ES2234088T3 - Modulo de convertidor con un sistema de rieles para conmuitadores de semiconductores de potencia. - Google Patents
Modulo de convertidor con un sistema de rieles para conmuitadores de semiconductores de potencia.Info
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Abstract
LA INVENCION DESCRIBE MODULOS DE CONVERTIDOR ESTATICO CON UN SISTEMA DE DISTRIBUCION PARA VARIOS CONMUTADORES DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA O, CON PREFERENCIA, MODULOS DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA IGBT (IPMS). CON UNA DISPOSICION DE LOS CONMUTADORES DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA POR PAREJAS, VUELTOS UNO HACIA OTRO O UNO CONTRA OTRO, A ESCASA DISTANCIA Y EN PARALELO, SE PUEDEN LOGRAR MODULOS DE CONVERTIDOR ESTATICO MUY COMPACTOS Y QUE OCUPAN POCO ESPACIO. ESTOS CONVERTIDORES SE CARACTERIZAN TAMBIEN POR UN ACOPLAMIENTO MUY POCO INDUCTIVO Y FIRME ENTRE LAS RAMAS DEL PUENTE, ES DECIR, EN EL CIRCUITO DE CONMUTACION Y ENTRE LOS MODULOS DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA CONECTADOS EN PARALELO. SE INDICAN EJEMPLOS DE EJECUCION EN LOS CUALES, POR CIRCUITOS PUENTE DE DOS O CUATRO CONMUTADORES DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA, SE SUMINISTRA CORRIENTE ALTERNA EN UNA O DOS FASES.
Description
Módulo de convertidor con un sistema de rieles
para conmutadores de semiconductores de potencia.
La invención se refiere al ámbito de la
electrónica de potencia. Se base en un módulo de convertidor y un
convertidor electrónico según el preámbulo de las reivindicaciones 1
y 10.
La invención tiene como objeto módulos de
convertidor electrónico de gran potencia. Dichos módulos están
compuestos por varios conmutadores de semiconductores de potencia
mediante un sistema de rieles. Estos sistemas de rieles se describen
por ejemplo en las páginas 4 - 13 de la hoja informativa "Técnica
de ABB 4/1995" en un artículo sobre "Convertidores electrónicos
de gran potencia con tiristores bloqueables para locomotoras con
motor trifásico". El suministro de energía para locomotoras
eléctricas se realiza con un circuito intermedio de tensión continua
que está conectado con su entrada a una red de tensión continua o,
pasando por un convertidor de red, a una red de corriente alterna y
que en su salida suministra, por regla general mediante un
convertidor electrónico motriz polifásico, una corriente variable en
amplitud y frecuencia a los motores de tracción asíncronos de
corriente trifásica. El sistema de rieles constituye la conexión
eléctrica entre la salida del convertidor de red - o la línea de
contacto en caso de una red de tensión continua - y los conmutadores
o módulos de semiconductores de potencia del convertidor electrónico
motriz. El sistema de rieles puede ser bastante complejo, puede
limitar el rendimiento del sistema eléctrico de conmutación y causar
unos gastos muy elevados.
Durante el desarrollo de los conmutadores de
semiconductores de potencia se han producido varios cambios,
sustituyendo primero los tiristores convencionales por los
tiristores bloqueables (GTO) y después por los transistores
bipolares con compuerta aislada (IGBT). Los transistores bipolares
están integrados normalmente en un módulo. Para corrientes o
potencias más altas se conectan varios módulos en paralelo. Con
vistas a una gama de convertidores electrónicos con diferentes
potencias se buscan aquellos sistemas de rieles que permitan la
configuración modular y el fácil escalonamiento de potencia de un
convertidor electrónico polifásico y que además tengan una
inductancia muy baja.
En dos solicitudes anteriores de patente alemanas
no publicadas (números de referencia 196 00 367.9 y 196 12 839.0) se
propone para la solución del problema una disposición bidimensional
de módulos de semiconductores de potencia encima de chapas de
corriente continua llanas y rieles de fases colocados en paralelo.
Estos módulos planos disponen en un lado de una regleta de contactos
enchufables y son enchufados en terminales paralelamente a los
rieles de fase en dos filas por cada riel. Los módulos adyacentes
están montados en un ángulo de 180º y conectados mediante una
conexión de puente. Forman, por lo tanto, semipuentes o parejeas de
rama de puente, esto es, están en contacto con chapas de corriente
continua opuestas y alimentan medias ondas de corriente de polaridad
contraria en un riel de fase común. Los siguientes módulos tienen,
en cambio, la misma orientación y forman módulos conectados en
paralelo para el escalonamiento de potencia.
Esta configuración tiene aún algunos
inconvenientes, como por ejemplo la insuficiente simetría, una
inductancia que no es ideal y sobre todo un alto gasto constructivo.
Los recorridos de la corriente entre los módulos, de diferente
tamaño y longitud, producen asimetrías de corriente y unas cargas
desiguales para los módulos. El resultante grado de utilización
subóptimo aumenta con la potencia creciente o la cantidad de módulos
por cada fase, haciendo necesario un sobredimensionamiento
("Derating") de la potencia. Otros problemas de esta
disposición se refieren al diseño. Se necesitan muchas piezas
diferentes para una serie de productos y su montaje es muy costoso.
El cumplimiento de las distancias mínimas de aislamiento y de fuga
requiere especial cuidado, debido a que las conexiones positivas y
negativas están muy cercas y se compenetran mutuamente. Además se
necesitan para cada aplicación o potencia chapas y componentes con
un tamaño ajustado individual-
mente.
mente.
Además, conforme a la DE 44 02 425 A1, el estado
actual de la técnica para un circuito con onduladores requiere que
se conecten en paralelo y a lo largo de un riel de fase varias
parejas de rama de puente de conmutadores de semiconductores. Los
elementos de cada rama de puente están montados o bien con la cara
frontal enfrente de la cara posterior o con las caras al revés o con
la misma orientación, así como contactados y atornillados mediante
regletas. Como particularidad, el riel de fase está doblado en su
extremo hacia arriba y vuelve en línea antiparalela para reducir la
inductancia.
El objetivo del presente invento es presentar un
sistema de rieles para convertidores electrónicos que destaca por
una configuración más sencilla, un montaje y unas dimensiones
reducidas y que tiene una simetría mejorada con pequeñas
inductancias y una alta capacidad de carga de corriente. Esta tarea
se soluciona conforme al invento con las características de la
primera reivindicación.
El punto esencial de la invención es conectar por
parejas conmutadores de semiconductores de potencia, preferentemente
enchufables, con sus caras frontales o posteriores montadas muy
juntas una enfrente de otra, a una conexión positiva y negativa de
un circuito intermedio de corriente continua y un riel de fase. Con
ello se simetrizan los recorridos de la corriente, tanto para las
corrientes de carga como para las de conmutación, proporcionándoles
también una inductancia baja. Al mismo tiempo se crean diferentes
variantes de módulos de convertidor electrónico que pueden ser
fácilmente montados y adaptados a una demanda de potencia deseada
gracias a su configuración modular.
El primer ejemplo de configuración muestra un
módulo de convertidor monofásico formado por dos conmutadores de
semiconductores de potencia cuyas caras frontales o posteriores se
encuentran una enfrente de otra y que están conectados mediante una
conexión de puente.
Otro ejemplo de configuración muestra un segundo
módulo de convertidor monofásico formado por cuatro conmutadores de
semiconductores de potencia, estando montados dos elementos en
frente de los otros dos y conectados paralelamente en una rama de
puente. Ambas ramas son adyacentes, esto es, en dirección del riel
de fase.
El último ejemplo de configuración muestra un
módulo de convertidor bifásico formado por cuatro conmutadores de
semiconductores de potencia, donde dos elementos en posición lateral
y paralela forman una pareja de rama de puente y ambas parejas están
dispuestas de forma inversa al eje central, alimentando diferentes
fases.
Una ventaja del sistema de rieles conforme al
invento es la buena simetría en la disposición de los conmutadores
de semiconductores, proporcionando una carga eléctrica uniforme en
los elementos y de esta forma una alta intensidad de corriente
total.
Una ventaja particular es que, gracias a las
cortas distancias los conmutadores de semiconductores conectados en
paralelo pueden ser regulados por una electrónica de control de
compuerta común ("Gate-Drive") casi exento de
perturbaciones.
Otra ventaja consiste en la realización de una
configuración fácil, compacta y modular de un módulo de convertidor
con poca cantidad de componentes estándar y conmutadores de
semiconductores enchufables.
A continuación se describe la invención mediante
ejemplos de configuración:
Figura 1: Vista en perspectiva de un conmutador
de semiconductores de potencia o módulo de semiconductores de
potencia con contactos enchufables largos (estado actual de la
técnica)
Figura 2: Plano horizontal esquemático de un
primer módulo de convertidor conforme al invento.
Figura 3: Sección de un primer módulo de
convertidor según figura 2 a lo largo de la línea
A-A con módulos de semiconductores de potencia
enchufados.
Figura 4: Plano horizontal esquemático de un
segundo módulo de convertidor conforme al invento.
Figura 5: Sección de un segundo módulo de
convertidor según figura 4 a lo largo de la línea
B-B con módulos de semiconductores de potencia
enchufados.
Figura 6: Plano horizontal esquemático de un
tercer módulo de convertidor conforme al invento.
En todas las figuras se han identificado las
piezas idénticas con números de referencia.
La Figura 1 muestra un conmutador de
semiconductores de potencia o módulo de semiconductores de potencia
1, en particular un "Intelligent Power Module" o IPM que tiene
su aplicación en convertidores electrónicos, convertidores de
tensión y onduladores. El conmutador de semiconductores de potencia
está ubicado junto con otros componentes en una caja 2. Está
conectado mediante un contacto enchufable visible 3 (entrada de
corriente continua) con un polo de tensión continua y mediante un
contacto enchufable 4 (salida de fase), oculto por la placa
aislante, con la fase. Denominemos la parte superior e inferior del
módulo como cara frontal y cara posterior o como lados frontales. La
excitación del semiconductor de potencia se realiza mediante una
electrónica de control de compuerta o
"Gate-Drive" que no se muestra en esta figura.
Los módulos pueden estar dotados de semiconductores de potencia de
diferentes tecnologías, preferentemente de transistores bipolares
con compuerta aislada (IGBT). Por motivos de tracción deben
interconectarse varios módulos mediante un sistema de rieles para
conectar también corrientes y potencias más altas. La evolución de
los IGBT sigue estando enfocada hacia potencias de ruptura
crecientes, lo que permite reducir en el futuro la cantidad de
módulos conectados en paralelo.
La figura 2 muestra ahora un primer ejemplo de
configuración de un sistema de rieles conforme al invento, diseñado
para una cantidad mínima de dos módulos de semiconductores de
potencia por fase y optimizado con respecto a las características de
conmutación, ahorro de espacio y sencillez en la construcción. El
plano horizontal muestra en la parte izquierda una conexión positiva
6 y negativa 7 en forma de riel para la conexión al circuito
intermedio de corriente continua, en el centro de los lados
laterales los primeros terminales 9 y 10 de la conexión positiva y
negativa así como segundos terminales 11 de una conexión de fase II.
En la parte derecha la figura muestra la conexión de fase o el riel
de fase 8 dirigido hacia la derecha. Un primero y segundo terminal
sirven de alojamiento y contacto de un conmutador de semiconductores
de potencia. Los terminales 9, 10 y 11 están preferentemente
doblados hacia arriba y orientados en paralelo a los lados
laterales, de forma que las caras frontales o posteriores de los
conmutadores se encuentren una enfrente de otra.
La sección a lo largo de la línea
A-A (figura 3) explica la disposición conforme al
invento. Muestra los perfiles transversales en forma de L de la
conexión positiva 6 y negativa 7 y el perfil transversal en forma de
W del riel de fase 8, así como su acción combinada con dos módulos
de semiconductores de potencia 1. En el riel de fase 8, la cresta
central puede estar más o menos pronunciada o incluso puede estar
ausente, de forma que se presenta un perfil en forma de U. Todos los
perfiles están montados mediante soportes 12 y elementos aislantes
(que no aparecen en la figura) en una base 5, formando un conjunto
compacto. Los soportes y elementos aislantes también pueden estar
integrados directamente en la base. Como material aislante entre las
partes bajo corriente 6, 7 y 8 pueden utilizarse aire, gas,
aisladores sólidos o una combinación de ellos. Las distancias
mínimas están determinadas por las correspondientes condiciones de
aislamiento y distancias de fuga. Las superficies pueden, pero no
tienen que llevar un recubrimiento aislante. Mediante la inserción
de dos módulos de semiconductores 1 desde arriba se consigue un
módulo de convertidor rígido y muy compacto.
Esta disposición es muy ventajosa bajo todo punto
de vista. Los recorridos de la corriente son bastante anchos y
cortos y tienen para ambos conmutadores de semiconductores casi las
mismas dimensiones. Encierran pequeñas áreas que pueden generar
inductancia y tienen una distancia muy corta para direcciones de
corriente opuestas. Con estas medidas se consigue, aparte de una
capacidad de carga de corriente muy alta, sobre todo una inductancia
muy baja de unos 25 nH en el circuito de conmutación. Como
conmutación se denominan aquí los procesos de conmutación que pueden
durar incluso sólo unos microsegundos y mediante los cuales los
semiconductores de potencia intercambian corrientes de alta
frecuencia para descargarse mutuamente.
Otro ejemplo de configuración se muestra en la
figura 4 y en la correspondiente vista seccional a lo largo de la
línea B-B de la figura 5. Aquí, la conexión positiva
6 y negativa 7 tienen un perfil transversal en forma de U con
primeros terminales 9 y 10 en ambos lados laterales y la conexión de
fase 8 de nuevo un perfil transversal en W o en U con segundos
terminales 11 en ambos lados laterales. Este módulo de convertidor
tiene espacio para cuatro conmutadores de semiconductores de
potencia. Dichos conmutadores están dispuestos de dos en dos con sus
caras frontales o posteriores una enfrente de otra y conectados en
paralelo. Están conectados con la pareja adyacente mediante un
semipuente.
En esta disposición, la simetría está reducida
debido a que la conexión positiva 6 ha de alimentar mediante los
terminales 9 la pareja de conmutadores de semiconductores de
potencia situada más al fondo. Para tal fin, dicha conexión es
contactada en su parte inferior por una fina lengüeta de contacto.
Aún así, la inductancia resultante del circuito de conmutación
alcanza con unos 50 nH un valor muy bajo. Otra ventaja es que los
conmutadores de semiconductores de potencia conectados en paralelo
pueden ser excitados por un "Gate-Drive" común,
puesto que con la corta distancia de los cables, el problema de los
peligrosos picos de tensión inducidos queda bastante reducido.
En la figura 6 se puede ver una disposición muy
compacta para la alimentación de dos fases. Dicha disposición
resulta de las figuras 4 y 5 mediante separación del riel de fase 8
a lo largo de su eje central y de la línea de alimentación de la
compuerta 13. Los rieles de fase resultantes 14 y 15 presentan medio
ancho y cerca de los terminales 16 y 17 medio perfil en forma de W o
U. Ambos rieles están colocados muy juntos y en paralelo. Los
conmutadores de semiconductores de potencia montados con un
desplazamiento lateral en el mismo costado y contactados con los
diferentes perfiles en U 6 y 7, forman un semipuente y contactan una
conexión de fase 14 y 15. Las corrientes de conmutación circulan por
los rieles, de forma similar al segundo ejemplo de configuración
pero por separado para cada semipuente.
En todos los ejemplos mencionados destaca el
sistema de rieles conforme al invento por unas ventajas económicas
constructivas. Se emplean pocos componentes y éstos, por ser de
perfiles extruidos de aluminio o de piezas dobladas de latón, pueden
ser fabricados con un mínimo de trabajo. Además se pueden cumplir
perfectamente con las tolerancias mecánicas y los rieles soportan
también altas corrientes en torno de kA. Para el escalonamiento de
potencia se pueden montar muy juntos los módulos de convertidor
electrónico compactos (figuras 2-6), conectándolos
de esta forma a conjuntos mayores sin la necesidad de adaptar otros
componentes.
Los módulos conforme al invento destacan por una
inductancia muy baja, lo que hace posible la realización de rampas
de conmutación muy empinadas y frecuencias de conmutación muy altas,
reduciendo con ello las cargas de los semiconductores de potencia y
los efectos retroactivos a la red. Aparte de ello, en todos los
ejemplos de configuración se requiere un sobredimensionamiento de la
potencia ("Derating") de los conmutadores de semiconductores
muy bajo, lo que se consigue con la alta simetría de las ramas de
puente. En caso de los módulos de semiconductores de potencia
conectados en paralelo se evita dicho sobredimensionamiento también
con una inductancia muy baja de los rieles que unen los módulos de
la conexión en paralelo y unas líneas de conexión de la electrónica
de control de compuerta ("Gate-Drive") muy
cortas, reduciendo de esta forma las diferencias de potencial entre
las compuertas de los módulos en paralelo a un mínimo.
En todos los ejemplos de configuración resulta
también ventajoso el empleo de conmutadores de semiconductores y
módulos de semiconductores de potencia enchufables, utilizando los
primeros y segundos terminales para enchufar los componentes.
En los ejemplos mencionados, la conexión positiva
6 y negativa 7 pueden ser invertidas. También puede imaginarse que
las conexiones de tensión continua 6 y 7 y la conexión de fase 8
cambien su disposición (ver p. ej. figura 3), lo que conllevaría el
intercambio de sitio de los primeros y segundos terminales, el
montaje de los módulos de semiconductores de potencia girados en
180º y la salida de la conexión de fase 8 por debajo de las
conexiones de tensión continua.
Otras variantes de la invención pueden resultar
por ejemplo con la disposición en sentido longitudinal de varios
conmutadores de semiconductores de potencia conectados en paralelo
en lugar de sólo uno. Esto puede conseguirse fácilmente con
terminales más largos o varios terminales colocados en línea y
contactados de forma igual. De este modo se consigue en los tres
ejemplos de configuración (figuras 2-6) la
posibilidad de un escalonamiento de potencia. Dicho escalonamiento
también es posible con la interconexión de varios módulos de
convertidor electrónico, incluso de diferentes tipos, mediante sus
conexiones de fase 8, 14 y 15.
En resumen puede decirse, que con este invento se
dispone de un sistema de rieles que permite realizar módulos de
convertidor electrónico con unas características de conmutación
óptimas así como con un diseño modular y de pequeñas
dimensiones.
- 1
- Conmutador de semiconductores de potencia o módulo de semiconductores de potencia
- 2
- Caja
- 3
- Contacto enchufable
- 4
- Placa aislante
- 5
- Base
- 6
- Conexión positiva
- 7
- Conexión negativa
- 8
- Conexión de fase
- 9
- Primeros terminales (polo positivo)
- 10
- Segundos terminales (polo negativo)
- 11
- Segundos terminales (fase)
- 12
- Fijación
- 13
- Línea de alimentación de la compuerta
- 14
- Conexión de fase 1
- 15
- Conexión de fase 2
- 16
- Segundos terminales (fase 1)
- 17
- Segundos terminales (fase 2)
Claims (10)
1. Módulo de convertidor con conmutadores de
semiconductores de potencia (1) y un sistema de rieles que incluye
una conexión positiva (6), una conexión negativa (7) y una conexión
de fase en forma de riel (8, 14, 15), que están colocados una encima
de la otra utilizando elementos aislantes entre cada conexión y que
están fijadas en una base (5), caracterizado porque:
a) La conexión positiva (6) y negativa (7) tienen
forma de riel y disponen de al menos un primer terminal
sobresaliente (9, 10) en un lado lateral.
b) Cada conexión de fase (8, 14, 15) dispone al
menos un segundo terminal sobresaliente (11, 17, 18) en su lado
lateral.
c) Los primeros y segundos terminales actúan
juntos para el alojamiento y el contacto eléctrico de los
conmutadores de semiconductores de potencia.
d) Dos conmutadores de semiconductores de
potencia están dispuestos en los lados laterales opuestos de a las
conexiones positivas/negativas y con sus caras frontales o
posteriores una enfrente de otra.
2. Módulo de convertidor según la reivindicación
1 caracterizado porque:
a) Los rieles están colocados uno encima del otro
y en orden Positivo/Negativo/Fase o Negativo/Positivo/Fase.
b) Los primeros (9, 10) y segundos (11, 16, 17)
terminales están colocados en dirección hacia los rieles y doblados
en ángulo recto hacia arriba.
c) Las parejas de conmutadores de semiconductores
de potencia están dispuestos con sus salidas de fase uno enfrente de
otro.
d) Los conmutadores de semiconductores de
potencia son enchufables.
3. Módulo de convertidor según la reivindicación
2 caracterizado porque:
a) La conexión positiva (6) y negativa (7) tienen
un perfil transversal en forma de L.
b) Ambos perfiles en L (6, 7) están posicionados
de tal manera que sus primeros terminales (9, 10) se encuentren en
los lados laterales opuestos.
c) La conexión de fase (8) tiene un perfil
transversal en W o U con segundos terminales (11) en ambos lados
laterales.
d) El perfil en W o en U (8) está posicionado
entre los perfiles en L (6, 7) de tal manera que los segundos
terminales (11) se encuentren al lado de los primeros terminales (9,
10).
e) Las parejas de conmutadores de semiconductores
de potencia están conectados mediante un semipuente.
4. Módulo de convertidor según la reivindicación
3 caracterizado porque:
a) La conexión positiva (8) y negativa (9)
disponen cada una exactamente de un primer terminal (9, 10).
b) La conexión de fase (8) dispone exactamente de
dos segundos terminales (11).
c) Exactamente dos conmutadores de
semiconductores de potencia están contactados.
5. Módulo de convertidor según la reivindicación
2 caracterizado porque:
a) La conexión positiva (6) y negativa (7) tienen
un primer perfil transversal en forma de U con primeros terminales
(9, 10) en ambos lados laterales.
b) Los dos primeros perfiles en U (5, 7) están
dispuestos uno detrás del otro, donde el perfil trasero agarra una
fina lengüeta de contacto para contactar así con el circuito
intermedio de corriente continua.
c) La conexión de fase (8) tiene un perfil
transversal en W o un segundo perfil transversal en U con segundos
terminales (11) en ambos lados laterales.
d) El perfil en W o el segundo perfil en U (8)
están montados entre los primeros perfiles en U (6, 7) de tal manera
que sus terminales (11) se encuentren al lado de los terminales (9,
10) de los primeros perfiles
en U.
en U.
e) Las parejas de conmutadores de semiconductores
de potencia contactadas por los mismos primeros perfiles en U están
conectadas en paralelo y las parejas contactadas por diferentes
primeros perfiles en U están conectadas mediante un semipuente.
6. Módulo de convertidor según la reivindicación
5 caracterizado porque:
a) La conexión positiva (6) y negativa (7)
disponen cada una exactamente de dos terminales (9, 10) en ambos
lados laterales.
b) La conexión de fase (8) dispone exactamente de
cuatro terminales (11).
c) Exactamente dos parejas de conmutadores de
semiconductores de potencia están contactadas.
7. Módulo de convertidor según la reivindicación
2 caracterizado porque:
a) La conexión positiva (6) y negativa (7) tienen
un perfil transversal en U con primeros terminales (9, 10) en ambos
lados laterales.
b) Los dos perfiles en U (6, 7) están dispuestos
uno detrás del otro, donde el perfil trasero agarra una fina
lengüeta de contacto para contactar así con el circuito intermedio
de corriente continua.
c) Dos conexiones de fase (14, 15) están
colocadas juntas y en paralelo, teniendo medio perfil transversal en
W cada una.
d) Cada medio perfil en W (14, 15) dispone de
segundos terminales (16, 17) en su lado lateral opuesto a la otra
conexión de fase.
e) Cada medio perfil en W (14, 15) está montado
entre los perfiles en U (6, 7) de tal manera que sus segundos
terminales (16, 17) se encuentren al lado de los primeros terminales
(9, 10) de los perfiles en U.
f) Los conmutadores de semiconductores de
potencia situados en el mismo lado lateral y contactados con
diferentes perfiles en U, forman un semipuente y contactan
exactamente una conexión de fase (14, 15).
8. Módulo de convertidor según la reivindicación
7 caracterizado porque:
a) La conexión positiva (6) y negativa (7)
disponen cada una exactamente de dos terminales (9, 10).
b) Cada conexión de fase (14, 15) dispone
exactamente de dos terminales (16, 17).
c) Exactamente cuatro conmutadores de
semiconductores de potencia están contactados.
9. Módulo de convertidor según una de las
reivindicaciones 1-8 caracterizado
porque:
a) Las conexiones positivas (6), negativas (7) y
las conexiones de fase (8, 14, 15) están colocadas una encima de
otra para reducir la inductancia al mínimo.
b) Como medios aislantes pueden utilizarse aire,
gas, un aislante sólido o una combinación de ellos.
10. Convertidor electrónico con un circuito
intermedio, ramas de puente conectadas y conexiones de fase en la
salida caracterizado porque:
a) La conexión eléctrica entre el circuito
intermedio y las conexiones de fase consta de módulos de convertidor
electrónico según una de las reivindicaciones anteriormente
mencionadas.
b) Según una de las mismas reivindicaciones debe
estar interconectada una cierta cantidad de los módulos de
convertidor electrónico conectados por rieles, conforme a la
cantidad existente de las conexiones de fase y según la potencia
requerida del convertidor electrónico o según la cantidad de
conmutadores de semiconductores de potencia o módulos de
semiconductores de potencia conectados en paralelo.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19719648 | 1997-05-09 | ||
| DE19719648A DE19719648A1 (de) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | Stromrichter-Module mit einem Verschienungssystem für Leistungshalbleiterschalter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2234088T3 true ES2234088T3 (es) | 2005-06-16 |
Family
ID=7829123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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