FI80815C - Linearisation av en foerstaerkning i en rf-foerstaerkare. - Google Patents

Linearisation av en foerstaerkning i en rf-foerstaerkare. Download PDF

Info

Publication number
FI80815C
FI80815C FI884213A FI884213A FI80815C FI 80815 C FI80815 C FI 80815C FI 884213 A FI884213 A FI 884213A FI 884213 A FI884213 A FI 884213A FI 80815 C FI80815 C FI 80815C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
radio frequency
amplifier
power
frequency amplifier
gain
Prior art date
Application number
FI884213A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI884213A0 (fi
FI80815B (fi
Inventor
Pekka Sakari Lonka
Jari-Pekka Savojoki
Original Assignee
Nokia Mobira Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nokia Mobira Oy filed Critical Nokia Mobira Oy
Priority to FI884213A priority Critical patent/FI80815C/fi
Publication of FI884213A0 publication Critical patent/FI884213A0/fi
Priority to EP19890309107 priority patent/EP0359477A3/en
Priority to JP23975189A priority patent/JPH03101316A/ja
Application granted granted Critical
Publication of FI80815B publication Critical patent/FI80815B/fi
Publication of FI80815C publication Critical patent/FI80815C/fi

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3223Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using feed-forward
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/34Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Transmitters (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

1 80815 RF-vahvietimen vahvistuksen linearisointi
Keksinnön kohteena on radiopuhelimen, esim. matkapuhelimen radiotaajuusvahvistin ja erityisesti sen lineaarinen vahvistus .
On tunnettua nostaa matkapuhelimen (esim. käsipuhelimen) antennin säteilytehoa sijoittamalla antennin eteen antenni-vahvistin, joka on radiotaajuusvahvistin. Tämä vahvistin kohottaa säteilytehoa nostamalla antennin syöttövirtaa, jolloin säteilyteho kasvaa suhteessa virran neliöön. Vahvistimen toiston täytyy olla lineaarinen niin, että se seuraa tulevaa tehotasoa vahvistaen sitä vakiolla.
Tunnetussa toteutuksessa radiotaajuusvahvistin käsittää vahvistimen käyttöjännitteiden säätöpiirin, esivahvistin- ja te-hovahvistinpiirin lähetyssignaalin vahvistamiseksi sekä teho-vahvistimen tehonsäätöpiirin.
Tehonsäätöpiirissä on operaatiovahvistin, joka ohjaa tehovah-vistimen tehoja säätämällä niiden syöttöjännitettä. Operaatiovahvistinta ohjataan puolestaan erillisellä ohjauspiirillä, joka käsittää IC-piirin ohjauslinjoineen sekä liittimi-neen, joilta ulkoisen ohjauksen linjat johdetaan IC-piirille.
Tällainen tunnettu ratkaisu, jossa tehonohjauksessa käytetään erillisiä ohjauslinjoja liittimineen, sisältää eräitä haittoja. Kaapelointi ja liittimet aiheuttavat helposti harhasätei-lyä ja lisäävät häiriöitä. Lisäkomponentit ja tarvittavat liittimet vievät tilaa ja lisäävät myös vikamahdol1isuuksia. Haluttaessa liittää antennivahvistin sellaiseen jo olemassaolevaan käsipuhelimeen, jossa ei ole erillisiä ohjauslinjoja, on ollut hankalaa toteuttaa tämä lisäys.
2 80815
Keksinnön tarkoituksena on saada aikaan menetelmä ja laite RF-vahvistimen vahvistuksen linearisoimiseksi, joissa edellä-kuvatut haitat poistuvat. Tämä saadaan aikaan patenttivaatimusten 1 ja 2 osoittamalla tavalla.
Keksintöä selosteaan seuraavassa tarkemmin viitaten oheisiin kuvioihin, joissa: kuvio 1 esittää RF-vahvistimen sijaintia matkapuhelimessa, kuvio 2 esittää RF-vahvistimen lohkokaaviota, josta käy ilmi keksinnön mukaisen vahvistimen kytkeytyminen antennilinjaan, kuvio 3 esittää yksityiskohtaista piirikaaviota eräästä RF-vahvistimen toteutuksesta.
Kuviosta 1 käy ilmi, että RF-vahvistin, jota tästä eteenpäin nimitetään yksinkertaisesti booeteriksi, sijaitsee antennin ja rf-kytkimen välissä. Kytkimellä ohjataan tunnetulla tavalla tuleva signaali vastaanottimelle ja lähetyssignaali antennille. Lähetyssignaalia vahvistetaan boosterilla, kun taas tuleva signaali ohjataan suoraan vastaanottimeen.
Kuvassa 2 esitetyssä boosterin lohkokaaviossa vastaanotettu signaali tulee antennilta dupleksieuodattimeen DQ3B. Suodatin on kaksiosainen kaistanpäästösuodatin ja sen osa f2 näkyy vastaanottotaajuudella signaalille suurena impedanssina, kun taas fl näkyy antenni-impedanssin suuruisena. Signaali etenee nyt toiselle dupleksisuodattimelle DQ3A, jonka osasuodattimien impedanssit ovat sellaiset, että vastaanotettu signaali etenee vastaanottimelle tunnetulla tavalla. Vastaavasti lähetettäessä signaalia dupleksisuodattimien osasuodattimien impedanssit ovat siten mitoitetut, että signaali, joka tunnetulla tavalla tulee lähettimeltä, kulkee suodattimen DQ3A osan f2, booster-yksikön B ja dupleksieuodattimen DQ3B osan f2 kautta antennille. Edellä selostettu on sinänsä tunnettua ja ammattimiehelle selvää. Keksinnön kohteena on varsinaisesti booster-yksikkö B.
Il 3 80815
Booster-yksikkö B käsittää kuvion 2 periaatteen mukaisesti kolmeportaisen AB-luokan vahvistinketjun Ql, Q2, Q3, jännite-eäätimen, vahvistuksen säätöpiirin GC ja vahvistinten Ql, Q2, Q3 bias-jännitteiden kytkentäpiirin.
Keksinnön pääperiaatteen mukaisesti vahvistimien Ql, Q2 ja Q3 tehoa ei ohjata ulkoisilla erillisillä ohjaus1 injoi 1la, vaan ohjaus toteutetaan käsipuhelimen ohjaamalla teholla pelkkää antennikaapelia hyväksikäyttäen. Tarkemmin sanottuna tällainen antennikaapelin hyväksikäyttö tehon ohjauksessa toteutetaan siten, että keksinnön mukaisesti käytetään sopivasti mitoitettuja suuntakytkimiä Skl ja Sk2 vahvistinketjun tulossa ja lähdössä, jolloin vahvistuksen ohjaus perustuu näiltä suunta-kytkimiltä saatavan jännitetiedon hyväksikäyttöön jäljempänä esitetyllä tavalla. Suuntakytkinhän on sellainen kytkin, joka koostuu kahdesta siten kytketystä johdosta, että toisessa kulkeva sähkömagneettinen aalto indusoi toiseen johtimeen samansuuntaisen aallon. Suuntakytkimiä hyväksikäyttämällä saadaan boosterille lineaarinen toisto, jolloin booster seuraa tulevia tehotasoja (esim. matkapuhelimen lähetystehotasoja) ja vahvistaa niitä vakiolla. Suuntakytkin voi olla millä tahansa sopivalla tekniikalla valmistettu kytkin, esim. strip line-, mikro strip- tai koaksiaalikytkin.
Jännitesäätimellä säädetään syöttö jännitteestä +VCB suodatettu jännite +VB tarvittavaan vakioarvoon. Tämä jännite tarvitaan vahvistuksen säätöpiirille sekä vahvistinten Ql, Q2 ja Q3 bias-jännitteiden asettelussa.
Vahvistuksen säätöpiiri toimii siten, että suuntakytkimiltä Skl ja Sk2 saatua jänniteinformaatiota vertaillaan ja vahvistimien Ql, Q2 ja Q3 vahvistusta säädetään siten, että jännitteet ennen tehovahvistueta ja sen jälkeen ovat samat, toisin sanoen suuntakytkimelle Skl tuleva lähetyssignaa1ijännite on sama kuin vahvistimilla Ql, Q2, Q3 vahvistettu suuntakytki-meltä Sk2 lähtevä signaalijännite.
4 80815
Vahvietimien Ql, Q2, Q3 biasjännitteitä tarkkailee bias-jännitteiden kytkentäpiiri. Se tarkkailee, onko lähetyssig-naalia ja onko vahvistuksen säätöpiiri kytkenyt vahvistimille syöttöjännitteet. Jos näin on, bias-jännitteet kytkeytyvät vahvietimien Ql, Q2, Q3 kantaan, jolloin vahvistinketju on toiminnassa.
Edellä esitettyä keksinnön mukaista boosterin toimintaa selostetaan nyt yksityiskohtaisemmin viitaten lähinnä kuvion 3 mukaisen erään suoritusmuodon piirikaavioon.
Lähetyksessä signaali tulee dupleksisuodattimen 0Q3A liittimestä TX IN suuntakytkimen Skl kautta boosterille ja edelleen vahvistinketjun Ql, Q2, Q3 kautta vahvistettuna suuntakyt-kimen Sk2 kautta dupleksisuodattimeen DQ3A ja edelleen antennille. Suuntakytkimeltä Skl saatu lähetyseignaalin indusoitua jännite tasasuunnataan diodilla D2 ja viedään vahvistuksen säätöpiirin vahvistimen IC 1/1 invertoivaan tuloon. Vastaavasti tehovahvistetun signaalin indusoitua jännite suuntakyt-kimessä Sk2 viedään mainitun vahvistimen ei-invertoivaan tuloon. Vahvistin ohjaa transistorin Q7 kautta tehovahvistimien :Ql ja Q2 syöttö jännitteitä siten, että signaali jännitteet ennen ja jälkeen tehovahvistinketjun ovat yhtäsuuret. Mikäli lähetyssignaalia ei ole, eli liittimen TX IN kautta ei kulje • tehoa, niin vahvistuksen säätöpiiri sulkee transistorin Q7, ’ ! jolloin tehovahvistimen kaksi ensimmäistä astetta eivät saa ‘ ' syöttö jännitettä. Vahvistimen IC 1/1 vahvistusta voidaan muuttaa muuttamalla vastuksen R27 arvoa.
Jännitesäätimen (D8, Q4-Q6) jännite viedään transistorin Q7 kautta tehovahvistimen kahden ensimmäisen vahvistinasteen Ql ja Q2 syöttöjännitteeksi, mutta tehovahvistimen päätetransis-torin Q3 syöttöjännite +VB on suodatettu syöttöjännitteestä :.. +VCB.
Bias-jännitteiden kytkentäpiiriin kuuluva operaatiovahvistin IC 1/2 tarkkailee, onko lähetyssignaalia eli tuleeko suunta-
II
5 80815 kytkimen Skl kautta indusoitunutta signaalia ei-invertoivaan tuloon ja ovatko syöttöjännitteet kytketyt tehovahvistimen kahteen ensimmäiseen asteeseen Q1 ja Q2 eli vahvistuksen säätöpiirin tuottama syöttöjännite viedään myös operaatiovahvistimen invertoivaan tuloon. Mikäli molemmissa navoissa on jännite, kytkeytyvät bias-jännitteet transistorin Q8 kautta.
Kuten edellä esitetystä huomataan, niin boosterin vahvistusta ohjataan automaattisesti pelkästään lähetyseignaalin teholla antennilinjaeta, eikä mitään erillisiä ohjauslinjoja liitti-mineen tarvita tehon säätöön. Vahvistus on lineaarinen ja esim. matkapuhelimen tehotasoja vahvistetaan vakiolla. Keksinnön mukaisessa boosterin toteutuksessa erillisten ohjaus-ja säätölinjojen poisjääminen tuottaa monia etuja yleisesti käytettyihin ratkaisuihin nähden. Koska matkapuhelimen rakenne pyritään saamaan hyvin kompaktiksi, on edullista, että erillisten säätö- ja ohjaus1 injojen tarvitsemien ylimääräisten kaapelien ja liittimien aiheuttama tilantarve poistuu. Keksinnön mukainen ratkaisu pienentää myös harhasäteilyä ja erilaisia muita häiriöongelmia, koska kaapelointitarve vähenee. Tämä johtaa helpompaan asennukseen ja, koska erillisiä oh-jauslinjoja liittimineen ei tarvita, myös hinnaltaan halvempaan rakenteeseen.
Todettakoon, että keksinnön mukaisella boosterilla on matkapuhelimen lähetystehoa nostettu Θ dB.
Edellä on selostettu erästä keksinnön mukaista toteutusesi-merkkiä, mutta on selvää, että boosterin käytännön piirito-teutus voi vaihdella keksinnöllisen perusajatuksen rajoissa suurestikin.

Claims (6)

6 80815
1. Menetelmä radiopuhelimen, esim. matkapuhelimen, radiotaajuus vahvistimen vahvistuksen linearieoimiseksi, jossa radio-taajuusvahvistin <B) on kytketty antennin eteen kahden vastakkain kytketyn dupleksisuodattimen (DQ3A, DQ3B) määräämän silmukan siihen haaraan, jossa lähetettävä signaali kulkee, tunnettu siitä, että radiotaajuusvahvistimen tehoa ohjataan suoraan matkapuhelimen lähetysteholla pelkkää antennikaapelia hyväksikäyttäen.
2. Kytkentäjärjestely radiopuhelimen, esim. matkapuhelimen, radiotaajuusvahvistimen vahvistuksen linearieoimiseksi, jossa radiotaajuusvahvistin (B) on kytketty antennin eteen kahden vastakkain kytketyn dupleksisuodattimen (DQ3A, DQ3B) määräämän silmukan siihen haaraan, jossa lähetettävä signaali kulkee, radiotaajuusvahvistimen sisältäessä tehovahvistimen (Ql, Q2, Q3), bias-jännitteiden kytkentäpiirin, vahvistimen te-honvahvistuksen ohjauspiirin ja jännitteensäätöpiirin, tunnettu, siitä, että radiotaajuusvahvistimen <B) tuloon ja lähtöön on kytketty välineet <Skl, Sk2), joista saatavan informaation perusteella radiotaajuusvahvistimen tehonvahvistuksen ohjauspiiri ohjaa radiotaajuusvahvistimen <B> tehonvahvistusta siten, että vahvistus on lineaarinen ja vakio.
3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen kytkentäjärjestely, tunnettu siitä, että radiotaajuusvahvistimen tuloon ja lähtöön kytketyt välineet ovat suuntakytkimiä (Skl, Sk2>.
4. Patenttivaatimuksen 2 mukainen kytkentäjärjee tely, tunnettu siitä, että radiotaajuusvahvistimen (B) tehoa ohjataan siten, että kummaltakin suuntakytkimeltä <Skl, Sk2> saatu jännite on yhtä suuri. Il 7 80815
5. Patenttivaatimuksen 2 mukainen kytkentäjärjestely, t u n n e t tu siitä, että tehonvahvistuksen ohjauspiiri on kytketty siten, että mikäli ensimmäiselle suuntakytkimelle (Skl) ei tule lähetystehoa, ohjauspiiri kytkee radiotaajuus-vahvistimen tehovahvistimien (Q1,Q2> syöttöjännitteen pois.
6. Patenttivaatimuksen 2 mukainen kytkentäjärjestely, tunnettu siitä, että bias-jännitteiden kytkentäpiiri kytkee biasjännitteet tehovahvietimille <Q1, Q2, Q3) vain, mikäli ensimmäiselle suuntakytkimelle <Skl) tulee lähetystehoa ja radiotaajuusvahvistimen <B> tehovahvistimien <Q1, Q2> syöttöjännitteet ovat kytkettyinä. β 80815
FI884213A 1988-09-13 1988-09-13 Linearisation av en foerstaerkning i en rf-foerstaerkare. FI80815C (fi)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI884213A FI80815C (fi) 1988-09-13 1988-09-13 Linearisation av en foerstaerkning i en rf-foerstaerkare.
EP19890309107 EP0359477A3 (en) 1988-09-13 1989-09-08 Linearization of an amplification in an rf amplifier
JP23975189A JPH03101316A (ja) 1988-09-13 1989-09-13 無線周波増幅器における増幅度線形化方法およびそれに用いる結合装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI884213 1988-09-13
FI884213A FI80815C (fi) 1988-09-13 1988-09-13 Linearisation av en foerstaerkning i en rf-foerstaerkare.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI884213A0 FI884213A0 (fi) 1988-09-13
FI80815B FI80815B (fi) 1990-03-30
FI80815C true FI80815C (fi) 1990-07-10

Family

ID=8527036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI884213A FI80815C (fi) 1988-09-13 1988-09-13 Linearisation av en foerstaerkning i en rf-foerstaerkare.

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0359477A3 (fi)
JP (1) JPH03101316A (fi)
FI (1) FI80815C (fi)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW198152B (fi) * 1990-10-18 1993-01-11 Hitachi Seisakusyo Kk
US5457814A (en) * 1993-10-02 1995-10-10 Nokia Mobile Phones Ltd. Power boost system for cellular telephone
US5589796A (en) * 1994-11-01 1996-12-31 Motorola, Inc Method and apparatus for increasing amplifier efficiency
JP2720851B2 (ja) * 1995-10-25 1998-03-04 日本電気株式会社 増幅器のバイアス電流制御回路
GB2317289B (en) * 1996-09-12 2001-03-14 Nokia Mobile Phones Ltd Amplifier system
JPH10135750A (ja) * 1996-11-01 1998-05-22 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波帯アンプ
US6072995A (en) * 1997-02-26 2000-06-06 Ericsson Inc. Flexible current control in power amplifiers
DE19804199A1 (de) * 1998-02-03 1999-08-05 Rohde & Schwarz Hochfrequenz-Sender
JP2002205135A (ja) * 2001-01-09 2002-07-23 Daikure Co Ltd セレーテッドフィンチューブ用フィン材と、その製造法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54107656A (en) * 1978-02-10 1979-08-23 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Distortion compensation unit for predistortion
US4268797A (en) * 1979-03-28 1981-05-19 Westinghouse Electric Corp. Self-pulsed microwave power amplifier
US4462004A (en) * 1982-03-18 1984-07-24 At&T Bell Laboratories Dynamic class-4 FET amplifier
GB2163311A (en) * 1984-08-17 1986-02-19 Philips Electronic Associated Bipolar transistor rf power amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
EP0359477A2 (en) 1990-03-21
FI884213A0 (fi) 1988-09-13
EP0359477A3 (en) 1990-12-27
JPH03101316A (ja) 1991-04-26
FI80815B (fi) 1990-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1476949B1 (en) Power amplification apparatus of portable terminal
KR100297618B1 (ko) 이동체통신장치의출력파워제어회로및공중선공용기
US5530923A (en) Dual mode transmission system with switched linear amplifier
SE9903967L (sv) Effektstyrning för trådlösa kommunikationssystem
KR20000074034A (ko) 케이블 손실 보상이 가능한 초소형 중계기
EP1282224A4 (en) DISTORTION COMPENSATION APPARATUS
EP0589574B1 (en) An amplifier control system
JPH06169277A (ja) 携帯無線電話器用のブースタ増幅器を実現するための回路及び方法
FI80815C (fi) Linearisation av en foerstaerkning i en rf-foerstaerkare.
JPH09232992A (ja) トランシーバのrfデュプレクサバイパス方法
US6424214B2 (en) Strain error compensation amplifier
FI99180C (fi) Menetelmä radiopuhelimen käyttämiseksi ulkoisen vahvistinlaitteen kanssa ja menetelmässä käytettävä radiopuhelin ja vahvistinlaite
FI89992B (fi) Handtelefon i form av en modulaer enhet
US20050197153A1 (en) Dual band transmitter having filtering coupler
US20020077150A1 (en) Base station with antenna, including an amplifier, located at a distance from the base station
KR100560129B1 (ko) 송수신용 전력 증폭기 및 저잡음 증폭기를 이용한 이동통신 중계 시스템
JP3162956B2 (ja) ダイバーシチ装置
KR100293146B1 (ko) 이동통신 단말기의 송신 전력제어 장치
JP2002171177A (ja) 中間周波数がゼロである構造の送信機で、htb技術によるパワー増幅器を使用可能にする制御方法および回路
JPH0583155A (ja) 通信装置
JP3159248B2 (ja) 高周波増幅装置
JP2834042B2 (ja) 受信電界強度測定装置
JPS61274527A (ja) 自動利得制御通信方式
KR100383612B1 (ko) 이동 통신 단말의 송신 장치
KR20030005783A (ko) 이동 단말기용 고효율 전력증폭기

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed

Owner name: NOKIA-MOBIRA OY