FI97920C - Tapa puhdistaa puolijohdevalmiste - Google Patents

Tapa puhdistaa puolijohdevalmiste Download PDF

Info

Publication number
FI97920C
FI97920C FI910946A FI910946A FI97920C FI 97920 C FI97920 C FI 97920C FI 910946 A FI910946 A FI 910946A FI 910946 A FI910946 A FI 910946A FI 97920 C FI97920 C FI 97920C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
acid
washing
utgöras
syran
känneteck
Prior art date
Application number
FI910946A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI910946A0 (fi
FI910946A (fi
FI97920B (fi
Inventor
Olli Anttila
Original Assignee
Okmetic Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Okmetic Oy filed Critical Okmetic Oy
Priority to FI910946A priority Critical patent/FI97920C/fi
Publication of FI910946A0 publication Critical patent/FI910946A0/fi
Priority to EP92103395A priority patent/EP0501492B1/en
Priority to JP07567792A priority patent/JP3390185B2/ja
Priority to DE69232574T priority patent/DE69232574T2/de
Publication of FI910946A publication Critical patent/FI910946A/fi
Priority to US08/113,965 priority patent/US5382296A/en
Publication of FI97920B publication Critical patent/FI97920B/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI97920C publication Critical patent/FI97920C/fi

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

97920
TAPA PUHDISTAA PUOLIJOHDEVALMISTE
Tämä keksintö kohdistuu tapaan puhdistaa puolijohdevalmiste puolijohdevalmisteen pintaan joutuneista partikkeleista sekä metallisesta, epäorgaanisesta ja orgaanisesta kontaminaatiosta .
Puolijohdevalmisteen, kuten piikiekon valmistus tapahtuu tavallisesti lähtien olennaisen puhtaasta piimateriaalista.
Tästä materiaalista kasvatetaan pyrometallurgisella menetelmällä tankomainen piierilliskide, joka edelleen katkotaan ohuiksi kiekkomaisiksi kappaleiksi. Piikiekoilta, joita käytetään esimerkiksi elektroniikkateollisuuden piirinvalmis-tukseen, vaaditaan hyvin tärkeän tasaisuuden lisäksi erittäin suurta puhtautta. Jo pienetkin epäpuhtauspitoisuudet samoin kuin pintaepätasaisuudet aiheuttavat näin saatavan valmiin puolijohdevalmisteen romuttumisen. Epäpuhtauksien poistamiseksi puolijohdevalmisteen pinnalta puolijohde-valmiste puhdistetaan valmistuksen eri vaiheissa.
Puolijohdevalmisteiden pesun tarkoituksena on poistaa kiekon pinnalla olevat epäpuhtauspartikkelit sekä metallinen ja orgaaninen kontaminaatio. Alkaliset vetyperoksidiliuokset, joista käytetään erityisesti ammoniakki-vetyperoksidi-vesi-liuosta, kykenevät poistamaan puolijohdevalmisteen pinnalla olevia epäpuhtauspartikkeleita hyvin tehokkaasti. Yleisesti käytetyissä ammoniakki-vetyperoksidi-vesiliuoksissa laimennussuhde on esimerkiksi 1:1:5, mikä tarkoittaa, että liuos sisältää yhden osan ammoniakkia ja yhden osan vetyperoksidia viittä vesiosaa kohti. Tällaisen pesuliuoksen käyttö-lämpötila on kuitenkin noin 70°C, jolloin pesuliuos on erikseen kuumennettava, jotta pesuliuos olisi valmis käytettäväksi. Eräät metallit, kuten rauta, sinkki ja alumiini, pyrkivät kuitenkin kerääntymään pesun aikana puolijohdevalmisteen pinnalle tällaisessa alkalisessa liuoksessa. Näiden metallien poistamiseen käytetään yleisesti kuumia suolahappo-vetyperoksidi-vesiliuoksia, mutta näissä liuoksissa tehdyn pesun jälkeen puolijohdevalmisteen pinta r-, 97920 2 kerää helposti partikkeleita. On myös ehdotettu käytettäväksi laimeita ammoniakki-vetyperoksidi-vesiliuoksia, mutta näissäkin liuoksissa tehdyn pesun jälkeen puolijohde-valmisteen pinnalle jää helposti metalleja.
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on poistaa tekniikan tason mukaisia haittapuolia ja aikaansaada entistä parempi tapa puhdistaa puolijohdevalmiste sen pesussa niin, että puolijohdevalmisteen pinta on mahdollista pysyttää olennaisen puhtaana myös pesun jälkeisissä käsittelyvaiheissa. Keksinnön olennaiset tunnusmerkit selviävät oheisista patenttivaatimuksista.
Keksinnön mukaisesti puolijohdevalmisteen, kuten piikiekon tai galliumarsenidiyhdisteen, pesu suoritetaan käyttäen laimeata happo-vesiliuosta. Keksinnön mukainen laimea happo-vesiliuos on lämpötilaltaan välillä 15-40°C, edullisesti 18-25°C. Tämä lämpötila merkitsee sitä, että keksinnön mukaisesti käytettävä laimea happo-liuos on edullisesti huoneenlämpötilassa. Näin keksinnön mukaista pesuliuosta ei tarvitse kuumentaa erityiseen pesulämpötilaan sopivaksi, mikä osaltaan yksinkertaistaa puolijohdevalmisteen valmistusta ja samalla vähentää energiakulutuksen lisäksi puolijohdevalmisteen puhdistuskustannuksia.
Keksinnön mukaisessa tavassa käytettävä happo voi olla edullisesti esimerkiksi suolahappo HC1, fluorivetyhappo HF, typpihappo HNO3 tai etikkahappo CH3COOH. Tällaisessa laimeassa happo-vesiliuoksessa laimennussuhde voi vaihdella välillä 1.Ί03 - 1:106, jolloin yhtä happo-osaa kohti on 103 osaa, vastaavasti 106 osaa vettä. Edullisesti happo- vesiliuoksen laimennussuhde on välillä 1:105 - 1:104.
Liuoksen pH-arvo vaihtelee tällöin vastaavasti välillä pH= 1,5-6.
Keksinnölle edullisten liuotusolosuhteiden määrittämisessä on huomioitava, että raudan liukoisuus kasvaa liuoksen pH:n laskiessa alle 7. Samalla pH-arvon muuttuessa happamampaan T, 3 97920 suuntaan hiukkasten kiinnitystaipumus puolijohdevalmisteen pinnalle kasvaa. Rautapartikkelien käyttäytymisen lisäksi liuotusolosuhteiden määrityksessä on otettava huomioon myös muiden epäpuhtauskomponenttien vaikutus pesun onnistumiseen. Tällöin olennaisen ratkaisevaksi tekijäksi muodostuu näiden vähemmistövarauksenkuljettajien elinaika puolijohdevalmis-teessa. Pitkä elinaika osoittaa, että nämä epäpuhtaudet saadaan edullisesti poistumaan pesussa puolijohdevalmis-teesta.
Keksintöä selostetaan lähemmin seuraavien esimerkkien avulla.
Esimerkki 1
Kiillotettu halkaisijaltaan 125 mm oleva piikiekko pestiin keksinnön mukaisesti huoneenlämpötilassa käyttäen laimeaa suolahappoa pesuajän ollessa 60 s. Suolahappopitoisuuden vaikutuksen selvittämiseksi pesu suoritettiin käyttäen laimennuksia välillä 1:102 - 1:106 niin, että laimennus suhdetta muutettiin eri kokeissa dekadin, eli 1:10, välein. Lisäksi pesuajan vaikutusta selvitettiin suorittamalla laimennussuhteella 1:103 pesu myös pesuajoilla 5 s, 15 s ja 600 s. Pesun jälkeen piikiekon pinnalta mitattiin siinä oleva partikkelimäärä.
Partikkelimäärän mittauksen jälkeen piikiekko oksidoitiin lämpötilassa 1050 °C 30 min, minkä lisäksi piikiekkoa pidettiin 15 min samassa lämpötilassa typpiatmosfäärissä, jotta piikiekolle voitiin suorittaa metallikontaminaation paljastava vähemmistövarauksenkuljettajien elinajan mittaus mikroaaltoheijastukseen perustuvalla elinaikamittarilla.
Oksidoidulle piikiekolle suoritettiin edelleen rautapitoisuuden mittaus sinänsä tunnetulla tavalla. Eri kokeista saadut tulokset on esitetty oheisessa taulukossa 1, jolloin partikkelimäärä kuvaa keskimääräistä mittaustulosta piikiekkoa kohti, kun mittauksessa on huomioitu halkaisijaltaan 0.3 97920 4 pm suuremmat partikkelit ja rautapitoisuuden yksikkönä on käytetty 1010 atomia kuutiosenttimetriä piitä kohti.
Laimennus- Partikkeli- Elinaika Rauta- suhde määrä ps pit.
1:1000000 1.4 41 2.7 1:100000 4.0 35 1:10000 2.0 22 1:1000 (5 s) 2.5 27 3.8 1:1000 (15 s) 3.6 28 1:1000 1.6 23 6.7 1:1000 (600 s) 2.7 20 12 1:100 4.6 20
Taulukon 1 perusteella suurilla laimennussuhteilla saadut tulokset ovat parempia kuin pienillä laimennussuhteilla saadut tulokset sekä partikkelimäärän, elinajan että rautapitoisuuden suhteen. Sen sijaan pesuajän pituudella ei näytä olevan selvää vaikutusta tuloksiin. Käytettäessä tekniikan tason mukaista ammoniakki-vetyperoksidipesua vertailuna saatiin pesun jälkeen arvot: 1.7 partikkelia, elinaika 5 ps ja rautapitoisuus 470. Tuloksen perusteella on erityisesti havaittavissa keksinnön mukaisen tavan paremmuus raudan poistossa.
Esimerkki 2
Esimerkin 1 mukaisesti suoritettiin partikkelimäärän, elinajan ja rautapitoisuuden mittaukset piikiekolle, jonka pesussa oli käytetty pesureagenssina typpihappoa laimennussuhteilla 1:105 ja 1:103. Tulokset mittauksista ovat taulukossa 2, jossa on käytetty eri mittaustuloksille samoja- yksiköitä kuin taulukossa 1.
5 97920
Laimennus- Partikkeli- Elinaika Rauta- suhde määrä ps pit.
’ 1:100000 1.8 30 4.9 1:1000 1.8 20 10.1
Taulukosta 2 nähdään, että laimeammalla (1:105) typpihappopitoisuudella saatiin paremmat tulokset, pitempi elinaika ja alhaisempi rautapitoisuus, kuin väkevämmällä typpihappopitoisuudella. Partikkelimäärään ei laimennussuhteen muutos vaikuttanut.
Esimerkki 3
Esimerkin 1 mukaisesti piikiekon pesussa käytettiin pesureagenssina etikkahappoa samoilla laimennussuhteilla 1:105 ja 1:103 kuin edellä esimerkissä 2 typpihappoa käytettäessä. Saadut mittaustulokset on esitetty taulukossa 3, jossa on käytetty samoja yksiköitä kuin edellä taulukoissa 1 ja 2.
Laimennus- Partikkeli- Elinaika Rauta- suhde määrä ps pit.
1:100000 1.1 35 6.1 1:1000 4.1 22
Kuten esimerkeissä 1 ja 2 myös tässä käytettäessä etikka-happoa pesureagenssina saatiin laimeammalla happopitoisuu-della paremmat tulokset kuin väkevämmällä pitoisuudella.
Esimerkki 4
Esimerkin 1 mukaisella koejärjestelyllä suoritettiin pii-kiekolle mittauksia piikiekon pinnalla olevan partikkeli-määrän, vähemmistövarauksenkuljettajien elinajan ja piikiekon rautapitoisuuden suhteen, kun pesu suoritettiin 97920 6 fluorivetyhappoa käyttäen. Mittaustulokset laimennussuhteille 1:105 ja 1:103 on esitetty taulukossa 4.
Laimennus- Partikkeli- Elinaika Rauta- suhde määrä ps pit.
1:100000 1.7 27 63 1:1000 2.0 65 15
Taulukon 4 mukaan fluorivetyhappoa käytettäessä väkevämmällä (1:103) happopitoisuudella saatiin paremmat tulokset sekä elinajan että rautapitoisuuden suhteen kuin laimeammalla happopitoisuudella. Lisäksi rautapitoisuus piikiekon pinnalla on olennaisesti suurempi kuin edellä olevissa esimerkeissä. Kuitenkin vähemmistövarauksenkuljettajien elinajan olennainen kasvu osoittaa muiden epäpuhtauksien, kuten kuparin poistumista piikiekon pinnalta.

Claims (6)

97920
1. Sätt att befria en halvledarprodukt frän partiklar som hamnat pä dess yta och frän metallisk och organisk kontamination, kännetecknatav att tvättningen av halvledarprodukten utgörs med en syra-vattenlösning med ett utspädningsförhällande mellan 1:106 och 1:104, företrädesvis mellan 1:105 och 1:104.
1. Tapa puolijohdevalmisteen puhdistamiseksi sen pintaan joutuneista partikkeleista sekä metallisesta ja orgaanisesta kontaminaatiosta, tunnettu siitä, että puolijohde-valmisteen pesu suoritetaan happo-vesiliuoksella, jonka laimennussuhde on välillä 1:106 - 1:104, edullisesti välillä 1:105- 1:104.
2. Sätt enligt patentkrav 1, kännetecknatav att tvättningen utgörs vid temperaturen mellan 15 och 40 °C, företrädesvis mellan 18 och 25 °C. 97920
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen tapa, tunnettu siitä, että pesu suoritetaan lämpötilassa 15 - 40 °C, edullisesti 18 - 25 °C.
3. Sätt enligt patentkraven 1 eller 2, känneteck-n a t av att syran utgöras av saltsyra.
3. Patenttivaatimusten 1 tai 2 mukainen tapa, tunnet-t u siitä, että happona käytetään suolahappoa.
4. Sätt enligt patentkraven 1 eller 2, känneteck-n a t av att syran utgöras av salpetersyra.
4. Patenttivaatimusten 1 tai 2 mukainen tapa, tunnet-t u siitä, että happona käytetään typpihappoa.
5. Sätt enligt patentkraven 1 eller 2, känneteck-n a t av att syran utgöras av ättiksyra.
5. Patenttivaatimusten 1 tai 2 mukainen tapa, tunnet-t u siitä, että happona käytetään etikkahappoa.
6. Patenttivaatimusten 1 tai 2 mukainen tapa, tunnet-t u siitä, että happona käytetään fluorivetyhappoa.
6. Sätt enligt patentkraven 1 eller 2, känneteck-n a t av att syran utgöras av fluorvätesyra.
FI910946A 1991-02-27 1991-02-27 Tapa puhdistaa puolijohdevalmiste FI97920C (fi)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI910946A FI97920C (fi) 1991-02-27 1991-02-27 Tapa puhdistaa puolijohdevalmiste
EP92103395A EP0501492B1 (en) 1991-02-27 1992-02-27 Method for cleaning semiconductor products
JP07567792A JP3390185B2 (ja) 1991-02-27 1992-02-27 半導体製品の洗浄方法
DE69232574T DE69232574T2 (de) 1991-02-27 1992-02-27 Verfahren zum Reinigen von Halbleiterprodukten
US08/113,965 US5382296A (en) 1991-02-27 1993-08-30 Method for cleaning semiconductor products

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI910946A FI97920C (fi) 1991-02-27 1991-02-27 Tapa puhdistaa puolijohdevalmiste
FI910946 1991-02-27

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI910946A0 FI910946A0 (fi) 1991-02-27
FI910946A FI910946A (fi) 1992-08-28
FI97920B FI97920B (fi) 1996-11-29
FI97920C true FI97920C (fi) 1997-03-10

Family

ID=8532002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI910946A FI97920C (fi) 1991-02-27 1991-02-27 Tapa puhdistaa puolijohdevalmiste

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5382296A (fi)
EP (1) EP0501492B1 (fi)
JP (1) JP3390185B2 (fi)
DE (1) DE69232574T2 (fi)
FI (1) FI97920C (fi)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5213622A (en) * 1991-10-11 1993-05-25 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning agents for fabricating integrated circuits and a process for using the same
US5580828A (en) * 1992-12-16 1996-12-03 Semiconductor Physics Laboratory Rt Method for chemical surface passivation for in-situ bulk lifetime measurement of silicon semiconductor material
JP2857042B2 (ja) * 1993-10-19 1999-02-10 新日本製鐵株式会社 シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液
JP2893676B2 (ja) * 1994-05-19 1999-05-24 信越半導体株式会社 シリコンウェーハのhf洗浄方法
US5597443A (en) * 1994-08-31 1997-01-28 Texas Instruments Incorporated Method and system for chemical mechanical polishing of semiconductor wafer
RU2052868C1 (ru) * 1995-02-03 1996-01-20 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Сапфир" Состав раствора для очистки поверхности (типа "полифункционал")
JP3649771B2 (ja) * 1995-05-15 2005-05-18 栗田工業株式会社 洗浄方法
JP3415373B2 (ja) * 1995-11-29 2003-06-09 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体基板等の表層の溶解方法及び装置
EP0784336A3 (en) * 1995-12-15 1998-05-13 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to the fabrication and processing of semiconductor devices
US6103627A (en) * 1996-02-21 2000-08-15 Micron Technology, Inc. Treatment of a surface having an exposed silicon/silica interface
US6296714B1 (en) * 1997-01-16 2001-10-02 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Washing solution of semiconductor substrate and washing method using the same
US6514875B1 (en) * 1997-04-28 2003-02-04 The Regents Of The University Of California Chemical method for producing smooth surfaces on silicon wafers
US6479443B1 (en) 1997-10-21 2002-11-12 Lam Research Corporation Cleaning solution and method for cleaning semiconductor substrates after polishing of copper film
US6303551B1 (en) 1997-10-21 2001-10-16 Lam Research Corporation Cleaning solution and method for cleaning semiconductor substrates after polishing of cooper film
US6294027B1 (en) 1997-10-21 2001-09-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for cleaning semiconductor substrates after polishing of copper film
US6165956A (en) * 1997-10-21 2000-12-26 Lam Research Corporation Methods and apparatus for cleaning semiconductor substrates after polishing of copper film
US6593282B1 (en) 1997-10-21 2003-07-15 Lam Research Corporation Cleaning solutions for semiconductor substrates after polishing of copper film
US6609102B2 (en) 1998-07-20 2003-08-19 Usa Technologies, Inc. Universal interactive advertizing and payment system for public access electronic commerce and business related products and services
US6615183B1 (en) 1998-07-20 2003-09-02 Usa Technologies, Inc. Method of warehousing user data entered at an electronic commerce terminal
US6763336B1 (en) 1998-07-20 2004-07-13 Usa Technologies, Inc. Method of transacting an electronic mail, an electronic commerce, and an electronic business transaction by an electronic commerce terminal using a wirelessly networked plurality of portable digital devices
US6604086B1 (en) 1998-07-20 2003-08-05 Usa Technologies, Inc. Electronic commerce terminal connected to a vending machine operable as a telephone
US6162565A (en) * 1998-10-23 2000-12-19 International Business Machines Corporation Dilute acid rinse after develop for chrome etch
US6173720B1 (en) 1998-12-02 2001-01-16 International Business Machines Corporation Process for treating a semiconductor substrate
US6878213B1 (en) 1998-12-07 2005-04-12 Scp Global Technologies, Inc. Process and system for rinsing of semiconductor substrates
KR100558043B1 (ko) * 1998-12-31 2006-05-03 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 구리 금속 배선 형성 방법
FI113750B (fi) 1999-05-21 2004-06-15 Kojair Tech Oy Menetelmä ja laitteisto puolijohdeteollisuuden työvälineiden pesemiseksi
US6394106B1 (en) 1999-09-24 2002-05-28 Michael Jolley Cleaning solutions and methods for semiconductor wafers
US6653243B2 (en) * 2000-05-25 2003-11-25 Micron Technology, Inc. Methods of cleaning surfaces of copper-containing materials, and methods of forming openings to copper-containing substrates
US6541391B2 (en) 2001-02-28 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Methods of cleaning surfaces of copper-containing materials, and methods of forming openings to copper-containing substrates
US7805338B2 (en) * 2001-03-26 2010-09-28 Usa Technologies, Inc. Method of constructing a digital content play list for transmission and presentation on a public access electronic terminal
US6589882B2 (en) * 2001-10-24 2003-07-08 Micron Technology, Inc. Copper post-etch cleaning process
US6835667B2 (en) * 2002-06-14 2004-12-28 Fsi International, Inc. Method for etching high-k films in solutions comprising dilute fluoride species
ITMI20031196A1 (it) * 2003-06-13 2004-12-14 Lpe Spa Sistema per crescere cristalli di carburo di silicio
CN1842900A (zh) * 2003-07-31 2006-10-04 Fsi国际公司 非常均匀的氧化物层、尤其是超薄层的受控生长
US20050098194A1 (en) * 2003-09-11 2005-05-12 Christenson Kurt K. Semiconductor wafer immersion systems and treatments using modulated acoustic energy
KR20060121871A (ko) * 2003-09-11 2006-11-29 에프에스아이 인터내쇼날 인크. 음의 장 균등을 위한 음향 발산기
US6936534B2 (en) * 2003-09-17 2005-08-30 Micron Technology, Inc. Method for the post-etch cleaning of multi-level damascene structures having underlying copper metallization
US20060122509A1 (en) * 2004-11-24 2006-06-08 Liposonix, Inc. System and methods for destroying adipose tissue
US7367343B2 (en) * 2006-01-23 2008-05-06 Micron Technology, Inc. Method of cleaning a surface of a cobalt-containing material, method of forming an opening to a cobalt-containing material, semiconductor processing method of forming an integrated circuit comprising a copper-containing conductive line, and a cobalt-containing film cleaning solution

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2709802A1 (de) * 1977-03-07 1978-09-14 Siemens Ag Verfahren zur entfernung von bei ionenimplantationsprozessen in halbleitersystemen entstehenden verunreinigungen
DE2950541A1 (de) * 1979-12-15 1981-06-19 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur oberflaechenbehandlung von jsiliziumplatten bei der halbleiterherstellung
JPS60113434A (ja) * 1983-11-24 1985-06-19 Toshiba Corp 集積回路用基体表面の処理方法
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
JP2787788B2 (ja) * 1990-09-26 1998-08-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 残留物除去方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0501492A2 (en) 1992-09-02
JP3390185B2 (ja) 2003-03-24
FI910946A0 (fi) 1991-02-27
DE69232574D1 (de) 2002-05-29
FI910946A (fi) 1992-08-28
JPH0590235A (ja) 1993-04-09
DE69232574T2 (de) 2002-08-08
US5382296A (en) 1995-01-17
EP0501492B1 (en) 2002-04-24
EP0501492A3 (en) 1993-03-10
FI97920B (fi) 1996-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI97920C (fi) Tapa puhdistaa puolijohdevalmiste
JP2857042B2 (ja) シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液
JP3046208B2 (ja) シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液
ES2238769T3 (es) Metodo fluorometrico para aumentar la eficacia del proceso de lavado y recuperacion del agua en la fabricacion de chips de semiconductores.
EP2629319B1 (en) Process for cleaning compound semiconductor wafer
JP5101505B2 (ja) Cu層及びCu/Ni層用の安定化されたエッチング溶液
KR0177568B1 (ko) 세정제 및 세정방법
JP2000117208A (ja) 電子材料の洗浄方法
JP2599021B2 (ja) シリコンウエハのエッチング方法および洗浄方法
JPH1174244A (ja) 半導体ウェーハの洗浄方法
TWI497575B (zh) Cleaning of wines with wines and wines
JP3957264B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法
JP3957268B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法
US20090071507A1 (en) Process for cleaning a semiconductor wafer
PL183355B1 (pl) Sposób suszenia powierzchni podłoża
KR100714528B1 (ko) 어닐웨이퍼의 제조방법
JPH03208899A (ja) シリコンウェハの洗浄方法
JP2007150196A (ja) 半導体ウエーハの洗浄方法および製造方法
JP2005019999A (ja) 半導体ウェハの湿式化学的表面処理法
Osaka et al. Influence of initial wafer cleanliness on metal removal efficiency in immersion SC-1 cleaning: Limitation of immersion-type wet cleaning
JPH0853780A (ja) 酸含有液による半導体材料処理方法
JPH1098018A (ja) シリコンウェハおよびシリコン酸化物の洗浄液
JP2001284309A (ja) 容器の処理方法
JP4103310B2 (ja) シリコンウエーハの保管用水及び保管方法
JP2010027949A (ja) シリコンウェーハ用エッチング液及びシリコンウェーハの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Owner name: OKMETIC OY

BB Publication of examined application