FI97655C - Offset-kompensoitu lineaarinen RF-ilmaisin - Google Patents
Offset-kompensoitu lineaarinen RF-ilmaisin Download PDFInfo
- Publication number
- FI97655C FI97655C FI951623A FI951623A FI97655C FI 97655 C FI97655 C FI 97655C FI 951623 A FI951623 A FI 951623A FI 951623 A FI951623 A FI 951623A FI 97655 C FI97655 C FI 97655C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- detector
- transistor
- output
- voltage
- operational amplifier
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3211—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Details Of Aerials (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
- Mobile Radio Communication Systems (AREA)
Description
97655
Offset-kompensoitu lineaarinen RF-ilmaisin
Keksintö koskee lineaarista RF-ilmaisinta, joka käsittää ilmaisinosan, johon kuuluva ilmaisindiodi on bia-5 soitu biasointivirralla, ja linearisointiosan, johon kuuluvan operaatiovahvistimen invertoivaan tuloon on kytketty sekä ilmaisinosan lähtö että operaatiovahvistimen lähdöstä tuleva takaisinkytkentähaara.
Tavallinen ilmaisimen käyttösovellus on vastaanote-10 tun radiosignaalin tason ilmaisu, mutta ilmaisinta käytetään myös lähetetyn radiosignaalin tason ilmaisemiseen Tämä hakemus koskee jälkimmäisen käyttötarkoituksen ilmaisinta .
RF-ilmaisimille asetettuja vaatimuksia ovat hyvä 15 lineaarisuus, suuri nopeus ja nolla lähtöjännite silloin, kun tulojännite on nolla. Ilmaisun tarkkuus ei saisi kärsiä, mikäli ilmaisinosa ja linearisointiosa on sijoitettu eri piirilevyille.
Tunnettu ilmaisin on esitetty kuvassa 1. Se täyttää 20 kaikki muut vaatimukset paitsi sen, että lähdön offset-jännite ei ole nolla ja se riippuu ilmaisinosan ja li-nearisointiosan lämpötilaeroista. Ilmaisinosa käsittää il-maisindiodin Dl, kondensaattorin C sekä vastuksen Ro ja linearisointiosa operaatiovahvistimen OA1, jonka takaisin-25 kytkentähaarassa on diodi D2 ja vastus R. Signaalia, jonka taso on ilmaistava, kuvaa generaattori ViCoswt, jossa Vi on ilmaistava amplitudi. Vk on tasajännite, jota käytetään biasoimaan diodi Dl. Lähtien yleispätevästä diodin virta-yhtälöstä ID= I3(T)eVd/vt, jossa VT on absoluuttiseen lämpöti-30 laan verrannollinen jännite ja IS(T) on diodin kyllästys-virta, voidaan osoittaa, että kun diodi Dl on lämpötilassa Tl, jolloin kyllästysvirta on IS1(T1), ja diodi D2 lämpötilassa T2, jolloin kyllästysvirta on Is2(T2), on ilmaisimen lähtöjännite V0 kaavan (1) mukainen: 2 97655 v. = -fiVilVn) - Vk - Vilin(-^^5(1)
Kaavan ensimmäinen termi on haluttu RF-tulojännitteestä riippuva osa. Toinen termi on vakio offset-jännite ja kolmas termi on diodien lämpötiloista ja sovituksista (device matching) riippuva muuttuva offset-jännite. Neljäs 5 termi, jossa VD2 on diodin D2 yli oleva jännite, tuottaa sekä lämpötilariippuvan offset-jännitteen ja virheen lähtö jännitteen siihen osaan, joka riippuu amplitudista Vi. Jännitteestä V t riippuva osa lähtöjännitettä V0 on epälineaarinen funktion f, jossa I0 ja Ix ovat Besselin funk-10 tioita, ja saadaan kaavasta (2), f(Vif VT) =7jln(I0 (-£))-< 1/4ΪΛϊ( Vr) ' Vi<Vr
T [^-^(0,92+1/2^(^/^)), Vi>VT
\ ^ / m . -Myyj) „ vt<vT dv< χ·<ν^) } i Vi>v7 Tällä kuvassa 1 esitetyllä tekniikan tason mukaisella il-maisinpiirillä on useita etuja: Ensinnäkin diodin biasoin-tivirralla Ib ei ole kaavan (2) mukaan teoreettisesti ts.
15 ideaalidiodin tapauksessa mitään vaikutusta lähtöjännitteen V0 tulojännitteestä riippuvaan osaan f(Vi, VT1) . Bia-sointivirran täytyy olla asetettu kyllin suureksi mahdollistamaan nopea piirikapasitanssien lataus ja purku. Mutta toisaalta vaikka yksinkertaistettu teoria sanoo, että pii-20 rin suorituskyky ei ole kriittinen diodin biasvirran suhteen, on olemassa toisen kertaluokan vaikutuksia, joten biasvirran on oltava tiettyjen raamien sisällä. Toiseksi ei vastus R0 vaikuta tulojännitteen siirrossa lähtöjännit-teeseen. Kolmanneksi ilmaisin on nopea, mikäli R0 ja C ovat 25 riittävän pienet. Neljäs etu on se, että ilmaisimen line- 3 97655 aarinen dynamiikka-alue on noin 50 dB. Alin tulotaso 50 ohmin impedanssiin on -20 dBm (herkkyys dV0/dVi on pudonnut puoleen nimellisarvosta) ja suurin tulotaso on +30 dBm riippuen diodin Dl läpilyöntijännitteestä ja operaa-5 tiovahvistimen käyttöjännitteestä.
Kuvatun tunnetun ilmaisinpiirin suurin haitta liittyy lähdön offset-jännitteisiin, joiden arvot ovat ennustettavissa vain mikäli diodit Dl ja D2 ovat sovitettu (device matching) toisiinsa ja ovat samassa lämpötilassa, 10 joten niiden tulisi mieluiten olla samassa piipalassa. Kuitenkin on joskus edullista sijoittaa ilmaisin ja li-nearisointivahvistin eri piirilevyille. Lisäksi on huomattava, että jos diodit Dl ja D2 sijaitsevat samassa kotelossa, vuotaa rf-energia helposti diodin D2 kautta li-15 nearisointivahvistimeen häiriten sen toimintaa. Tätä on vaikea estää, koska D2 on nopean vahvistimen takaisinkyt-kentähaarassa, jonka lähellä ei sallita suodatusta.
Eräs mahdollinen tapa poistaa offset-jännite kuvan 1 mukaisessa piirissä on esitetty kuvassa 2. Siinä käyte-20 tään offset-kompensointia linearisointivahvistimen takai- sinkytkentähaaran ulkopuolella. Diodit Dia ja Dlb ovat sovitettuja ja samassa lämpötilassa, edullisesti ne ovat samassa kotelossa. Biasointijännite Vk saadaan käyttämällä samanlaista diodia D2 kuin diodit Dia ja Dlb. Tämä tekee 25 biasvirran riippumattomaksi diodien myötäjännitteestä ja lämpötilasta. Offset-jännite on sovitetuilla diodeilla Dia ja Dlb ensimmäisen operaatiovahvistimen OAl lähdössä yhtä kuin 2*Vk. Jälkimmäisen operaatiovahvistimen 0A2 ei-inver-toiva vahvistus on 2 ja invertoiva vahvistus on 1, joten 30 lopullinen offset lähdössä V on 2*Vk - l*2Vk =0.
Tällä kuvan 2 piirillä on täsmälleen samat haitat kuin mitä on kuvan 1 mukaisella piirillä: ilmaisimen ja linearisointivahvistimen on oltava samalla piirilevyllä, joka aiheuttaa EMC (Electro-Magnetic Compatibility) ongel-35 mia kun RF-tulotaso on suuri (enemmän kuin 10 dBm). RF
4 97655 energia vuotaa diodin Dlb kautta linearisoijaan 0A1 ja ta-sasuuntautuu diodin Dlb ja/tai operaatiovahvistinten pn-rajapinnoissa. On lähes mahdotonta sijoittaa tehokasta alipäästösuodatinta Dlb:n läheisyyteen, koska se on nopean 5 vahvistimen takaisinkytkentähaarassa. Ylimääräinen operaatiovahvistin alentaa ilmaisimen nopeutta ja nostaa sen hintaa etenkin kun ilmaisimen on oltava nopea.
Tämän keksinnön tavoitteena on lineaarinen ilmai-sinpiiri, jolla ei ole tunnetun ilmaisimen offset-jännitit) teisiin liittyviä haittoja. Tavoite on siten ilmaisin, jossa lähdön offset-jännitteet on eliminoitu ja jossa ilmaisin ja linearisointivahvistin voivat olla eri lämpötiloissa ja jossa ei synny RF-vuotoa linearisointivahvisti-meen.
15 Asetettu tavoite saavutetaan patenttivaatimuksessa 1 esitetyllä ilmaisinpiirillä.
Käyttämällä keksinnön mukaisesti linearisointivah-vistimen takaisinkytkentähaarassa diodin sijasta transistoria saadaan lähdön offset-jännite riippumattomaksi il-20 maisindiodin biasointijännitteestä. Sen vuoksi voidaan ilmaisinosa ja linearisointiosa erottaa fyysisesti toisistaan. Takaisinkytkentähaarassa käytetään kahta transistoria kytkettynä siten, että niiden kanta-emitterijännittei-den summa on olennaisesti sama kuin lähdön offset-jännite. 25 Lähdössä on toinen transistoripiiri, edullisesti darling-ton-kytkettynä siten, että se aiheuttaa lähtöön jännitteen, joka kompensoi takaisinkytkentähaarassa olevan transistorikytkennän tuottaman offset-jännitteen. Kun transistoripiirin jännite lisätään tai vähennetään linea-30 risointivahvistimen lähtöjännitteestä on siten tuloksena offset-jännite nolla.
Keksintöä selostetaan seuraavassa lähemmin erään keksinnön mukaisen edullisen suoritusmuodon avulla viitaten oheisiin kuviin, joista 35 kuva 1 esittää tunnettua lineaarista ilmaisinta, 5 97655 kuva 2 esittää erästä tunnettua kompensointitapaa, kuva 3 esittää keksinnön mukaisen kompensoinnin periaatetta , kuva 4 esittää offset-jännitteiden kompensointia, 5 kuva 5 kuvaa offset- jännitteiden kompensointia ta- kais inkytkentähaaras sa, kuva 6 esittää offset-jännitteen kompensointia operaatiovahvistimella , kuva 7 kuvaa offset-jännitteen kompensoinnin modi-10 fikaatiota.
Kuva 3 esittää yksinkertaistettuna keksinnön periaatetta. Toimiakseen käytännössä kytkentää on täydennettävä jäljempänä esitetyillä avoilla. Verrattaessa kuvassa 3 esitettyä keksinnön mukaista lineaarista ilmaisinta ku-15 vassa 1 esitettyyn tekniikan tason ilmaisimeen havaitaan kaksi eroa: ensiksikin biasointijännitelähde Vk on siirretty vahvistimen ei-invertoivaan tuloon, niin että RF-jännitelähde voidaan maadoittaa suoraan. Sen lisäksi diodi Dlb, edullisesti samanlainen ja samalla piilastulla kuin il-20 maisindiodi Dia (diodi Dl kuvassa 1), on käytetty siirtämään jännitettä Vk niin, että biasvirta Ib tulee laite- ja lämpötilariippumattomaksi. Sopiva arvo biasvirralle olisi esim. 50μΑ. Toiseksi on operaatiovahvistimen takaisinkyt-kentähaaran diodi D2, kuva 1, korvattu transistorilla Q2, 25 kuva 3. Korvaus voidaan tehdä, koska transistorin kollek-torivirta vs. kanta-emitterijännite noudattaa samaa lakia kuin diodin virta vs. jännite. Käyttämällä takaisinkytken-tähaarassa transistoria Q2 on lähtöjännitteen V0 vertailu-taso maa ( = transistorin kantajännite) eikä vahvistimen 30 tuloissa vaikuttava tasajännite Vk.
Todellisuudessa ei kuvan 3 piiri kuitenkaan toimi aivan edellä esitetyllä tavalla, sillä transistorin kol-lektorijännite on jännitteen Vk verran pienempi kuin kanta-jännite. Sen vuoksi on kantajännitettä pienennettävä. Tämä 35 tehdään lisäämällä transistorin Q2 kantapiiriin transistori 6 97655 Q3a, kuten kuvassa 4 on esitetty. Tämä kantajännitteen pudotus on lisätyn transistorin Q3a kanta-emitterijännite, joka transistori toimii kollektorivirralla I3a. virta on saatu kytkemällä lisätyn transistorin Q3a emitteri vastuk-5 sen R6 kautta negatiiviseen jännitelähteeseen -VB. Tämä tekee operaatiovahvistimen 0A1 ulostulon offset-jännitteen yhtäsuureksi kuin mainittujen transistorien kanta-emitte-rijännitteet, joista toinen vastaa kollektorivirtaa Ib ja toinen kollektorivirtaa I3a Matemaattisesti tämä voidaan 10 ilmaista kaavalla (3), jossa alaindeksi s viittaa kylläs-tysvirtaan.
-νμη) (3) ±a3a •La2a -Ls3aJ-s2a Tämä offset-jännite eliminoidaan siten, että lähtö-jännitettä nostetaan yhtäsuurella määrällä. Se tapahtuu 15 käyttämällä kollektorivirrat I2b ja I3b omaavien darlington-kytkettyjen transistorien Q2b, Q3b kanta-emitterijännitettä niin, että pätee seuraava kaava (4): ^3a^b — ^3b^2b r T " T T * ' x83aJms2a.
20 Tämän toteuttamiseksi käytetään sovitettuja transistoripa-reja Q2a ja QJb sekä vastaavasti Q3a ja Q3b niin, että Ia2a = Ia2b Da I,3m = I,3b· Linearisointivahvistimen OA1 lähdön offset-jännitteen kompensaatioehdoksi tulee vastaavasti: 25 1,3. Ib — 1.3b 12b
Periaatteessa voidaan käyttää mitä tahansa I2b ja I3b kombinaatiota, kunhan vain niiden tulo on oikea arvo. Vaikka em. transistorit eivät noudata täsmällisesti eksponenttilakia, mutta ovat kuitenkin sovitettuja pareja, kompensoi-30 vat arvot I2b = Ib ja I3b = I3a lähdön offset-jännitteen.
Kuvassa 4 esitettyihin vastusarvoihin ei puututa tässä. Niiden mitoittaminen on alan ammattilaiselle sei- 7 97655 vää. Syöttöjännitelähteisiin -VB +VB kytketyt vastukset voidaan korvata virtalähteillä. Komponentit Dia ja Rl voidaan vaihtaa keskenään vaikuttamatta piirin toimintaan, niin että voidaan käyttää yhteisen anodin omaavaa diodi-5 paria. Tässä tapauksessa kuitenkin kulkisi suurin osa RF-virrasta kondensaattorin C2 kautta, jolloin sen on oltava vähähäviöistä tyyppiä ja maadoitettu niin suoraan kuin mahdollista. Operaatiovahvistimen lähdön syöttöjännitteeseen -VB yhdistävä vastus R7 ei ole olennainen piirin toi-10 minnan kannalta, mutta sitä voidaan käyttää alentamaan operaatiovahvistimen häviötä.
Keksinnön mukainen kuvassa 4 esitetty piiri antaa negatiivisen lähtöjännitteen V0. Positiivinen lähtöjännite saadaan invertoimalla diodit, korvaamalla NPN transistorit 15 PNP transistoreilla ja vaihtamalla syöttöjännitteiden -VB ja +VB napaisuudet.
Esitetty piiri toimii riittävän hyvin useimmissa sovelluksissa, joskin sillä on kuitenkin vähäisiä puutteita. Jos on tarpeellista, voidaan useimmat niistä poistaa 20 lisäämällä piirin kompleksisuutta. Lähtöjännitteen tulo-jännitteestä riippuvassa osassa oleva virhe, joka aiheutuu ilmaisimen ja linearisointiosan eri lämpötiloista, ei poistu. Kuitenkin virhe on nolla tulojännitteen ollessa nolla ja enimmillään suuruusluokassa kymmeniä millivoltte-25 ja tulojännitteen ollessa suuri.
Diodin biasvirta Ib ja virrat I3a ja I2b saadaan negatiivisesta jännitteestä, kun taas kompensointivirta I3b saadaan positiivisesta jännitteestä. Tämä kasvattaa herkkyyttä epäsymmetrisen syötön jännitevaihteluille.
30 Transistorin Q2b kollektorivirran suhde diodin bias- virtaan Ib ei ole kovin hyvin määritelty ja on lämpötila-riippuvainen johtuen diodien Dla ja Dlb epätäydellisestä sovituksesta, operaatiovahvistimen tulon offset-jännitteestä ja transistorin Q3b virtavahvistuksen lämpötila- ja 35 laiteriippuvuuksista. Mikäli tuloksena lähdön offset-jän- 8 97655 nite on liian suuri, se voidaan eliminoida virittämällä, esim. tekemällä vastuksesta R4 säädettävä.
On ymmärrettävä, että edellä oleva selitys ja siihen liittyvät kuviot on ainoastaan tarkoitettu havainnol-5 listamaan esillä olevaa keksintöä. Alan ammattimiehille tulevat olemaan ilmeisiä erilaiset keksinnön variaatiot ja muunnelmat ilman että poiketaan oheisissa patenttivaatimuksissa esitetyn keksinnön suojapiiristä ja hengestä. Niinpä voidaan käyttää erilaisia vaihtoehtoja, jos halu-10 taan, että lähtöimpedanssi on nolla. Kuvan 4 piirissä läh-töimpedanssi ei ole nolla. Tämä ei aiheuta kuitenkaan offset-virhettä kuormituksen ollessa maadoitettu, vaan vain pienen vahvistusvirheen. Kuvassa 5 on esitetty eräs keksinnön suoritusmuoto, jossa lähtöimpedanssi on tehty nol-15 läksi. Sen mukaan on offset-kompensointiosa siirretty li-nearisointivahvistimen takaisinkytkentähaaraan. Haittana on kuitenkin se, että piirin kompleksisuus tulee suureksi ja virran kulutus kasvaa.
Kuvassa 6 on esitetty eräs toinen keksinnön suori-20 tusmuoto, jossa lähtöimpedanssi on tehty nollaksi. Siinä on käytetty toista operaatiovahvistinta OA2. Tämä suoritusmuoto hyödyntää yksinkertaisimman mahdollisen differen-tiaalioperaatiovahvistimen tavallisesti ei-haluttua ominaisuutta: ei-invertoiva vahvistus on kaksi kertaa suurem-25 pi kuin invertoiva vahvistus. Niinpä vain yksi transistori Q4 on tarpeen simuloimaan kahden transistorin kanta-emitte-rijännitettä.
Kuvassa 7 on esitetty vielä eräs suoritusmuoto, jossa otetaan huomioon se kuvan 4 kytkennän puute, että 30 piiri ei toimi oikein, mikäli transistorin Q3b virtavahvis-tus on liian pieni. Tällöin transistorin Q3b kantavirta muodostaa suuren osan virrasta I2b. Tämä ongelma voidaan ratkaista tekemällä transistorista Q2b "super emitteriseu-raaja" lisäämällä yksi PNP transistori Q4.
il ' utu m in. .
Claims (6)
1. Lineaarinen RF-ilmaisin, joka käsittää ilmaisin-osan, johon kuuluva ilmaisindiodi (Dia) on biasoitu bia- 5 sointivirralla (Ib), ja linearisointiosan, johon kuuluvan operaatiovahvistimen (0A1) invertoivaan tuloon on kytketty sekä ilmaisinosan lähtö että operaatiovahvistimen lähdöstä tuleva takaisinkytkentähaara, tunnettu siitä, että 10 takaisinkytkentähaarassa on ensimmäinen transisto ripiiri (Q3a, Q2a), jossa yhden transistorin (QJa) kanta on maadoitettu, siten kytkettynä, että transistoripiiri aiheuttaa operaatiovahvistimen lähdössä offset-jännitteen, joka on piirin transistorien kanta-emitterijännitteiden sum-15 ma, operaatiovahvistimen lähtöön on kytketty toinen transistoripiiri (Q3b, Q2b) siten kytkettynä, että se aiheuttaa operaatiovahvistimen lähdössä jännitteen, joka kompensoi transistoripiirin kanta-emitterijännitteiden sum-20 man, jolloin mainitut jännitteet kumoavat toisensa ja ilmaisimen lähdön offset-jännite on nolla.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen RF-ilmaisin, tunnettu siitä, että ensimmäinen transistoripiiri käsittää ensimmäisen transistorin (Q3a), jonka kanta on 25 maadoitettu ja toisen transistorin (Q2a), jonka kanta on kytketty ensimmäisen transistorin (Q3a) emitterille ja jonka koilektorivirta kulkee takaisinkytkentähaarassa.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen RF-ilmaisin, tunnettu siitä, että toinen transistoripiiri kä- - 30 sittää darlington-kytkettynä kolmannen transistorin (Q3b) ja neljännen transistorin (Q2b) siten, että ilmaisimen läh-töjännite saadaan kollektoreilta, ja kolmannen transistorin (Q3b) emitteri on toiminnallisesti kytketty operaatio-vahvistimen (OA1) lähtöön. 10 97655
4. Patenttivaatimuksen 2 ja 3 mukainen RF-ilmaisin, tunnettu siitä, että transistoripiirit on mitoitettu siten, että pätee
5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen RF-ilmaisin, tunnettu siitä, että biasointijännitelähde (Vk) on kytketty linearisointivahvistimen (OA1) ei-invertoivaan tuloon samanlaisen diodin (Dlb) kautta kuin ilmaisindiodi 15 (Dia).
5 I* I» - I» jossa I2b ja I3b ovat toisen trans is torikytkennän transis-toreiden kantavirrat, Ib on ilmaisindiodin biasointivirta ja I3a on ensimmäisen transistorikytkennän ensimmäisen 10 transistorin kollektorivirta.
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen RF-ilmaisin, tunnettu siitä, että sanottu toinen transistori-piiri on kytketty operaatiovahvistimen lähtöön siten, että se sijaitsee takaisinkytkentähaarassa. 11 97655
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI951623A FI97655C (fi) | 1995-04-05 | 1995-04-05 | Offset-kompensoitu lineaarinen RF-ilmaisin |
| JP8530016A JPH11504774A (ja) | 1995-04-05 | 1996-04-02 | オフセット補償型リニアｒｆ検出器 |
| AU51495/96A AU685359B2 (en) | 1995-04-05 | 1996-04-02 | Offset-compensated linear RF detector |
| AT96908150T ATE202662T1 (de) | 1995-04-05 | 1996-04-02 | Linearer offsetkompensierter hochfrequenzdetektor |
| CN96190474A CN1073760C (zh) | 1995-04-05 | 1996-04-02 | 偏移补偿线性rf检测器 |
| DE69613531T DE69613531T2 (de) | 1995-04-05 | 1996-04-02 | Linearer offsetkompensierter hochfrequenzdetektor |
| PCT/FI1996/000179 WO1996031947A2 (en) | 1995-04-05 | 1996-04-02 | Offset-compensated linear rf detector |
| US08/750,324 US5987312A (en) | 1995-04-05 | 1996-04-02 | Offset-compensated linear RF detector having a detector part and a linearizer part |
| EP96908150A EP0767989B1 (en) | 1995-04-05 | 1996-04-02 | Offset-compensated linear rf detector |
| NO965186A NO965186L (no) | 1995-04-05 | 1996-12-04 | Avviks-kompensert lineær RF-detektor |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI951623 | 1995-04-05 | ||
| FI951623A FI97655C (fi) | 1995-04-05 | 1995-04-05 | Offset-kompensoitu lineaarinen RF-ilmaisin |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI951623A0 FI951623A0 (fi) | 1995-04-05 |
| FI97655B FI97655B (fi) | 1996-10-15 |
| FI97655C true FI97655C (fi) | 1997-01-27 |
Family
ID=8543188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI951623A FI97655C (fi) | 1995-04-05 | 1995-04-05 | Offset-kompensoitu lineaarinen RF-ilmaisin |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5987312A (fi) |
| EP (1) | EP0767989B1 (fi) |
| JP (1) | JPH11504774A (fi) |
| CN (1) | CN1073760C (fi) |
| AT (1) | ATE202662T1 (fi) |
| AU (1) | AU685359B2 (fi) |
| DE (1) | DE69613531T2 (fi) |
| FI (1) | FI97655C (fi) |
| NO (1) | NO965186L (fi) |
| WO (1) | WO1996031947A2 (fi) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5742845A (en) | 1995-06-22 | 1998-04-21 | Datascape, Inc. | System for extending present open network communication protocols to communicate with non-standard I/O devices directly coupled to an open network |
| ATE401694T1 (de) * | 2001-04-11 | 2008-08-15 | Nxp Bv | Offsetspannungskompensation mit hohem tastverhältnis für operationsverstärker |
| KR100452918B1 (ko) | 2002-04-12 | 2004-10-14 | 한국디엔에스 주식회사 | 두께측정시스템이 구비된 회전식각장치 |
| US6980116B2 (en) * | 2002-12-20 | 2005-12-27 | Motorola, Inc. | Method for failure detection in a radio frequency device |
| US6825715B2 (en) * | 2003-05-02 | 2004-11-30 | Biode, Inc. | Temperature compensated, high efficiency diode detector |
| US6998918B2 (en) * | 2004-04-08 | 2006-02-14 | Sige Semiconductor (U.S.), Corp. | Automatic current reduction biasing technique for RF amplifier |
| JP4549743B2 (ja) * | 2004-06-07 | 2010-09-22 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 温度センサ回路及びそれの校正方法 |
| US7659707B2 (en) * | 2007-05-14 | 2010-02-09 | Hittite Microwave Corporation | RF detector with crest factor measurement |
| JP2009105726A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Panasonic Corp | 高周波電力検波回路及び無線通信装置 |
| JP6616810B2 (ja) * | 2017-08-01 | 2019-12-04 | アンリツ株式会社 | 無線端末の受信特性測定システムおよび測定方法 |
| US10658980B2 (en) * | 2018-08-22 | 2020-05-19 | Honeywell International Inc. | Modulating input device having a full wave rectifier |
| CN110971229B (zh) * | 2019-12-26 | 2020-08-25 | 郑州科技学院 | 一种电子信号校准*** |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3758865A (en) * | 1972-01-18 | 1973-09-11 | Gen Motors Corp | Bias voltage generator for the voltage-responsive tuning elements in an electronically tuned radio receiver |
| US4068187A (en) * | 1976-03-19 | 1978-01-10 | Hitachi, Ltd. | Audio-frequency power amplifiers |
| US4502015A (en) * | 1982-03-31 | 1985-02-26 | General Electric Company | Diode detector with linearity compensating circuit |
| US4460873A (en) * | 1982-11-19 | 1984-07-17 | Control Data Corporation | Active differential output direct current offset voltage compensation circuit for a differential amplifier |
| JPH0263206A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Toshiba Corp | カレントミラー回路 |
| US4948992A (en) * | 1988-10-31 | 1990-08-14 | International Business Machines Corporation | Static method to negate offset voltages in CMOS operational amplifiers |
| US5097223A (en) * | 1990-05-22 | 1992-03-17 | Analog Devices, Inc. | Current feedback audio power amplifier |
| IT1244210B (it) * | 1990-12-20 | 1994-07-08 | Sgs Thomson Microelectronics | Stadio finale a guadagno unitario particolarmente per amplificatori di potenza integrabili monoliticamente |
| US5132637A (en) * | 1991-03-25 | 1992-07-21 | Harris Corporation | RF power amplifier system having improved distortion reduction |
| DE4311411A1 (de) * | 1993-04-07 | 1994-10-13 | Philips Patentverwaltung | Verstärkeranordnung |
| CA2124480C (en) * | 1993-08-09 | 1998-09-15 | Bernard James Arntz | Dc coupled amplifier fed by an rf detector |
| JP3167608B2 (ja) * | 1995-12-18 | 2001-05-21 | 日本マランツ株式会社 | 無線装置 |
-
1995
- 1995-04-05 FI FI951623A patent/FI97655C/fi not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-04-02 AU AU51495/96A patent/AU685359B2/en not_active Ceased
- 1996-04-02 JP JP8530016A patent/JPH11504774A/ja active Pending
- 1996-04-02 DE DE69613531T patent/DE69613531T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-02 AT AT96908150T patent/ATE202662T1/de not_active IP Right Cessation
- 1996-04-02 EP EP96908150A patent/EP0767989B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-02 CN CN96190474A patent/CN1073760C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-02 WO PCT/FI1996/000179 patent/WO1996031947A2/en active IP Right Grant
- 1996-04-02 US US08/750,324 patent/US5987312A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-04 NO NO965186A patent/NO965186L/no not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU685359B2 (en) | 1998-01-15 |
| DE69613531D1 (de) | 2001-08-02 |
| EP0767989B1 (en) | 2001-06-27 |
| JPH11504774A (ja) | 1999-04-27 |
| EP0767989A1 (en) | 1997-04-16 |
| US5987312A (en) | 1999-11-16 |
| AU5149596A (en) | 1996-10-23 |
| DE69613531T2 (de) | 2002-03-28 |
| CN1154183A (zh) | 1997-07-09 |
| ATE202662T1 (de) | 2001-07-15 |
| WO1996031947A2 (en) | 1996-10-10 |
| NO965186D0 (no) | 1996-12-04 |
| WO1996031947A3 (en) | 1997-01-09 |
| CN1073760C (zh) | 2001-10-24 |
| FI951623A0 (fi) | 1995-04-05 |
| FI97655B (fi) | 1996-10-15 |
| NO965186L (no) | 1997-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI97655C (fi) | Offset-kompensoitu lineaarinen RF-ilmaisin | |
| US6262630B1 (en) | Rapidly-responding diode detector with temperature compensation | |
| US5724003A (en) | Methods and apparatus for signal amplitude control systems | |
| US5659253A (en) | Temperature compensated radio frequency detector circuit | |
| USRE40031E1 (en) | Temperature compensated power control circuit | |
| JPH0440105A (ja) | 線形化増幅回路 | |
| US6930555B2 (en) | Amplifier power control circuit | |
| US20090015328A1 (en) | Low offset envelope detector and method of use | |
| CN101091306A (zh) | 单端到差分变换器电路 | |
| US6731918B1 (en) | Signal strength detecting device with little temperature dependence | |
| CN112532191B (zh) | 一种功率放大器的功率检测电路及方法 | |
| US7890065B1 (en) | Temperature compensated power detector | |
| US11171612B2 (en) | Gain modulation circuit | |
| US6750713B1 (en) | Variable gain amplifier | |
| US4302668A (en) | Variably biased photoelectric circuit | |
| EP1430598A2 (en) | Dynamic biasing of a transmitter | |
| US6958653B2 (en) | Temperature compensated amplifier | |
| US6791312B1 (en) | Measuring power of analog signals | |
| US20020158623A1 (en) | Full wave envelope detector | |
| US3938040A (en) | Apparatus for measuring a signal voltage including a current source with a control input on which said signal appears | |
| CN218387445U (zh) | 改善动态evm的电路*** | |
| Klahn | True RMS power detection with high dynamic range | |
| KR100425696B1 (ko) | 선형 고주파 증폭기 | |
| KR20020052124A (ko) | 고출력 증폭기의 바이어스 제어장치 | |
| JPH05218772A (ja) | 光受信増幅器用自動オフセット補償回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Owner name: NOKIA TELECOMMUNICATIONS OY |
|
| BB | Publication of examined application | ||
| MM | Patent lapsed |