ES2547680T5 - Placa serigráfica para panel solar y método para imprimir un electrodo de panel solar - Google Patents

Placa serigráfica para panel solar y método para imprimir un electrodo de panel solar Download PDF

Info

Publication number
ES2547680T5
ES2547680T5 ES12742616T ES12742616T ES2547680T5 ES 2547680 T5 ES2547680 T5 ES 2547680T5 ES 12742616 T ES12742616 T ES 12742616T ES 12742616 T ES12742616 T ES 12742616T ES 2547680 T5 ES2547680 T5 ES 2547680T5
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
electrode
bus bar
screen plate
opening
printing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
ES12742616T
Other languages
English (en)
Other versions
ES2547680T3 (es
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=46602599&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=ES2547680(T5) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of ES2547680T3 publication Critical patent/ES2547680T3/es
Publication of ES2547680T5 publication Critical patent/ES2547680T5/es
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41NPRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
    • B41N1/00Printing plates or foils; Materials therefor
    • B41N1/24Stencils; Stencil materials; Carriers therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41NPRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
    • B41N1/00Printing plates or foils; Materials therefor
    • B41N1/24Stencils; Stencil materials; Carriers therefor
    • B41N1/248Mechanical details, e.g. fixation holes, reinforcement or guiding means; Perforation lines; Ink holding means; Visually or otherwise detectable marking means; Stencil units
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/0201Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433Particular geometry of the grid contacts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Printing Methods (AREA)

Description

DESCRIPCIÓN
Placa serigráfica para panel solar y método para imprimir un electrodo de panel solar
Campo de la invención
La presente invención se refiere a una placa serigráfica que permite fabricar paneles solares con fiabilidad a largo plazo y con buena productividad. Más en particular, se refiere a una placa serigráfica cuyo patrón de máscara de electrodo de barra colectora se modifica de manera que los electrodos puedan formarse con un bajo coste mientras que se mantiene una alta eficacia de conversión; y a un método para imprimir electrodos de panel solar usando la placa serigráfica.
Antecedentes de la técnica
Un panel solar fabricado mediante la tecnología de la técnica anterior se describe en referencia a su vista en sección transversal (FIG. 1), configuración de superficie frontal (FIG. 2) y configuración de superficie trasera (FIG. 3). En general, el panel solar incluye un sustrato semiconductor 100 de tipo p de silicio o similar en el que se difunde un dopante de tipo n para formar una capa de difusión 101 de tipo n para definir una confluencia p-n. En la capa de difusión 101 de tipo n, se forma una película de antirreflejo 102 tal como una película SiNx. En la superficie trasera del sustrato semiconductor 100 de tipo p, una pasta de aluminio se reviste sustancialmente por toda la superficie y se enciende para formar una capa 103 de campo de superficie trasera (BSF) y un electrodo de aluminio 104. Además, en la superficie trasera, se forma un electrodo amplio 106, conocido como electrodo de barra colectora, para la recogida de corriente revistiendo una pasta conductora que contiene plata o similar y encendiéndola. En el lado de superficie que recibe la luz, unos electrodos de dedo 107 para la recogida de corriente y unos electrodos amplios 105, conocidos como electrodos de barra colectora, para recoger corriente desde los electrodos de dedo, están dispuestos en un patrón con forma de peine para cruzarse en ángulos sustancialmente rectos.
En la fabricación de paneles solares de este tipo, los electrodos pueden formarse mediante diversos métodos incluyendo evaporación, composición, impresión y similares. Los electrodos de dedo delanteros 107 se forman generalmente mediante el método de impresión/encendido que se describirá a continuación debido a la facilidad de formación y el bajo coste. Específicamente, una pasta conductora obtenida mezclando polvo de plata, frita de vidrio, un vehículo orgánico y disolvente orgánico como ingredientes principales se usa generalmente como el material del electrodo delantero. La pasta conductora se reviste mediante un proceso de impresión serigráfica o similar, y se enciende a una alta temperatura en un horno de encendido para formar el electrodo delantero.
Se describe a continuación el proceso de impresión serigráfica.
El proceso de impresión serigráfica usa una placa serigráfica que se prepara proporcionando un tejido de malla 110 de filamentos de urdimbre y trama octogonalmente tejidos, revistiendo el tejido con una emulsión fotosensitiva 111, exposición, y eliminando partes de la emulsión para definir un orificio de patrón sustancialmente rectangular (FIG.4). La placa serigráfica se coloca sobre el trabajo que se va a imprimir. Una pasta de impresión (tinta) descansa en la placa serigráfica y se extiende sobre el patrón. Una cuchilla flexible conocida como escobilla de impresión 112 se atraviesa con una dureza adecuada de escobilla (60 a 80 grados), ángulo de escobilla (60 a 80 grados), presión o presión aplicada (0,2 a 0,5 MPa), y velocidad de impresión (20 a 100 mm/s) para transferir por tanto la pasta de impresión al trabajo que se va a imprimir a través del orificio de patrón. La pasta de impresión aplicada al trabajo que se va a imprimir se seca después para formar un patrón impreso.
Inmediatamente después de que la pasta de impresión caiga a través de las mallas en el orificio de patrón donde no hay filamentos y se una al trabajo que se va a imprimir, la pasta de impresión permanece sin unirse a las porciones correspondientes a los filamentos de urdimbre y trama en el orificio de patrón. Más tarde, la pasta de impresión unida a las porciones correspondientes con las mallas comienza a fluir, teniendo como resultado un patrón impreso continuo de espesor uniforme.
Tal como se ha descrito anteriormente, el proceso de impresión serigráfica es tal que la pasta de impresión con la que se rellena el orificio de patrón en la placa serigráfica se transfiere al trabajo que se va a imprimir mediante un movimiento transversal de la escobilla de impresión (o cuchilla) por donde se forma el mismo patrón que el orificio de patrón definido en la placa serigráfica en el trabajo a imprimir.
La resistencia de contacto entre el electrodo de dedo frontal 107 formado mediante el anterior proceso y el sustrato de silicio 100 y la resistencia de interconexión del electrodo afectan en gran medida a la eficacia de conversión de un panel solar. Para ganar una alta eficacia (baja resistencia de la serie de paneles, alto factor de forma (FF)), la resistencia de contacto y la resistencia de interconexión del electrodo de dedo delantero 107 deben tener valores totalmente bajos.
Además, el área del electrodo debe ser pequeña para que la superficie que recibe la luz pueda absorber tanta luz como sea posible. Para mejorar la corriente de cortocircuito (Jsc) mientras que se mantiene el FF, el electrodo de dedo debe formarse de manera que pueda tener una anchura reducida (delgada) y un área incrementada en sección transversal, es decir, una alta proporción.
Aunque se usan diversos métodos para formar electrodos de panel solar, los métodos conocidos para formar líneas ultra finas que tienen una proporción alta incluyen un método de formación de hendiduras en un panel y rellenar las hendiduras con pasta (documento JP-A 2006-54374) y un método de impresión basado en impresión de chorro de tinta. Sin embargo, el primer método no es aconsejable, ya que la etapa de formar hendiduras en un sustrato puede provocar daños al sustrato. Ya que el último método de impresión de chorro de tinta está diseñado para aplicar presión al líquido para inyectar gotitas a través de una fina tobera, es aconsejable formar líneas finas, pero es difícil ganar una altura.
Por otro lado, el método de serigrafía es un método de bajo coste y alta productividad ya que la formación de un patrón impreso es fácil, los daños al sustrato se minimizan ajustando la presión aplicada, y el ritmo de trabajo por panel es alto. Si se usa una pasta conductora con una alta tixotropía, puede formarse un electrodo que retenga la forma a medida que se transfiere y que tenga una alta proporción.
Tal como se ha analizado anteriormente, el método de serigrafía es más adecuado para formar electrodos de gran proporción a bajo coste, a diferencia de otros métodos de impresión.
Sin embargo, cuando se imprimen finas líneas usando el método anterior, surge el problema de que la conexión entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo se vuelve muy fina y, lo que es peor, puede romperse. Si el electrodo de dedo en el lado que recibe la luz adelgaza localmente o incluso se rompe, esa porción se convierte en un factor de control de resistencia, lo que tiene como resultado una caída en el factor de forma.
La causa de la rotura es una diferencia en el espesor de la película en la conexión entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo. En serigrafía, el aumento de pasta está en proporción con el tamaño de una abertura. Principalmente, se proporciona un gran aumento de pasta para el electrodo de barra colectora en correspondencia con una gran abertura mientras que un pequeño aumento de pasta se proporciona para el electrodo de dedo en correspondencia con una pequeña abertura. De esta manera, surge una diferencia en el espesor de la película entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo. Si los electrodos se encienden en este estado, ocurre la rotura en el límite entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo por que el electrodo de barra colectora con un aumento mayor sufre una mayor contracción. Si la diferencia es pequeña, surge un fenómeno por el que la conexión entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo se vuelve muy fina. Además, en el proceso de impresión serigráfica, la dirección de impresión (dirección transversal de una escobilla de impresión) también se convierte en un factor que promueve la rotura. Para evitar la rotura de un electrodo de dedo, la placa serigráfica 1 se modela generalmente de manera que la dirección de impresión y la abertura del electrodo de dedo 2 sean sustancialmente paralelas, y la dirección de impresión y la abertura del electrodo de barra colectora 3 sean sustancialmente perpendiculares (FIG. 8). Con este diseño, los electrodos recién impresos se configuran de manera que la anchura de la conexión entre el electrodo de barra colectora 13 y el electrodo de dedo 12 colocados en el lado de impresión corriente arriba con respecto al electrodo de dedo 12 sea muy estrecha (FIG. 9). Tal estrechamiento es increíble particularmente cuando se imprimen líneas finas. Esto se debe a que en la conexión entre la abertura del electrodo de dedo 2 y la abertura del electrodo de barra colectora 3, la escobilla de impresión cae en la abertura del electrodo de barra colectora 3, teniendo como resultado un menor aumento de pasta en esta conexión. En comparación, la anchura de la conexión entre el electrodo de barra colectora 13 y el electrodo de dedo 12 ubicados en el lado de impresión corriente abajo tiende a ser ancha debido a un aumento mayor de pasta (FIG.
9). De manera notable, la placa incluye zonas bloqueadas o cubiertas 5.
Además, es probable que ocurra un fenómeno de silla ya que la abertura del electrodo de barra colectora 3 es considerablemente más ancha que la abertura del electrodo de dedo 2, y la escobilla 112 atraviesa por la placa en perpendicular a la abertura del electrodo de barra colectora 3 como se ha mencionado antes. El fenómeno de silla consiste en que cuando se imprime una porción abierta y ancha como la barra colectora, la porción abierta recibe presión por parte de la escobilla 112 (FIG. 5), y una porción central 113 se abolla en más profundidad que los bordes de la pasta en la dirección de anchura del electrodo de barra colectora (FIG. 6). Al ocurrir el fenómeno de silla ocurre una diferencia entre la altura del electrodo de barra colectora en su borde en su dirección de anchura y la altura del electrodo de dedo. Ya que el borde del electrodo de barra colectora con un aumento mayor tiene un factor de contracción mayor durante el encendido del electrodo, la conexión entre el electrodo de barra colectora 13 y el electrodo de dedo 12 puede romperse 114 (FIG. 10). Debe apreciarse que en la Figura 10, la línea discontinua denota la conexión entre el electrodo de barra colectora 13 y el electrodo de dedo 12.
Incluso cuando un electrodo de dedo y un electrodo de barra colectora se imprimen por separado, ocurre un fenómeno de silla en el electrodo de barra colectora, no pudiendo evitar la rotura en la conexión entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo.
Para solucionar el anterior problema, el documento JP-A 2009-272405 divulga ensanchar la conexión entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo. Durante el uso de este método, sin embargo, se forman grumos o borrosidades porque la conexión entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo es extremadamente gruesa. Esto hace que surjan problemas como una pérdida de sombra incrementada y propiedades deterioradas. Ya que el panel solar es, de hecho, un dispositivo que se usa bajo la luz solar, existen muchas opciones de que esté a la vista del público, a diferencia de otros dispositivos semiconductores. Por consiguiente, no solo el rendimiento, sino también la apariencia es muy importante para el panel solar. El método de la anterior patente tiene el problema de que ya que la conexión entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo es gruesa, el electrodo de dedo se vuelve discontinuo en anchura, restándole valor a la apariencia estética.
También se conoce que se evita que la escobilla se caiga en la abertura de la barra colectora realizando la serigrafía con la posición de instalación de la placa serigráfica rotada en un ángulo diferente a múltiplos de 90° en relación con la dirección de recorrido de la escobilla (FIG. 7). Este método, sin embargo, tiene el problema de que ya que la dirección de recorrido de la escobilla no es paralela a la abertura del dedo, el electrodo de dedo se desenfoca, no pudiendo realizar una impresión precisa.
El documento JP-A-2005/116559 enseña una placa serigráfica para la impresión de pasta conductora para formar electrodos de panel solar.
Sumario de la invención
Problema técnico
Aunque la invención se realiza para superar los anteriores problemas, su objetivo es proporcionar una placa serigráfica para su uso con paneles solares y un método de impresión de electrodos de panel solar a través de la placa serigráfica, por el que se forman electrodos que tienen una proporción alta y una baja resistencia para permitir una fabricación de bajo coste de paneles solares con una alta eficacia de conversión.
Solución al problema
La presente invención pretende solucionar los anteriores problemas y pertenece a un método de fabricación de un panel solar mediante la impresión de una pasta conductora para formar simultáneamente un electrodo de barra colectora y un electrodo de dedo. Con respecto a la formación del electrodo mediante la serigrafía a través de una placa serigráfica que incluye una abertura de electrodo de barra colectora, se ha encontrado que si la abertura del electrodo de barra colectora se proporciona parcialmente con una zona bloqueada, se reduce la presión aplicada por la escobilla a la pasta con la que se ha rellenado la abertura. Por tanto, se inhibe la rotura del electrodo. La invención afirma este descubrimiento.
Por consiguiente, la invención proporciona una placa serigráfica para su uso con paneles solares y un método de impresión de electrodos de panel solar tal como se define en las reivindicaciones.
Debe apreciarse que las roturas ocurren en rara ocasión con una abertura de dedo usada normalmente que tiene una anchura de 80 a 100 |jm. La invención es eficaz para líneas finas correspondientes a una abertura de dedo con una anchura menor de 80 jm.
Para beneficiarse completamente de la invención cuando se imprimen electrodos de panel solar usando la placa serigráfica que tiene las características antes descritas, es aconsejable que la dirección de impresión sea sustancialmente perpendicular a la dirección longitudinal del electrodo de barra colectora.
Efectos ventajosos de la invención
El uso de la placa serigráfica inventiva hace que sea posible reducir el coste de fabricación de paneles solares, para evitar que la conexión entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo se rompa sin incrementar la pérdida de sombra o comprometer la apariencia estética de los paneles solares, y para fabricar paneles solares fiables con una alta productividad.
Breve descripción de los dibujos
La FIG. 1 es una vista en sección transversal de electrodos de un panel solar típico.
La FIG. 2 es una vista en planta que muestra la configuración de superficie delantera de un panel solar típico. La FIG. 3 es una vista en planta que muestra la configuración de superficie trasera de un panel solar típico. La FIG. 4 ilustra esquemáticamente una etapa de impresión usando una placa serigráfica convencional.
La FIG. 5 ilustra esquemáticamente un fenómeno de silla durante la etapa de impresión usando una placa serigráfica convencional.
La FIG. 6 es una vista en sección transversal que muestra el perfil de un electrodo recién impreso usando la placa serigráfica convencional.
La FIG. 7 ilustra esquemáticamente un método a modo de ejemplo para evitar la rotura usando una placa serigráfica convencional.
La FIG. 8 es una vista ampliada de aberturas en una placa serigráfica convencional.
La FIG. 9 es una vista ampliada de electrodos impresos usando la placa serigráfica convencional.
La FIG. 10 es una vista en sección transversal de las conexiones entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo tomada a lo largo de la línea A-A en la FIG. 9.
La FIG. 11 es una vista ampliada que muestra aberturas en una placa serigráfica en una realización de la invención.
La FIG. 12 es una vista ampliada de electrodos impresos usando la placa serigráfica en una realización de la invención.
La FIG. 13 es una vista en sección transversal de las conexiones entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo tomada a lo largo de la línea B-B en la FIG. 12.
Descripción de realizaciones
Una realización de la invención se describe en detalle a continuación. La placa serigráfica para su uso en la fabricación de paneles solares incluye una porción que proporciona un electrodo de barra colectora que incluye una zona bloqueada. En una realización preferente, la zona bloqueada representa hasta el 60 %, más preferentemente hasta el 55 % de un área de abertura calculada a partir del contorno del electrodo de barra colectora. La invención ejerce su efecto más cuando la zona bloqueada representa al menos el 30 %, más preferentemente al menos el 45 % del área de abertura. La placa serigráfica también incluye una abertura de electrodo de dedo que tiene una anchura de menos de 80 |jm, preferentemente 40 |jm a menos de 80 |jm, más preferentemente 40 |jm a 75 |jm, incluso más preferentemente 45 jm a 70 jm , y más preferentemente 50 jm a 60 jm.
La FIG. 11 ilustra una placa serigráfica a modo de ejemplo de la invención. En la FIG. 11, la placa serigráfica 1 incluye una pluralidad de aberturas del electrodo de dedo 2 que se extienden en paralelo a la dirección de impresión (mostrada por las flechas) y una abertura del electrodo de barra colectora 3 de una anchura amplia (Wb) que se extiende en perpendicular a la dirección de impresión. La anchura Wb es preferentemente 0,5 a 3 mm, más preferentemente 1 a 2 mm. En la placa serigráfica 1 de acuerdo con la invención, la abertura del electrodo de barra colectora 3 incluye una pluralidad de zonas bloqueadas 4 dispuestas en su interior. Esas zonas bloqueadas 4 se forman en posiciones alineadas con la dirección longitudinal de las aberturas del electrodo de dedo 2. La zona bloqueada 4 dentro de la abertura 2 del electrodo de barra colectora está preferentemente separada a una distancia (Wc) de 50 a 700 jm , más preferentemente 100 a 300 jm del límite entre la abertura del electrodo de dedo 2 y la abertura del electrodo de barra colectora 3. Si la distancia es menor de 50 jm , entonces la cantidad de pasta descargada puede reducirse, invitando a la rotura. Si la distancia supera 700 jm, entonces el empuje de la pasta al presionar la escobilla se vuelve increíble para que ocurra un fenómeno de silla, dejando el riesgo de una rotura debido a la contracción diferencial tras el encendido. La separación entre las zonas bloqueadas 4 va preferentemente de 100 a 2000 jm , más preferentemente 300 a 1000 jm.
El área total de zonas bloqueadas 4 es de hasta el 60 % del área total de la abertura del electrodo de barra colectora 3 y las zonas bloqueadas 4 (es decir, el área de barra colectora calculada a partir del contorno de la abertura 3 de electrodo de barra colectora de la placa serigráfica). La anchura Wf de la abertura del electrodo de dedo 2 es menor de 80 jm.
El uso de la placa serigráfica configurada como se ha dicho anteriormente es eficaz para evitar la rotura de los electrodos de dedo, la caída de las escobillas en la abertura del electrodo de barra colectora durante la impresión, y un espesamiento del electrodo de dedo en la transición desde el electrodo de barra colectora al electrodo de dedo, tal como se muestra mejor en las FIG. 12 y 13.
Ahora, se describirá un método a modo de ejemplo de fabricación de un panel solar usando la placa serigráfica de acuerdo con la invención. La invención no se limita al panel solar fabricado mediante este método.
Un sustrato de silicio de tipo p {100} monocristalino recién cortado en el que se dopa silicio de alta pureza con un elemento de Grupo III tal como boro o galio para dar una resistividad de 0,1 a 5 Q cm se graba con una solución alcalina concentrada de hidróxido de sodio o hidróxido de potasio que tiene una concentración del 5 al 60 % por peso o ácido mezclado de ácido hidrofluórico y ácido nítrico para retirar la capa de superficie dañada del trabajo. El sustrato de silicio monocristalino puede haberse preparado mediante el método CZ o FZ.
Posteriormente, la superficie del sustrato se provee de asperezas microscópicas conocidas como textura. La textura es un medio eficaz para reducir la reflectividad de los paneles solares. La textura puede proporcionarse fácilmente sumergiendo el sustrato en una solución alcalina caliente de hidróxido de sodio, hidróxido de potasio, carbonato de potasio, carbonato de sodio o bicarbonato de sodio (concentración de 1 a 10 % en peso) a una temperatura de 60 a 100 °C durante aproximadamente 10 a aproximadamente 30 minutos. A menudo, una cantidad apropiada de 2-propanol se disuelve en la solución alcalina para promover la reacción.
El proceso de textura va seguido del lavado con una solución ácida y acuosa tal como ácido hidroclórico, ácido sulfúrico, ácido nítrico o ácido hidrofluórico o una mezcla de los mismos. El lavado con ácido hidroclórico es preferible desde los puntos de vista del coste y la eficacia. Para mejorar la limpieza, puede llevarse a cabo el lavado mezclando de 0,5 a 5 % en peso de peróxido de hidrógeno acuoso con ácido hidroclórico acuoso y calentándolo entre 60 a 90 °C.
En el sustrato, se forma una capa emisora mediante difusión de fase de vapor usando cloruro de fosforilo. En los paneles solares comunes de silicio, debe formarse una confluencia p-n solo en la superficie que recibe la luz. Para este fin deben adoptarse medidas adecuadas para evitar cualquier confluencia p-n en la superficie trasera, por ejemplo, llevando a cabo la difusión mientras que dos sustratos coinciden, o formando una película de SiO2 o SiNx en la superficie trasera como máscara de difusión antes de la difusión. En el final de la difusión, el vidrio formado en la superficie se retira usando ácido hidrofluórico o similar.
A continuación, se forma una película de antirreflejos en la superficie que recibe la luz. Usando un sistema de deposición química de vapor (CVD) mejorado con plasma para la formación de la película, se deposita una película de SiNx para un espesor de aproximadamente 100 mm. A menudo, se usa una mezcla de monosilano (SiH4) y amoniaco (NH3) como el gas reactivo, aunque puede usarse nitrógeno en lugar de NH3. También puede mezclarse hidrógeno con el gas reactivo para ajustar la presión del proceso, para diluir el gas reactivo, o para mejorar el efecto de pasivación de masa cuando el sustrato usado es de silicio policristalino.
A continuación, se forma un electrodo trasero mediante el método de serigrafía. En la superficie trasera del sustrato, una pasta obtenida mezclando polvo de plata y frita de vidrio con un aglutinante orgánico se imprime mediante serigrafía en un patrón de barra colectora, tras lo cual una pasta obtenida mezclando polvo de aluminio con un aglutinante orgánico se imprime mediante serigrafía en la región que excluye la barra colectora. Tras la impresión, las pastas se encienden a una temperatura de 700 a 800 °C durante 5 a 30 minutos para formar un electrodo trasero. El electrodo trasero se forma preferentemente mediante el método de impresión, aunque puede formarse por evaporación, bombardeo o similar.
A continuación, se forma un electrodo delantero mediante el método de serigrafía usando la placa serigráfica de acuerdo con la invención.
Específicamente, una pasta obtenida mezclando polvo de plata y frita de vidrio con un aglutinante orgánico se imprime sobre la superficie delantera del sustrato usando una placa serigráfica que tiene un patrón de impresión con forma de peine diseñada para un electrodo de dedo con una anchura de 30 a 80 |jm y una separación de electrodo de dedo de 0,5 a 4,0 mm.
La placa serigráfica de la invención puede obtenerse simplemente proporcionando la abertura del electrodo de barra colectora con zonas bloqueadas tal como se muestra en la FIG. 11, si la necesidad de cambiar el patrón convencional del panel solar como se ha mencionado anteriormente.
Las placas de serigrafía usadas comúnmente incluyen aberturas de dedo que tienen una anchura de 80 a 100 jm. En este caso, la rotura, tal como se ha mencionado antes, ocurre en rara ocasión ya que los electrodos de dedo son totalmente amplios y pueden imprimirse gruesos. Sin embargo, ya que las líneas se estrechan para una abertura de dedo con una anchura menor de 80 jm, la diferencia en el espesor de la película entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo se vuelve mayor. Por tanto, puede ocurrir la rotura debido a la contracción térmica diferencial (FIG. 9).
En comparación, cuando se fabrica un panel solar imprimiendo un electrodo de barra colectora y un electrodo de dedo simultáneamente, el riesgo de rotura puede evitarse mediante la etapa de impresión usando una placa serigráfica que incluye una abertura de electrodo de barra colectora que incluye zonas bloqueadas que representan hasta el 60 % del área de abertura calculada a partir del contorno del electrodo de barra colectora (FIG. 13).
Para obtener todas las ventajas de la invención cuando se fabrican paneles solares mediante electrodos de impresión a través de la placa serigráfica que tiene las características antes descritas, es aconsejable que la dirección de impresión sea sustancialmente perpendicular al electrodo de barra colectora.
El uso de la placa serigráfica de acuerdo con la invención tiene el efecto adicional de evitar que el electrodo de dedo se espese ya que la presencia de zonas bloqueadas en la abertura del electrodo de barra colectora reduce la cantidad de pasta descargada en el último lado de impresión (FIG. 12).
Cuando una zona bloqueada se incluye parcialmente en la abertura de barra colectora, puede dejarse una zona sin imprimir tras la impresión. Sin embargo, esto no provoca problemas en la apariencia exterior ya que una tira de plomo de cobre revestida por soldadura se une al área tras la fabricación de un módulo. Siempre que el área del electrodo de barra colectora sea al menos el 40 % del área estándar del electrodo de barra colectora, la resistencia de unión de la tira de plomo con el electrodo de barra colectora se mantiene. Ya que se reduce la cantidad usada del electrodo de barra colectora, pueden fabricarse paneles solares con menor coste. La inclusión de zonas bloqueadas en la abertura del electrodo de barra colectora de la placa serigráfica evita cualquier rotura de la conexión entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo.
Una vez que se forman los electrodos mediante el método antes mencionado, estos se encienden calentándose en el aire a una temperatura de 700 a 800 °C durante 5 a 30 minutos. El encendido del electrodo trasero y del electrodo del lado que recibe la luz puede realizarse al mismo tiempo.
Ejemplos
Los ejemplos y ejemplos comparativos se aportan a continuación a modo de ilustración y no de limitación.
[Ejemplos y ejemplos comparativos]
Para demostrar los beneficios de la invención, se fabricaron paneles solares procesando treinta (30) sustratos semiconductores tal como sigue.
Se proporcionaron placas de serigrafía con un patrón A convencional que tiene una abertura del electrodo de dedo con una anchura (Wf) de 60 |jm (Ejemplo Comparativo, FIG. 8), un patrón B que incluye una abertura del electrodo de barra colectora que incluye zonas bloqueadas (FIG. 11), equivalente por lo demás al patrón A, y un patrón C que tiene una anchura de abertura del electrodo de dedo (Wf) de 100 jm (Ejemplo Comparativo, FIG. 8) como el patrón de impresión. Todos los patrones tenían comúnmente una anchura (Wb) de abertura del electrodo de barra colectora de 1,5 mm.
Más en particular, en el patrón B, la abertura del electrodo de barra colectora se separó a una distancia Wc de 100 jm del límite entre la abertura del electrodo de dedo y la abertura del electrodo de barra colectora, la separación entre las zonas bloqueadas fue de 1000 jm , y el área total de las zonas bloqueadas fue el 55 % del área de barra colectora calculada a partir del contorno de la abertura del electrodo de barra colectora.
Se proporcionó un sustrato 100 de silicio de tipo p {100} recién cortado dopado con boro de 15 cm2 con un espesor de 250 jm y una resistividad de 2,0 Q cm. El sustrato se sumergió en una solución acuosa de hidróxido de potasio concentrado para retirar la capa dañada del trabajo, se le dio textura, sufrió un tratamiento de calor a 850 °C en una atmósfera de cloruro de fosforilo para formar una capa emisora 101, y se grabó con ácido hidrofluórico para retirar el vidrio de fósforo, seguido de un lavado y secado. Después, se formó una película de SiNx 102 usando un sistema CVD mejorado con plasma. En la superficie trasera, una pasta de polvo de plata, frita de vidrio y un aglutinante orgánico se imprimió por serigrafía en un patrón de barra colectora 106, tras lo cual una pasta de polvo de aluminio y un aglutinante orgánico se imprimió por serigrafía en un patrón 104 excluyendo la barra colectora. El disolvente orgánico se evaporó, produciendo un sustrato semiconductor con un electrodo trasero formado en él.
A continuación, una pasta conductora basada en polvo de plata, frita de vidrio, un vehículo orgánico y disolvente orgánico y conteniendo además un óxido de metal como aditivo se aplicó sobre la película de antirreflejo en el sustrato semiconductor usando una placa serigráfica con un patrón de impresión seleccionado en una dureza de escobilla de 70 grados, un ángulo de escobilla de 70 grados, una presión aplicada de 0,3 MPa, y una velocidad de impresión de 50 mm/s. Tras la impresión, el sustrato se calentó en un horno limpio a 150 °C para su secado y se encendió en el aire a 800 °C.
Se observaron treinta (30) paneles solares fabricados de esta manera para electrodos bajo un microscopio óptico y se evaluaron mediante un simulador solar (atmósfera de 25 °C, intensidad de irradiación 1kW/m2, espectro Am 1.5 Global). Además, bajo el microscopio óptico, se observaron la anchura de los electrodos de dedo tras la impresión y la anchura de la conexión para inspeccionar cualquier rotura. Los resultados promedios del Ejemplo y los Ejemplos Comparativos se muestran en la Tabla 1.
T l 1
Figure imgf000007_0001
La rotura en la conexión entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo se observó bajo un nivel estándar A, pero no en el método de la invención y también bajo el nivel C usando una gran anchura de la abertura. La corriente de cortocircuito cayó bajo el nivel C usando una gran anchura del electrodo de dedo. Esta caída fue provocada por una pérdida de sombra debido a la anchura incrementada. El factor de forma bajo el nivel B libre de rotura fue del 75,1 %, lo que fue aproximadamente un 1,5 % mayor que bajo el nivel A que sufrió rotura.
En la técnica anterior, ocurrió una rotura en la conexión entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo. Al usar la placa serigráfica de la invención, los electrodos con una proporción alta pueden formarse sin riesgo de rotura sin incrementar el número de etapas.
Tal como se ha demostrado anteriormente, la invención asegura que el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo se formen sin riesgo de rotura en la conexión entre el electrodo de barra colectora y el electrodo de dedo. De esta manera, los paneles solares con una alta eficacia de conversión pueden fabricarse en grandes cantidades.
Lista de signos de referencia
1 placa serigráfica
2 abertura del electrodo de dedo
3 abertura del electrodo de barra colectora
4 zona bloqueada en la abertura del electrodo de barra colectora
5 zona bloqueada
12 electrodo de dedo
13 electrodo de barra colectora delantero
100 sustrato semiconductor tipo p
101 capa de difusión tipo n
102 película antirreflejo (película SiNx)
103 capa BSF
104 electrodo de aluminio
105 electrodo de barra colectora delantero
106 electrodo de barra colectora trasero
107 electrodo de dedo
110 tejido de malla
111 emulsión
112 escobilla
113 abolladura
114 rotura

Claims (9)

REIVINDICACIONES
1. Una placa serigráfica (1) para su uso en la impresión de una pasta conductora para formar simultáneamente un electrodo de barra colectora y una pluralidad de electrodos de dedo en un panel solar, incluyendo la placa serigráfica (1) una abertura del electrodo de barra colectora (3) y una pluralidad de aberturas del electrodo de dedo (2), caracterizada por que las aberturas del electrodo de dedo (2) tienen una anchura de la abertura de menos de 80 |jm, y la placa serigráfica tiene una pluralidad de zonas bloqueadas (4) en la abertura del electrodo de barra colectora (3), estando cada zona bloqueada (4) en una posición alineada con la dirección longitudinal de una respectiva de dicha abertura del electrodo de dedo (2).
2. La placa serigráfica de la reivindicación 1, en la que las zonas bloqueadas (4) representan hasta el 60 % de un área de barra colectora calculada a partir del contorno de la abertura del electrodo de barra colectora (3) de la placa serigráfica (1).
3. La placa serigráfica de las reivindicaciones 1 o 2 en la que la zona bloqueada (4) en la abertura del electrodo de barra colectora (3) está separada a una distancia de 50 a 700 jm del límite entre la abertura del electrodo de dedo (2) y la abertura del electrodo de barra colectora (3).
4. La placa serigráfica de la reivindicación 3 en la que dicha distancia es de 100 a 300 jm.
5. La placa serigráfica de la reivindicación 1 en la que la separación entre las zonas bloqueadas (4) es de 100 a 2000 jm.
6. La placa serigráfica de la reivindicación 5 en la que dicha separación entre las zonas bloqueadas (4) es de 300 a 1000 jm.
7. La placa serigráfica de una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 6 en la que la anchura de la abertura del electrodo de barra colectora (3) es de 0,5 a 3 mm.
8. Un método de impresión de electrodos de panel solar en el que se imprime una pasta conductora para formar simultáneamente un electrodo de barra colectora (13) y una pluralidad de electrodos de dedo (12) en un panel solar, caracterizado por usar una placa serigráfica (1) de una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 7.
9. Un método de la reivindicación 8 en el que se mueve una escobilla en una dirección perpendicular a una dirección longitudinal del electrodo de barra colectora (13).
ES12742616T 2011-01-31 2012-01-25 Placa serigráfica para panel solar y método para imprimir un electrodo de panel solar Active ES2547680T5 (es)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011017886 2011-01-31
JP2011017886 2011-01-31
PCT/JP2012/051488 WO2012105381A1 (ja) 2011-01-31 2012-01-25 太陽電池用スクリーン製版及び太陽電池の電極の印刷方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
ES2547680T3 ES2547680T3 (es) 2015-10-08
ES2547680T5 true ES2547680T5 (es) 2019-06-26

Family

ID=46602599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES12742616T Active ES2547680T5 (es) 2011-01-31 2012-01-25 Placa serigráfica para panel solar y método para imprimir un electrodo de panel solar

Country Status (12)

Country Link
US (1) US9216607B2 (es)
EP (1) EP2672523B2 (es)
JP (1) JP5761208B2 (es)
KR (1) KR101685669B1 (es)
CN (1) CN103339739B (es)
CA (1) CA2825141A1 (es)
ES (1) ES2547680T5 (es)
MY (1) MY160871A (es)
RU (1) RU2597573C2 (es)
SG (1) SG192214A1 (es)
TW (1) TWI600171B (es)
WO (1) WO2012105381A1 (es)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9012766B2 (en) 2009-11-12 2015-04-21 Silevo, Inc. Aluminum grid as backside conductor on epitaxial silicon thin film solar cells
US9214576B2 (en) 2010-06-09 2015-12-15 Solarcity Corporation Transparent conducting oxide for photovoltaic devices
US9773928B2 (en) 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
US9865754B2 (en) 2012-10-10 2018-01-09 Tesla, Inc. Hole collectors for silicon photovoltaic cells
USD933584S1 (en) 2012-11-08 2021-10-19 Sunpower Corporation Solar panel
USD1009775S1 (en) 2014-10-15 2024-01-02 Maxeon Solar Pte. Ltd. Solar panel
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US10074755B2 (en) 2013-01-11 2018-09-11 Tesla, Inc. High efficiency solar panel
US9412884B2 (en) 2013-01-11 2016-08-09 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
TWI511307B (zh) * 2013-04-11 2015-12-01 Darfon Materials Corp 元件上之電極結構及其製造方法
TWI456782B (zh) * 2013-06-05 2014-10-11 Motech Ind Inc 印刷用網版及應用該印刷用網版之太陽能電池的製造方法
US9054238B1 (en) 2014-02-26 2015-06-09 Gtat Corporation Semiconductor with silver patterns having pattern segments
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
USD999723S1 (en) 2014-10-15 2023-09-26 Sunpower Corporation Solar panel
USD913210S1 (en) 2014-10-15 2021-03-16 Sunpower Corporation Solar panel
USD933585S1 (en) 2014-10-15 2021-10-19 Sunpower Corporation Solar panel
USD896747S1 (en) 2014-10-15 2020-09-22 Sunpower Corporation Solar panel
US9899546B2 (en) 2014-12-05 2018-02-20 Tesla, Inc. Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste
US9947822B2 (en) 2015-02-02 2018-04-17 Tesla, Inc. Bifacial photovoltaic module using heterojunction solar cells
TWI550888B (zh) * 2015-02-17 2016-09-21 太極能源科技股份有限公司 太陽能電池
TWI554838B (zh) * 2015-07-21 2016-10-21 茂迪股份有限公司 具有良好漿料印刷性之網版
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
US9842956B2 (en) 2015-12-21 2017-12-12 Tesla, Inc. System and method for mass-production of high-efficiency photovoltaic structures
US10115838B2 (en) 2016-04-19 2018-10-30 Tesla, Inc. Photovoltaic structures with interlocking busbars
US10672919B2 (en) 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
CN109016807B (zh) * 2018-07-24 2023-12-01 浙江爱旭太阳能科技有限公司 用于正电极镂空成型的晶硅太阳能电池网版
HUE052108T2 (hu) * 2018-08-24 2021-04-28 Rogers Bv Elektromos energiatároló eszköz
KR102486697B1 (ko) * 2020-06-09 2023-01-11 한빅솔라(주) 태양전지의 전면전극용 스텐실 마스크
CN212967720U (zh) * 2020-09-08 2021-04-13 东方日升(常州)新能源有限公司 一种太阳能电池金属电极结构及电池组件
JP7478262B2 (ja) * 2020-12-24 2024-05-02 京セラ株式会社 スクリーン印刷製版およびスクリーン印刷装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5151377A (en) 1991-03-07 1992-09-29 Mobil Solar Energy Corporation Method for forming contacts
US5543333A (en) 1993-09-30 1996-08-06 Siemens Solar Gmbh Method for manufacturing a solar cell having combined metallization
EP0729189A1 (en) 1995-02-21 1996-08-28 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of preparing solar cells and products obtained thereof
JP2002026345A (ja) 2000-07-10 2002-01-25 Hitachi Ltd 太陽電池
JP2004247596A (ja) 2003-02-14 2004-09-02 Kyocera Corp 太陽電池素子およびその製造方法およびその太陽電池素子を用いた太陽電池モジュール
JP4248356B2 (ja) 2003-09-26 2009-04-02 三洋電機株式会社 太陽電池装置および太陽電池モジュール
JP4322082B2 (ja) * 2003-10-02 2009-08-26 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
WO2005093855A1 (ja) 2004-03-29 2005-10-06 Kyocera Corporation 太陽電池モジュール及びこれを用いた太陽光発電装置
WO2005109524A1 (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 太陽電池及びその製造方法
JP4526902B2 (ja) 2004-08-13 2010-08-18 信越半導体株式会社 太陽電池の製造方法
JP4425246B2 (ja) * 2005-08-31 2010-03-03 三洋電機株式会社 光起電力装置および光起電力装置の製造方法
EP1936699A1 (en) 2005-10-14 2008-06-25 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell, solar cell provided with interconnector, solar cell string and solar cell module
JP4893056B2 (ja) * 2006-03-28 2012-03-07 株式会社日立プラントテクノロジー スクリーン印刷装置
EP2012362A1 (en) 2006-04-14 2009-01-07 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell, solar cell string and solar cell module
WO2008001430A1 (en) * 2006-06-27 2008-01-03 Mitsubishi Electric Corporation Screen printing machine and solar battery cell
JP4174545B1 (ja) 2007-05-10 2008-11-05 シャープ株式会社 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
JP5126878B2 (ja) 2007-07-09 2013-01-23 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法および太陽電池
DE102007041057A1 (de) * 2007-08-29 2009-03-05 Manz Automation Ag Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle
JP2009272405A (ja) 2008-05-02 2009-11-19 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池素子およびその製造方法
JP5368022B2 (ja) 2008-07-17 2013-12-18 信越化学工業株式会社 太陽電池
KR20100069950A (ko) * 2008-12-17 2010-06-25 에스에스씨피 주식회사 태양전지용 전극, 그 제조방법 및 태양전지
CN101609848B (zh) * 2009-07-13 2010-12-01 江苏林洋新能源有限公司 丝网印刷晶体硅太阳能电池的正背面电极及其制造方法
US9390829B2 (en) * 2010-01-25 2016-07-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
JP5806304B2 (ja) * 2011-05-31 2015-11-10 京セラ株式会社 太陽電池およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140014137A (ko) 2014-02-05
CA2825141A1 (en) 2012-08-09
EP2672523A4 (en) 2014-07-09
CN103339739B (zh) 2015-11-25
TW201248872A (en) 2012-12-01
US20130291743A1 (en) 2013-11-07
EP2672523B1 (en) 2015-07-22
SG192214A1 (en) 2013-09-30
JPWO2012105381A1 (ja) 2014-07-03
ES2547680T3 (es) 2015-10-08
WO2012105381A1 (ja) 2012-08-09
EP2672523B2 (en) 2019-02-06
RU2597573C2 (ru) 2016-09-10
MY160871A (en) 2017-03-31
JP5761208B2 (ja) 2015-08-12
TWI600171B (zh) 2017-09-21
RU2013140396A (ru) 2015-03-10
EP2672523A1 (en) 2013-12-11
CN103339739A (zh) 2013-10-02
US9216607B2 (en) 2015-12-22
KR101685669B1 (ko) 2016-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2547680T5 (es) Placa serigráfica para panel solar y método para imprimir un electrodo de panel solar
US8715535B2 (en) Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
JP5628931B2 (ja) 選択エミッタを含む、ソーラーセルの製造方法
ES2724928T3 (es) Pasta conductora para electrodos superficiales de elemento de celda solar y método para fabricar elemento de celda solar
JP2013509695A5 (es)
US20120037216A1 (en) Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
JP2007184580A (ja) 太陽電池及びその製造方法
JP2007134387A (ja) 光電変換素子およびその電極形成方法
JP4610630B2 (ja) 太陽電池用拡散層の製造方法および太陽電池セルの製造方法
JP2012054442A (ja) 太陽電池の製造方法及びこれに用いるスクリーン製版
TWI496166B (zh) 太陽能電池網版印刷組合物、太陽能電池以及製造金屬化結構的方法
US20160126374A1 (en) Method for manufacturing solar cell having selective emitter and solar cell manufactured thereby
US20120037220A1 (en) Conductive paste and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
JP5179677B1 (ja) 太陽電池セルの製造方法
JP6125417B2 (ja) スクリーン印刷用メタルマスク及び太陽電池の製造方法
JP5477233B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP6114170B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP6176195B2 (ja) 太陽電池
JP6153885B2 (ja) 裏面接合型太陽電池
JP6371883B2 (ja) 裏面接合型太陽電池の製造方法
JP5760956B2 (ja) フィンガー電極の形成方法
JP2019076859A (ja) ポリイミドペーストの乾燥方法及び高光電変換効率太陽電池の製造方法