FI100751B - Pienikohinainen vahvistin - Google Patents

Description

100751

Pienikohinainen vahvistin

Keksintö liittyy pienikohinaisiin vahvistimiin erityisesti mikroaaltoalueelle (> 1 GHz).

5 Uudet kannettavat langattomat viestintäjärjes telmät ovat viime aikoina lisänneet erilaisten lähetti-miin ja vastaanottimiin liittyvien elektroniikkapiirien tarvetta, kuten radiotaajuusvahvistimien, -sekoittimien ja paikallisoskillaattorien tarvetta. Tyypillisesti nämä 10 toteutetaan integroituina piireinä. Eräs tärkeä osa-alue ovat pienikohinaiset vahvistimet LNA (Low Noice Amplifier) . Tunnettuja RF-alueen integroituja piirejä on esitetty mm. dokumenteissa: [1] Robert G. Meyer, " A 1-GHz BiCMOS RF Front-15 End IC", IEEE Journal of Solid State Circuits, Voi. 29, NO. 3, March 1994, p. 350-355.

[2] Asad A. Abidi, "Low-Power Radio-Frequency IC's for Portable Communications, Proceedings of the IEEE, Vol.83, No. 4, April 1995, p. 544-569.

20 Viime aikoina on esitelty erilaisia kaksiastei- siä piirikonfiguraatioita pienikohinaisille vahvistimille LNA. Hyvin usein suositaan topologioita, joissa on ; yhteisemitterikytketyn vahvistinasteen ja jonkin muun *· "'· asteen kaskadikytkentä. Useimmissa tapauksissa kaskadi- 25 kytkennät perustuvat yhteisemitteriasteen kehittämään • « « ·.♦ * vahvistukseen. Toisaalta on hyvin tunnettua, että yh- teisemitterikytkentä kärsii voimakkaasti Miller-efektis-tä. Usein tätä Miller-efektiä pienennetään kuormittamal- ♦ la yhteisemitterikytkettyä astetta kaskadissa toisena « * . 30 asteena olevan yhteiskantakytketyn piirin alhaisella | sisääntuloimpedanssilla. Käytännössä tämä pienentää hy vin paljon kokonaisvahvistusta. Lyhyesti sanottuna täl- ·· laiset konfiguraatiot kärsivät vaikeudesta sovittaa yh- • · · teen kaskadin eri asteiden sisäiset korkeat sisääntulo-35 ja ulostuloimpedanssit.

100751 2

Esillä olevan keksinnön päämääränä on uusi pie-nikohinainen vahvistin, joka toimii aikaisempaa korkeammilla taajuuksilla, omaa suuremman vahvistuksen ja pienemmän tehon kulutuksen kuin tunnetut vahvistinkonfigu-5 raatiot.

Keksinnön kohteena on vahvistin, joka käsittää sisääntuloasteen ja ulostuloasteen. Vahvistimelle on tunnusomaista, että sisääntuloaste käsittää yhteiskantakytketyn vah-10 vistinkomponentin, jonka kollektori on kytketty käyttö-jännitteeseen ensimmäisellä induktiivisella komponentilla, ulostuloaste käsittää Whiten kaskodin, jossa yhden vahvistinkomponentin kollektori on kytketty käyttö-15 jännitteeseen toisella induktiivisella komponentilla.

Esillä olevan keksinnön mukaisesti vahvistimen sisääntulosovitus ja vahvistus tehdään käyttäen yhteis-kanavahvistinastetta ensimmäisenä kaskadissa. Lisäparannus on käyttää yhteiskantakytketyn asteen korkean ulos-,··_ 20 tuloimpedanssin sovittamiseen kaskadin toisena asteena

Whiten kaskodia, jolla on korkea sisääntuloimpedanssi.

' Whiten kaskodilla on myös hyvin alhainen ja stabiili ulostuloimpedanssi, mikä palvelee erittäin hyvin ulos-*· ‘i tulosovitusta. Molempia asteita on lisäksi keksinnön ·.·.· 25 mukaisesti modifioitu siten, että niissä kollektorit on • · · V · kytketty käyttöjännitteeseen induktiivisilla komponen teilla eikä vastuksilla. Kollektoripiirissä käytetyn induktiivisen komponentin, kuten kelan, ansiosta yhteis-kantakytketyllä asteella on suurempi vahvistus, alhai-• , 30 sempi teholähteen jännite sekä taajuusselektiivisiä omi- ] naisuuksia. Parempi suorituskyky saavutetaan jopa sil- * * loin, kun kollektorivastusten sijasta käytetään on-chip ··· -keloja, joilla on melko alhainen Q-kerroin.

.·**. Keksinnön mukainen induktiivisten komponenttien 35 käyttö kollektoripiirissä antaa suunnittelijoille lisä- 100751 3 joustavuutta suuren vahvistuksen varmistamisessa. Tämä puolestaan antaa epäsuuresti muuta vapautta suunnitteluun; suunnittelijalla, kun hänet on tällä tavoin vapautettu vaatimuksista tuottaa tarpeeksi vahvistusta, on 5 enemmän vapautta valita emitterivirta alhaisen kohinan kannalta sopivaksi. Korkea lämpötilastabiilisuus ja alhainen kohina saavutetaan valitsemalla riittävän suuri emitteriresistanssi ja käyttämällä pieniresistanssista jakajaa kannan biasointivirran tuottamiseen. Seuraavan 10 White-asteen kantapiirin biasointivastuksen arvolla, joka on AC-kytketty rinnakkain ensimmäisen asteen kollek-toripiirin induktiivisen komponentin kanssa, voidaan saada lisää vahvistimen kaistanleveyden säätökykyä. Korkean Q-arvon omaavan induktiivisen komponentin käyttö 15 White-asteen kannan biasoinnissa ei tuottaisi parempia tuloksia. Päinvastoin se vähentäisi virityskaistaa, jolla jännitevahvistus säilyy lähes vakiona.

White-asteessa alhaisen Q-arvon omaavan indukto-rin käyttö ylemmän transistorin kollektorilla tehostaa ,···, 20 silmukkavahvistusta ja saa piirin suorituskyvyn paljon lähemmäksi ideaalista, koska sillä on lähes tarkalleen sataprosenttinen negatiivinen takaisinkytkentä. Tämä ; puolestaan aikaansaa lähes nollasuuruisen ulostuloimpe- “· ‘i danssin ja tekee piiristä lähes ideaalisen ulostuloas- 25 teen. Täten ulostulo saadaan standardista ominaisimpe- ·.· · danssista (yleisissä tapauksissa 50 ohmin resistanssi) .

Käytetty biasointi sisältää suuremmat resistanssit eikä ·*·.. täten käytännössä vaikuta induktiivisen komponentin lo- ;*·*; pulliseen Q-arvoon.

* . 30 Taajuudenviritys voidaan esiasettaa esimerkiksi * muuttamalla yhteiskanta-asteen ja White-kaskodin välistä DC-estokondensaattoria. Tämä vaikuttaa toisen asteen, ·· joka on kuormana ensimmäiselle asteelle, sisääntuloimpe- · · danssin häiriötasoon ja muuttaa kokonaisvahvistusta.

35 Toisaalta on mahdollista virittää vahvistusta 100751 4 itsenäisesti muuttamalla yhteiskanta-asteen maadoituska-pasitanssia, niin että tuotetaan tarkalleen tarvittu ko-konaisvahvistus.

Keksintöä selitetään seuraavassa ensisijaisten 5 suoritusmuotojen avulla viitaten oheisiin piirroksiin, joissa kuvio 1 esittää erään keksinnön mukaisen pieni-kohinaisen vahvistinpiirin, ja kuvio 2 esittää kuvion 1 vahvistimen ensimmäisen 10 asteen AC-ekvivalenttipiirin, kuvio 3 on kuvaaja, joka esittää taajuudensäädön vaikutuksen s-parametriin [s21], kun muutetaan kondensaattorin C3 arvoa, kuvio 4 on kuvaaja, joka esittää taajuudensäädön 15 vaikutuksen s-parametriin [sl2], kun muutetaan konden saattorin C3 arvoa, kuvio 5 on kuvaaja, joka esittää taajuudensäädön vaikutuksen s-parametriin [s21], kun muutetaan kondensaattorin C2 arvoa, 20 kuvio 6 on kuvaaja, joka esittää taajuudensäädön !" vaikutuksen s-parametriin [sl2], kun muutetaan konden saattorin C2 arvoa.

Esillä oleva keksintö soveltuu pienikohinaisen “♦ ‘i vahvistimen toteuttamiseen monilla erilaisilla valmis- 25 tusteknogioilla ja komponenttityypeillä. Vaikka kuviois- t·* ·.· ♦ sa 1 ja 2 esitetyssä vahvistimessa on käytetty vahvis- tineliminä NPN-bipolaaritransistoreita, keksinnön mukai-sissa piiriratkaisuissa voidaan käyttää periaatteessa minkä tahansa tyyppisiä vahvistinkomponentteja, kuten 30 MOS-, CMAS-, SOI-, HEMT- ja HPT-transistorit, mikroaal- * toputket sekä tyhjiöputket. Näissä komponenteissa elekt- ‘ ' rodien nimitykset saattavat vaihdella. Bipolaaritransis- ··· torin pääelektrodit ovat kollektori ja emitteri ja oh- ."·. jauselektrodi on kanta. EET-transistoreissa vastaavat 35 elektrodit ovat nielu, lähde ja hila. Tyhjiöputkissa 100751 5 vastaavia elektrodeja nimitetään anodi, katodi ja hila.

Täten myös termit emitteri, kollektori ja kanta sekä yhteiskantakytketty aste täytyy tässä yhteydessä ymmärtää yleisempinä käsitteinä, jotka kattavat myös muiden 5 vahvistinkomponenttityyppien elektrodit.

Kuviossa 1 on esitetty erään keksinnön mukaisen vahvistimen kytkentäkaavio. NPN-bipolaaritransistori Q1 muodostaa yhteiskantakytketyn sisääntuloasteen. NPN-transistori Q2 ja Q3 muodostavat Whiten kaskodityyppisen

10 ulostuloasteen. Ql:n kollektori on kytketty kelan LI

kautta käyttöjännitteeseen Vcc = 2, 0V, joka saadaan jännitelähteestä 10. Transistorin Q1 emitteri on kytketty emitterivastuksen Rl kautta toiseen käyttöjännitepo-tentiaaliin 0V. Jännitteenjakaja, jonka muodostaa vas- 15 tuksien R2 ja R3 sarjaankytkentä, on kytketty käyttöjännitteen Vcc ja 0V väliin muodostamaan Ql:n kantapiirin biasointi. Tätä varten Ql:n kanta on kytketty vastuksien R2 ja R3 väliseen kytkentäpisteeseen. Ql:n kannalta on lisäksi kytketty maadoituskondensaattori C2 maahan (0V).

20 Signaalilähde 11 kuvaa yleisesti piiriä, jolta vahvisti- !" men sisääntulosignaali vastaanotetaan. Signaalilähteen ' 11 toinen napa on kytketty emitterivastuksen Rl maana- paan ja toinen napa kytkentäkondensaattorin Cl kautta *· *: Ql:n emitterille.

25 Whiten kaskodissa transistorin Q2 kollektori on • · · v’ ·' kytketty kelan L2 kautta käyttöjännitteeseen Vcc. Q2:n emitteri on kytketty transistorin Q3 kollektorille sekä ·*·.. vastuksen R7 ja kytkentäkondensaattorin C5 kautta ulos- .*j'. tuloon OUT. Transistorin Q3 emitteri on kytketty vastuk- * . 30 sen R5 kautta maahan. Q2:n kanta on kytketty biasointi- ’ vastuksen R4 kautta käyttöjännitteeseen Vcc ja kytkentä kondensaattorin C3 kautta transistorin Q3 kollektorille.

· Transistorin Q3 kanta on kytketty biasointivastuksen R6 • · t ;"*· kautta käyttöjännitteeseen Vcc sekä kondensaattorin C4 • · « 35 kautta transistorin Q2 kollektorille. Kuviossa 1 piirin, 100751 6 jolle vahvistimen ulostulo OUT syötetään, aiheuttamaa kuormitusta havainnollistetaan vastuksella Rload.

Komponenttien arvot kuviossa 1 on esitetty vain esimerkkinä eräästä toteutuksesta ja mahdollistamaan 5 vertailu muiden tunnettujen pienikohinaisten vahvistimien kanssa. On ymmärrettävä, että komponenttiarvot voivat suuresti vaihdella sovelluksesta riippuen.

Kuviossa 2 esitetty kuvion 1 yhteiskantakytketyn sisääntuloasteen AC-ekvivalenttipiiri. Kuviossa 2 käy-10 tettyjen lyhenteiden merkitykset: Gcel on kanta-emit-teriliitoksen konduktanssi, Gcbl on kollektori-kanta-liitoksen konduktanssi, Gb'el on solmupisteen b' ja emitterin välinen konduktanssi; Cb'el on solmupisteen b* ja emitterin välinen kapasitanssi; Cb'el on solmupisteen 15 b' ja kollektorin välinen kapasitanssi; Rbb'1 kannan ja solmupisteen b' välinen resistanssi; Rd' on vastuksen R2 ja R3 rinnakkaiskytkennän resistanssi; b' 1 on kannan solmupiste; el on emitterin solmupiste; Gml*Vb'el on virtalähde.

i...i 20 RS edustaa signaalilähteen 11 ominaisimpedans- < i siä, joka on tavallisesti 50 ohmia. RS on kytketty kon- ' densaattorin Cl kautta transistorin Q1 sisääntuloimpe- danssiin, joka on luonteeltaan hieman induktiivinen.

*. *: Koska lähdeimpedanssi RS ja sisääntuloimpedanssi ovat ·.·.· 25 melko pieniä, kondensaattorin Cl täytyy olla riittävän

Ml ϊ.ϊ · suuri muodostaakseen niille riittävän aikavakion ja siirtääkseen kiinnostavat radiotaajuudet. Sama pätee ·*·., kondensaattorille C2, joka muodostaa yhteiskannan maa- doituksen. Kuviosta 2 voidaan nähdä, että C2 on kytketty •m 30 sarjaan sisääntulosignaalin kanssa. Täten joko Cl:n ar-

• MM

voa tai molempien arvoja voidaan käyttää säätämään si- • t · · * ' ' sääntulosignaalin tasoa ja tämän seurauksena vaikutta- ;· maan koko vahvistimen kokonaisvahvistukseen.

« » I I

Kuvion 2 ekvivalenttipiiristä voidaan myös näh-35 dä, että yhteiskantakytkettyä astetta kuormittaa induk- 100751 7 torin LI ja seuraavan sateen (Whiten kaskodi) sisääntu-loimpedanssit tasavirtaestokondensaattorin C3 kautta. Tällöin kela LI muodos aa rinnakkaisen LC-resonanssipii-rin transistorin Q1 loiskondensaattorien (Cp'el, Cp'Cl) 5 kanssa, pääasiallisesti CP'cl kanssa, korkealla reso-nanssitaajuudella. Seuraava kondensaattori C3 muodostaa impedanssimuuntajan Whiten kaskodin sisääntulokapasi-tanssin kanssa ja tällä tavoin tuo lisää kapasitanssia kelan LI rinnalle. Tämän seurauksena, jos kondensaattori 10 C3 on pieni, kelan LI rinnalla oleva kokonaiskapasitans-si muodostuu pääasiallisesti Ql:n loiskapasitansseista, jolloin vahvistimen päästökaistan keskitaajuus on suuri.

Sitä vastoin, jos kondensaattori C3 on riittävän iso, se tuo lisäkapasitanssia kelan LI rinnalla olevaan koko-15 naiskapasitanssiin, mistä on seurauksena paljon alhaisempi resonanssitaajuus.

Lisäksi, kun kondensaattori C3 on suurempi, se aikaansaa paremman RF-energiansiirron toiselle asteelle (Whiten kaskodi), mistä on seurauksena suurempi vahvis-20 tus. Täten kondensaattoria C3 voidaan käyttää vaikutta-, maan samanaikaisesti koko vahvistimen kokonaisvahvistuk- seen ja keskitaajuuteen. Toisaalta voidaan yhtä hyvin käyttää hyväksi mahdollisuutta virittää vahvistusta it-*. *: senäisesti muuttamalla yhteiskantakytketyn asteen kapa- 25 sitansseja Cl ja/tai C2, niin että muodostetaan tarkasti • · · ϊ.ϊ · tarvittava kokonaisvahvistus taajuudella, joka on valit tu kondensaattorilla C3. Kaistanleveyden virittämiseen ·*·,, voidaan lisäksi käyttää Whiten kaskodiasteen biasointi- vastusta R4, joka on rinnakkaisessa AC-kytkennässä kelan • 30 LI kanssa. Tämä itse asiassa osoittaa, että korkean Q- ' arvon omaava kela vastuksen R4 paikalla ei tässä piiri- ‘ ‘ konfiguraatiossa tuottaisi parempia ominaisuuksia.

· Toinen aste on Whiten kaskodi, jota on parannet- tu käyttämällä matalan Q-arvon omaavaa kelaa L2 ylemmän 35 transistorin Q2 kollektorilla. Tämä kela L2 tehostaa 100751 8 vahvistusta paikallisessa silmukassa ja saa piirin suorituskyvyn paljon lähemmäksi ideaalista seuraajaa, omaten lähes tarkalleen 100% negatiivisen takaisinkytkennän. Tämä tuottaa lähes nollan suuruisen ulostuloimpe-5 danssin ja tekee tästä piiristä lähes ideaalisen ulostuloasteen. Täten ulostulo voidaan ottaa kauttaaltaan standardista ominaisimpedanssista (yleisessä tapauksessa 50 ohmin resistanssi). Käytetty biasointi olettaa suuremmat resistanssit (R6) eivätkä täten käytännössä vai-10 kuta käytetyn kelan L2 alhaiseen Q-arvoon. Taaskaan korkean Q-arvon omaavan kelan käyttö kelana L2 ei toisi paljon lisää suorituskykyyn, koska sen Q-arvo pienenisi vastuksen R6 tai minkä tahansa käytetyn biasointipiirin äärellisen impedanssin vaikutuksesta. Erotuskondensaat-15 tori C5 ulostulossa voi olla on-chip tai off-chip -komponentti .

Kuvion 1 mukaista integroitua monoliittista kaistanpäästötyyppistä matalakohinaista vahvistinta (LNA) on analysoitu käyttäen 0,8 pm BiCMOS-teknologiaa, ... 20 jossa bipolaarisilla NPN transistoreilla suurin tran- sienttitaajuus FTMAX on 17 GHz, kun transistorin läpi kulkeva virta on noin 800 μΑ. Tässä esimerkissä transistorin Q1 läpi kulkevaksi virraksi ensimmäisessä asteessa ·. *: on valittu 500 μΑ, joka on alhaisimman kohinan tuottava 25 virta.

·«« ί.ϊ · Saavutettu vahvistus on 35 dB taajuudella 3 GHz kahden voltin jännitelähteestä. Tämä on melko korkea ·*·,. vahvistusarvo, vaikka kelalla LI on alhainen Q-arvo, eikä sitä voida saavuttaa kahden voltin jännitelähtees-•m 30 tä, jos Ql:n kollektorilla käytettäisiin vastusta. Transistoreilla Q2 ja Q3 on kolme kertaa suuremmat koot kuin ' ' transistorilla Ql, jotta tuotetaan ulostulovirta, joka <;· tarvitaan matalaresistanssisia kuormia varten.

4 I M

Matalan Q-arvon omaavien kelojen Li ja L2 vuoksi « * t 35 keskitaajuutta voidaan esivirittää alueella ±10% ja vah- 100751 9 vistus esiasettaa itsenäisesti välillä 20 dB ja 40 dB, mikä ei ole mahdollista tunnetuissa piirikonfiguraati-oissa.

Taajuuden valinnan vaikutus ja samanaikaiset 5 vahvistuksen muutokset kondensaattorin C3 kapasitanssia muuttamalla on esitetty kuvioissa 3 ja 4 S-parametrien [s21 ] ja [s12] ·

Sitten kun taajuus on valittu, kokonaisvahvistus voidaan määrätä käyttäen kondensaattoria C2, kuten on 10 havainnollistettu kuvioissa 5 ja 6.

Kuten oletettiin, yhteiskanta-asteen induktiivinen komponentti on melko pieni. Tällöin kondensaattorin C2 arvoa muutettaessa käytännössä ainoastaan kokonaisvahvistus muuttuu, lähes vakiotaajuudella.

15 Vahvistus voi toimia samalla tavoin ainakin 8-10 GHz taajuuksiin asti samalla teknologialla.

Vahvistinpiirin tehonkulutus on vain 8 mW kahden voltin teholähteestä.

Piiri soveltuu käytettäväksi esimerkiksi vahvis-20 tin-suodatin-puskurina erilaisissa langattomissa tieto liikennelaitteissa.

Kuviot ja niihin liittyvä selitys on tarkoitettu vain havainnollistamaan esillä olevaa keksintöä. Yksi-·. *: tyiskohdiltaan keksinnön mukainen vahvistin voi vaihdel- 25 la oheisten patenttivaatimusten puitteissa.

• · · • « · • · • · • Ci

I I I

• · · • · ·

« I

• «

• I I

Claims (9)

100751 10

1. Vahvistin, joka käsittää sisääntuloasteen ja ulostuloasteen, tunnettu siitä, että 5 sisääntuloaste käsittää yhteiskantakytketyn vah- vistinkomponentin (Ql), jonka kollektori on kytketty käyttöjännitteeseen ensimmäisellä induktiivisella komponentilla (LI) , ulostuloaste käsittää Whiten kaskodin (Q2,Q3), 10 jossa yhden vahvistinkomponentin (Q2) kollektori on kytketty käyttöjännitteeseen toisella induktiivisella komponentilla (L2) .

2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen vahvistin, tunnettu siitä, että sisääntuloaste käsittää 15 yhteiskantakytketyn transistorin (Ql), jonka kollektori on kytketty ensimmäisen kelan (LI) kautta käyttöjännitteeseen, emitteri on kytketty emitterivastuksen (Rl) kautta toiseen käyttöjännitepotentiaaliin sekä ensimmäisen kytkentäkondensaattorin (Cl) kautta vahvistimen si-20 sääntuloon, ja kanta on kytketty maadoituskondensaatto-rin (C2) kautta toiseen käyttöjännitepotentiaaliin, biasointipiirin (R2, R3) yhteiskantakytketyn transistorin (Ql) biasoimiseksi.

3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen vahvis- ♦ · · *|·* 25 tin, tunnettu siitä, että Whiten kaskodi käsit- • · · *·* * tää ensimmäisen transistorin (Q2), jonka kollektori • » • ’·· on kytketty kelan (L2) kautta käyttöjännitteeseen, emit- ··« : teri toisen kytkentäkondensaattorin (C5) kautta vahvis- 30 timen ulostuloon ja kanta kolmannen kytkentäkondensaat- • · torin (C3) kautta yhteiskantakytketyn transistorin (Ql) . kollektorille, ..li' toisen transistorin (Q3) , jonka kollektori on kytketty ensimmäisen transistorin (Q2) emitterille ja 35 emitteri on kytketty vastuksen (R5) kautta toiseen käyt- 100751 11 töjännitepotentiaaliin, biasointipiirit (R4, R6) ensimmäisen ja toisen transistorin kannan biasoimiseksi.

4. Patenttivaatimuksen 2 tai 3 mukainen vahvis-5 tin, tunnettu siitä, että vahvistimen kokonais- vahvistusta ja keskitaajuutta säädetään kolmannen kyt-kentäkondensaattorin (C3) arvoa muuttamalla.

5. Patenttivaatimuksen 2, 3 tai 4 mukainen vahvistin, tunnettu siitä, että yhteiskantakytke- 10 tyn asteen vahvistusta säädetään muuttamalla ensimmäisen kytkentäkondensaattorin (Cl) ja/tai maadoituskondensaat-torin (C2) arvoa.

6. Patenttivaatimuksen 2, 3 tai 4 mukainen vahvistin, tunnettu siitä, että vahvistimen ko- 15 hinataso asetetaan oleellisesti vahvistimen keskitaajuu-desta ja vahvistuksesta riippumattomasti mainitun emit-terivastuksen arvolla.

7. Jonkin patenttivaatimuksen 3-6 mukainen vahvistin, tunnettu siitä, että ensimmäisen tran- 20 sistorin (Q2) biasointipiiri käsittää biasointivastuksen (R4), joka on kytketty ensimmäisen transistorin kannan ja käyttöjännitteen väliin ja joka on vaihtovirtakytken-nässä rinnan ensimmäisen induktiivisen komponentin (LI) kanssa, ja että yhteiskantakytketyn asteen kaistanle- • · · **“* 25 veyttä säädetään muuttamalla biasointivastuksen (R4) • · · *·* ’ arvoa.

8. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen • · • '·· vahvistin, tunnettu siitä, että ensimmäinen ja • · · Y : toinen induktiivinen komponentti ovat keloja.

9. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen • · tit>; vahvistin, tunnettu siitä, että vahvistin on toteutettu integroidulle piirille, ja että ensimmäinen ja toinen induktiivinen komponentti ovat matalan Q-arvon omaavia on-chip -keloja. 12 100751