FI122622B - Valoa emittoiva puolijohdelaite ja valmistusmenetelmä - Google Patents

Valoa emittoiva puolijohdelaite ja valmistusmenetelmä Download PDF

Info

Publication number
FI122622B
FI122622B FI20095627A FI20095627A FI122622B FI 122622 B FI122622 B FI 122622B FI 20095627 A FI20095627 A FI 20095627A FI 20095627 A FI20095627 A FI 20095627A FI 122622 B FI122622 B FI 122622B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
layer
tco
contact
contact layer
reflective
Prior art date
Application number
FI20095627A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20095627A0 (fi
FI20095627A (fi
Inventor
Maxim A Odnoblyudov
Vladislav E Bougrov
Mikael Mulot
Original Assignee
Optogan Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Optogan Oy filed Critical Optogan Oy
Publication of FI20095627A0 publication Critical patent/FI20095627A0/fi
Priority to FI20095627A priority Critical patent/FI122622B/fi
Priority to PCT/FI2010/050454 priority patent/WO2010139860A1/en
Priority to KR1020117030326A priority patent/KR20120030430A/ko
Priority to CN2010800247358A priority patent/CN102460743A/zh
Priority to RU2011144445/28A priority patent/RU2011144445A/ru
Priority to EP10783033A priority patent/EP2438628A1/en
Priority to JP2012513647A priority patent/JP2012529170A/ja
Priority to TW099117868A priority patent/TW201110419A/zh
Publication of FI20095627A publication Critical patent/FI20095627A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI122622B publication Critical patent/FI122622B/fi

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
    • H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

VALOA EMITTOIVA PUOLIJOHDELAITE JA VALMISTUSMENETELMÄ KEKSINNÖN ALA
Tämä keksintö liittyy yleisesti valoa emit-5 toiviin puolijohderakenteisiin, jotka on valmistettu III-ryhmän metallien nitrideistä. Tarkemmin sanottuna keksintö koskee heijastavia kontakteja, joita käytetään esimerkiksi vertikaalisen geometrian valoa emittoivissa diodeissa (LEDeissä), ja niiden valmistusta.
10
KEKSINNÖN TAUSTA
Valoa emittoivilla puolijohdelaitteilla, kuten LEDeillä, on jatkuvasti kasvava rooli jokapäiväisen elämän eri aloilla. Niillä on hyvin monenlaisia 15 käyttökohteita esimerkiksi tietoliikenteessä, valaistuksessa ja näyttöteknologiassa.
Materiaalien osalta nykypäivän LED-teknologian erään voimakkaasti kasvavan alueen perustana ovat III-ryhmän metallien nitridit, kuten gal- 20 liumnitridi GaN, alumiini-galliumnitridi AlGaN, indi-um-galliumnitridi ja niiden seokset. Näitä materiaaleja pidetään erityisen sopivina vaihtoehtoina käytettäväksi hyvin kirkkaissa LEDeissä, esimerkiksi valaistus sovelluksissa .
25 Yhä tehokkaampien LED-rakenteiden intensiivi- sessä kehityksessä eräs viime vuosien vallitsevista o teknologisista suuntauksista on ollut siirtyminen koh- ,1 ti vertikaalista LED-geometriaa aiemman vaakasuuntai- o ' sesti hajautetun rakenteen sijasta. Kaksi elektrodia, O) 30 jotka muodostavat sähköiset yhteydet komponentin n- ja x £ p-tyyppisiin kerroksiin, muodostettiin aikaisemmin n. LED-sirun samalle puolelle vaakasuunnassa erilleen
CM
toisistaan. Tämä kokoonpano asetti useita rajoituksia CT .
o laitteen toiminnalle. Vertikaalinen LED-geometria, ^ 35 jossa kontaktielektrodit ovat sirun vastakkaisilla puolilla, voi tarjota merkittäviä etuja sekä virran 2 tasaisuudessa ja valon ekstraktion hyötysuhteessa että laitteen lämmönhallinnassa.
Vertikaalisen LEDin valmistuksen yksinkertaistettua yleisperiaatetta voidaan kuvailla esimer-5 kiksi seuraavasti. Ensin muodostetaan esimerkiksi safiirista valmistetun kasvatussubstraatin päälle ker-rosrakenne, joka käsittää n-tyyppisen puolijohdeker-roksen, aktiivisen alueen ja p-tyyppisen puolijohde-kerroksen. Seuraavaksi muodostetaan rakenteen päälle 10 heijastava kontaktirakenne, jonka kautta saadaan sähköinen yhteys p-tyyppiseen puolijohdekerrokseen ja joka toimii peilinä, joka heijastaa aktiivisella alueella tuotettua tulevaa valoa takaisin päin. Sitten heijastavalle kontaktipinnalle muodostetaan suhteellisen 15 paksu metallikerros, joka muodostaa sirun p-puolen kontaktielektrodin. Paksu metallikerros voi myös toimia valmiin led-sirun tukirakenteena. Seuraavaksi poistetaan kasvatustuki, jolloin kasvatussubstraatille alun perin kasvatetun n-tyyppisen kerroksen pinta pal-20 jastuu. Lopuksi muodostetaan tälle paljastetulle pinnalle toinen paksu metallikerros, joka muodostaa n-puolen kontaktielektrodin.
Eräs tärkeä kohta vertikaalisessa LED-rakenteessa on mainittu heijastava kontaktirakenne. 25 Halutun suuren heijastavuuden ja pienen sähköisen re-sistiivisyyden lisäksi itse heijastavan kontaktiraken-teen pitäisi myös pysyä vakaana komponentin koko ^ elinajan, ja toisaalta tuottaa hyvä tartunta p-puolen elektrodin muodostavan metallikerroksen ja varsinaisen 30 ten toiminnallisten laitekerrosten välille. Tavanomai- ^ set ratkaisut sisältävät esimerkiksi erilaisia metalli liyhdistelmiä, kuten yhden tai useampia kerroksia alu- Q_ miinia tai kultaa, jotka on pinnoitettu suoraan p-Is» S tyyppisen puolijohdekerroksen päälle tai välissä ole in g 35 vaan tartuntakerrokseen, joka on ensin muodostettu cm puolijohteen pinnalle. Ensimmäisessä tapauksessa sekä tartuntalujuus että rakenteen kestävyys pitkällä aika- 3 välillä ovat yleensä riittämättömät. Välissä oleva, esimerkiksi nikkelistä muodostettu tartuntakerros voi parantaa tartuntaa. Toisaalta se lisää optisia häviöitä, koska valoa absorboituu tartuntakerrokseen.
5
KEKSINNÖN TARKOITUS
Tämän keksinnön tarkoituksena on tarjota uusi valoa emittoiva puolijohderakenne, joka käsittää vakaan, heijastavan kontaktirakenteen, jolla on erin-10 omaiset mekaaniset, optiset ja sähköiset ominaisuudet.
KEKSINNÖN YHTEENVETO
Tämän keksinnön mukainen valoa emittoiva puoli johdelaite ja menetelmä valoa emittoivan puolijohde-15 laitteen valmistamiseksi ovat tunnettuja siitä, mitä on esitetty vastaavasti patenttivaatimuksissa 1 ja 8.
Tämän keksinnön mukainen valoa emittoiva puoli johdelaite on valmistettu III-ryhmän metallien nit-rideistä. Eräs sopiva materiaali on galliumnitridi 20 GaN ja sen erilaiset muunnelmat, kuten indium-galliumnitridi InGaN ja alumiini-galliumnitridi AlGaN. "On valmistettu" mainituista materiaaleista tarkoittaa sitä, että ainakin laitteen toiminnallisesti olennaisissa osissa on ainakin jotakin mainituista materiaa-25 leista. Laitteen eri osissa voi luonnollisesti olla myös mainittuun määritelmään kuulumattomia materiaale-c\j ja. Laitteen ydinosana on kerrosrakenne, jossa on n- cm tyyppinen puolijohdekerros, p-tyyppinen puolijohdeker- i ^ ros ja aktiivinen alue valon tuottamiseksi n-tyyppisen i σ> 30 puolijohdekerroksen ja p-tyyppisen puolijohdekerroksen χ välissä. Tämän kerrosrakenteen yksityiskohdat voivat tr vaihdella tunnetun teknologian puitteissa, eivätkä ne ole keksinnön kannalta oleellisia. Kerrosrakenteessa
CD
en on joko n-tyyppisen tai p-tyyppisen puolijohdekerrok- o 35 sen määrittämä kontaktipinta, ja tähän kontaktipintaan kiinnitetty heijastava kontaktirakenne. Heijastava 4 kontaktirakenne muodostaa sähköisen kontaktin kontaktipinnan määrittävään puolijohdekerrokseen, ja se toimii myös peilinä, joka heijastaa aktiiviselta alueelta tulevaa valoa.
5 Tämän keksinnön mukaan heijastava kontaktira kenne käsittää ensimmäisen läpinäkyvää johtavaa oksidia (TCO) olevan kontaktikerroksen, jolla on moniki-teinen rakenne, liitettynä kerrosrakenteen kontaktipintaan, toisen läpinäkyvää johtavaa oksidia (TCO) 10 olevan TCO-kontaktikerroksen, jolla on amorfinen ra kenne, ja toiseen TCO-kerrokseen liitetyn metallisen heij astuskerroksen.
Mainittu rakenne, jossa heijastava metalli-kontakti hyödyntää kaksikerroksista TCO-välirakennetta 15 metallisen heijastuskerroksen ja kontaktipinnan välis sä, tarjoaa merkittäviä etuja tunnetun tekniikan ratkaisuihin verrattuna. Kummallakin kahdesta TCO-kerroksesta on oma tarkoituksensa. Ensimmäisen TCO-kerroksen monikiteinen materiaalirakenne tarjoaa suu-20 ren optisen läpinäkyvyyden ja pienen sähköisen resis- tiivisyyden. Amorfisen rakenteen omaava toinen TCO-kerros puolestaan mahdollistaa voimakkaan tarttuvuuden metalliseen heijastuskerrokseen.
Eri kiderakenteiden lisäksi myös näiden kah-25 den kerroksen tarkat kemialliset koostumukset voidaan optimoida erikseen niiden erilaisten tarkoitusten mukaisesti. Jotta tämä mahdollisuus voitaisiin hyödyntää ^ täysimääräisesti, tämän keksinnön eräässä edullisessa o ^ sovelluksessa on valittu ensimmäisen TCO- o 30 kontaktikerroksen kemiallinen koostumus niin, että se $2 edistää voimakasta tarttuvuutta kerrosrakenteen konin taktipintaan, hyvää läpinäkyvyyttä ja ensimmäisen TCO- kontaktikerroksen hyvää sähköistä johtavuutta, ja toi-^ sen TCO-kontaktikerroksen kemiallinen koostumus on va- 35 littu niin, että se edistää metallisen heijastusker- o ^ roksen voimakasta tarttuvuutta toiseen TCO- kontaktikerrokseen. Toisin sanoen tässä sovelluksessa 5 näiden kahden TCO-kerroksen ominaisuudet on optimoitu erikseen niiden erilaisten tarkoitusten mukaisesti.
Toinen TCO-kontaktikerros voi olla suorassa kontaktissa ensimmäiseen TCO-kontaktikerrokseen. On 5 kuitenkin mahdollista, että näiden kahden TCO- kontaktikerroksen välissä on jokin välikerros tai joitakin välikerroksia.
Kontaktipinnan määrittävä kerros on edullisesti p-tyyppistä indium-galliumnitridiä InGaN. Ensim-10 mäinen TCO-kontaktikerros on puolestaan edullisesti indium-tinaoksidia, joka indiumin ansiosta voi tuottaa erinomaisen tarttuvuuden III-ryhmän metalleihin. Jotta taattaisiin tehokas virran jakautuminen heijastavan kontaktirakenteen koko pinta-alalle ja kontaktin hyvä 15 ominaisvastus, joka ei merkittävästi vaikuta kokonais-sarjaresistanssiin LED-sirun läpi, ensimmäisen TCO-kontaktikerroksen paksuus on edullisesti 30 - 500 nm, edullisemmin 100 - 150 nm. Liian pieni paksuus johtaisi kerroksen riittämättömiin sähköisiin ominaisuuk-20 siin. Toisaalta taas tämän kerroksen paksuntaminen liikaa lisäisi epäedullisesti aktiivisella alueella muodostuneen valon ei-toivottua absorptiota.
Tämän keksinnön eräässä edullisessa sovelluksessa varmistetaan voimakas tartunta toisen TCO-25 kontaktikerroksen ja heijastavan metallikerroksen välille siten, että toinen TCO-kontaktikerros käsittää alumiini-sinkkioksidia (AZO), ja metallinen heijastus- kerros käsittää toisen TCO-kontaktikerroksen päälle o ^ kerrostettua alumiinia. Nämä ovat luonnollisesti vain o 30 esimerkkejä mahdollisista materiaaleista. Metallisen $2 heijastuskerroksen materiaaliksi sopii hyvin myös esi- x merkiksi hopea.
Q_
Koska amorfisella TCO:lla on matalampi opti- i^.
gJ nen läpinäkyvyys ja sähköinen johtavuus kuin moniki- <£ 35 teisellä TCO:lla, toisen TCO-kontaktikerroksen pak-
O
^ suutta on rajoitettava. Toisaalta taas liian pieni paksuus voisi edelleen heikentää sähköistä johtavuutta 6 ja mahdollisesti myös tarttuvuutta yläpuolella olevaan metalliseen heijastuskerrokseen. Edullinen paksuusalue on 0,2 - 20 nm, edullisemmin 1-3 nm.
Heijastavan metallikerroksen paksuus voi olla 5 esimerkiksi 20 - 1000 nm, kuitenkin edullisesti vähintään 200 nm, jotta voidaan varmistaa, ettei valoa tunkeudu kerroksen läpi, ja siten maksimoida heijastavan kontaktirakenteen heijastavuus.
Heijastavan metallikerroksen suojelemiseksi 10 hapettumiselta laitteen muun prosessoinnin aikana metallisen heijastavan peilipinnan päälle voi olla pinnoitettuna esimerkiksi kullasta valmistettu hapettu-misenestokerros, jonka paksuus on 1 - 20, edullisesti 5 - 10 nm.
15 Tämän keksinnön mukaisessa menetelmässä III- ryhmän metallien nitrideistä valmistetun, valoa emittoivan puolijohderakenteen valmistamiseksi valmistetaan kerrosrakenne, jossa on n-tyyppinen puolijohde-kerros, p-tyyppinen puolijohdekerros ja aktiivinen 20 alue n-tyyppisen puolijohdekerroksen ja p-tyyppisen puolijohdekerroksen välissä, ja jossa kerrosrakentees- sa on n-tyyppisen tai p-tyyppisen puolijohdekerroksen määrittämä kontaktipinta. Kerrosrakenne voidaan valmistaa esimerkiksi normaaleilla, yleisesti käytetyillä 25 kaasufaasiepitaksiprosesseilla, jotka tunnetaan hyvin LED-teollisuudessa. Siksi tässä ei tarvita yksityiskohtaista kuvausta valmistusprosesseista. Menetelmässä
CM
^ muodostetaan lisäksi kontaktipinnalle heijastava kon- taktirakenne.
cp 30 Tämän keksinnön mukaisesti heijastavan kon- ^ taktirakenteen muodostamisessa on vaiheet, joissa muo- g dostetaan ensimmäinen läpinäkyvää johtavaa oksidia
CL
(TCO) oleva kontaktikerros, jolla on monikiteinen ra-
Is" kenne, kerrosrakenteen kontaktipinnalle, muodostetaan
LO
g 35 toinen läpinäkyvää johtavaa oksidia (TCO) oleva kon- cm taktikerros, jolla on amorfinen rakenne, ja muodoste- 7 taan toisen TCO-kerroksen päälle metallinen heijastus-kerros .
TCO-kontaktikerrokset voidaan kerrostaa (deposit) esimerkiksi sputteroimalla. Kerrostettuna sel-5 laisenaan TCO on amorfista. Siksi ensimmäinen TCO-kontaktikerros on lämpökäsiteltävä faasin muuttamiseksi, ts. alun perin amorfisen kerroksen kiteyttämisek-si. Lämpökäsittelyyn sopiva lämpötila-alue, joka riippuu esimerkiksi tarkasta materiaalikoostumuksesta, voi 10 olla esimerkiksi 150 - 300 °C. Toinen TCO- kontaktikerros voidaan pinnoittaa suoraan ensimmäisen TCO-kontaktikerroksen päälle tai jonkin ensimmäisen TCO-kontaktikerroksen päälle ensin pinnoitetun yhden tai useamman välikerroksen päälle.
15 Tämän keksinnön mukaisessa menetelmässä vali taan edullisesti ensimmäisen TCO-kontaktikerroksen kemiallinen koostumus niin, että se edistää voimakasta tarttuvuutta kerrosrakenteen kontaktipintaan, hyvää läpinäkyvyyttä ja ensimmäisen TCO-kontaktikerroksen 20 hyvää sähköistä johtavuutta, ja toisen TCO- kontaktikerroksen kemiallinen koostumus niin, että se edistää heijastavan metallikerroksen voimakasta tarttuvuutta toiseen TCO-kontaktikerrokseen. Toisin sanoen tässä sovelluksessa näiden kahden TCO-kerroksen omi- 25 naisuudet optimoidaan erikseen niiden erilaisten tehtävien mukaisesti. Se, miten mainitut materiaalikoos-tumuksen valinnat tehdään käytännössä mainittujen omi-£· naisuuksien saavuttamiseksi, riippuu esimerkiksi puo- ^ lijohdekerrosrakenteen materiaaleista. Tämä on kuiten- o 30 kin rutiinitekniikkaa alan asiantuntijalle.
Kontaktipinnan määrittämä kerros käsittää edullisesti p-tyyppistä indium-galliumnitridiä InGaN.
CL
Eräs edullinen materiaali ensimmäisiin TCO-i^.
^ kontaktikerroksiin käsittää indium-tinaoksidia.
LO
05 35 Ensimmäinen TCO-kontaktikerros valmistetaan o ^ edullisesti niin, että sen paksuus on 30 - 500 nm, edullisemmin 100 - 150 nm.
8
Eräässä edullisessa sovelluksessa toinen TCO-kontaktikerros käsittää alumiini-sinkkioksidia, ja vaiheessa, jossa muodostetaan metallinen heijastuskerros, kerrostetaan alumiinia toisen TCO- 5 kontaktikerroksen päälle.
Toinen TCO-kontaktikerros valmistetaan edullisesti niin, että sen paksuus on 0,2 - 20 nm, edullisemmin 1-3 nm. Metallinen heijastuskerros valmistetaan edullisesti niin, että sen paksuus on 20 - 1000 10 nm, edullisemmin kuitenkin vähintään 200 nm.
Tämän keksinnön ydinperiaatteisiin liittyvien, edellä kuvattujen valmistusvaiheiden lisäksi koko niiden rakenteiden valmistusprosessi, jotka tuottavat sähköisen kontaktin kontaktipinnan määrittävään puoli-15 johdekerrokseen, voi myös sisältää monien muiden kerrosten kerrostamista. Ensinnäkin metallisen heijastus-kerroksen suojelemiseksi hapettumiselta seuraavien prosessivaiheiden aikana voidaan metallisen heijastavan kerroksen päälle kerrostaa esimerkiksi kullasta 20 valmistettu hapettumisenestokerros, jonka paksuus on esim. 1 - 20, edullisesti 5-10 nm. Seuraavaksi voidaan hapettumisenestokerroksen päälle muodostaa tar-tuntakerros esim. titaanista seuraavien kerrosten tarttumisen heijastavaan kontaktirakenteeseen paranta-25 miseksi. Sitten voidaan pinnoittaa diffuusionestoker-ros heijastavan metallikerroksen suojelemiseksi komponentin pintaelektrodin lopullisesti muodostavan lii- ^ tosalustan (contact pad) mahdollisesti aggressiivisen
O
^ metallin diffuusiolta. Lopuksi voidaan pinnoittaa pak- o 30 su kerros juotettavaa metallia mainitun liitosalustan muodostamiseksi esimerkiksi galvaanisella pinnoituk-sella. Sopivia, juotettavia metalleja ovat esimerkiksi Q-
Au, Au/In-seos ja Cu. Mainittujen pinnoitusvaiheiden
Is" ^ lisäksi prosessi voi luonnollisesti sisältää myös eri-
LO
g 35 laisia kuviointivaiheita esimerkiksi litografialla ha- ^ lutun laitegeometrian saavuttamiseksi.
9
Toisaalta taas valoa emittoivan laitteen, esimerkiksi vertikaalisen geometrian valoa emittoivan diodin, LEDin, valmistusprosessi kokonaisuudessaan voi vaatia myös monia muita vaiheita. Näitä ovat esimer-5 kiksi kasvatussubstraatin poistaminen esimerkiksi kemiallisella syövytyksellä ja sähköisten kontaktiraken-teiden muodostaminen myös tällä tavoin paljastetulle puolijohdelaitteen vastakkaiselle puolelle.
Tämän keksinnön mukainen valmistusprosessi 10 soveltuu valoa emittoivien laitteiden kustannustehokkaaseen massatuotantoon, jossa voidaan samanaikaisesti prosessoida useita kymmeniä kiekkoja.
KUVIEN LYHYT SELOSTUS
15 Seuraavassa tätä keksintöä kuvataan tarkemmin oheisten piirustusten avulla, joissa kuva 1 on kaavamainen yleiskuva tämän keksinnön mukaisesta vertikaalisesta LEDistä, ja kuvat 2a - 2f esittävät tämän keksinnön mukaista valmistusmenetelmää. Piirustuksissa on 20 vastaavat kerrokset merkitty samoilla viitenumeroilla. Piirustukset eivät ole mittakaavassa.
KEKSINNÖN YKSITYISKOHTAINEN KUVAUS
Kuvan 1 vertikaalinen LED-siru 1 perustuu he-25 terorakenteeseen, joka käsittää elektroniemitteriker- roksen 2, joka on valmistettu n-seostetusta GaN:stä, aukkoemitterikerroksen 3, joka on valmistettu p-° seostetusta InGaN:stä, ja aktiivisen alueen 4 valon i q muodostamiseksi näiden kahden kerroksen välissä. Auk- i o) 30 koemitterin alapuolella on heijastava kontaktirakenne x 6. Seuraavana kerroksena alaspäin on hapettumisenesto- cc kerros 7, joka suojaa heijastavaa kontaktirakennetta cm hapettumiselta valmistusprosessin loppuvaiheen aikana co ^ sen jälkeen, kun heijastava kontaktirakenne on kerrosti 35 tettu. Hapettumisenestokerros on muodostettu Au:sta, ja sen paksuus on noin 5 nm. Hapettumisenestokerroksen 10 alapuolella on Ti:sta valmistettu tartuntakerros 8, joka muodostaa voimakkaan tartunnan sen ylä- ja alapuolella olevien kerrosten välille. Kuvan 1 sirussa alimmainen kerros on metallinen pohjakerros 9, joka on 5 erotettu muusta laitteesta esimerkiksi Niistä muodostetulla diffuusionestokerroksella 10, joka suojaa ylempiä laitekerroksia metallisen pohjakerroksen metalliatomien diffuusiolta. Metallinen pohjakerros toimii p-puolen elektrodina, joka tuottaa toisen kahdesta 10 sähköisestä yhteydestä, jotka tarvitaan LED-sirun kytkemiseen sähköisesti ulkoiseen teholähteeseen. Se tarjoaa myös tehokkaan reitin ylimääräisen lämmön siirtämiseksi pois sirusta. Se lisäksi se toimii myös sirun suojaavana ja mekaanisena tukirakenteena. Metallisen 15 pohjakerroksen kautta siru voidaan kiinnittää sähköä ja lämpöä johtavaan alustaan (pad) piirilevyllä tai vastaavaan esimerkiksi juottamalla. Metallinen pohjakerros voidaan muodostaa esimerkiksi Auista, Au/In-seoksesta, Cuista tai jostakin muusta juotoskelpoises-20 ta metallista, ja sen paksuus voi olla välillä 2 - 200 ym.
Kuvan 1 sirun yläpuolella olevan n-seostetun GaN-kerroksen 2 pinta on rakenteeltaan sellainen, että siinä on epätasainen pintatopologia. Karheutettu pinta 25 vähentää aktiiviselta alueelta 4 tulevan valon 11 sisäistä kokonaisheijastusta laitteen pinnalla, jolloin valon ekstraktio sirusta paranee. Tämän epätasaisen C\| ^ pinnan päällä on verkkomainen metallikerros 12, joka muodostaa sirun toisen kontaktielektrodin.
0 30 Kuten kuvasta 1 nähdään, tämän esimerkin hei- 1 jastava kontaktirakenne 6 sisältää kolme osakerrosta.
g Aukkoemitterikerroksen vieressä on ensimmäinen TCO-
CL
kerros 13, joka on muodostettu monikiteisestä radiumia tinaoksidista ja jonka paksuus on välillä 100 - 150 tn g 35 nm. Tämän alapuolella on toinen TCO-kerros 14, joka on ^ muodostettu amorfisesta alumiini-sinkkioksidista ja jonka paksuus on välillä 1- 3 nm. Alimpana alikerrok- 11 sena, toiseen TCO-kerrokseen kiinnitettynä on peili-kerros 15, joka on muodostettu alumiinista ja jonka paksuus on vähintään 200 nm.
Heijastavalla kontaktirakenteella 6 on koko-5 naisuudessaan kaksi päätarkoitusta. Ensinnäkin se tarjoaa sähköisen yhteyden metallisesta pohjakerroksesta 9 aukkoemitterikerrokseen 3. Toiseksi se toimii peilinä, joka heijastaa aktiiviselta alueelta 4 alaspäin suuntautuneen valon 16 takaisinpäin suunnaten sen uu-10 delleen suuntaan, joka lisää todennäköisyyttä, että se pääsee ulos sirusta. Yksityiskohtaisemmalla tasolla tarkasteltuna jokaisella osakerroksella on oma erityinen tarkoituksensa heijastavan kontaktirakenteen osana. Metallinen peilikerros 15 vastaa luonnollisesti 15 heijastavan kontaktirakenteen varsinaisesta heijastus-toiminnosta. Peilikerroksen paksuus valitaan tarpeeksi suureksi, jotta varmistetaan, ettei käytännössä lainkaan valoa voi tunkeutua tämän kerroksen läpi seuraa-viin kerroksiin, joilla on suurempi absorbanssi. TCO-20 kerrosten päätarkoitus on tarjota voimakas tartunta peilikerroksen 15 ja aukkoemitterikerroksen 3 välille. Indium-tinaoksidista valmistettu ensimmäinen TCO-kerros 13 tarjoaa heijastavan kontaktirakenteen voimakkaan tartunnan indiumia sisältävään aukkoemitteri-25 kerrokseen 3. Sen monikiteinen rakenne tarjoaa hyvän optisen läpinäkyvyyden minimoiden kerroksen vaikutuksen laitteen optiseen suorituskykyyn. Kerroksen moniin kiteinen rakenne tarjoaa myös suuren sähköisen johta- o ^ vuuden, joka yhdessä suhteellisen suuren kerrospaksuu- o 30 den kanssa varmistaa virran tehokkaan hajauttamisen heijastavan kontaktirakenteen koko alueelle ja hyvän x ominaiskontaktiresistanssin (specific contact resis- tance) aukkoemitterikerrokseen 3. Amorfisesta alumni''.
ni-sinkkioksidista valmistettu toinen TCO-kerros 14
CD
S 35 tarjoaa sen sijaan voimakkaan tartunnan ensimmäisen ^ TCO-kerroksen 13 ja alumiinista valmistetun peiliker roksen 15 välille. Koska amorfisella materiaaliraken- 12 teella on pienempi optinen läpinäkyvyys ja sähköinen johtavuus, kerroksen paksuus on rajoitettu arvoon, joka on huomattavasti pienempi kuin ensimmäisen TCO-kerroksen.
5 Kuten kuvasta 2a nähdään, esimerkinomainen valmistusmenetelmä alkaa siitä, että eristävälle sub-straattikiekolle 17 kasvatetaan puolijohdeheterostruk-tuuri, jossa on aktiivinen alue 4 sijoitettuna elekt-roniemitterikerroksen 2 ja aukkoemitterikerroksen 3 10 väliin. Seuraavaksi kerrostetaan heterorakenteeseen maskimetalli 18 ja kuvioidaan se fotolitografiällä halutun sirukoon ja geometrian mukaan. Sitten heterorakenne syövytetään reaktiivisella ionietsauksella metallisessa maskikerroksessa olevien aukkojen kautta 15 niin, että se muodostaa erillisiä, mesan kaltaisia (mesa-like) kerrospinoja 19, kuten kuvassa 2b on esitetty. Maskimetalli poistetaan syövytyksen jälkeen. Ensimmäinen TCO-kerros 13 muodostetaan kiekolle esimerkiksi sputteroimalla, ja se kuvioidaan fotolitogra-20 fisesti mesa-alueiden ulkopuolella olevan kerroksen poistamiseksi, minkä jälkeen kiekko lämpökäsitellään TCO:n rakenteen tekemiseksi monikiteiseksi. Seuraavaksi muodostetaan päällekkäiset toinen, amorfisen rakenteen omaava TCO-kerros 14, metallinen heijastuskerros 25 15 ja metallinen hapettumisenestokerros ja kuvioidaan ne fotolitografisesti mesa-alueiden ulkopuolelle kerrostetun materiaalin poistamiseksi.
^ Dielektrinen passivointikerros 20 muodoste- o ^ taan ja kuvioidaan fotolitografisesti mesa-alueiden o 30 sivuseinien suojaamiseksi kerrostetulta materiaalilta seuraavien prosessivaiheiden aikana. Lisäksi passi-x vointikerros vähentää vuotovirtoja sivuseinien kautta.
Q_
Mesa-alueiden väliset urat voidaan suojata kerrosta- l''- gJ maila niihin estopinnoitetta (resist) 21 ja kovettaen 35 maila (hard-baking) se. Tilanne prosessin tässä vai- heessa on esitetty kuvassa 2c. Seuraavaksi pinnoitetaan ja kuvioidaan mesa-alueiden päälle tartuntakerros 13 8 ja diffuusionestokerros 10, jotka on molemmat muodostettu metallista. Sen jälkeen muodostetaan paksu metallikerros 9 galvanoimalla kiekon päälle. Kuten kuvassa 2d on esitetty, metalli muodostuu yhtenäiseksi 5 kerrokseksi koko kiekon päälle. Tämä metallikerros muodostaa tukirakenteen, joka mahdollistaa seuraavan vaiheen, nimittäin alkuperäisen kasvatussubstraatin 17 poistamisen, minkä jälkeen mesan kaltaiset kerrosra-kenteet ovat paksun metallikerroksen 9 päällä, kuten 10 kuvassa 2e on esitetty.
Kasvatussubstraatin poistamisen jälkeen elektroniemitterikerroksen 2 paljastettu pinta karhen-netaan. Sirujen n-puolen elektrodit muodostetaan metalliverkoksi karhennetulle elektroniemitteripinnalle. 15 Lopuksi mesa-alueet erotetaan yksittäisiksi LED- siruiksi 1, kuten on esitetty kuvassa 2f.
Vaihtoehtona edellä mainitulle prosessille heterostruktuurin syövyttäminen erillisten mesan kaltaisten kerrospinojen muodostamiseksi voitaisiin yhtä 20 hyvin suorittaa viimeisenä vaiheena n-puolen elektro din muodostamisen jälkeen.
Yleisesti on myös tärkeää huomioida, että edellä piirustuksiin viitaten kuvatut sovellukset ovat vain joitakin edullisia, mutta eivät millään tavalla 25 poissulkevia esimerkkejä kaikista mahdollisista ta voista suorittaa tämä keksintö. Erityisesti kaikki materiaalit, kerrosten paksuudet ja eri valmistusvai-heissä käytetyt prosessit voivat vaihdella vapaasti
O
^ keksinnön suojapiirissä, joka on määritelty patenttien 30 vaatimuksissa.
CD
X
tr
CL
l''-
CVJ
CD
LO
CD
O
O
C\l

Claims (14)

1. Valoa emittoiva puolijohdelaite (1), joka on valmistettu III-ryhmän metallien nitrideistä, joka 5 laite käsittää kerrosrakenteen, joka käsittää n-tyyppisen puolijohdekerroksen (2), p-tyyppisen puoli-johdekerroksen (3), aktiivisen alueen (4) n-tyyppisen puolijohdekerroksen ja p-tyyppisen puolijohdekerroksen välissä, jossa kerrosrakenteessa on n-tyyppisen tai p-10 tyyppisen puolijohdekerroksen määrittämä kontaktipinta (5), ja joka rakenne käsittää lisäksi heijastavan kon-taktirakenteen (6) liitettynä kontaktipintaan, tunnettu siitä, että heijastava kontaktirakenne (6) käsittää: 15. ensimmäisen läpinäkyvää johtavaa oksidia (TCO) olevan kontaktikerroksen (13), jolla on monikiteinen rakenne, liitettynä kerros-rakenteen kontaktipintaan (5) , - toisen läpinäkyvää johtavaa oksidia (TCO) 20 olevan kontaktikerroksen (14), jolla on amorfinen rakenne, ja - metallisen heijastuskerroksen (15), joka on liitetty toiseen TCO-kerrokseen.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen puolijohdelaite (1) , tunnettu siitä, että ensimmäisen TCO- kontaktikerroksen (13) kemiallinen koostumus on valit- CM q tu niin, että se edistää voimakasta tarttuvuutta ker- <M i rosrakenteen kontaktipintaan (5), hyvää läpinäkyvyyttä 30 ja ensimmäisen TCO-kontaktikerroksen hyvää sähköistä O) johtavuutta, ja toisen TCO-kontaktikerroksen (14) ke-Er miallinen koostumus on valittu niin, että se edistää O. ____ metallisen heijastuskerroksen (15) voimakasta tarttuen <o vuutta toiseen TCO-kontaktikerrokseen. LO g 35 o
^ 3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen puoli- johdelaite (1), tunnettu siitä, että kontaktipin- nan määrittävä kerros (3) käsittää p-tyyppistä In-GaN.i ä.
4. Jonkin patenttivaatimuksista 1-3 mukainen 5 puoli j ohdelaite (1), tunnettu siitä, että ensimmäinen TCO-kontaktikerros (13) käsittää indium- tinaoksidia.
5. Jonkin patenttivaatimuksista 1-4 mukainen 10 puolijohdelaite (1), tunnettu siitä, että ensim mäisen TCO-kontaktikerroksen (13) paksuus on 30 - 500 nm, edullisesti 100 - 150 nm.
6. Jonkin patenttivaatimuksista 1-5 mukainen 15 puolijohdelaite (1), tunnettu siitä, että toinen TCO-kontaktikerros (14) käsittää alumiini- sinkkioksidia, ja että heijastava metallikerros (15) käsittää toisen TCO-kontaktikerroksen päälle pinnoitettua alumiinia. 20
7. Jonkin patenttivaatimuksista 1-6 mukainen puolijohdelaite (1), tunnettu siitä, että toisen TCO-kontaktikerroksen (14) paksuus on 0,2 - 20 nm, edullisesti 1-3 nm. 25
8. Menetelmä III-ryhmän metallien nitrideistä valmistetun valoa emittoivan puolijohdelaitteen (1) CM ^ valmistamiseksi, jossa menetelmässä valmistetaan ker- ^ rosrakenne, joka käsittää n-tyyppisen puolijohdeker- o 30 roksen (2), p-tyyppisen puolijohdekerroksen (3), ak- 2? tiivisen alueen (4) n-tyyppisen puolijohdekerroksen ja ir p-tyyppisen puolijohdekerroksen välissä, jossa kerros- CL rakenteessa on joko n-tyyppisen tai p-tyyppisen puoline} johdekerroksen määrittämä kontaktipinta (5), ja jossa LO g 35 menetelmässä muodostetaan lisäksi heijastava kontaktien rakenne (6) kontaktipinnalle, tunnettu siitä, et- tä heijastavan kontaktirakenteen (6) muodostaminen käsittää seuraavat vaiheet: - muodostetaan ensimmäinen läpinäkyvää johtavaa oksidia (TCO) oleva kontaktikerros 5 (13), jolla on monikiteinen rakenne, ker- rosrakenteen kontaktipinnalle (5) , - muodostetaan toinen läpinäkyvää johtavaa oksidia (TCO) oleva kontaktikerros (14), jolla on amorfinen rakenne, ja 10. muodostetaan metallinen heijastuskerros (15) toiselle TCO-kerrokselle.
9. Patenttivaatimuksen 8 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäisen TCO- 15 kontaktikerroksen (13) kemiallinen koostumus valitaan niin, että se edistää voimakasta tarttuvuutta kerros-rakenteen kontaktipintaan (5), hyvää läpinäkyvyyttä ja ensimmäisen TCO-kontaktikerroksen hyvää sähköistä johtavuutta, ja toisen TCO-kontaktikerroksen (14) kemial-20 linen koostumus valitaan niin, että se edistää metallisen heijastuskerroksen (15) voimakasta tarttuvuutta toiseen TCO-kontaktikerrokseen.
10. Patenttivaatimuksen 8 tai 9 mukainen menetel- 25 mä, tunnettu siitä, että kontaktipinnan (5) mää rittävä kerros (3) käsittää p-tyyppistä InGaN:iä.
11. Jonkin patenttivaatimuksista 8-10 mukainen o ^ menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäinen TCO- o 30 kontaktikerros (13) käsittää indium-tinaoksidia. i ' 05
12. Jonkin patenttivaatimuksista 8-11 mukainen o. menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäinen TCO- h-· kontaktikerros (13) valmistetaan sellaiseksi, että sen S 35 paksuus on 30 - 500 nm, edullisesti 100 - 150 nm. o o (M
13. Jonkin patenttivaatimuksista 8-12 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että toinen TCO- kontaktikerros (14) käsittää alumiini-sinkkioksidia, ja että vaiheessa, jossa muodostetaan heijastava me- 5 tallikerros (15), toisen TCO-kontaktikerroksen päälle kerrostetaan alumiinia.
14. Jonkin patenttivaatimuksista 8-13 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että toinen TCO- 10 kontaktikerros (14) valmistetaan sellaiseksi, että sen paksuus on 0,2 - 20 nm, edullisesti 1-3 nm. c\j δ (M i δ i O) X en CL h-· (M CD m O) o o (M
FI20095627A 2009-06-05 2009-06-05 Valoa emittoiva puolijohdelaite ja valmistusmenetelmä FI122622B (fi)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20095627A FI122622B (fi) 2009-06-05 2009-06-05 Valoa emittoiva puolijohdelaite ja valmistusmenetelmä
RU2011144445/28A RU2011144445A (ru) 2009-06-05 2010-06-03 Светоизлучающее полупроводниковое устройство и способ его изготовления
KR1020117030326A KR20120030430A (ko) 2009-06-05 2010-06-03 발광 반도체 디바이스 및 제조방법
CN2010800247358A CN102460743A (zh) 2009-06-05 2010-06-03 发光半导体器件及其制造方法
PCT/FI2010/050454 WO2010139860A1 (en) 2009-06-05 2010-06-03 Light emitting semiconductor device and method for manufacturing
EP10783033A EP2438628A1 (en) 2009-06-05 2010-06-03 Light emitting semiconductor device and method for manufacturing
JP2012513647A JP2012529170A (ja) 2009-06-05 2010-06-03 発光半導体装置及び製造方法
TW099117868A TW201110419A (en) 2009-06-05 2010-06-03 Light emitting semiconductor device and method for manufacturing

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20095627 2009-06-05
FI20095627A FI122622B (fi) 2009-06-05 2009-06-05 Valoa emittoiva puolijohdelaite ja valmistusmenetelmä

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20095627A0 FI20095627A0 (fi) 2009-06-05
FI20095627A FI20095627A (fi) 2010-12-06
FI122622B true FI122622B (fi) 2012-04-30

Family

ID=40825331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20095627A FI122622B (fi) 2009-06-05 2009-06-05 Valoa emittoiva puolijohdelaite ja valmistusmenetelmä

Country Status (8)

Country Link
EP (1) EP2438628A1 (fi)
JP (1) JP2012529170A (fi)
KR (1) KR20120030430A (fi)
CN (1) CN102460743A (fi)
FI (1) FI122622B (fi)
RU (1) RU2011144445A (fi)
TW (1) TW201110419A (fi)
WO (1) WO2010139860A1 (fi)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102637790A (zh) * 2012-05-03 2012-08-15 杭州士兰明芯科技有限公司 一种led芯片及其相应的制作方法
CN103117343B (zh) * 2013-02-05 2016-06-15 海迪科（南通）光电科技有限公司 具有反射镜结构的led发光器件及其制备方法
RU2530487C1 (ru) * 2013-06-04 2014-10-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук" Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода
CN105280666A (zh) * 2015-11-18 2016-01-27 海迪科（南通）光电科技有限公司 一种集成阵列式汽车大灯led芯片
CN105280777B (zh) * 2015-11-25 2018-03-13 湘能华磊光电股份有限公司 Led芯片及制备方法
US11600656B2 (en) * 2020-12-14 2023-03-07 Lumileds Llc Light emitting diode device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW437104B (en) * 1999-05-25 2001-05-28 Wang Tien Yang Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
TWI322461B (en) * 2004-08-30 2010-03-21 Prime View Int Co Ltd Method of fabricating poly-crystal ito thin film and poly-crystal ito electrode
US7863630B2 (en) * 2005-07-05 2011-01-04 Showa Denko K.K. Light-emitting diode and method for fabrication thereof
US20070018182A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes with improved light extraction and reflectivity
KR100661711B1 (ko) * 2005-08-30 2006-12-26 엘지이노텍 주식회사 반사 전극을 구비한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5016831B2 (ja) * 2006-03-17 2012-09-05 キヤノン株式会社 酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた発光素子及びこれを用いた画像表示装置
GB2447091B8 (en) * 2007-03-02 2010-01-13 Photonstar Led Ltd Vertical light emitting diodes

Also Published As

Publication number Publication date
CN102460743A (zh) 2012-05-16
KR20120030430A (ko) 2012-03-28
JP2012529170A (ja) 2012-11-15
FI20095627A0 (fi) 2009-06-05
TW201110419A (en) 2011-03-16
FI20095627A (fi) 2010-12-06
WO2010139860A1 (en) 2010-12-09
RU2011144445A (ru) 2013-07-20
EP2438628A1 (en) 2012-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6530442B2 (ja) 反射構造を有する半導体発光ダイオードおよびその製造方法
US8735185B2 (en) Light emitting device and fabrication method thereof
CN109244197B (zh) 一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法
CN104471727B (zh) 半导体发光器件
CN102270633B (zh) 大功率倒装阵列led芯片及其制造方法
FI122622B (fi) Valoa emittoiva puolijohdelaite ja valmistusmenetelmä
US9099627B2 (en) Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device
CN108493308A (zh) 半导体发光器件
TWI601312B (zh) 光電半導體晶片
CN105489742B (zh) 一种led倒装芯片及其制备方法
CN102751415B (zh) 具有垂直结构的发光器件及其制造方法
CN105742450A (zh) 照射出特定平面几何图形光斑的led芯片的制备方法及结构
CN110021691B (zh) 一种半导体发光器件
CN109155351A (zh) 半导体发光装置
CN103247741A (zh) 一种led倒装芯片及其制造方法
US20120104413A1 (en) Light emitting semiconductor device and method for manufacturing
CN108365056A (zh) 一种垂直结构发光二极管及其制造方法
CN100481534C (zh) 发光二极管及其制造方法
CN113380940B (zh) 发光二极管芯片及其制备方法
CN205752224U (zh) 一种含有反射层的led倒装芯片
CN104617202A (zh) 氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法
CN203250780U (zh) 一种led倒装芯片
CN102723429A (zh) 一种类垂直式发光二极管及其制作方法
JP2012015156A (ja) 発光素子
CN113644180A (zh) 倒装led芯片及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 122622

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B

MM Patent lapsed