FR1374096A - Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur - Google Patents
Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurInfo
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR953150A FR1374096A (fr) | 1962-11-15 | 1963-11-08 | Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES0082453 | 1962-11-15 | ||
| FR953150A FR1374096A (fr) | 1962-11-15 | 1963-11-08 | Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR1374096A true FR1374096A (fr) | 1964-10-02 |
Family
ID=25997054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR953150A Expired FR1374096A (fr) | 1962-11-15 | 1963-11-08 | Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR1374096A (fr) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3341374A (en) * | 1963-05-09 | 1967-09-12 | Siemens Ag | Process of pyrolytically growing epitaxial semiconductor layers upon heated semiconductor substrates |
| US3428500A (en) * | 1964-04-25 | 1969-02-18 | Fujitsu Ltd | Process of epitaxial deposition on one side of a substrate with simultaneous vapor etching of the opposite side |
-
1963
- 1963-11-08 FR FR953150A patent/FR1374096A/fr not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3341374A (en) * | 1963-05-09 | 1967-09-12 | Siemens Ag | Process of pyrolytically growing epitaxial semiconductor layers upon heated semiconductor substrates |
| US3428500A (en) * | 1964-04-25 | 1969-02-18 | Fujitsu Ltd | Process of epitaxial deposition on one side of a substrate with simultaneous vapor etching of the opposite side |
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