CN218646479U - 压力传感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种压力传感器，该压力传感器包括：衬底，设置在衬底的第一侧上的第一电极层以及第一介质层，设置在第一介质层上的第二介质层，以及，设置在第二介质层上的第二电极层；衬底、第一介质层、第二介质层围设形成密封腔体，第一电极层的第一部分位于密封腔体内，从而构成第一电极；第二电极层中与第一电极对应的部分构成第二电极，第一电极与第二电极构成一组可变电容，充分利用了密封腔体的空间，增大了第一电极的极板面积，并且第二电极层中与第一电极对应的部分构成第二电极，不同的第一电极单独对应一个第二电极，从而提高了压力传感器的灵敏度。

Description

压力传感器

技术领域

本实用新型涉及传感器领域，尤其涉及一种压力传感器。

背景技术

MEMS(MEMS，Micro-Electro-Mechanical System)压力传感器是发展最早、市场占有率极大的微机电传感器，被广泛应用于消费电子、医疗、汽车、工控等领域。压阻式压力传感器和电容式压力传感器是MEMS压力传感器的两种类型。其中，压阻式压力传感器具有高灵敏度、低功耗、高线性度等优点，但是其最大的缺点是温漂，对温度敏感，因为其电阻是采用半导体掺杂工艺形成，极容易受温度影响；而电容式压力传感器等与压阻式相比，其最大的优点是低温漂，因为其通过检测两个极板之间的电容变化输出信号，其温漂远低于压阻。因此，在一些对温度稳定性要求苛刻的应用下，如高度计、无人机等，通常会采用电容式压力传感器。

目前，常用的电容式压力传感器包括衬底，形成于衬底上的绝缘层，形成于绝缘层上的下电极以及通过介质层支撑的下电极上方的压力敏感膜，下电极位于绝缘层与介质层之间形成的空腔内，并且每一个空腔内设置有多个间隔的下电极，从而使得下电极的有效面积减小，并且不同的下电极对应同一个上电极从而使得电容式压力传感器的灵敏度较小。

实用新型内容

本实用新型公开了一种压力传感器，提高了压力传感器的灵敏度，具体方案如下：

第一方面，提供一种压力传感器，包括：衬底，设置在所述衬底的第一侧上的第一电极层以及第一介质层，设置在所述第一介质层上的第二介质层，以及，设置在所述第二介质层上的第二电极层；

所述衬底、所述第一介质层以及所述第二介质层围设形成密封腔体，所述第一电极层的第一部分位于所述密封腔体内，从而构成第一电极；

所述第二电极层中与所述第一电极对应的部分构成第二电极，所述第一电极与所述第二电极构成一组可变电容。

进一步地，在垂直于所述衬底的厚度方向的平面上，所述第一电极的投影覆盖所述第二电极的投影。。

进一步地，所述第二介质层包括第一子介质层以及第二子介质层；

所述第一子介质层覆盖在所述第一介质层上，所述第二子介质层覆盖在所述第一子介质层上；

所述第二电极层的下表面与所述第二子介质层的上表面平齐。

进一步地，所述第二介质层包括第一子介质层以及第二子介质层；

所述第一子介质层覆盖在所述第二介质层上，所述第二子介质层覆盖在所述第一子介质层上；

所述第二电极层的上表面与所述第二子介质层的上表面平齐。

进一步地，所述第一电极层还包括位于所述密封腔体外且被所述第一介质层覆盖的第二部分，所述第一部分与所述第二部分电性连接；

所述压力传感器还包括第三介质层、第一焊盘和第二焊盘，其中，所述第三介质层覆盖在所述第二介质层和所述第二电极层表面，所述第一焊盘贯穿所述第三介质层、所述第二介质层以及所述第一介质层从而与所述第一电极层的所述第二部分电性连接，所述第二焊盘贯穿所述第三介质层的从而与所述第二电极电性连接。

进一步地，所述衬底、所述第一介质层以及所述第二介质层围设形成多个所述密封腔体，不同的密封腔体之间通过所述第以介质层相互隔离；

每一所述密封腔体内均设置一个所述第一电极，所述第二电极层包括多个所述第二电极，不同的所述第二电极之间通过所述第三介质层相互隔离，多个所述第一电极与多个所述第二电极构成多组所述可变电容。

进一步地，至少一个所述密封腔体内设置有支撑结构，该密封腔内的第一电极与对应的第二电极构成一组固定电容；

其中，所述支撑结构从第一电极的位置延伸至所述第二介质层的位置/或从所述衬底的位置延伸至所述第二介质层的位置；

进一步地，所述支撑结构为柱状结构，或者，所述支撑结构填充满整个所述密封腔体。

进一步地，多组所述可变电容并联连接，多组所述可变电容对应的第一焊盘电性连接。

进一步地，包括第一可变电容、第二可变电容、第一固定电容、第二固定电容，其中，所述第一可变电容、所述第二可变电容、所述第一固定电容、所述第二固定电容组成惠斯通桥。

进一步地，所述第一可变电容的所述第二电极与所述第一固定电容的所述第二电极电性连接；

所述第二可变电容的所述第二电极与所述第二固定电容的所述第二电极电性连接；

所述第一可变电容的所述第一电极与所述第二固定电容的所述第一电极电性连接；

所述第二可变电容的所述第一电极与所述第一固定电容的所述第一电极电性连接。

进一步地，所述衬底内设置有PN结；

所述压力传感器还包括用于对所述PN结进行电性引出的导电元件。

进一步地，所述衬底的第二侧上设置有第四介质层，和/或，所述衬底的第一侧上设置有第四介质层，并且在所述衬底的第一侧上设置有第四介质层时，第一介质层和所述第一电极层均与所述第四介质层固定连接；

其中，所述第一侧与所述第二侧在所述衬底的厚度方向上相对应。

第二方面，提供一种压力传感器，包括：衬底，设置在所述衬底的第一侧上的第一电极层以及第一介质层，设置在所述第一介质层上的第二介质层，设置在所述第二介质层上的第五介质层，以及，设置在所述第五介质层上的第二电极层；

所述第一电极层被所述第一介质层分为第一部分以及第二部分，所述第一部分构成第一电极，第一部分与第二部分电性连接；

所述第三介质层以及所述第五介质层围设形成密封腔体，所述密封腔体的位置与所述第一电极的位置对应；

所述第二电极层中与所述第一电极对应的部分构成第二电极，所述第一电极与所述第二电极构成一组可变电容。

本实用新型的第一电极层的第一部分位于密封腔体内，从而构成第一电极，使得密封腔体内仅具有一个第一电极，充分利用了密封腔体的空间，增大了第一电极的极板面积，并且第二电极层中与第一电极对应的部分构成第二电极，不同的第一电极单独对应一个第二电极，从而提高了压力传感器的灵敏度。

附图说明

下面结合附图，通过对本实用新型的具体实施方式详细描述，将使本实用新型的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本实用新型实施例一中的压力传感器的结构示意图；

图2为本实用新型实施例一中具有柱状支撑结构的压力传感器的结构示意图；

图3为本实用新型实施例一中具有充满整个密封腔体的支撑结构的压力传感器的结构示意图；

图4为本实用新型实施例一中具有两个并联的可变电容的压力传感器的示意图；

图5为本实用新型实施例一中具有两个可变电容以及两个固定电容的压力传感器的示意图；

图6为本实用新型实施例一中两个可变电容以及两个固定电容组成惠斯通桥的示意图；

图7为本实用新型实施例二中的压力传感器的结构示意图；

图8为本实用新型实施例三中的压力传感器的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，在不做特别说明的情况下，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

本实用新型公开了一种压力传感器，包括：衬底，设置在衬底的第一侧上的第一电极层以及第一介质层，设置在第一介质层上的第二介质层，以及，设置在第二介质层上的第二电极层；衬底、第一介质层以及第二介质层围设形成密封腔体，第一电极层的第一部分位于密封腔体内，从而构成第一电极；第二电极层中与第一电极对应的部分构成第二电极，第一电极与第二电极构成一组可变电容，第一电极层的第一部分位于密封腔体内，从而构成第一电极，使得密封腔体内仅具有一个第一电极，充分利用了密封腔体的空间，增大了第一电极的极板面积，并且第二电极层中与第一电极对应的部分构成第二电极，不同的第一电极单独对应一个第二电极，从而提高了压力传感器的灵敏度。

下面将结合附图以及具体实施例对本实用新型中的压力传感器做详细阐述。

实施例一

如图1所示，本实用新型提供了一种压力传感器，包括：衬底100，设置在衬底100的第一侧上的第一电极层300以及第一介质层201，设置在第一介质层201上的第二介质层202，以及，设置在第三介质层203上的第二电极层；

衬底100、第一介质层201以及第二介质层202围设形成密封腔体601，第一电极层300的第一部分位于密封腔体601内，从而构成第一电极301；

第二电极层400中与第一电极301对应的部分构成第二电极401，第一电极301与第二电极401构成一组可变电容。

在本实施例中，衬底100的材料可以为是硅，也可以是其他材料，如砷化镓、碳化硅等，本申请对此不做限定，在本实施例中，密封腔体601的高度大于第一电极301的高度，通常高度差在1-2um，所述高度差为电容压力的间隙，避免第三介质层203触碰到第一电极301。

衬底100、第一介质层201以及第二介质层202围设形成密封腔体601，当压力传感器受到外界压力时，第二电极401、第二介质层202向朝向第一电极301的方向发生形变，此时，密封腔体601提供了形变空间，此时第一电极301与第二电极401之间的极板间距减小，电容增大，生成的电容信号经过信号处理电路处理，进行电容—电压信号转换，根据需求输出相应的信号，如模拟信号、数字信号、IIS(Internet Information Services，互联网信息)信号等。

在本实施例中，第一电极层的第一部分位于密封腔体601内，从而构成第一电极301，使得密封腔体601内仅具有一个第一电极301，充分利用了密封腔体601的空间，增大了第一电极301的极板面积，并且第二电极层400中与第一电极301对应的部分构成第二电极401，不同的第一电极301单独对应一个第二电极401，从而提高了压力传感器的灵敏度。

进一步地，在垂直于衬底100的厚度方向的平面上，第一电极301的投影覆盖第二电极401的投影。

在本实施例中，由于是通过第二电极401的形变产生电信号的，为了进一步提高压力传感器的灵敏度，在垂直于衬底100的厚度方向的平面上，第一电极301的投影覆盖第二电极401的投影，从而使得第二电极401任何一处产生形变时，都能够产生相应的电容信号，从而提高灵敏度。

进一步地，衬底100的第二侧上设置有第四介质层204，和/或，衬底100的第一侧上设置有第四介质层204，并且在衬底100的第一侧上设置有第四介质层204时，第一介质层201和第一电极层300与第四介质层204固定连接；

其中，第一侧与第二侧在衬底100的厚度方向上相对应。

在本实施例中，衬底100可以为一侧设置第四介质层204，也可以为两侧设置第四介质层204，第四介质层204起到了平坦化的作用，如图1所示，为衬底100的两侧均设置有第四介质层204。

第四介质层204的材料可以是TEOS(Tetraethyl orthosilicate，四乙氧基硅烷)。

进一步地，第二介质层202包括第一子介质层2021以及第二子介质层2022；

第一子介质层2031覆盖在第一介质层201上，第二子介质层2032覆盖在第一子介质层2031上；

第二电极层400的下表面与第二子介质层2032的上表面平齐。

在本实施例中，第二子介质层2032的材料可以是氮化硅，第一子介质层2031层的材料可以是TEOS。

在本实施例中，衬底100、第一介质层201是在第一晶圆上制作形成的，第二介质层202是在第二晶圆上制作形成的，而后将第一晶圆与第二晶圆键合之后，再制备第二电极层，因此，第二电极层400的下表面与第二子介质层2032的上表面平齐。

进一步地，第一电极层300还包括位于密封腔体601外且被第一介质层201覆盖的第二部分302，第一部分与第二部分302电性连接；

压力传感器还包括第三介质层203、第一焊盘501和第二焊盘502，其中，第三介质层203覆盖在第二介质层202和第二电极层400表面，第一焊盘501贯穿第三介质层203、第二介质层202以及第一介质层201从而与第一电极层的第二部分302电性连接，第二焊盘502贯穿第三介质层203从而与第二电极401电性连接。

在本实施例中，第三介质层203可以保护第二电极层免受环境污染、划伤等损坏，示例性地，第三介质层203为氮化硅，通过第一焊盘501实现第一电极301的电性引出，通过第二焊盘502实现第二电极401的电性引出。

进一步地，衬底100、第一介质层201、第二介质层202围设形成多个密封腔体601，不同的密封腔体601之间通过第一介质层201相互隔离；

每一密封腔体601内设置有一个第一电极301，第二电极层400包括多个第二电极401，不同的第二电极401之间通过第三介质层203相互隔离，多个第一电极301与多个第二电极401构成多组可变电容。

在本实施例中，通过设置多个密封腔体601，并且每一个密封腔体601设置一个第一电极301，从而形成多个可变电容，从而进一步地提高了压力传感器的灵敏度。

进一步地，多个密封腔体601中的一部分密封腔体601内设置有支撑结构701，该密封腔内的第一电极301与对应的第二电极401构成一组固定电容；

其中，支撑结构701从第一电极301的位置延伸至第二介质层202的位置或从衬底100的位置延伸至第二介质层202的位置。

在本实施例中，如图2以及图3所示，通过在密封腔体601内设置支撑结构701，从而在压力传感器受到外界气压作用时，避免该密封腔体601对应的第二电极401的形变，因此，形成了固定电容，该固定电容和可变电容所处的环境相同，因此，能够对外界产生干扰的响应基本一致，从而可以利用固定电容输出的电容信号过滤掉可变电容输出的电容信号中的干扰信号，从而提高了压力传感器输出信号的稳定性以及可靠性。

在本实施例中，支撑结构701的位置有多种，支撑结构701可以从第一电极301的位置延伸至第二介质层202的位置，还可从衬底100的位置延伸至第二介质层202的位置，还可为一部分从第一电极301的位置延伸至第二介质层202的位置，另一部分从衬底100的位置延伸至第二介质层202的位置，具体地，在图2以及图3中，衬底100的两侧均设置有第四介质层204，因此，支撑结构701从第一电极301的位置延伸至第二介质层202的位置或从第四介质层204的位置延伸至第二介质层202的位置。

进一步地，支撑结构701为柱状结构，或者，支撑结构701填充满整个密封腔体601。

进一步地，多组可变电容并联连接，多组可变电容对应的第一焊盘501电性连接。

在本实施例中，如图4所示，具有两组可变电容，并且两组可变电容分别为电容A以及电容B，电容A与电容B共用的一个第一焊盘501，从而使得电容A的第一电极301与电容B的第一电极301电性连接，实现了电容A与电容B的并联。

进一步地，压力传感器包括第一可变电容C_s1、第二可变电容C_s2、第一固定电容C_r1、第二固定电容C_r2，其中，第一可变电容C_s1、第二可变电容C_s2、第一固定电容C_r1、第二固定电容C_r2组成惠斯通桥。

在本实施例中，结合图5以及图6，第一可变电容C_s1、第二可变电容C_s2、第一固定电容C_r1、第二固定电容C_r2组成了一个惠斯通桥。

进一步地，第一可变电容C_s1的第二电极与第一固定电容C_r1的第二电极电性连接；

第二可变电容C_s2的第二电极与第二固定电容C_r2的第二电极电性连接；

第一可变电容C_s1的第一电极与第二固定电容C_r2的第一电极电性连接；

第二可变电容C_s2的第一电极与第一固定电容C_r1的第一电极电性连接。

在本实施例中，第一可变电容C_s1与第一固定电容C_r1共用第二焊盘502，从而使得第一可变电容C_s1的第二电极401与第一固定电容C_r1的第二电极401电性连接，第二可变电容C_s2与第二固定电容C_r2共用第二焊盘502，从而使得第二可变电容C_s2的第二电极与第二固定电容C_r2的第二电极401电性连接，第一可变电容C_s1与第二固定电容C_r2共用第一焊盘501，从而使得第一可变电容C_s1的第一电极与第二固定电容C_r2的第一电极301电性连接，第二可变电容C_s2与第一固定电容C_r1共用第一焊盘501，从而使得第二可变电容C_s2的第一电极与第一固定电容C_r1的第一电极301电性连接。

进一步地，衬底100内设置有PN结801；

压力传感器还包括用于对PN结801进行电性引出的导电元件802。

在本实施例中，在靠近衬底100的第一侧，衬底100内设置有PN结801，从而使得压力传感器可以当做温度传感器来使用，在后续信号调理中来调节温度对压力传感器性能的影响。

实施例二

在本实施例中，与实施例一不同的是，如图7所示，第二介质层202包括第一子介质层2021以及第二子介质层2022；

第一子介质层2021覆盖在第一介质层201上，第二子介质层2022覆盖在第一子介质层2021上；

第二电极层400的上表面与第二子介质层2022的上表面平齐。

在本实施例中，衬底100、第一电极层、第一介质层201是在第一晶圆上制作形成的，第二介质层202是在第二晶圆上制作形成的，并且在、第二介质层202上制备第二电极层400之后，再将第一晶圆与第二晶圆键合之后，再制备第二电极层，因此，第二电极层400的上表面与第二子介质层2022的上表面平齐。

在本实施例中，第一子介质层2021的下表面与第一介质层201的上表面平齐，从而便于将第一晶圆与第二晶圆键合。

本实施例的其他技术细节以及相应的技术效果参照实施例一，在此不再赘述。

实施例三

如图8所示，本实施例提供一种压力传感器，包括：衬底100，设置在衬底100的第一侧上的第一电极层以及第一介质层201，设置在第一介质层201上的第二介质层202，设置在第二介质层202上的第五介质层205，以及，设置在第五介质层205上的第二电极层400；

第一电极层被第一介质层201分为第一部分以及第二部分302，第一部分构成第一电极301，第一部分与第二部分302电性连接；

第二介质层202以及第五介质层205围设形成密封腔体601，密封腔体601的位置与第一电极301的位置对应；

第二电极层中与第一电极301对应的部分构成第二电极401，第一电极301与第二电极401构成一组可变电容。

在本实施例中与实施例一不同的是，衬底100、第一电极层300、第一介质层201、第二介质层202是在第一晶圆上制作形成的，第五介质层205是在第二晶圆上制作形成的，再将第一晶圆与第二晶圆键合之后，再制备第二电极层400。

进一步地，还包括覆盖第二电极层400以及第五介质层205的第三介质层203。

进一步地，压力传感器还包括贯穿第五介质层205、第三介质层203以及第二介质层202的第一焊盘501，以及，贯穿第三介质层203的第二焊盘502，其中，第一焊盘501与第一电极层的第二部分302电性连接，第二焊盘502与第二电极401电性连接。

进一步地，第五介质层205包括设置在第二介质层202上的第三子介质层2051以及设置在第三子介质层2051上的第四子介质层2052，第三子介质层2051包括用于形成密封腔体601的镂空区域。

本实施例的其他技术细节以及相应的技术效果参照实施例一，在此不再赘述。

综上所述，虽然本实用新型已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本实用新型，本领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本实用新型的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种压力传感器，其特征在于，包括：衬底(100)，设置在所述衬底(100)的第一侧上的第一电极层(300)以及第一介质层(201)，设置在所述第一介质层(201)上的第二介质层(202)，以及，设置在所述第二介质层(202)上的第二电极层(400)；

所述衬底(100)、所述第一介质层(201)以及所述第二介质层(202)围设形成密封腔体(601)，所述第一电极层(300)的第一部分位于所述密封腔体(601)内，从而构成第一电极(301)；

所述第二电极层(400)中与所述第一电极(301)对应的部分构成第二电极(401)，所述第一电极(301)与所述第二电极(401)构成一组可变电容。

2.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，在垂直于所述衬底(100)的厚度方向的平面上，所述第一电极(301)的投影覆盖所述第二电极(401)的投影。

3.如权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述第二介质层(202)包括第一子介质层(2021)以及第二子介质层(2022)；

所述第一子介质层(2021)覆盖在所述第一介质层(201)上，所述第二子介质层(2022)覆盖在所述第一子介质层(2021)上；

所述第二电极层(400)的下表面与所述第二子介质层(2022)的上表面平齐。

4.如权利要求2所述的压力传感器，其特征在于，所述第二介质层(202)包括第一子介质层(2021)以及第二子介质层(2022)；

所述第一子介质层(2021)覆盖在所述第一介质层(201)上，所述第二子介质层(2022)覆盖在所述第一子介质层(2021)上；

所述第二电极层(400)的上表面与所述第二子介质层(2022)的上表面平齐。

5.如权利要求2所述的压力传感器，其特征在于，所述第一电极层(300)还包括位于所述密封腔体(601)外且被所述第一介质层(201)覆盖的第二部分(302)，所述第一部分与所述第二部分(302)电性连接；

所述压力传感器还包括第三介质层(203)、第一焊盘(501)和第二焊盘(502)，其中，所述第三介质层(203)覆盖在所述第二介质层(202)和所述第二电极层(400)表面，所述第一焊盘(501)贯穿所述第三介质层(203)、所述第二介质层(202)以及所述第一介质层(201)从而与所述第一电极层(300)的所述第二部分(302)电性连接，所述第二焊盘(502)贯穿所述第三介质层(203)从而与所述第二电极(401)电性连接。

6.如权利要求5所述的压力传感器，其特征在于，所述衬底(100)、所述第一介质层(201)以及所述第二介质层(202)围设形成多个所述密封腔体(601)，不同的密封腔体(601)之间通过所述第一介质层(201)相互隔离；

每一所述密封腔体(601)内均设置一个所述第一电极(301)，所述第二电极层(400)包括多个所述第二电极(401)，不同的所述第二电极(401)之间通过所述第三介质层(203)相互隔离，多个所述第一电极(301)与多个所述第二电极(401)构成多组所述可变电容。

7.如权利要求6所述的压力传感器，其特征在于，至少一个所述密封腔体(601)内设置有支撑结构(701)，该密封腔内的第一电极(301)与对应的第二电极(401)构成一组固定电容；

其中，所述支撑结构(701)从第一电极(301)的位置延伸至所述第二介质层(202)的位置或从所述衬底(100)的位置延伸至所述第二介质层(202)的位置。

8.如权利要求7所述的压力传感器，其特征在于，所述支撑结构(701)为柱状结构，或者，所述支撑结构(701)填充满整个所述密封腔体(601)。

9.如权利要求6所述的压力传感器，其特征在于，多组所述可变电容并联连接，多组所述可变电容对应的第一焊盘(501)电性连接。

10.如权利要求7所述的压力传感器，其特征在于，包括第一可变电容、第二可变电容、第一固定电容、第二固定电容，其中，所述第一可变电容、所述第二可变电容、所述第一固定电容、所述第二固定电容组成惠斯通桥。

11.如权利要求10所述的压力传感器，其特征在于，所述第一可变电容的所述第二电极(401)与所述第一固定电容的所述第二电极(401)电性连接；

所述第二可变电容的所述第二电极(401)与所述第二固定电容的所述第二电极(401)电性连接；

所述第一可变电容的所述第一电极(301)与所述第二固定电容的所述第一电极(301)电性连接；

所述第二可变电容的所述第一电极(301)与所述第一固定电容的所述第一电极(301)电性连接。

12.如权利要求1至11任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述衬底(100)内设置有PN结(801)；

所述压力传感器还包括用于对所述PN结(801)进行电性引出的导电元件(802)。

13.如权利要求1至11任一项所述的压力传感器，其特征在于，所述衬底(100)的第二侧上设置有第四介质层(204)，和/或，所述衬底(100)的第一侧上设置有第四介质层(204)，并且在所述衬底(100)的第一侧上设置有第四介质层(204)时，第一介质层(201)和所述第一电极层(300)均与所述第四介质层(204)固定连接；

其中，所述第一侧与所述第二侧在所述衬底(100)的厚度方向上相对应。

14.一种压力传感器，其特征在于，包括：衬底(100)，设置在所述衬底(100)的第一侧上的第一电极层(300)和第一介质层(201)，设置在所述第一介质层(201)上的第二介质层(202)，设置在所述第二介质层(202)上的第五介质层(205)，以及，设置在所述第五介质层(205)上的第二电极层(400)；

所述第一电极层(300)被所述第一介质层(201)分为第一部分以及第二部分(302)，所述第一部分构成第一电极(301)，第一部分与第二部分(302)电性连接；

所述第二介质层(202)以及所述第五介质层(205)围设形成密封腔体(601)，所述密封腔体(601)的位置与所述第一电极(301)的位置对应；

所述第二电极(401)层中与所述第一电极(301)对应的部分构成第二电极(401)，所述第一电极(301)与所述第二电极(401)构成一组可变电容。

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