FI120450B - Anordning för framställning av nanorör - Google Patents

Anordning för framställning av nanorör Download PDF

Info

Publication number
FI120450B
FI120450B FI20070231A FI20070231A FI120450B FI 120450 B FI120450 B FI 120450B FI 20070231 A FI20070231 A FI 20070231A FI 20070231 A FI20070231 A FI 20070231A FI 120450 B FI120450 B FI 120450B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
thermal reactor
reactor
nanotubes
thermal
temperature
Prior art date
Application number
FI20070231A
Other languages
English (en)
Finnish (fi)
Other versions
FI20070231A0 (sv
Inventor
Pekka Soininen
Jari Sinkko
Markku Rajala
Anssi Hovinen
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Priority to FI20070231A priority Critical patent/FI120450B/sv
Publication of FI20070231A0 publication Critical patent/FI20070231A0/sv
Priority to PCT/FI2008/050129 priority patent/WO2008113892A1/en
Priority to US12/529,361 priority patent/US8475760B2/en
Priority to CN2008800092383A priority patent/CN101641282B/zh
Application granted granted Critical
Publication of FI120450B publication Critical patent/FI120450B/sv

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/064—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
    • C01B21/0641—Preparation by direct nitridation of elemental boron
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/152—Fullerenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/159—Carbon nanotubes single-walled
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/16—Preparation
    • C01B32/162—Preparation characterised by catalysts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/16—Preparation
    • C01B32/164—Preparation involving continuous processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/168—After-treatment
    • C01B32/174—Derivatisation; Solubilisation; Dispersion in solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/20—Graphite
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/02—Single-walled nanotubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/06—Multi-walled nanotubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C01P2004/13—Nanotubes

Claims (26)

1. Anordning för framställning av nanorör, vid vilken anordning dopade och/eller odopade singel eller mängväggars nanorör kan produceras, vilken anordning omfattar ätminstone en termisk reaktor, kännetecknad av att den nämnda termiska reaktom har ätminstone till sin hetaste del och ätminstone delvis framställts av material som tili följd av uppvärmningen av den termiska reaktom ätminstone delvis sublimeras i den termiska reaktom och det sublimerade materialet ätminstone delvis deltar i tillväxten av nanorör.
2. Anordning enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den nämnda termiska reaktom ätminstone tili sin hetaste del är grafit eller dopad grafit.
3. Anordning enligt patentkrav 1 eller 2, kännetecknad av att den termiska reaktom uppvärms genom att leda elström tili ätminstone en del av den termiska reaktom.
4. Anordning enligt patentkrav 3, kännetecknad av att elektricitet kopplas tili den termiska reaktom induktivt.
5. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att tili följd av uppvärmning en temperaturprofil bildas tili den termiska reaktom.
6. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att den termiska reaktom uppvärms ätminstone tili sin hetaste del tili en temperatur där kolmolekyler sublimeras frän väggytan av den termiska reaktom och de ifrägavarande kolmolekylema ätminstone delvis deltar i tillväxtprocessen av kolnanorör.
7. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att temperaturen i den hetaste punkien av den termiska reaktom är minst 2000°C.
8. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att temperaturen i den hetaste punkten av den termiska reaktom är minst 2300°C.
9. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att den termiska reaktom bestär av Hera än en zon som kan vara av olika material.
10. Anordning enligt patentkrav 9, kännetecknad av att olika zoner uppvärms med olika induktansspolar.
11. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, i vilken anordning residenstiden av materialet kan variera i olika ställen av anordningen, kännetecknad av att variationen av residenstiden skapas genom att ändra tvärsnittsytan av gasströmningar i den termiska reaktom.
12. Anordning enligt patentkrav 9-11, kännetecknad av att mellan olika zoner av den termiska reaktom mätäs räämne för processen.
13. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att genom att ändra termiska och matade gasströmningar i anordningen kan man ändra residenstiden av räämnen i den termiska reaktom eller i dess olika delar.
14. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att innanför den del av den termiska reaktom som uppvärms med elström finns material, in i vilket tili följd av uppvärmningen överförs värme frän den termiska reaktom och vilket material pä grund därav ätminstone delvis sublimeras i den termiska reaktom och vilket sublimerade materialet ätminstone delvis debar i tillväxtprocessen av nanorör.
15. Anordning enligt patentkrav 14, kännetecknad av att det material som ska uppvärmas kan fast eller med hjälp av ett styrsystem placeras i den termiska reaktom pä en punkt där temperaturen av det material som ska uppvärmas avviker frän temperaturen av den hetaste punkien av den termiska reaktom.
16. Anordning enligt patentkrav 14-15, kännetecknad av att det iffägavarande sublimerande materialet är övergängsgrundämne.
17. Anordning enligt patentkrav 14-15, kännetecknad av att det ifrägavarande sublimerande materialet är bor.
18. Anordning enligt patentkrav 14-15, kännetecknad av att det ifrägavarande sublimerande materialet är fulleren.
19. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att ytan av den termiska reaktom är ätminstone delvis strukturerad för att oka sublimationsytan.
20. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att den termiska reaktom bestär av tvä koncentriska delar, temperaturen av vilka bäda delar kan regleras tillsammans eller skilt och mellan vilka förblir ett reaktoratrymme som behövs för tillväxt av nanorör.
21. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att matning av sublimerande material till anordning har anordnats att vara kontinuerlig.
22. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att temperaturprofilen av den termiska reaktom regleras genom att ändra väggtjockleken av den termiska reaktom.
23. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att temperaturprofilen av den termiska reaktom regleras genom att ändra avständet av den termiska reaktoms vägg frän induktansspolen.
24. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att trycket av den gasatmosfar som produceras in i den termiska reaktom avviker frän normaltrycket.
25. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att tili anordningen mätäs räämnen som behövs i CVD-växtprocessen av nanorör.
26. Anordning enligt nägot av de föregäende patentkraven, kännetecknad av att de producerade nanorör samlas med hjälp av en termofores.
FI20070231A 2007-03-21 2007-03-21 Anordning för framställning av nanorör FI120450B (sv)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20070231A FI120450B (sv) 2007-03-21 2007-03-21 Anordning för framställning av nanorör
PCT/FI2008/050129 WO2008113892A1 (en) 2007-03-21 2008-03-20 Device and method for producing nanotubes
US12/529,361 US8475760B2 (en) 2007-03-21 2008-03-20 Device and method for producing nanotubes
CN2008800092383A CN101641282B (zh) 2007-03-21 2008-03-20 用于生成纳米管的设备和方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20070231A FI120450B (sv) 2007-03-21 2007-03-21 Anordning för framställning av nanorör
FI20070231 2007-03-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FI20070231A0 FI20070231A0 (sv) 2007-03-21
FI120450B true FI120450B (sv) 2009-10-30

Family

ID=37930033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20070231A FI120450B (sv) 2007-03-21 2007-03-21 Anordning för framställning av nanorör

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8475760B2 (sv)
CN (1) CN101641282B (sv)
FI (1) FI120450B (sv)
WO (1) WO2008113892A1 (sv)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8958917B2 (en) * 1998-12-17 2015-02-17 Hach Company Method and system for remote monitoring of fluid quality and treatment
US7454295B2 (en) 1998-12-17 2008-11-18 The Watereye Corporation Anti-terrorism water quality monitoring system
US9056783B2 (en) * 1998-12-17 2015-06-16 Hach Company System for monitoring discharges into a waste water collection system
US20110125412A1 (en) * 1998-12-17 2011-05-26 Hach Company Remote monitoring of carbon nanotube sensor
US8920619B2 (en) 2003-03-19 2014-12-30 Hach Company Carbon nanotube sensor
CN100418876C (zh) * 2005-08-19 2008-09-17 清华大学 碳纳米管阵列制备装置及方法
JP5375293B2 (ja) * 2009-04-09 2013-12-25 トヨタ自動車株式会社 カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ製造装置
KR101771872B1 (ko) * 2014-04-24 2017-08-25 비엔엔티 엘엘씨 연속 질화붕소 나노튜브 섬유
KR102515356B1 (ko) 2014-11-01 2023-03-30 비엔엔티 엘엘씨 Bnnt 합성을 위한 타겟 홀더, 다입사각 및 다영역 가열
CA2985795C (en) 2015-05-13 2023-11-07 Bnnt, Llc Boron nitride nanotube neutron detector
US10442691B2 (en) 2015-05-21 2019-10-15 Bnnt, Llc Boron nitride nanotube synthesis via direct induction
US9812295B1 (en) 2016-11-15 2017-11-07 Lyten, Inc. Microwave chemical processing
US9767992B1 (en) 2017-02-09 2017-09-19 Lyten, Inc. Microwave chemical processing reactor
US9997334B1 (en) 2017-02-09 2018-06-12 Lyten, Inc. Seedless particles with carbon allotropes
US10920035B2 (en) 2017-03-16 2021-02-16 Lyten, Inc. Tuning deformation hysteresis in tires using graphene
CN110418816B (zh) 2017-03-16 2022-05-31 利腾股份有限公司 碳和弹性体整合
US9862602B1 (en) 2017-03-27 2018-01-09 Lyten, Inc. Cracking of a process gas
US9862606B1 (en) 2017-03-27 2018-01-09 Lyten, Inc. Carbon allotropes
US10465128B2 (en) 2017-09-20 2019-11-05 Lyten, Inc. Cracking of a process gas
US10756334B2 (en) 2017-12-22 2020-08-25 Lyten, Inc. Structured composite materials
EP3735582A4 (en) 2018-01-04 2021-11-10 Lyten, Inc. RESONANT GAS SENSOR
US10644368B2 (en) 2018-01-16 2020-05-05 Lyten, Inc. Pressure barrier comprising a transparent microwave window providing a pressure difference on opposite sides of the window
US11555473B2 (en) 2018-05-29 2023-01-17 Kontak LLC Dual bladder fuel tank
US11638331B2 (en) 2018-05-29 2023-04-25 Kontak LLC Multi-frequency controllers for inductive heating and associated systems and methods
CN113353919B (zh) * 2020-03-04 2022-11-01 哈尔滨金纳科技有限公司 一种单壁碳纳米管制备装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05238718A (ja) * 1992-02-27 1993-09-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd フラーレンの製造方法及び装置
JP3077655B2 (ja) 1997-12-22 2000-08-14 日本電気株式会社 カーボンナノチューブの製造装置及びその製造方法
US7125534B1 (en) 1998-09-18 2006-10-24 William Marsh Rice University Catalytic growth of single- and double-wall carbon nanotubes from metal particles
US6692717B1 (en) 1999-09-17 2004-02-17 William Marsh Rice University Catalytic growth of single-wall carbon nanotubes from metal particles
JP3422302B2 (ja) 1999-09-22 2003-06-30 日本電気株式会社 カーボンナノチューブの製造方法及びレーザターゲット
US6401526B1 (en) * 1999-12-10 2002-06-11 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Carbon nanotubes and methods of fabrication thereof using a liquid phase catalyst precursor
DE10055033A1 (de) * 2000-11-07 2002-05-08 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit grafitschaum-isoliertem, rohrförmigen Suszeptor
US7138100B2 (en) 2001-11-21 2006-11-21 William Marsh Rice Univesity Process for making single-wall carbon nanotubes utilizing refractory particles
US20040265211A1 (en) 2001-12-14 2004-12-30 Dillon Anne C. Hot wire production of single-wall carbon nanotubes
ITPD20020316A1 (it) * 2002-12-11 2004-06-12 Mauro Schiavon Dispositivo e metodo per la creazione di fullereni e/o nanotubi
FI121334B (sv) 2004-03-09 2010-10-15 Canatu Oy Förfarande och anordningar för framställning av nanorör
US20060078489A1 (en) 2004-09-09 2006-04-13 Avetik Harutyunyan Synthesis of small and narrow diameter distributed carbon single walled nanotubes
US7871591B2 (en) 2005-01-11 2011-01-18 Honda Motor Co., Ltd. Methods for growing long carbon single-walled nanotubes

Also Published As

Publication number Publication date
US20100072429A1 (en) 2010-03-25
CN101641282B (zh) 2013-04-17
FI20070231A0 (sv) 2007-03-21
CN101641282A (zh) 2010-02-03
US8475760B2 (en) 2013-07-02
WO2008113892A1 (en) 2008-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI120450B (sv) Anordning för framställning av nanorör
US20200230566A1 (en) Method and device to synthesize boron nitride nanotubes and related nanoparticles
Kim et al. Role of hydrogen in high-yield growth of boron nitride nanotubes at atmospheric pressure by induction thermal plasma
Hutchison et al. Double-walled carbon nanotubes fabricated by a hydrogen arc discharge method
KR101262827B1 (ko) 플러렌으로 기능화된 탄소나노튜브
Laplaze et al. Carbon nanotubes: dynamics of synthesis processes
Shiozawa et al. Catalyst and Chirality Dependent Growth of Carbon Nanotubes Determined Through Nano‐Test Tube Chemistry
Jost et al. Rate-limiting processes in the formation of single-wall carbon nanotubes: pointing the way to the nanotube formation mechanism
Gattia et al. AC arc discharge synthesis of single-walled nanohorns and highly convoluted graphene sheets
JP2972882B1 (ja) 窒化ホウ素ナノチューブの製造方法
Xu et al. Evolution of nanoparticles in the gas phase during the floating chemical vapor deposition synthesis of carbon nanotubes
KR100658113B1 (ko) 화학기상응축법에 의한 실리카 코팅 나노철분말 합성공정
Sun et al. Strategies for scalable gas-phase preparation of free-standing graphene
Wang et al. Multiwalled boron nitride nanotubes: growth, properties, and applications
Koprinarov et al. Ferromagnetic nanomaterials obtained by thermal decomposition of ferrocene
Moriyoshi et al. B C N nanotubes prepared by a plasma evaporation method
Zhang et al. Reaction Pathway Analysis of B/Li2O in a Li–B–O System for Boron Nitride Nanotube Growth
Harbec et al. A parametric study of carbon nanotubes production from tetrachloroethylene using a supersonic thermal plasma jet
Ou et al. Characteristics of graphene-layer encapsulated nanoparticles fabricated using laser ablation method
Tiwari et al. Engineering the physical parameters for continuous synthesis of fullerene peapods
Paul et al. Carbon microtubes produced from coconut oil
Bai et al. Controlling the catalytic synthesis of SiC nanowires, carbon nanotubes, and graphene from a multilayer film precursor
Moise et al. High-quality carbon nanomaterials synthesized by excimer laser ablation
Hatano et al. Germanium catalyzed vapor–liquid–solid growth and characterization of amorphous silicon oxide nanotubes: comparison to the growth of its nanowires
Sakhapov et al. Experimental and theoretical study of the conditions for the formation of carbon nanostructures in an arc discharge in helium, argon and nitrogen

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 120450

Country of ref document: FI

MM Patent lapsed