est recueilli
à la partie supérieure de la colonne.
Généralement, l'acide carboxylique aliphatique se trouve en large excès par rapport au chlorosilane, c'est-à-dire supérieur à 1,3 moles par atomegramme de chlore lié au silicium de sorte que l'acide carboxylique aliphatique agit comme un solvant dans la cuve de réception ou rebouilleur, et que le mélange de réaction est réparti dans toute la colonne sous forme d'une solution du monomère de chlorosilane dans de l'acide carboxylique aliphatique Le produit déchargé à l'extrémité inférieure de la colonne est une solution d'acide carboxylique aliphatique et d'acyloxysilane Par le procédé de la présente invention, on accroît la capacité de la colonne d'une valeur aussi élevée que 14 à 20 fois celle des procédés
de l'art antérieur, et le chlorosilane dans la partie supé-
rieure de la colonne, c'est-à-dire au-dessus de l'orifice d'alimentation en chlorosilane, réagit avec l'acide carboxylique aliphatique introduit au-dessus de cet orifice d'alimentation en chlorosilane Cet accroissement de la capacité de la colonne augmente le rendement du procédé et conduit à une autonomie importante dans la production des acyloxysilanes
et empêche une perte du chlorosilane qui n'a pas réagi.
En général, les chlorosilanes que l'on peut utiliser dans le procédé de la présente invention, répondent à la formule générale R Si C 4 n 14-n dans laquelle R est un radical alkyle ayant de 1 à 8 atomes de carbone, un radical aryle, un atome d'hydrogène ou des mélanges des précédents, et N varie de O à 3 D'autres chlorosilanes que l'on peut utiliser dans le procédé de la présente invention sont ceux répondant à la formule générale c 13-b Srib R Rb Si C 13-b dans laquelle R représente des radicaux hydrocarbonés, substitués ou non, identiques ou différents, ayant de 1 à 8 atomes de carbone, R' représente un radical hydrocarboné bivalent, par exemple, un radical éthylène ou phénylène, et
b est égal à 1 ou 2.
Dans les chlorosilanes de formule Rn Si C 14-n
pour la production des acyloxysilanes selon la présente inven-
tion, R peut être un radical hydrocarboné substitué ou non identique ou différent ayant de 1 à 8 atomes de carbone, un radical aryle non substitué identique ou différent ayant jusqu'à 3 cycles, des atomes d'hydrogène et des mélanges des radicaux précédents, et N peut être 0, 1, 2 ou 3 Des exemples des radicaux hydrocarbonés particuliers divers et des classes de radicaux hydrocarbonés représentés par R dans la formule ci- dessus sont par exemple les radicaux alkyles, tels que les radicaux méthyle, éthyle, propyle, isopropyle, butyle, sec-butyle, octyle, et éthyle 2-hexyle; les radicaux alcényles, tels que les radicaux vinyle, et allyle; les radicaux héxadiényles; les radicaux cycloalkyles, tels que les radicaux cyclopentyle, cyclohéxyle, et cycloheptyle; les radicaux cycloalcényles; les radicaux hydrocarbonés aromatiques, tels que les radicaux phényles, et naphthyles; les radicaux aralkyles, tels que les radicaux benzyle et phényléthyle; les radicaux alkaryles, tels que les radicaux
tolyle et diméthylphényle; etc Parmi les radicaux hydro-
carbonés substitués, on peut citer des radicaux hydrocarbonés
halogénés, tels que des radicaux chlorométhyle, chloro 3-
propyle, trifluoro 3,3,3-propyle, etc. Les chlorosilanes répondant à la formule générale: C 13 _b Si RbRb'Si Ci 3-b
que l'on peut utiliser dans le procédé de la présente inven-
tion pour la production des acyloxysilanes, on peut citer ceux représentés par la formule dans laquelle R est un radical
hydrocarboné substitué ou non substitué identique ou diffé-
rent ayant de 1 à 8 atomes de carbone R' est un radical hydrocarboné divalent, tel que, un radical éthylène ou phénylène; et b est égal à 1 ou 2 Les chlorosilanes ou les mélanges de chlorosilanes particuliers utilisés dans le procédé de la présente invention ne sont pas critiques aussi longtemps qu'ils forment des acyloxysilanes par réaction avec l'acide carboxylique aliphatique dans le procédé de la
présente invention.
Les acides carboxyliques aliphatiques utilisés pour produire les acyloxysilanes dans le procédé de la présente invention répondent à la formule:
R''COOH
dans laquelle R'' est un radical alkyle ayant de 1 à 8 atomes de carbone ou d'hydrogène Par exemple, R'' peut représenter un radical méthyle, éthyle, propyle, isopropyle, butyle, isobutyle, pentyle, héxyle, méthyle 3-pentyle, etc Les acides carboxyliques aliphatiques utilisés dans le procédé de la présente invention comprennent l'acide acétique, l'acide propionique, l'acide butyrique, l'acide formique, l'acide valérique et l'acide diméthyl -acétique L'acide carboxylique aliphatique doit être vaporisable car cet acide carboxylique est vaporisé et monte en phase vapeur dans la colonne Dans
les réalisations recommandées, l'acide carboxylique alipha-
tique se trouve à l'état de vapeur dans au moins un des courants d'alimentation ou des orifices d'alimentation avant
son introduction dans la colonne et/ou dans le rebouilleur.
Tout moyen approprié peut être utilisé pour vaporiser l'acide carboxylique aliphatique avant l'introduction de vapeur d'acide carboxylique aliphatique dans la colonne Par exemple, on peut fournir l'acide carboxylique aliphatique à un échangeur de chaleur à un débit réglé; l'acide carboxylique est alors vaporisé dans cet échangeur de chaleur; et la vapeur d'acide carboxylique aliphatique est ensuite fournie au rebouilleur (cuve de récupération) et/ou à la colonne On peut utiliser tout dispositif convenable pour régler l'addition d'acide carboxylique aliphatique dans l'échangeur de chaleur, dans le rebouilleur ou dans la colonne Dans une réalisation, l'alimentation au bas de la colonne de l'acide carboxylique aliphatique, c'est-à-dire, la source d'acide carboxylique dans la colonne en-dessous du courant d'alimentation en chlorosilane, est fournie en chauffant l'acide carboxylique chargé au rebouilleur en un excès par rapport à la stoechiométrie avant le démarrage du procédé, le chauffage de l'acide carboxylique dans le rebouilleur provoquant le reflux de
vapeur d'acide carboxylique au moins dans les parties infé-
rieures de la colonne en-dessous de l'alimentation en chloro-
silane Dans la présente invention, on peut introduire l'acide
carboxylique aliphatique liquide en plusieurs courants d'ali-
mentation, c'est-à-dire, dans la colonne ou dans la colonne et le rebouilleur (cuve de récupération); de la vameur dl'acide carboxylique aliphatique peut être introduite dans les divers courants d'alimentation, c'est-à-dire, dans la colonne ou dans la colonne et le rebouilleur (cuve de récupération);ou un mélange d'acide carboxylique aliphatique liquide et en phase vapeur peut être introduit sous forme de plusieurs courants d'alimentation, c'est-à-dire, dans la colonne ou dans la colonne et le rebouilleur, etc Il est également possible d'utiliser des mélanges d'acides carboxyliques aliphatiques dans le procédé de la présente invention, c'est-à-dire, par
exemple un acide carboxylique en C 5 dans un courant d'alimen-
tation et un acide carboxylique en C 2 dans un autre courant d'alimentation (courant d'alimentation auxiliaire), ou un mélange d'acide carboxylique en C 5 et d'acide carboxylique en C 2 dans chacun de plusieurs courants d'lalimentation% Selon l'aspect plus général de la présente invention, l'acide carboxylique aliphatique est introduit dans la colonne au-dessus du courant de chlorosilane et en-dessous de ce courant Ainsi, l'acide carboxylique aliphatique dans la colonne est dérivé à partir d'un ensemble de sources dont une au moins se trouve au- dessus de l'alimentation en chlorosilane
et une au moins en-dessous de cette alimentation.
Dans le procédé de production des acyloxysilanes selon la présente invention, l'amélioration consiste à introduire l'acide carboxylique aliphatique dans la colonne à partir d'au moins deux endroits ou positions ou sources, dont un' au moins se trouve au-dessus de l'alimentation en chlorosilane et un au moins en-dessous de cette alimentation Dans les réalisations recommandées, on introduit l'acide carboxylique dans la colonne ou dans la colonne et le rebouilleur, à un débit tel que l'acide carboxylique soit en excès par rapport à 1,3 moles par atome-gramme de chlore lié au silicium dans la colonne La capacité de la colonne est accrue de 14 à 20 fois en introduisant l'acide carboxylique dans la colonne ' à un débit excédant 1,3 moles par atome- gramme de chlore lié au silicium dans la colonne Selon le procédé de la présente invention, l'introduction de l'acide carboxylique dans la colonne au-dessus du courant d'alimentation en chlorosilane est critique, et on l'utilise comme alimentation supplémentaire en acide carboxylique dans la colonne pour compléter l'acide carboxylique fourni par une source appropriée en-dessous du courant d'alimentation en chlorosilane Dans les réalisations
recommandées, on introduit un excès notable d'acide carboxy-
lique aliphatique, c'est-à-dire une-quantité qui excède 1,3 molespar atome-gramme de chlore lié au silicium dans la colonne, dans le rebouilleur ou dans la colonne et le rebouilleur, le chlore lié au silicium étant la teneur en chlore du chlorosilane introduit dans la colonne et
généralement s'écoulant à contre-courant de l'acide carboxy-
lique aliphatique introduit dans la colonne au-dessus
ou en-dessous du courant d'alimentation en chlorosilane.
Dans les réalisations recommandées, la totalité de l'acide carboxylique aliphatique est introduite dans la colonne ou dans la colonne et le rebouilleurà un débit tel que le rapport de l'acide carboxylique au chlorosilane se
trouve compris entre 1,35 et 2,1 mole-grammes d'acide carboxy-
lique par atome-Pgramme de chlore lié au silicium La quantité totale d'acide carboxylique aliphatique, c'est-à-dire, la quantité d'acide dans tous les courants, peut s'exprimer sous forme d'un excès par rapport à la stoechiométrie d'environ 10 moles % à environ 60 moles % de la quantité de chlorosilane dans certaines réalisations recommandées Dans l'une des réalisations les plus recommandées, on introduit l'acide carboxylique aliphatique à un débit tel que le rapport de l'acide carboxylique au chlorosilane est de 1,6 à 1,7 mole-grammes d'acide carboxylique aliphatique par atome gramme de chlore lié au silicium Lorsque la quantité d'acide carboxylique aliphatique dépasse 1,3 moles par atome- gramme de chlore lié au silicium dans la colonne, il y a un excès d'acide carboxylique aliphatique dans la colonne suffisant pour provoquer une réaction plus complète de l'acide carboxylique avec le chlorosilane, et il y a une augmentation de la capacité
de la colonne d'environ 14 à 20 fois par rapport aux réalisa-
tions o le rapport de l'acide carboxylique aliphatique au chlorosilane est inférieur à environ 1,3 moles par atome gramme de chlore lié au silicium dans la colonne De plus, lorsqu'on introduit une partie de l'acide carboxylique aliphatique dans
la colonne en une partie située au-dessus du courant d'alimen-
tation en chlorosilane, c'est-à-dire, au moyen d'un courant d'alimentation auxiliaire, l'acide carboxylique aliphatique dans la partie supérieure de la colonne pour réagir avec
toutes les vapeurs de chlorosilane s'élevant dans la colonne.
Telle qu'utilisée dans la présente invention, l'expression "région ou partie supérieure de la colonne", désigne la moitié supérieure de la colonne et, mieux encore, le quart supérieur
de la colonne.
On désigne le courant d'alimentation en acide carboxyli-
que aliphatique introduit au-dessus du courant d'alimentation en chlorosilane par courant d'alimentation auxiliaire ou
courant d'alimentation supérieur en acide carboxylique alipha-
tique Le nombre total de courants d'alimentation n'est pas critique, cependant, il doit y avoir au moins une source d'acide carboxylique aliphatique dans la colonne en-dessous du courant d'alimentation en chlorosilane, et il doit y avoir une source d'alimentation en acide carboxylique aliphatique auxiliaire située au-dessus du courant d'alimentation en chlorosilane L'acide carboxylique aliphatique dans la colonne introduit en-dessous du courant d'alimentation en chlorosilane peut se trouver en un excès stoechiométrique par rapport à l'acide carboxylique déjà présent dans la colonne par chauffage et/ou reflux de l'acide carboxylique dans le rebouilleur avant ou concurremment au début de l'alimentation en chlorosilane, et/ou cet acide carboxylique
peut également être fourni à partir de divers courants d'ali-
mentation dans la colonne et/ou le rebouilleur comme souhaité, aussi bien que sous forme de combinaisons dece qui précède, etc Ainsi, selon un aspect de la présente invention, le perfectionnement consiste à fournir au moins une alimentation d'acide carboxylique au-dessus du courant d'alimentation en chlorosilane lorsqu'un excès d'acide est déjà présent dans la
colonne par chauffage et reflux avant le début de l'alimenta-
tion en chlorosilane.
Bien que cela ne soit pas critique, selon certains aspects de la présente invention, il est également possible
de fournir une série de courants d'alimentation en chlorosilane.
La série des alimentations en acide carboxylique aliphatique peut être alimenté en acide à partir d'un réservoir commun et des conduits d'alimentation communs, ou elle peut être alimenté àpartir de réservoirs distincts et des conduits d'alimentation distincts utilisés conjointement à des moyens de vaporisation si nécessaire, c'est-à-dire avec un système qui convertit l'acide carboxylique aliphatique à l'état de vapeur. L'endroit particulier des courants d'alimentation dans la colonne et/ou le rebouilleur n'est pas critique aussi longtemps que l'acide carboxylique aliphatique est fourni à la colonne au-dessus de l'alimentation en chlorosilane et en-dessous de celle-ci et aussi longtemps qu'il y a un courant d'alimentation en chlorosilane, et un spécialiste peut aisément déterminer l'endroit approprié des courants d'alimentation ou autres sources des réactifs pour obtenir
les résultats optimum.
Dans les réalisations recommandées, le courant principal d'acide carboxylique alimentaire est introduit dans la colonne
à la base ou près de la base de la colonne ou dans le rebouil-
leur, et le courant auxiliaire d'acide carboxylique alipha-
tique est introduit dans la colonne au sommet ou près du sommet de la colonne en-dessous du condenseur de tête Dans certaines autres réalisations recommandées, on introduit de
plus grandes quantités d'acide carboxylique aliphatique au-
dessus du chlorosilane qu'en-dessous de ce chlorosilane Par exemple, dans certaines réalisations recommandées, environ 2 % à 40 % en volume d'acide carboxylique aliphatique sont introduits dans le courant d'alimentation auxiliaire ou les courants au-dessus du courant d'alimentation en chlorosilane, et le reste de l'acide carboxylique aliphatique est introduit en-dessous du courant d'alimentation en chlorosilane Dans un exemple particulier 25 % en volume de l'acide sont introduits au-dessus et 75 % en volume de l'acide sont introduits en-dessous du courant d'alimentation en chlorosilane Dans certaines autres réalisations recommandées, environ 60 % à 90 % en
volume de l'acide carboxylique aliphatique-peuvent être intro-
duits dans le courant d'alimentation auxiliaire ou les courants au-dessus du courant d'alimentation en chlorosilane, et le
reste de l'acide carboxylique aliphatique est introduit en-
dessous du courant d'alimentation en chlorosilane Le chloro-
silane est introduit à un débit réglé en un point suffisamment en-dessous du sommet de la colonne pour permettre la réaction du chlorosilane et de l'acide carboxylique aliphatique On applique de la chaleur au rebouilleur pour régler le taux d'ébullition de la colonne et la chute de pression dans la colonne Une petite quantité du reflux du condenseur provenant du condenseur de tête est éliminée au sommet de la colonne afin de supprimer les impuretés à bas point d'ébullition qui autrement abaisseraient la température dans la colonne On élimine le chlorure d'hydrogène du condenseur de tète et on
l'envoie à un équipement de récupération approprié.
Selon l'invention, le procédé de production des acyloxy-
silanes est mis en oeuvre dans une colonne garnie équipée d'un rebouilleur, d'un condenseur de tête et, facultativement,
d'un échangeur de chaleur pour vaporiser l'acide carboxylique.
En général, la colonne utilisée pour le procédé de l'invention n'est pas critique et peut être toute colonne à garnissage
que l'on peut également utiliser pour la distillation frac-
tionnée Les produits de réaction à bas point d'ébullition et les impuretés à bas point d'ébullition sont distillés et recueillis après avoir été condensés dans le condenseur de tête On élimine le chlorure d'hydrogène gazeux du condenseur de tête et on l'utilise dans d'autres procédés L'élimination des impuretés à bas point d'ébullition et des sous- produits de réaction maintient la température de la colonne à un maximum. L'acyloxysilane se forme dans la colonne garnie par suite de la réaction entre le chlorosilane traversant généralement vers le bas la colonne et la vapeur d'acide carboxylique aliphatique traversant à contre-courant, c'est-à-dire vers le haut, la colonne L'acyloxysilane traverse vers le bas la colonne vers le rebouilleur, et une solution d'acyloxysilane
dans l'acide carboxylique aliphatique peut être continuelle-
ment ou de façon intermittente soutirée du rebouilleur (cuve de récupération) Après distillation de la solution d'acide carboxylique et d'acyloxysilane, on obtient généralement un acyloxysilane contenant moins de 10,5 ppm de chlorure (la somme du chlorosilane et du chlorure d'hydrogène n'ayant pas réagi). Le trajetd'écoulement des réactifs dans la colonne de réaction n'est pas critique, cependant, il y a généralement
un écoulement à contre-courant de l'acide carboxylique alipha-
tique et du chlorosilane afin d'amener la réaction réversible jusqu'à achèvement C'est-à-dire, le courant principal de l'acide carboxylique aliphatique est introduit à la base de la colonne ou du rebouilleur ou des deux et se déplace vers
le haut sous forme de vapeur de l'acide carboxylique alipha-
tique tandis que le chlorosilane et en partie les silanes acyloxylés se déplacent vers le bas de la colonne en phase liquide Le chlorosilane, par exemple, le méthyltrichlorosilane, passe tout d'abord vers le haut de la colonne à cause de son point d'ébullition plus bas et poursuit sa montée dans la colonne jusqu'à ce que l'un des chlores du chlorosilane ait réagi avec l'acide carboxylique aliphatique pour accro Utre le point d'ébullition du monomère, point auquel le déplacement du matériau dans la colonne est inversé, et o il commence à descendre dans la colonne C'est pour cette raison que l'on introduit le chlorosilane dans la colonne en un point suffisamment en-dessous du sommet de la colonne pour permettre une réaction partielle du chlorosilane avec la vapeur d'acide carboxylique dans la colonne cependant que le monomère de chlorosilane monte dans la colonne C'est également pour cette raison que l'on prévoit un courant d'alimentation auxiliaire
en acide carboxylique aliphatique au-dessus du courant d'ali-
mentation en chlorosilane pour s'assurer qu'une quantité suffisante de l'acide carboxylique aliphatique réagisse avec les vapeurs montantes de chlorosilane et pour fournir de l'acide carboxylique aliphatique en complément à la vapeur
d'acide carboxylique aliphatique s'élevant dans la colonne.
On peut régler aisément la position du courant d'alimentation en chlorosilane pour obtenir des conditions optimales de réaction pour lacolonne de distillation particulière, des réactifs particuliers, des produits et sous-produits et autre équipement utilisés pour mettre en oeuvre le procédé Bien que cela ne soit pas critique, généralement le trajetd'écoulement
des réactifs dans la colonne réactionnelle s'effectue à contre-
courant en-dessous du point d'alimentation en chlorosilane, et ce schéma d'écoulement est à la fois à contre-courant et à concourant au-dessus du point d'alimentation en chlorosilane
dans la colonne Un spécialiste peut fournir diverses combinai-
sons et positions des courants d'alimentation pour mettre en oeuvre le procédé de la présente invention sans expérimentation
excessive.
La longueur de la colonne n'est pas critique, et générale-
ment, cette hauteur de colonne est limitée seulement par des considérations économiques Dans les réalisations recommandées, la colonne est garnie avec un garnissage convenable On peut
utiliser la plupart des matériaux de garnissage classiques ré-
sistant à la corrosion Un type de garnissage recommandé est
une porcelaine chimique connue sous la désignation de selles.
D'autres matériaux de garnissage comprennent les anneaux de
Raschig et des hélices de verre.
Dans le procédé de la présente invention de production
des acyloxysilanes, on peut effectuer la réaction du chloro-
silane avec l'acide carboxylique aliphatique à toute pression convenable Dans les réalisations recommandées, on effectue la réaction à la pression atmosphérique, c'est-à-dire environ 760 mm de mercure Cependant, on peut également mettre en oeuvre le procédé selon la présente invention en réduisant la pression en-dessous de la pression atmosphérique et dans de tels cas la réaction s'effectue à des pressions comprises entre 10 mm et 760 mm de mercure Il est également possible d'effectuer la mise en oeuvre du procédé de la présente
invention à des pressions supérieures à la pression atmosphé-
rique, cependant, des températures accrues de rebouilleur
sont généralement nécessaires aux pressions élevées.
On maintient les solutions dans la colonne et dans le rebouilleur à leur point d'ébullition, c'est-à-dire, que l'on doit faire fonctionner la colonne comme une colonne de distillation Les acyloxysilanes ayant des points d'ébullition élevés, par exemple, le méthyltriacétoxysilane qui bout à
'C sous 760 mm de mercure, et les acyloxysilanes se décom-
posent habituellement à des températures au-dessus de leur point d'ébullition atmosphérique Comme indiqué ci-dessus, l'ébullition des solutions dans la colonne et le rebouilleur à des températures pratiques et tolérables peut s'effectuer en réduisant la pression absolue De plus, on peut effectuer
l'ébullition en introduisant un matériau à bas point d'ébul-
lition, tel qu'un solvant Dans le procédé de la présente
invention, l'acide carboxylique aliphatique en excès stoechio-
métrique par rapport au chlorosilane agit comme un solvant de sorte que le mélange de réaction et les produits formés constituent une solution du monomère de silane et du produit dans l'acide carboxylique aliphatique, tel que l'acide acétique Ainsi, on décharge le produit du rebouilleur sous
forme d'une solution de l'acyloxysilane dans l'acide carboxy-
lique aliphatique La quantité en excès d'acide carboxylique aliphatique par rapport au chlorosilane dans le courant d'alimentation de la colonne détermine la-composition et le point d'ébullition de la solution dans le rebouilleur, et par
conséquent, détermine la vitesse de formation du dimère indé-
sirable dans le rebouilleur.
Généralement, on fait réagir le chlorosilane avec l'acide carboxylique aliphatique à une température qui correspond ou pratiquement correspond au point d'ébullition de l'acide carboxlyique utilisé dans les conditions existantes de pression dans la colonne Dans les réalisations recommandées, la température de la colonne est maintenue entre 950 C et 1250 C environ De plus, dans les réalisations recommandées, la température dans la colonne est maintenue en gradients dans toute la colonne, la température au sommetde la colonne étant inférieure à la température au bas de la colonne Selon un jeu recommandé de conditions de réaction, la température est maintenue à des gradients de réaction dans toute la colonne, la température au sommet de la colonne étant la plus basse et étant maintenue à environ 950 C à 1000 C, et la température au bas de la colonne étant la plus élevée et étant maintenue à 1200 C à 125 C Généralement, les températures dans la colonne ne sont pas régléesdirectement Une température particulière dépend des ingrédients particuliers, tels que l'acide et le silane,
et de la pression utilisée dans le système.
Pour des raisons économiques et dans les réalisations recommandées, le procédé de production des acyloxysilanes, en général, et plus particulièrement, pour la production de méthyltriacétoxysilane par réaction du méthyltrichlorosilane et de l'acide acétique, s'effectue suivant un procédé continu dans lequel deux courants d'alimentation en acide acétique sont introduits continuellement dans une colonne verticale garnie ou dans une colonne verticale garnie et le rebouilleur et un courant de chlorosilane est continuellement introduit dans la colonne et la traverse vers le bas, et o le chlorure d'hydrogène gazeux et les produits de réaction à bas point
d'ébullition sont éliminés au sommet de la colonne de distil-
lation On recueille l'acyloxysilane et l'acide n'ayant pas réagi au bas de la colonne dans une cuve de réception ou
rebouilleur et on les en retire continuellement On peut sépa-
rer l'acyloxysilane de l'acide par tous moyens appropriés,
tels que par distillation.
EXEMPLE 1
On a construit une colonne de verre ayant 7,6 cm de dia-
mètre interne à partir de neuf longueurs de 30,5 cm de tube de verre alternées avec neuf croix de réduction en verre de 7,6 cm x 3,8 cm Quatre plateaux de support de garnissage à
coupelle unique de bullage supportaient le matériel de garnis-
sage de la colonne qui, dans le cas de cet exemple, était constitué de selles de porcelaine chimique de 0,95 cm, pour obtenir un total de 432,8 cm de matériau de garnissage dans la colonne de verre Le matériau de remplissage utilisé dans cet exemple était constitué de selles Intalox (Intalox est une marque de la U S Stoneware Company) On a placé des croix de réduction de 7,6 cm x 3,8 cm supplémentaires à la base de
la colonne et au sommet de la colonne sans matériau de gar-
nissage. Les raccords latéraux des croix de réduction étaient équipés de puits thermiques contenant les thermocouples, de dispositifs d'échantillonnage des liquides à ce point de la colonne et de tubes d'alimentation comme voulu pour obtenir un profil de température de la colonne, des échantillons de liquide dans la colonne tous les 55,88 cm, et la souplesse des points d'alimentation en réactifs On a chemisé la colonne,
et on chauffait la chemise avec un ruban chauffant à résistan-
ce électrique pour réduire la perte de chaleur de la colonne.
Des thermocouples dans l'espace annulaire ménagés par la chemise indiquaient la température de la chemise La chemise était isolée de manière convenable pour empêcher une perte de chaleur. Un rebouilleur installé en-dessous de la colonne était constitué d'un ballon de verre de 20 litres chauffé avec un chauffe-ballon électrique équipé d'un puits thermique contenant un thermocouple, un raccord supérieur de 7,6 cm reliant le ballon à la colonne et à un raccord supérieur pour la mesure de pression Le ballon du rebouilleur était équipé avec une sortie à son fond pour la décharge du produit et un tube de débordement réglable pour régler le niveau du liquide dans le ballon du rebouilleur Un ballon de réception était prévu pour recueillir le produit du ballon du rebouilleur et ce ballon de réception était équipé d'une conduite d'éaalisation de la pression par rapport au rebouilleur de sorte que le ballon de réception puisse supporter la même pression que le
ballon du rebouilleur.
On équipait le sommet de la colonne avec un diviseur de reflux, un condenseur refroidi par eau et un condenseur refroidi par saumure pour refroidir à 10 QC La partie la plus élevée de la colonne était constituée par le condenseur refroidi par saumure, et le chlorure d'hydrogène gazeux était éliminé du condenseur refroidi par saumure au moyen d'un tuyau vers un système de recyclage qui permettait l'utilisation du chlorure d'hydrogène gazeux La colonne était équipée avec un équipement
auxiliaire incluant une pompe pour l'alimentation en chlorosi-
lane à un débit réglé variable par un tube d'alimentation situé 256,0 cm en-dessous du sommet du garnissage avec le-tube de décharge au centre de la colonne de réaction de 7,6 cm On prévoyait une seconde pompe à débit variable réglé pour introduire l'acide carboxylique aliphatique par un échangeur
de chaleur chauffé à l'huile o l'acide carboxylique alipha-
tique était vaporisé de sorte que l'on pouvait introduire l'acide à la base de la colonne sous forme de vapeur La troisième pompe à débit variable commandé était prévue pour introduire l'acide carboxylique aliphatique sous forme liquide au sommet de la colonne On prévoyait également plusieurs dispositifs de mesure de la température, de mesure de la chute de pression dans la colonne et de mesure de l'alimentation en
réactifs et du recueillement du produit.
On introduisait environ 75 % de l'acide acétique à la base de la colonne sous forme de phase vapeur et environ 25 % de l'acide acétique au sommet de la colonne sous forme liquide à 650 C pour un débit d'entrée total de 7,25 kg/heure La chute de pression de la colonne était de 184,3 Pa à 40 C On a prélevé les résultats d'échantillons pour le chlorure ionique,
l'acide acétique, l'anhydride acétique, le méthyltrichlorosi-
lane, le dichlorosilane, le monochlorosilane, le méthyltriacé-
toxysilane et le dimère à diverses hauteurs dans la colonne.
Des résultats sont indiqués au Tableau 1 ci-dessous o, sauf
mention contraire, tous ces résultats sont donnés en pourcen-
tages (basés sur les aires de la courbe d'analyse en
chromatographie en phase gazeuse).
Le distillat de tête dans l'exemple 1 avait une teneur en méthyltrichlorosilane d'environ 2 à 2,5 % On peut voir d'après les résultats du Tableau 1 que lorsque l'on introduit l'acide acétique en deux endroits différents dans la colonne, on obtient
des concentrations acceptables en méthyltriacétoxysilane dissous-
dans l'acide acétique par le procédé de la présente invention.
Ainsi, bien que l'acide acétique soit introduit au fond ou près du fond de la colonne en phase vapeur, il est possible de compléter l'alimentation en excès d'acide acétique dans la colonne en introduisant de l'acide acétique liquide dans d'autres régions de la colonne y compris le sommet de la colonne Dans l'exemple 1, 25 % de l'acide acétique étaient introduits en phase liquide au sommet de la colonne et 75 % de l'acide acétique
étaient introduits en phase vapeur au fond de la colonne.
TABLEAU 1
MESURES ET RESULTATS EN DIFFERENTS POINTS DU SYSTEME
POUR LA PRODUCTION DE METHYLTRIACETOXYSILANE
POINT D'ECHAN-
TILLONAGE (cm) TEMPS Oc
CHLORURE
ACIDE
ACETIQUE
ANHYDRIDE
ACETIQUE
Me Si Cl 13 Sic 12 Si Ci MTA 52
CONDENSEUR
12, 2 ,1 106,7 161,5 213,4 313,9
350, 5
405,4 432,8
REBOUI LLEUR
8 '9 , 4 %
2, 3 %
3, 2 %
3, 7 %
72,0 %
9,0 % , 0 %
2, 0 %
3,0 % 92 % % 84 % % 89 % 89 % 88 % %
0, 2 %
0, 2 %
0, 1 %
0, 1 %
0, 2 %
0, 2 %
0,4 % 0,7 % 1,0 % 1,4 % 0,1 % 0,2 % 0,5 % o O o o o
0, 01 %
TRACE TRACE
0,05 %
o o O o o o 2 % o 3 %
O 11,3 %
o 14,4 %
o -
O 9,8 %
o 9,8 %
ô 10,8 %
o 50, O % 1 Méthyltrichloros ilane 2 Mâthyltriacétoxysi lane
DIMERE
j-.
0, 2 %
0, 5 %
0, 7 %
0, 7 %
0, 3 %
0, 3 %
*0, 4 %
3, 4 %
r Ji Co 0 % CD
EXEMPLE 2
Dans une colonne en verre et dans des conditions similai-
res à celles indiquées pour l'exemple 1, on a chauffé 600 grammes d'acide acétique glacial dans un rebouilleur de 1 litre, au reflux dans une colonne garnie ayant un diamètre de 2,54 cm. La colonne de verre avait 121,9 cm de long et était raccordée à
son sommet à un condenseur maintenu à 20 C Le méthyltrichlo-
rosilane liquide était introduit dans la colonne de verre en un point d'alimentation à 22,86 cm du sommet de la colonne à un débit de 1,1 grammespar minute De l'acide acétique à 20 %
en excès par rapport à la stoechiométrie par rapport au méthyl-
trichlorosilane était divisé en deux courants d'alimentation.
Environ 80 % de l'acide acétique étaient introduits dans la colonne à un orifice d'alimentation situé à 7,62 cm à un débit de 1,4 grammes/minutesous forme de vapeur Le reste de l'acide
acétique était introduit sous forme de liquide dans le rebouil-
leur On atteignait un régime permanent en deux heures Une température de 122 à 135 C régnait dans le rebouilleur A la fin d'une période de 7 heures, le résidu après distillation de l'acide acétique en excès sous 20 mm de mercure et en maintenant la température du ballon en-dessous de 110 C, présentait la composition suivante telle que mesurée par les aires de la courbe de chromatographie en phase gazeuse: Acide acétique 0,5 % Méthyltriacétoxysilane 86,0 % Diméthyltétraacétoxysiloxane 13,0 %
Fraction à haut point d'ébulli-
tion 0,5 %
Teneur en chlorure ionique 71 ppm.
EXEMPLE 3
On a chauffé dans un rebouilleur de 500 ml, 275 grammes d'acide acétique glacial au reflux dans une colonne garnie en
pyrex de 1,23 m x 2,54 cm (diamètre) emboîtée avec un conden-
seur maintenu à 20 C On fournissait du méthyltrichlorosilane liquide au point d'alimentation à 22,9 cm (par rapport au sommet de la colonne) à un débit de 1 g/mn cependant qu'on introduisait de l'acide acétiaue au point 7,6 cm (mesuré par rapport au sommet de la colonne) au débit de 2 g/mn A la fin des 7 heures d'essai, on distillait l'acide acétique en excès sous 20 mm de mercure pour obtenir le produit ayant
la composition suivante déterminée par analyse par chromato-
graphie en phase gazeuse: Acide acétique et anhydride acétique 10 % Méthyltriacétoxysilane 85 % Diméthyltétracétoxysilane 2 % Fraction à haut point d'ébullition 3 %
Il n'y avait pas de chlorure ionique détectable.
EXEMPLE 4
En suivant la procédure de l'exemple 3, on introduisait du méthyltrichlorosilane liquide au débit de 1 c/mn et de l'acide acétique au débit de 2 g/mn à 61 cm et 7,6 cm par
rapport au sommet de la colonne Apres 7 heures, la distilla-
tion de l'acide acétique en excès donnait la composition suivante: Acide acétique 1 % Méthyltriacétoxysilane 96 % Diméthyltétracétoxysilane 0,5 % Fraction à haut point d'ébullition 2,5 %
Il n'y avait pas de chlorure ionique détectable.
EXEMPLE 5
En utilisant le procédé décrit dans l'exemple 3 on intro-
duisait du méthyltrichlorosilane avec un débit de 1 g/mn sous forme de vapeur à 61 cm tandis que l'on fournissait de l'acide acétique liquide au débit de 2 g/mn à 7,6 cm Apres 7 heures, le produit distillé avait la composition suivante: Acide acétique 20 % Méthyltriacétoxysilane 95 % Diméthyltétraacétoxysilane 1,5 % Fraction à haut point d'ébullition 2,5 %
Il n'y avait pas de chlorure ionique détectable.
Les résultats des exemples 3, 4 et 5 montrent que le procédé de la présente invention peut être mis en oeuvre en alimentant en acide carboxylique aliphatique la colonne à partir du rebouilleur en chauffant l'acide carboxylique dans le rebouilleur, obligeant ainsi la vapeur d'acide carboxylique à passer dans la colonne en-dessous du courant d'alimentation en chlorosilane par reflux, et en introduisant un courant d'acide carboxylique dans la colonne au-dessus du courant
d'alimentation en chlorosilane.
Selon au moins certains aspects de la présente inven-
tion, on a préparé des acyloxysilanes en faisant réagir un chlorosilane avec un acide carboxylique aliphatique dans une
colonne à température élevée en introduisant l'acidecarboxyli-
que aliphatique dans la colonne en plusieurs courants Dans au moins des parties de la colonne, l'acide carboxylique aliphatique en phase vapeur s'élève du bas de la colonne à contre-courant du flux du chlorosilane descendant du sommet de la colonne Du fait de l'alimentation auxiliaire en acide acétique au sommet de la colonne, les vapeurs de chlorosilane dans les parties supérieures de la colonne garnie réagissent
avec l'acide acétique au sommet de la colonne Les sous-
produits de réaction à bas point d'ébullition et le chlorure d'hydrogène gazeux sont éliminés au sommet de la colonne tandis que l'acyloxysilane dissous dans l'acide acétique est
accumulé au fond de la colonne.
Comparé aux procédés de l'art antérieur qui introduisent
l'acide carboxylique dans la colonne en un seul courant d'ali-
mentation en quantités inférieures à 1,3 moles par atome-gramme de chlore lié au silicium dans la colonne, le procédé de la présente invention permet non seulement une augmentation de 14 à 20 fois de la capacité de la colonne par rapport aux procédés de l'art antérieur, mais également utilise une plus grande partie de la colonne pour la réaction La plus grande capacité du procédé de la présente invention résulte des températures de colonne plus élevées, d'une plus grande densité de vapeur et d'un chargement accru en liquide dans
la colonne de réaction qui fonctionne à la pression atmosphé-
rique et une quantité accrue d'acide carboxylique aliphatique au-dessus du courant d'alimentation en chlorosilane dans la colonne.
Claims (28)
1 Procédé de production diacyloxysilanes par réaction d'un chlorosilane avec un acide carboxylique aliphatique dans
une colonne à une température élevée dans lequel le chloro-
silane est introduit dans la colonne, l'acide carboxyliaue aliphatique monte dans la colonne à partir d'une source en- dessous de l'alimentation en chlorosilane, et le chlorure d'hydrogène gazeux est éliminé de la colonne, caractérisé en
ce qu'il consiste à introduire de l'acide carboxylique ali-
phatique dans la colonne au-dessus de l'alimentation en
chlorosilane.
2 Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce
qu'il comprend le chauffage de l'acide carboxylique alipha-
tique dans un rebouilleur à une température qui provoque le reflux de l'acide carboxylique et ainsi sa montée dans la
colonne.
3 Procédé selon la revendication 1 ou 2 caractérisé en ce qu'il comprend la fourniture de l'acide carboxylique aliphatique en un excès stoechiométrique par rapport au chlorosilane. 4 Procédé de production d'acyloxysilanes par réaction d'un chlorosilane avec un acide carboxylique aliphatique dans une colonne à une température élevée dans lequel on introduit le chlorosilane sous forme d'un courant d'alimentation dans la colonne, on enlève le chlorure d'hydrogène gazeux de la colonne, caractérisé en ce qu'il consiste à introduire plusieurs courants d'alimentation d'acide carboxylique aliphatique,
un courant d'alimentation supérieur d'acide carboxlylique ali-
phatique étant introduit en tout point de la colonne au-dessus du courant d'alimentation en chlorosilane et au moins un courant d'alimentation inférieur d'acide carboxylique aliphatique
étant introduit en tout point en-dessous du courant d'alimen-
tation en chlorosilane.
Procédé selon la revendication 4 caractérisé en ce qu'il comprend l'introduction d'acide carboxylique aliphatique dans un rebouilleur situé au bas de la colonne; le chauffage de l'acide carboxylique aliphatique dans le rebouilleur à une température qui provoque la formation d'une vapeur de l'acide
carboxylique; et l'introduction de la vapeur dans la colonne.
6 Procédé selon la revendication 4 caractérisé en ce qu'il comprend le chauffage d'un excès d'acide carboxylique aliphatique dans un rebouilleur au bas de la colonne à une température qui provoque la formation de vapeur de l'acide
carboxylique et l'introduction de la valeur dans la colonne.
7 Procédé selon la revendication 4 caractérisé en ce qu'il comprend l'introduction d'acide carboxylique aliphatique
en un courant d'alimentation en un point de la colonne en-
dessous du courant d'alimentation en chlorosilane.
8 Procédé selon la revendication 4 caractérisé en ce
qu'il comprend l'introduction de l'acide carboxylique alipha-
tique en-dessous du courant d'alimentation en chlorosilane dans un rebouilleur situé au bas de la colonne et dans la
colonne en-dessous du courant d'alimentation en chlorosilane.
9 Procédé selon la revendication 4 caractérisé en ce qu'il comprend en outre le chauffage de l'acide carboxylique aliphatique pour vaporiser l'acide et l'alimentation de l'acide carboxylique aliphatique sous forme d'une vapeur dans au moins
un des courants d'alimentation.
Procédé selon la revendication 4 caractérisé en ce qu'il comprend la fourniture d'acide carboxylique aliphatique
en un excès stoechiométrique par rapport au chlorosilane.
11 Procédé selon la revendication 4 ou 10 caractérisé en ce que l'acide carboxylique aliphatique est introduit en un excès stoechiométrique d'environ 10 moles % à 60 moles % par
rapport à la quantité de chlorosilane.
12 Procédé selon la revendication 4 ou 10 caractérisé en ce que l'acide carboxylique est introduit dans la colonne à un débit tel que le rapport de l'acide carboxylique au chlorosilane est compris entre 1,35 et 2,1 mole-gramm es d'acide carboxylique
par atome-gramme de chlore lié au silicium.
13 Procédé selon la revendication 4 caractérisé en ce que l'on fait fonctiondelacolonneàunepression d'environ 760 mn
de mercure.
14 Procédé selon la revendication 4 caractérisé en ce qu'on maintient la température de la colonne entre 950 C et
1250 C.
Procédé selon la revendication 4 ou 14 caractérisé en ce qu'on maintient la température en gradients dans toute la colonne, la température au sommet de la colonne étant plus
basse que la température au bas de la colonne.
16 Procédé selon la revendication 4 caractérisé en ce qu'il comprend en outre la réduction de la température de la colonne au-dessus du courant d'alimentation supérieur en
acide carboxylique aliphatique à au moins 10 'C.
17 Procédé selon la revendication 4 caractérisé en ce qu'il comprend en outre la réduction de la température de la colonne au-dessus du courant d'alimentation supérieur en acide carboxylique aliphatique à environ 20 'C à 300 C en
prévoyant un condenseur et en éliminant le chlorure d'hydro-
gène gazeux du condenseur.
18 Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'on introduit le même acide carboxylique aliphatique
dans l'ensemble des courants d'alimentation.
19 Procédé de production en continu de méthyltriacétoxy-
silane à partir de méthyltrichlorosilane et d'acide acétique, caractérisé en ce qu'il consiste: (a) à introduire un courant de méthyltrichlorosilane dans la partie supérieure d'une colonne chauffée
grâce à quoi une quantité importante du méthyl-
trichlorosilane descend dans la colonne chauffée; (b) à introduire de l'acide acétique au-dessus du courant de méthyltrichlorosilane; (c) à introduire de l'acide acétique en-dessous du courant de méthyltrichlorosilane, grâce à quoi l'acide acétique réagit avec le méthyltrichlorosilane pour former des produits de réaction à bas point
d'ébullition, du chlorure d'hydrogène, du méthyl-
triacétoxysilane et des sous-produits de réaction; (d) à condenser des vapeurs d'acide acétique et des produits de réaction à bas point d'ébullition au sommet de la colonne en un point au-dessus du courant d'alimentation en acide acétique au moyen d'un condenseur et éliminer le chlorure d'hydrogène gazeux du condenseur; et
(e) à recueillir et éliminer en continu le méthyl-
triacétoxysilane, l'acide acétique qui n'a pas réagi et les sous-produits de réaction d'un rebouilleur au bas de la colonne, le rebouilleur étant maintenu à une température supérieure à
la température de la colonne.
20 Procédé selon la revendication 19 caractérisé en ce que l'acide acétique est introduit dans la colonne en un
excès stoechiométrique par rapport au méthyltrichlorosilane.
21 Procédé selon la revendication 19 ou 20 caractérisé en ce que l'acide acétique est introduit dans la colonne à un
débit tel que le rapport de l'acide acétique au méthyltrichlo-
rosilane est de 1,6 à 1,7 mole-grammes d'acide acétique
par atome gramme de chlore lié au silicium.
22 Procédé selon la revendication 19 caractérisé en ce qu'on fait fonctionner la colonne à une pression d'environ
760 mm de mercure.
23 Procédé selon la revendication 19 caractérisé en ce qu'on maintient la température de la colonne entre 950 C et
1250 C.
24 Procédé selon la revendication 19 caractérisé en ce qu'on utilise l'acide acétique en un excès stoechiométrique d'au moins 1,3 mole d'acide acétique par atome-gramme de
chlore lié au silicium.
Procédé selon la revendication 19 caractérisé en ce qu'on maintient le condenseur àune température de 10 o C et
en-dessous.
26 Procédé selon la revendication 19 caractérisé en ce que le condenseur est maintenu à une température de 200 C à
300 C.
27 Procédé selon la revendication 19 caractérisé en ce qu'on introduit l'acide acétique en-dessous du courant de
méthyltrichlorosilane dans le rebouilleur.
28 Procédé selon la revendication 19 caractérisé en ce qu'on introduit l'acide acétique en-dessous du courant de
méthyltrichlorosilane dans la colonne chauffée.
29 Procédé selon la revendication 19 caractérisé en ce qu'il comprend en outre le chauffage de l'acide acétique pour former de la vapeur d'acide acétique et introduction de cette
vapeur d'acide acétique.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/278,541 US4332956A (en) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | Process for preparing acyloxysilanes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2508460A1 true FR2508460A1 (fr) | 1982-12-31 |
| FR2508460B1 FR2508460B1 (fr) | 1985-04-19 |
Family
ID=23065380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8211063A Granted FR2508460A1 (fr) | 1981-06-26 | 1982-06-24 | Procede de production d'acyloxysilanes |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4332956A (fr) |
| JP (1) | JPS5821685A (fr) |
| DE (1) | DE3221702A1 (fr) |
| FR (1) | FR2508460A1 (fr) |
| GB (1) | GB2101144A (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2739380A1 (fr) * | 1995-10-03 | 1997-04-04 | Gen Electric | Procede pour preparer un melange d'alcoxyacyloxysilane et d'alkyltriacyloxysilane |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4715039A (en) * | 1985-07-12 | 1987-12-22 | Spectra-Physics, Inc. | Internal resonator water cooled ion laser |
| US4912242A (en) * | 1989-05-15 | 1990-03-27 | Dow Corning Corporation | Process for preparing silicon esters |
| DE4112650A1 (de) * | 1991-04-18 | 1992-10-22 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur gleichzeitigen und kontinuierlichen herstellung von carbonoyloxysilanen und carbonsaeurechloriden |
| US5387706A (en) * | 1994-06-27 | 1995-02-07 | Dow Corning Corporation | Process for preparing acyloxysilanes |
| US5473826A (en) * | 1994-08-19 | 1995-12-12 | Yazaki Corporation | Process for drying sol-gel derived porous bodies at elevated subcritical temperatures and pressures |
| KR100342576B1 (ko) * | 1995-02-08 | 2002-11-23 | 고려화학 주식회사 | 실리콘실란트용초산형가교제의제조방법 |
| DE19837010A1 (de) * | 1998-08-14 | 2000-02-17 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Acetoxysilanen |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3974198A (en) * | 1975-09-02 | 1976-08-10 | General Electric Company | Process for producing methyltriacetoxysilane |
| EP0003317A1 (fr) * | 1978-01-17 | 1979-08-08 | Wacker-Chemie GmbH | Procédé de fabrication d'acyloxysilanes et le cas échéant d'acyloxysiloxanes |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2017000A (en) * | 1932-04-22 | 1935-10-08 | Henkel & Cie Gmbh | Silicon carboxylate and process of making the same |
| US2405988A (en) * | 1943-12-10 | 1946-08-20 | Dow Chemical Co | Organo-silicon esters and materials treated therewith |
| US2566347A (en) * | 1946-04-17 | 1951-09-04 | Montclair Res Corp | Silicon acylates |
| US2537073A (en) * | 1946-07-16 | 1951-01-09 | Montclair Res Corp | Substituted silicon acylates |
| US2866800A (en) * | 1951-01-08 | 1958-12-30 | Montclair Res Corp | Substituted silicon acylates |
| US3701753A (en) * | 1970-09-28 | 1972-10-31 | Gen Electric | Solutions of room temperature vulcanizable silicone rubber compositions |
| DE2061189C3 (de) * | 1970-12-11 | 1974-12-05 | Wacker-Chemie Gmbh, 8000 Muenchen | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von Alkoxysilanen oder Alkoxypolysiloxanen |
| US3700714A (en) * | 1971-06-24 | 1972-10-24 | Stephen B Hamilton | Curable compositions |
| US4028391A (en) * | 1973-12-26 | 1977-06-07 | Owens-Corning Fiberglas Corporation | Method of preparing organosilicon carboxylates |
-
1981
- 1981-06-26 US US06/278,541 patent/US4332956A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-05-10 GB GB08213455A patent/GB2101144A/en not_active Withdrawn
- 1982-06-09 DE DE19823221702 patent/DE3221702A1/de not_active Withdrawn
- 1982-06-24 FR FR8211063A patent/FR2508460A1/fr active Granted
- 1982-06-25 JP JP57108586A patent/JPS5821685A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3974198A (en) * | 1975-09-02 | 1976-08-10 | General Electric Company | Process for producing methyltriacetoxysilane |
| EP0003317A1 (fr) * | 1978-01-17 | 1979-08-08 | Wacker-Chemie GmbH | Procédé de fabrication d'acyloxysilanes et le cas échéant d'acyloxysiloxanes |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2739380A1 (fr) * | 1995-10-03 | 1997-04-04 | Gen Electric | Procede pour preparer un melange d'alcoxyacyloxysilane et d'alkyltriacyloxysilane |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0359077B2 (fr) | 1991-09-09 |
| US4332956A (en) | 1982-06-01 |
| DE3221702A1 (de) | 1983-03-03 |
| FR2508460B1 (fr) | 1985-04-19 |
| GB2101144A (en) | 1983-01-12 |
| JPS5821685A (ja) | 1983-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6693213B1 (en) | Method of producing ethyl acetate and an equipment for carrying out this method | |
| TW201204699A (en) | Removal of permanganate reducing compounds from methanol carbonylation process stream | |
| US20090082586A1 (en) | Process for preparing monochloroethylene carbonate and subsequent conversion to vinylene carbonate | |
| KR20060129427A (ko) | 메탄올 카보닐화 공정 스트림으로부터 퍼망가네이트 환원화합물의 제거 방법 | |
| EP0694553B1 (fr) | Procédé de préparation d'acyloxysilanes | |
| US4035242A (en) | Distillative purification of alkane sulfonic acids | |
| EP1581473A2 (fr) | Procede continu de preparation de lactate d ethyle | |
| EP0061393B1 (fr) | Procédé continu de préparation de l'oxyde de propylène | |
| US4761492A (en) | Process for recovering trimethoxysilane from a trimethoxysilane and methanol mixture | |
| FR2508460A1 (fr) | Procede de production d'acyloxysilanes | |
| EP0421644B1 (fr) | Procédé pour la préparation d'organo-alkoxysilanes | |
| FR2947264A1 (fr) | Procedure de preparation de l'acide difluoroacetique | |
| US4329484A (en) | Continuous process for preparing acyloxysilanes | |
| FR2494695A1 (fr) | Procede pour la fabrication simultanee d'organosiloxane et de chlorure de methyle | |
| JPH0147454B2 (fr) | ||
| JP5350228B2 (ja) | 臭化プロピルの分離および／または回収 | |
| JPH07116093B2 (ja) | ４−ヒドロキシアセトフエノンの精製方法 | |
| EP0478428B1 (fr) | Procédé de préparation d'oxyde borique par hydrolyse du borate de méthyle et sa mise en oeuvre dans l'oxydation d'hydrocarbures saturées en alcools | |
| JP2797881B2 (ja) | ３−［ｎ−（２−アミノエチル）］アミノプロピルアルコキシシランの連続的製造方法及びその製造装置 | |
| EP0074162B1 (fr) | Procédé de préparation de p-crésol | |
| JP2713676B2 (ja) | ３−［ｎ−（２−アミノエチル）］アミノプロピルアルコキシシランの製造方法とその製造装置 | |
| FR2815956A1 (fr) | Procede d'obtention d'hydrazine anhydre et dispositif pour sa mise en oeuvre | |
| EP0403331B1 (fr) | Procédé de séparation de deux isomères, son application à la purification du phényl-1 bromo-2 éthane | |
| FR2545827A1 (fr) | Procede de preparation d'organosiloxanes et d'halogenures d'alkyle a partir de dialkyldialcoxysilanes | |
| JPS59225144A (ja) | ピルビン酸エステルの分離方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |