FI112560B - RF-suoja Integroidulla piirillä - Google Patents

Description

112560 RF-suoja integroidulla piirillä

Keksintö liittyy integroituihin piireihin.

Integroidut piirit ovat hyvin tunnettuja elektroniikka-alalla ja niitä käy-5 tetään laajasti kaikentyyppisissä elektronisissa laitteissa. Integroitu piiri on tavallisesti kapseloitu muovi- tai keramiikkapaketteihin, joilla on metalliset johti-met (nastat) signaaliliitäntöinä. On olemassa erityyppisiä paketteja (SO, TSSOP, MSOP, QSOP vain muutamia mainitaksemme), joilla on eri määrä kytkentänastoja. Kuvioihin 1A ja 1B viitaten, integroidun piirin sisääntulo-/ulos-10 tulosignaalit on kytketty nastoihin 4 liitoslangoilla 25, jotka on liitetty yhdestä päästään integroidun sirun 2 l/O-täplään 22 ja toisesta päästään pakkauksen 1 nastametalliin 28. Muovi 6 (tai muu sopiva pakkausmateriaali) on valettu sirun 2, liitosjohtimien 25 ympärille ja osittain nastojen 4 päälle siten, että osa kustakin nastasta 4 on näkyvillä valetun muovin 6 ulkopuolella. Tämä kapseloitu lai-15 te voidaan sitten juottaa painettuun piirilevyyn (PCB) tai muuhun alustaan, ja nastat 4 kiinnitetään juotoksella PCB:n signaalijohtimiin.

Monissa integroiduissa piireissä on jännitereferenssi, joka luo DC-jännitteen VREf, joka on tavallisesti lämpötilakompensoitu ja käyttöjännitteestä riippumaton. Tämä jännitereferenssi sisältää usein kohinaa, joka täytyy vai-20 mentaa. Tämä kohina on tyypillisesti matalataajuista kohinaa (ts. taajuuksilla, . jotka ovat matalampia kuin radiotaajuudet RF) ja tämän vuoksi voidaan tarvita . . ulkoista suodinpiiriä, tyypillisesti koska suurta kapasitanssia ei voida toteuttaa integroidulla sirulla. Tämä tarkoittaa, että referenssijännitteen ulostulo on kytketty sirulla olevaan l/O-täplään. Esimerkki tällaisesta piiristä, jolla luodaan ver-• 25 tailujännitteet integroidulla piirillä, on esitetty kuviossa 2. Jännitereferenssi 21 : luo DC-jännitteen Vref, joka on tavallisesti riippumaton lämpötilasta ja käyttö- jännitteestä. Jännitereferenssi 21 on langoitettu sirulla olevaan l/O-täplään 22. l/O-täplällä 22 on metallinen (esim. alumiininen) liitoslevy (täplä 23) sekä säh- ‘ ·'; köstaattisen purkauksen (ESD) suojaelementit 24 käyttöjännitettä V|N ja maata • ψ .1 · *. 30 vasten. Estosuuntaisesti kytketyt diodit tai transistorit, jotka ovat sisääntulotäp- • Iän 23 ja vastaavasti VINin ja maan välissä, voivat toteuttaa ESD-suojan 24.

Täplä 23 on lisäksi kytketty pakkauksen nastajohtimeen 4 liitosjohtimella 25.

/ Tavallisesti painetulla piirilevyllä on ulkopuolinen ohituskondensaattori Cbp.

Tämä kondensaattori Cbp on tarkoitettu alipäästösuodattamaan jänniterefe-35 renssigeneraattorin 21 kohina.

2 112560

Kuviossa 2 vertailujännite VREf syötetään myös differentiaalivahvistimelle 26, jolla on negatiivinen takaisinkytkentä 27. Differentiaalivahvistin käsittää differentiaalisen sisääntulotransistoriparin 261 ja vahvistinasteen, jolle differentiaalitransistoripari on sisääntuloaste. Differentiaalivahvistimen 26 ulos-5 tulo on kytketty siten, että vahvistin on kytketty takaisinkytkentäverkon 27 kautta vahvistimen 26 negatiiviseen (invertoivaan) sisääntuloon. Positiivinen (ei-invertoiva) sisääntulo on kytketty suoraan vertailujännitteeseen Vref. Differentiaalivahvistimen 26 ulostulojännite V0ut syötetään muille piireille integroidun piirisirun sisällä. Tyypillisesti differentiaalivahvistimen 26 tarkoituksena on pus-10 kuroida vertailujännite siten, että kuorma (ts. muut piirit) ei vaikuta vertailujännitteeseen Vref· Vahvistin 26 voi olla myös muita tarkoituksia varten, kuten lineaarinen regulaattori, jne.

Oleellinen vaatimus on, että ulostulojännite V0ut, jonka vahvistin 26 tuottaa vertailujännitteestä Vref, on niin stabiili (vakio) kuin mahdollista. Jois-15 sakin sovelluksissa vaatimukset ovat niin tiukkoja, että pelkästään muutamien satojen mikrovolttien (μν) muutos voi aiheuttaa ongelman piirin toiminnalle. Keksijä on havainnut, että on vaikeaa tai jopa mahdotonta saavuttaa tällaista tarkkuutta tämän tyyppisissä integroiduissa piireissä. Ongelma liittyy oleellisesti integroituun piiriin. Diskreetissä ratkaisussa samanlaista ongelmaa ei ole 20 olemassa.

Esillä olevan keksinnön tavoitteena on parannettu piiri, jolla on pa- j · rannettu tarkkuus.

‘ Tämä tavoite saavutetaan integroidulla piinsirulla ja integroidulla pii- ; rillä, jotka on määritelty oheisissa itsenäisissä patenttivaatimuksissa. Keksin- 25 nön edulliset suoritusmuodot on esitetty oheisissa riippuvaisissa patenttivaati-: ”i muksissa.

f Integroitu piirisiru käsittää vertailujännitegeneraattoripiirin, kytkentä- täplän ulkopuolista sisääntuloa ja/tai ulostuloa varten, sähköstaattisen purka-uksen (ESD) suojan mainitun kytkentätäplän kohdalla, ja differentiaalivahvisti-*· , 30 men, jossa on differentiaalinen sisääntulotransistoripari ja negatiivinen ta kaisinkytkentä. Vertailujänniteulostulo mainitulta vertailujännitegeneraattoripii-: riitä on kytketty tähän täplään ja differentiaalivahvistimen sisääntuloon. Keksin- / tö perustuu keksijän havainnolle, että differentiaalivahvistimen ulostulossa esiintyvä vaihtelu tällaisessa integroidussa piinsirussa johtuu ensisijaisesti ra-35 diotaajuisesta (RF) häiriöstä, joka indusoituu differentiaalivahvistimen sisääntuloon kytkentätäplässä olevan ESD-suojan kautta, sekä vahvistimen different!- 3 112560 aalisen sisääntuloparin toimimisesta tämän RF-signaaiin huippuilmaisimena. Yksi syy vahvistimen huippuilmaisutoiminnalle on, että häiriösignaalin taajuus on paljon suurempi kuin vahvistimen kaistanleveys, muutoin vahvistin kykenisi seuraamaan sisääntulevaa jännitesignaalia. Mutta koska signaalitaajuus on 5 paljon suurempi kuin vahvistimen kaistanleveys, vahvistin ilmaisee ainoastaan häiriösignaalin huippuarvon. Täten vahvistimen sisääntulossa oleva RF-sig-naali aiheuttaa vahvistimen ulostulojännitteen pienenemisen. Siinä tapauksessa, että kytkentätäplässä on purskemoodinen RF-häiriösignaali, differentiaali-vahvistimen ulostulossa on jännitemuutos. Esillä olevan keksinnön mukaisesti 10 tätä pääsyytä differentiaalivahvistimen ulostulojännitteen vaihtelulle helpotetaan tai se poistetaan alipäästösuodinpiirillä, joka on kytketty kytkentätäplän ja differentiaalivahvistimen sisääntulon väliseen signaalitiehen vaimentamaan radiotaajuista (RF) häiriötä. Tämän seurauksena RF-häiriösignaali vaimenee vahvistimen differentiaalisen parin sisääntulossa ja tämän vuoksi myös ulostu-15 lojännitteen pudotus, jonka vahvistimen huippuilmaisintoiminta aiheuttaa, pysyy alempana. Täten vahvistimen ulostulojännite on stabiilimpi ja tarkempi ja tällä tavoin täyttää myös hyvin tiukat vaatimukset.

Seuraavassa keksintö tullaan selittämään yksityiskohtaisemmin edullisten suoritusmuotojen avulla viitaten oheisiin piirroksiin, joissa 20 kuviot 1A ja 2B havainnollistavat integroitua piirisirua, joka on asen nettu (muovi)paketteihin, ’ ' kuvio 2 havainnollistaa perinteistä piiriä integroidulla piinsirulla, Λ: kuviot 3A ja 3B havainnollistavat kuvion 2 sisääntuloasteen 261 eri- V laisia suoritusmuotoja, : ': 25 kuvio 4 esittää kuviossa 2 esitetyn piirin RF-häiriön vastinkytkennän, : kuvio 5 on kuvion 4 piirin RF-signaalinsiirtofunktion voimakkuus- :' ‘: käyrä, * I » kuvio 6 havainnollistaa esillä olevan keksinnön mukaisen integ-: v, roidun piirisirun erästä suoritusmuotoa, 30 kuvio 7 esittää yksinkertaistetun RF-signaaliliitännän piirikaavion : kuviossa 6 esitetylle piirille, ja kuvio 8 on RF-signaalinsiirtofunktion voimakkuuskäyrä kuvion 2 piirille (kiinteä viiva) ja kuvion 6 piirille (katkoviiva).

; . Analysoikaamme ensin kuvion 2 piiriä yksityiskohtaisemmin, jotta , 35 paremmin ymmärtäisimme keksijän havainnot ja esillä olevan keksinnön pe rustan. Kuviossa 1 jännitereferenssillä on ulostuloresistanssi Rout· ESD-suoja 4 112560 24 tuottaa loiskapasitanssit Cpari ja CPAR2 käyttöjännitteestä Vin ja maasta jännitteeseen VREf. Lisäksi liitosjohdin 25 ja pakkauksen nastajohdin 4 aikaansaavat loisinduktanssin LPAR sirulta painetulle piirilevylle (PCP), johon nasta 4 on kytketty. Tavallisesti painetulla piirilevyllä on ulkoinen ohituskondensaattori 5 CbP. Kondensaattori CbP on tavallisesti keraaminen kapasitanssi ja sillä on myös epäideaalisuuksia RF-taajuuksilla. Nämä epäideaalisuudet eivät kuitenkaan ole niin merkittäviä, että ne pitäisi ottaa huomioon seuraavissa teoreettisissa laskelmissa. Kuviossa 4 on esitetty yllä kuvatun piirin diskreetti ekvivalenssi. Siirtofunktio Hrf käyttöjännitteestä V)N vertailujännitteeseen Vref on 10 „ , . VREF , CPAR1 s' s2 d ]

Hrf<s)s! (s)= ............................ ....r V IN C PAR2 C PARI s3 · a rs2 · b ,-s c, 15 missä il |= '—;........,; R()lT C PAR2 1 C PARI.) j C PARI C PAR2 CBP 1

20 D J- ................................... ......... I

L PAR' [C BP' iC PAR2 + C PARI j J j C 1=------------------ --------------

I' ‘; L PAR’C BP'R OUT C PAR2 1 R OUT'C PAR1'LPAR'C BP

d r -—

LPAR'CBP

25

Jotta saataisiin jonkinlainen ajatus kuvion 4 piirin RF-signaalinsiirto-funktiosta, sen voimakkuus on piirretty muutamilla todellisilla arvoilla kuviossa ; ‘ : 5. Käytetyt arvot ovat Rout = 20 kohm, CBP = 10 nf, LPAr = 5 nH, CPAri = 5 pF, ja CPAR2 = 5 pF. Kuviossa 5 RF-kohinaa vaimennetaan yli 60 dB taajuuksilla, 30 jotka ovat alempana kuin 40 MHz. Yli 600 MHz taajuuksilla vaimennus on pienempi tai yhtä suuri kuin 6 dB. Täten RF-kohinan kytkeytyminen vertailujännit-’ teeseen VREF on melko voimakas.

Vertailujännite Vref on kytketty differentiaalivahvistimen 26 sisään-tuloasteeseen 261. Sisääntuloaste 261 on muodostettu differentiaalisella tran-35 sistoriparilla, jonka kaksi peruskonfiguraatiota on esitetty kuviossa 3A ja kuvi- 5 112560 ossa 3B. Kuviossa 3A differentiaalisen parin transistorit Q1 ja Q2 ovat PNP-tyyppisiä bipolaaritransistoreja tai MOSFET-transistoreja, kun taas kuviossa 3B transistorit Q1 ja Q2 ovat NPN-tyyppisiä bipolaaritransistoreja tai MOSFET-transistoreja. Molemmissa tapauksissa differentiaalipari 2610 tai 2611' on kyt-5 ketty differentiaalisen parin kuormaan 2611 tai vastaavasti 2611Molemmissa konfiguraatioissa on myöskin matalaimpedanssiset navat A (emitterit, lähteet) kytketty yhteen ja virtalähteeseen 11. Virtalähde voi olla mikä tahansa elementti, joka sopii virtalähteeksi, jopa vastus menettelee. Tyypillisesti on olemassa loiskapasitanssi Cni, joka liittyy sisääntulotransistoreiden Q1 ja Q2 matalaim-10 pedanssiseen napaan, tai tähän yhteiseen matalaimpedanssiseen napaan voi olla jopa kytkettynä integroitu kapasitanssi.

Differentiaalinen sisääntuloaste 261 on lisäksi kytketty seuraaviin vahvistinasteisiin 262. Nämä yhdessä muodostavat differentiaalivahvistimen 26. Vahvistinulostulo Vout on kytketty takaisinkytkentäverkon 27 kautta takai-15 sin sisääntuloasteen 261 negatiiviseen (invertoivaan) sisääntuloon INM. Vertai-lujännite Vref on kytketty sisääntuloasteen 261 positiiviseen (ei-invertoivaan) sisääntuloon INP. Vahvistimen 26 tarkoituksena on esimerkiksi puskuroida ver-tailujännite siten, että myöhempänä oleva kuorma ei vaikuta vertailujännittee-seen VREf· 20 Ongelmana differentiaalivahvistimessa 26 on se, että sisääntulopari 2610 tai 2610' toimii kuin huippuilmaisin. Tarkastellaanpa tapausta, jossa käytetään bipolaaritransistoreja Q1 ja Q2. Virtalähde 11, loiskapasitanssi CNi bipo-. laaritransistoreiden Q1 ja Q2 emittereillä sekä transistori Q1 muodostavat huippuilmaisimen. Jos transistorin Q1 sisääntulossa INP on esimerkiksi siniaal-: i 25 tosignaali, transistorin Q1 kanta moduloituu. Sisääntulosignaalin alemmalla ·: j puoliaallolla emitterivirta IQ1 kasvaa. Toisaalta sisääntulosignaalin positiivisella puoliskolla emitterivirta Ien pienenee. Koska bipolaarinen emitterivirta Ien on eksponentiaalisesti riippuvainen emitteri-kantajännitteestä, virta Ien kasvaa enemmän sisääntulosignaalin negatiivisella puoliskolla kuin se pienenee si- 30 sääntulosignaalin positiivisella puoliskolla. Lisäksi keskimääräinen emitterivirta Iqi kasvaa täten alentaen solmun N1 jännitettä. Tämä johtaa differentiaalisen parin epätasapainoon ja vahvistin 26 korjaa itse tämän epätasapainon. Koska solmujännite N1 on pienentynyt ja transistorin Q2 emitteri-kantajännite on alempi kuin transistorin Q1 emitteri-kantajännite, vahvistin 26 pienentää tran-35 sistorin Q2 kantajännitettä pienentämällä ulostulojännitettä Vqut· R 112560 6

Yksi huippuilmaisun vaatimuksista on, että sisääntulosignaalin taajuus (RF-häiriö) on paljon korkeampi kuin vahvistimen 26 kaistanleveys. Muutoin vahvistin 26 kykenisi seuraamaan sisääntulojännitesignaalia. Mutta koska signaalitaajuus on paljon suurempi kuin vahvistimen kaistanleveys, vahvistin 5 26 ilmaisee ainoastaan sisääntulosignaalin huippuarvon. Toinen huippuilmaisun edellytys on, että sisääntulopari on riittävän nopea huippuilmaisemaan sisääntulosignaalin. Tämä on useimmissa tapauksissa totta, jopa kun bipolaari-transistorin Q1 yksikkövirtavahvistustaajuus fr on alempi kuin sisääntulosignaalin RF taajuus, transistori yhä kykenee osittain huippuilmaisemaan RF-10 signaalin.

Täten voidaan päätellä, että jos vahvistimen 26 sisääntulossa on RF-signaali, vahvistimen ulostulojännite Vout pienenee. Tapauksessa, jossa käyttöjännitteessä V!N on purskemoodinen RF-signaali, differentiaalivahvistimen 26 ulostulossa on jännitepudotus. Kuten yllä todettiin, tämä on ongelma 15 monissa sovelluksissa.

Keksinnön edulliset suoritusmuodot on esitetty kuviossa 6. Kuviossa 6 jännitereferenssi 21, l/O-täplä 22, kytkentätäplä 23, ESD-suoja 24, liitosjoh-din 25, differentiaalivahvistin 26, sisääntuloaste 261, vahvistinaste 262, ta-kaisinkytkentäverkko 27 sekä nasta 4 voivat olla samanlaisia kuin ne, jotka esi-20 tettiin kuviossa 2 ja selitettiin siihen viitaten. Keksinnön mukainen uusi piirre on alipäästösuodin Rrf-Crf, joka on kytketty signaalitielle, joka on l/O-täplän 22 ja differentiaalivahvistimen sisääntuloasteen 261 välissä. Esitetyissä suoritus-v muodoissa alipäästösuodin on muodostettu sarjavastuksella Rrf, joka on kyt- : ketty l/O-täplän 22 ja sisääntuloasteen 261 sisääntulon INP väliin, sekä kon- 25 densaattorista CRF, joka on kytketty vastukseen RF ja sisääntulon INP välises-·;· i tä solmusta maahan. Vertailujännitettä VRef, joka on kulkenut alipäästösuoti- :" ’; men Rrf-Crf, merkitään symbolilla VREf- kuviossa 6.

* 1 S

Kuvion 6 piirin yksinkertaistettu RF-signaalinkytkentä on esitetty ku-viossa 7. Siirtofunktio HdBLPRF käyttöjännitteestä VIN vertailujännitteeseen 30 VREF on nyt 7 112560 „ / wVrEF_ CPAR1 s‘'s ‘ e 2" is2 1 f2; 1 H LPRf(s)= 1” —— --------- ----------

VIN C PARI + C PAR2 (s4 I a 2 s3 + b 2 s2 i c2si d 2) s RRFCRF M

RRI: CRF CRF ROb"I.....R()UTC PARI ' R OUT C PAR2 i a 2~' —--r------f-------- --------—-r-- I I ROUT RRF : CRF ! CPAR1 C PAR2 i ROUT C PAR Γ R RF C RF + LPAR CBP 1 ROUT CPAR2 RRFCRF 1 CBPROUT R RF C RF) b 2=------------r " r r ---;-;--, v^v-j--------·"·—

. ROUT I LPAR': CBP 1 RRF'I C RF iC PAR 1 T C PAR2i j M :J

_ lRRFCRFtCRFROUT_ROUTCPARl1ROUTCPAR2 1 CBPROUT6 ! L R()1'T 1 PAR CBP RRF cRF CPAR1 ’ CPAR2 j d 2~ --------------- '.............

R OUT C PART R RF C RF LPAR C BP4 R OUT C PAR2 R RF C RF L PAR C BP ' e 2~ ---

RRFCRF

f2=----' lparcbp

Jo siirtofunktiosta HLprf voidaan nähdä, että jos parametri S on riittävän korkea, S-polynomit s(s+e2)( sA2+f2)/(sA4+ a2sA3+ b2sA2+ c2s+ d2) on : i suurin piirtein yhtä suuri kuin 1, kuten on laita ilman RC-suodinta. Lopulla vah- ;Y: 5 vistuksella on sama vakio Cpari/(Cpari+Cpar2) kuin ilman RC-suodinta ja yli- • , määräistä alipäästösuodinosaa 1/(sRrfCrf+1). Alipäästösuodatuksen vaikutus ,,,; voidaan selvästi nähdä kuviossa 5 esitetystä piirin voimakkuuskäyrästä. Kuvios-

• I

, : sa 5 kiinteä viiva esittää RF-signaalinsiirtofunktiota kuvion 2 piirille (ts. ilman RC- I » suodinta) ja katkoviiva esittää RF-signaalinsiirtofunktion kuvion 6 piirille (ts. RC-‘' 10 suodatuksella varustettuna). Voidaan nähdä, että RF-signaali on taajuuksilla, jot ka ovat suurempia kuin 5 MHz, ja erityisesti taajuuksilla, jotka ovat suurempia ! 1 kuin 100 MHz, merkittävästi vaimentunut differentiaaliparin 261 sisääntulossa.

: ; Esimerkiksi matkaviestinpäätelaitteissa monet RF-häiriölähteet ovat suurin piir- . tein 1 GHz tai korkeammilla taajuuksilla. Lopuksi, kun RF-signaali vaimenee dif- , 15 ferentiaalivahvistimen sisääntulossa, tämän seurauksena myös huippuilmaisusta johtuva jännitepudotus ulostulojännitteessä Vqut pysyy alempana.

8 112560

On ymmärrettävä, että selitys ainoastaan havainnollistaa keksinnön edullisia suoritusmuotoja. Keksintöä ei kuitenkaan ole rajoitettu näihin esimerkkeihin vaan se voi vaihdella oheisten patenttivaatimusten puitteissa ja hengessä. Ei esimerkiksi ole merkityksellistä onko l/O-täplä 22 liitetty vai ei.

5 Sama ongelma on olemassa myös, jos l/O-täplä 22 ei ole liitetty ja/tai jos ulkoista kuormaa tai ulkoista kapasitanssia ei lainkaan ole. 1 e » s »

Claims (11)

1. Integroitu piirisiru (2), joka käsittää vertailujännitegeneraattoripiirin (21), kytkentätäplän (22) ulkopuolista sisääntuloa ja/tai ulostuloa varten, sähköstaattisen purkauksen (ESD) suojan (24) mainitun kytkentätäplän kohdalla, 5 differentiaalivahvistimen (26), jossa on differentiaalinen sisääntulotransistoripa-ri (261) ja negatiivinen takaisinkytkentä (27), jolloin vertailujänniteulostulo (Vref) mainitulta vertailujännitegeneraattoripiiriltä (21) on kytketty mainittuun täplään ja mainitun differentiaalivahvistimen (26) sisääntuloon, tunnettu siitä, että mainittu piiri lisäksi käsittää alipäästösuodinpiirin (Rrf, Crf), joka on kytketty 10 mainitun täplän (22) ja mainitun differentiaalivahvistimen (26) väliseen signaali-tiehen suodattamaan radiotaajuinen (RF) signaali.

2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen integroitu piirisiru, tunnettu siitä, että mainittu alipäästösuodinpiiri on RC-alipäästösuodinpiiri (Rrf, Crf).

3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen integroitu piirisiru, tunnettu 15 siitä, että mainittu RC-alipäästösuodinpiiri käsittää sarjavastuksen (Rrf) mainitun täplän ja mainitun vahvistimen (26) sisääntulon välissä sekä kondensaattorin (Crf).

4. Patenttivaatimuksen 1, 2 tai 3 mukainen integroitu piirisiru, tunnettu siitä, että mainittu differentiaalivahvistin (26) on puskuri mainitun 20 vertailujännitegeneraattorin (21) tai reguloidun ulostulojännitteen tuottavan _ ( . jänniteregulaattoripiirin välissä.

. . 5. Patenttivaatimuksen 1, 2 tai 3 mukainen integroitu piirisiru, > » * ;'; ‘ tunnettu siitä, että mainittu differentiaalivahvistin (26) on osa jänniteregu- laattoria, joka tuottaa reguloidun ulostulojännitteen. • : 25

6. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen integroitu piirisiru, ; tunnettu siitä, että mainittu kytkentätäplä (22) on tarkoitettu kytkettäväksi : \ : ulkoiseen suodatuskomponenttiin (Cbp) mainitun vertailujännitegeneraattorin (21) ulostulossa esiintyvän matalataajuisen kohinan suodattamiseksi pois.

: * · ’: 7. Patenttivaatimuksen 6 mukainen integroitu piirisiru, tunnettu . . 30 siitä, että mainittu ulkoinen suodatuskomponentti on kondensaattori (Cbp).

8. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen integroitu piirisiru, * tunnettu siitä, että mainittu RF-alipäästösuodinpiiri on järjestetty vaimentamaan taajuuksia, jotka ovat suurempia kuin 5 MHz, edullisesti taajuuksia, jotka ovat suurempia kuin 100 MHz. ίο 112560

9. Integroitu piiri, joka käsittää pakkauksen (1, 6), kytkentänastan (4) mainitussa pakkauksessa (1, 6), sirun (2), jossa on vertailujännitegeneraattoripiiri (21), kytkentätäplä 5 (22) ulkoista sisääntuloa ja/tai ulostuloa varten ja joka täplä on liitetty (5) mai nittuun kytkentänastaan (4), sähköstaattisen purkauksen (ESD) suojan (24) mainitun kytkentätäplän (22) kohdalla, differentiaalivahvistimen (26), jossa on differentiaalinen sisääntulotransistoripari (261) ja negatiivinen takaisinkytkentä (27), jolloin vertailujänniteulostulo mainitulta vertailujännitegeneraattoripiiriltä 10 (21) on kytketty mainittuun täplään (22) ja mainitun differentiaalivahvistimen (26) sisääntuloon, tunnettu siitä, että mainittu siru lisäksi käsittää alipääs-tösuodinpiirin (Rrf, Crf), joka on kytketty mainitun täplän ja mainitun differentiaalivahvistimen (26) sisääntulon väliseen signaalitiehen suodattamaan radiotaajuinen (RF) signaali.

10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen integroitu piiri, tunnettu siitä, että mainittu kytkentänasta (4) on tarkoitettu kytkettäväksi ulkoiseen suo-datuskomponenttiin (CBp) suodattamaan pois matalataajuinen kohina, joka esiintyy mainitun vertailujännitegeneraattorin (21) ulostulossa.

11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen integroitu piiri, tunnettu 20 siitä, että mainittu ulkoinen suodatuskomponentti on kondensaattori (Cbp). ' » 11 112560