FI71015B - Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare - Google Patents

Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare Download PDF

Info

Publication number
FI71015B
FI71015B FI840701A FI840701A FI71015B FI 71015 B FI71015 B FI 71015B FI 840701 A FI840701 A FI 840701A FI 840701 A FI840701 A FI 840701A FI 71015 B FI71015 B FI 71015B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
silicon
plate
glass
layer
thermal expansion
Prior art date
Application number
FI840701A
Other languages
English (en)
Other versions
FI840701A (fi
FI71015C (fi
FI840701A0 (fi
Inventor
Heikki Kuisma
Original Assignee
Vaisala Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vaisala Oy filed Critical Vaisala Oy
Publication of FI840701A0 publication Critical patent/FI840701A0/fi
Priority to FI840701A priority Critical patent/FI71015C/fi
Priority to US06/701,864 priority patent/US4589054A/en
Priority to BR8500735A priority patent/BR8500735A/pt
Priority to GB08504079A priority patent/GB2156078B/en
Priority to NL8500466A priority patent/NL8500466A/nl
Priority to IT12438/85A priority patent/IT1186833B/it
Priority to FR8502409A priority patent/FR2559900B1/fr
Priority to JP60033645A priority patent/JPS60202323A/ja
Priority to DE3505925A priority patent/DE3505925C2/de
Publication of FI840701A publication Critical patent/FI840701A/fi
Publication of FI71015B publication Critical patent/FI71015B/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI71015C publication Critical patent/FI71015C/fi

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0073Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

71015 Lämpötilasta riippumaton kapasitiivinen paineanturi Tämän keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen kapasitiivinen paineanturi.
Tekniikan tason osalta viitattakoon seuraaviin julkaisuihin: [1] US-patenttijulkaisu 4,386,453 (Giachino et ai.).
[2] «. *4,257,274 (Shimada et ai.) [3] » 4,332,000 (Petersen) C4] .. 4,390,925 (Freud) [5] n 3,397,278 (Pomerantz) [6] K.E. Bean: Anisotropic Etching of Silicon. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. ED-25 (1978)
No. 10, pp. 1185-93.
On tunnettua, että miniatyrisoituja kapasitiivisia painean-tureita voi valmistaa piistä ja lasista (viitteet [1]...[4]). Piitä voi työstää kemiallisella syövytyksellä (viite [6]), kuvioida mikrolitografiän keinoin, ja pii- ja lasiosat voi liittää toisiinsa sähköstaattisella menetelmällä (viite (53).
Antureissa sopii käytettäväksi esim. Corning Glass, tyyppi 7740, "Pyrex"- tai Schott'in *'Tempax"-lasi. Ne sisältävät alkalimetalli-ioneja, mikä on edullista sähköstaattisen liitoksen synnylle. Näiden lasien lämpölaajeneminen on myös samaa suuruusluokkaa piin kanssa. Huoneen lämpötilassa piin laajenemiskerroin on 2,5 ppm/°C ja mainittujen lasien n. 3,2 ppm/°C. Korkeammissa lämpötiloissa pii laajenee epälineaari-sesti ja ohittaa lasin vastaavan kertoimen.
Lämpölaajenemiskertoimien ero, n. 0,7 ppm/°C, on tärkein piilasi-rakenteisten kapasitiivisten paineantureiden lämpötilariippuvuuteen vaikuttava tekijä.
Kuviossa 1 on esitetty kaavamaisesti kapasitiivisen paineanturin lämpötilariippuvuuden synty. Lasilevyyn 1 on liitetty 2 71015 sähköstaattisella menetelmällä (viite [5]) piikappale 2, jossa on ohut, paineen vaikutuksesta taipuva osa 3. Osan 3 yli vaikuttava paine-ero taivuttaa kyseistä osaa 3 ja muuttaa sen ja lasilevyllä 1 olevan kiinteän kondensaattorilevyn 4 etäisyyttä sekä niiden välistä kapasitanssia.
Jos piin ja lasin lämpölaajenemiskertoimet ovat erisuuret, syntyy lämpötilan kohotessa paineherkkään osaan 3 vaakasuora voima F. Jos lasi laajenee enemmän kuin pii, pyrkii voima F pienentämään paineen P osaan 3 aiheuttamaa taipumaa. Jos taipuman paineherkkyys ilman voimaa F on S^, on se voiman F vaikuttaessa S© s = --- , (1) 1+K (a/h) ^ j missä a on kalvon 3 sivu (jos se on neliömäinen) tai halkaisija (jos se on pyöreä), kerroin K on 0,27 neliömäiselle ja 0,2 pyöreälle kalvolle ja e§i on voiman F piikalvoon 3 aiheuttama muodonmuutos (venymä).
Jos lasiosa 1 on paljon paksumpi kuin piiosa 2, on likimain voimassa ε Si = AaAt , (2) missä Δα on piin ja lasin lämpölaajeneraiskertoimien ero ja At on lämpötilan muutos.
S0 ja esi ovat lämpötilasta riippuvia. S0:n lämpötilariippuvuus johtuu piin kimmokertodmien lämpötilariippuvuudesta. Herkkyyden S lämpötilakerroin on 1 3S K(a/h)2Aa 1 as0 - — ---;- + - - (3)
S 9T 1+K(a/h)2cSi 3o aT
piillä (100)-tasossa (1(S0)( S0/aT) £* 70 ppm/°C. Jos valitaan a/h = 20, saadaan (1/S)(3S/3T) ^ o, eli ilmiöt kumoavat 3 71015 toisensa. Kuitenkin suhde a/h = 20 sopii vain melko suuria paineita (n. 50 bar) mittaaviin antureihin.
Jos mitattava paine on alle 1 bar, on sopiva suhde a/h ^ 80. Se johtaa lämpötilakertoimeen £, 1000 ppm/°C.
Lämpölaajenemiskertoimien eroa Δα olisi siis saatava pienennetyksi, jotta myös alhaiselle painealueelle tarkoitetut anturit olisivat stabiileja lämpötilan suhteen. Sopivaa lasi-laatua, jonka lämpölaajenemiskerroin olisi lähempänä piin kerrointa, ei kuitenkaan ole kaupallisesti saatavana. Tuki-levyn 1 lämpölaajenemisen voi kuitenkin saada halutun suuruiseksi kuvan 2 rakenteella.
Tämän keksinnön tarkoituksena on poistaa edellä mainittu haitta ja saada paineanturin tukilevyn lämpölaajeneminen halutun suuruiseksi.
Keksintö perustuu seuraaviin ajatuksiin: - Rapasitiivisen paineanturin herkkyyden lämpötilakerroin voidaan minimoida, kun säädetään eristävän tukilevyn ja piitä olevan paineherkän kalvon lämpölaajenemisero sellaiseksi, että se kumoaa piin kimmo-ominaisuuksien lämpötilariippuvuuden.
- Eristävä tukilevy koostuu yhteen liitetyistä lasi- ja piilevyistä.
- Kerrosrakenteisen tukilevyn lämpölaajenemiskerroin saadaan halutun suuruiseksi valitsemalla pii- ja lasiker-rosten paksuudet sopivasti.
- Pii ja lasi on kerrosrakenteessa liitetty toisiinsa sähköstaattisella menetelmällä (viite [5]).
- Lasikerroksen paksuus on 50 pm...1 mm.
Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle paineanturille tunnusomaista on se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
4 71015
Keksinnön avulla saavutetaan huomattavia etuja. Niinpä keksinnön avulla voidaan kapasitiivisen paineanturin eristävän tukilevyn lämpötilakerrointa säädellä halutulla tavalla.
Keksintöä ryhdytään seuraavassa lähemmin tarkastelemaan kuvioiden 2-4 mukaisten suoritusesimerkkien avulla.
Kuvio 2 esittää sivuleikkauskuvantona yhtä keksinnön mukaista anturia.
Kuvio 3 esittää sivuleikkauskuvantona toista keksinnön mukaista anturia.
Kuvio 4 esittää kuvion 3 tasoa A-A myöten tehtyä leikkausta.
Kuviossa 2 on kuvion 1 mukainen paksu lasiosa 1 korvattu yhteen liitetyillä ohuella lasilla 5 ja paksummalla piilevyllä 6. Osat 5 ja 6 voi parhaiten liittää toisiinsa viiteen [5] mukaisella sähköstaattisella menetelmällä.
Kun piilevy 6 on paksu verrattuna lasilevyyn 5, voi taipuman jättää huomiotta ja laskea kerrosrakenteen lämpölaajenemis-kertoimen ou + rana.
a = —-3— . (Ί) 1 - mn missä a2 on piin ja α-j lasin lämpölaajenemiskerroin, m on lasin ja piin paksuuksien suhde ja n on lasin ja piin kimmo-kertoimien suhde.
Piin ja kerrosrakenteen (5, 6) lämpötilakertoimien ero on
mn(a1 - aO
Δα = -±i- (5) 1 + mn
Lasilla ja piillä on n = 0,36. Jos valitaan m = 0,5, saadaan Δα & 0,15 (α-|-α2)· On siis mahdollista pienentää oleellisesti piin ja lasin lämpölaajenemiskertoimien epäsovitusta.
5 71015
Valitsemalla lasi- ja piilevyjen paksuuksien suhde m sopivasti, voidaan saavuttaa tilanne, jossa lämpölaajenemiseron ja kimmokertoimlen lämpötilariippuvuudet kumoavat toisensa.
Keksintöä voi soveltaa myös esim. kuvioiden 3 ja 4 mukaisessa absoluuttisessa paineanturirakenteessa. Piikappaleeseen 13 on työstetty onkalo 14 tyhjökapselia varten ja syvennys 8 paineherkän kondensaattorin levyjen välistä rakoa varten. Tyhjökapseli on suljettu levyllä 15, joka koostuu ohuesta lasikerroksesta 17 ja paksummasta piilevystä 18. Levyt 17 ja 18 on ensin liitetty toisiinsa sähköstaattisella menetelmällä (viite [5]). Kerrosrakenne 15 on sen jälkeen liitetty tyhjössä piikappaleeseen 13 samalla menetelmällä.
Piikappaleessa kohdalle 13 jää tyhjökapselin 14 ja konden-saattorilevyjen välisen raon 8 kohdalle ohut piikalvo 16. Piikalvo 16 taipuu tyhjökapseliin 14 päin ulkoisen paineen vaikutuksesta. Piikappale 13 on liitetty tukikappaleeseen 19· Tukikappaleen 19 pinta on eristävää ainetta ja siihen on päällystetty ohut metallikalvo, johon on kuvioitu kiinteä kondensaattorilevy 7, johdin 12 ja liitosalueet 10 ja 11. Paineherkkä kondensaattori muodostuu taipuvan piikalvon 16 ja metalliointikuvion 7 väliin. Anturin kapasitanssin voi mitata liitosalueiden 10 ja 11 väliltä. Liitosalue 11 tekee sähköisen kontaktin piikappaleen 13 kanssa, ja liitosalue 10 on johtavassa yhteydessä metallikuvion 7 kanssa johtimen 12 välityksellä, joka kulkee pitkin tunnelia 9. Mittava paine pääsee vaikuttamaan piikalvoon 16 myös tunnelin 9 välityksellä. Tukikappale 19 koostuu ohuesta lasikerroksesta 20 ja piilevystä 21, jotka on liitetty toisiinsa sähköstaattisella menetelmällä (viite [5]). Piikappale 13 on liitetty tukilevyyn 19 samalla menetelmällä.
Kuvatun paineanturirakenteen lämpötilarakenteen lämpötila-riippuvuus on oleellisesti pienempi kuin sellaisen, jossa tyhjökapselin 14 sulkeva levy 15 Ja tukilevy 19 olisivat kokonaan lasia. Koska paineanturirakenne on symmetrinen, kumoutuvat levyjen 15 ja 19 kerrosrakenteesta johtuvat lämpötilasta riippuvat vääntömomentit.
6 71015
Keksinnön puitteissa voidaan ajatella myös edellä kuvatuista suoritusesimerkeistä poikkeavia ratkaisuja. Niinpä tukilevy-nä voi myös käyttää piilevyä, johon on kasvatettu eristekal-vo. Kuitenkin kalvon on oltava paksu hajakapasitanssien välttämiseksi, ja paksun kalvon kasvatus on hidasta ja kallista. Hiotun lasilevyn liittäminen sähköstaattisella menetelmällä (viite [5]) on nopea ja halpa työvaihe.

Claims (2)

1. Kapasitiivinen paineanturi, joka käsittää - tukilevyn (5, 6; 19), joka koostuu piikerroksesta (6; 21) ja tämän päällä olevasta lasi kerroksesta (5; 20), - tukilevyn (5, 6; 19) päälle sovitetun kiinteän kondensaattorilevyn (4; 7) ja - tukilevyn (5, 6; 19) päälle kiinteää kondensaattorilevyä (4; 7) ympäröivästi sovitetun piilevyn (2; 13), jonka keskiosa on ohennettu liikkuvana kondensaattorilevynä toimivaksi kalvo-maiseksi rakenteeksi (3; 16), t u n n e t t u siitä, että - lasikerros (5; 20) on piikerrosta (6; 21) siten olennaisesti ohuempi, että näin saadun yhdis-telmälevyn (5, 6; 20, 21) ja piikalvon (3; 16) läm-pölaajenemisero olennaisesti supistuu lasikerroksen (5; 20) ja piikerroksen (6; 21) paksuuksien suhteen pienenemisen vaikuttaessa yhdistelmälevyn (5, 6; 20, 21) lämpölaajenemiskerrointa pienentävästi, ja - lasikerros (5; 20) on levymäisenä yhdistetty pii-kerrokseen (6; 21) sähköstaattisella menetelmällä.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen anturi, jossa absoluuttisena paineanturina toimivana on piilevyn (13) päälle sovitettu tyhjökapselin (14) peittävä kansilevy (15), tunnettu siitä, että myös tämä kansilevy koostuu piikerroksesta (18) ja tähän kiinnitetystä, piilevyä (13) vasten olevasta lasikerroksesta (17), joka on piikerrosta (18) olennaisesti ohuempi (kuviot 3 ja 4).
FI840701A 1984-02-21 1984-02-21 Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare FI71015C (fi)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI840701A FI71015C (fi) 1984-02-21 1984-02-21 Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare
US06/701,864 US4589054A (en) 1984-02-21 1985-02-15 Capacitive pressure detector independent of temperature
BR8500735A BR8500735A (pt) 1984-02-21 1985-02-15 Detector de pressao capacitivo
GB08504079A GB2156078B (en) 1984-02-21 1985-02-18 Electrical pressure sensor
NL8500466A NL8500466A (nl) 1984-02-21 1985-02-19 Capacitieve drukdetector.
IT12438/85A IT1186833B (it) 1984-02-21 1985-02-20 Rivelatore capacitivo di pressione indipendente dalla temperatura
FR8502409A FR2559900B1 (fr) 1984-02-21 1985-02-20 Detecteur de pression capacitif insensible aux variations de temperature
JP60033645A JPS60202323A (ja) 1984-02-21 1985-02-21 圧力用デイテクタ
DE3505925A DE3505925C2 (de) 1984-02-21 1985-02-21 Kapazitiver Druckmesser

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI840701A FI71015C (fi) 1984-02-21 1984-02-21 Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare
FI840701 1984-02-21

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI840701A0 FI840701A0 (fi) 1984-02-21
FI840701A FI840701A (fi) 1985-08-22
FI71015B true FI71015B (fi) 1986-07-18
FI71015C FI71015C (fi) 1986-10-27

Family

ID=8518585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI840701A FI71015C (fi) 1984-02-21 1984-02-21 Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4589054A (fi)
JP (1) JPS60202323A (fi)
BR (1) BR8500735A (fi)
DE (1) DE3505925C2 (fi)
FI (1) FI71015C (fi)
FR (1) FR2559900B1 (fi)
GB (1) GB2156078B (fi)
IT (1) IT1186833B (fi)
NL (1) NL8500466A (fi)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI75426C (fi) * 1984-10-11 1988-06-09 Vaisala Oy Absoluttryckgivare.
JPS63149531A (ja) * 1986-12-12 1988-06-22 Fuji Electric Co Ltd 静電容量式圧力センサ
FI84401C (fi) * 1987-05-08 1991-11-25 Vaisala Oy Kapacitiv tryckgivarkonstruktion.
FI872049A (fi) * 1987-05-08 1988-11-09 Vaisala Oy Kondensatorkonstruktion foer anvaendning vid tryckgivare.
GB8718637D0 (en) * 1987-08-06 1987-09-09 Spectrol Reliance Ltd Sealing electrical feedthrough
US4960177A (en) * 1988-06-03 1990-10-02 University Of Hawaii Silicon membrane micro-scale
JPH04268725A (ja) * 1991-02-25 1992-09-24 Canon Inc 力学量検出センサおよびその製造方法
GB2258050B (en) * 1991-07-26 1994-11-30 Fuji Electric Co Ltd Electrostatic capacity type differential pressure detector
DE4234237C2 (de) * 1992-10-10 2000-11-30 Bosch Gmbh Robert Temperaturkompensierter Mikroaktor
WO1994017383A1 (de) * 1993-01-19 1994-08-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Drucksensor
US5369544A (en) * 1993-04-05 1994-11-29 Ford Motor Company Silicon-on-insulator capacitive surface micromachined absolute pressure sensor
FI93059C (fi) * 1993-07-07 1995-02-10 Vaisala Oy Kapasitiivinen paineanturirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi
FI93579C (fi) * 1993-08-20 1995-04-25 Vaisala Oy Sähköstaattisen voiman avulla takaisinkytketty kapasitiivinen anturi ja menetelmä sen aktiivisen elementin muodon ohjaamiseksi
NO179651C (no) * 1994-03-07 1996-11-20 Sinvent As Trykkmåler
US5479827A (en) * 1994-10-07 1996-01-02 Yamatake-Honeywell Co., Ltd. Capacitive pressure sensor isolating electrodes from external environment
US6662663B2 (en) 2002-04-10 2003-12-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Pressure sensor with two membranes forming a capacitor
JP4683618B2 (ja) * 2005-02-10 2011-05-18 キヤノンアネルバ株式会社 隔膜型圧力センサ及びその製造方法
JP2009250874A (ja) * 2008-04-09 2009-10-29 Nagano Keiki Co Ltd 物理量センサおよびその製造方法
TWI550261B (zh) * 2014-03-17 2016-09-21 立錡科技股份有限公司 微機電壓力計以及其製作方法
CN104931188A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 立锜科技股份有限公司 微机电压力计以及其制作方法
US20170328800A1 (en) * 2014-07-11 2017-11-16 Richtek Technology Corporation Combo micro-electro-mechanical system device and manufacturing method thereof

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4203128A (en) * 1976-11-08 1980-05-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Electrostatically deformable thin silicon membranes
US4158217A (en) * 1976-12-02 1979-06-12 Kaylico Corporation Capacitive pressure transducer with improved electrode
JPS55732A (en) * 1978-06-20 1980-01-07 Tokyo Tokushu Densen Toryo Kk Preparation of polyimide/polyhydantoin resin coating composition
JPS5516228A (en) * 1978-07-21 1980-02-04 Hitachi Ltd Capacity type sensor
US4386453A (en) * 1979-09-04 1983-06-07 Ford Motor Company Method for manufacturing variable capacitance pressure transducers
JPS5698630A (en) * 1980-01-11 1981-08-08 Hitachi Ltd Capacitive sensor
US4390925A (en) * 1981-08-26 1983-06-28 Leeds & Northrup Company Multiple-cavity variable capacitance pressure transducer
JPS5854676A (ja) * 1981-09-28 1983-03-31 Hitachi Ltd 半導体圧力変換器
US4415948A (en) * 1981-10-13 1983-11-15 United Technologies Corporation Electrostatic bonded, silicon capacitive pressure transducer
US4467394A (en) * 1983-08-29 1984-08-21 United Technologies Corporation Three plate silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer

Also Published As

Publication number Publication date
FI840701A (fi) 1985-08-22
NL8500466A (nl) 1985-09-16
GB2156078A (en) 1985-10-02
IT8512438A0 (it) 1985-02-20
FI71015C (fi) 1986-10-27
US4589054A (en) 1986-05-13
IT1186833B (it) 1987-12-16
FR2559900A1 (fr) 1985-08-23
GB2156078B (en) 1987-05-13
FI840701A0 (fi) 1984-02-21
JPS60202323A (ja) 1985-10-12
DE3505925C2 (de) 1996-01-11
FR2559900B1 (fr) 1987-02-27
BR8500735A (pt) 1985-10-08
JPH0583854B2 (fi) 1993-11-29
DE3505925A1 (de) 1985-08-22
GB8504079D0 (en) 1985-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI71015B (fi) Temperaturoberoende kapacitiv tryckgivare
FI74350C (fi) Kapacitiv absoluttryckgivare.
KR100486322B1 (ko) 반도체압력센서
AU686916B2 (en) Capacitive absolute pressure sensor and method
FI75426C (fi) Absoluttryckgivare.
EP1093571B1 (en) Method of fabricating silicon capacitive sensor
US4831492A (en) Capacitor construction for use in pressure transducers
US7017420B2 (en) Miniaturized pressure sensor
JP2517467B2 (ja) 静電容量式圧力センサ
US5186054A (en) Capacitive pressure sensor
JP3114570B2 (ja) 静電容量型圧力センサ
US6973835B2 (en) Pressure sensor
US4467394A (en) Three plate silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer
JPH0726886B2 (ja) 集積容量性圧力センサ及びその製造方法
EP0672898B1 (en) Semiconductor pressure sensor with polysilicon diaphragm and single-crystal gage elements and fabrication method therefor
CN110174198B (zh) 具有机械解耦的温度传感器的应变仪
JPH06129933A (ja) 過圧保護ポリシリコン容量性差圧センサー及びその製造方法
US4862317A (en) Capacitive pressure transducer
JPH0324793B2 (fi)
US5744725A (en) Capacitive pressure sensor and method of fabricating same
JP3172953B2 (ja) 静電容量式圧力センサ
CN113758613A (zh) 基于soi的电阻中心放置的压阻式压力传感器
FI114825B (fi) Menetelmä kapasitiivisen anturin lämpötilariippuvuuden pienentämiseksi sekä kapasitiivinen anturirakenne
JP2000004028A (ja) 半導体力学量センサの製造方法及び半導体圧力センサの製造方法
CN218646479U (zh) 压力传感器

Legal Events

Date Code Title Description
MA Patent expired

Owner name: VAISALA OY