FI122879B - Menetelmä lasin pinnan muokkaamiseksi - Google Patents

Menetelmä lasin pinnan muokkaamiseksi Download PDF

Info

Publication number
FI122879B
FI122879B FI20080128A FI20080128A FI122879B FI 122879 B FI122879 B FI 122879B FI 20080128 A FI20080128 A FI 20080128A FI 20080128 A FI20080128 A FI 20080128A FI 122879 B FI122879 B FI 122879B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
glass
particles
temperature
glass surface
alumina
Prior art date
Application number
FI20080128A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20080128A0 (fi
FI20080128A (fi
Inventor
Markku Rajala
Anssi Hovinen
Sami Sneck
Sampo Ahonen
Matti Putkonen
Joe Pimenoff
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Priority to FI20080128A priority Critical patent/FI122879B/fi
Publication of FI20080128A0 publication Critical patent/FI20080128A0/fi
Priority to PCT/FI2009/000026 priority patent/WO2009103842A1/en
Priority to EP09712653A priority patent/EP2250134A4/en
Priority to CN2009801050679A priority patent/CN101945831A/zh
Priority to EA201070946A priority patent/EA017910B1/ru
Priority to US12/811,714 priority patent/US20110041556A1/en
Publication of FI20080128A publication Critical patent/FI20080128A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI122879B publication Critical patent/FI122879B/fi

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/14Protective coatings, e.g. hard coatings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23Oxides
    • C03C17/25Oxides by deposition from the liquid phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/06Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0005Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
    • C03C23/006Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by plasma or corona discharge
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/403Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/405Oxides of refractory metals or yttrium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/453Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating passing the reaction gases through burners or torches, e.g. atmospheric pressure CVD
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56After-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21Oxides
    • C03C2217/214Al2O3
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00Coatings on glass
    • C03C2217/20Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21Oxides
    • C03C2217/22ZrO2

Description

Menetelmä lasin pinnan muokkaamiseksi Keksinnön ala 5 Esillä oleva keksintö liittyy lasin pinnan muokkaukseen siten että lasin kemiallinen kestävyys paranee. Lasin pinnan muokkaus voidaan edullisesti tehdä tasolasin valmistusprosessin tai lasin prosessoinnin, kuten karkaisun yhteydessä. Lasin kemiallisen kestävyyden parantamiseksi lasin pintakerrokseen kasvatetaan kiteisiä nanokokoisia metallioksidihiukkasia, 10 kuten alumiini- tai zirkoniumoksidihiukkasia. Menetelmä voidaan edullisesti toteuttaa käyttämällä nesteliekkiruiskutusprosessia.
Tunnetun tekniikan taso ia sen ongelma 15 On tunnettua, että alumiinioksidipinnoitteita käytetään useissa sovelluksissa, kuten elektroniikan ja optiikan sovelluksissa. Alumiinioksidipinnoitteet kestävät hyvin kulutusta ja niitä on käytetty monien substraattien, kuten metallien, puolijohteiden ja lasin pinnalla. Alumiinioksidipinnoite voidaan kasvattaa useilla kasvatusmenetelmillä, kuten 20 kemiallisella kaasufaasikasvatuksella (CVD), spray pyrolyysimenetelmällä tai sputteroimalla.
Normaali-ilmakehässä toimivaa CVD-prosessia on käytetty useiden pinnoitteiden kasvattamiseen lasirainan päälle lasin valmistusprosessin £! 25 yhteydessä. Alumiinioksidista on valmistettu lasirainan pinnalle pinnoite δ ™ useaa vaihtoehtoista raaka-ainetta käyttäen, kuten käy ilmi o patenttihakemusjulkaisusta WO 2005/087678 AI, Pilkington North America oj Inc, 22.9.2005. Menetelmässä lasirainan pinnalle tuotetaan erillinen | alumiinioksidikalvo. Tällaisen kalvon ongelmana lasin kemiallisen oo 30 kestävyyden parantamisessa on se, että kalvo ei muodosta kerrosta lasin
CM
5 kanssa, eli se ei oleellisesti muokkaa lasin pintakerrosta vaan on todellakin 00 § erillinen kalvo. Kalvon adheesio lasiin ja adheesion muuttuminen
(M
2 kemiallisesssa rasituksessa aiheuttaa ongelmia lasin kemialliselle kestävyydelle.
Patenttijulkaisussa US 3,762, 898, Pilkington Brothers Ltd., 2.10.1973, 5 on esitetty menetelmä lasin ominaisuuksien muuttamiseksi lasin valmistusprosessin, eli float-prosessin yhteydessä. Menetelmä perustuu metallien elektrolyyttiseen tunkeutumiseen lasipintaan. Menetelmän edellytyksenä on, että lasi on float-prosessin tinakylvyssä, jolloin lasin lämpötila on 600-900 °C. Menetelmässä lasin pinta koskettaa sulaan 10 metalliin.
On yleisesti tunnettua, että lasin kemiallista kestävyyttä voidaan parantaa lisäämällä lasimassaan alumiinioksidia tai zirkoniumoksidia. Näiden lisääminen lasimassaan niostaa kuitenkin tarvittavaa sulatuslämpötilaa, mikä 15 nostaa lasin valmistuskustannuksia.
On siis olemassa tarve menetelmällä, jolla lasin pintakerrosta voidaan muokata siten, että lasin kemiallinen kestävyys paranee.
20 Keksinnön yhteenveto
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on aikaansaada menetelmä, jolla lasin pintakerros voidaan muokata siten, että lasin kemiallinen kestävyys paranee.
£! 25 Tähän päästään itsenäisen patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosan o mukaisella menetelmällä, jossa menetelmässä lasin pinnan lämpö saatetaan
LO
9 vähintään 550°C lämpötilaan, lasin pintaan ohjataan keskimääräiseltä 00 halkaisijaltaan alle 1000 nm suuruisia hiukkasia, hiukkaset sisältävät kiteistä | metallin oksidia, hiukkaset diffundoituvat lasin pintakerrokseen, ja hiukkaset oo 30 kiteytyvät lasin pintakerroksessa.
δ oo o o
(M
3
Keksinnön mukaisen menetelmän kannalta on edullista, että nanohiukkasten keskimääräinen halkaisija on korkeintaan 1000 nm, edullisesti korkeintaan 100 nm ja edullisimmin korkeintaan 50 nm. Edelleen keksinnön mukaisen menetelmän kannalta on edullista, että nanohiukkasten 5 sisältämä metalli on alumiini tai zirkonium. Keksinnön mukaisen menetelmän kannalta on myös edullista tuottaa metallioksidihiukkaset kaasu-hiukkasmuuntuman kautta.
Keksinnön mukainen menetelmä voidaan edullisesti toteuttaa 10 nesteliekkiruiskutuslaitteella tai laserdepositiolaitteella. Edullista keksinnölle on, että menetelmää käytetään lasin valmistus- tai prosessointilinjalla, kuten float-linjalla, lasin valulinjalla tai lasin karkaisulinjalla.
Keksintö sisältää myös nesteliekkiruiskutuslaitteen käytön lasin pinnan 15 muokkaamiseksi keksinnössä kuvatulla menetelmällä.
Piirustusten kuvaus
Kuva 1 esittää nesteliekkiruiskutuslaitteen käyttöä lasin pinnan 20 muokkaamiseksi keksinnön mukaisella menetelmällä.
Kuva 2 esittää pulssilaserdepositiolaitteen käyttöä lasin pinnan muokkaamiseksi keksinnön mukaisella menetelmällä.
25 Keksintöä kuvataan seuraavassa esimerkinomaisesti piirustuksiin o ^ viitaten.
i tn o i co
(M
| Keksinnön yksityiskohtainen kuvaus oo 30
(M
5 Kuva 1 (ei mittakaavassa) esittää nesteliekkiruiskutuslaitteen 2 00 § käyttöä lasin pinnan 9 muokkaamiseksi esillä olevan keksinnön mukaisella
(M
4 menetelmällä. Runkoon 1 kiinnitettyyn nesteliekkiruiskutuslaitteistoon 2 syötetään kanavasta 3 liuosta, joka koostuu metanoliin liuotetusta kidevedellisestä alumiininitraatista ΑΙ(Νθ3)3·9Η2θ. Kidevedellistä alumiininitraattia on liuotettu metanoliin painosuhteessa 1:30, Kyseistä 5 liuosta syötetään nesteliekkiruiskutuslaitteeseen 2 kanavasta 3 tilavuusvirtauksella 10 ml/min. Kaasukanavasta 4 syötetään nesteliekkiruiskutuslaitteeseen 2 vetykaasua H2 tilavuusvirtauksella 30 l/min.
Kaasukanavasta 5 syötetään nesteliekkiruiskutuslaitteeseen 2 happikaasua 02 tilavuusvirtauksella 15 l/min. Nesteliekkiruiskutuslaitteen 2 ulostulopäässä j 10 vetyjä happi sytytetään, jolloin muodostuu liekki 6, Liekkiin 6 pirskotettava alumiininitraattia ja metanolia sisältävä neste muodostaa liekissä kaasu- hiukkassiirtymän kautta alumiinioksidihiukkasia 7. Hiukkasten 7 halkaisijan mediaani on edullisesti alle 1000 nm, edullisemmin alle 100 nm, jolloin hiukkaset ovat niin pieniä, että ne eivät aiheuta merkittäviä optisia virheitä ja 15 edullsimmin alle 50 nm, jolloin ne eivät aiheuta optisia virheitä. Yllättäen on havaittu, että kun alumiinioksidihiukkaset syntyvät kaasu-hiukkasiirtymän kautta, eli sillä tavoin, että nestepisaroiden sisältämä alumiini ensin oleellisesti haihtuu liekissä 6, alumiinihuuru reagoi hapen kanssa, ydintyy pieniksi alumiinioksidihiukkasiksi, jotka edelleen kondensoitumisen 20 seurauksena kasvavat suuremmiksi, halkaisijaltaan 1 - 1000 nm suuruisiksi hiukkasiksi, ovat syntyneet alumiinioksidihiukkaset oleellisesti kiteistä alumiinioksidia γ-ΑΙ203, joka edelleen lasin pinnalla 9 ja hiukkasten diffundoituessa lasiin 8 muuttuu, lasin lämpötilan ollessa yli 550°C, kiteiseksi alumiinioksidiksi a-AI203. Mikäli alumiinioksidihiukkaset 7 syntyvät 25 nesteliekkiruiskutuslaitteessa 2 vaihtoehtoisen hiukkasmuodostumisreitin, eli o spraykuivausreitin kautta, syntyy amorfisia alumiinioksidihiukkasia 7, joiden m 9 keskimääräinen halkaisija on tyypillisesti noin 1000 nm luokkaa. Nämä
CO
^ hiukkaset muuttuvat ainakin osittain kiteiseksi alumiinioksidiksi lasin 8 | pinnalla 9, mikäli lasin pinnan 9 lämpötila on yli 550°C. Mikäli lasin pinnan 9 oo 30 lämpötila on kuuma, oleellisesti kuumempi kuin 750°C, liuekenee valtaosa δ alumiinioksidista lasimatriisiin ja muuttuu amorfiseksi. Täten keksinnön oo o mukaisen menetelmän kannalta on edullista, että lasin pinnan 9 lämpötila on
(M
5 korkeintaan 750°C. Tällainen tilanne saavutetaan edullisesti tasolasin valmistusprosessissa, eli float-prosessissa, kun tasolasi siirtyy tinakylvyn päältä lasin jäähdytysuuniin, jolla alueella lasin pinnan 9 lämpötila on yleensä 630 - 550°C. Vastaavasti tällainen tilanne saavutetaan edullisesti lasin 5 valuprosessin yhteydessä, kun lasiraina siirtyy sulalasivannasta valulinjalle, jolloin lasin pinnan 9 lämpötila on yleensä 750 - 550 °C. Edelleen tällainen tilanne saavutetaan edullisesti lasin karkaisuprosessin yhteydessä, lasin lämmitysuunissa, jossa lasin 8 lämpötila on yleensä noin 650°C. Edelleen tällainen tilanne voidaan saavuttaa lasin valmistus- tai prosessointilinjalla 10 lämmittämällä lasin pintaa 9 siten, että pinnan 9 lämpötila nousee vähintään 550°C lämpötilaan. Tällainen lämmittäminen voidaan edullisesti tehdä konvektiivisesti, esimerkiksi kuumailmapuhaltimilla tai liekillä, joka voi olla esimerkiksi nesteliekkiruiskutuslaitteen 2 liekki 6.
15 Kuva 2 (ei mittakaavassa) esittää laserdepositiolaitteen 12 käyttöä lasin pinnan 9 muokkaamiseksi esillä olevan keksinnön mukaisella menetelmällä. Laserdepositiolaitteella 12 suunnataan pulssitettu 14 lasersäde 13 kohtioon 11. Kohtio 11 on valmistettu zirkoniumoksidista Zr02. Zirkoniumoksidi parantaa lasin kemiallista kestävyyttä. Lasersäde 13 irrottaa 20 kohtiosta 11 zirkoniumoksidia, josta muodostuu plumessa 15 zirkoniumoksidihiukkasia 7. Hiukkasten 7 halkaisijan mediaani on edullisesti alle 1000 nm, edullisemmin alle 100 nm, jolloin hiukkaset ovat niin pieniä, että ne eivät aiheuta merkittäviä optisia virheitä ja edullsimmin alle 50 nm, jolloin ne eivät aiheuta optisia virheitä. Hiukkasten 7 stokiometria on sama
C\J
^ 25 kuin kohtiossa 11 olevan zirkoniumoksidin stokiometria. Mikäli lasin pinnan 9
C\J
^ lämpötila on kuuma, oleellisesti kuumempi kuin 750°C, liukenee ainakin osa ° zirkoniumoksidista lasimatriisiin. Täten keksinnön mukaisen menetelmän
CO
^ kannalta on edullista, että lasin pinnan 9 lämpötila on korkeintaan 750°C.
X
£ Tällainen tilanne saavutetaan edullisesti tasolasin valmistusprosessissa, eli °° 30 float-prosessissa, kun tasolasi siirtyy tinakylvyn päältä lasin jäähdytysuuniin, § jolla alueella lasin pinnan 9 lämpötila on yleensä 630 - 550°C. Vastaavasti o o tällainen tilanne saavutetaan edullisesti lasin valuprosessin yhteydessä, kun 6 lasiraina siirtyy sulalasivannasta valulinjalle, jolloin lasin pinnan 9 lämpötila on yleensä 750 - 550 °C. Edelleen tällainen tilanne saavutetaan edullisesti lasin karkaisuprosessin yhteydessä, lasin lämmitysuunissa, jossa lasin 8 lämpötila on yleensä noin 650°C, Edelleen tällainen tilanne voidaan saavuttaa 5 lasin valmistus- tai prosessointilinjalla lämmittämällä lasin pintaa 9 siten, että pinnan 9 lämpötila nousee vähintään 550°C lämpötilaan. Tällainen lämmittäminen voidaan edullisesti tehdä konvektiivisesti, esimerkiksi kuumailmapuhaltimilla tai liekillä.
10 Alan ammattimiehelle on itsestäänselvää, että tekniikan kehittyessä keksinnöllinen kokonaisuus voidaan toteuttaa monella tavalla. Keksintö ja sen suoritusmuodot eivät rajoitu yllä esitettyihin esimerkkeihin vaan ne voivat vaihdella patenttivaatimusten suojapiirin sisällä.
15
(M
δ C\l
LO
o co
CM
X
cc
CL
co
CM
O
co o o
CM

Claims (6)

1. Menetelmä lasin pinnan muokkaamiseksi, tunnettu siitä, että a. lasin pinnan lämpötila on vähintään 550°C, b. lasin pintaan ohjataan keskimääräiseltä halkaisijaltaan alle 1000 nm suuruisia hiukkasia, c. hiukkaset sisältävät kiteistä metallin oksidia, d. hiukkaset diffundoituvat lasin pintakerrokseen, e. hiukkaset kiteytyvät lasin pintakerroksessa.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että lasin pinnan lämpötila on korkeintaan 750°C.
3. Patenttivaatimusten 1-2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että hiukkasten keskimääräinen halkaisija on alle 100 nm.
4. Patenttivaatimusten 1-3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että hiukkasten keskimääräinen halkaisija on alle 50 nm.
5. Jokin edellisten patenttivaatimusten mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että hiukkaset tuotetaan kaasu-hiukkasmuuntuman kautta.
6. Jokin edellisten patenttivaatimusten mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että metalli on alumiini tai zirkonium. (M δ cv LO cp CO cv X cc CL CO cv δ CO o o cv
FI20080128A 2008-02-18 2008-02-18 Menetelmä lasin pinnan muokkaamiseksi FI122879B (fi)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20080128A FI122879B (fi) 2008-02-18 2008-02-18 Menetelmä lasin pinnan muokkaamiseksi
PCT/FI2009/000026 WO2009103842A1 (en) 2008-02-18 2009-02-17 Glass surface modification process
EP09712653A EP2250134A4 (en) 2008-02-18 2009-02-17 METHOD FOR MODIFYING GLASS SURFACE
CN2009801050679A CN101945831A (zh) 2008-02-18 2009-02-17 玻璃表面改性的方法
EA201070946A EA017910B1 (ru) 2008-02-18 2009-02-17 Способ улучшения химической стойкости стеклянной подложки
US12/811,714 US20110041556A1 (en) 2008-02-18 2009-02-17 Glass surface modification process

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20080128A FI122879B (fi) 2008-02-18 2008-02-18 Menetelmä lasin pinnan muokkaamiseksi
FI20080128 2008-02-18

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20080128A0 FI20080128A0 (fi) 2008-02-18
FI20080128A FI20080128A (fi) 2009-08-19
FI122879B true FI122879B (fi) 2012-08-15

Family

ID=39148908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20080128A FI122879B (fi) 2008-02-18 2008-02-18 Menetelmä lasin pinnan muokkaamiseksi

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110041556A1 (fi)
EP (1) EP2250134A4 (fi)
CN (1) CN101945831A (fi)
EA (1) EA017910B1 (fi)
FI (1) FI122879B (fi)
WO (1) WO2009103842A1 (fi)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI20061014A0 (fi) * 2006-11-17 2006-11-17 Beneq Oy Diffuusiopinnoitusmenetelmä
WO2011036155A2 (en) * 2009-09-25 2011-03-31 Agc Glass Europe Decorative glass article
US9988304B2 (en) * 2011-09-02 2018-06-05 Guardian Glass, LLC Method of strengthening glass by plasma induced ion exchanges in connection with tin baths, and articles made according to the same
CN107735377A (zh) * 2015-07-08 2018-02-23 旭硝子株式会社 功能性玻璃物品及其制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3762808A (en) * 1970-05-22 1973-10-02 A Sandmeier Data reproduction apparatus
US5637353A (en) * 1990-09-27 1997-06-10 Monsanto Company Abrasion wear resistant coated substrate product
US6919054B2 (en) * 2002-04-10 2005-07-19 Neophotonics Corporation Reactant nozzles within flowing reactors
DE10219812A1 (de) * 2002-05-02 2003-11-13 Univ Dresden Tech Bauteile mit kristallinen Beschichtungen des Systems Aluminiumoxid/Siliziumoxid und Verfahren zu deren Herstellung
EP1546056B1 (en) * 2002-07-19 2013-12-11 PPG Industries Ohio, Inc. Article having nano-scaled structures and a process for making such article
FI20060288A0 (fi) * 2006-03-27 2006-03-27 Abr Innova Oy Pinnoitusmenetelmä
FI20061014A0 (fi) * 2006-11-17 2006-11-17 Beneq Oy Diffuusiopinnoitusmenetelmä
FI123798B (fi) * 2007-04-23 2013-10-31 Beneq Oy Energiansäästölasi ja menetelmä sen valmistamiseksi
WO2009014099A1 (ja) * 2007-07-20 2009-01-29 National University Corporation Nagaoka University Of Technology 窒化物膜の堆積方法及び堆積装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20110041556A1 (en) 2011-02-24
FI20080128A0 (fi) 2008-02-18
EP2250134A4 (en) 2011-04-27
EA201070946A1 (ru) 2011-02-28
FI20080128A (fi) 2009-08-19
EA017910B1 (ru) 2013-04-30
EP2250134A1 (en) 2010-11-17
CN101945831A (zh) 2011-01-12
WO2009103842A1 (en) 2009-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11781213B2 (en) Apparatus and method for vacuum deposition
FI122879B (fi) Menetelmä lasin pinnan muokkaamiseksi
US20090095021A1 (en) Hydrophobic glass surface
KR20090122247A (ko) 기재를 코팅하는 방법 및 금속 합금 진공 증착 장치
CN106834974A (zh) 铁基合金涂层与其形成方法
WO2006054730A1 (ja) 薄膜付きガラス板の製造方法
US20080193674A1 (en) Production of a Gas-Tight, Crystalline Mullite Layer by Using a Thermal Spraying Method
CN107208241A (zh) 将金属保护镀层施加到钢产品的表面上的方法
JP5400194B2 (ja) 溶融亜鉛耐食性金属ガラス
JPH11504615A (ja) ガラス上に反射層を被着する方法及び得られる製品
EP3417088B1 (en) Chemical vapor deposition process for depositing a coating
CN103397294A (zh) 一种碳钢基体表面化学气相反应法制备碳化铬涂层的方法
JP6971370B2 (ja) 酸化チタン被膜を堆積させるための化学蒸着方法
EP2744761A1 (en) Tantalum oxide coatings
WO2017137773A1 (en) Chemical vapor deposition process for depositing a mixed metal oxide coating and the coated article formed thereby
BR112018076292B1 (pt) Instalação de deposição a vácuo e processo para revestir um substrato
JIANG et al. Investigation of the Corrosion Behaviors of HVOF-Sprayed Carbide Cernet Coatings in Molten Al-Zn-Si Alloy Bath
EP2879999A2 (en) A method of depositing a coating utilizing a coating apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 122879

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B

MM Patent lapsed