CN112532191B - 一种功率放大器的功率检测电路及方法 - Google Patents

一种功率放大器的功率检测电路及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112532191B
CN112532191B CN202110183211.3A CN202110183211A CN112532191B CN 112532191 B CN112532191 B CN 112532191B CN 202110183211 A CN202110183211 A CN 202110183211A CN 112532191 B CN112532191 B CN 112532191B
Authority
CN
China
Prior art keywords
current
circuit
current mirror
mirror
nmos
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110183211.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112532191A (zh
Inventor
彭振飞
苏强
刘传兵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangzhou Huizhi Microelectronics Co.,Ltd.
Original Assignee
Smarter Microelectronics Guangzhou Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Smarter Microelectronics Guangzhou Co Ltd filed Critical Smarter Microelectronics Guangzhou Co Ltd
Priority to CN202110183211.3A priority Critical patent/CN112532191B/zh
Publication of CN112532191A publication Critical patent/CN112532191A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112532191B publication Critical patent/CN112532191B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R21/00—Arrangements for measuring electric power or power factor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本申请实施例公开了一种功率放大器的功率检测电路及方法，功率检测电路包括：偏置电路、整流电路、直流抵消电路、偏移补偿电路和增益控制电路；偏置电路与整流电路和直流抵消电路分别连接，直流抵消电路与偏移补偿电路和整流电路分别连接，增益控制电路与整流电路和功率放大器分别连接。

Description

一种功率放大器的功率检测电路及方法
技术领域
本申请实施例涉及功率放大器检测技术领域，尤其涉及一种功率放大器的功率检测电路及方法。
背景技术
现代通信***采用了越来越复杂的调制方式，使得对射频功率放大器（radiofrequency power amplifier，RF PA）的线性度性能要求越来越高，为了保证PA的效率的同时提高功率放大器的线性度性能是亟待解决的问题。
应用于无线通信***中实现线性偏置的现有功率检测电路通常由偏置电路、增益控制电路和整流电路构成，如图1所示，当有射频信号输入时，通过整流电路将射频信号转变为直流电流，整流电路输出的电流包括静态电流和直流电流，即经过增益控制电路放大输出的检测电流至少包括静态电流，因此，利用检测电流对功率放大器进行电流补偿的范围有限，并且，由于不同放大器的补偿需求会根据输入功率产生变化，传统的功率检测电路对不同放大器的补偿作用功能较为单一，灵活性较低。
发明内容
本申请实施例提供一种功率放大器的功率检测电路及方法，在现有的功率检测电路的基础上添加了直流抵消电路和偏移补偿电路，不仅能够实现输出电流的范围调节，并且能够满足对不同放大器的补偿需求，灵活性较高。
本申请实施例的技术方案是这样实现的：
本申请实施例提供了一种功率放大器的功率检测电路，所述功率检测电路包括：偏置电路、整流电路、直流抵消电路、偏移补偿电路和增益控制电路；
所述偏置电路与所述整流电路和所述直流抵消电路分别连接，所述偏置电路，用于为所述整流电路和所述直流抵消电路分别提供偏置电压；
所述整流电路在所述偏置电压的作用下，产生静态电流，所述整流电路，用于将输入的射频信号转换为直流电流，并将所述直流电流与所述静态电流叠加，得到第一电流；
所述直流抵消电路与所述偏移补偿电路和所述整流电路分别连接；所述直流抵消电路，用于提供抵消电流对所述第一电流中的所述静态电流进行抵消，所述偏移补偿电路，用于提供偏移补偿电流对所述第一电流进行偏移补偿；
所述增益控制电路与所述整流电路和功率放大器分别连接，所述增益控制电路，用于对所述第一电流，经所述抵消电流抵消和所述偏移补偿电流偏移补偿得到的第二电流进行放大，得到检测电流，并将所述检测电流输入所述功率放大器，以对所述功率放大器进行电流补偿。
在上述功率检测电路中，所述偏置电路包括第一镜像恒流源和第一NMOS电流镜；
所述第一镜像恒流源由第一输入级和第一输出级构成，所述第一输入级包括参考电流源、第一PMOS电流镜，所述第一输出级包括第二PMOS电流镜；
所述第一PMOS电流镜的源极和所述第二PMOS电流镜的源极接入电源；
所述第一PMOS电流镜的漏极接入参考电流源，且与所述第一PMOS电流镜栅极连接；
所述第二PMOS电流镜的栅极与所述第一PMOS电流镜的栅极连接，且所述第二PMOS电流镜的漏极与所述第一NMOS电流镜的漏极连接；
所述第一NMOS电流镜的栅极与所述第一NMOS电流镜的漏极、所述直流抵消电路、以及所述整流电路分别连接，源极接地；
所述第一输入级和所述第一输出级的电流传输比，等于所述第一PMOS电流镜的宽长比与所述第二PMOS电流镜的宽长比的比值。
在上述功率检测电路中，所述增益控制电路包括第二镜像恒流源；
所述第二镜像恒流源由第二输入级和第二输出级构成，所述第二输入级包括第三PMOS电流镜，所述第二输出级包括第四PMOS电流镜；
所述第三PMOS电流镜的源极和所述第四PMOS电流镜的源极接入电源；
所述第三PMOS电流镜的漏极与所述第三PMOS电流镜的栅极、所述整流电路、以及所述直流抵消电路分别连接；
所述第四PMOS电流镜的栅极与所述第三PMOS电流镜的栅极连接，所述第四PMOS电流镜的漏极与功率放大器连接；
所述第二输入级和所述第二输出级的电流传输比，等于所述第三PMOS电流镜的宽长比与所述第四PMOS电流镜的宽长比的比值。
在上述功率检测电路中，所述整流电路包括固定电阻、电容和第二NMOS电流镜；
所述电容一端接入所述射频信号，另一端与所述第二NMOS电流镜的栅极连接；
所述固定电阻的一端所述第二NMOS电流镜的栅极连接，另一端与所述偏置电路连接；
所述第二NMOS电流镜的漏极，与所述直流抵消电路和所述增益控制电路分别连接，所述第二NMOS电流镜的源极接地。
在上述功率检测电路中，所述直流抵消电路包括第三镜像恒流源和第三NMOS电流镜；
所述第三镜像恒流源由第三输入级和第三输出级构成，所述第三输入级包括第五PMOS电流镜，所述第三输出级包括第六PMOS电流镜；
所述第五PMOS电流镜的源极和所述第六PMOS电流镜的源极接入电源；
所述第五PMOS电流镜的栅极与所述第五PMOS电流镜的漏极，以及所述第六PMOS电流镜的栅极分别连接；
所述第五PMOS电流镜的漏极与所述第三NMOS电流镜的漏极、以及所述偏移补偿电路分别连接；
所述第六PMOS电流镜的漏极与所述整流电路和所述增益控制电路分别连接；
所述第三NMOS电流镜的栅极与所述偏置电路连接，所述第三NMOS电流镜的源极接地；
所述第三输入级和所述第三输出级的电流传输比，等于所述第五PMOS电流镜的宽长比与所述第六PMOS电流镜的宽长比的比值。
在上述功率检测电路中，所述偏移补偿电路包括第七PMOS电流镜、可变电阻、第四NMOS电流镜和第五NMOS电流镜；
所述第七PMOS电流镜作为第四输出级，与所述偏置电路中参考电流源和第一PMOS电流镜构成的第一输出级构成第四镜像恒流源；
所述第七PMOS电流镜的栅极与所述第一PMOS电流镜的栅极连接；
所述第七PMOS电流镜中，漏极与所述可变电阻和所述第五NMOS电流镜的栅极分别连接，源极接入电源；
所述可变电阻与所述第四NMOS电流镜的漏极连接；
所述第四NMOS电流镜的漏极与所述第四NMOS电流镜的栅极连接，所述第五NMOS电流镜的漏极与所述直流抵消电路连接；
所述第四NMOS电流镜的源极和所述第五NMOS电流镜的源极分别接地；
所述第一输入级和所述第四输出级的电流传输比，等于所述第一PMOS电流镜的宽长比与所述第七PMOS电流镜的宽长比的比值。
在上述功率检测电路中，所述可变电阻包括：第一开关，第二开关，第三开关，第一电阻，第二电阻，第三电阻以及基础电阻；
所述第一开关与所述第一电阻并联，形成第一并联电路；
所述第二开关与所述第二电阻并联，形成第二并联电路；
所述第三开关与所述第三电阻并联，形成第三并联电路；
所述第一并联电路、所述第二并联电路、所述第三并联电路和所述基础电阻的一端串联，所述基础电阻的另一端与所述第四NMOS电流镜的漏极连接；
所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关，用于控制与所述基础电阻串联的电阻。
在上述功率检测电路中，所述偏置电路中的第一NMOS电流镜与所述整流电路的第二NMOS电流镜组成第五镜像恒流源；
所述第五镜像恒流源由第五输入级和第五输出级构成，所述第五输入级包括所述第一NMOS电流镜，所述第五输出级包括所述第二NMOS电流镜；
所述第五输入级和所述第五输出级的电流传输比，等于所述第一NMOS电流镜的宽长比与所述第二NMOS电流镜的宽长比的比值。
在上述功率检测电路中，所述偏置电路中的第一NMOS电流镜与所述直流抵消电路的第三NMOS电流镜组成第六镜像恒流源；
所述第六镜像恒流源由第五输入级和第六输出级构成，所述第五输入级包括所述第一NMOS电流镜，所述第六输出级包括所述第三NMOS电流镜；
所述第五输入级和所述第六输出级的电流传输比，等于所述第一NMOS电流镜的宽长比与所述第三NMOS电流镜的宽长比的比值。
本申请实施例还提供了一种功率放大器的功率检测方法，应用于功率检测电路，所述功率检测电路包括偏置电路、整流电路、直流抵消电路、偏移补偿电路和增益控制电路，所述方法包括：
通过所述整流电路，接收所述偏置电路提供的偏置电压，产生静态电流；
通过所述整流电路，将输入的射频信号转换为直流电流，并将所述直流电流与所述静态电流叠加，得到第一电流；
通过所述直流抵消电路，提供抵消电流对所述第一电流中的所述静态电流进行抵消，并通过所述偏移补偿电路提供偏移补偿电流对所述第一电流进行偏移补偿；
通过增益控制电路，对所述第一电流，经所述抵消电流抵消和所述偏移补偿电流偏移补偿得到的第二电流进行放大，得到检测电流，并将所述检测电流输入功率放大器，以对所述功率放大器进行电流补偿。
本申请实施例提供了一种功率放大器的功率检测电路及方法，功率检测电路包括：偏置电路、整流电路、直流抵消电路、偏移补偿电路和增益控制电路；偏置电路与整流电路和直流抵消电路分别连接，偏置电路，用于为整流电路和直流抵消电路分别提供偏置电压；整流电路在偏置电压的作用下，产生静态电流，整流电路，用于将输入的射频信号转换为直流电流，并将直流电流与静态电流叠加，得到第一电流；直流抵消电路与偏移补偿电路和整流电路分别连接；直流抵消电路，用于提供抵消电流对第一电流中的静态电流进行抵消，偏移补偿电路，用于提供偏移补偿电流对第一电流进行偏移补偿；增益控制电路与整流电路和功率放大器分别连接，增益控制电路，用于对第一电流，经抵消电流抵消和偏移补偿电流偏移补偿得到的第二电流进行放大，得到检测电流，并将检测电流输入功率放大器，以对功率放大器进行电流补偿。本申请实施例提供一种功率放大器的功率检测电路，在现有的功率检测电路的基础上添加了直流抵消电路和偏移补偿电路，不仅能够实现输出电流的范围调节，并且能够满足对不同放大器的补偿需求，灵活性较高。
附图说明
图1为现有技术提供的一种功率放大器的功率检测电路的结构示意图；
图2为现有技术提供的一种检测电流随射频信号功率的变化趋势图；
图3为本申请实施例提供的一种功率放大器的功率检测电路的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种检测电流初始直流分量的变化趋势图；
图5为本申请实施例提供的一种检测电流转折点的变化趋势图；
图6为本申请实施例提供的一种可变电阻的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的一种功率放大器的功率检测方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关申请，而非对该申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关申请相关的部分。
在现有功率检测电路中，通常包括偏置电路1、增益控制电路2和整流电路3，如图1所示，偏置电路1与整流电路3连接，偏置电路1，为整流电路3提供偏置电压，整流电路3与增益控制电路2连接，增益控制电路2用于对整流电路3输出的第一电流进行放大，得到检测电流。其中，偏置电路1为整流电路3中的第二NMOS电流镜32提供偏置电压，使得第二NMOS电流镜32工作在饱和区。
需要说明的是，在传统的功率检测电路中，当无射频信号输入时，整流电路3仅接收偏置电路1提供的偏置电压，产生静态电流，此时，整流电路输出的第一电流
Figure 329724DEST_PATH_IMAGE001
仅包含静态电流，表达式为：
Figure 450126DEST_PATH_IMAGE002
其中，
Figure 901967DEST_PATH_IMAGE003
，
Figure 234860DEST_PATH_IMAGE004
为载流子迁移率，
Figure 986915DEST_PATH_IMAGE005
为氧化层单位面积电容，
Figure 543798DEST_PATH_IMAGE006
为第二NMOS电流镜32的栅宽，
Figure 745585DEST_PATH_IMAGE007
为第二NMOS电流镜32的栅长，
Figure 616589DEST_PATH_IMAGE008
为第二NMOS电流镜32的栅极与源极的电压，
Figure 19889DEST_PATH_IMAGE009
为第二NMOS电流镜32的阈值电压。
当有射频信号输入时，整流电路3不仅产生静态电流，还包括输入的射频信号转换的直流电流，此时，整流电路输出的第一电流
Figure 950935DEST_PATH_IMAGE001
为：
Figure 377369DEST_PATH_IMAGE011
其中，
Figure 848801DEST_PATH_IMAGE012
为输入的射频信号，该信号可以为任意射频信号，本申请中设定输入的射频信号为
Figure 309870DEST_PATH_IMAGE013
。
则，经过整流电路3转换为直流电流后，整流电路3输出的第一电流
Figure 677397DEST_PATH_IMAGE014
为：
Figure 591127DEST_PATH_IMAGE016
经增益放大电路对第一电流
Figure 591882DEST_PATH_IMAGE014
进行放大，得到输出的检测电流
Figure 907457DEST_PATH_IMAGE017
，由于增益放大电路的放大倍数为1:1（如图1所示），则输出的检测电流
Figure 977044DEST_PATH_IMAGE017
为：
Figure 378069DEST_PATH_IMAGE018
从（4）式中可以看出，在增益控制电路2输出的检测电流
Figure 191304DEST_PATH_IMAGE017
中，
Figure 361386DEST_PATH_IMAGE019
为静态电流，
Figure 867453DEST_PATH_IMAGE020
为输入的射频信号转换的直流电流，该直流电流随着输入的射频信号的变化发生变化，可以用来检测射频信号的大小，但是，由于检测电流
Figure 490196DEST_PATH_IMAGE017
有静态电流的存在，使得检测电流
Figure 107122DEST_PATH_IMAGE017
随输入的射频信号的功率变化趋势图的起始点始终高于0，如图2所示，横坐标为输入的射频信号的功率
Figure 397289DEST_PATH_IMAGE021
，纵坐标为输出的检测电流
Figure 9011DEST_PATH_IMAGE017
。
因此，利用输出检测电流对功率放大器进行电流补偿的范围有限，并且，由于不同放大器的补偿需求会根据输入功率产生变化，传统的功率检测电路对不同放大器的补偿作用功能较为单一，灵活性较低。
本申请实施例提供了一种功率放大器的功率检测电路，与上述现有功率检测电路相比，增加了直流抵消电路4和偏移补偿电路5。图3为本申请实施例提供的一种功率放大器的功率检测电路的结构示意图。以下基于图3所示的功率检测电路进行本申请提出功率检测电路详述。
如图3所示，功率检测电路包括：偏置电路1、整流电路3、直流抵消电路4、偏移补偿电路5和增益控制电路2；
偏置电路1与整流电路3和直流抵消电路4分别连接，偏置电路1，用于为整流电路3和直流抵消电路4分别提供偏置电压；
整流电路3在偏置电压的作用下，产生静态电流，整流电路3，用于将输入的射频信号转换为直流电流，并将直流电流与静态电流叠加，得到第一电流；
直流抵消电路4与偏移补偿电路5和整流电路3分别连接；直流抵消电路4，用于提供抵消电流对第一电流中的静态电流进行抵消，偏移补偿电路5，用于提供偏移补偿电流对第一电流进行偏移补偿；
增益控制电路2与整流电路3和功率放大器6分别连接，增益控制电路2，用于对第一电流，经抵消电流抵消和偏移补偿电流偏移补偿得到的第二电流进行放大，得到检测电流，并将检测电流输入功率放大器6，以对功率放大器6进行电流补偿。
需要说明的是，本申请实施例提出的功率检测电路，相比于传统的功率检测电路，添加了直流抵消电路4和偏移补偿电路5，直流抵消电路4中的抵消电流
Figure 384629DEST_PATH_IMAGE022
可以用来抵消第一电流中的静态电流，偏移补偿电路5，用于提供偏移补偿电流对第一电流进行偏移补偿。
需要说明的是，在本申请的实施例中，通过调节直流抵消电路4中第三NMOS电流镜40的尺寸，可以决定直流抵消电路4中的抵消电流
Figure 539667DEST_PATH_IMAGE022
的大小，进而确定抵消后的第一电流中静态电流的大小，并确定通过增益控制电路2对抵消后的第一电流进行放大，得到的检测电流的起始点，从而实现输出检测电流的范围调节。
需要说明的是，在本申请的实施例中，偏移补偿电路5能够通过对第一电流进行偏移补偿，则经增益控制电路2对偏移补偿后的第一电流进行放大，得到检测电流的转折点会随偏移补偿电流的大小发生变化，能够满足对不同放大器的补偿需求，灵活性较高。
具体的，在本申请的实施例中，偏置电路1包括第一镜像恒流源和第一NMOS电流镜13；
第一镜像恒流源由第一输入级和第一输出级构成，第一输入级包括参考电流源10、第一PMOS电流镜11，第一输出级包括第二PMOS电流镜12；
第一PMOS电流镜11的源极和第二PMOS电流镜12的源极接入电源；第一PMOS电流镜11的漏极接入参考电流源，且与第一PMOS电流镜11栅极连接；第二PMOS电流镜12的栅极与第一PMOS电流镜11的栅极连接，且第二PMOS电流镜12的漏极与第一NMOS电流镜13的漏极连接；第一NMOS电流镜13的栅极与第一NMOS电流镜13的漏极、直流抵消电路4、以及整流电路3分别连接，源极接地；
第一输入级和第一输出级的电流传输比，等于第一PMOS电流镜11的宽长比与第二PMOS电流镜12的宽长比的比值。
需要说明的是，在本申请的实施例中，第一镜像恒流源中，参考电流源10的参考电流的大小取决于功率检测电路的实际情况。
需要说明的是，在本申请的实施例中，第一镜像恒流源的输入级与输出级输出的电流比值，与第一PMOS电流镜11的宽长比与第二PMOS电流镜12的宽长比的比值相等，因此，可以根据实际场景和应用需求，通过调整第一PMOS电流镜11的宽长比与第二PMOS电流镜12的宽长比的比值来确定第一镜像恒流源的输入级与输出级输出的电流比值。
还需要说明的是，在本申请的实施例中，本申请的实施例中第一镜像恒流源的输入级与输出级输出的电流比值为1:1。
需要说明的是，在本申请的实施例中，第一NMOS电流镜13的栅极作为偏置电路1的输出端，为直流抵消电路4、以及整流电路3提供偏置电压，产生静态电流，该偏置电压可以使直流抵消电路4、以及整流电路3工作在线性区、饱和区，或者截止区。
具体的，在本申请的实施例中，上述偏置电压使直流抵消电路4、以及整流电路3工作在饱和区。
具体的，在本申请的实施例中，增益控制电路2包括第二镜像恒流源；
第二镜像恒流源由第二输入级和第二输出级构成，第二输入级包括第三PMOS电流镜21，第二输出级包括第四PMOS电流镜22；
第三PMOS电流镜21的源极和第四PMOS电流镜22的源极接入电源；第三PMOS电流镜21的漏极与第三PMOS电流镜21的栅极、整流电路3、以及直流抵消电路4分别连接；第四PMOS电流镜22的栅极与第三PMOS电流镜21的栅极连接，第四PMOS电流镜22的漏极与功率放大器6连接；
第二输入级和第二输出级的电流传输比，等于第三PMOS电流镜21的宽长比与第四PMOS电流镜22的宽长比的比值。
需要说明的是，在本申请的实施例中，增益控制电路2中第二镜像恒流源的输入级与输出级输出的电流比值，与第三PMOS电流镜21的宽长比与第四PMOS电流镜22的宽长比的比值相等，即第二镜像恒流源的输入级与输出级输出的电流比值为增益控制电路2的放大倍数，可以根据实际放大需求进行调整。
还需要说明的是，在本申请的实施例中，本申请的实施例中第二镜像恒流源的输入级与输出级输出的电流比值为1:1，即增益控制电路2的放大倍数为1，第二镜像恒流源的输入级与输出级输出的电流相等。
需要说明的是，在本申请的实施例中，增益控制电路2用于对第一电流，经抵消电流抵消和偏移补偿电流偏移补偿得到的第二电流进行放大，得到检测电流，并将检测电流输入功率放大器6，以对功率放大器6进行电流补偿。
具体的，在本申请的实施例中，整流电路3包括固定电阻30、电容31和第二NMOS电流镜32；
电容31一端接入射频信号，另一端与第二NMOS电流镜32的栅极连接；固定电阻30的一端第二NMOS电流镜32的栅极连接，另一端与偏置电路1连接；第二NMOS电流镜32的漏极，与直流抵消电路4和增益控制电路2分别连接，第二NMOS电流镜32的源极接地。
需要说明的是，在本申请的实施例中，固定电阻30为射频信号的隔离电阻，用于对射频信号进行隔离，以防止输入的射频信号流入偏置电路1。电容31为隔直电容，用于对偏置电路1进行隔离，以防止偏置电路1提供的静态电流流入射频信号。
具体的，在本申请的实施例中，增加了直流抵消电路4，直流抵消电路4包括第三镜像恒流源和第三NMOS电流镜40；
第三镜像恒流源由第三输入级和第三输出级构成，第三输入级包括第五PMOS电流镜41，第三输出级包括第六PMOS电流镜42；
第五PMOS电流镜41的源极和第六PMOS电流镜42的源极接入电源；第五PMOS电流镜41的栅极与第五PMOS电流镜41的漏极，以及第六PMOS电流镜42的栅极分别连接；第五PMOS电流镜41的漏极与第三NMOS电流镜40的漏极、以及偏移补偿电路5分别连接；第六PMOS电流镜42的漏极与整流电路3和增益控制电路2分别连接；第三NMOS电流镜40的栅极与偏置电路1连接，第三NMOS电流镜40的源极接地；
第三输入级和第三输出级的电流传输比，等于第五PMOS电流镜41的宽长比与第六PMOS电流镜42的宽长比的比值。
需要说明的是，在本申请的实施例中，第三NMOS电流镜40接收偏置电路1提供的偏置电压，产生静态电流。
需要说明的是，在本申请的实施例中，本申请的实施例中第三镜像恒流源的第三输入级与第三输出级输出的电流比值为1:1，即第三镜像恒流源的输入级与输出级输出的电流相等，该第三输出级输出的电流用于抵消整流电路3输出的第一电流中的静态电流。
具体的，在本申请的实施例中，偏置电路1中的第一NMOS电流镜13与整流电路3的第二NMOS电流镜32组成第五镜像恒流源；
第五镜像恒流源由第五输入级和第五输出级构成，第五输入级包括第一NMOS电流镜13，第五输出级包括第二NMOS电流镜32；
第五输入级和第五输出级的电流传输比，等于第一NMOS电流镜13的宽长比与第二NMOS电流镜32的宽长比的比值。
具体的，在本申请的实施例中，偏置电路1中的第一NMOS电流镜13与直流抵消电路4的第三NMOS电流镜40组成第六镜像恒流源；
第六镜像恒流源70由第五输入级和第六输出级构成，第五输入级包括第一NMOS电流镜13，第六输出级包括第三NMOS电流镜40；
第五输入级和第六输出级的电流传输比，等于第一NMOS电流镜13的宽长比与第三NMOS电流镜40的宽长比的比值。
需要说明的是，在本申请的实施例中，第五输入级和第五输出级的电流传输比，等于第一NMOS电流镜13的宽长比与第二NMOS电流镜32的宽长比的比值，第五输入级和第六输出级的电流传输比，等于第一NMOS电流镜13的宽长比与第三NMOS电流镜40的宽长比的比值，即根据第五输入级相等，可以确定第六输出级与第五输出级输出的电流比值，等于第二NMOS电流镜32的宽长比与第三NMOS电流镜40的宽长比的比值，因此，可以根据实际场景和应用需求，通过调整第二NMOS电流镜32的宽长比与第三NMOS电流镜40的宽长比的比值来确定直流抵消电路4中的抵消电流
Figure 684340DEST_PATH_IMAGE022
对第一电流中静态电流的抵消大小。
需要说明的是，在本申请的实施例中，通过调节第三NMOS电流镜40的尺寸，使得第三NMOS电流镜40的尺寸等于第二NMOS电流镜32的尺寸，则，第三NMOS电流镜40的漏极电流
Figure 735473DEST_PATH_IMAGE022
为：
Figure 395124DEST_PATH_IMAGE024
其中，
Figure 291536DEST_PATH_IMAGE003
，
Figure 87454DEST_PATH_IMAGE004
为载流子迁移率，
Figure 43909DEST_PATH_IMAGE005
为氧化层单位面积电容，
Figure 394119DEST_PATH_IMAGE006
为第三NMOS电流镜40的栅宽，
Figure 159468DEST_PATH_IMAGE007
为第三NMOS电流镜40的栅长，
Figure 278734DEST_PATH_IMAGE025
为第三NMOS电流镜40的栅极与源极的电压，
Figure 140510DEST_PATH_IMAGE026
为第三NMOS电流镜40的阈值电压。
由于第三NMOS电流镜40的尺寸等于第二NMOS电流镜32的尺寸，即第二NMOS电流镜32的宽长比与第三NMOS电流镜40的宽长比的比值为1，所以，
Figure 978016DEST_PATH_IMAGE027
与
Figure 481810DEST_PATH_IMAGE028
相等，即整流电路3输出的第一电流
Figure 986741DEST_PATH_IMAGE001
中的静态电流等于第三NMOS电流镜40的漏极电流
Figure 284998DEST_PATH_IMAGE022
，则，第一电流经抵消电流抵消之后的电流为：
Figure 609800DEST_PATH_IMAGE030
此时，第一电流中的静态电流被抵消电流全部抵消，使得经增益控制电路放大后的检测电流
Figure 648776DEST_PATH_IMAGE017
随输入的射频信号的功率变化趋势图的起始点为0，如图4所示的实线部分，横坐标为输入的射频信号的功率
Figure 477055DEST_PATH_IMAGE021
，纵坐标为输出的检测电流
Figure 8530DEST_PATH_IMAGE017
。
还需要说明的是，在本申请的实施例中，通过调节第三NMOS电流镜40的尺寸，可以确定第二NMOS电流镜32的宽长比与第三NMOS电流镜40的宽长比的比值，进而确定第五输出级与第六输出级输出的电流比值，即确定直流抵消电路4中的抵消电流
Figure 289470DEST_PATH_IMAGE022
对第一电流中静态电流的抵消大小，则第一电流经抵消电流抵消和增益控制电路放大得到的检测电流为：
Figure 400645DEST_PATH_IMAGE032
其中，
Figure 145747DEST_PATH_IMAGE033
，
Figure 51386DEST_PATH_IMAGE034
为第二NMOS电流镜32的过驱动电压，
Figure 85202DEST_PATH_IMAGE035
，
Figure 468910DEST_PATH_IMAGE036
为第三NMOS电流镜40的过驱动电压，从式（7）可以看出，调节第三NMOS电流镜40的尺寸，可以调节
Figure 286429DEST_PATH_IMAGE036
的大小，进而改变
Figure 362969DEST_PATH_IMAGE037
，调节检测电流
Figure 680818DEST_PATH_IMAGE017
随输入的射频信号的功率变化趋势图的起始点，如图4所示的虚线部分，横坐标为输入的射频信号的功率
Figure 602638DEST_PATH_IMAGE021
，纵坐标为输出的检测电流
Figure 525594DEST_PATH_IMAGE017
。
具体的，在本申请的实施例中，所述偏移补偿电路5包括第七PMOS电流镜50、可变电阻51、第四NMOS电流镜52和第五NMOS电流镜53；
所述第七PMOS电流镜作为第四输出级，与所述偏置电路中参考电流源和第一PMOS电流镜构成的第一输出级构成第四镜像恒流源；
第七PMOS电流镜50的栅极与第一PMOS电流镜11的栅极连接；第七PMOS电流镜50中，漏极与可变电阻51和第五NMOS电流镜53的栅极分别连接，源极接入电源；可变电阻51与第四NMOS电流镜52的漏极连接；第四NMOS电流镜52的漏极与第四NMOS电流镜52的栅极连接，第五NMOS电流镜53的漏极与直流抵消电路4连接；第四NMOS电流镜52的源极和第五NMOS电流镜53的源极分别接地；
第一输入级和第四输出级的电流传输比，等于第一PMOS电流镜11的宽长比与第七PMOS电流镜50的宽长比的比值。
需要说明的是，在本申请的实施例中，通过调节可变电阻51的大小，可以改变第五NMOS电流镜53的栅极电压
Figure 38615DEST_PATH_IMAGE038
，进而调节偏移补偿电路5用于实现对检测电流
Figure 250285DEST_PATH_IMAGE017
偏移补偿的偏移补偿电流
Figure 241375DEST_PATH_IMAGE039
，偏移补偿电流
Figure 815576DEST_PATH_IMAGE039
的表达式为：
Figure 965410DEST_PATH_IMAGE041
其中，
Figure 195534DEST_PATH_IMAGE038
为：
Figure 787052DEST_PATH_IMAGE043
其中，
Figure 419022DEST_PATH_IMAGE044
为第四NMOS电流镜52的阈值电压，
Figure 211528DEST_PATH_IMAGE045
为第四NMOS电流镜52的过驱动电压，
Figure 194528DEST_PATH_IMAGE046
为可变电阻51上的电压。
当第四NMOS电流镜52的尺寸足够大时，
Figure 527420DEST_PATH_IMAGE045
可忽略，则
Figure 810634DEST_PATH_IMAGE047
，此时，偏移补偿电流
Figure 839289DEST_PATH_IMAGE039
的表达式为：
Figure DEST_PATH_IMAGE049
则，经偏移补偿电流
Figure 981688DEST_PATH_IMAGE039
补偿之后，直流抵消电路4输出的第三电流
Figure DEST_PATH_IMAGE050
为：
Figure 55954DEST_PATH_IMAGE052
该第三电流
Figure 131358DEST_PATH_IMAGE050
注入到第二NMOS电流镜32的漏端，用于对整流电路输出的第一电流
Figure 327984DEST_PATH_IMAGE001
进行抵消和补偿，经增益控制电路得到检测电流
Figure 551155DEST_PATH_IMAGE017
：
Figure DEST_PATH_IMAGE054
从式（12）可以看出，通过调节可变电阻51的大小，改变可变电阻51上的电压
Figure DEST_PATH_IMAGE055
，进而改变检测电流
Figure 629445DEST_PATH_IMAGE017
随输入的射频信号的功率变化趋势图的转折点，如图5所示，横坐标为输入的射频信号的功率
Figure 887251DEST_PATH_IMAGE021
，纵坐标为输出的检测电流
Figure 989199DEST_PATH_IMAGE017
。
具体的，在本申请的实施例中，可变电阻51包括：第一开关511，第二开关512，第三开关513，第一电阻514，第二电阻515，第三电阻516以及基础电阻517；
第一开关511与第一电阻514并联，形成第一并联电路；第二开关512与第二电阻515并联，形成第二并联电路；第三开关513与第三电阻516并联，形成第三并联电路；第一并联电路、第二并联电路、第三并联电路和基础电阻517的一端串联，基础电阻517的另一端与第四NMOS电流镜52的漏极连接；
第一开关511、第二开关512和第三开关513，用于控制与基础电阻517串联的电阻。
需要说明的是，在本申请的实施例中，第一开关511导通时，第一电阻514短接，第一开关511截止时，第一电阻514与基础电阻517串联，第二开关512导通时，第二电阻515短接，第二开关512截止时，第二电阻515与基础电阻517串联，第三开关513导通时，第三电阻516短接，第三开关513截止时，第三电阻516与基础电阻517串联。
还需要说明的是，在本申请的实施例中，第一开关511、第二开关512和第三开关513，用于控制与基础电阻517串联的电阻，如图6，当第一开关511、第二开关512和第三开关513全部导通时，可变电阻51阻值最小，当第一开关511、第二开关512和第三开关513全部截止时，可变电阻51阻值最大。
本申请实施例公开了一种功率放大器的功率检测电路，功率检测电路包括：偏置电路、整流电路、直流抵消电路、偏移补偿电路和增益控制电路；偏置电路与整流电路和直流抵消电路分别连接，偏置电路，用于为整流电路和直流抵消电路分别提供偏置电压；整流电路在偏置电压的作用下，产生静态电流，整流电路，用于将输入的射频信号转换为直流电流，并将直流电流与静态电流叠加，得到第一电流；直流抵消电路与偏移补偿电路和整流电路分别连接；直流抵消电路，用于提供抵消电流对第一电流中的静态电流进行抵消，偏移补偿电路，用于提供偏移补偿电流对第一电流进行偏移补偿；增益控制电路与整流电路和功率放大器分别连接，增益控制电路，用于对第一电流，经抵消电流抵消和偏移补偿电流得到的第二电流进行放大，得到检测电流，并将检测电流输入功率放大器，以对功率放大器进行电流补偿。本申请实施例提供一种功率放大器的功率检测电路，在现有的功率检测电路的基础上添加了直流抵消电路和偏移补偿电路，不仅能够实现输出电流的范围调节，并且能够满足对不同放大器的补偿需求，灵活性较高。
本申请实施例还提供了一种功率放大器的功率检测方法，应用于上述包括偏置电路、整流电路、直流抵消电路、偏移补偿电路和增益控制电路的功率检测电路，图7为本申请实施例提供的一种功率放大器的功率检测方法的流程示意图。如图7所示，主要包括以下步骤：
S701、通过整流电路，接收偏置电路提供的偏置电压，产生静态电流。
在本申请的实施例中，参见图3，功率检测电路中的偏置电路1与整流电路3中的第二NMOS电流镜32的栅极连接，为第二NMOS电流镜32提供偏置电压，产生静态电流。
需要说明的是，在本申请的实施例中，偏置电路1为第二NMOS电流镜32提供偏置电压，可以使第二NMOS电流镜32工作在线性区，饱和区，或者截止区，具体的本申请不作限定。
S702、通过整流电路，将输入的射频信号转换为直流电流，并将直流电流与静态电流叠加，得到第一电流。
在本申请的实施例中，参见图3，整流电路3将输入的射频信号转换为直流电流，从整流电路3中的第二NMOS电流镜32的漏极输出。
需要说明的是，在本申请的实施例中，从整流电路3中第二NMOS电流镜32的漏极输出的第一电流，既包括输入的射频信号转换的直流电流，又包括偏置电路1为第二NMOS电流镜32提供的偏置电压产生的静态电流。
S703、通过直流抵消电路，提供抵消电流对第一电流中的静态电流进行抵消，并通过偏移补偿电路提供偏移补偿电流对第一电流进行偏移补偿。
在本申请的实施例中，参见图3，直流抵消电路4的抵消电流经第三镜像恒流源流入整流电路3中的第二NMOS电流镜32的漏极，对第一电流中的静态电流进行抵消，进而改变经增益控制电路放大的检测电流
Figure 902928DEST_PATH_IMAGE017
随输入的射频信号功率变化的起始点，如图4所示。
还需要说明的是，在本申请的实施例中，直流抵消电路4对第二NMOS电流镜32的漏极输出的第一电流中的静态电流进行抵消，抵消电流的大小直接影响检测电流
Figure 381314DEST_PATH_IMAGE017
随输入的射频信号功率变化的起始点，如果抵消电流与静态电流大小相等，则检测电流
Figure 759206DEST_PATH_IMAGE017
随输入的射频信号功率变化的起始点为0。
还需要说明的是，在本申请的实施例中，可以根据需求和场景设定第三NMOS电流镜40的尺寸，来确定第三NMOS电流镜40的漏极输出的抵消电流的大小，从而确定检测电流
Figure 898633DEST_PATH_IMAGE017
随输入的射频信号功率变化的起始点。
需要说明的是，在本申请的实施例中，可以根据需求调整偏移补偿电路5中可变电阻51的阻值，达到对第二NMOS电流镜32的漏极输出的第一电流中偏移补偿的大小不同，使得检测电流
Figure 768500DEST_PATH_IMAGE017
随输入的射频信号功率变化的转折点不同。参见图3，偏移补偿电路5输出的电流流入直流抵消电路4的输入端，经过直流抵消电路4输出，流入整流电路3中的第二NMOS电流镜32的漏极，对整流电路3输出的第一电流进行偏移补偿，进而改变第二电流
Figure 581735DEST_PATH_IMAGE017
随输入的射频信号功率变化的转折点，如图5所示。
还需要说明的是，在本申请的实施例中，偏移补偿电路5对第二NMOS电流镜32的漏极输出的第一电流中进行偏移补偿，偏移补偿电流的大小直接影响检测电流
Figure 17395DEST_PATH_IMAGE017
随输入的射频信号功率变化的转折点，如果偏移补偿电流大，则检测电流
Figure 992305DEST_PATH_IMAGE017
随输入的射频信号功率变化的转折点较小，如果偏移补偿电流小，则检测电流
Figure 146205DEST_PATH_IMAGE017
随输入的射频信号功率变化的转折点较大，两者呈现负相关。
S704、通过增益控制电路，对第一电流，经抵消电流抵消和偏移补偿电流偏移补偿后的第二电流进行放大，得到检测电流，并将检测电流输入功率放大器，以对功率放大器进行电流补偿。
需要说明的是，在本申请的实施例中，对整流电路3输出的第一电流，利用直流抵消电路4的抵消电流对第一电流中的静态电流进行抵消，利用偏移补偿电路5的偏移补偿电流对第一电流偏移补偿得到第二电流，然后经增益控制电路2进行放大，得到检测电流，并将检测电流输入功率放大器6。
本申请实施例提供了一种功率放大器的功率检测方法，应用于功率放大器的功率检测电路，功率检测电路包括：偏置电路、整流电路、直流抵消电路、偏移补偿电路和增益控制电路，方法包括：通过整流电路，接收偏置电路提供的偏置电压，产生静态电流；通过整流电路，将输入的射频信号转换为直流电流，并将直流电流与所述静态电流叠加，得到第一电流；通过直流抵消电路，提供抵消电流对第一电流中的静态电流进行抵消，并通过偏移补偿电路提供偏移补偿电流对第一电流进行偏移补偿；通过增益控制电路，对第一电流，经所述抵消电流抵消和所述偏移补偿得到的第二电流进行放大，得到检测电流，并将所述检测电流输入功率放大器，以对所述功率放大器进行电流补偿。本申请实施例提供一种功率放大器的功率检测电路，在现有的功率检测电路的基础上添加了直流抵消电路和偏移补偿电路，不仅能够实现输出电流的范围调节，并且能够满足对不同放大器的补偿需求，灵活性较高。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种功率放大器的功率检测电路，其特征在于，所述功率检测电路包括：偏置电路、整流电路、直流抵消电路、偏移补偿电路和增益控制电路；
所述偏置电路与所述整流电路和所述直流抵消电路分别连接，所述偏置电路，用于为所述整流电路和所述直流抵消电路分别提供偏置电压；
所述整流电路在所述偏置电压的作用下，产生静态电流，所述整流电路，用于将输入的射频信号转换为直流电流，并将所述直流电流与所述静态电流叠加，得到第一电流；
所述直流抵消电路与所述偏移补偿电路和所述整流电路分别连接；所述直流抵消电路，用于提供抵消电流对所述第一电流中的所述静态电流进行抵消，所述偏移补偿电路，用于提供偏移补偿电流对所述第一电流进行偏移补偿；
所述增益控制电路与所述整流电路和功率放大器分别连接，所述增益控制电路，用于对所述第一电流，经所述抵消电流抵消和所述偏移补偿电流偏移补偿得到的第二电流进行放大，得到检测电流，并将所述检测电流输入所述功率放大器，以对所述功率放大器进行电流补偿。
2.根据权利要求1所述的功率检测电路，其特征在于，所述偏置电路包括第一镜像恒流源和第一NMOS电流镜；
所述第一镜像恒流源由第一输入级和第一输出级构成，所述第一输入级包括参考电流源、第一PMOS电流镜，所述第一输出级包括第二PMOS电流镜；
所述第一PMOS电流镜的源极和所述第二PMOS电流镜的源极接入电源；
所述第一PMOS电流镜的漏极接入参考电流源，且与所述第一PMOS电流镜栅极连接；
所述第二PMOS电流镜的栅极与所述第一PMOS电流镜的栅极连接，且所述第二PMOS电流镜的漏极与所述第一NMOS电流镜的漏极连接；
所述第一NMOS电流镜的栅极与所述第一NMOS电流镜的漏极、所述直流抵消电路、以及所述整流电路分别连接，源极接地；
所述第一输入级和所述第一输出级的电流传输比，等于所述第一PMOS电流镜的宽长比与所述第二PMOS电流镜的宽长比的比值。
3.根据权利要求1所述的功率检测电路，其特征在于，所述增益控制电路包括第二镜像恒流源；
所述第二镜像恒流源由第二输入级和第二输出级构成，所述第二输入级包括第三PMOS电流镜，所述第二输出级包括第四PMOS电流镜；
所述第三PMOS电流镜的源极和所述第四PMOS电流镜的源极接入电源；
所述第三PMOS电流镜的漏极与所述第三PMOS电流镜的栅极、所述整流电路、以及所述直流抵消电路分别连接；
所述第四PMOS电流镜的栅极与所述第三PMOS电流镜的栅极连接，所述第四PMOS电流镜的漏极与功率放大器连接；
所述第二输入级和所述第二输出级的电流传输比，等于所述第三PMOS电流镜的宽长比与所述第四PMOS电流镜的宽长比的比值。
4.根据权利要求2所述的功率检测电路，其特征在于，所述整流电路包括固定电阻、电容和第二NMOS电流镜；
所述电容一端接入所述射频信号，另一端与所述第二NMOS电流镜的栅极连接；
所述固定电阻的一端所述第二NMOS电流镜的栅极连接，另一端与所述偏置电路连接；
所述第二NMOS电流镜的漏极，与所述直流抵消电路和所述增益控制电路分别连接，所述第二NMOS电流镜的源极接地。
5.根据权利要求2所述的功率检测电路，其特征在于，所述直流抵消电路包括第三镜像恒流源和第三NMOS电流镜；
所述第三镜像恒流源由第三输入级和第三输出级构成，所述第三输入级包括第五PMOS电流镜，所述第三输出级包括第六PMOS电流镜；
所述第五PMOS电流镜的源极和所述第六PMOS电流镜的源极接入电源；
所述第五PMOS电流镜的栅极与所述第五PMOS电流镜的漏极，以及所述第六PMOS电流镜的栅极分别连接；所述第五PMOS电流镜的漏极与所述第三NMOS电流镜的漏极、以及所述偏移补偿电路分别连接；
所述第六PMOS电流镜的漏极与所述整流电路和所述增益控制电路分别连接；
所述第三NMOS电流镜的栅极与所述偏置电路连接，所述第三NMOS电流镜的源极接地；
所述第三输入级和所述第三输出级的电流传输比，等于所述第五PMOS电流镜的宽长比与所述第六PMOS电流镜的宽长比的比值。
6.根据权利要求2所述的功率检测电路，其特征在于，所述偏移补偿电路包括第七PMOS电流镜、可变电阻、第四NMOS电流镜和第五NMOS电流镜；
所述第七PMOS电流镜作为第四输出级，与所述偏置电路中所述参考电流源和所述第一PMOS电流镜构成的所述第一输入级构成第四镜像恒流源；
所述第七PMOS电流镜的栅极与所述第一PMOS电流镜的栅极连接；
所述第七PMOS电流镜中，漏极与所述可变电阻的一端和所述第五NMOS电流镜的栅极分别连接，源极接入电源；
所述可变电阻的另一端与所述第四NMOS电流镜的漏极连接；
所述第四NMOS电流镜的漏极与所述第四NMOS电流镜的栅极连接，所述第五NMOS电流镜的漏极与所述直流抵消电路连接；
所述第四NMOS电流镜的源极和所述第五NMOS电流镜的源极分别接地；
所述第一输入级和所述第四输出级的电流传输比，等于所述第一PMOS电流镜的宽长比与所述第七PMOS电流镜的宽长比的比值。
7.根据权利要求6所述的功率检测电路，其特征在于，所述可变电阻包括：第一开关，第二开关，第三开关，第一电阻，第二电阻，第三电阻以及基础电阻；
所述第一开关与所述第一电阻并联，形成第一并联电路；
所述第二开关与所述第二电阻并联，形成第二并联电路；
所述第三开关与所述第三电阻并联，形成第三并联电路；
所述第一并联电路、所述第二并联电路、所述第三并联电路串联后与所述基础电阻的一端串联，所述基础电阻的另一端与所述第四NMOS电流镜的漏极连接；
所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关，用于控制与所述基础电阻串联的电阻。
8.根据权利要求4所述的功率检测电路，其特征在于，所述偏置电路中的所述第一NMOS电流镜与所述整流电路的所述第二NMOS电流镜组成第五镜像恒流源；
所述第五镜像恒流源由第五输入级和第五输出级构成，所述第五输入级包括所述第一NMOS电流镜，所述第五输出级包括所述第二NMOS电流镜；
所述第五输入级和所述第五输出级的电流传输比，等于所述第一NMOS电流镜的宽长比与所述第二NMOS电流镜的宽长比的比值。
9.根据权利要求5所述的功率检测电路，其特征在于，所述偏置电路中的所述第一NMOS电流镜与所述直流抵消电路的所述第三NMOS电流镜组成第六镜像恒流源；
所述第六镜像恒流源由第五输入级和第六输出级构成，所述第五输入级包括所述第一NMOS电流镜，所述第六输出级包括所述第三NMOS电流镜；
所述第五输入级和所述第六输出级的电流传输比，等于所述第一NMOS电流镜的宽长比与所述第三NMOS电流镜的宽长比的比值。
10.一种功率放大器的功率检测方法，其特征在于，应用于功率检测电路，所述功率检测电路包括偏置电路、整流电路、直流抵消电路、偏移补偿电路和增益控制电路，所述方法包括：
通过所述整流电路，接收所述偏置电路提供的偏置电压，产生静态电流；
通过所述整流电路，将输入的射频信号转换为直流电流，并将所述直流电流与所述静态电流叠加，得到第一电流；
通过所述直流抵消电路，提供抵消电流对所述第一电流中的所述静态电流进行抵消，并通过所述偏移补偿电路提供偏移补偿电流对所述第一电流进行偏移补偿；
通过增益控制电路，对所述第一电流，经所述抵消电流抵消和所述偏移补偿电流偏移补偿得到的第二电流进行放大，得到检测电流，并将所述检测电流输入功率放大器，以对所述功率放大器进行电流补偿。
CN202110183211.3A 2021-02-10 2021-02-10 一种功率放大器的功率检测电路及方法 Active CN112532191B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110183211.3A CN112532191B (zh) 2021-02-10 2021-02-10 一种功率放大器的功率检测电路及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110183211.3A CN112532191B (zh) 2021-02-10 2021-02-10 一种功率放大器的功率检测电路及方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112532191A CN112532191A (zh) 2021-03-19
CN112532191B true CN112532191B (zh) 2021-05-14

Family

ID=74975631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110183211.3A Active CN112532191B (zh) 2021-02-10 2021-02-10 一种功率放大器的功率检测电路及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112532191B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113922770B (zh) * 2021-12-14 2022-03-04 深圳市时代速信科技有限公司 一种偏置控制电路及电子设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1409892A (zh) * 2000-10-12 2003-04-09 三菱电机株式会社 高频放大器
CN107040224A (zh) * 2017-05-04 2017-08-11 广州慧智微电子有限公司 一种控制电路及方法
CN107147366A (zh) * 2017-06-12 2017-09-08 广州慧智微电子有限公司 一种射频功率放大器的温度补偿电路
CN110120788A (zh) * 2019-06-06 2019-08-13 广东工业大学 一种用于功率放大器的偏置电路及功率放大器
CN110176923A (zh) * 2019-05-15 2019-08-27 河源广工大协同创新研究院 一种自适应线性化射频偏置模块及其使用电路

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9344042B2 (en) * 2013-02-27 2016-05-17 Hengchun Mao High efficiency power amplifiers with advanced power solutions

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1409892A (zh) * 2000-10-12 2003-04-09 三菱电机株式会社 高频放大器
CN107040224A (zh) * 2017-05-04 2017-08-11 广州慧智微电子有限公司 一种控制电路及方法
CN107147366A (zh) * 2017-06-12 2017-09-08 广州慧智微电子有限公司 一种射频功率放大器的温度补偿电路
CN110176923A (zh) * 2019-05-15 2019-08-27 河源广工大协同创新研究院 一种自适应线性化射频偏置模块及其使用电路
CN110120788A (zh) * 2019-06-06 2019-08-13 广东工业大学 一种用于功率放大器的偏置电路及功率放大器

Also Published As

Publication number Publication date
CN112532191A (zh) 2021-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109270983B (zh) 带偏移消除功能的包络跟踪电流偏置电路和功率放大器
US8970300B2 (en) Apparatus and method for transimpedance amplifiers with wide input current ranges
US7253679B2 (en) Operational amplifier and method for canceling offset voltage of operational amplifier
US7710197B2 (en) Low offset envelope detector and method of use
CN106849879B (zh) 功率放大器电路
US7262657B2 (en) Bias control for reducing amplifier power consumption and maintaining linearity
CN112532191B (zh) 一种功率放大器的功率检测电路及方法
US20110133837A1 (en) Variable gain amplifier
CN107110898B (zh) 对数线性功率检测器
CN113507270A (zh) 可变增益放大器
KR100953243B1 (ko) 차동 단상 변환 회로
US10992271B2 (en) Amplifier with input bias current cancellation
JP2012134612A (ja) 低雑音増幅器
TWI623193B (zh) 功率放大器電路
JP4277076B2 (ja) パイロット信号検出回路及びその回路を搭載した半導体集積回路
US20090015295A1 (en) Envelope detector having reduced harmonic interference
EP1258981A1 (en) Operational amplifier arrangement including a quiescent current control circuit
US11223337B2 (en) Logarithmic power detector
CN110380698B (zh) 一种线性放大器
US20200235706A1 (en) Amplifier
JP2012028859A (ja) 利得可変差動増幅回路
US20060202762A1 (en) Input amplifier with improved power supply rejection
US11368129B2 (en) Amplifier circuit
JP4156539B2 (ja) 可変利得増幅回路、それを搭載したｉｃ、無線通信システム
Cheng et al. A high-linearity, 60-dB variable Gain amplicier with dual DC-offset cancellation for UWB systems

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 510663 8th floor, building C2, Chuangxin building, No. 182, Kexue Avenue, Huangpu District, Guangzhou, Guangdong

Patentee after: Guangzhou Huizhi Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: 510663 unit c3-802, innovation building, 182 science Avenue, Science City, Guangzhou high tech Industrial Development Zone, Guangdong Province

Patentee before: SMARTER MICROELECTRONICS (GUANG ZHOU) Co.,Ltd.