EP3794159A2 - Continuous flow system and method for coating substrates - Google Patents

Continuous flow system and method for coating substrates

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Publication number
EP3794159A2
EP3794159A2 EP19716864.4A EP19716864A EP3794159A2 EP 3794159 A2 EP3794159 A2 EP 3794159A2 EP 19716864 A EP19716864 A EP 19716864A EP 3794159 A2 EP3794159 A2 EP 3794159A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
continuous
chamber
channel
substrates
vacuum lock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
EP19716864.4A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Bernhard Cord
Michael Reising
Dieter Scherger
Torsten DIPPELL
Frank May
Peter Wohlfart
Oliver Hohn
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Singulus Technologies AG
Original Assignee
Singulus Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Singulus Technologies AG filed Critical Singulus Technologies AG
Publication of EP3794159A2 publication Critical patent/EP3794159A2/en
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
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    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
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    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
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    • H01L31/02—Details
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    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the invention relates to continuous flow systems, in particular vacuum continuous flow systems, and method, in particular vacuum method, for coating substrates.
  • the invention relates to continuous flow systems which are configured for coating light substrates, in particular silicon wafers.
  • the continuous flow systems and methods may be configured for continuous coating of substrates.
  • Continuous substrate processing systems are known, for example, from EP 2 276 057 B1.
  • substrates by means of a substrate transport system in a
  • Vacuum process chamber brought in and brought out again after processing As a substrate transport system here is a horizontal substrate carrier is used, on which the substrates rest flat.
  • US 2013/0031333 A1 discloses a system for processing a plurality of substrates having locks.
  • WO 2015/126439 A1 discloses an apparatus and a method for
  • DE 10 2012 109 830 A1 discloses a lock chamber, which is provided on the input or output side for the purpose of sluicing substrates into or out of a vacuum treatment installation.
  • the lock chamber is designed such that a chamber lid has at least one depression with a lowering floor at a distance from the upper edge and that the mammal opening is provided in the chamber lid.
  • US 2005/0217993 A1 discloses a multi-stage lock arrangement with at least two lock chambers.
  • DE 10 2010 040 640 A 1 discloses a substrate treatment plant for the treatment of
  • US 7 413 639 B2 discloses an energy and media connection module for Coating systems. This module is used to supply cooling water, compressed air, process gases, signal, control and cathode current.
  • Lock chamber and a processing chamber which are coupled to each other by means of a substrate transfer port, and a transport device for transporting a substrate through the substrate Transferöffftung.
  • DE 102012 201 953 A1 discloses a method for coating a substrate with an AlOx layer.
  • the cost-effective, efficient processing of substrates is in the art of great importance. For example, it allows solar cells to become more competitive for electricity generation.
  • the cycle time of the vacuum lock can significantly influence the system throughput.
  • Vacuum locks are often configured such that the gas pressure is typically varied between normal pressure and a significantly lower pressure, for example, a pressure of less than 100 Pa, to infiltrate and discharge substrates into a process line. For a high system throughput, a short cycle time and thus a rapid evacuation and flooding of the vacuum lock is desirable.
  • Allow deposition of a coating or a layer system with high quality on substrates, with a high throughput of the continuous system is achieved.
  • a continuous system for coating substrates which comprises one or more process modules and a process module
  • the vacuum lock has a chamber for receiving a substrate carrier having a plurality of substrates and a flow channel arrangement for evacuating and flooding the chamber.
  • the flow channel assembly has a first channel for evacuating and flooding the chamber and a second channel for evacuating and flooding the chamber, wherein the first channel and the second channel are disposed on opposite sides of the chamber.
  • the vacuum lock with the substrate carrier arranged therein can be evacuated and / or flooded simultaneously via several channels.
  • the arrangement of the first and second channels allows for rapid evacuation and / or flooding, whereby the risk of unintentionally lifting substrates from the substrate carrier is low.
  • the first channel and the second channel may be spaced apart in a horizontal direction.
  • the first channel and the second channel may be spaced apart in the transporting direction or in a direction extending in a horizontal direction transverse to the transporting direction.
  • the chamber may have two major surfaces which bound the chamber parallel to the substrate plane or transport plane, and four side wall portions.
  • the flow channel arrangement may be arranged on the side wall regions.
  • the flow channel arrangement may alternatively be disposed on the major surfaces adjacent to the sidewall regions or integrated into the major surfaces in regions adjacent the sidewall regions.
  • the flow channel assembly may include a first pair of channels disposed on one of the sidewall portions of the chamber.
  • the first pair may include the first channel and another first channel.
  • the channels of the first pair of channels can communicate with each other through first overflow ports.
  • a first slot plate may be disposed between the channels of the first pair of channels.
  • the channels of the first pair of channels may be arranged one above the other (ie vertically offset) and / or the first slot plate may be arranged in a substantially horizontal manner Lie flat.
  • the channels of the first pair of channels may be arranged so that, in operation, gas flow in the vertical direction occurs between the channels of the first pair of channels.
  • the channels of the first pair of channels may be arranged offset in the horizontal direction next to one another and / or the first slot plate may lie in a substantially vertical plane.
  • the channels of the first pair of channels may be arranged so that in operation there is a gas flow in the horizontal direction between the channels of the first pair of channels.
  • the flow channel assembly may include a second pair of channels disposed on another of the side wall portions of the chamber.
  • the second pair may include the second channel and another second channel.
  • the channels of the second pair of channels can communicate with each other through second overflow openings.
  • a second slot plate may be disposed between the channels of the second pair of channels.
  • the channels of the second pair of channels may be arranged one above the other (ie vertically offset) and / or the second slot plate may lie in a substantially horizontal plane.
  • the channels of the second pair of channels may be arranged so that, in operation, gas flow in the vertical direction occurs between the channels of the second pair of channels.
  • the channels of the second pair of channels may be arranged offset in the horizontal direction next to each other and / or the second slot plate may be in a in the
  • the channels of the second pair of channels may be arranged so that in operation there is a gas flow in the horizontal direction between the channels of the second pair of channels.
  • At least one process module may include a plasma source, a gas supply device for supplying a plurality of process gases via separate gas distributors and at least one
  • the plasma source may comprise, for example, a magnetron, an inductively or a capacitively coupled source.
  • the continuous system as a platform for various pretreatment and coating processes can be designed so that basic structural elements such as the vacuum lock, the transport device, the design of the chambers, the control and automation are universally usable, whereas the type of plasma sources and vacuum pumps of the specific application (eg magnetron sputtering or plasma enhanced chemical vapor deposition
  • An embodiment in which at least one process module has a plasma source permits plasma-assisted activation, for example for a plasma-assisted vapor deposition.
  • the arrangement of the gas distributor improves the transfer rate on the substrate and / or reduces unwanted coating of system components in the process area.
  • the at least one process module with the plasma source can be a first
  • the suction opening is arranged along a conveying direction of the substrates upstream of the plasma source, and a second Gasabsaug perceived, the suction opening is arranged along the conveying direction downstream of the plasma source having.
  • the arrangement of the Absaugöffhungen reduces unwanted coating or contamination of system components in the process area.
  • the plasma source and the gas supply device can be combined in a plant component, which can be disassembled as a module from the continuous system. Maintenance times can be kept short by disassembling the plasma source and the gas supply device as a component of the continuous system and replaced by replacement components.
  • the conveyor system may further comprise a transport device for continuously transporting a train of substrate carriers through at least a portion of the conveyor system, and a transfer module for transferring the substrate carrier between the vacuum lock and the transport device.
  • the transfer module may be disposed between the vacuum lock and the process module or modules.
  • the Mathschreibungsmodul can make a Pufferang a substrate support, wherein the substrate carrier dwells only briefly in the Kochschreibungsmodul.
  • the transfer module may be configured to accelerate the substrate carrier downstream of an inlet vacuum lock and insert it into a continuously moving train of substrate carriers and / or upstream of an outlet vacuum lock to separate and remove the substrate carrier from the continuously moving train of substrate carriers.
  • the substrate support can be accelerated first to increase a distance to the subsequent substrate carrier of the train of Substratträgem, and then slowed down.
  • the transfer module may include a temperature control device.
  • the temperature control device may include a heater to heat the substrates from both sides. After the introduction, a defined substrate temperature can be adjusted by a controlled heating device before passing through the process section. On the other hand, radiation losses of the substrate in the process path can be continuously compensated by the heating device and good process conditions can be maintained.
  • the transfer module may be configured to cool the substrates, particularly if it is located downstream of all process modules.
  • the vacuum lock can be a vacuum lock for introducing the substrates.
  • the continuous system may further comprise a second vacuum lock for discharging the substrates.
  • the second vacuum lock may include a second chamber for receiving the substrate carrier and a second flow channel arrangement for evacuating and flooding the second chamber, the second flow channel arrangement having a third channel for evacuating and flooding the second chamber and a fourth channel for evacuating and flooding the second chamber wherein the third channel and the fourth channel are disposed on opposite sides of the second chamber.
  • the pass-through system can furthermore have a second transfer module for transferring the substrate carrier from the transport device to the discontinuously operating second vacuum lock.
  • the continuous flow system may be configured to sandwich the substrates between the first
  • Vacuum lock and the second vacuum lock without interruption of a vacuum through the conveyor system to transport.
  • the continuous-flow system can have a plurality of process modules and at least one transfer chamber arranged between two process modules.
  • the transfer chamber can serve for short-term buffering of substrate carriers between process modules and / or can ensure a separation of process gases in different process modules.
  • the transfer chamber may be used to transfer the substrates between the two Be configured process modules.
  • the continuous flow system may be configured to supply a nitrogen-containing first process gas and a silicon-containing second process gas into a process module having a plasma source via separate gas distributors.
  • This allows the use of the system for generating SiN x : H and, using a further, oxygen-containing process gas, also their suboxides or oxides, such as SiN x O y : H, a-Si x O y : H (i, n , p) and the like.
  • microcrystalline, hydrogen-doped silicon is possible when using hydrogen instead of a nitrogen-containing or oxygen-containing process gas.
  • These thin films can be used as passivating, doping, tunneling and / or antireflection coatings
  • the continuous flow system can be a continuous flow system, in particular a
  • Vacuum continuous flow system for the production of solar cells.
  • the continuous-flow plant can be a continuous-flow plant for the production of cells with passivated backs according to a PERX technology.
  • PERX refers to a family of cells with passivated emitter and passivated back, where X u. a. for C ("PERC - Passivated Emitter and Rear Cell"), for T (“PERT - Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffused Back Surface Field”), for L (“PERL - Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field ”) or other variations of the PERC cells may stand.
  • the continuous flow system can be used to produce heterojunction solar cells (HJT) or solar cells with passivated contacts, such as e.g. POLO or
  • the pass-through facility may be configured to coat both a first side (eg, the front) and a second side (eg, the back) of the PERX solar cell in an in-line configuration.
  • PERX solar cells can be produced cost-effectively and efficiently.
  • the continuous flow system can be configured to supply an oxygen-containing third process gas and an aluminum-containing fourth process gas into a further process module with a further plasma source.
  • This allows the use of the system for the production of multi-layer systems of AlO x and SiN x : H partial layers for passivation, wherein the various layers can be deposited in the same continuous flow system.
  • the continuous system is not limited to these multilayer systems, it can be any Processes are combined.
  • the continuous system can be a continuous system for applying a
  • Antireflection coating and / or passivation layer are Antireflection coating and / or passivation layer.
  • the vacuum lock may be configured to be more dynamic
  • Pressure difference between the front and back surfaces of the substrates or front and back substrate support surfaces of the substrate support is 10 Pa maximum, preferably at most 5 Pa, more preferably at most 4 Pa, when a pumping or flooding process of the chamber, a pressure change rate 100 hPa / s, preferably 300 exceeds hPa / s.
  • the continuous system can be a continuous system for coating crystalline
  • the crystalline silicon wafers may be monocrystalline, multicrystalline or polycrystalline. However, the continuous system is not limited to silicon wafers.
  • the continuous flow system can be configured to process at least 4,000 substrates per hour, preferably at least 5,000 substrates per hour.
  • a cycle time of the continuous system can be less than 60 s, preferably less than 50 s, more preferably less than 45 s.
  • the cycle time of the continuous system is the time in which a process, e.g. the insertion / removal of a substrate carrier on a vacuum lock, once passed through and the vacuum lock for the next process again
  • the cycle time is thus smaller than the throughput time of the continuous flow system, which is the time required to pass through the complete continuous flow system from loading conveyor loading to unloading at the unloading lock.
  • Process module may be at least 25 mm / s, preferably at least 30 mm / s, more preferably at least 33 mm / s.
  • An average transport speed in the continuous system can be from a
  • a throughput of at least 4000 substrates per hour can be achieved with an average transport speed of> 25 mm / s.
  • an average transport speed of 33 to 43 mm / s is selected for a throughput of 5000 to 6000 substrates per hour.
  • a maximum speed in train formation and train resolution in a transfer module can be significantly greater than the average transport speed and is preferably ⁇ 750 mm / s.
  • a working time for pumping out the vacuum lock may be less than 25 s, preferably less than 20 s, more preferably less than 18 s.
  • a working time for flooding the vacuum lock may be less than 10 seconds, preferably less than 10 seconds, more preferably less than 6 seconds.
  • the substrate carrier can accommodate at least 30, preferably at least
  • the vacuum lock may be configured such that one pumping time per substrate, which is determined as the pumping time of the vacuum lock divided by the total number of substrates in the substrate carrier, and / or one flood time per substrate, which is determined as the flood time of the vacuum lock divided by the total number of substrates at
  • Substrate carrier less than 600 ms, preferably less than 500 ms and more preferably less than 400 ms.
  • At least one process module may include a sputtering cathode.
  • a method for coating substrates in a continuous-flow system in particular in a vacuum continuous-flow system, which has a process module or a plurality of process modules is specified.
  • the method comprises introducing the substrates into the continuous system using a first vacuum lock.
  • the method includes treating the substrates in the process module or modules.
  • the method comprises discharging the substrates from the continuous system using a second vacuum lock. At least one of the first and second
  • a vacuum lock comprises: a chamber for receiving a substrate support having substrates thereon and a flow channel arrangement for evacuating and flooding the chamber, the flow channel arrangement having a first channel for evacuating and flooding the chamber and a second channel for evacuating and flooding the chamber; the first channel and the second channel are disposed on opposite sides of the chamber.
  • the first vacuum lock and the second vacuum lock may each be configured such that a pressure difference between front and back surfaces of the substrates or substrate support surfaces of the substrate support is at most 10 Pa, preferably at most 5 Pa, more preferably at most 4 Pa when in a Abpumpvorgang or flooding the chamber exceeds a pressure change rate of 100 hPa / s, preferably 300 hPa / s.
  • the substrates may be crystalline silicon wafers.
  • the method can be used for the production of solar cells.
  • the method can be used in particular for the production of one of the following solar cells: PERC (Passivated Emitter Rear Cell) cell; PERT ("Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffused Back Surface Field") cell; PERL ("Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field") - Cell; Heterojunction solar cell; Solar cell with passivated contacts.
  • PERC Passivated Emitter Rear Cell
  • PERT Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffused Back Surface Field
  • PERL Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field
  • Heterojunction solar cell Solar cell with passivated contacts.
  • the process can be carried out by the continuous flow system according to the invention.
  • the continuous flow system and the method can be used to carry out a
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • ICP inductively coupled plasma
  • the continuous flow system and method can be used to treat substrates continuously during transport through several process modules of the continuous flow plant.
  • the continuous flow system and the method can be used for the production of PERX silicon cells, for the application of an antireflection coating,
  • PVD Vapor Deposition
  • transparent conductive coatings such as TCO, ITO, AZO, etc.
  • contact layers to apply full surface metal coatings (eg, Ag, Al, Cu, NiV), or to apply barrier layers without resorting thereto to be limited.
  • full surface metal coatings eg, Ag, Al, Cu, NiV
  • Figure 1 A is a schematic representation of a continuous system after a
  • Embodiment in a plan view Embodiment in a plan view.
  • FIG. 1B is a schematic representation of a continuous flow system according to FIG. 1B
  • Embodiment in a side view Embodiment in a side view.
  • FIG. 1C is a schematic representation of a continuous flow system according to FIG.
  • Embodiment in a side view Embodiment in a side view.
  • Figure 2 is a schematic representation of a continuous system after a
  • Figure 3 is a schematic representation of a continuous flow system according to a
  • Figure 4 is a schematic representation of a continuous system according to a
  • Figure 5 is a schematic representation of a continuous system according to one
  • Figure 6 is a schematic representation of a continuous flow system according to a
  • Figure 7 shows a partial perspective view of a vacuum lock of a
  • FIG. 8 shows a partial sectional view of the vacuum lock of FIG. 7.
  • FIG. 9 shows a sectional view of the vacuum lock of FIG. 7.
  • FIG. 10 shows a partially broken perspective view of the vacuum lock of FIG. 7.
  • FIG. 11 shows a schematic of the vacuum lock of a continuous-flow installation according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 12 shows a flow field on a first substrate carrier surface when evacuating a chamber of the vacuum lock of a continuous flow system after one
  • FIG. 13 shows a flow field on a second substrate carrier surface when evacuating a chamber of the vacuum lock of a continuous flow system after one
  • FIG. 14 shows a dynamic deposition rate of a SiN x : H layer on a monocrystalline silicon wafer as a function of the total gas flow of SiH 4 and NH 3 .
  • Figure 15 shows an average deposition rate of a SiN x : H layer on a monocrystalline silicon wafer as a function of pressure for different gas flow rates.
  • Figure 16 shows an absorption spectrum of a SiN x : H layer.
  • Figure 17 shows reflection spectra of a single SiN x : H antireflection layer and a SiN / SiNO double layer.
  • Inventive flow systems and methods for non-rectangular substrates are used. While in embodiments illustrated in some embodiments, a chamber of a vacuum lock evacuated and provided on opposite end faces of channels is flooded, in other embodiments, the channels can also be arranged on the longitudinal sides of the chamber of the vacuum lock.
  • Figure 1 A shows a schematic representation of a continuous system 100 for
  • FIGS. 1B and 1C show schematic side views of
  • Embodiments of the continuous system 100 Embodiments of the continuous system 100.
  • the continuous-flow system 100 has a substrate carrier 102 (which is also referred to as a "carrier”), which can accommodate a plurality of substrates 103.
  • the substrate carrier 102 may, for example, be configured to accommodate at least 40, preferably at least 50, preferably at least 64 substrates.
  • the continuous-flow system 100 has a first vacuum lock 110 for introducing the substrate carrier 102 with the substrates 103.
  • the continuous-flow system 100 has a first transfer module 120.
  • the first transfer module 120 is configured to
  • the first transfer module 120 may include components for accelerating the substrate support to be continuous in the substrate
  • the first transfer module 120 may be configured so that the substrate carrier 102 can stay in it for a short time.
  • the continuous-flow system 100 has a process module 130.
  • the process module 130 may be configured to coat the substrates 103 during continuous transport through the process module 130.
  • the process module 130 may be configured to perform plasma assisted chemical vapor deposition (PECVD).
  • PECVD plasma assisted chemical vapor deposition
  • the process module 130 may be configured to apply an anti-reflection coating or a passivation layer.
  • the process module 130 can be used to perform a physical vapor deposition (PVD), to apply transparent, conductive coatings such as TCO, ITO, AZO, etc., to apply contact layers, to apply full-surface metal coatings (for example Ag, Al, Cu, NiV) or
  • PVD physical vapor deposition
  • the process module 130 may include at least one plasma source 133 and gas manifold 137 for different process gases.
  • the gas distributors 137 may be configured integrally with the plasma source 133.
  • the plasma source 133 may be an inductively coupled plasma (ICP) source or a capacitively coupled plasma source to produce a plasma 139, shown only schematically.
  • the plasma source may have a sputtering cathode.
  • the plasma source 133 may include an alternating frequency generator or may be coupled to an alternating frequency generator.
  • the process module 130 may include a heater 131, 138 to heat the substrates in the process module 130 from at least one side.
  • the process module 130 can (not shown in Figure 1) suction openings for the extraction of reaction gases, wherein the suction openings in a
  • Transport direction 101 are arranged before and after the plasma source 133.
  • the plasma source 133 and the gas manifolds 137 for different process gases may be formed as a component that is modularly replaceable.
  • the plasma source 133 and the gas distributor 137 can be disassembled as one component from the process module 130 and replaced by another, identical component, while the originally mounted
  • Plasma source 133 and gas distributor 137 are serviced.
  • the gas distributor 137 may each be arranged transversely to the transport direction 101.
  • the gas distributors 137 may each have a tube with at least one outlet opening or with a plurality of openings for generating a defined gas distribution.
  • the plasma source 133 which in particular can extend in a straight line transversely to the transport direction 101, and a supply of the process gases via separate Gas distributor 137 in conjunction with an extraction of the process gases before and after the plasma source 133, a good layer quality can be achieved.
  • the arrangement of the gas manifold 137 and suction improves the transfer rate on the substrate and / or reduces the unwanted coating of the components in the process area. Reducing the unwanted coating reduces equipment contamination. The less pollution allows for a longer production phase before maintenance is required for cleaning, especially the process areas.
  • the plasma source 133 and the gas distributor 137 and gas supply device can be completely removed for maintenance purposes and replaced by a second plasma source and integrally formed gas distributor. Due to the design of the plasma source 133 and the
  • Replacement can be shortened the time required for the maintenance.
  • the cleaning of the contaminated plasma source 133 can be carried out in parallel to the useful operation of the continuous system 130, so that a revised plasma source is available at the next maintenance.
  • the plurality of process modules may be used to deposit different layers or layer systems and / or to coat first and second sides of the substrates.
  • the continuous-flow system 100 has a second transfer module 140.
  • the second transfer module 140 The second
  • Transfer module 140 is configured to transfer substrate carrier 102 from the continuously transported train of substrate carriers to a discontinuously operating second carrier
  • the second transfer module 140 may include components for accelerating and stopping the substrate carrier 102 to separate it from the continuously transported train of substrate carriers and retract it into the second vacuum lock 150.
  • the continuous-flow system 100 may have the second vacuum lock 150 for discharging the substrate carrier 102 with the substrates 103.
  • the pass-through system 100 may have a return device 190 for returning the substrate carrier 102 after removal of the substrates 103 for reuse of the substrate carrier 102.
  • the first vacuum lock 110 and / or the second vacuum lock 150 may be configured such that a cycle time for a complete work cycle is less than 60 s, preferably less than 50 s, more preferably less than 45 s.
  • a working time for evacuating the vacuum lock and / or a working time for flooding the vacuum lock may be less than 25 s, preferably less than 20 s, more preferably less than 18 s.
  • the working time for pumping out the vacuum lock can be greater than a working time for flooding the vacuum locks.
  • a working time for pumping out the vacuum lock may be less than 25 s, preferably less than 20 s, more preferably less than 18 s.
  • a working time for flooding the vacuum lock may be less than 10 seconds, preferably less than 10 seconds, more preferably less than 6 seconds.
  • the first vacuum lock 110 and / or the second vacuum lock 150 may be configured so that a pressure difference between the front and rear surfaces of the Substrates or substrate carrier surfaces of the substrate carrier is not more than 10 Pa, preferably not more than 5 Pa, more preferably not more than 4 Pa, if during a pumpdown or
  • the first vacuum lock 110 and / or the second vacuum lock 150 may include a plurality of spaced apart channels for flooding and evacuating a chamber of the corresponding vacuum lock 110, 150 to minimize the time required for flooding and evacuation.
  • FIG. 2 and FIG. 3 each show schematic representations in top view of FIG.
  • Continuous flow system 100 wherein a first channel 111 and a second channel 1 12 are provided for flooding and evacuating the chamber of the first vacuum lock 110.
  • the first channel 111 and the second channel 1 12 can, as shown in Figure 2, to oppose
  • Continuous flow system 100 may be arranged. As is shown in FIG. 3, the first channel 111 and the second channel 112 can be arranged on opposite longitudinal sides of the first vacuum lock 1 10 parallel to the transport direction 101 of the continuous flow system 100.
  • the second vacuum lock 150 may alternatively or additionally a corresponding
  • the continuous system 100 may be configured to attach the substrate carrier 102 to the
  • Substrates 103 in a horizontal orientation through the continuous system to transport. Heaters may be in one or more of the first
  • Transfer module 120 and the process module 130 may be provided.
  • the heaters may be configured to heat the substrates 103 from both their top and bottom surfaces.
  • the transfer module 120 and the process module 130 each have a first layer arranged above the transport plane of the substrate carrier 102
  • the throughput of the continuous system is determined by the number of plasma sources and the width of the plasma sources.
  • the number of required plasma sources can be kept small by a high coating rate and a high transfer rate.
  • the introduction and / or removal of the substrates is achieved with the design of the vacuum locks 1 10 and / or 150 with a short cycle time, which is described in more detail with reference to Figure 7 to Figure 13.
  • the combination of a high transfer rate plasma source and fast on / off transfer enables high throughput.
  • Figure 4 is a schematic side view of a continuous flow system 100 according to an embodiment configured to apply a passivation / anti-reflection coating.
  • the continuous system has a first vacuum lock 110, a first
  • Transfer module 120 a process module 130, a second transfer module 140 and a second vacuum lock 150, which may have the configuration and operation described with reference to Figure 1 to Figure 3.
  • the first transfer module 120 and the process module 130 respectively
  • Transfer modules 120 may be configured to heat the substrates 103 in the transfer module 120 from at least one and, advantageously, both sides.
  • the heaters 131, 132 of the process module 130 may be configured to heat the substrates 103 in the process module 130 from at least one and, advantageously, both sides.
  • Transfer module 140 may optionally include means (not shown) for cooling the substrates.
  • Substrates 103 may be inserted into the substrate carrier 102 by an optional automatic loader 108. Alternatively or additionally, coated
  • Substrates are removed from the substrate carrier 102 by an optional automatic unloader 109.
  • the process module 130 has plasma sources 133, 134 with gas distributors for different process gases.
  • a nitrogen-containing first process gas for example NH 3
  • a silicon-containing process gas eg SiH 4
  • a silicon-containing process gas can be located close to the substrate surface and transport device and away from the first process gas
  • Plasma generation are taken.
  • the suction of the gases can be between the
  • Transport device and the second gas inlet for example, to intake manifold 135 done.
  • ICP source inductively coupled plasma source
  • Process module 130 may be present.
  • the process module 130 may include an intermediate region 136 between the plurality of plasma sources 133, 134, in which no plasma is generated, but the substrate 103 may be heated with heaters from both sides.
  • the intermediate region 136 may also be omitted.
  • the intermediate region 136 may optionally include one or more intake ports.
  • the intake manifolds 135, 136 may be provided with a (not shown)
  • Vacuum generating device to generate the desired process pressure to be connected.
  • a reactive gas can be admitted into the region of the plasma zone via a gas inlet and activated there in the process area. Separated from this one can
  • Laminator / precursor be separated as gas separated from the first gas in the vicinity of the substrate surface and transport device and away from the plasma generation.
  • Multiple process modules may be combined to coat the substrates with more complex layer systems and / or both on the first and second sides, as further described with reference to FIG. 5 and FIG.
  • Figure 5 is a schematic side view of a continuous flow system 100 according to an embodiment, for applying a passivation layer and a
  • Antireflection coating on a second side (for example, a back side) of a silicon wafer is configured.
  • the continuous-flow system has a first vacuum lock 110, a first transfer module 120, a first process module 130a, a second process module 130b, a second transfer module 140 and a second vacuum lock 150, which may have the configuration and functionality described with reference to FIGS. 1 to 4 ,
  • Substrates 103 may be inserted into the substrate carrier 102 by an optional automatic loader 108.
  • Substrates are removed from the substrate carrier 102 by an optional automatic unloader 109.
  • Transfer chamber 170 is provided, which ensures a gas separation between the first process module l30a and the second process module l30b.
  • the transfer chamber 170 may sandwich the substrate carrier 102 with the substrates 103 held therebetween
  • Feed process module l30a and the second process module l30b are fed process module l30a and the second process module l30b.
  • Transfer modules l60a, l60b may transfer the substrate carrier 102 between a continuously transported train of substrate carriers and the discontinuous transfer chamber 170.
  • the transfer module 160a may work similarly to the second transfer module 150 and remove the substrate carrier 102 from the transfer module 160a
  • Transport take over device separated from the train of Substratträgem and then transfer into the transfer module 170.
  • the substrate carrier 102 in the transfer module 160a may first be accelerated and then decelerated.
  • the overfeed module l60b may operate similarly to the first overfill module 120 and may remove the substrate carrier 102 from the first
  • Transfer module 170 take over, accelerate and get on the train by continuously
  • the first transfer module 120 the process modules 130a, 130b, the
  • Transfer modules l60a, l60b and transfer chamber 170 may each be
  • Heater 121, 122, 131, 132, 161, 162, 171, 172 have.
  • the heaters 121, 122 of the overfeed module 120 may be configured to heat the substrates 103 in the first transfer module 120 from at least one, and advantageously both, sides.
  • the heating devices 131, 132 of the process modules 130a, 130b can be configured to heat the substrates 103 in the process modules 130a, 13b from at least one and advantageously from both sides. Corresponding heating devices can in the
  • the second transfer module 140 may optionally include means for cooling the substrates.
  • the first process module 130a may be configured to apply a passive layer.
  • the first process module 130a may be configured to deposit an alumina sublayer.
  • an oxygen-containing gas eg 0 2 , N 2 0
  • an aluminum-containing gas eg, triemethylaluminum (TMA1)
  • TMA1 triemethylaluminum
  • Process module 130a be present.
  • the second process module 130b may be configured to apply an antireflection layer.
  • the second process module l30b has plasma sources 133b, l34b with gas distributors for different process gases.
  • a nitrogen-containing first process gas for example NH 3
  • a silicon-containing first process gas can be introduced into the region of the plasma zone via a gas inlet via the gas distributors of the plasma sources 133b, 134b and activated there by the plasma source.
  • a silicon-containing first process gas for example NH 3
  • Process gas eg SiH 4
  • ICP source inductively coupled plasma source
  • FIG. 6 is a schematic side view of a continuous flow system 100 according to an embodiment, which is used for applying a passivation layer and a
  • Antireflection coating on a second side of a silicon wafer and in addition to the application of an anti-reflection coating on a first side of the silicon wafer is configured.
  • the continuous-flow system 100 has a first vacuum lock 110, a first
  • Transfer module 120 a first process module 130a, a transfer module 170 and
  • Transfer module 140 and a second vacuum lock 150 which may have the embodiments and functions described with reference to Figure 1 to Figure 5.
  • Substrates 103 may be inserted into the substrate carrier 102 by an optional automatic loader 108.
  • coated substrates may be removed from the substrate carrier 102 by an optional automatic unloader 109.
  • the continuous flow system 100 further includes a third process module 130c configured to apply an anti-reflection coating to the first side of the silicon wafer.
  • the third process module l30c has one or more plasma sources with gas distributors for different process gases.
  • a nitrogen-containing first process gas for example NH 3
  • a silicon-containing process gas eg SiH 4
  • Substrate surface and transport device and be far away from the plasma generation.
  • the suction of the gases can be done between the transport device and the second gas inlet.
  • at least one ICP source may be present in the third process module 130c.
  • the ICP source and the gas distributors are arranged on a side that is different relative to the transport plane than in the second process module l30b.
  • the lCP source in the second process module 130b may be below the
  • Transport level of the substrate carrier may be arranged.
  • the continuous-flow system can have at least one process module 130 a, 130 b, which serves as a plasma chamber for plasma-assisted chemical
  • the plasma chamber has at least one device for generating a plasma.
  • the plasma chamber can have a
  • Gas supply have a vacuum system and a transport device.
  • the transport device can be configured for the horizontal transport of substrate carriers with substrates along the conveyor system.
  • the substrates 103 are deposited on the substrate carrier 102 via the first vacuum lock
  • the pressure is reduced from atmospheric pressure to a pressure of less than 10 kPa, preferably less than 1 kPa, more preferably less than 100 Pa, before the substrates in the substrate support into the process module 130a, 30b reach.
  • the substrate carrier 102 with the substrates 103 is transferred into the first transfer module 120, which can serve for short-term buffering.
  • the temperature in the first transfer module 120 may be regulated.
  • the substrates 103 are preferably heated in the process.
  • a temperature control can take place via a control of an optionally existing heating device of the transfer module 120.
  • the transition from discontinuous to continuous transport of the substrate carriers 102 occurs within the transfer module 120 by forming a continuous series of substrate carriers.
  • the transport device of the continuous system can make it possible to set a distance between two consecutive substrate carriers to a defined range.
  • the subsequent substrate carrier must first be accelerated and the speed adapted to the train speed when the distance to the next substrate carrier is reached. This can be done in the override module 120.
  • the train of substrate carriers passes through the process area with defined
  • Danger sources can be a separation of different process areas by one
  • Transfer chamber 170 be advantageous.
  • the various areas may be separated by slot valves / gate valves.
  • the transfer chamber 170 prevents the process gases from mixing between the process areas during transport of the substrates. Prior to smuggling into the next process area, the parameters in the transfer chamber 170 (e.g., the pressure) are adjusted.
  • the continuous sequence of substrate carriers is in front of the transfer chamber 170 in the transfer module 160a and before the second vacuum lock 150 in the second
  • Transfer module 140 resolved, so that individual substrate carriers can be transferred from one process area in the next or in the second vacuum lock 150.
  • the substrate carriers with the substrates from the continuous-flow system 100 are passed to atmospheric pressure.
  • Vacuum lock 150 can be regulated.
  • Substrate carrier and substrates are reduced before leaving the conveyor system.
  • the second transfer module 140 for cooling the substrate carrier and substrates configured.
  • a reactive gas can be introduced into the region of the plasma zone via a gas inlet and activated there.
  • the layer former / precursor can be introduced as gas in the vicinity of the substrate surface or transport device and away from the plasma generation. The extraction of the gases takes place between the transport device and the second gas inlet.
  • the substrates After passing through the continuous installation 100 of FIG. 5 and FIG. 6, the substrates have a layer system consisting of partial layers of aluminum oxide and silicon nitride.
  • the alumina coated substrates have a satisfactory layer distribution, satisfactory quality and a satisfactory lifetime.
  • the quality and the lifetime of the coated substrate with alumina are dependent on the refractive index and the density or porosity of the deposited thin film.
  • plasma sources with capacitive and inductive excitation of the plasma can be used in the continuous flow systems of Figure 1 to Figure 6.
  • a linear ICP source with at least one excitation frequency in the range of 13 MHz to 100 MHz.
  • the ICP source is used to generate a plasma over a length> 1000 mm, preferably> 1500 mm, particularly preferably> 1700 mm.
  • the RF generators may have a power> 4 kW, preferably> 6 kW, particularly preferably 7 to 30 kW and particularly preferably 8 to 16 kW.
  • the RF generator can be operated pulsed.
  • the substrates can be transported from the first vacuum lock 110 to the second vacuum lock 150 without the vacuum
  • the continuous plants 100 can produce a homogeneous
  • Alumina layer with low porosity and good control over the refractive index n allow.
  • the continuous flow systems 100 may allow the efficient coating of substrates, preferably silicon wafers, which may be monocrystalline, multi-crystalline or polycrystalline silicon wafers, but are not limited thereto.
  • the continuous systems 100 can be used for extraction of the reaction products Be configured vacuum pumps on the process areas.
  • separate vacuum systems may be provided for the process module 130a for the deposition of aluminum oxide and the process module 130b or the process modules 130b, 130c for the deposition of silicon nitride.
  • the continuous flow systems 100 may be configured to control the residence time of the
  • reaction products in the process area so that they are not incorporated into the coating.
  • active extraction of the reaction products can be provided.
  • the continuous systems 100 can for a uniform extraction of
  • Reaction products may be configured transversely to the transport direction 101 to produce equal conditions over the coating width.
  • the continuous flow plants 100 may be configured to control the flow direction of the precursor with respect to the substrate plane and the plasma excitation. This can be achieved by a suitable geometry of the gas distributor.
  • the continuous flow systems 100 may have different arrangement of the plasma sources with respect to the transport plane.
  • the continuous-flow system 100 may have a first plasma source arranged above the transport plane for coating a first substrate side and a second plasma source arranged below the transport plane for coating a second substrate side, which lies opposite the first substrate side.
  • a process module 130a, 130b, 130c of the continuous-flow system can have a plurality of plasma sources.
  • the transfer chamber 170 may have its own vacuum system.
  • the continuous flow system 100 may be configured to produce multiple thin layers (sub-layers) rather than a single thick layer.
  • the requirement for the functionality can be distributed to the sublayers.
  • an anti-reflection coating with good passivation may be deposited at the interface between substrate and layer and another optical layer to form a two-layer system.
  • One and the same type of plasma source can be used for different processes and different process modules.
  • Separate gas supply of the plasma sources allows a greater variation of the layer properties at adjacent plasma sources 133/134 and 133a / l 33b, since the gas composition can be changed. By exhausting gases between the plasma sources, adjacent plasma sources can be better decoupled.
  • Heating devices have IR emitters and / or resistance heaters.
  • the heaters may be controlled to adjust the substrate temperature.
  • Vacuum lock 110 and / or the second vacuum lock 150 be configured so that a short working time of the vacuum lock can be achieved.
  • Exemplary embodiments of a vacuum lock 10 as the first vacuum lock 110 and / or the second
  • Vacuum lock 150 can be used will be described with reference to Figure 7 to Figure 13.
  • Figure 7 shows a partial perspective view of a vacuum lock 10, wherein a chamber upper part 38 of a chamber 30 of the vacuum lock 10 is not shown.
  • Figure 8 shows a partial sectional view of an end portion of a chamber 30 of the vacuum lock 10.
  • Figure 9 shows a sectional view of the chamber 30.
  • Figure 10 shows a partial
  • the chamber 30 is configured to receive a substrate carrier 102.
  • Substrate carrier 102 has a plurality of trays for substrates.
  • the substrates can each be positioned on the substrate carrier 102 in such a way that a pressure equalization is substantially prevented by the openings present in the substrate carrier 102 when the substrates are positioned on or in the substrate carrier 102.
  • the chamber 30 has a chamber top 38 and a chamber bottom 39.
  • the chamber upper part 38 has a first inner surface 31, which faces the substrate carrier 102 during the sliding of substrates.
  • the lower chamber part 39 has a second inner surface 32 facing the substrate carrier 102 when sliding substrates.
  • Inner surface 31 and second inner surface 32 are advantageously substantially planar.
  • the substrate carrier 102 has a first substrate carrier surface 21 which faces the first inner surface 31 when the substrates are being slid.
  • the substrate carrier 102 has a second when slipping substrates to the second inner surface 32 facing
  • the chamber 30 has an internal volume.
  • the inner volume of the chamber 30 may be at least 100 1, preferably from 200 to 500 1, amount.
  • the vacuum lock 10 may have a conveyor 40.
  • the Conveyor 40 has drive components 41 for conveying the substrate carrier.
  • the drive components 41 are designed to move the substrate carrier 102 in one direction of travel.
  • the drive components 41 may be a plurality of conveyor rollers, which are arranged along the direction of travel spaced from each other on the chamber 30.
  • Substrate carrier 102 may rest on the drive components 41.
  • the axes of the drive components can be located in the vacuum lock below the chamber floor.
  • the axes within the lock are partially recessed into the chamber floor to minimize the volume of the vacuum lock chamber.
  • the conveyor 40 is configured to position the substrate carrier 102 between the first inner surface 31 and the second inner surface 32 of the chamber 30.
  • the vacuum lock 10 may be configured such that static pressure differences between the first substrate carrier surface 21 and the second substrate carrier surface 22 during flooding and / or evacuation are kept low, for example less than 10 Pa, preferably less than 5 Pa, more preferably less than 4 Pa. while the chamber is flooded or evacuated.
  • static pressure differences between the first substrate carrier surface 21 and the second substrate carrier surface 22 during flooding and / or evacuation are kept low, for example less than 10 Pa, preferably less than 5 Pa, more preferably less than 4 Pa. while the chamber is flooded or evacuated.
  • various measures can be taken:
  • the vacuum lock 10 is flooded through several channels and evacuated.
  • the conveyor 40 may position the substrate carrier 102 so that the spacings of the substrates in the substrate carrier 102 to the first inner surface 31 and the second inner surface 32 of the chamber are substantially equal.
  • a ratio of a distance between an inner surface of the chamber and the opposite substrate carrier surface to a length L of the substrate carrier is less than 0.1, preferably less than 0.05, more preferably less than 0.025. This is advantageous both for the ratio of a first distance di between the first inner surface 31 and the first substrate carrier surface 21 to the length L and for a ratio of a second distance d 2 between the second inner surface 32 and the second substrate carrier surface 22 to the length L of Substrate carrier 102.
  • the gas can be introduced and / or pumped along the direction of travel and against the direction of travel, so that the gas flows in different directions on the two halves of the substrate carrier 102, as in FIGS Figure 13 illustrates.
  • the vacuum lock 10 may have a flow channel arrangement which is configured to allow a substantially homogeneous gas flow transversely to the direction of travel of the substrate carrier. For example, diagonal gas flows over the substrate carrier surfaces 21, 22 can be avoided by the flow channel arrangement.
  • Substrate carrier surface 22 and second inner surface 32 may be substantially similar when substrate carrier 102 is positioned symmetrically between first inner surface 31 and second inner surface 32 to provide dynamic and static
  • Substrate carrier surface 22 to minimize.
  • a ratio of a first flow resistance between the substrate carrier 102 and the first inner surface 31 to a second flow resistance between the substrate carrier 102 and the second inner surface 32 may be between 0.95 and 1.05, and preferably between 0.97 and 1.03.
  • the ratio of the first distance di between the first inner surface 31 and the first substrate carrier surface 21 to the length L of the substrate carrier and the ratio of a second distance d 2 between the second inner surface 32 and the second substrate carrier surface 22 to a length L of the substrate carrier 102 is in each case less than 0.1, preferably less than 0.05 and in particular less than 0.025 and the distances d and d 2 are similar to one another, can be flat
  • Inner volumes are formed in the chamber between the substrate support and the inner walls of the chamber, which can be quickly flooded and / or evacuated.
  • the ratio of the first distance di to half of the substrate carrier length can be less than 0.1, preferably less than 0.05, ie di / (L / 2) ⁇ 0, 1, preferably di / (L / 2) ⁇ 0.05, and the ratio of the second distance d 2 to the half of the substrate carrier length may be less than 0.1, preferably less than 0.05, ie d 2 / (L / 2) ⁇ 0.1, preferably d 2 / (L / 2) ⁇ 0.05.
  • the substrate carrier 102 resting horizontally on the conveyor 40 can have a size of more than 1 m 2 , in particular of more than 2 m 2 , for example of at least 2.25 m 2 .
  • Substrate carrier surface 22 may each be formed flat.
  • the substrate carrier 102 may be positioned between the first inner surface 31 and the second inner surface 32 of the chamber such that a relative difference of a first distance di between the first substrate carrier surface 21 and the first inner surface 31 and a second distance d 2 between the second substrate carrier surface 22 and the second inner surface 32 is less than 15%, preferably less than 8%, ie d - d 2
  • Substantially symmetrical positioning of the substrate carrier 102 in the chamber 30 is equal to the respectively occurring during flooding or evacuation gas flow on the top and bottom of the substrate carrier 102, so the pressure differences between the first
  • Substrate carrier surface 21 and the second substrate carrier surface 22 can be avoided.
  • the vacuum lock 30 has a flow channel arrangement 51, 52, 56, 57 for
  • the flow channel arrangement can have a first channel 51, via which the chamber 30 can both be flooded and evacuated.
  • the first channel 51 can be arranged on an end face of the chamber 30, via which the substrate carrier 102 is moved into the chamber 30 or extended out of the chamber 30.
  • the first channel 51 may extend transversely to the direction of travel of the substrate carrier 102.
  • the first channel 51 may be disposed on a longitudinal side of the chamber 30 and extend parallel to the direction of travel of the substrate carrier 102.
  • a second channel 56 may be arranged.
  • the second channel 56 may allow both flooding and evacuation of the chamber 30.
  • the chamber 30 may be simultaneously evacuated via both the first channel 51 and the second channel 56.
  • the chamber 30 may be flooded simultaneously via both the first channel 51 and the second channel 56.
  • the first channel 51 and the second channel 56 are arranged such that when flooding and / or evacuating, the substrate carrier 102 and the substrates positioned thereon do not overlap with the first channel 51 and the second channel 56 in a plan view.
  • Substrate carrier surface 22 can be so vennieden.
  • the first channel 51 and the second channel 56 are advantageously each dimensioned so that no appreciable pressure gradient arises in the vertical direction. This ensures that on the top and bottom of the substrate support 102, an identical pumping speed and flood capacity is achieved.
  • a further first channel 52 may be arranged below the first channel 51.
  • the further first channel 52 can communicate with the first channel 51 via one or more overflow openings 54.
  • the overflow openings 54 may each be formed as slots.
  • a surface of the one or more overflow openings 54 may be smaller in plan view, in particular much smaller than a surface of the further first channel 52 in a horizontal sectional plane.
  • the overflow openings 54 between the first channel 51 and the further first channel 52 are arranged and dimensioned so that over the longitudinal direction of the first channel 51, a uniform overflow of the gas between the first channel 51 and the other first channel 52 takes place.
  • the first channel 51 may thus serve as an upper equalization channel and the further first channel 52 as a lower equalization channel.
  • the first channel 51 and the further first channel 52 in combination may cause pressure equalization so that along the longitudinal direction of the first channel 51 no significant change in hydrostatic pressure during evacuation or flooding occurs and that along the height of the first channel 51 no significant change in the hydrostatic pressure during evacuation or flooding occurs.
  • the first channel 51 and the further first channel 52 can be arranged one above the other, that is, offset vertically.
  • the overflow openings 54 allow a fluid flow in the vertical direction between the first channel 51 and the further first channel 52.
  • a slot plate 53a between the first channel 51 and the further first channel 52 may lie in a substantially horizontal plane.
  • first channel 51 and the other first channel 52 also be offset in the horizontal direction next to each other.
  • the overflow openings 54 between the first channel 51 and the further first channel 52 thereby allow a fluid flow in the horizontal direction.
  • the slot plate may lie in a substantially vertical plane.
  • the first channel 51 and the further first channel 52 can thus serve as two adjacently arranged equalization channels.
  • the first channel 51 and the further first channel 52 in combination may cause pressure equalization so that along the
  • the flow channel arrangement can be designed symmetrically, in particular mirror-symmetrical to a median plane 90 of the chamber 30.
  • a further second channel 57 may be arranged below the second channel 56.
  • the further second channel 57 can communicate with the second channel 56 via one or more further overflow openings.
  • the further overflow openings can each be formed as slots in a slot plate 58a.
  • Gas flow can at least partially cover the further overflow openings.
  • the further overflow openings between the second channel 56 and the further second channel 57 are arranged and dimensioned such that over the longitudinal direction of the second channel 56 a uniform overflow of the gas takes place between the second channel 56 and the further second channel 57.
  • the second channel 56 can thus serve as an upper equalization channel and the further second channel 57 as a lower equalization channel.
  • the second channel 56 and the further second channel 57 in combination may be one
  • the second channel 56 and the further second channel 57 can be arranged one above the other, that is to say offset vertically.
  • the overflow openings allow one
  • the slot plate 58a between the second channel 56 and the further second channel 57 may be in a substantially horizontal plane.
  • the second channel 56 and the further second channel 57 can also be arranged next to one another offset in the horizontal direction.
  • the overflow openings between the second channel 56 and the further second channel 57 thereby allow a fluid flow in the horizontal direction.
  • the slotted panel may be supported in a substantially vertical plane.
  • the second channel 56 and the further second channel 57 can thus serve as two adjacently arranged equalization channels.
  • the second channel 56 and the further second channel 57 in combination may cause pressure equalization so that there is no significant change in hydrostatic pressure during evacuation or flooding along the longitudinal direction of the second channel 56 and that there is no significant change in the second channel 56 along the length of the second channel 56 hydrostatic pressure during evacuation or flooding occurs.
  • further elements may be provided to even out the gas flow between the first channel 51 and the further first channel 52.
  • the overflow openings 54 may be provided in a slot plate 53a.
  • Baffle plate 53b for deflecting the gas flow may at least partially cover the overflow openings 54.
  • the baffle 53b may be formed integrally with the slit plate 53a or may be provided as a separate part different therefrom.
  • the baffle 53b may not be slotted.
  • Openings for connection to an evacuation device for evacuating the chamber 30 or with a flooding device for flooding the chamber 30 may be provided on the further first channel 52 and the further second channel 57. These openings may be covered to the interior of the chamber 30 with the slotted sheet 53a and / or the non-slotted baffle 53b, so that the incoming gas via the overflow 54 and after deflection on the baffle 53b enters the chamber 30 and is slowed down as a whole , The braking of the gas during flooding can be done by the use of the overflow 54 and / or by the baffle 53b.
  • the evacuation device may include a pump.
  • the flood device can a
  • first channel 51 and the further first channel 52 are arranged horizontally offset from each other and / or when the second channel 56 and the further second channel 57 are arranged horizontally offset from each other.
  • the chamber 30 and the flow channel arrangement with the channels 51, 52, 56, 57 are designed such that the gas flows occurring in the chamber 30 are never directed perpendicular to the substrates positioned on the substrate carrier 102.
  • the vacuum lock 10 may be configured to pump the chamber 30 in two stages.
  • the vacuum lock 10 may have a first pumping valve 71 and a second pumping valve 72.
  • the first pumping valve 71 and the second pumping valve 72 may have different dimensions and may be controlled by a controller (not shown) so that upon evacuation, the first pumping valve 71 and the second pumping valve 72 are sequentially opened to accommodate different pressure variation rates in the chamber 30 produce.
  • the first pumping valve 71 and the second pumping valve 72 may both communicate with the further first channel 52.
  • the first pumping valve 71 can communicate with a first pumping stub 61, which is arranged adjacent to the further first channel 52 on the chamber 30.
  • the second pumping valve 72 may communicate with a second pumping nozzle 62 disposed adjacent the further first channel 52 at the chamber 30.
  • Pump stub 67 may be provided on the opposite side of the chamber 30.
  • the control can control the pumping valves 71, 72 and the further pumping valves 76, 77 such that during evacuation the second pumping valve 72 and the further second pumping valve 77 are simultaneously opened during a first time interval, while the first pumping valve 71 and the further first pumping valve 76 are closed.
  • the second valves 72, 77 may be smaller in size than the first valves 71, 76, so that a more gentle pumping can be realized.
  • the controller can the pump valves 71, 72, 76, 77 so control that during evacuation during a second time interval simultaneously the first pumping valve 71 and the other first pumping valve 76 are open, while the second pumping valve 72 and the second pumping further valve 77 also open or are closed.
  • the first pumping valve 71 and the further first pumping valve 76 may have an identical configuration.
  • the second pumping valve 72 and the further second pumping valve 77 may have an identical configuration. Only one pumping device is preferred used, from which the lock on opposite sides of the chamber 30 is evacuated.
  • the connections between the pumping means and the first pumping valves 71, 76 and the second pumping valves 72, 77 may be symmetrical to equal one
  • the sides can be the front sides or longitudinal sides of the chamber 30.
  • the pumping valves may be connected via pumping lines 63a, 63b, 68a, 68b and a branch to at least one pump.
  • the pump, the first pumping valve 71 and the further first pumping valve 76 may be configured during the second time interval during evacuation, the pressure inside the chamber at a rate of at least 100 hPa / s, preferably at least 300 hPa / s, more preferably from 300 hPa / s to reduce to 500 hPa / s.
  • the vacuum lock 10 may be configured to flood the chamber 30 in two stages.
  • the vacuum lock 10 may have a first flood valve 73 and a second flood valve 74.
  • the first flood valve 73 and the second flood valve 74 can be dimensioned differently and can be controlled by the controller so that when flooding sequentially, the first flood valve 73 and the second flood valve 74 are opened to produce different temporal pressure changes in the chamber 30.
  • the first flood valve 73 and the second flood valve 74 can both communicate via a flood line 64 with the other first channel 52.
  • the first flood valve 73 and the second flood valve 74 can both communicate with the further second channel 57 via a further flood line 69.
  • the controller can control the flood valves 73, 74 such that when flooding during a first time interval, the first flood valve 73 is opened while the second flood valve 74 is closed.
  • the controller may control the flood valves 73, 74 so that when flooding during a second time interval, the second flood valve 74 is opened while the first flood valve 73 is closed.
  • the first flood valve 73 and the second flood valve may both be opened.
  • only one flooding device is used to flood the chamber 30 over two sides.
  • the connection between the first flood valve 73 and the further first channel 52 and the connection between the first flood valve 73 and the further second channel 57 may be symmetrical in order to flood the chamber 30 from both sides of the chamber 30 with the same volume flow.
  • the connection between the second flood valve 74 and the further first channel 52 and the connection between the second flood valve 74 and the other second channel 57 may be symmetrical to flood the chamber 30 from both sides of the chamber 30 with the same volume flow.
  • the sides can be the front sides or longitudinal sides of the chamber 30.
  • FIG. 11 shows a pneumatic circuit diagram of the vacuum lock 30.
  • first pumping valves 71, 76 and second pumping valves 72, 77 as well as differently dimensioned first and second flood valves 73, 74 enable a two-stage pumping down and a two-stage flushing of the chamber.
  • gas can flow symmetrically on flooding on the opposite sides of the chamber and be sucked off during evacuation symmetrically on the opposite sides of the chamber.
  • the system can be designed symmetrically with regard to its fluid dynamic properties.
  • the connecting lines between the first flood valve 73 and the opposite sides of the chamber 30 may have identical lengths and identical diameters and be arranged symmetrically.
  • the connecting lines between the second flood valve 74 and the opposite sides of the chamber 30 can have identical lengths and identical diameters and can be arranged symmetrically.
  • the connecting lines between the pump and the pumping valves 71, 72 may have identical lengths and identical diameters as the connecting lines between the pump and the further pumping valves 76, 77.
  • the lock chamber may have identical lengths and identical diameters as the connecting lines between the pumping valves 76, 77 and a second side of the chamber 30 opposite the first side.
  • the sides of the chamber 30 may each be the longitudinal sides or the end faces of the chamber 30.
  • Figure 12 and Figure 13 illustrate the operation of the vacuum lock 10.
  • Figure 12 shows a velocity field 81, 82 of a gas flow at the first
  • Velocity field 83, 84 of the gas flow at the second substrate support surface 22 when evacuating the chamber 30 Since gas is sucked on opposite sides via the first channel 51 and the second channel 56, a plane mirror symmetrical to the center plane 90 of the chamber 30 is generated. For each point on the first substrate carrier surface 21, the velocity 81, 82 of the gas flow is in Amount and direction equal to the velocity 83, 84 of the gas flow at the corresponding, opposite point of the second substrate support surface 22. Static pressure differences are reduced or largely eliminated.
  • the design of the flow channel arrangement leads to a velocity field which is homogeneous along a longitudinal direction 50 of the first channel 51, so that no
  • Substrate carrier surface 21 and the second substrate carrier surface 22 are made.
  • Unwanted cross flows which can lead to a displacement of the substrates on or in the substrate carrier 102, can thus be avoided.
  • Substrates reduced relative to the substrate support 102 and damage to the substrates can be introduced into the lock, which can then be pumped off or flooded quickly.
  • the size of the substrate carrier 102 may be more than 2 m 2 .
  • Substrates that may be Si wafers may have a thickness greater than 100 gm, preferably between 120 and 500 gm. At a thickness of 120 gm this corresponds to a weight of about 10 g per wafer. At a
  • Wafer area of 15.6 ⁇ 15.6 cm 2 243 cm 2
  • an overpressure of 4.1 Pa at the bottom of the wafer is sufficient to lift this wafer when stored perpendicular to the earth's gravity field in the substrate carrier 102.
  • the pressure difference between the first and second substrate carrier surface 21, 22 remains less than 10 Pa, preferably less than 5 Pa, more preferably less than 4 Pa.
  • Vacuum lock with a volume of 350 1 5 s flooding times are achievable.
  • a pressure gradient of 350 hPa / s was achieved in the initial phase of flooding, which corresponds to a flow rate of 120 1 / s.
  • the gradient can flatten to 100 hPa / s. Under these circumstances, where a high rate of pressure change over time occurs, no movement of the wafers loaded in the substrate carrier 102 occurred in the vacuum lock 10.
  • a vacuum lock 10 which can be used as an inlet lock 110 and / or as an outlet lock 150, allows the efficient separation of layers or layer systems of high quality.
  • Plasma-assisted chemical vapor deposition can be particularly efficient
  • FIG. 14 shows a dynamic deposition rate of a SiNx.H antireflection layer on a monocrystalline silicon wafer as a function of the total gas flow of SiH 4 and NH 3 in the continuous flow system according to an exemplary embodiment for different pressures of the process gases.
  • a dynamic deposition rate of> 20 nm m / min, preferably> 30 nm m / min, particularly preferably> 40 nm m / min and particularly preferably 50 to 80 nm m / min can be achieved.
  • FIG. 15 shows an average deposition rate of a SiN x : H antireflection coating on a monocrystalline silicon wafer in the continuous-flow system according to one exemplary embodiment as a function of the pressure for different gas flow rates.
  • the continuous system can be configured for the deposition of silicon nitride.
  • the continuous system can have at least one process module for the deposition of silicon nitride.
  • the deposition of silicon nitride can be carried out with a dynamic deposition rate> 20 nm m / min, preferably> 30 nm m / min, more preferably> 40 nm m / min and particularly preferably 50 to 80 nm m / min.
  • the deposition of silicon nitride can be carried out with an average deposition rate> 4 nm / s, preferably> 5 nm / s and particularly preferably> 6 nm / s.
  • the deposition rate of silicon nitride can be varied and controlled by the gas flow rate of SiH 4 and NH 3 , as shown in FIG.
  • the deposition rate of silicon nitride can alternatively or additionally be influenced in a targeted manner by the RF power.
  • the extent of the deposited by a plasma source silicon nitride coating parallel to the transport direction may be ⁇ 50 cm, preferably ⁇ 25 cm, more preferably ⁇ 20 cm and particularly preferably 5 to 20 cm.
  • the extent of the coating parallel to the transport direction can be determined by the opening of the plasma source, in particular the position of the opening (s) of the gas distributor, and / or an aperture perpendicular to the transport direction between the plasma source and the substrate carrier.
  • the total gas flow rate per SiH 4 and NH 3 plasma source can be in the range of 0.5 to 10 slm (standard liters per minute), preferably in the range of 3 to 8 slm.
  • Deposition of SiN x : H layers can take place in a pressure range of> 1 Pa and ⁇ 100 Pa, preferably between 1 Pa and 60 Pa in the process space.
  • Areas of the process chamber may deviate by a factor of 0.1-10 depending on the connection of the vacuum gauges. For a given suction of the
  • Vacuum generating device the pressure in the process area can be varied by changing the conductance (e.g., aperture, chokes).
  • a mass density of the SiN x : H layers can be determined by process parameters such as
  • Substrate temperature and the RF power can be controlled or regulated.
  • the mass density may preferably be in the range of 2.4 to 2.9 g / cm 3 .
  • a hydrogen content could be set by adjusting process parameters such as RF power, substrate temperature, and gas composition.
  • deposited SiN x : H layers can have an H content of> 5%, preferably> 8%, particularly preferably 8% to 20%.
  • the refractive index of the silicon nitride layer can be varied and controlled by the gas flow rate, in particular by the ratio of SiH 4 and NH 3 .
  • SiN x : H layers with a refractive index of 1.9 to 2.4 can be deposited.
  • Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) can be used to determine the
  • Bonds and bond densities can be used in the silicon nitride layers.
  • a typical absorption spectrum is shown in FIG. In the region around the wavenumber 600-1300 cm 1 , the absorption of the [Si-N] bonds can be seen. At wavenumber 2050-2300 cm 1 the [Si-H] - and at wavenumbers 3200-3400 cm 1 the [NH] - bonds can be recognized.
  • SiN x H layers of satisfactory quality and satisfactory lifetime
  • the following preferred chemical composition in terms of bonds and bond densities is preferred: [NH] 3350 cm -1 , [Si-H] 2170-2180 cm 1 with bond densities > 5 ⁇ 10 21 l / cm 3 , preferably 8-10 ⁇ 10 21 l / cm 3 and [Si-N] 830-840 cm 1 with bond densities> 100 ⁇ 10 21 l / cm 3 , preferably> 110 ⁇ 10 21 l / cm 3 , particularly preferably> 120 ⁇ 10 21 l / cm 3 .
  • the substrate temperature for the deposition of SiN x : H layers of satisfactory quality and satisfactory lifetime may be below 600 ° C, preferably below 500 ° C, and more preferably in the range of 300 to 480 ° C.
  • Multi-layer system made of SiN x : H with different functions of the sublayers, eg for passivation and as antireflection coating, can be achieved by varying the process parameters at the individual plasma sources.
  • the continuous-flow system and the method according to exemplary embodiments allow the deposition of an a-SiN x : H layer as an antireflection coating, for example by a plasma-assisted vapor deposition method using an inductively coupled plasma source (ICP-PECVD method).
  • ICP-PECVD method the desired dynamic deposition rates can be achieved.
  • an inductively coupled plasma source (ICP) can be used, which of a radio frequency (RF) generator, for example at an excitation frequency in the
  • the ICP source is used to generate a plasma over a length> 1000 mm, preferably> 1500 mm, particularly preferably> 1700 mm.
  • the RF generators may have a power> 4 kW, preferably> 6 KW, particularly preferably 7 to 30 kW and particularly preferably 8 to 16 kW.
  • the RF generator can be operated pulsed.
  • Amorphous SfN x : H films can be deposited using NH 3 as the reaction gas and SH 4 as the precursor.
  • the NH 3 can be fed directly into the plasma chamber to generate a plasma jet with low energy ( ⁇ 20 eV).
  • the SiH 4 can be introduced into the process near the substrate to form the a-SiN x : H film with the NH x -Piasmaradikale.
  • the substrates can be heated for example by infrared radiation to temperatures of 300 ° C to 480 ° C, for example from 300 ° C to 400 ° C.
  • One parameter by which the deposition rate can be controlled or regulated is the total gas flow, as shown in FIG. 14 and FIG.
  • the properties of the deposited film can be kept substantially constant for different total gas flows.
  • the bulk density is an important parameter of the deposited film, which directly influences the passivation properties of a-SiN x : H.
  • the mass density can especially influenced by the substrate temperature and RF power. By adjusting these two parameters and the gas composition (NH 3 / SiH 4 ), the mass density of 2.5 g / cm 3 can be adjusted to 2.9 g / cm 3 , without the optical
  • the total hydrogen content is related to the mass density and can be controlled or regulated similarly to the mass density.
  • the hydrogen content can be determined by FTIR.
  • suboxides or oxides such as SiN x O y : H, a-Si x O y : FI (i, n, p) and the like, which can be used as passivating, doping, Tunneling and / or antireflection coatings can be used on semiconductor substrates
  • Conveyor be configured for the deposition of alumina.
  • Continuous installation can have at least one process module for the deposition of aluminum oxide.
  • the deposition of aluminum oxide can be carried out with a dynamic deposition rate per plasma source> 5 nm m / min, preferably> 8 nm m / min, more preferably> 10 mn m / min and especially preferably 10 to 20 nm m / min.
  • the deposition of aluminum oxide can take place with an average deposition rate of> 0.5 nm / s, preferably> 1.0 nm / s and particularly preferably> 1.4 nm / s.
  • the deposition rate of alumina can be varied and controlled by the gas flow rate of an aluminum-containing precursor, eg, (CH 3 ) 3 Al, and an oxygen-containing reactive gas, eg, N 2 O.
  • the deposition rate of alumina can also be influenced by the RF power.
  • the extent of the deposited by a plasma source aluminum oxide coating in the transport direction may be ⁇ 50 cm, preferably ⁇ 25 cm, more preferably ⁇ 20 cm and particularly preferably 5 to 20 cm.
  • the extension of the coating parallel to the transport direction may be through the opening of the plasma source, in particular the position of the opening (s) of the gas distributor, and / or the width of a diaphragm perpendicular to
  • Transport direction between the plasma source and the substrate carrier can be determined.
  • Plasma source for (CH 3 ) 3 Al and N 2 0 in the range of 0.5 to 10 slm (standard liters per minute), preferably in the range of 3 to 8 slm.
  • the refractive index of the alumina layer can be varied and controlled by the gas flow rate, in particular by the ratio of (CH 3 ) 3 Al and N 2 O.
  • A10 X : H layers with a refractive index> 1.57 can be deposited.
  • Further layer properties of the aluminum oxide layer can be:
  • Layer thickness 4 - 30 nm, preferably 4 - 20 nm, more preferably 4 - 15 nm
  • satisfactory quality and satisfactory life can be below 600 ° C, preferably below 500 ° C and more preferably in the range of 200 to 400 ° C.
  • Figure 17 shows the reflection spectrum 211 for a single SiN x : H antireflection layer and the reflection spectrum 212 for a SiN / SiNO double layer, each deposited by ICP-PECVD using a method according to the invention. Numerically simulated data is shown with dashed lines.
  • planar magnetrons and tubular magnetrons and inductively and / or capacitively coupled or microwave excited plasma sources for different coating methods such as PVD (physical vapor deposition) or PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) or others
  • Plasma processes e.g., activation, etching, cleaning, implanting.
  • a layer system of single layers can be deposited without vacuum interruption, similar to that explained with reference to FIG. 5 and FIG.
  • the continuous flow system and the process can not only for the production of PERX or other silicon cells by means of PECVD, for applying a
  • barrier layers for example Ag, Al, Cu, NiV
  • barrier layers for example Ag, Al, Cu, NiV
  • the continuous flow system can be used as a platform for various pretreatment and
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • Aspect 1 Continuous installation for coating substrates, comprising:
  • a vacuum lock for introducing the substrates or for discharging the
  • Substrate carrier having a plurality of substrates.
  • a continuous flow system according to aspect 1, wherein the vacuum lock further comprises a flow channel arrangement for evacuating and flooding the chamber, the flow channel arrangement having a first channel for evacuating and flooding the chamber and a second channel for evacuating and flooding the chamber, the first channel and the second channel are disposed on opposite sides of the chamber.
  • Aspect 3 Continuous installation according to aspect 1 or aspect 2, wherein at least one
  • Process module a plasma source, a gas supply device for feeding a plurality
  • Aspect 4 Continuous installation according to aspect 3, wherein the at least one process module with the plasma source comprises a first gas suction device whose suction opening is arranged along a conveying direction of the substrates upstream of the plasma source, and a second gas suction device, the suction opening along the conveying direction
  • Aspect 5 Continuous installation according to Aspect 3 or Aspect 4, wherein the plasma source and the gas supply device are combined in a plant component which is used as a module by the Continuous system is removable.
  • Aspect 6 Continuous installation according to one of the preceding aspects, further comprising: a transport device for continuously transporting a train from
  • a transfer module for transferring the substrate carrier between the
  • Vacuum lock and the transport device wherein the transfer module between the vacuum lock and the process module or the process modules is arranged.
  • Aspect 7 Continuous installation according to aspect 6, wherein the transfer module a
  • Heater with temperature control optionally with the heater configured to heat the substrates from both sides.
  • Aspect 8 Continuous installation according to aspect 6 or aspect 7, wherein
  • the vacuum lock is a vacuum lock for introducing the substrates, and the pass-through installation also has a second vacuum lock for discharging the substrates, the second vacuum lock having:
  • a second chamber for receiving the substrate carrier and a second flow channel arrangement for evacuating and flooding the second chamber, the second flow channel arrangement having a third channel for evacuating and flooding the second chamber and a fourth channel for evacuating and flooding the second chamber, the third channel and the fourth channel are disposed on opposite sides of the second chamber.
  • Aspect 9 Continuous installation according to aspect 8, wherein the pass-through system further comprises: a second transfer module for transferring the substrate support from the
  • Aspect 10 Continuous flow system according to aspect 8 or aspect 9, wherein the flow plant is configured, the substrates between the first vacuum lock and the second
  • Aspect 11 Continuous installation according to one of the preceding aspects, wherein the continuous system has a plurality of process modules and at least one transfer chamber arranged between two process modules.
  • Aspect 12 Continuous flow system according to aspect 1 1, wherein the transfer chamber to the
  • Aspect 13 Continuous flow system according to one of the preceding aspects, wherein the continuous flow system is configured, a nitrogen-containing first process gas and a
  • Aspect 14 Continuous flow system according to aspect 13, wherein the continuous flow system is configured to supply an oxygen-containing third process gas and an aluminum-containing fourth process gas into another process module with a further plasma source.
  • Aspect 14 Continuous flow system according to aspect 13 or aspect 14, wherein the
  • Continuous flow plant is a continuous plant for the production of solar cells, in particular for the production of one of the following solar cells is: Passaged Emitter Rear Cell (PERC) cell; PERT (Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffused Back Surface Field) cell; PERL (Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field) cell; Heterojunction solar cell; Solar cell with passivated contacts.
  • PERC Passaged Emitter Rear Cell
  • PERT Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffused Back Surface Field
  • PERL Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field
  • Heterojunction solar cell Solar cell with passivated contacts.
  • Aspect 16 Continuous installation according to aspect 13, wherein the continuous installation a
  • Aspect 17 Continuous installation according to one of the preceding aspects, wherein the continuous installation is a continuous installation for coating crystalline silicon wafers.
  • Aspect 18 Continuous flow system according to one of the preceding aspects, wherein the vacuum lock is configured such that a pressure difference between
  • Substrate support surfaces of the substrate support is at most 10 Pa, preferably at most 5 Pa, more preferably at most 4 Pa, when in a pumpdown or
  • Aspect 19 Continuous installation according to one of the preceding aspects, which belongs to
  • Aspect 20 Continuous installation according to one of the preceding aspects, wherein a cycle time of the continuous installation is less than 60 s, preferably less than 50 s, more preferably less than 45 s.
  • Aspect 21 Continuous installation according to one of the preceding aspects, wherein an average transport speed in the continuous installation is at least 26 mm / s, preferably at least 30 mm / s, more preferably at least 33 mm / s.
  • Aspect 22 Continuous installation according to one of the preceding aspects, wherein a working time for pumping off the vacuum lock is less than 25 s, preferably less than 20 s, more preferably less than 18 s.
  • a flow system according to any one of the preceding aspects, wherein the chamber of the vacuum lock comprises a chamber top and a chamber bottom and a first and a second inner surface.
  • Aspect 24 Continuous installation according to Aspect 23 as a function of Aspect 2, wherein the
  • Flow channel arrangement is configured, a gas flow in both a first region between the first inner surface and one of the first inner surface
  • Aspect 25 Continuous flow system according to aspect 24, wherein a ratio of a first
  • Distance dl between the first inner surface and the first substrate carrier surface to a length L of the substrate carrier is less than 0.1, preferably less than 0.05, more preferably less than 0.025.
  • Aspect 26 Continuous flow system according to aspect 24 or aspect 25, wherein a ratio of a second distance d2 between the second inner surface and the second one
  • Substrate carrier surface to a length L of the substrate carrier is less than 0.1, preferably less than 0.05, more preferably less than 0.025.
  • Aspect 27 Continuous installation according to one of the aspects 23 to 26, wherein the
  • Vacuum lock is configured so that a ratio of a first flow resistance between the substrate carrier and the first inner surface to a second
  • Flow resistance between the substrate carrier and the second inner surface is between 0.95 and 1.05, preferably between 0.97 and 1.03.
  • Aspect 28 Continuous installation according to one of the aspects 23 to 27, wherein a
  • Substrate support surface maximum lOPa preferably not more than 5 Pa, more preferably not more than 4 Pa, if in an evacuation or flooding of the chamber a
  • Pressure change rate in the chamber exceeds 100 hPa / s, preferably 300 hPa / s.
  • Aspect 29 Continuous flow system according to one of the aspects 23 to 28, wherein the substrate carrier is positioned between the first and the second inner surface, that
  • d) is a first distance between the first substrate carrier surface and the first inner surface and d 2 is a second distance between the second substrate carrier surface and the second inner surface.
  • Aspect 30 A flow system according to any one of the preceding aspects as dependent on Aspect 2, wherein the flow channel assembly is configured to flood and / or evacuate the chamber a gas flow directed perpendicularly to a longitudinal direction of the first channel at at least a portion of a first substrate support surface and at least one region to produce a second substrate carrier surface and
  • Aspect 31 Continuous installation according to one of the preceding aspects, dependent on aspect 2, wherein the first channel and the second channel are parallel to one another.
  • Aspect 32 Continuous installation according to one of the preceding aspects as a function of Aspect 2, wherein the first channel and the second channel are arranged on end faces of the chamber of the vacuum lock.
  • Aspect 33 A flow plant according to any one of the preceding aspects as dependent on Aspect 2, wherein the first channel and the second channel are spaced apart by at least a length of the substrate support.
  • Aspect 34 Continuous flow system according to one of the preceding aspects as a function of aspect 2, wherein the first channel and the second channel are arranged with respect to a center plane of the chamber mirror-symmetrical to each other.
  • Aspect 35 Continuous installation according to one of the preceding aspects as a function of Aspect 2, wherein the flow channel arrangement has a further first channel, which is in fluid communication with the first channel through at least one overflow opening, and / or wherein the flow channel arrangement has a further second channel at least one second overflow opening with the second channel in one
  • Aspect 36 Continuous installation according to Aspect 35, further comprising means for
  • Equalization of the flow between the first channel and the further first channel which has the at least one overflow opening, wherein optionally the
  • Overflow is smaller than a cross section of the other first channel
  • Aspect 37 Continuous flow system according to one of the preceding aspects, dependent on Aspect 2, wherein the flow channel arrangement is configured to generate the gas flow during flooding and / or evacuation of the chamber in such a way that at a first
  • Substrate carrier surface and a second substrate carrier surface a pressure gradient in a direction parallel to the longitudinal direction of the at least one channel is minimized.
  • Aspect 38 Continuous installation according to one of the preceding aspects as a function of aspect 2, wherein the first channel and the second channel extend perpendicular or parallel to a transport direction of the substrate carrier in the continuous system.
  • a flow system according to any one of the preceding aspects as dependent on aspect 2, wherein the flow system is configured to position the substrate support non-overlapping with the first channel and the second channel upon flooding and evacuating the chamber.
  • Aspect 40 A continuous flow installation according to one of the preceding aspects, dependent on Aspect 2, wherein the first channel and the second channel each have an opening for a fluid connection to a flooding device and / or an evacuation device.
  • Aspect 41 A continuous flow plant according to any one of the preceding aspects as dependent on aspect 2, wherein the vacuum lock further comprises a gas baffle for deflecting a flow of gas against a wall of the chamber during flooding.
  • Aspect 42 Continuous installation according to one of the preceding aspects, wherein the vacuum lock further comprises at least one connecting piece for connection to an evacuation device and / or a flooding device.
  • Aspect 43 Continuous installation according to one of the preceding aspects, wherein the continuous installation further comprises at least one valve arrangement which is provided between the chamber and the evacuation device and / or flooding device.
  • Aspect 44 Continuous flow system according to aspect 43, wherein the valve arrangement comprises a first valve and a second valve, which are dimensioned differently.
  • a continuous flow system according to aspect 44, wherein the continuous flow system comprises a controller for driving the first valve and the second valve for a two-stage flooding or a two-stage evacuation of the chamber.
  • Aspect 46 Continuous installation according to one of the aspects 42 to 45, further with mutually symmetrically designed fluid connection lines between the
  • Aspect 47 Continuous flow system according to aspect 46, wherein the fluid communication lines connect the opposite sides of the chamber to a common evacuation device or to a common flooding device.
  • Aspect 48 Method of Coating Substrates in a Continuous Flow Plant Using
  • Process module or multiple process modules the method comprising:
  • At least one of the first and second vacuum locks has a chamber for receiving a substrate carrier having substrates held thereon.
  • Aspect 49 The method of aspect 48, wherein the at least one of the first and second vacuum locks comprises a flow channel arrangement for evacuating and flooding the chamber, the flow channel arrangement having a first channel for evacuating and flooding the chamber and a second channel for evacuating and flooding the chamber; wherein the first channel and the second channel are disposed on opposite sides of the chamber.
  • Aspect 50 Method according to aspect 48 or aspect 49, wherein the first vacuum lock and the second vacuum lock are each configured such that a pressure difference between substrate carrier surfaces of the substrate carrier is at most 10 Pa, preferably at most 5 Pa, particularly preferably at most 4 Pa when in a pumpdown process or
  • Aspect 51 A method according to any one of aspects 48 to 50, wherein the substrates are crystalline
  • Silicon wafers are.
  • Aspect 52 Method according to one of aspects 48 to 51, wherein the continuous processing plant processes at least 4,000 substrates per hour, preferably at least 5,000 substrates per hour.
  • Aspect 53 Method according to one of the aspects 48 to 52, wherein a cycle time of the
  • Continuous flow system less than 60 s, preferably less than 50 s, more preferably less than 45 s.
  • Aspect 54 Method according to any one of aspects 48 to 53, wherein a mean Transport speed in the continuous system at least 26 mm / s, preferably at least 30 mm / s, more preferably at least 33 mm / s.
  • Aspect 55 The method of any one of aspects 48 to 54, wherein a duration of operation of the vacuum lock is less than 25 seconds, preferably less than 20 seconds, more preferably less than 18 seconds.
  • Aspect 56 The method of any of aspects 48 to 55, wherein the chamber has a chamber top and a chamber bottom, and first and second inner surfaces.
  • Aspect 57 The method of aspect 56 as dependent on aspect 49, wherein the flow channel assembly is configured to provide gas flow in both a first region between the first inner surface and one of the first inner surface
  • Aspect 58 The method of aspect 57, wherein a ratio of a first distance dl between the first inner surface and the first substrate carrier surface to a length L of the substrate carrier is less than 0.1, preferably less than 0.05, more preferably less than 0.025.
  • Aspect 59 A method according to aspect 57 or aspect 58, wherein a ratio of a second distance d2 between the second inner surface and the second one
  • Substrate carrier surface to a length L of the substrate carrier is less than 0.1, preferably less than 0.05, more preferably less than 0.025.
  • Aspect 60 The method of any one of aspects 57 to 59, wherein a ratio of a first flow resistance between the substrate carrier and the first inner surface to a second flow resistance between the substrate carrier and the second
  • Aspect 61 Method according to one of the aspects 57 to 60, wherein a pressure difference between the first substrate carrier surface and the second substrate carrier surface is a maximum of 1 OPa, preferably a maximum of 5 Pa, more preferably a maximum of 4 Pa, if a rate of pressure change during evacuation or flooding of the chamber the chamber exceeds 100 hPa / s, preferably 300 hPa / s.
  • Aspect 62 The method of any one of aspects 57 to 61, wherein the substrate carrier is positioned between the first and second inner surfaces jdi - d 2
  • di is a first distance between the first substrate carrier surface and the first inner surface
  • d 2 is a second distance between the second substrate carrier surface and the second inner surface
  • Aspect 63 The method of any one of aspects 57 to 62, wherein upon flooding and / or evacuating the chamber, a gas flow directed perpendicularly to a longitudinal direction of the first channel is generated at at least a portion of a first substrate carrier surface and at least a portion of a second substrate carrier surface;
  • Aspect 64 Method according to one of the aspects 48 to 63, which is carried out by the continuous flow system according to one of the aspects 1 to 47.
  • the production costs for the coating of solar cells can be reduced.
  • Highly efficient solar cells can be manufactured at low cost, making the solar cells more competitive for generating electricity.
  • Good passivation layers of the front surface and the back surface may help reduce the recombination of the generated electrons or holes in the formed Si solar cell and prevent recombination of the charge carriers.
  • the continuous flow system offers a scalable system concept, so that throughput and productivity can be met by adjusting the system parameters.
  • the width of the continuous system and the substrate carrier can be increased in order to allow a larger throughput.
  • the vacuum lock or the vacuum locks of the continuous flow system can or can be scalable, so that they can be adapted for different throughputs of substrates.
  • the width and / or length of the vacuum locks can be selected according to the dimensions of the substrate carrier, which is to be channeled to achieve the desired target conversion.
  • a reduction of plant pollution can be achieved. This leads to a Extension of the mean time between maintenance work. The average maintenance time can be reduced.
  • Embodiments of the invention can be advantageously used for coating wafers.
  • the continuous flow system according to the invention may be, for example, a coating system for rectangular or round wafers, without being limited thereto.

Abstract

The invention relates to a continuous flow system (100) for coating substrates (103) comprising a treatment module (130) and a vacuum sluice (110, 150) for introducing the substrates (103) or for discharging the substrates (103). The vacuum sluice (110, 150) has a chamber for receiving a substrate carrier (102) having a plurality of substrates (103) and a flow channel arrangement for evacuating and flooding the chamber. The flow channel arrangement comprises a first channel for evacuating and flooding the chamber and a second channel for evacuating and flooding the chamber, wherein the first channel and the second channel are arranged on opposite sides of the chamber.

Description

DURCHLAUFANLAGE UND VERFAHREN ZUM BESCHICHTEN VON  PASSENGER APPARATUS AND METHOD FOR COATING
SUBSTRATEN TECHNISCHES GEBIET  SUBSTRATE TECHNICAL AREA
Die Erfindung betrifft Durchlaufanlagen, insbesondere Vakuumdurchlaufanlagen, und Verfahren, insbesondere Vakuum verfahren, zum Beschichten von Substraten. Die Erfindung betrifft insbesondere Durchlaufanlagen, die zur Beschichtung leichter Substrate, insbesondere von Siliziumwafern, konfiguriert sind. Die Durchlaufanlagen und Verfahren können zur kontinuierlichen Beschichtung von Substraten konfiguriert sein.  The invention relates to continuous flow systems, in particular vacuum continuous flow systems, and method, in particular vacuum method, for coating substrates. In particular, the invention relates to continuous flow systems which are configured for coating light substrates, in particular silicon wafers. The continuous flow systems and methods may be configured for continuous coating of substrates.
HINTERGRUND BACKGROUND
Durchlauf-Substratbearbeitungsanlagen sind beispielsweise aus der EP 2 276 057 Bl bekannt. Dabei werden Substrate mittels eines Substrattransportsystems in eine  Continuous substrate processing systems are known, for example, from EP 2 276 057 B1. Here are substrates by means of a substrate transport system in a
Vakuumprozesskammer hineingebracht und nach der Bearbeitung wieder herausgebracht. Als Substrattransportsystem kommt hierbei ein horizontaler Substratträger zum Einsatz, auf welchem die Substrate flächig aufliegen. Vacuum process chamber brought in and brought out again after processing. As a substrate transport system here is a horizontal substrate carrier is used, on which the substrates rest flat.
Die US 2013/0031333 Al offenbart eine Anlage zum Bearbeiten mehrerer Substrate, die Schleusen aufweist.  US 2013/0031333 A1 discloses a system for processing a plurality of substrates having locks.
Die WO 2015/126439 Al offenbart eine Vorrichtung und ein Verfahren zur  WO 2015/126439 A1 discloses an apparatus and a method for
Passivierung kristalliner Silizium-Solarzellen. Mehrere Prozessstationen sind entlang einer Transportrichtung hintereinander vorgesehen.  Passivation of crystalline silicon solar cells. Several process stations are provided one behind the other along a transport direction.
DE 10 2012 109 830 Al offenbart eine Schleusenkammer, die eingangs- oder ausgangsseitiges zum Schleusen von Substraten in bzw. aus einer Vakuumbehandlungsanlage vorgesehen ist. Die Schleusenkammer ist so ausgestaltet, dass ein Kammerdeckel mindestens eine Absenkung mit einen Absenkboden im Abstand von der Oberkante aufweist und dass die Säugöffnung im Kammerdeckel vorgesehen ist.  DE 10 2012 109 830 A1 discloses a lock chamber, which is provided on the input or output side for the purpose of sluicing substrates into or out of a vacuum treatment installation. The lock chamber is designed such that a chamber lid has at least one depression with a lowering floor at a distance from the upper edge and that the mammal opening is provided in the chamber lid.
US 2005/0217993 Al offenbart eine mehrstufige Schleusenanordnung mit wenigstens zwei Schleusenkammern.  US 2005/0217993 A1 discloses a multi-stage lock arrangement with at least two lock chambers.
DE 10 2010 040 640 A 1 offenbart eine Substratbehandlungsanlage zur Behandlung von DE 10 2010 040 640 A 1 discloses a substrate treatment plant for the treatment of
Substraten mit mindestens einer von Kammerwänden begrenzten Anlagenkammer, die mindestens eine Substratbehandlungseinrichtung und mindestens ein Pyrometer zur Substrates with at least one chamber chamber bounded by chamber walls, the at least one substrate treatment device and at least one pyrometer for
Bestimmung der Substrattemperatur aufweist. Determining the substrate temperature.
US 7 413 639 B2 offenbart ein Energie- und Medienanschlussmodul für Beschichtungsanlagen. Dieses Modul dient zur Versorgung mit Kühlwasser, Druckluft, Prozessgasen, Signal-, Steuer- und Kathodenstrom. US 7 413 639 B2 discloses an energy and media connection module for Coating systems. This module is used to supply cooling water, compressed air, process gases, signal, control and cathode current.
DE 102016 107 830 Al offenbart eine Vakuumkammeranordnung mit einer  DE 102016 107 830 A1 discloses a vacuum chamber arrangement with a
Schleusenkammer und einer Prozessierkammer, die mittels einer Substrat-Transferöffnung miteinander gekoppelt sind, und einer Transportvorrichtung zum Transportieren eines Substrats durch die Substrat-Transferöffftung. Lock chamber and a processing chamber, which are coupled to each other by means of a substrate transfer port, and a transport device for transporting a substrate through the substrate Transferöffftung.
DE 102012 201 953 Al offenbart ein Verfahren zum Beschichten eines Substrats mit einer AlOx-Schicht.  DE 102012 201 953 A1 discloses a method for coating a substrate with an AlOx layer.
Die kostengünstige, effiziente Bearbeitung von Substraten, beispielsweise von kristallinen Siliziumwafern, ist in der Technik von großer Bedeutung. Sie erlaubt es beispielsweise, Solarzellen wettbewerbsfähiger für die Erzeugung von Strom zu machen. Insbesondere bei Durchlaufanlagen, die eine Vakuumschleuse aufweisen, kann die Taktzeit der Vakuumschleuse den Anlagendurchsatz wesentlich mit beeinflussen. Vakuumschleusen sind oft so konfiguriert, dass der Gasdruck typischerweise zwischen Normaldruck und einem deutlich kleineren Druck, beispielsweise einem Druck von weniger als 100 Pa, verändert wird, um Substrate in eine Prozessstrecke einzuschleusen und daraus auszuschleusen. Für einen hohen Anlagendurchsatz ist eine kurze Taktzeit und somit ein rasches Evakuieren und Fluten der Vakuumschleuse wünschenswert.  The cost-effective, efficient processing of substrates, such as crystalline silicon wafers, is in the art of great importance. For example, it allows solar cells to become more competitive for electricity generation. Especially in continuous systems, which have a vacuum lock, the cycle time of the vacuum lock can significantly influence the system throughput. Vacuum locks are often configured such that the gas pressure is typically varied between normal pressure and a significantly lower pressure, for example, a pressure of less than 100 Pa, to infiltrate and discharge substrates into a process line. For a high system throughput, a short cycle time and thus a rapid evacuation and flooding of the vacuum lock is desirable.
Herkömmliche Ansätze zur Erhöhung des Durchsatzes einer Durchlaufanlage, insbesondere zur Erhöhung des Durchsatzes von Vakuumschleusen, sind häufig mit einer erhöhten Komplexität und somit Fehleranfälligkeit der Durchlaufanlage verbunden.  Conventional approaches to increasing the throughput of a continuous system, in particular to increase the throughput of vacuum locks are often associated with increased complexity and thus error rate of the continuous system.
KURZE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG BRIEF DESCRIPTION OF THE INVENTION
Es besteht ein Bedarf an verbesserten Vorrichtungen und Verfahren zum Beschichten von Substraten in einer Durchlaufanlage, insbesondere einer Vakuumdurchlaufanlage. Es besteht insbesondere ein Bedarf an derartigen Vorrichtungen und Verfahren, die die  There is a need for improved apparatus and methods for coating substrates in a continuous flow system, particularly a continuous vacuum system. In particular, there is a need for such devices and methods that the
Abscheidung einer Beschichtung oder eines Schichtsystem mit hoher Qualität auf Substraten erlauben, wobei ein hoher Durchsatz der Durchlaufanlage erreicht wird. Es besteht ein Bedarf an derartigen Vorrichtungen und Verfahren, die kurze Ein- und/oder Ausschleuszeiten aufweisen. Es besteht ein Bedarf an derartigen Vorrichtungen und Verfahren, die eine lange Betriebsdauer der Durchlaufanlage und/oder im Vergleich zur Betriebsdauer kurze Allow deposition of a coating or a layer system with high quality on substrates, with a high throughput of the continuous system is achieved. There is a need for such devices and methods that have short on and / or off times. There is a need for such devices and methods that provide a long run time of the continuous flow system and / or short operating life
Wartungsintervalle ermöglichen. Allow maintenance intervals.
Durchlaufanlagen und Verfahren mit den in den unabhängigen Ansprüchen angegebenen Merkmalen werden angegeben. Die abhängigen Ansprüche definieren Continuous flow systems and methods with those in the independent claims specified characteristics are specified. Define the dependent claims
Ausfuhrungsformen. Embodiments.
Nach einem Aspekt der Erfindung wird eine Durchlaufanlage zur Beschichtung von Substraten beschrieben, die ein Prozessmodul oder mehrere Prozessmodule und eine  According to one aspect of the invention, a continuous system for coating substrates is described, which comprises one or more process modules and a process module
Vakuumschleuse zum Einschleusen der Substrate oder zum Ausschleusen der Substrate aufweist. Die Vakuumschleuse weist eine Kammer zur Aufnahme eines Substratträgers mit mehreren Substraten und eine Strömungskanalanordnung zum Evakuieren und Fluten der Kammer auf. Die Strömungskanalanordnung weist einen ersten Kanal zum Evakuieren und Fluten der Kammer und einen zweiten Kanal zum Evakuieren und Fluten der Kammer auf, wobei der erste Kanal und der zweite Kanal an entgegengesetzten Seiten der Kammer angeordnet sind. Having vacuum lock for introducing the substrates or for discharging the substrates. The vacuum lock has a chamber for receiving a substrate carrier having a plurality of substrates and a flow channel arrangement for evacuating and flooding the chamber. The flow channel assembly has a first channel for evacuating and flooding the chamber and a second channel for evacuating and flooding the chamber, wherein the first channel and the second channel are disposed on opposite sides of the chamber.
Bei einer derartigen Durchlaufanlage kann die Vakuumschleuse mit dem darin angeordneten Substratträger über mehrere Kanäle gleichzeitig evakuiert und/oder geflutet werden. Die Anordnung der ersten und zweiten Kanäle erlaubt ein rasches Evakuieren und/oder Fluten, wobei das Risiko eines unbeabsichtigten Anhebens von Substraten vom Substratträger gering ist.  In such a continuous system, the vacuum lock with the substrate carrier arranged therein can be evacuated and / or flooded simultaneously via several channels. The arrangement of the first and second channels allows for rapid evacuation and / or flooding, whereby the risk of unintentionally lifting substrates from the substrate carrier is low.
Der erste Kanal und der zweite Kanal können in einer horizontalen Richtung voneinander beabstandet sein.  The first channel and the second channel may be spaced apart in a horizontal direction.
Der erste Kanal und der zweite Kanal können in Transportrichtung oder in einer Richtung, die in einer horizontalen Richtung quer zur Transportrichtung verläuft, voneinander beabstandet sein. Die Kammer kann zwei Hauptflächen, welche die Kammer parallel zur Substratebene bzw. Transportebene begrenzen, und vier Seiten wandbereiche aufweisen.  The first channel and the second channel may be spaced apart in the transporting direction or in a direction extending in a horizontal direction transverse to the transporting direction. The chamber may have two major surfaces which bound the chamber parallel to the substrate plane or transport plane, and four side wall portions.
Die Strömungskanalanordnung kann an den Seitenwandbereichen angeordnet sein. The flow channel arrangement may be arranged on the side wall regions.
Die Strömungskanalanordnung kann alternativ an den Hauptflächen benachbart zu den Seitenwandbereichen angeordnet sein oder in die Hauptflächen in Regionen benachbart zu den Seitenwandbereichen integriert sein. The flow channel arrangement may alternatively be disposed on the major surfaces adjacent to the sidewall regions or integrated into the major surfaces in regions adjacent the sidewall regions.
Die Strömungskanalanordnung kann ein erstes Paar von Kanälen aufweisen, die an einem der Seitenwandbereiche der Kammer angeordnet sind. Das erste Paar kann den ersten Kanal und einen weiteren ersten Kanal aufweisen. Die Kanäle des ersten Paars von Kanälen können durch erste Überströmöffhungen miteinander kommunizieren. Ein erstes Schlitzblech kann zwischen den Kanälen des ersten Paars von Kanälen angeordnet sein.  The flow channel assembly may include a first pair of channels disposed on one of the sidewall portions of the chamber. The first pair may include the first channel and another first channel. The channels of the first pair of channels can communicate with each other through first overflow ports. A first slot plate may be disposed between the channels of the first pair of channels.
Die Kanäle des ersten Paars von Kanälen können übereinander (also vertikal versetzt) angeordnet sein und/oder das erste Schlitzblech kann in einer im Wesentlichen horizontalen Ebene liegen. The channels of the first pair of channels may be arranged one above the other (ie vertically offset) and / or the first slot plate may be arranged in a substantially horizontal manner Lie flat.
Die Kanäle des ersten Paars von Kanälen können so angeordnet sein, dass im Betrieb eine Gasströmung in vertikaler Richtung zwischen den Kanälen des ersten Paars von Kanälen erfolgt.  The channels of the first pair of channels may be arranged so that, in operation, gas flow in the vertical direction occurs between the channels of the first pair of channels.
Die Kanäle des ersten Paars von Kanälen können in Horizontalrichtung versetzt nebeneinander angeordnet sein und/oder das erste Schlitzblech kann in einer im Wesentlichen vertikalen Ebene liegen.  The channels of the first pair of channels may be arranged offset in the horizontal direction next to one another and / or the first slot plate may lie in a substantially vertical plane.
Die Kanäle des ersten Paars von Kanälen können so angeordnet sein, dass im Betrieb eine Gasströmung in horizontaler Richtung zwischen den Kanälen des ersten Paars von Kanälen erfolgt.  The channels of the first pair of channels may be arranged so that in operation there is a gas flow in the horizontal direction between the channels of the first pair of channels.
Die Strömungskanalanordnung kann ein zweites Paar von Kanälen aufweisen, die an einem anderen der Seitenwandbereiche der Kammer angeordnet sind. Das zweite Paar kann den zweiten Kanal und einen weiteren zweiten Kanal aufweisen. Die Kanäle des zweiten Paars von Kanälen können durch zweite Überströmöffnungen miteinander kommunizieren. Ein zweites Schlitzblech kann zwischen den Kanälen des zweiten Paars von Kanälen angeordnet sein.  The flow channel assembly may include a second pair of channels disposed on another of the side wall portions of the chamber. The second pair may include the second channel and another second channel. The channels of the second pair of channels can communicate with each other through second overflow openings. A second slot plate may be disposed between the channels of the second pair of channels.
Die Kanäle des zweiten Paars von Kanälen können übereinander (also vertikal versetzt) angeordnet sein und/oder das zweite Schlitzblech kann in einer im Wesentlichen horizontalen Ebene liegen.  The channels of the second pair of channels may be arranged one above the other (ie vertically offset) and / or the second slot plate may lie in a substantially horizontal plane.
Die Kanäle des zweiten Paars von Kanälen können so angeordnet sein, dass im Betrieb eine Gasströmung in vertikaler Richtung zwischen den Kanälen des zweiten Paars von Kanälen erfolgt.  The channels of the second pair of channels may be arranged so that, in operation, gas flow in the vertical direction occurs between the channels of the second pair of channels.
Die Kanäle des zweiten Paars von Kanälen können in Horizontalrichtung versetzt nebeneinander angeordnet sein und/oder das zweite Schlitzblech kann in einer im  The channels of the second pair of channels may be arranged offset in the horizontal direction next to each other and / or the second slot plate may be in a in the
Wesentlichen vertikalen Ebene liegen. Lie substantially vertical plane.
Die Kanäle des zweiten Paars von Kanälen können so angeordnet sein, dass im Betrieb eine Gasströmung in horizontaler Richtung zwischen den Kanälen des zweiten Paars von Kanälen erfolgt.  The channels of the second pair of channels may be arranged so that in operation there is a gas flow in the horizontal direction between the channels of the second pair of channels.
Wenigstens ein Prozessmodul kann eine Plasmaquelle, eine Gaszufuhreinrichtung zum Zufuhren mehrerer Prozessgase über getrennte Gasverteiler und wenigstens eine  At least one process module may include a plasma source, a gas supply device for supplying a plurality of process gases via separate gas distributors and at least one
Gasabsaugeinrichtung zum Absaugen der Prozessgase aufweisen. Die Plasmaquelle kann beispielsweise ein Magnetron, eine induktiv oder eine kapazitiv gekoppelte Quelle aufweisen.  Have gas extraction for sucking the process gases. The plasma source may comprise, for example, a magnetron, an inductively or a capacitively coupled source.
Ein Aspekt der Erfindung ist es, dass die Durchlaufanlage als Plattform für verschiedene Vorbehandlungs- und Beschichtungsprozesse ausgestaltet sein kann, so dass grundlegende konstruktive Elemente wie die Vakuumschleuse, die Transportvorrichtung, die Ausgestaltung der Kammern, der Steuerung und der Automatisierung universell verwendbar sind, wogegen die Art der Plasmaquellen und Vakuumpumpen der spezifischen Anwendung (z.B. Magnetron- Sputtern oder plasmaunterstützte chemische GasphasenabscheidungOne aspect of the invention is that the continuous system as a platform for various pretreatment and coating processes can be designed so that basic structural elements such as the vacuum lock, the transport device, the design of the chambers, the control and automation are universally usable, whereas the type of plasma sources and vacuum pumps of the specific application (eg magnetron sputtering or plasma enhanced chemical vapor deposition
(PECVD)) entsprechend angepasst werden. (PECVD)).
Eine Ausgestaltung, bei der wenigstens ein Prozessmodul eine Plasmaquelle aufweist, erlaubt eine plasmaunterstützte Aktivierung, beispielsweise für eine plasmaunterstützte Gasphasenabscheidung. Die Anordnung der Gasverteiler verbessert die Transferrate auf dem Substrat und/oder reduziert eine ungewollte Beschichtung von Anlagenkomponenten im Prozessbereich.  An embodiment in which at least one process module has a plasma source permits plasma-assisted activation, for example for a plasma-assisted vapor deposition. The arrangement of the gas distributor improves the transfer rate on the substrate and / or reduces unwanted coating of system components in the process area.
Das wenigstens eine Prozessmodul mit der Plasmaquelle kann eine erste  The at least one process module with the plasma source can be a first
Gasabsaugeinrichtung, deren Absaugöffnung entlang einer Förderrichtung der Substrate stromaufwärts der Plasmaquelle angeordnet ist, und eine zweite Gasabsaugeinrichtung, deren Absaugöffnung entlang der Förderrichtung stromabwärts der Plasmaquelle angeordnet ist, aufweisen. Die Anordnung der Absaugöffhungen reduziert eine ungewollte Beschichtung bzw. Verunreinigung von Anlagenkomponenten im Prozessbereich. Gas extraction, the suction opening is arranged along a conveying direction of the substrates upstream of the plasma source, and a second Gasabsaugeinrichtung, the suction opening is arranged along the conveying direction downstream of the plasma source having. The arrangement of the Absaugöffhungen reduces unwanted coating or contamination of system components in the process area.
Die Plasmaquelle und die Gaszufuhreinrichtung können in einem Anlagenbauteil kombiniert sein, das als Modul von der Durchlaufanlage demontierbar ist. Wartungszeiten können kurz gehalten werden, indem die Plasmaquelle und die Gaszuführeinrichtung als ein Bauteil von der Durchlaufanlage demontiert und durch Ersatzkomponenten ersetzt werden.  The plasma source and the gas supply device can be combined in a plant component, which can be disassembled as a module from the continuous system. Maintenance times can be kept short by disassembling the plasma source and the gas supply device as a component of the continuous system and replaced by replacement components.
Die Durchlaufanlage kann ferner eine Transporteinrichtung zum kontinuierlichen Transportieren eines Zugs von Substratträgem durch wenigstens einen Abschnitt der Durchlaufanlage, und ein Überfuhrungsmodul zum Überführen des Substratträgers zwischen der Vakuumschleuse und der Transporteinrichtung aufweisen. Das Überführungsmodul kann zwischen der Vakuumschleuse und dem Prozessmodul oder den Prozessmodulen angeordnet sein. Das Überfuhrungsmodul kann eine Pufferang eines Substratträgers vornehmen, wobei der Substratträger jeweils nur kurzzeitig im Überfuhrungsmodul verweilt. Alternativ oder zusätzlich kann das Überführungsmodul konfiguriert sein, den Substratträger stromabwärts einer Einlass- Vakuumschleuse zu beschleunigen und in einen kontinuierlich bewegten Zug von Substratträgem einzuführen und/oder stromaufwärts einer Auslass- Vakuumschleuse den Substratträger zu separieren und aus dem kontinuierlich bewegten Zug von Substratträgem zu entnehmen. Zum Separieren des Substratträgers aus dem kontinuierlich bewegten Zug von Substratträgem kann der Substratträger zunächst beschleunigt werden, um einen Abstand zum nachfolgenden Substratträger des Zugs von Substratträgem zu vergrößern, und anschließend abgebremst werden. The conveyor system may further comprise a transport device for continuously transporting a train of substrate carriers through at least a portion of the conveyor system, and a transfer module for transferring the substrate carrier between the vacuum lock and the transport device. The transfer module may be disposed between the vacuum lock and the process module or modules. The Überfuhrungsmodul can make a Pufferang a substrate support, wherein the substrate carrier dwells only briefly in the Überfuhrungsmodul. Alternatively or additionally, the transfer module may be configured to accelerate the substrate carrier downstream of an inlet vacuum lock and insert it into a continuously moving train of substrate carriers and / or upstream of an outlet vacuum lock to separate and remove the substrate carrier from the continuously moving train of substrate carriers. For separating the substrate carrier from the continuously moving train of Substratträgem the substrate support can be accelerated first to increase a distance to the subsequent substrate carrier of the train of Substratträgem, and then slowed down.
Das Überführungsmodul kann eine Temperaturregeleinrichtung aufweisen. Die Temperaturregeleinrichtung kann eine Heizeinrichtung aufweisen, um die Substrate von beiden Seiten zu heizen. Nach dem Einschleusen kann eine definierte Substrattemperatur durch eine geregelte Heizeinrichtung vor dem Durchlaufen der Prozessstrecke eingestellt werden. Andererseits können durch die Heizeinrichtung Strahlungsverluste des Substrats in der Prozessstrecke fortlaufend ausgeglichen und gute Prozessbedingungen auffechterhalten werden. Das Überführungsmodul kann zum Kühlen der Substrate konfiguriert sein, insbesondere wenn es stromabwärts aller Prozessmodule angeordnet ist.  The transfer module may include a temperature control device. The temperature control device may include a heater to heat the substrates from both sides. After the introduction, a defined substrate temperature can be adjusted by a controlled heating device before passing through the process section. On the other hand, radiation losses of the substrate in the process path can be continuously compensated by the heating device and good process conditions can be maintained. The transfer module may be configured to cool the substrates, particularly if it is located downstream of all process modules.
Die Vakuumschleuse kann eine Vakuumschleuse zum Einschleusen der Substrate sein. The vacuum lock can be a vacuum lock for introducing the substrates.
Die Durchlaufanlage kann ferner eine zweite Vakuumschleuse zum Ausschleusen der Substrate aufweisen. Die zweite Vakuumschleuse kann aufweisen: eine zweite Kammer zur Aufnahme des Substratträgers und eine zweite Strömungskanalanordnung zum Evakuieren und Fluten der zweiten Kammer, wobei die zweite Strömungskanalanordnung einen dritten Kanal zum Evakuieren und Fluten der zweiten Kammer und einen vierten Kanal zum Evakuieren und Fluten der zweiten Kammer aufweist, wobei der dritte Kanal und der vierte Kanal an entgegengesetzten Seiten der zweiten Kammer angeordnet sind. The continuous system may further comprise a second vacuum lock for discharging the substrates. The second vacuum lock may include a second chamber for receiving the substrate carrier and a second flow channel arrangement for evacuating and flooding the second chamber, the second flow channel arrangement having a third channel for evacuating and flooding the second chamber and a fourth channel for evacuating and flooding the second chamber wherein the third channel and the fourth channel are disposed on opposite sides of the second chamber.
Durch Verwendung von zwei Vakuumschleusen, die jeweils über mehrere Kanäle geflutet und evakuiert werden, können die Arbeitszeiten der Schleusen sowohl beim  By using two vacuum locks, each of which is flooded and evacuated through several channels, the working times of the locks can be both during
Einschleusen als auch beim Ausschleusen der Substratträger gering gehalten werden. Infiltration and kept low during the discharge of the substrate carrier.
Die Durchlaufanlage kann ferner ein zweites Überführungsmodul zum Überführen des Substratträgers von der Transporteinrichtung zu der diskontinuierlich arbeitenden zweiten Vakuumschleuse aufweisen.  The pass-through system can furthermore have a second transfer module for transferring the substrate carrier from the transport device to the discontinuously operating second vacuum lock.
Die Durchlaufanlage kann konfiguriert sein, die Substrate zwischen der ersten  The continuous flow system may be configured to sandwich the substrates between the first
Vakuumschleuse und der zweiten Vakuumschleuse ohne Unterbrechung eines Vakuums durch die Durchlaufanlage zu transportieren. Vacuum lock and the second vacuum lock without interruption of a vacuum through the conveyor system to transport.
Die Durchlaufanlage kann mehrere Prozessmodule und wenigstens eine zwischen zwei Prozessmodulen angeordnete Transferkammer aufweisen. Die Transferkammer kann zur kurzzeitigen Pufferung von Substratträgem zwischen Prozessmodulen dienen und/oder kann eine Trennung von Prozessgasen in unterschiedlichen Prozessmodulen sicherstellen.  The continuous-flow system can have a plurality of process modules and at least one transfer chamber arranged between two process modules. The transfer chamber can serve for short-term buffering of substrate carriers between process modules and / or can ensure a separation of process gases in different process modules.
Die Transferkammer kann zum Überführen der Substrate zwischen den zwei Prozessmodulen konfiguriert sein. The transfer chamber may be used to transfer the substrates between the two Be configured process modules.
Die Durchlaufanlage kann konfiguriert sein, ein stickstoffhaltiges erstes Prozessgas und ein siliziumhaltiges zweites Prozessgas in ein Prozessmodul mit einer Plasmaquelle über separate Gasverteiler zuzufiihren. Dies ermöglicht die Verwendung der Anlage zur Erzeugung von SiNx:H sowie, unter Verwendung eines weiteren, sauerstoffhaltigen Prozessgases, auch deren Suboxide oder Oxide, wie z.B. SiNxOy:H , a-SixOy:H (i, n, p) und dergleichen. Die Erzeugung von intrinsischem, p- oder n-dotierten a-Si:H (i, n, p) (amorphes, The continuous flow system may be configured to supply a nitrogen-containing first process gas and a silicon-containing second process gas into a process module having a plasma source via separate gas distributors. This allows the use of the system for generating SiN x : H and, using a further, oxygen-containing process gas, also their suboxides or oxides, such as SiN x O y : H, a-Si x O y : H (i, n , p) and the like. The generation of intrinsic, p- or n-doped a-Si: H (i, n, p) (amorphous,
wasserstoffdotiertes Silizium) bzw. nc-Si:H (i, n, p) oder pc-Si:H (i, n, p) (nano- bzw. hydrogen-doped silicon) or nc-Si: H (i, n, p) or pc-Si: H (i, n, p) (nano- or
mikrokristallines, wasserstoffdotiertes Silizium) ist bei Verwendung von Wasserstoff anstelle eines stickstoffhaltigen oder sauerstoffhaltigen Prozessgases möglich. Diese Dünnschichten können als Passivier-, Dotier-, Tunnel- und /oder Antireflexionsbeschichtungen auf microcrystalline, hydrogen-doped silicon) is possible when using hydrogen instead of a nitrogen-containing or oxygen-containing process gas. These thin films can be used as passivating, doping, tunneling and / or antireflection coatings
Halbleitersubstraten verwendet werden. Semiconductor substrates are used.
Die Durchlaufanlage kann eine Durchlaufanlage, insbesondere eine  The continuous flow system can be a continuous flow system, in particular a
Vakuumdurchlaufanlage, zur Herstellung von Solarzellen sein. Die Durchlaufanlage kann insbesondere eine Durchlaufanlage zur Herstellung von Zellen mit passivierten Rückseiten nach einer PERX-Technologie sein. PERX bezeichnet eine Familie von Zellen mit passiviertem Emitter und passivierter Rückseite, wobei X u. a. für C („PERC - Passivated Emitter and Rear Cell“), für T („PERT - Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffused Back Surface Field“), für L („PERL - Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field“) oder andere Variationen der PERC-Zellen stehen kann. Vacuum continuous flow system, for the production of solar cells. In particular, the continuous-flow plant can be a continuous-flow plant for the production of cells with passivated backs according to a PERX technology. PERX refers to a family of cells with passivated emitter and passivated back, where X u. a. for C ("PERC - Passivated Emitter and Rear Cell"), for T ("PERT - Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffused Back Surface Field"), for L ("PERL - Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field ") or other variations of the PERC cells may stand.
Alternativ oder zusätzlich kann die Durchlaufanlage zur Herstellung von Heterojunction- Solarzellen (HJT) oder Solarzellen mit passivierten Kontakten, wie z.B. POLO oder Alternatively or additionally, the continuous flow system can be used to produce heterojunction solar cells (HJT) or solar cells with passivated contacts, such as e.g. POLO or
TopCON-Zellen, verwendet werden. TopCON cells are used.
Die Durchlaufanlage kann konfiguriert sein, sowohl eine erste Seite (beispielsweise die Vorderseite) als auch eine zweite Seite (beispielsweise die Rückseite) der PERX-Solarzelle in einer Inline-Konfiguration zu beschichten. PERX-Solarzellen können so kostengünstig und effizient hergestellt werden.  The pass-through facility may be configured to coat both a first side (eg, the front) and a second side (eg, the back) of the PERX solar cell in an in-line configuration. PERX solar cells can be produced cost-effectively and efficiently.
Die Durchlaufanlage kann konfiguriert sein, ein sauerstoffhaltiges drittes Prozessgas und ein aluminiumhaltiges viertes Prozessgas in ein weiteres Prozessmodul mit einer weiteren Plasmaquelle zuzuführen. Dies ermöglicht die Verwendung der Anlage zur Erzeugung von Mehrschichtsystemen aus AlOx- und SiNx:H-Teilschichten zur Passivierung, wobei die verschiedenen Schichten in derselben Durchlaufanlage abgeschieden werden können. Die Durchlaufanlage ist nicht auf diese Mehrschichtsysteme beschränkt, es können beliebige Prozesse kombiniert werden. The continuous flow system can be configured to supply an oxygen-containing third process gas and an aluminum-containing fourth process gas into a further process module with a further plasma source. This allows the use of the system for the production of multi-layer systems of AlO x and SiN x : H partial layers for passivation, wherein the various layers can be deposited in the same continuous flow system. The continuous system is not limited to these multilayer systems, it can be any Processes are combined.
Die Durchlaufanlage kann eine Durchlaufanlage zum Aufbringen einer  The continuous system can be a continuous system for applying a
Antireflexionsbeschichtung und/oder Passivierungsschicht sein. Antireflection coating and / or passivation layer.
Die Vakuumschleuse kann derart konfiguriert sein, dass ein dynamischer  The vacuum lock may be configured to be more dynamic
Druckunterschied zwischen vorder- und rückseitigen Oberflächen der Substrate oder vorder- und rückseitigen Substratträgeroberflächen des Substratträgers maximal 10 Pa, bevorzugt maximal 5 Pa, besonders bevorzugt maximal 4 Pa beträgt, wenn bei einem Abpumpvorgang oder Flutvorgang der Kammer eine Druckänderungsrate 100 hPa/s, bevorzugt 300 hPa/s übersteigt. Pressure difference between the front and back surfaces of the substrates or front and back substrate support surfaces of the substrate support is 10 Pa maximum, preferably at most 5 Pa, more preferably at most 4 Pa, when a pumping or flooding process of the chamber, a pressure change rate 100 hPa / s, preferably 300 exceeds hPa / s.
Die Durchlaufanlage kann eine Durchlaufanlage zum Beschichten kristalliner  The continuous system can be a continuous system for coating crystalline
Siliziumwafer sein. Die kristallinen Siliziumwafer können monokristallin, multikristallin oder polykristallin sein. Die Durchlaufanlage ist jedoch nicht beschränkt auf Siliziumwafer.  Be silicon wafer. The crystalline silicon wafers may be monocrystalline, multicrystalline or polycrystalline. However, the continuous system is not limited to silicon wafers.
Die Durchlaufanlage kann zur Bearbeitung von wenigstens 4000 Substraten pro Stunde, bevorzugt von wenigstens 5000 Substraten pro Stunde konfiguriert sein.  The continuous flow system can be configured to process at least 4,000 substrates per hour, preferably at least 5,000 substrates per hour.
Eine Zykluszeit der Durchlaufanlage kann weniger als 60 s, bevorzugt weniger als 50 s, weiter bevorzugt weniger als 45 s betragen. Die Zykluszeit der Durchlaufanlage ist die Zeit, in der ein Prozess, z.B. das Ein-/ Ausschleusen eins Substratträgers an einer Vakuumschleuse, einmal durchlaufen ist und die Vakuumschleuse für den nächsten Prozess wieder zur  A cycle time of the continuous system can be less than 60 s, preferably less than 50 s, more preferably less than 45 s. The cycle time of the continuous system is the time in which a process, e.g. the insertion / removal of a substrate carrier on a vacuum lock, once passed through and the vacuum lock for the next process again
Verfügung steht. Available.
Die Zykluszeit ist somit kleiner als die Durchlaufzeit der Durchlaufanlage, bei der es sich um die benötigte Zeit für das Durchlaufen der kompletten Durchlaufanlage von der Bestückung der Beladeschleuse bis zum Entnehmen an der Entladeschleuse handelt.  The cycle time is thus smaller than the throughput time of the continuous flow system, which is the time required to pass through the complete continuous flow system from loading conveyor loading to unloading at the unloading lock.
Eine mittlere Transportgeschwindigkeit in der Durchlaufanlage und/oder im  An average transport speed in the continuous system and / or in the
Prozessmodul kann wenigstens 25 mm/s, bevorzugt wenigstens 30 mm/s, weiter bevorzugt wenigstens 33 mm/s betragen. Process module may be at least 25 mm / s, preferably at least 30 mm / s, more preferably at least 33 mm / s.
Eine mittlere Transportgeschwindigkeit in der Durchlaufanlage kann von einem  An average transport speed in the continuous system can be from a
Durchsatz der Durchlaufanlage abhängen. Ein Durchsatz von wenigstens 4000 Substraten pro Stunde kann mit einer mittleren Transportgeschwindigkeit von > 25 mm/s erfolgen. Depend on throughput of the continuous flow system. A throughput of at least 4000 substrates per hour can be achieved with an average transport speed of> 25 mm / s.
Bevorzugt wird eine mittleren Transportgeschwindigkeit von 33 bis 43 mm/s für einen Durchsatz von 5000 bis 6000 Substraten pro Stunde gewählt.  Preferably, an average transport speed of 33 to 43 mm / s is selected for a throughput of 5000 to 6000 substrates per hour.
Eine maximale Geschwindigkeit bei der Zugbildung und Zugauflösung in einem Überführungsmodul kann deutlich größer als die mittlere Transportgeschwindigkeit sein und ist bevorzugt <750 mm/s. Eine Arbeitszeit zum Abpumpen der Vakuumschleuse kann weniger als 25 s, bevorzugt weniger als 20 s, weiter bevorzugt weniger als 18 s betragen. Eine Arbeitszeit zum Fluten der Vakuumschleuse kann weniger als lös, bevorzugt weniger als 10 s, weiter bevorzugt weniger als 6 s betragen. A maximum speed in train formation and train resolution in a transfer module can be significantly greater than the average transport speed and is preferably <750 mm / s. A working time for pumping out the vacuum lock may be less than 25 s, preferably less than 20 s, more preferably less than 18 s. A working time for flooding the vacuum lock may be less than 10 seconds, preferably less than 10 seconds, more preferably less than 6 seconds.
Der Substratträger kann zur Aufnahme von wenigstens 30, bevorzugt von wenigstens The substrate carrier can accommodate at least 30, preferably at least
50, weiter bevorzugt von wenigstens 64 Substraten konfiguriert sein. 50, more preferably configured by at least 64 substrates.
Die Vakuumschleuse kann derart konfiguriert sein, dass eine Pumpzeit pro Substrat, die bestimmt wird als die Pumpzeit der Vakuumschleuse dividiert durch die gesamte Anzahl von Substraten im Substratträger, und/oder eine Flutzeit pro Substrat, die bestimmt wird als die Flutzeit der Vakuumschleuse dividiert durch die gesamte Anzahl von Substraten am  The vacuum lock may be configured such that one pumping time per substrate, which is determined as the pumping time of the vacuum lock divided by the total number of substrates in the substrate carrier, and / or one flood time per substrate, which is determined as the flood time of the vacuum lock divided by the total number of substrates at
Substratträger, kleiner als 600 ms, bevorzugt kleiner als 500 ms und weiter bevorzugt kleiner als 400 ms ist.  Substrate carrier, less than 600 ms, preferably less than 500 ms and more preferably less than 400 ms.
Wenigstens ein Prozessmodul kann eine Sputterkathode aufweisen.  At least one process module may include a sputtering cathode.
Nach einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zum Beschichten von Substraten in einer Durchlaufanlage, insbesondere in einer Vakuumdurchlaufanlage, die ein Prozessmodul oder mehrere Prozessmodule aufweist, angegeben. Das Verfahren weist ein Einschleusen der Substrate in die Durchlaufanlage unter Verwendung einer ersten Vakuumschleuse auf. Das Verfahren weist ein Behandeln der Substrate in dem Prozessmodul oder den Prozessmodulen auf. Das Verfahren weist ein Ausschleusen der Substrate aus der Durchlaufanlage unter Verwendung einer zweiten Vakuumschleuse auf. Wenigstens eine der ersten und zweiten According to a further aspect, a method for coating substrates in a continuous-flow system, in particular in a vacuum continuous-flow system, which has a process module or a plurality of process modules is specified. The method comprises introducing the substrates into the continuous system using a first vacuum lock. The method includes treating the substrates in the process module or modules. The method comprises discharging the substrates from the continuous system using a second vacuum lock. At least one of the first and second
Vakuumschleusen weist Folgendes auf: eine Kammer zur Aufnahme eines Substratträgers mit daran gehaltenen Substraten und eine Strömungskanalanordnung zum Evakuieren und Fluten der Kammer, wobei die Strömungskanalanordnung einen ersten Kanal zum Evakuieren und Fluten der Kammer und einen zweiten Kanal zum Evakuieren und Fluten der Kammer aufweist, wobei der erste Kanal und der zweite Kanal an entgegengesetzten Seiten der Kammer angeordnet sind. A vacuum lock comprises: a chamber for receiving a substrate support having substrates thereon and a flow channel arrangement for evacuating and flooding the chamber, the flow channel arrangement having a first channel for evacuating and flooding the chamber and a second channel for evacuating and flooding the chamber; the first channel and the second channel are disposed on opposite sides of the chamber.
Die erste Vakuumschleuse und die zweite Vakuumschleuse können jeweils derart konfiguriert sein, dass ein Druckunterschied zwischen vorder- und rückseitigen Oberflächen der Substrate oder Substratträgeroberflächen des Substratträgers maximal 10 Pa, bevorzugt maximal 5 Pa, besonders bevorzugt maximal 4 Pa beträgt, wenn bei einem Abpumpvorgang oder Flutvorgang der Kammer eine Druckänderungsrate 100 hPa/s, bevorzugt 300 hPa/s übersteigt.  The first vacuum lock and the second vacuum lock may each be configured such that a pressure difference between front and back surfaces of the substrates or substrate support surfaces of the substrate support is at most 10 Pa, preferably at most 5 Pa, more preferably at most 4 Pa when in a Abpumpvorgang or flooding the chamber exceeds a pressure change rate of 100 hPa / s, preferably 300 hPa / s.
Die Substrate können kristalline Siliziumwafer sein. Das Verfahren kann zur Herstellung von Solarzellen eingesetzt werden. Das Verfahren kann insbesondere zur Herstellung einer der folgenden Solarzellen eingesetzt werden: PERC („Passivated Emitter Rear Cell“)-Zelle; PERT („Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffused Back Surface Field“)-Zelle; PERL („Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field“)-Zelle; Heterojunction-Solarzelle; Solarzelle mit passivierten Kontakten. The substrates may be crystalline silicon wafers. The method can be used for the production of solar cells. The method can be used in particular for the production of one of the following solar cells: PERC (Passivated Emitter Rear Cell) cell; PERT ("Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffused Back Surface Field") cell; PERL ("Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field") - Cell; Heterojunction solar cell; Solar cell with passivated contacts.
Das Verfahren kann von der erfindungsgemäßen Durchlaufanlage ausgeführt werden. The process can be carried out by the continuous flow system according to the invention.
Weitere Merkmale des Verfahrens, die bei Ausführungsbeispielen realisiert werden können, und die damit jeweils erzielten Wirkungen entsprechen den unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Durchlaufanlage beschriebenen optionalen Merkmalen. Further features of the method, which can be realized in embodiments, and the effects thus achieved correspond to the optional features described with reference to the continuous flow system according to the invention.
Die Durchlaufanlage und das Verfahren können zur Durchführung einer  The continuous flow system and the method can be used to carry out a
plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) eingesetzt werden, ohne darauf beschränkt zu sein. Die PECVD kann mit einer induktiv gekoppelten Plasmaquelle (ICP) durchgeführt werden, ohne hierauf beschränkt zu sein. plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), but are not limited thereto. The PECVD may be performed with an inductively coupled plasma (ICP) source, but is not limited thereto.
Die Durchlaufanlage und das Verfahren können eingesetzt werden, um Substrate kontinuierlich während des Transports durch mehrere Prozessmodule der Durchlaufanlage zu behandeln.  The continuous flow system and method can be used to treat substrates continuously during transport through several process modules of the continuous flow plant.
Die Durchlaufanlage und das Verfahren können zur Herstellung von PERX- Siliziumzellen, zur Aufbringung einer Antireflexionsbeschichtung,  The continuous flow system and the method can be used for the production of PERX silicon cells, for the application of an antireflection coating,
Passivierungsbeschichtung oder zur Durchführung einer physikalischen  Passivation coating or to perform a physical
Gasphasenabscheidung (PVD), zur Aufbringung transparenter, leitfähiger Beschichtungen wie TCO, ITO, AZO, etc., zur Aufbringung von Kontaktierungsschichten, zur Aufbringung vollflächiger Metallbeschichtungen (beispielsweise Ag, Al, Cu, NiV) oder zur Aufbringung von Barriereschichten verwendet werden, ohne hierauf beschränkt zu sein. Vapor Deposition (PVD), to apply transparent conductive coatings such as TCO, ITO, AZO, etc., to apply contact layers, to apply full surface metal coatings (eg, Ag, Al, Cu, NiV), or to apply barrier layers without resorting thereto to be limited.
Die erfindungs gemäßen Durchlaufanlagen und Verfahren ermöglichen kurze Ein- oder Ausschleuszeiten für Substratträger mit Substraten. Schichten oder Schichtsysteme mit hoher Qualität können auf den Substraten abgeschieden werden, wobei gleichzeitig die Produktivität der Durchlaufanlage erhöht werden kann. Die Kosten für die Beschichtung pro Substrat können gering gehalten werden.  The fiction, contemporary flow systems and methods allow short input or Ausschleuszeiten substrate substrate with substrates. High quality layers or layer systems can be deposited on the substrates, while at the same time increasing the productivity of the continuous flow system. The cost of the coating per substrate can be kept low.
KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren ausführlich beschrieben, in denen identische Bezugszeichen identische oder ähnliche Elemente bezeichnen. Embodiments of the invention will now be described in detail with reference to the figures in which identical reference numerals are identical or similar Designate elements.
Figur 1 A ist eine schematische Darstellung einer Durchlaufanlage nach einem  Figure 1 A is a schematic representation of a continuous system after a
Ausführungsbeispiel in einer Aufsicht. Embodiment in a plan view.
Figur 1B ist eine schematische Darstellung einer Durchlaufanlage nach einem  FIG. 1B is a schematic representation of a continuous flow system according to FIG
Ausführungsbeispiel in einer Seitenansicht. Embodiment in a side view.
Figur 1C ist eine schematische Darstellung einer Durchlaufanlage nach einem  FIG. 1C is a schematic representation of a continuous flow system according to FIG
Ausführungsbeispiel in einer Seitenansicht. Embodiment in a side view.
Figur 2 ist eine schematische Darstellung einer Durchlaufanlage nach einem  Figure 2 is a schematic representation of a continuous system after a
Ausführungsbeispiel. Embodiment.
Figur 3 ist eine schematische Darstellung einer Durchlaufanlage nach einem  Figure 3 is a schematic representation of a continuous flow system according to a
Ausführungsbeispiel.  Embodiment.
Figur 4 ist eine schematische Darstellung einer Durchlaufanlage nach einem  Figure 4 is a schematic representation of a continuous system according to a
Ausführungsbeispiel. Embodiment.
Figur 5 ist eine schematische Darstellung einer Durchlaufanlage nach einem  Figure 5 is a schematic representation of a continuous system according to one
Ausführungsbeispiel. Embodiment.
Figur 6 ist eine schematische Darstellung einer Durchlaufanlage nach einem  Figure 6 is a schematic representation of a continuous flow system according to a
Ausführungsbeispiel . Embodiment.
Figur 7 zeigt eine teilweise Perspektivansicht einer Vakuumschleuse einer  Figure 7 shows a partial perspective view of a vacuum lock of a
Durchlaufanlage nach einem Ausführungsbeispiel. Continuous installation according to one embodiment.
Figur 8 zeigt eine teilweise Schnittansicht der Vakuumschleuse von Figur 7.  FIG. 8 shows a partial sectional view of the vacuum lock of FIG. 7.
Figur 9 zeigt eine Schnittansicht der Vakuumschleuse von Figur 7.  FIG. 9 shows a sectional view of the vacuum lock of FIG. 7.
Figur 10 zeigt eine teilweise abgebrochene Perspektivansicht der Vakuumschleuse von Figur 7.  FIG. 10 shows a partially broken perspective view of the vacuum lock of FIG. 7.
Figur 11 zeigt ein Schema der Vakuumschleuse einer Durchlaufanlage nach einem Ausführungsbeispiel.  FIG. 11 shows a schematic of the vacuum lock of a continuous-flow installation according to an exemplary embodiment.
Figur 12 zeigt ein Strömungsfeld an einer ersten Substratträgeroberfläche beim Evakuieren einer Kammer der Vakuumschleuse einer Durchlaufanlage nach einem  FIG. 12 shows a flow field on a first substrate carrier surface when evacuating a chamber of the vacuum lock of a continuous flow system after one
Ausführungsbeispiel. Embodiment.
Figur 13 zeigt ein Strömungsfeld an einer zweiten Substratträgeroberfläche beim Evakuieren einer Kammer der Vakuumschleuse einer Durchlaufanlage nach einem  FIG. 13 shows a flow field on a second substrate carrier surface when evacuating a chamber of the vacuum lock of a continuous flow system after one
Ausführungsbei spiel . Ausführungsbei game.
Figur 14 zeigt eine dynamische Abscheiderate einer SiNx:H-Schicht auf einem monokristallinen Siliziumwafer als Funktion des Gesamtgasflusses von SiH4 und NH3. Figur 15 zeigt eine mittlere Abscheiderate einer SiNx:H-Schicht auf einem monokristallinen Siliziumwafer als Funktion des Drucks für unterschiedliche Gasflussraten. FIG. 14 shows a dynamic deposition rate of a SiN x : H layer on a monocrystalline silicon wafer as a function of the total gas flow of SiH 4 and NH 3 . Figure 15 shows an average deposition rate of a SiN x : H layer on a monocrystalline silicon wafer as a function of pressure for different gas flow rates.
Figur 16 zeigt ein Absorptionsspektrum einer SiNx:H-Schicht. Figure 16 shows an absorption spectrum of a SiN x : H layer.
Figur 17 zeigt Reflexionsspektren einer einzelnen SiNx:H-Antireflexionsschicht und einer SiN/SiNO-Doppelschicht. Figure 17 shows reflection spectra of a single SiN x : H antireflection layer and a SiN / SiNO double layer.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSBEISPIELEN DETAILED DESCRIPTION OF EMBODIMENTS
Während bevorzugte oder vorteilhafte Ausfiihrungsbeispiele unter Bezugnahme auf die Figuren beschrieben werden, können bei weiteren Ausführungsbeispielen zusätzliche oder alternative Ausgestaltungen realisiert werden. Während beispielsweise in den Figuren ein Substratträger für im Wesentlichen rechteckige Substrate dargestellt ist, können  While preferred or advantageous embodiments are described with reference to the figures, additional or alternative embodiments can be realized in further embodiments. While, for example, in the figures, a substrate support for substantially rectangular substrates is shown, can
erfindungsgemäße Durchlaufanlagen und Verfahren auch für nicht rechteckige Substrate, beispielsweise kreisförmige Substrate, eingesetzt werden. Während bei in einigen Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen eine Kammer einer Vakuumschleuse über an entgegengesetzten Stirnseiten vorgesehene Kanäle evakuiert und geflutet wird, können bei weiteren Ausführungsbeispielen die Kanäle auch an den Längsseiten der Kammer der Vakuumschleuse angeordnet sein. Inventive flow systems and methods for non-rectangular substrates, such as circular substrates are used. While in embodiments illustrated in some embodiments, a chamber of a vacuum lock evacuated and provided on opposite end faces of channels is flooded, in other embodiments, the channels can also be arranged on the longitudinal sides of the chamber of the vacuum lock.
Figur 1 A zeigt eine schematische Darstellung einer Durchlaufanlage 100 zum  Figure 1 A shows a schematic representation of a continuous system 100 for
Behandeln von Substraten, insbesondere zum Beschichten von Substraten 103 in einer Aufsicht. Figuren 1B und 1C zeigen schematische Seitenansichten von Treating substrates, in particular for coating substrates 103 in a plan view. Figures 1B and 1C show schematic side views of
Ausführungsbeispielen der Durchlaufanlage 100. Embodiments of the continuous system 100.
Die Durchlaufanlage 100 weist einen Substratträger 102 (der auch als„Carrier“ bezeichnet wird) auf, der mehrere Substrate 103 aufnehmen kann. Der Substratträger 102 kann beispielsweise zur Aufnahme von wenigstens 40, bevorzugt wenigstens 50, bevorzugt wenigstens 64 Substraten konfiguriert sein.  The continuous-flow system 100 has a substrate carrier 102 (which is also referred to as a "carrier"), which can accommodate a plurality of substrates 103. The substrate carrier 102 may, for example, be configured to accommodate at least 40, preferably at least 50, preferably at least 64 substrates.
Die Durchlaufanlage 100 weist eine erste Vakuumschleuse 110 zum Einschleusen des Substratträgers 102 mit den Substraten 103 auf. Die Durchlaufanlage 100 weist ein erstes Überführungsmodul 120 auf. Das erste Überführungsmodul 120 ist konfiguriert, den  The continuous-flow system 100 has a first vacuum lock 110 for introducing the substrate carrier 102 with the substrates 103. The continuous-flow system 100 has a first transfer module 120. The first transfer module 120 is configured to
Substratträger von der diskontinuierlich arbeitenden ersten Vakuumschleuse 110 in einen kontinuierlich transportierten Zug von Substratträgem an einer Transporteinrichtung der Durchlaufanlage 100 zu überführen. Das erste Überführungsmodul 120 kann Komponenten zum Beschleunigen des Substratträgers aufweisen, um ihn in den kontinuierlich Substrate carrier from the discontinuously operating first vacuum lock 110 in a continuously transported train of Substratträgem on a transport device of the conveyor system 100 to transfer. The first transfer module 120 may include components for accelerating the substrate support to be continuous in the substrate
transportierten Zug von Substratträgem zu überführen. Das erste Überführungsmodul 120 kann so konfiguriert sein, dass der Substratträger 102 kurzzeitig darin verweilen kann. transported train of substrate carriers to convict. The first transfer module 120 may be configured so that the substrate carrier 102 can stay in it for a short time.
Die Durchlaufanlage 100 weist ein Prozessmodul 130 auf. Das Prozessmodul 130 kann konfiguriert sein, die Substrate 103 während eines kontinuierlichen Transports durch das Prozessmodul 130 zu beschichten. Das Prozessmodul 130 kann zur Durchführung einer plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) konfiguriert sein. Das Prozessmodul 130 kann zur Aufbringung einer Antireflexionsbeschichtung oder einer Passivierungsschicht konfiguriert sein. Das Prozessmodul 130 kann zur Durchführung einer physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), zur Aufbringung transparenter, leitfähiger Beschichtungen wie TCO, ITO, AZO, etc., zur Aufbringung von Kontaktierungsschichten, zur Aufbringung vollflächiger Metallbeschichtungen (beispielsweise Ag, Al, Cu, NiV) oder zur Aufbringung von Barriereschichten konfiguriert sein, ohne hierauf beschränkt zu sein.  The continuous-flow system 100 has a process module 130. The process module 130 may be configured to coat the substrates 103 during continuous transport through the process module 130. The process module 130 may be configured to perform plasma assisted chemical vapor deposition (PECVD). The process module 130 may be configured to apply an anti-reflection coating or a passivation layer. The process module 130 can be used to perform a physical vapor deposition (PVD), to apply transparent, conductive coatings such as TCO, ITO, AZO, etc., to apply contact layers, to apply full-surface metal coatings (for example Ag, Al, Cu, NiV) or The application of barrier layers may be configured without being limited thereto.
Das Prozessmodul 130 kann mindestens eine Plasmaquelle 133 und Gasverteiler 137 für unterschiedliche Prozessgase aufweisen. Die Gasverteiler 137 können integral mit der Plasmaquelle 133 ausgestaltet sein. Die Plasmaquelle 133 kann eine induktiv gekoppelte Plasmaquelle (ICP) oder eine kapazitiv gekoppelte Plasmaquelle zur Erzeugung eines nur schematisch dargestellten Plasmas 139 sein. Die Plasmaquelle kann eine Sputterkathode aufweisen. Die Plasmaquelle 133 kann einen Wechselfrequenzgenerator aufweisen oder mit einem Wechselffequenzgenerator gekoppelt sein.  The process module 130 may include at least one plasma source 133 and gas manifold 137 for different process gases. The gas distributors 137 may be configured integrally with the plasma source 133. The plasma source 133 may be an inductively coupled plasma (ICP) source or a capacitively coupled plasma source to produce a plasma 139, shown only schematically. The plasma source may have a sputtering cathode. The plasma source 133 may include an alternating frequency generator or may be coupled to an alternating frequency generator.
Das Prozessmodul 130 kann eine Heizeinrichtung 131, 138 aufweisen, um die Substrate im Prozessmodul 130 von wenigstens einer Seite zu heizen.  The process module 130 may include a heater 131, 138 to heat the substrates in the process module 130 from at least one side.
Das Prozessmodul 130 kann (in Figur 1 nicht dargestellte) Absaugöffnungen zum Absaugen von Reaktionsgasen aufweisen, wobei die Absaugöffnungen in einer  The process module 130 can (not shown in Figure 1) suction openings for the extraction of reaction gases, wherein the suction openings in a
Transportrichtung 101 vor und nach der Plasmaquelle 133 angeordnet sind. Transport direction 101 are arranged before and after the plasma source 133.
Die Plasmaquelle 133 und die Gasverteiler 137 für unterschiedliche Prozessgase können als ein Bauteil ausgebildet sein, das modular austauschbar ist. Die Plasmaquelle 133 und die Gasverteiler 137 können als ein Bauteil von dem Prozessmodul 130 demontiert und durch ein weiteres, baugleiches Bauteil ersetzt werden, während die ursprünglich montierte  The plasma source 133 and the gas manifolds 137 for different process gases may be formed as a component that is modularly replaceable. The plasma source 133 and the gas distributor 137 can be disassembled as one component from the process module 130 and replaced by another, identical component, while the originally mounted
Plasmaquelle 133 und Gasverteiler 137 gewartet werden. Plasma source 133 and gas distributor 137 are serviced.
Die Gasverteiler 137 können jeweils quer zur Transportrichtung 101 angeordnet sein. Die Gasverteiler 137 können jeweils ein Rohr mit mindestens einer Auslassöffnung oder mit mehreren Öffnungen zur Erzeugung einer definierten Gasverteilung aufweisen.  The gas distributor 137 may each be arranged transversely to the transport direction 101. The gas distributors 137 may each have a tube with at least one outlet opening or with a plurality of openings for generating a defined gas distribution.
Durch die Verwendung der Plasmaquelle 133, die sich insbesondere geradlinig quer zur Transportrichtung 101 erstrecken kann, und eine Zufuhr der Prozessgase über getrennte Gasverteiler 137 in Verbindung mit einer Absaugung der Prozessgase vor und nach der Plasmaquelle 133 kann eine gute Schichtqualität erreicht werden. Die Anordnung der Gasverteiler 137 und Absaugung verbessert die Transferrate auf dem Substrat und/oder reduziert die ungewollte Beschichtung der Komponenten im Prozessbereich. Durch die Verringerung der ungewollten Beschichtung wird die Anlagenverschmutzung reduziert. Die geringere Verschmutzung ermöglicht eine längere Produktionsphase, bevor eine Wartung zur Reinigung, insbesondere der Prozessbereiche, erforderlich ist. Die Plasmaquelle 133 und die Gasverteiler 137 und Gasführungsvorrichtung können für Wartungszwecke komplett entnommen werden und durch eine zweite Plasmaquelle und integral damit ausgebildete Gasverteiler ersetzt werden. Durch die Ausgestaltung der Plasmaquelle 133 und den By the use of the plasma source 133, which in particular can extend in a straight line transversely to the transport direction 101, and a supply of the process gases via separate Gas distributor 137 in conjunction with an extraction of the process gases before and after the plasma source 133, a good layer quality can be achieved. The arrangement of the gas manifold 137 and suction improves the transfer rate on the substrate and / or reduces the unwanted coating of the components in the process area. Reducing the unwanted coating reduces equipment contamination. The less pollution allows for a longer production phase before maintenance is required for cleaning, especially the process areas. The plasma source 133 and the gas distributor 137 and gas supply device can be completely removed for maintenance purposes and replaced by a second plasma source and integrally formed gas distributor. Due to the design of the plasma source 133 and the
Austausch kann die für die Wartung benötigte Zeit verkürzt werden. Die Reinigung der verschmutzten Plasmaquelle 133 kann parallel zum Nutzbetrieb der Durchlaufanlage 130 erfolgen, so dass eine überarbeitete Plasmaquelle bei der nächsten Wartung zur Verfügung steht. Replacement can be shortened the time required for the maintenance. The cleaning of the contaminated plasma source 133 can be carried out in parallel to the useful operation of the continuous system 130, so that a revised plasma source is available at the next maintenance.
Auch wenn in Figur 1 nur ein Prozessmodul 130 dargestellt ist, kann die  Although only one process module 130 is shown in FIG
Durchlaufanlage 100 mehrere entlang der Transportrichtung 101 hintereinander angeordnete Prozessmodule aufweisen. Die mehreren Prozessmodule können zur Abscheidung unterschiedlicher Schichten oder Schichtsysteme und/oder zur Beschichtung von ersten und zweiten Seiten der Substrate verwendet werden.  Continuous flow system 100 more along the transport direction 101 arranged one behind the other process modules. The plurality of process modules may be used to deposit different layers or layer systems and / or to coat first and second sides of the substrates.
Die Durchlaufanlage 100 weist ein zweites Überführungsmodul 140 auf. Das zweite The continuous-flow system 100 has a second transfer module 140. The second
Überführungsmodul 140 ist konfiguriert, den Substratträger 102 von dem kontinuierlich transportierten Zug von Substratträgem in eine diskontinuierlich arbeitende zweite Transfer module 140 is configured to transfer substrate carrier 102 from the continuously transported train of substrate carriers to a discontinuously operating second carrier
Vakuumschleuse 150 zu überführen. Das zweite Überführungsmodul 140 kann Komponenten zum Beschleunigen und Stoppen des Substratträgers 102 aufweisen, um ihn von dem kontinuierlich transportierten Zug von Substratträgem zu separieren und in die zweite Vakuumschleuse 150 einzufahren. To transfer vacuum lock 150. The second transfer module 140 may include components for accelerating and stopping the substrate carrier 102 to separate it from the continuously transported train of substrate carriers and retract it into the second vacuum lock 150.
Die Durchlaufanlage 100 kann die zweite Vakuumschleuse 150 zum Ausschleusen des Substratträgers 102 mit den Substraten 103 aufweisen.  The continuous-flow system 100 may have the second vacuum lock 150 for discharging the substrate carrier 102 with the substrates 103.
Die Durchlaufanlage 100 kann eine Rückführeinrichtung 190 zum Zurückführen des Substratträgers 102 nach Entnahme der Substrate 103 für eine erneute Verwendung des Substratträgers 102 aufweisen.  The pass-through system 100 may have a return device 190 for returning the substrate carrier 102 after removal of the substrates 103 for reuse of the substrate carrier 102.
Die erste Vakuumschleuse 110 und/oder die zweite Vakuumschleuse 150 können so konfiguriert sein, dass eine Zykluszeit für einen vollständigen Arbeitszyklus jeweils weniger als 60 s, bevorzugt weniger als 50 s, besonders bevorzugt weniger als 45 s beträgt. Eine Arbeitszeit zum Evakuieren der Vakuumschleuse und/oder eine Arbeitszeit zum Fluten der Vakuumschleuse kann kleiner als 25 s, bevorzugt kleiner als 20 s, weiter bevorzugt kleiner als 18 s sein. Bei einer Ausgestaltung kann die Arbeitszeit zum Abpumpen der Vakuumschleuse größer sein als eine Arbeitszeit zum Fluten der Vakuumschleusen. Eine Arbeitszeit zum Abpumpen der Vakuumschleuse kann weniger als 25 s, bevorzugt weniger als 20 s, weiter bevorzugt weniger als 18 s betragen. Eine Arbeitszeit zum Fluten der Vakuumschleuse kann weniger als lös, bevorzugt weniger als 10 s, weiter bevorzugt weniger als 6 s betragen. The first vacuum lock 110 and / or the second vacuum lock 150 may be configured such that a cycle time for a complete work cycle is less than 60 s, preferably less than 50 s, more preferably less than 45 s. A working time for evacuating the vacuum lock and / or a working time for flooding the vacuum lock may be less than 25 s, preferably less than 20 s, more preferably less than 18 s. In one embodiment, the working time for pumping out the vacuum lock can be greater than a working time for flooding the vacuum locks. A working time for pumping out the vacuum lock may be less than 25 s, preferably less than 20 s, more preferably less than 18 s. A working time for flooding the vacuum lock may be less than 10 seconds, preferably less than 10 seconds, more preferably less than 6 seconds.
Um eine unbeabsichtigte Verschiebung von Substraten 103 auf der Position innerhalb des Substratträgers 102 trotz der kurzen Zykluszeit der Vakuumschleuse zu vermeiden, kann die erste Vakuumschleuse 110 und/oder die zweite Vakuumschleuse 150 so konfiguriert sein, dass ein Druckunterschied zwischen den vorder- und rückseitigen Oberflächen der Substrate oder Substratträgeroberflächen des Substratträgers maximal 10 Pa, bevorzugt maximal 5 Pa, besonders bevorzugt maximal 4 Pa beträgt, wenn bei einem Abpumpvorgang oder  In order to prevent inadvertent displacement of substrates 103 at the position within the substrate support 102 despite the short cycle time of the vacuum lock, the first vacuum lock 110 and / or the second vacuum lock 150 may be configured so that a pressure difference between the front and rear surfaces of the Substrates or substrate carrier surfaces of the substrate carrier is not more than 10 Pa, preferably not more than 5 Pa, more preferably not more than 4 Pa, if during a pumpdown or
Flutvorgang der Kammer eine Druckänderungsrate 100 hPa/s, bevorzugt 300 hPa/s übersteigt. Flooding the chamber exceeds a pressure change rate 100 hPa / s, preferably 300 hPa / s.
Die erste Vakuumschleuse 110 und/oder die zweite Vakuumschleuse 150 können mehrere voneinander beabstandete Kanäle zum Fluten und Evakuieren einer Kammer der entsprechenden Vakuumschleuse 110, 150 aufweisen, um die zum Fluten und Evakuieren benötigte Zeit klein zu halten.  The first vacuum lock 110 and / or the second vacuum lock 150 may include a plurality of spaced apart channels for flooding and evacuating a chamber of the corresponding vacuum lock 110, 150 to minimize the time required for flooding and evacuation.
Figur 2 und Figur 3 zeigen jeweils schematische Darstellungen in Aufsicht der  FIG. 2 and FIG. 3 each show schematic representations in top view of FIG
Durchlaufanlage 100, wobei ein erster Kanal 111 und ein zweiter Kanal 1 12 zum Fluten und Evakuieren der Kammer der ersten Vakuumschleuse 110 vorgesehen sind. Der erste Kanal 111 und der zweite Kanal 1 12 können, wie in Figur 2 dargestellt, an entgegensetzten  Continuous flow system 100, wherein a first channel 111 and a second channel 1 12 are provided for flooding and evacuating the chamber of the first vacuum lock 110. The first channel 111 and the second channel 1 12 can, as shown in Figure 2, to oppose
Stirnseiten der ersten Vakuumschleuse 1 10 quer zur Transportrichtung 101 der End faces of the first vacuum lock 1 10 transverse to the transport direction 101 of
Durchlaufanlage 100 angeordnet sein. Der erste Kanal 111 und der zweite Kanal 112 können, wie in Figur 3 dargestellt, an entgegensetzten Längsseiten der ersten Vakuumschleuse 1 10 parallel zur Transportrichtung 101 der Durchlaufanlage 100 angeordnet sein. Continuous flow system 100 may be arranged. As is shown in FIG. 3, the first channel 111 and the second channel 112 can be arranged on opposite longitudinal sides of the first vacuum lock 1 10 parallel to the transport direction 101 of the continuous flow system 100.
Auch wenn die Kanäle 111, 1 12 für die erste Vakuumschleuse 110 dargestellt sind, kann die zweite Vakuumschleuse 150 alternativ oder zusätzlich eine entsprechende  Although the channels 111, 112 for the first vacuum lock 110 are shown, the second vacuum lock 150 may alternatively or additionally a corresponding
Anordnung von mehreren Kanälen zum Fluten und Evakuieren der Kammer der zweiten Vakuumschleuse 150 aufweisen. Arrangement of multiple channels for flooding and evacuating the chamber of the second vacuum lock 150 have.
Der Durchlaufanlage 100 kann konfiguriert sein, den Substratträger 102 mit den  The continuous system 100 may be configured to attach the substrate carrier 102 to the
Substraten 103 in einer horizontalen Ausrichtung durch die Durchlaufanlage zu transportieren. Heizeinrichtungen können in einem oder mehreren von dem ersten Substrates 103 in a horizontal orientation through the continuous system to transport. Heaters may be in one or more of the first
Überführungsmodul 120 und dem Prozessmodul 130 vorgesehen sein. Die Heizeinrichtungen können konfiguriert sein, die Substrate 103 sowohl von ihrer Oberseite als auch von ihrer Unterseite aus zu heizen. Das Überführungsmodul 120 und das Prozessmodul 130 kömien jeweils eine oberhalb der Transportebene des Substratträgers 102 angeordnete erste Transfer module 120 and the process module 130 may be provided. The heaters may be configured to heat the substrates 103 from both their top and bottom surfaces. The transfer module 120 and the process module 130 each have a first layer arranged above the transport plane of the substrate carrier 102
Heizeinrichtung und eine unterhalb der Transportebene des Substratträgers 102 angeordnete zweite Heizeinrichtung aufweisen. Heating means and arranged below the transport plane of the substrate carrier 102 second heating means.
Der Durchsatz der Durchlaufanlage wird durch die Anzahl der Plasmaquellen und die Breite der Plasmaquellen bestimmt. Die Anzahl der benötigten Plasmaquellen kann durch eine hohe Beschichtungsrate und eine hohe Transferrate klein gehalten werden. Das Einund/oder Ausschleusen der Substrate wird mit der Ausgestaltung der Vakuumschleusen 1 10 und/oder 150 mit kurzer Zykluszeit erreicht, die unter Bezugnahme auf Figur 7 bis Figur 13 näher beschrieben wird. Die Kombination aus Plasmaquelle mit hoher Transferrate und schnellem Ein-/ Ausschleusen ermöglicht einen hohen Durchsatz.  The throughput of the continuous system is determined by the number of plasma sources and the width of the plasma sources. The number of required plasma sources can be kept small by a high coating rate and a high transfer rate. The introduction and / or removal of the substrates is achieved with the design of the vacuum locks 1 10 and / or 150 with a short cycle time, which is described in more detail with reference to Figure 7 to Figure 13. The combination of a high transfer rate plasma source and fast on / off transfer enables high throughput.
Figur 4 ist eine schematische Seitenansicht einer Durchlaufanlage 100 nach einem Ausführungsbeispiel, die zur Aufbringung einer Passivierungs-/ Antireflexionsbeschichtung konfiguriert ist. Die Durchlaufanlage weist eine erste Vakuumschleuse 110, ein erstes  Figure 4 is a schematic side view of a continuous flow system 100 according to an embodiment configured to apply a passivation / anti-reflection coating. The continuous system has a first vacuum lock 110, a first
Überführungsmodul 120, ein Prozessmodul 130, ein zweites Überführungsmodul 140 und eine zweite Vakuumschleuse 150 auf, die die unter Bezugnahme auf Figur 1 bis Figur 3 beschriebenen Ausgestaltung und Funktionsweise aufweisen können. Transfer module 120, a process module 130, a second transfer module 140 and a second vacuum lock 150, which may have the configuration and operation described with reference to Figure 1 to Figure 3.
Das erste Überführungsmodul 120 und das Prozessmodul 130 weisen jeweils  The first transfer module 120 and the process module 130 respectively
Heizeinrichtungen 121, 122, 131, 132 auf. Die Heizeinrichtungen 121, 122 des Heating devices 121, 122, 131, 132 on. The heaters 121, 122 of the
Überführungsmoduls 120 können konfiguriert sein, die Substrate 103 im Überführungsmodul 120 von wenigstens einer und vorteilhaft von beiden Seiten zu heizen. Die Heizeinrichtungen 131 , 132 des Prozessmoduls 130 können konfiguriert sein, die Substrate 103 im Prozessmodul 130 von wenigstens einer und vorteilhaft von beiden Seiten zu heizen. Das zweite Transfer modules 120 may be configured to heat the substrates 103 in the transfer module 120 from at least one and, advantageously, both sides. The heaters 131, 132 of the process module 130 may be configured to heat the substrates 103 in the process module 130 from at least one and, advantageously, both sides. The second
Überführungsmodul 140 kann optional (nicht dargestellte) Einrichtungen zum Kühlen der Substrate aufweisen. Transfer module 140 may optionally include means (not shown) for cooling the substrates.
Substrate 103 können von einer optionalen automatischen Ladevorrichtung 108 in den Substratträger 102 eingesetzt werden. Alternativ oder zusätzlich können beschichtete  Substrates 103 may be inserted into the substrate carrier 102 by an optional automatic loader 108. Alternatively or additionally, coated
Substrate von einer optionalen automatischen Entladevorrichtung 109 aus dem Substratträger 102 entnommen werden. Substrates are removed from the substrate carrier 102 by an optional automatic unloader 109.
Das Prozessmodul 130 weist Plasmaquellen 133, 134 mit Gasverteilem für unterschiedliche Prozessgase auf. Über die getrennten Gasverteiler der Plasmaquellen 133, 134 können jeweils beispielsweise ein stickstoffhaltiges erstes Prozessgas (z.B. NH3) über einen Gaseinlass in den Bereich der Plasmazone eingelassen und von der Plasmaquelle dort aktiviert werden. Getrennt von dem ersten Prozessgas kann ein siliziumhaltiges Prozessgas (z.B. SiH4) in der Nähe zur Substratoberfläche und Transporteinrichtung und fern von derThe process module 130 has plasma sources 133, 134 with gas distributors for different process gases. By way of example, a nitrogen-containing first process gas (for example NH 3 ) can be introduced into the region of the plasma zone via a gas inlet via the separate gas distributor of the plasma sources 133, 134 and activated there by the plasma source. Separated from the first process gas, a silicon-containing process gas (eg SiH 4 ) can be located close to the substrate surface and transport device and away from the
Plasmaerzeugung eingelassen werden. Die Absaugung der Gase kann zwischen der Plasma generation are taken. The suction of the gases can be between the
Transporteinrichtung und dem zweitem Gaseinlass, beispielsweise an Ansaugstutzen 135, erfolgen. Zur Abscheidung einer Siliziumnitridschicht mit einer Schichtdicke von wenigstens 50 nm kann mindestens eine induktiv gekoppelte Plasmaquelle (ICP-Quelle) im Transport device and the second gas inlet, for example, to intake manifold 135 done. For depositing a silicon nitride layer with a layer thickness of at least 50 nm, at least one inductively coupled plasma source (ICP source) in the
Prozessmodul 130 vorhanden sein. Process module 130 may be present.
Optional kann das Prozessmodul 130 einen Zwischenbereich 136 zwischen den mehreren Plasmaquellen 133, 134 aufweisen, in dem kein Plasma erzeugt wird, sondern das Substrat 103 mit Heizeinrichtungen von beiden Seiten geheizt werden kann. Bei weiteren Ausgestaltungen kann der Zwischenbereich 136 auch weggelassen werden.  Optionally, the process module 130 may include an intermediate region 136 between the plurality of plasma sources 133, 134, in which no plasma is generated, but the substrate 103 may be heated with heaters from both sides. In further embodiments, the intermediate region 136 may also be omitted.
Der Zwischenbereich 136 kann optional einen oder mehrere Ansaugstutzen aufweisen. The intermediate region 136 may optionally include one or more intake ports.
Die Ansaugstutzen 135,136 können mit einer (nicht dargestellten) The intake manifolds 135, 136 may be provided with a (not shown)
Vakuumerzeugungsvorrichtung zur Erzeugung des gewünschten Prozessdruckes verbunden sein.  Vacuum generating device to generate the desired process pressure to be connected.
Allgemein kann im Prozessbereich ein Reaktivgas über einen Gaseinlass in den Bereich der Plasmazone eingelassen und dort aktiviert werden. Getrennt von diesem kann der In general, a reactive gas can be admitted into the region of the plasma zone via a gas inlet and activated there in the process area. Separated from this one can
Schichtbildner/Precursor als Gas getrennt vom ersten Gas in der Nähe zur Substratoberfläche und Transporteinrichtung und entfernt von der Plasmaerzeugung eingelassen werden. Laminator / precursor be separated as gas separated from the first gas in the vicinity of the substrate surface and transport device and away from the plasma generation.
Mehrere Prozessmodule können kombiniert werden, um die Substrate mit komplexeren Schichtsystemen und/oder sowohl an der ersten als auch an der zweiten Seite zu beschichten, wie unter Bezugnahme auf Figur 5 und Figur 6 näher beschrieben wird.  Multiple process modules may be combined to coat the substrates with more complex layer systems and / or both on the first and second sides, as further described with reference to FIG. 5 and FIG.
Figur 5 ist eine schematische Seitenansicht einer Durchlaufanlage 100 nach einem Ausführungsbeispiel, die zur Aufbringung einer Passivierungsschicht und einer  Figure 5 is a schematic side view of a continuous flow system 100 according to an embodiment, for applying a passivation layer and a
Antireflexionsbeschichtung an einer zweiten Seite (beispielsweise einer Rückseite) eines Siliziumwafers konfiguriert ist. Die Durchlaufanlage weist eine erste Vakuumschleuse 110, ein erstes Überführungsmodul 120, ein erstes Prozessmodul l30a, ein zweites Prozessmodul l30b, ein zweites Überführungsmodul 140 und eine zweite Vakuumschleuse 150 auf, die die unter Bezugnahme auf Figur 1 bis Figur 4 beschriebenen Ausgestaltung und Funktionsweise aufweisen können. Substrate 103 können von einer optionalen automatischen Ladevorrichtung 108 in den Substratträger 102 eingesetzt werden. Alternativ oder zusätzlich können beschichtete Antireflection coating on a second side (for example, a back side) of a silicon wafer is configured. The continuous-flow system has a first vacuum lock 110, a first transfer module 120, a first process module 130a, a second process module 130b, a second transfer module 140 and a second vacuum lock 150, which may have the configuration and functionality described with reference to FIGS. 1 to 4 , Substrates 103 may be inserted into the substrate carrier 102 by an optional automatic loader 108. Alternatively or additionally, coated
Substrate von einer optionalen automatischen Entladevorrichtung 109 aus dem Substratträger 102 entnommen werden. Substrates are removed from the substrate carrier 102 by an optional automatic unloader 109.
Zwischen dem ersten Prozessmodul l30a und dem zweiten Prozessmodul l30b ist eine Between the first process module 130a and the second process module 130b is a
Transferkammer 170 vorgesehen, die eine Gastrennung zwischen dem ersten Prozessmodul l30a und dem zweiten Prozessmodul l30b sicherstellt. Die Transferkammer 170 kann den Substratträger 102 mit den daran gehaltenen Substraten 103 zwischen dem ersten Transfer chamber 170 is provided, which ensures a gas separation between the first process module l30a and the second process module l30b. The transfer chamber 170 may sandwich the substrate carrier 102 with the substrates 103 held therebetween
Prozessmodul l30a und dem zweiten Prozessmodul l30b schleusen. Feed process module l30a and the second process module l30b.
Überführungsmodule l60a, l60b können den Substratträger 102 zwischen einem kontinuierlich transportierten Zug von Substratträgem und der diskontinuierlich arbeitenden Transferkammer 170 überführen. Dabei kann das Überführungsmodul 160a ähnlich wie das zweite Überführungsmodul 150 arbeiten und den Substratträger 102 von der  Transfer modules l60a, l60b may transfer the substrate carrier 102 between a continuously transported train of substrate carriers and the discontinuous transfer chamber 170. In this case, the transfer module 160a may work similarly to the second transfer module 150 and remove the substrate carrier 102 from the transfer module 160a
Transport einrichtung übernehmen, von dem Zug von Substratträgem separieren und dann in das Transfermodul 170 überführen. Zum Separieren des Substratträgers 102 von dem Zug von Substratträgem kann der Substratträger 102 in dem Überfühmngsmodul 160a zunächst beschleunigt und dann abgebremst werden. Das Überfühmngsmodul l60b kann ähnlich wie das erste Überfühmngsmodul 120 arbeiten und den Substratträger 102 aus dem Transport take over device, separated from the train of Substratträgem and then transfer into the transfer module 170. To separate the substrate carrier 102 from the train of substrate carriers, the substrate carrier 102 in the transfer module 160a may first be accelerated and then decelerated. The overfeed module l60b may operate similarly to the first overfill module 120 and may remove the substrate carrier 102 from the first
Transfermodul 170 übernehmen, beschleunigen und in den Zug von kontinuierlich Transfer module 170 take over, accelerate and get on the train by continuously
transportierten Substratträgem einfügen. insert transported substrate carriers.
Das erste Überführungsmodul 120, die Prozessmodule l30a, 130b, die  The first transfer module 120, the process modules 130a, 130b, the
Überführungsmodule l60a, l60b und die Transferkammer 170 können jeweils Transfer modules l60a, l60b and transfer chamber 170 may each be
Heizeinrichtungen 121, 122, 131, 132, 161, 162, 171, 172 aufweisen. Die Heizeinrichtungen 121, 122 des Überfühmngsmoduls 120 können konfiguriert sein, die Substrate 103 im ersten Überfühmngsmodul 120 von wenigstens einer und vorteilhaft von beiden Seiten zu heizen. Die Heizeinrichtungen 131, 132 der Prozessmodule l30a, l30b können konfiguriert sein, die Substrate 103 in den Prozessmodulen l30a, 13 Ob von wenigstens einer und vorteilhaft von beiden Seiten zu heizen. Entsprechende Heizeinrichtungen können in den Heater 121, 122, 131, 132, 161, 162, 171, 172 have. The heaters 121, 122 of the overfeed module 120 may be configured to heat the substrates 103 in the first transfer module 120 from at least one, and advantageously both, sides. The heating devices 131, 132 of the process modules 130a, 130b can be configured to heat the substrates 103 in the process modules 130a, 13b from at least one and advantageously from both sides. Corresponding heating devices can in the
Überfühmngsmodulen l60a, l60b und der Transferkammer 170 vorhanden sein. Das zweite Überfühmngsmodul 140 kann optional eine Einrichtung zum Kühlen der Substrate aufweisen. Überfühmngsmodulen l60a, l60b and the transfer chamber 170 may be present. The second transfer module 140 may optionally include means for cooling the substrates.
Das erste Prozessmodul l30a kann zur Aufbringung einer Passiviemngsschicht konfiguriert sein. Das erste Prozessmodul l30a kann zur Abscheidung einer Aluminiumoxid- Teilschicht konfiguriert sein. Dazu kann ein sauerstoffhaltiges Gas (z.B. 02, N20) über einen Gaseinlass in den Bereich der Plasmazone eingelassen und dort aktiviert werden. Getrennt von diesem wird ein aluminiumhaltiges Gas (z.B. Triemethylaluminium (TMA1)) in der Nähe zur Substratoberfläche und Transporteinrichtung und entfernt von der Plasmaerzeugung eingelassen. Die Absaugung der Gase kann zwischen der Transporteinrichtung und dem zweitem Gaseinlass erfolgen. Zur Abscheidung einer Aluminiumoxidschicht mit einer Schichtdicke von wenigstens 10 nm kann mindestens eine ICP-Quelle in dem ersten The first process module 130a may be configured to apply a passive layer. The first process module 130a may be configured to deposit an alumina sublayer. For this purpose, an oxygen-containing gas (eg 0 2 , N 2 0) via a Gas inlet be taken in the area of the plasma zone and activated there. Separated therefrom, an aluminum-containing gas (eg, triemethylaluminum (TMA1)) is introduced close to the substrate surface and transport means and away from plasma generation. The suction of the gases can take place between the transport device and the second gas inlet. For deposition of an aluminum oxide layer with a layer thickness of at least 10 nm, at least one ICP source in the first
Prozessmodul 130a vorhanden sein. Process module 130a be present.
Das zweite Prozessmodul 130b kann zur Aufbringung einer Antireflexionsschicht konfiguriert sein. Das zweite Prozessmodul l30b weist Plasmaquellen 133b, l34b mit Gasverteilem für unterschiedliche Prozessgase auf. Über die Gasverteiler der Plasmaquellen 133b, l34b können jeweils beispielsweise ein stickstoffhaltiges erstes Prozessgas (z.B. NH3) über einen Gaseinlass in den Bereich der Plasmazone eingelassen und von der Plasmaquelle dort aktiviert werden. Getrennt von dem ersten Prozessgas kann ein siliziumhaltiges The second process module 130b may be configured to apply an antireflection layer. The second process module l30b has plasma sources 133b, l34b with gas distributors for different process gases. By way of example, a nitrogen-containing first process gas (for example NH 3 ) can be introduced into the region of the plasma zone via a gas inlet via the gas distributors of the plasma sources 133b, 134b and activated there by the plasma source. Separated from the first process gas, a silicon-containing
Prozessgas (z.B. SiH4) in der Nähe zur Substratoberfläche und Transporteinrichtung und fern von der Plasmaerzeugung eingelassen werden. Die Absaugung der Gase kann zwischen der Transporteinrichtung und dem zweitem Gaseinlass, beispielsweise an Ansaugstutzen 135, erfolgen. Zur Abscheidung einer Siliziumnitridschicht mit einer Schichtdicke von wenigstens 50 nm kann mindestens eine weitere induktiv gekoppelte Plasmaquelle (ICP-Quelle) im zweiten Prozessmodul 130b vorhanden sein. Process gas (eg SiH 4 ) are embedded in the vicinity of the substrate surface and transport device and away from the plasma generation. The suction of the gases can take place between the transport device and the second gas inlet, for example on intake manifold 135. For deposition of a silicon nitride layer with a layer thickness of at least 50 nm, at least one further inductively coupled plasma source (ICP source) may be present in the second process module 130b.
Figur 6 ist eine schematische Seitenansicht einer Durchlaufanlage 100 nach einem Ausführungsbeispiel, die zur Aufbringung einer Passivierungsschicht und einer  FIG. 6 is a schematic side view of a continuous flow system 100 according to an embodiment, which is used for applying a passivation layer and a
Antireflexionsbeschichtung an einer zweiten Seite eines Siliziumwafers sowie zusätzlich zur Aufbringung einer Antireflexionsbeschichtung an einer ersten Seite des Siliziumwafers konfiguriert ist. Antireflection coating on a second side of a silicon wafer and in addition to the application of an anti-reflection coating on a first side of the silicon wafer is configured.
Die Durchlaufanlage 100 weist eine erste Vakuumschleuse 110, ein erstes  The continuous-flow system 100 has a first vacuum lock 110, a first
Überführungsmodul 120, ein erstes Prozessmodul l30a, ein Transfennodul 170 und Transfer module 120, a first process module 130a, a transfer module 170 and
Überführungsmodule l 60a, l60b, ein zweites Prozessmodul 130b, ein zweites Transfer modules l 60a, l60b, a second process module 130b, a second
Überführungsmodul 140 und eine zweite Vakuumschleuse 150 auf, die die unter Bezugnahme auf Figur 1 bis Figur 5 beschriebenen Ausgestaltungen und Funktionsweisen aufweisen können. Substrate 103 können von einer optionalen automatischen Ladevorrichtung 108 in den Substratträger 102 eingesetzt werden. Alternativ oder zusätzlich können beschichtete Substrate von einer optionalen automatischen Entladevorrichtung 109 aus dem Substratträger 102 entnommen werden. Die Durchlaufanlage 100 weist weiterhin ein drittes Prozessmodul 130c auf, das zur Aufbringung einer Aufbringung einer Antireflexionsbeschichtung an der ersten Seite des Siliziumwafers konfiguriert ist. Transfer module 140 and a second vacuum lock 150, which may have the embodiments and functions described with reference to Figure 1 to Figure 5. Substrates 103 may be inserted into the substrate carrier 102 by an optional automatic loader 108. Alternatively or additionally, coated substrates may be removed from the substrate carrier 102 by an optional automatic unloader 109. The continuous flow system 100 further includes a third process module 130c configured to apply an anti-reflection coating to the first side of the silicon wafer.
Das dritte Prozessmodul l30c weist eine oder mehrere Plasmaquellen mit Gasverteilem für unterschiedliche Prozessgase auf. Über einen Gasverteiler kann jeweils beispielsweise ein stickstoffhaltiges erstes Prozessgas (z.B. NH3) über einen Gaseinlass in den Bereich der Plasmazone eingelassen und von der Plasmaquelle dort aktiviert werden. Getrennt von dem ersten Prozessgas kann ein siliziumhaltiges Prozessgas (z.B. SiH4) in der Nähe zur The third process module l30c has one or more plasma sources with gas distributors for different process gases. By way of example, a nitrogen-containing first process gas (for example NH 3 ) can be introduced via a gas distributor into the region of the plasma zone via a gas inlet and activated there by the plasma source. Separated from the first process gas, a silicon-containing process gas (eg SiH 4 ) in the vicinity of
Substratoberfläche und Transporteinrichtung und fern von der Plasmaerzeugung eingelassen werden. Die Absaugung der Gase kann zwischen der Transport einrichtung und dem zweitem Gaseinlass erfolgen. Zur Abscheidung einer Siliziumnitridschicht mit einer Schichtdicke von wenigstens 50 nm auf der ersten Seite des Siliziumwafers kann mindestens eine ICP-Quelle im dritten Prozessmodul 130c vorhanden sein. Substrate surface and transport device and be far away from the plasma generation. The suction of the gases can be done between the transport device and the second gas inlet. For deposition of a silicon nitride layer having a layer thickness of at least 50 nm on the first side of the silicon wafer, at least one ICP source may be present in the third process module 130c.
Im dritten Prozessmodul l30c sind die ICP-Quelle und die Gasverteiler auf einer relativ zur Transportebene anderen Seite als im zweiten Prozessmodul l30b angeordnet.  In the third process module l30c, the ICP source and the gas distributors are arranged on a side that is different relative to the transport plane than in the second process module l30b.
Beispielsweise kann die lCP-Quelle im zweiten Prozessmodul 130b unterhalb der For example, the lCP source in the second process module 130b may be below the
Transportebene des Substratträgers und im dritten Prozessmodul l30c oberhalb der Transport level of the substrate carrier and in the third process module l30c above the
Transportebene des Substratträgers angeordnet sein. Transport level of the substrate carrier may be arranged.
Die Funktionsweise der Durchlaufanlage bei der Aufbringung eines Schichtsystems aus einer Passivierungsschicht und einer Antireflexionsbeschichtung, wie sie beispielsweise mit den Durchlaufanlagen von Fig. 5 und Fig. 6 durchführbar ist, wird nachfolgend beschrieben.  The operation of the continuous flow system in the application of a layer system comprising a passivation layer and an antireflection coating, as can be carried out, for example, with the pass-through systems of FIGS. 5 and 6, will be described below.
Für eine Rückseitenbeschichtung von Halbleiterwafern mit AlOx und SiN für die Herstellung von Solarzellen kann die Durchlaufanlage mindestens ein Prozessmodul 130a, l30b aufweisen, das als Plasmakammer zur plasmaunterstützten chemischen For a backside coating of semiconductor wafers with AlO x and SiN for the production of solar cells, the continuous-flow system can have at least one process module 130 a, 130 b, which serves as a plasma chamber for plasma-assisted chemical
Gasphasenabscheidung (PECVD) ausgestaltet ist. Die Plasmakammer weist mindestens eine Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas auf. Die Plasmakammer kann eine Gas phase deposition (PECVD) is designed. The plasma chamber has at least one device for generating a plasma. The plasma chamber can have a
Gaszuführeinrichtung, ein Vakuumsystem und eine Transporteinrichtung aufweisen. Die Transporteinrichtung kann für den horizontalen Transport von Substratträgem mit Substraten entlang der Durchlaufanlage konfiguriert sein. Gas supply, have a vacuum system and a transport device. The transport device can be configured for the horizontal transport of substrate carriers with substrates along the conveyor system.
Die Substrate 103 werden auf dem Substratträger 102 über die erste Vakuumschleuse The substrates 103 are deposited on the substrate carrier 102 via the first vacuum lock
110 eingespeist. In der ersten Vakuumschleuse 110 wird der Druck von Atmosphärendruck auf einen Druck kleiner als 10 kPa, bevorzugt kleiner 1 kPa, besonders bevorzugt kleiner als 100 Pa reduziert, bevor die Substrate im Substratträger in das Prozessmodul l30a, !30b gelangen. 110 fed. In the first vacuum lock 110, the pressure is reduced from atmospheric pressure to a pressure of less than 10 kPa, preferably less than 1 kPa, more preferably less than 100 Pa, before the substrates in the substrate support into the process module 130a, 30b reach.
Aus der ersten Vakuumschleuse 110 wird der Substratträger 102 mit den Substraten 103 in das erste Überführungsmodul 120 überführt, das zur kurzzeitigen Pufferung dienen kann. Die Temperatur in dem ersten Überfuhrungsmodul 120 kann geregelt werden. Bevorzugt werden die Substrate 103 dabei beheizt. Eine Temperaturregelung kann über einer Regelung einer optional vorhandenen Heizeinrichtung des Überführungsmoduls 120 erfolgen. Der Übergang von diskontinuierlichem zu kontinuierlichem Transport der Substratträger 102 erfolgt innerhalb des Überführungsmoduls 120 durch Bilden einer kontinuierlichen Folge von Substratträgem.  From the first vacuum lock 110, the substrate carrier 102 with the substrates 103 is transferred into the first transfer module 120, which can serve for short-term buffering. The temperature in the first transfer module 120 may be regulated. The substrates 103 are preferably heated in the process. A temperature control can take place via a control of an optionally existing heating device of the transfer module 120. The transition from discontinuous to continuous transport of the substrate carriers 102 occurs within the transfer module 120 by forming a continuous series of substrate carriers.
Die Transporteinrichtung der Durchlaufanlage kann ennöglichen, dass ein Abstand zwischen zwei aufeinander folgenden Substratträgem auf einen definierten Bereich eingestellt werden kann. Dazu muss der nachfolgende Substratträger zuerst beschleunigt und beim Erreichen des Abstands zum vorausfolgenden Substratträger die Geschwindigkeit an die Zuggeschwindigkeit angepasst werden. Dies kann in dem Überfuhrungsmodul 120 erfolgen.  The transport device of the continuous system can make it possible to set a distance between two consecutive substrate carriers to a defined range. For this purpose, the subsequent substrate carrier must first be accelerated and the speed adapted to the train speed when the distance to the next substrate carrier is reached. This can be done in the override module 120.
Der Zug von Substratträgem durchläuft den Prozessbereich mit definierter  The train of substrate carriers passes through the process area with defined
Geschwindigkeit der Transporteinrichtung.  Speed of the transport device.
Zur Verbesserung der Schichtqualität, der Arbeitssicherheit und Reduktion von  To improve the coating quality, safety at work and reduction of
Gefahrenquellen kann eine Trennung unterschiedlicher Prozessbereiche durch eine Danger sources can be a separation of different process areas by one
Transferkammer 170 vorteilhaft sein. Die verschiedenen Bereiche können durch Schlitz- Ventile/Schieber voneinander getrennt sein. Die Transferkammer 170 verhindert, dass sich die Prozessgase zwischen den Prozessbereichen während des Transportes der Substrate vermischen. Vor der Schleusung in den nächsten Prozessbereich werden die Parameter in der Transferkammer 170 (beispielsweise der Druck) angepasst. Transfer chamber 170 be advantageous. The various areas may be separated by slot valves / gate valves. The transfer chamber 170 prevents the process gases from mixing between the process areas during transport of the substrates. Prior to smuggling into the next process area, the parameters in the transfer chamber 170 (e.g., the pressure) are adjusted.
Die kontinuierliche Folge von Substratträgem wird vor der Transferkammer 170 im Überführungsmodul 160a und vor der zweiten Vakuumschleuse 150 im zweiten  The continuous sequence of substrate carriers is in front of the transfer chamber 170 in the transfer module 160a and before the second vacuum lock 150 in the second
Überführungsmodul 140 aufgelöst, so dass einzelne Substratträger von einem Prozessbereich in den nächsten oder in die zweite Vakuumschleuse 150 überfuhrt werden können.  Transfer module 140 resolved, so that individual substrate carriers can be transferred from one process area in the next or in the second vacuum lock 150.
In der zweiten Vakuumschleuse 150 werden die Substratträger mit den Substraten aus der Durchlaufanlage 100 auf Atmosphärendruck geschleust. Die Temperatur in dem zweiten Überfuhrungsmodul 140 nach dem letzten Prozessbereich und vor der zweiten  In the second vacuum lock 150, the substrate carriers with the substrates from the continuous-flow system 100 are passed to atmospheric pressure. The temperature in the second transfer module 140 after the last process area and before the second
Vakuumschleuse 150 kann geregelt werden. Insbesondere kann die Temperatur von  Vacuum lock 150 can be regulated. In particular, the temperature of
Substratträger und Substraten vor dem Verlassen der Durchlaufanlage reduziert werden. Besonders bevorzugt ist das zweite Überführungsmodul 140 zur Kühlung der Substratträger und Substrate konfiguriert. Substrate carrier and substrates are reduced before leaving the conveyor system. Particularly preferred is the second transfer module 140 for cooling the substrate carrier and substrates configured.
Im Prozessbereich der Prozessmodule l30a, 13 Ob kann ein Reaktivgas über einen Gaseinlass in den Bereich der Plasmazone eingelassen und dort aktiviert werden. Getrennt vom ersten Gas kann der Schichtbildner/Precursor als Gas in der Nähe zur Substratoberfläche oder Transporteinrichtung und entfernt von der Plasmaerzeugung eingelassen werden. Die Absaugung der Gase erfolgt zwischen der Transporteinrichtung und dem zweitem Gaseinlass. Nach Durchlaufen der Durchlaufanlage 100 von Figur 5 und Figur 6 weisen die Substrate ein Schichtsystem bestehend aus Teilschichten aus Aluminiumoxid und Siliziumnitrid auf.  In the process area of the process modules 130a, 13b, a reactive gas can be introduced into the region of the plasma zone via a gas inlet and activated there. Separated from the first gas, the layer former / precursor can be introduced as gas in the vicinity of the substrate surface or transport device and away from the plasma generation. The extraction of the gases takes place between the transport device and the second gas inlet. After passing through the continuous installation 100 of FIG. 5 and FIG. 6, the substrates have a layer system consisting of partial layers of aluminum oxide and silicon nitride.
Die mit Aluminiumoxidschicht beschichteten Substrate weisen eine zufriedenstellende Schichtverteilung, zufriedenstellende Qualität und eine zufriedenstellende Lebensdauer auf. Die Qualität und die Lebensdauer des beschichteten Substrats mit Aluminiumoxid sind vom Brechungsindex und der Dichte oder Porosität der abgeschiedenen Dünnschicht abhängig. Durch die Wahl der Plasmaerzeugung und geeignete Prozessparameter (Druck, Gasflüsse, Temperatur, Plasmaleistung, etc.) in Verbindung mit der Anlagengeometrie können die benötigten Schichteigenschaften erzeugt werden.  The alumina coated substrates have a satisfactory layer distribution, satisfactory quality and a satisfactory lifetime. The quality and the lifetime of the coated substrate with alumina are dependent on the refractive index and the density or porosity of the deposited thin film. By selecting the plasma generation and suitable process parameters (pressure, gas flows, temperature, plasma power, etc.) in connection with the system geometry, the required layer properties can be generated.
Für die Plasmaerzeugung können Plasmaquellen mit kapazitiver und induktiver Anregung des Plasmas bei den Durchlaufanlagen nach Figur 1 bis Figur 6 verwendet werden. Besonders bevorzugt ist eine lineare ICP-Quelle mit mindestens einer Anregungsfrequenz im Bereich von 13 MHz bis 100 MHz. Die ICP-Quelle dient zur Erzeugung eines Plasmas auf einer Länge >1000 mm, bevorzugt >1500 mm, besonders bevorzugt >1700 mm. Die RF- Generatoren können eine Leistung >4 kW, bevorzugt >6 kW, besonders bevorzugt 7 bis 30 kW und insbesondere bevorzugt 8 bis 16 kW aufweisen. Der RF-Generator kann gepulst betrieben werden.  For plasma generation plasma sources with capacitive and inductive excitation of the plasma can be used in the continuous flow systems of Figure 1 to Figure 6. Particularly preferred is a linear ICP source with at least one excitation frequency in the range of 13 MHz to 100 MHz. The ICP source is used to generate a plasma over a length> 1000 mm, preferably> 1500 mm, particularly preferably> 1700 mm. The RF generators may have a power> 4 kW, preferably> 6 kW, particularly preferably 7 to 30 kW and particularly preferably 8 to 16 kW. The RF generator can be operated pulsed.
Bei den Durchlaufanlagen 100 können die Substrate von der ersten Vakuumschleuse 110 zur zweiten Vakuumschleuse 150 transportiert werden, ohne dass das Vakuum  In the continuous-flow systems 100, the substrates can be transported from the first vacuum lock 110 to the second vacuum lock 150 without the vacuum
unterbrochen wird. is interrupted.
Die Durchlaufanlagen 100 können die Erzeugung einer homogenen  The continuous plants 100 can produce a homogeneous
Aluminiumoxidschicht mit geringer Porosität und guter Kontrolle über den Brechungsindex n erlauben. Alumina layer with low porosity and good control over the refractive index n allow.
Die Durchlaufanlagen 100 können die effiziente Beschichtung von Substraten, bevorzugt Siliziumwafern, erlauben, die monokristalline, multi-kristalline oder polykristalline Siliziumwafern sein können, ohne darauf beschränkt zu sein.  The continuous flow systems 100 may allow the efficient coating of substrates, preferably silicon wafers, which may be monocrystalline, multi-crystalline or polycrystalline silicon wafers, but are not limited thereto.
Die Durchlaufanlagen 100 können für eine Absaugung der Reaktionsprodukte mit Vakuumpumpen an den Prozessbereichen konfiguriert sein. Bevorzugt können getrennte Vakuumsysteme für das Prozessmodul l30a zur Abscheidung von Aluminiumoxid und das Prozessmodul 130b oder die Prozessmodule l30b, l30c zur Abscheidung von Siliziumnitrid vorgesehen sein. The continuous systems 100 can be used for extraction of the reaction products Be configured vacuum pumps on the process areas. Preferably, separate vacuum systems may be provided for the process module 130a for the deposition of aluminum oxide and the process module 130b or the process modules 130b, 130c for the deposition of silicon nitride.
Die Durchlaufanlagen 100 können konfiguriert sein, die Verweildauer der  The continuous flow systems 100 may be configured to control the residence time of the
Reaktionsprodukte im Prozessbereich zu minimieren, so dass diese nicht in die Beschichtung eingebaut werden. Dazu kann die aktive Absaugung der Reaktionsprodukte vorgesehen sein.  Minimize reaction products in the process area, so that they are not incorporated into the coating. For this purpose, the active extraction of the reaction products can be provided.
Die Durchlaufanlagen 100 können für eine gleichmäßige Absaugung der  The continuous systems 100 can for a uniform extraction of
Reaktionsprodukte quer zur Transportrichtung 101 konfiguriert sein, um gleiche Bedingungen über die Beschichtungsbreite zu erzeugen. Reaction products may be configured transversely to the transport direction 101 to produce equal conditions over the coating width.
Die Durchlaufanlagen 100 können so konfiguriert sein, dass die Strömungsrichtung des Precusors in Bezug auf die Substratebene und die Plasmaanregung kontrolliert wird. Dies kann durch eine geeignete Geometrie des Gasverteilers erreicht werden.  The continuous flow plants 100 may be configured to control the flow direction of the precursor with respect to the substrate plane and the plasma excitation. This can be achieved by a suitable geometry of the gas distributor.
Die Durchlaufanlagen 100 können unterschiedliche Anordnung der Plasmaquellen in Bezug auf die Transportebene aufweisen. Die Durchlaufanlage 100 kann eine erste, oberhalb der Transportebene angeordnete Plasmaquelle zur Beschichtung einer ersten Substratseite und eine zweite, unterhalb der Transportebene angeordnete Plasmaquelle zur Beschichtung einer zweiten Substratseite, die der ersten Substratseite gegenüberliegt, aufweisen.  The continuous flow systems 100 may have different arrangement of the plasma sources with respect to the transport plane. The continuous-flow system 100 may have a first plasma source arranged above the transport plane for coating a first substrate side and a second plasma source arranged below the transport plane for coating a second substrate side, which lies opposite the first substrate side.
Ein Prozessmodul 130a, 130b, 130c der Durchlaufanlage kann mehrere Plasmaquellen aufweisen.  A process module 130a, 130b, 130c of the continuous-flow system can have a plurality of plasma sources.
Die Transferkammer 170 kann ein eigenes Vakuumsystem aufweisen.  The transfer chamber 170 may have its own vacuum system.
Um den Konflikt zwischen hoher Beschichtungsrate und hoher Schichtqualität zu adressieren, kann die Durchlaufanlage 100 zur Herstellung mehrerer dünner Schichten (Teilschichten) anstelle einer einzigen dicken Schicht konfiguriert sein. Die Anforderung an die Funktionalität können auf die Teilschichten verteilt werden. Beispielsweise können eine Antireflexionsbeschichtung mit guter Passivierung an der Grenzfläche zwischen Substrat und Schicht und eine weitere optische Schicht abgeschieden werden, um ein Zweischichtensystem zu bilden.  To address the conflict between high deposition rate and high layer quality, the continuous flow system 100 may be configured to produce multiple thin layers (sub-layers) rather than a single thick layer. The requirement for the functionality can be distributed to the sublayers. For example, an anti-reflection coating with good passivation may be deposited at the interface between substrate and layer and another optical layer to form a two-layer system.
Ein- und derselbe Plasmaquellentyp kann für verschiedene Prozesse und verschiedene Prozessmodule verwendet werden.  One and the same type of plasma source can be used for different processes and different process modules.
Separate Gaszuführung der Plasmaquellen ermöglicht eine größere Variation der Schichteigenschaften bei benachbarten Plasmaquellen 133/134 bzw. 133a/l 33b, da die Gaszusammensetzung verändert werden kann. Durch eine Absaugung von Gasen zwischen den Plasmaquellen können benachbarten Plasmaquellen besser entkoppelt werden. Separate gas supply of the plasma sources allows a greater variation of the layer properties at adjacent plasma sources 133/134 and 133a / l 33b, since the gas composition can be changed. By exhausting gases between the plasma sources, adjacent plasma sources can be better decoupled.
Bei jeder der beschriebenen Durchlaufanlagen 100 können die optionalen  In each of the described throughflow plants 100, the optional
Heizeinrichtungen IR-Strahler und/oder Widerstandsheizer aufweisen. Die Heizeinrichtungen können geregelt werden, um die Substrattemperatur einzustellen. Heating devices have IR emitters and / or resistance heaters. The heaters may be controlled to adjust the substrate temperature.
Um eine kurze Bearbeitungszeit pro Substrat zu erreichen, können die erste  To achieve a short processing time per substrate, the first
Vakuumschleuse 110 und/oder die zweite Vakuumschleuse 150 so konfiguriert sein, dass eine kurze Arbeitszeit der Vakuumschleuse erreichbar ist. Beispielhafte Ausgestaltungen einer Vakuumschleuse 10, die als die erste Vakuumschleuse 110 und/oder die zweite Vacuum lock 110 and / or the second vacuum lock 150 be configured so that a short working time of the vacuum lock can be achieved. Exemplary embodiments of a vacuum lock 10, as the first vacuum lock 110 and / or the second
Vakuumschleuse 150 eingesetzt werden kann, werden unter Bezugnahme auf Figur 7 bis Figur 13 beschrieben. Vacuum lock 150 can be used will be described with reference to Figure 7 to Figure 13.
Figur 7 zeigt eine teilweise Perspektivansicht einer Vakuumschleuse 10, wobei ein Kammeroberteil 38 einer Kammer 30 der Vakuumschleuse 10 nicht dargestellt ist. Figur 8 zeigt eine teilweise Schnittansicht eines Endbereichs einer Kammer 30 der Vakuumschleuse 10. Figur 9 zeigt eine Schnittansicht der Kammer 30. Figur 10 zeigt eine teilweise  Figure 7 shows a partial perspective view of a vacuum lock 10, wherein a chamber upper part 38 of a chamber 30 of the vacuum lock 10 is not shown. Figure 8 shows a partial sectional view of an end portion of a chamber 30 of the vacuum lock 10. Figure 9 shows a sectional view of the chamber 30. Figure 10 shows a partial
abgebrochene Perspektivansicht der Kammer 30. Broken perspective view of the chamber 30.
Die Kammer 30 ist zur Aufnahme eines Substratträgers 102 konfiguriert. Der  The chamber 30 is configured to receive a substrate carrier 102. Of the
Substratträger 102 weist mehrere Ablagen für Substrate auf. Dabei können die Substrate jeweils so an dem Substratträger 102 positioniert sein, dass ein Druckausgleich durch die im Substratträger 102 vorhandenen Öffnungen im Wesentlichen unterbunden wird, wenn die Substrate an oder in dem Substratträger 102 positioniert sind. Substrate carrier 102 has a plurality of trays for substrates. In this case, the substrates can each be positioned on the substrate carrier 102 in such a way that a pressure equalization is substantially prevented by the openings present in the substrate carrier 102 when the substrates are positioned on or in the substrate carrier 102.
Die Kammer 30 weist ein Kammeroberteil 38 und ein Kammerunterteil 39 auf. Das Kammeroberteil 38 weist eine beim Schleusen von Substraten zum Substratträger 102 weisende erste Innenoberfläche 31 auf. Das Kammerunterteil 39 weist eine beim Schleusen von Substraten zum Substratträger 102 weisende zweite Innenoberfläche 32 auf. Die erste The chamber 30 has a chamber top 38 and a chamber bottom 39. The chamber upper part 38 has a first inner surface 31, which faces the substrate carrier 102 during the sliding of substrates. The lower chamber part 39 has a second inner surface 32 facing the substrate carrier 102 when sliding substrates. The first
Innenoberfläche 31 und die zweite Innenoberfläche 32 sind vorteilhaft im Wesentlichen eben. Der Substratträger 102 weist eine beim Schleusen von Substraten zur ersten Innenoberfläche 31 zeigende erste Substratträgeroberfläche 21 auf. Der Substratträger 102 weist eine beim Schleusen von Substraten zur zweiten Innenoberfläche 32 zeigende zweite Inner surface 31 and second inner surface 32 are advantageously substantially planar. The substrate carrier 102 has a first substrate carrier surface 21 which faces the first inner surface 31 when the substrates are being slid. The substrate carrier 102 has a second when slipping substrates to the second inner surface 32 facing
Substratträgeroberfläche 22 auf. Substrate carrier surface 22 on.
Die Kammer 30 weist ein Innen volumen auf. Das Innen volumen der Kammer 30 kann wenigstens 100 1, bevorzugt von 200 bis 500 1, betragen.  The chamber 30 has an internal volume. The inner volume of the chamber 30 may be at least 100 1, preferably from 200 to 500 1, amount.
Die Vakuumschleuse 10 kann eine Fördereinrichtung 40 aufweisen. Die Fördereinrichtung 40 weist Antriebskomponenten 41 zum Fördern des Substratträgers auf. Die Antriebskomponenten 41 sind ausgelegt, den Substratträger 102 in einer Fahrtrichtung zu bewegen. Die Antriebskomponenten 41 können mehrere Förderwalzen sein, die entlang der Fahrtrichtung voneinander beabstandet an der Kammer 30 angeordnet sind. Der The vacuum lock 10 may have a conveyor 40. The Conveyor 40 has drive components 41 for conveying the substrate carrier. The drive components 41 are designed to move the substrate carrier 102 in one direction of travel. The drive components 41 may be a plurality of conveyor rollers, which are arranged along the direction of travel spaced from each other on the chamber 30. Of the
Substratträger 102 kann auf den Antriebskomponenten 41 aufliegen. Substrate carrier 102 may rest on the drive components 41.
Die Achsen der Antriebskomponenten können in der Vakuumschleuse unterhalb des Kammerbodens liegen. Bevorzugt sind die Achsen innerhalb der Schleuse teilweise in den Kammerboden eingelassen, um das Volumen der Vakuumschleusenkammer zu minimieren.  The axes of the drive components can be located in the vacuum lock below the chamber floor. Preferably, the axes within the lock are partially recessed into the chamber floor to minimize the volume of the vacuum lock chamber.
Wie in Figur 8 und Figur 9 dargestellt ist, ist die Fördereinrichtung 40 konfiguriert, den Substratträger 102 zwischen der ersten Innenoberfläche 31 und der zweiten Innenoberfläche 32 der Kammer 30 zu positionieren.  As shown in FIG. 8 and FIG. 9, the conveyor 40 is configured to position the substrate carrier 102 between the first inner surface 31 and the second inner surface 32 of the chamber 30.
Die Vakuumschleuse 10 kann so konfiguriert sein, dass statische Druckdifferenzen zwischen der ersten Substratträgeroberfläche 21 und der zweiten Substratträgeroberfläche 22 beim Fluten und/oder Evakuieren gering gehalten werden, beispielsweise kleiner als 10 Pa, bevorzugt kleiner als 5 Pa, weiter bevorzugt kleiner als 4 Pa, während die Kammer geflutet oder evakuiert wird. Hierzu können verschiedene Maßnahmen ergriffen werden:  The vacuum lock 10 may be configured such that static pressure differences between the first substrate carrier surface 21 and the second substrate carrier surface 22 during flooding and / or evacuation are kept low, for example less than 10 Pa, preferably less than 5 Pa, more preferably less than 4 Pa. while the chamber is flooded or evacuated. For this purpose, various measures can be taken:
- Die Vakuumschleuse 10 wird über mehrere Kanäle geflutet und evakuiert.  - The vacuum lock 10 is flooded through several channels and evacuated.
- Die Fördereinrichtung 40 kann den Substratträger 102 so positionieren, dass die Abstände der Substrate im Substratträger 102 zur ersten Innenoberfläche 31 und zur zweiten Innenoberfläche 32 der Kammer im Wesentlichen gleich sind.  The conveyor 40 may position the substrate carrier 102 so that the spacings of the substrates in the substrate carrier 102 to the first inner surface 31 and the second inner surface 32 of the chamber are substantially equal.
- Ein Verhältnis eines Abstands zwischen einer Innenoberfläche der Kammer und der gegenüberliegenden Substratträgeroberfläche zu einer (in Figur 12 und Figur 13 dargestellten) Länge L des Substratträgers ist kleiner als 0,1 , bevorzugt kleiner als 0,05, weiter bevorzugt kleiner als 0,025. Dies gilt vorteilhaft sowohl für das Verhältnis eines ersten Abstands di zwischen der ersten Innenoberfläche 31 und der ersten Substratträgeroberfläche 21 zu der Länge L als auch für ein Verhältnis eines zweitens Abstands d2 zwischen der zweiten Innenoberfläche 32 und der zweiten Substratträgeroberfläche 22 zu der Länge L des Substratträgers 102. A ratio of a distance between an inner surface of the chamber and the opposite substrate carrier surface to a length L of the substrate carrier (shown in FIG. 12 and FIG. 13) is less than 0.1, preferably less than 0.05, more preferably less than 0.025. This is advantageous both for the ratio of a first distance di between the first inner surface 31 and the first substrate carrier surface 21 to the length L and for a ratio of a second distance d 2 between the second inner surface 32 and the second substrate carrier surface 22 to the length L of Substrate carrier 102.
- In der durch die Fördereinrichtung 40 definierten Fahrtrichtung des Substratträgers 102 kann das Gas entlang der Fahrtrichtung und entgegen der Fahrtrichtung eingelassen und/oder abgepumpt werden, so dass das Gas an den beiden Hälften des Substratträgers 102 in unterschiedliche Richtungen strömt, wie in Figur 12 und Figur 13 veranschaulicht. - Die Vakuumschleuse 10 kann eine Strömungskanalanordnung aufweisen, die konfiguriert ist, quer zur Fahrtrichtung des Substratträgers einen im Wesentlichen homogenen Gasstrom zu ermöglichen. Durch die Strömungskanalanordnung können beispielsweise diagonale Gasströmungen über die Substratträgeroberflächen 21, 22 vermieden werden. In the direction of travel of the substrate carrier 102 defined by the conveying device 40, the gas can be introduced and / or pumped along the direction of travel and against the direction of travel, so that the gas flows in different directions on the two halves of the substrate carrier 102, as in FIGS Figure 13 illustrates. The vacuum lock 10 may have a flow channel arrangement which is configured to allow a substantially homogeneous gas flow transversely to the direction of travel of the substrate carrier. For example, diagonal gas flows over the substrate carrier surfaces 21, 22 can be avoided by the flow channel arrangement.
Durch die oben genannten und optionale weitere Maßnahmen kann erreicht werden, dass an zwei voneinander vertikal beabstandeten Punkten an der ersten  By the above and optional further measures can be achieved that at two mutually vertically spaced points on the first
Substratträgeroberfläche 21 und der zweiten Substratträgeroberfläche 22 die Substrate carrier surface 21 and the second substrate carrier surface 22 the
Geschwindigkeiten der Gasströmung beim Evakuieren der Kammer 30 jeweils im Speeds of gas flow during evacuation of the chamber 30 each in
Wesentlichen gleich sind. Darüber hinaus können an zwei voneinander vertikal beabstandeten Punkten an der ersten Substratträgeroberfläche 21 und der zweiten Substratträgeroberfläche 22 die Geschwindigkeiten der Gasströmung beim Fluten der Kammer 30 jeweils im Are essentially the same. In addition, at two mutually vertically spaced points on the first substrate carrier surface 21 and the second substrate carrier surface 22, the velocities of the gas flow during the flooding of the chamber 30 in the
Wesentlichen gleich sein. Ein Strömungswiderstand für die Gasströmung in dem Bereich zwischen der ersten Substratträgeroberfläche 21 und der ersten Innenoberfläche 31 und ein StrÖmungs widerstand für die Gasströmung in dem Bereich zwischen der zweiten Be essentially the same. A flow resistance for the gas flow in the region between the first substrate carrier surface 21 and the first inner surface 31 and a flow resistance for the gas flow in the region between the second
Substratträgeroberfläche 22 und der zweiten Innenoberfläche 32 können im Wesentlichen gleich sein, wenn der Substratträger 102 symmetrisch zwischen der ersten lnnenoberfläche 31 und der zweiten lnnenoberfläche 32 positioniert ist, um dynamische und statische Substrate carrier surface 22 and second inner surface 32 may be substantially similar when substrate carrier 102 is positioned symmetrically between first inner surface 31 and second inner surface 32 to provide dynamic and static
Druckunterschiede zwischen der ersten Substratträgeroberfläche 21 und der zweiten Pressure differences between the first substrate carrier surface 21 and the second
Substratträgeroberfläche 22 zu minimieren. Beispielsweise kann ein Verhältnis eines ersten Strömungswiderstands zwischen dem Substratträger 102 und der ersten lnnenoberfläche 31 zu einem zweiten Strömungswiderstand zwischen dem Substratträger 102 und der zweiten lnnenoberfläche 32 zwischen 0,95 und 1 ,05 und bevorzugt zwischen 0,97 und 1 ,03 liegen. Substrate carrier surface 22 to minimize. For example, a ratio of a first flow resistance between the substrate carrier 102 and the first inner surface 31 to a second flow resistance between the substrate carrier 102 and the second inner surface 32 may be between 0.95 and 1.05, and preferably between 0.97 and 1.03.
Durch eine Ausgestaltung, bei der das Verhältnis des ersten Abstands di zwischen der ersten lnnenoberfläche 31 und der ersten Substratträgeroberfläche 21 zu der Länge L des Substratträger und das Verhältnis eines zweitens Abstands d2 zwischen der zweiten lnnenoberfläche 32 und der zweiten Substratträgeroberfläche 22 zu einer Länge L des Substratträgers 102 jeweils kleiner als 0,1, bevorzugt kleiner als 0,05 und insbesondere kleiner als 0,025 ist und die Abstände d und d2 einander ähnlich sind, können flache By a configuration in which the ratio of the first distance di between the first inner surface 31 and the first substrate carrier surface 21 to the length L of the substrate carrier and the ratio of a second distance d 2 between the second inner surface 32 and the second substrate carrier surface 22 to a length L of the substrate carrier 102 is in each case less than 0.1, preferably less than 0.05 and in particular less than 0.025 and the distances d and d 2 are similar to one another, can be flat
Innenvolumina in der Kammer zwischen dem Substratträger und den Innenwänden der Kammer gebildet werden, die rasch geflutet und/oder evakuiert werden können. Inner volumes are formed in the chamber between the substrate support and the inner walls of the chamber, which can be quickly flooded and / or evacuated.
Druckdifferenzen zwischen Ober- und Unterseite des Substratträgers können gering gehalten werden. Wird die Kammer an zwei gegenüberliegenden Seiten geflutet und/oder abgepumpt, kann insbesondere das Verhältnis des ersten Abstands di zur Hälfte der Substratträgerlänge kleiner als 0,1, bevorzugt kleiner als 0,05 sein, also di/(L/2) < 0, 1 , bevorzugt di/(L/2) < 0,05, und das Verhältnis des zweiten Abstands d2 zur Hälfte der Substratträgerlänge kann kleiner als 0,1 , bevorzugt kleiner als 0,05, also d2/(L/2) < 0,1, bevorzugt d2/(L/2) < 0,05. Pressure differences between the top and bottom of the substrate carrier can be kept low. If the chamber is flooded and / or pumped off on two opposite sides, in particular the ratio of the first distance di to half of the substrate carrier length can be less than 0.1, preferably less than 0.05, ie di / (L / 2) <0, 1, preferably di / (L / 2) <0.05, and the ratio of the second distance d 2 to the half of the substrate carrier length may be less than 0.1, preferably less than 0.05, ie d 2 / (L / 2) <0.1, preferably d 2 / (L / 2) <0.05.
Der horizontal auf der Fördereinrichtung 40 aufliegende Substratträger 102 kann eine Größe von mehr als 1 m2, insbesondere von mehr als 2 m2, beispielsweise von wenigstens 2,25 m2 aufweisen. Die erste Substratträgeroberfläche 21 und die zweite The substrate carrier 102 resting horizontally on the conveyor 40 can have a size of more than 1 m 2 , in particular of more than 2 m 2 , for example of at least 2.25 m 2 . The first substrate carrier surface 21 and the second
Substratträgeroberfläche 22 können jeweils flach ausgebildet sein. Der Substratträger 102 kann zwischen der ersten Innenoberfläche 31 und der zweiten Innenoberfläche 32 der Kammer so positioniert werden, dass eine relative Differenz eines ersten Abstands di zwischen der ersten Substratträgeroberfläche 21 und der ersten Innenoberfläche 31 und eines zweiten Abstands d2 zwischen der zweiten Substratträgeroberfläche 22 und der zweiten Innenoberfläche 32 weniger als 15%, bevorzugt weniger als 8%, beträgt, d.h. dass | d - d2|/max(di, d2) < 15%, und insbesondere dass | di- d2|/max(d], d2) < 8%. Durch die imSubstrate carrier surface 22 may each be formed flat. The substrate carrier 102 may be positioned between the first inner surface 31 and the second inner surface 32 of the chamber such that a relative difference of a first distance di between the first substrate carrier surface 21 and the first inner surface 31 and a second distance d 2 between the second substrate carrier surface 22 and the second inner surface 32 is less than 15%, preferably less than 8%, ie d - d 2 | / max (di, d 2 ) <15%, and in particular that | di 2 d / max (d ] , d 2 ) <8%. By the in the
Wesentlichen symmetrische Positionierung des Substratträgers 102 in der Kammer 30 ist die beim Fluten oder Evakuieren jeweils entstehende Gasströmung auf der Ober- und Unterseite des Substratträgers 102 gleich, so das Druckdifferenzen zwischen der ersten Substantially symmetrical positioning of the substrate carrier 102 in the chamber 30 is equal to the respectively occurring during flooding or evacuation gas flow on the top and bottom of the substrate carrier 102, so the pressure differences between the first
Substratträgeroberfläche 21 und der zweiten Substratträgeroberfläche 22 vermieden werden. Substrate carrier surface 21 and the second substrate carrier surface 22 can be avoided.
Die Vakuumschleuse 30 weist eine Strömungskanalanordnung 51 , 52, 56, 57 zum The vacuum lock 30 has a flow channel arrangement 51, 52, 56, 57 for
Evakuieren und Fluten der Kammer 30 auf. Die Strömungskanalanordnung kann einen ersten Kanal 51 aufweisen, über den die Kammer 30 sowohl geflutet als auch evakuiert werden kann. Der erste Kanal 51 kann an einer Stirnseite der Kammer 30 angeordnet sein, über die der Substratträger 102 in die Kammer 30 eingefahren oder aus der Kammer 30 ausgefahren wird. Der erste Kanal 51 kann sich quer zur Fahrtrichtung des Substratträgers 102 erstrecken. Bei einer anderen Ausgestaltung kann der erste Kanal 51 an einer Längsseite der Kammer 30 angeordnet sein und sich parallel zur Fahrtrichtung des Substratträgers 102 erstrecken. Evacuate and flood the chamber 30 on. The flow channel arrangement can have a first channel 51, via which the chamber 30 can both be flooded and evacuated. The first channel 51 can be arranged on an end face of the chamber 30, via which the substrate carrier 102 is moved into the chamber 30 or extended out of the chamber 30. The first channel 51 may extend transversely to the direction of travel of the substrate carrier 102. In another embodiment, the first channel 51 may be disposed on a longitudinal side of the chamber 30 and extend parallel to the direction of travel of the substrate carrier 102.
Gegenüberliegend zu dem ersten Kanal 51 kann ein zweiter Kanal 56 angeordnet sein. Der zweite Kanal 56 kann sowohl ein Fluten als auch ein Evakuieren der Kammer 30 ermöglichen. Im Betrieb kann die Kammer 30 gleichzeitig sowohl über den ersten Kanal 51 als auch über den zweiten Kanal 56 evakuiert werden. Im Betrieb kann die Kammer 30 gleichzeitig sowohl über den ersten Kanal 51 als auch über den zweiten Kanal 56 geflutet werden. Durch das gleichzeitige Fluten oder Evakuieren an gegenüberliegenden Seiten der Kammer 30 wird das über den Substratträgers 102 jeweils strömende maximale Gasvolumen halbiert. Opposite to the first channel 51, a second channel 56 may be arranged. The second channel 56 may allow both flooding and evacuation of the chamber 30. In operation, the chamber 30 may be simultaneously evacuated via both the first channel 51 and the second channel 56. In operation, the chamber 30 may be flooded simultaneously via both the first channel 51 and the second channel 56. By simultaneously flooding or evacuating on opposite sides of the Chamber 30, the over the substrate support 102 each flowing maximum gas volume is halved.
Der ersten Kanal 51 und der zweite Kanal 56 sind so angeordnet, dass beim Fluten und/oder Evakuieren der Substratträger 102 und die daran positionierten Substrate in einer Draufsicht nicht mit dem ersten Kanal 51 und dem zweiten Kanal 56 überlappen.  The first channel 51 and the second channel 56 are arranged such that when flooding and / or evacuating, the substrate carrier 102 and the substrates positioned thereon do not overlap with the first channel 51 and the second channel 56 in a plan view.
Druckdifferenzen zwischen der ersten Substratträgeroberfläche 21 und der zweiten Pressure differences between the first substrate carrier surface 21 and the second
Substratträgeroberfläche 22 können so vennieden werden. Der erste Kanal 51 und der zweite Kanal 56 sind vorteilhaft jeweils so bemessen, dass in vertikaler Richtung kein nennenswerter Druckgradient entsteht. Damit wird sichergestellt, dass auf der Ober- und Unterseite des Substratträgers 102 ein identisches Saugvermögen und Flutvermögen erzielt wird. Substrate carrier surface 22 can be so vennieden. The first channel 51 and the second channel 56 are advantageously each dimensioned so that no appreciable pressure gradient arises in the vertical direction. This ensures that on the top and bottom of the substrate support 102, an identical pumping speed and flood capacity is achieved.
Zur Verringerung statischer Druckgradienten beim Evakuieren und Fluten der Kammer 30 können komplexere Strömungskanalanordnungen verwendet werden. Unterhalb des ersten Kanals 51 kann ein weiterer erster Kanal 52 angeordnet sein. Der weitere erste Kanal 52 kann über eine oder mehrere Überströmöffnungen 54 mit dem ersten Kanal 51 kommunizieren. Die Überströmöffnungen 54 können jeweils als Schlitze ausgebildet sein. Eine Fläche der einen oder mehreren Überströmöffnungen 54 kann in Draufsicht kleiner, insbesondere viel kleiner als eine Fläche des weiteren ersten Kanals 52 in einer horizontalen Schnittebene sein. Die Überströmöffnungen 54 zwischen dem ersten Kanal 51 und dem weiteren ersten Kanal 52 sind so angeordnet und dimensioniert, dass über die Längsrichtung des ersten Kanals 51 ein gleichmäßiges Überströmen des Gases zwischen dem ersten Kanal 51 und dem weiteren ersten Kanal 52 erfolgt. Der erste Kanal 51 kann somit als ein oberer Ausgleichskanal und der weitere erste Kanal 52 als ein unterer Ausgleichskanal dienen. Der erste Kanal 51 und der weitere erste Kanal 52 in Kombination können einen Druckausgleich dahingehend bewirken, dass entlang der Längsrichtung des ersten Kanals 51 keine signifikante Änderung des hydrostatischen Drucks beim Evakuieren oder Fluten auftritt und dass entlang der Höhe des ersten Kanals 51 keine signifikante Änderung des hydrostatischen Drucks beim Evakuieren oder Fluten auftritt.  To reduce static pressure gradients in evacuating and flooding chamber 30, more complex flow channel arrangements may be used. Below the first channel 51, a further first channel 52 may be arranged. The further first channel 52 can communicate with the first channel 51 via one or more overflow openings 54. The overflow openings 54 may each be formed as slots. A surface of the one or more overflow openings 54 may be smaller in plan view, in particular much smaller than a surface of the further first channel 52 in a horizontal sectional plane. The overflow openings 54 between the first channel 51 and the further first channel 52 are arranged and dimensioned so that over the longitudinal direction of the first channel 51, a uniform overflow of the gas between the first channel 51 and the other first channel 52 takes place. The first channel 51 may thus serve as an upper equalization channel and the further first channel 52 as a lower equalization channel. The first channel 51 and the further first channel 52 in combination may cause pressure equalization so that along the longitudinal direction of the first channel 51 no significant change in hydrostatic pressure during evacuation or flooding occurs and that along the height of the first channel 51 no significant change in the hydrostatic pressure during evacuation or flooding occurs.
Der ersten Kanal 51 und der weitere erste Kanal 52 können übereinander, also vertikal versetzt, angeordnet sein. Die Überströmöffnungen 54 ermöglichen dabei einen Fluidstrom in vertikaler Richtung zwischen dem ersten Kanal 51 und dem weiteren ersten Kanal 52.  The first channel 51 and the further first channel 52 can be arranged one above the other, that is, offset vertically. The overflow openings 54 allow a fluid flow in the vertical direction between the first channel 51 and the further first channel 52.
Ein Schlitzblech 53a zwischen dem ersten Kanal 51 und dem weiteren ersten Kanal 52 kann in einer im Wesentlichen horizontalen Ebene liegen.  A slot plate 53a between the first channel 51 and the further first channel 52 may lie in a substantially horizontal plane.
Bei einem weiteren Ausfuhrungsbeispiel können der erste Kanal 51 und der weitere erste Kanal 52 auch in Horizontalrichtung versetzt nebeneinander angeordnet sein. Die Überströmöffnungen 54 zwischen dem ersten Kanal 51 und dem weiteren ersten Kanal 52 ermöglichen dabei einen Fluidstrom in horizontaler Richtung. In a further exemplary embodiment, the first channel 51 and the other first channel 52 also be offset in the horizontal direction next to each other. The overflow openings 54 between the first channel 51 and the further first channel 52 thereby allow a fluid flow in the horizontal direction.
Falls die Überströmöffnungen 54 in einem Schlitzblech vorgesehen sind, kann das Schlitzblech in einer im Wesentlichen vertikalen Ebene liegen.  If the overflow openings 54 are provided in a slot plate, the slot plate may lie in a substantially vertical plane.
Der erste Kanal 51 und der weitere erste Kanal 52 können somit als zwei nebeneinander angeordnete Ausgleichskanäle dienen. Der erste Kanal 51 und der weitere erste Kanal 52 in Kombination können einen Druckausgleich dahingehend bewirken, dass entlang der  The first channel 51 and the further first channel 52 can thus serve as two adjacently arranged equalization channels. The first channel 51 and the further first channel 52 in combination may cause pressure equalization so that along the
Längsrichtung des ersten Kanals 51 keine signifikante Änderung des hydrostatischen Drucks beim Evakuieren oder Fluten auftritt und dass entlang der Höhe des ersten Kanals 51 keine signifikante Änderung des hydrostatischen Drucks beim Evakuieren oder Fluten auftritt. In the longitudinal direction of the first channel 51 no significant change in the hydrostatic pressure during evacuation or flooding occurs and that along the height of the first channel 51 no significant change in the hydrostatic pressure during evacuation or flooding occurs.
Die Strömungskanal anordnung kann symmetrisch, insbesondere spiegelsymmetrisch zu einer Mittelebene 90 der Kammer 30 ausgestaltet sein. Unterhalb des zweiten Kanals 56 kann ein weiterer zweiter Kanal 57 angeordnet sein. Der weitere zweite Kanal 57 kann über eine oder mehrere weitere Überströmöffnungen mit dem zweiten Kanal 56 kommunizieren. Die weiteren Überströmöffnungen können jeweils als Schlitze in einem Schlitzblech 58a ausgebildet sein. Ein (nicht dargestelltes) weiteres Prallblech zum Umlenken der  The flow channel arrangement can be designed symmetrically, in particular mirror-symmetrical to a median plane 90 of the chamber 30. Below the second channel 56, a further second channel 57 may be arranged. The further second channel 57 can communicate with the second channel 56 via one or more further overflow openings. The further overflow openings can each be formed as slots in a slot plate 58a. A (not shown) another baffle for deflecting the
Gasströmung kann die weiteren Überströmöffnungen wenigstens teilweise überdecken. Die weiteren Überströmöffnungen zwischen dem zweiten Kanal 56 und dem weiteren zweiten Kanal 57 sind so angeordnet und dimensioniert, dass über die Längsrichtung des zweiten Kanals 56 ein gleichmäßiges Überströmen des Gases zwischen dem zweiten Kanal 56 und dem weiteren zweiten Kanal 57 erfolgt. Der zweite Kanal 56 kann somit als ein oberer Ausgleichskanal und der weitere zweite Kanal 57 als ein unterer Ausgleichskanal dienen. Der zweite Kanal 56 und der weitere zweite Kanal 57 in Kombination können einen Gas flow can at least partially cover the further overflow openings. The further overflow openings between the second channel 56 and the further second channel 57 are arranged and dimensioned such that over the longitudinal direction of the second channel 56 a uniform overflow of the gas takes place between the second channel 56 and the further second channel 57. The second channel 56 can thus serve as an upper equalization channel and the further second channel 57 as a lower equalization channel. The second channel 56 and the further second channel 57 in combination may be one
Druckausgleich dahingehend bewirken, dass entlang der Längsrichtung des zweiten Kanals 56 keine signifikanten Änderungen des hydrostatischen Drucks beim Evakuieren oder Fluten auftreten, und dass entlang der Höhe des zweiten Kanals 56 keine signifikanten Änderungen des hydrostatischen Drucks beim Evakuieren oder Fluten auftreten. Pressure equalization effect that occur along the longitudinal direction of the second channel 56 no significant changes in the hydrostatic pressure during evacuation or flooding, and that occur along the height of the second channel 56 no significant changes in the hydrostatic pressure during evacuation or flooding.
Der zweiten Kanal 56 und der weitere zweite Kanal 57 können übereinander, also vertikal versetzt, angeordnet sein. Die Überströmöffnungen ermöglichen dabei einen  The second channel 56 and the further second channel 57 can be arranged one above the other, that is to say offset vertically. The overflow openings allow one
Fluidstrom in vertikaler Richtung zwischen dem zweiten Kanal 56 und dem weiteren zweiten Kanal 57. Fluid flow in the vertical direction between the second channel 56 and the further second channel 57th
Das Schlitzblech 58a zwischen dem zweiten Kanal 56 und dem weiteren zweiten Kanal 57 kann in einer im Wesentlichen horizontalen Ebene hegen. The slot plate 58a between the second channel 56 and the further second channel 57 may be in a substantially horizontal plane.
Bei einem weiteren Ausfuhrungsbeispiel können der zweite Kanal 56 und der weitere zweite Kanal 57 auch in Horizontalrichtung versetzt nebeneinander angeordnet sein. Die Überströmöffnungen zwischen dem zweiten Kanal 56 und dem weiteren zweiten Kanal 57 ermöglichen dabei einen Fluidstrom in horizontaler Richtung.  In a further exemplary embodiment, the second channel 56 and the further second channel 57 can also be arranged next to one another offset in the horizontal direction. The overflow openings between the second channel 56 and the further second channel 57 thereby allow a fluid flow in the horizontal direction.
Falls die Überströmöffnungen in dem Schlitzblech 58a vorgesehen sind, kann das Schlitzblech in einer im Wesentlichen vertikalen Ebene hegen.  If the overflow openings are provided in the slotted panel 58a, the slotted panel may be supported in a substantially vertical plane.
Der zweite Kanal 56 und der weitere zweite Kanal 57 können somit als zwei nebeneinander angeordnete Ausgleichskanäle dienen. Der zweite Kanal 56 und der weitere zweite Kanal 57 in Kombination können einen Druckausgleich dahingehend bewirken, dass entlang der Längsrichtung des zweiten Kanals 56 keine signifikante Änderung des hydrostatischen Drucks beim Evakuieren oder Fluten auftritt und dass entlang der Höhe des zweiten Kanals 56 keine signifikante Änderung des hydrostatischen Drucks beim Evakuieren oder Fluten auftritt.  The second channel 56 and the further second channel 57 can thus serve as two adjacently arranged equalization channels. The second channel 56 and the further second channel 57 in combination may cause pressure equalization so that there is no significant change in hydrostatic pressure during evacuation or flooding along the longitudinal direction of the second channel 56 and that there is no significant change in the second channel 56 along the length of the second channel 56 hydrostatic pressure during evacuation or flooding occurs.
Wie in Figur 10 dargestellt, können zur Vergleichmäßigung der Gasströmung zwischen dem ersten Kanal 51 und dem weiteren ersten Kanal 52 weitere Elemente vorgesehen sein. As shown in FIG. 10, further elements may be provided to even out the gas flow between the first channel 51 and the further first channel 52.
Die Überströmöffnungen 54 können in einem Schlitzblech 53a vorgesehen sein. Ein The overflow openings 54 may be provided in a slot plate 53a. On
Prallblech 53b zum Umlenken der Gasströmung kann die Überströmöffnungen 54 wenigstens teilweise überdecken. Das Prallblech 53b kann integral mit dem Schlitzblech 53a ausgebildet sein oder kann als ein davon verschiedenes separates Teil vorgesehen sein. Das Prallblech 53b kann nicht- geschlitzt sein. Baffle plate 53b for deflecting the gas flow may at least partially cover the overflow openings 54. The baffle 53b may be formed integrally with the slit plate 53a or may be provided as a separate part different therefrom. The baffle 53b may not be slotted.
Öffnungen zur Verbindung mit einer Evakuierungseinrichtung zum Evakuieren der Kammer 30 oder mit einer Fluteinrichtung zum Fluten der Kammer 30 können an dem weiteren ersten Kanal 52 und dem weiteren zweiten Kanal 57 vorgesehen sein. Diese Öffnungen können zum Innern der Kammer 30 hin mit dem Schlitzblech 53a und/oder dem nicht-geschlitzten Prallblech 53b abgedeckt sein, so dass das einströmende Gas über die Überströmöffnungen 54 und nach Umlenkung am Prallblech 53b in die Kammer 30 eintritt und so insgesamt abgebremst wird. Das Abbremsen des Gases beim Fluten kann durch die Verwendung der Überströmöffnung 54 und/oder durch das Prallblech 53b erfolgen. Die Evakuierungseinrichtung kann eine Pumpe aufweisen. Die Fluteinrichtung kann eine  Openings for connection to an evacuation device for evacuating the chamber 30 or with a flooding device for flooding the chamber 30 may be provided on the further first channel 52 and the further second channel 57. These openings may be covered to the interior of the chamber 30 with the slotted sheet 53a and / or the non-slotted baffle 53b, so that the incoming gas via the overflow 54 and after deflection on the baffle 53b enters the chamber 30 and is slowed down as a whole , The braking of the gas during flooding can be done by the use of the overflow 54 and / or by the baffle 53b. The evacuation device may include a pump. The flood device can a
Einströmöffnung für Gas aufweisen. Have inlet opening for gas.
Diese Ausgestaltungsmerkmale können auch verwendet werden, wenn der erste Kanal 51 und der weitere erste Kanal 52 horizontal zueinander versetzt angeordnet sind und/oder wenn der zweite Kanal 56 und der weitere zweite Kanal 57 horizontal zueinander versetzt angeordnet sind. These design features can also be used when the first channel 51 and the further first channel 52 are arranged horizontally offset from each other and / or when the second channel 56 and the further second channel 57 are arranged horizontally offset from each other.
Die Kammer 30 und die Strömungskanalanordnung mit den Kanälen 51, 52, 56, 57 ist so ausgestaltet, dass die in der Kammer 30 auftretenden Gasströmungen niemals senkrecht zu den auf dem Substratträger 102 positionierten Substraten gerichtet sind.  The chamber 30 and the flow channel arrangement with the channels 51, 52, 56, 57 are designed such that the gas flows occurring in the chamber 30 are never directed perpendicular to the substrates positioned on the substrate carrier 102.
Die Vakuumschleuse 10 kann konfiguriert sein, um die Kammer 30 zweistufig abzupumpen. Dazu kann die Vakuumschleuse 10 ein erstes Pumpventil 71 und ein zweites Pumpventil 72 aufweisen. Das erste Pumpventil 71 und das zweite Pumpventil 72 können unterschiedlich dimensioniert sein und können von einer (nicht dargestellten) Steuerung so angesteuert werden, dass beim Evakuieren sequentiell das erste Pumpventil 71 und das zweite Pumpventil 72 geöffnet werden, um unterschiedliche Druckveränderungsraten in der Kammer 30 zu erzeugen. Das erste Pumpventil 71 und das zweite Pumpventil 72 können beide mit dem weiteren ersten Kanal 52 kommunizieren. Das erste Pumpventil 71 kann mit einem ersten Pumpstutzen 61 kommunizieren, der benachbart dem weiteren ersten Kanal 52 an der Kammer 30 angeordnet ist. Das zweite Pumpventil 72 kann mit einem zweiten Pumpstutzen 62 kommunizieren, der benachbart dem weiteren ersten Kanal 52 an der Kammer 30 angeordnet ist.  The vacuum lock 10 may be configured to pump the chamber 30 in two stages. For this purpose, the vacuum lock 10 may have a first pumping valve 71 and a second pumping valve 72. The first pumping valve 71 and the second pumping valve 72 may have different dimensions and may be controlled by a controller (not shown) so that upon evacuation, the first pumping valve 71 and the second pumping valve 72 are sequentially opened to accommodate different pressure variation rates in the chamber 30 produce. The first pumping valve 71 and the second pumping valve 72 may both communicate with the further first channel 52. The first pumping valve 71 can communicate with a first pumping stub 61, which is arranged adjacent to the further first channel 52 on the chamber 30. The second pumping valve 72 may communicate with a second pumping nozzle 62 disposed adjacent the further first channel 52 at the chamber 30.
Wenn die Kammer 30 über zwei gegenüberliegende Seiten abgepumpt wird, kann eine entsprechende Anordnung mit einem weiteren ersten Pumpventil 76, einem weiteren ersten Pumpstutzen 66, einem weiteren zweiten Pumpventil 77 und einem weiteren zweiten  If the chamber 30 is pumped off via two opposite sides, a corresponding arrangement with a further first pumping valve 76, a further first pumping stub 66, a further second pumping valve 77 and a further second
Pumpstutzen 67 an der gegenüberliegenden Seite der Kammer 30 vorgesehen sein. Die Steuerung kann die Pumpventile 71, 72 und die weiteren Pumpventile 76, 77 so ansteuem, dass beim Evakuieren während eines ersten Zeitintervalls gleichzeitig das zweite Pumpventil 72 und das weitere zweite Pumpventil 77 geöffnet sind, während das erste Pumpventil 71 und das weitere erste Pumpventil 76 geschlossen sind. Die zweiten Ventile 72, 77 können kleiner dimensioniert sein als die ersten Ventile 71,76, so dass ein sanfteres Anpumpen realisiert werden kann. Die Steuerung kann die Pumpventile 71, 72, 76, 77 so ansteuem, dass beim Evakuieren während eines zweiten Zeitintervalls gleichzeitig das erste Pumpventil 71 und das weitere erste Pumpventil 76 geöffnet sind, während das zweite Pumpventil 72 und das weitere zweite Pumpventil 77 ebenfalls geöffnet oder geschlossen sind. Pump stub 67 may be provided on the opposite side of the chamber 30. The control can control the pumping valves 71, 72 and the further pumping valves 76, 77 such that during evacuation the second pumping valve 72 and the further second pumping valve 77 are simultaneously opened during a first time interval, while the first pumping valve 71 and the further first pumping valve 76 are closed. The second valves 72, 77 may be smaller in size than the first valves 71, 76, so that a more gentle pumping can be realized. The controller can the pump valves 71, 72, 76, 77 so control that during evacuation during a second time interval simultaneously the first pumping valve 71 and the other first pumping valve 76 are open, while the second pumping valve 72 and the second pumping further valve 77 also open or are closed.
Das erste Pumpventil 71 und das weitere erste Pumpventil 76 können eine identische Ausgestaltung aufweisen. Das zweite Pumpventil 72 und das weitere zweite Pumpventil 77 können eine identische Ausgestaltung aufweisen. Bevorzugt wird nur eine Pumpeinrichtung verwendet, von der die Schleuse über gegenüberliegende Seiten der Kammer 30 evakuiert wird. Die Verbindungen zwischen der Pumpeinrichtung und den ersten Pumpventilen 71, 76 und den zweiten Pumpventilen 72, 77 können symmetrisch sein, um eine gleiche The first pumping valve 71 and the further first pumping valve 76 may have an identical configuration. The second pumping valve 72 and the further second pumping valve 77 may have an identical configuration. Only one pumping device is preferred used, from which the lock on opposite sides of the chamber 30 is evacuated. The connections between the pumping means and the first pumping valves 71, 76 and the second pumping valves 72, 77 may be symmetrical to equal one
Pumpleistung auf beiden Seiten der Kammer 30 zu bewerkstelligen. Die Seiten können dabei die Stirnseiten oder Längsseiten der Kammer 30 sein. Pumping power on both sides of the chamber 30 to accomplish. The sides can be the front sides or longitudinal sides of the chamber 30.
Die Pumpventile können über Pumpleitungen 63a, 63b, 68a, 68b und eine Verzweigung mit wenigstens einer Pumpe verbunden sein. Die Pumpe, das erste Pumpventil 71 und das weitere erste Pumpventil 76 können konfiguriert sein, während des zweiten Zeitintervalls beim Evakuieren den Druck im Inneren der Kammer mit einer Rate von wenigstens 100 hPa/s, bevorzugt wenigstens 300 hPa/s, weiter bevorzugt von 300 hPa/s bis 500 hPa/s zu verringern.  The pumping valves may be connected via pumping lines 63a, 63b, 68a, 68b and a branch to at least one pump. The pump, the first pumping valve 71 and the further first pumping valve 76 may be configured during the second time interval during evacuation, the pressure inside the chamber at a rate of at least 100 hPa / s, preferably at least 300 hPa / s, more preferably from 300 hPa / s to reduce to 500 hPa / s.
Die Vakuumschleuse 10 kann konfiguriert sein, um die Kammer 30 zweistufig zu fluten. Dazu kann die Vakuumschleuse 10 ein erstes Flutventil 73 und ein zweites Flutventil 74 aufweisen. Das erste Flutventil 73 und das zweite Flutventil 74 können unterschiedlich dimensioniert sein und können von der Steuerung so angesteuert werden, dass beim Fluten sequentiell das erste Flutventil 73 und das zweite Flutventil 74 geöffnet werden, um unterschiedliche zeitliche Druckänderungen in der Kammer 30 zu erzeugen. Das erste Flutventil 73 und das zweite Flutventil 74 können beide über eine Flutleitung 64 mit dem weiteren ersten Kanal 52 kommunizieren. Das erste Flutventil 73 und das zweite Flutventil 74 können beide über eine weitere Flutleitung 69 mit dem weiteren zweiten Kanal 57 kommunizieren. Die Steuerung kann die Flutventile 73, 74 so ansteuem, dass beim Fluten während eines ersten Zeitintervalls das erste Flutventil 73 geöffnet ist, während das zweite Flutventil 74 geschlossen ist. Die Steuerung kann die Flutventile 73, 74 so ansteuem, dass beim Fluten während eines zweiten Zeitintervalls das zweite Flutventil 74 geöffnet ist, während das erste Flutventil 73 geschlossen ist. In einer alternativen Ausführung können, beim Fluten während eines zweiten Zeitintervalls, das erste Flutventil 73 und das zweite Flutventil beide geöffnet werden.  The vacuum lock 10 may be configured to flood the chamber 30 in two stages. For this purpose, the vacuum lock 10 may have a first flood valve 73 and a second flood valve 74. The first flood valve 73 and the second flood valve 74 can be dimensioned differently and can be controlled by the controller so that when flooding sequentially, the first flood valve 73 and the second flood valve 74 are opened to produce different temporal pressure changes in the chamber 30. The first flood valve 73 and the second flood valve 74 can both communicate via a flood line 64 with the other first channel 52. The first flood valve 73 and the second flood valve 74 can both communicate with the further second channel 57 via a further flood line 69. The controller can control the flood valves 73, 74 such that when flooding during a first time interval, the first flood valve 73 is opened while the second flood valve 74 is closed. The controller may control the flood valves 73, 74 so that when flooding during a second time interval, the second flood valve 74 is opened while the first flood valve 73 is closed. In an alternative embodiment, when flooding during a second time interval, the first flood valve 73 and the second flood valve may both be opened.
Bevorzugt wird nur eine Fluteinrichtung verwendet, um die Kammer 30 über zwei Seiten zu fluten. Die Verbindung zwischen dem ersten Flutventil 73 und dem weiteren ersten Kanal 52 und die Verbindung zwischen dem ersten Flutventil 73 und dem weiteren zweiten Kanal 57 können symmetrisch sein, um die Kammer 30 von beiden Seiten der Kammer 30 mit dem gleichen Volumenstrom zu fluten. Die Verbindung zwischen dem zweiten Flutventil 74 und dem weiteren ersten Kanal 52 und die Verbindung zwischen dem zweiten Flutventil 74 und dem weiteren zweiten Kanal 57 können symmetrisch sein, um die Kammer 30 von beiden Seiten der Kammer 30 mit dem gleichen Volumenstrom zu fluten. Die Seiten können dabei die Stirnseiten oder Längsseiten der Kammer 30 sein. Preferably, only one flooding device is used to flood the chamber 30 over two sides. The connection between the first flood valve 73 and the further first channel 52 and the connection between the first flood valve 73 and the further second channel 57 may be symmetrical in order to flood the chamber 30 from both sides of the chamber 30 with the same volume flow. The connection between the second flood valve 74 and the further first channel 52 and the connection between the second flood valve 74 and the other second channel 57 may be symmetrical to flood the chamber 30 from both sides of the chamber 30 with the same volume flow. The sides can be the front sides or longitudinal sides of the chamber 30.
Figur 11 zeigt einen pneumatischen Schaltplan der Vakuumschleuse 30.  FIG. 11 shows a pneumatic circuit diagram of the vacuum lock 30.
Unterschiedlich dimensionierte erste Pumpventile 71 , 76 und zweite Pumpventile 72, 77 sowie unterschiedlich dimensionierte erste und zweite Flutventile 73, 74 ennöglichen ein zweistufiges Abpumpen und ein zweistufiges Fluten der Kammer. Dabei kann Gas beim Fluten symmetrisch an den gegenüberliegenden Seiten der Kammer einströmen und beim Evakuieren symmetrisch an den gegenüberliegenden Seiten der Kammer abgesaugt werden. Differently dimensioned first pumping valves 71, 76 and second pumping valves 72, 77 as well as differently dimensioned first and second flood valves 73, 74 enable a two-stage pumping down and a two-stage flushing of the chamber. In this case gas can flow symmetrically on flooding on the opposite sides of the chamber and be sucked off during evacuation symmetrically on the opposite sides of the chamber.
Das System kann im Hinblick auf seine fluiddynamischen Eigenschaften symmetrisch ausgestaltet sein. Dazu können die Verbindungsleitungen zwischen dem ersten Flutventil 73 und den gegenüberliegenden Seiten der Kammer 30 identische Längen und identische Durchmesser aufweisen und symmetrisch angeordnet sein. Die Verbindungsleitungen zwischen dem zweiten Flutventil 74 und den gegenüberliegenden Seiten der Kammer 30 können identische Längen und identisch Durchmesser aufweisen und können symmetrisch angeordnet sein.  The system can be designed symmetrically with regard to its fluid dynamic properties. For this purpose, the connecting lines between the first flood valve 73 and the opposite sides of the chamber 30 may have identical lengths and identical diameters and be arranged symmetrically. The connecting lines between the second flood valve 74 and the opposite sides of the chamber 30 can have identical lengths and identical diameters and can be arranged symmetrically.
Alternativ oder zusätzlich können die Verbindungsleitungen zwischen der Pumpe und den Pumpventilen 71, 72 identische Längen und identische Durchmesser aufweisen wie die Verbindungsleitungen zwischen der Pumpe und den weiteren Pumpventilen 76, 77. Die Verbindungsleitungen zwischen den Pumpventilen 71 , 72 und einer ersten Seite der  Alternatively or additionally, the connecting lines between the pump and the pumping valves 71, 72 may have identical lengths and identical diameters as the connecting lines between the pump and the further pumping valves 76, 77. The connecting lines between the pumping valves 71, 72 and a first side of the
Schleusenkammer können identische Längen und identische Durchmesser aufweisen wie die Verbindungsleitungen zwischen den Pumpventilen 76, 77 und einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite der Kammer 30.  The lock chamber may have identical lengths and identical diameters as the connecting lines between the pumping valves 76, 77 and a second side of the chamber 30 opposite the first side.
Bei den Seiten der Kammer 30 kann es sich dabei jeweils um die Längsseiten oder die Stirnseiten der Kammer 30 handeln.  The sides of the chamber 30 may each be the longitudinal sides or the end faces of the chamber 30.
Figur 12 und Figur 13 veranschaulichen die Funktionsweise der Vakuumschleuse 10. Figur 12 zeigt ein Geschwindigkeitsfeld 81, 82 einer Gasströmung an der ersten  Figure 12 and Figure 13 illustrate the operation of the vacuum lock 10. Figure 12 shows a velocity field 81, 82 of a gas flow at the first
Substratträgeroberfläche 21 beim Evakuieren der Kammer 30. Figur 13 zeigt ein Substrate carrier surface 21 during evacuation of the chamber 30. Figure 13 shows a
Geschwindigkeitsfeld 83, 84 der Gasströmung an der zweiten Substratträgeroberfläche 22 beim Evakuieren der Kammer 30. Da Gas an entgegengesetzten Seiten über den ersten Kanal 51 und den zweiten Kanal 56 abgesaugt wird, wird ein zur Mittelebene 90 der Kammer 30 im Wesentlichen spiegelsymmetrisches Geschwindigkeitsfeld erzeugt. Für jeden Punkt auf der ersten Substratträgeroberfläche 21 ist die Geschwindigkeit 81, 82 der Gasströmung dabei in Betrag und Richtung gleich der Geschwindigkeit 83, 84 der Gasströmung an dem entsprechenden, gegenüberliegenden Punkt der zweiten Substratträgeroberfläche 22. Statische Druckunterschiede werden reduziert oder weitgehend eliminiert. Velocity field 83, 84 of the gas flow at the second substrate support surface 22 when evacuating the chamber 30. Since gas is sucked on opposite sides via the first channel 51 and the second channel 56, a plane mirror symmetrical to the center plane 90 of the chamber 30 is generated. For each point on the first substrate carrier surface 21, the velocity 81, 82 of the gas flow is in Amount and direction equal to the velocity 83, 84 of the gas flow at the corresponding, opposite point of the second substrate support surface 22. Static pressure differences are reduced or largely eliminated.
Die Ausgestaltung der Strömungskanalanordnung führt zu einem Geschwindigkeitsfeld, das entlang einer Längsrichtung 50 des ersten Kanals 51 homogen ist, so dass keine  The design of the flow channel arrangement leads to a velocity field which is homogeneous along a longitudinal direction 50 of the first channel 51, so that no
Druckgradienten parallel zur Längsrichtung 50 des ersten Kanals 51 an der ersten Pressure gradients parallel to the longitudinal direction 50 of the first channel 51 at the first
Substratträgeroberfläche 21 und der zweiten Substratträgeroberfläche 22 bestehen. Substrate carrier surface 21 and the second substrate carrier surface 22 are made.
Unerwünschte Querströmungen, die zu einer Verschiebung der Substrate an oder in dem Substratträger 102 führen können, können so vermieden werden. Unwanted cross flows, which can lead to a displacement of the substrates on or in the substrate carrier 102, can thus be avoided.
Durch die Vakuumschleuse 10 wird das Risiko einer unerwünschten Verschiebung von Through the vacuum lock 10, the risk of undesirable displacement of
Substraten relativ zum Substratträger 102 und einer Beschädigung der Substrate verringert. Beispielsweise kann ein mit 64 Substraten belegter Substratträger 102 in die Schleuse eingefahren werden, die danach rasch abgepumpt oder geflutet werden kann. Die Größe des Substratträgers 102 kann mehr als 2 m2 betragen. Substrate, die Si- Wafer sein können, können eine Dicke größer als 100 gm, bevorzugt zwischen 120 und 500 gm aufweisen. Bei einer Dicke von 120 gm entspricht dies einem Gewicht von ca. 10 g pro Wafer. Bei einer Substrates reduced relative to the substrate support 102 and damage to the substrates. By way of example, a substrate carrier 102 covered with 64 substrates can be introduced into the lock, which can then be pumped off or flooded quickly. The size of the substrate carrier 102 may be more than 2 m 2 . Substrates that may be Si wafers may have a thickness greater than 100 gm, preferably between 120 and 500 gm. At a thickness of 120 gm this corresponds to a weight of about 10 g per wafer. At a
Waferfläche von 15,6 x 15,6 cm2 = 243 cm2 beträgt die Flächenmasse 10 g / 243 cm2 = 0,041 g/cm2. Somit reicht ein Überdruck von 4,1 Pa an der Unterseite des Wafers, um diesen Wafer bei einer Lagerung senkrecht zum Erdschwerefeld im Substratträger 102 anzuheben. Wafer area of 15.6 × 15.6 cm 2 = 243 cm 2, the basis weight is 10 g / 243 cm 2 = 0.041 g / cm 2 . Thus, an overpressure of 4.1 Pa at the bottom of the wafer is sufficient to lift this wafer when stored perpendicular to the earth's gravity field in the substrate carrier 102.
Weiterhin darf an der ersten Substratträgeroberfläche 21 kein Überdruck entstehen, da ansonsten durch die entstehende Druckdifferenz zwischen Ober- und Unterseite der Wafer durch die Druckkraft zerstört werden könnte. Um dieses zu verhindern, wird durch die erfindungsgemäße Vakuumschleuse sichergestellt, dass die Druckdifferenz zwischen der ersten und zweiten Substratträgeroberfläche 21 , 22 kleiner als 10 Pa, bevorzugt kleiner als 5 Pa, weiter bevorzugt kleiner als 4 Pa bleibt. Experimente bestätigen, dass bei einer Furthermore, no overpressure may arise on the first substrate carrier surface 21, since otherwise the resulting pressure difference between top and bottom of the wafer could be destroyed by the pressure force. To prevent this, it is ensured by the vacuum lock according to the invention that the pressure difference between the first and second substrate carrier surface 21, 22 remains less than 10 Pa, preferably less than 5 Pa, more preferably less than 4 Pa. Experiments confirm that at one
Vakuumschleuse mit einem Volumen von 350 1 Flutzeiten von 5 s erreichbar sind. Dabei wurde in der Anfangsphase des Flutens ein Druckgradient von 350 hPa/s erreicht, was einem Volumenstrom von 120 1/s entspricht. Bei Annäherung des Druckes an den äußeren  Vacuum lock with a volume of 350 1 5 s flooding times are achievable. In this case, a pressure gradient of 350 hPa / s was achieved in the initial phase of flooding, which corresponds to a flow rate of 120 1 / s. When approaching the pressure to the outer
Atmosphärendruck kann der Gradient auf 100 hPa/s abflachen. Unter diesen Umständen, bei denen eine hohe zeitliche Druckänderungsrate auftritt, trat in der Vakuumschleuse 10 keine Bewegung der in den Substratträger 102 eingelegten Wafer auf. Atmospheric pressure, the gradient can flatten to 100 hPa / s. Under these circumstances, where a high rate of pressure change over time occurs, no movement of the wafers loaded in the substrate carrier 102 occurred in the vacuum lock 10.
Die Durchlaufanlage 100 mit der Vakuumschleuse 10, die als Einlassschleuse 110 und/oder als Auslassschleuse 150 verwendet werden kann, erlaubt die effiziente Abscheidung von Schichten oder Schichtsystemen hoher Güte. In Kombination mit einer The continuous system 100 with the vacuum lock 10, which can be used as an inlet lock 110 and / or as an outlet lock 150, allows the efficient separation of layers or layer systems of high quality. In combination with a
plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung können besonders effizient Plasma-assisted chemical vapor deposition can be particularly efficient
Schichtsystem hoher Güte abgeschieden werden. Layer system of high quality are deposited.
Figur 14 zeigt eine dynamische Abscheiderate einer SiNx.H-Antireflexionsschicht auf einem monokristallinen Siliziumwafer als Funktion des Gesamtgasflusses von SiH4 und NH3 in der Durchlaufanlage nach einem Ausführungsbeispiel für unterschiedliche Drücke der Prozessgase. Eine dynamische Abscheiderate von >20nm m/min, bevorzugt >30nm m/min, besonders bevorzugt >40 nm m/min und insbesondere bevorzugt 50 bis 80 nm m/min kann erreicht werden. FIG. 14 shows a dynamic deposition rate of a SiNx.H antireflection layer on a monocrystalline silicon wafer as a function of the total gas flow of SiH 4 and NH 3 in the continuous flow system according to an exemplary embodiment for different pressures of the process gases. A dynamic deposition rate of> 20 nm m / min, preferably> 30 nm m / min, particularly preferably> 40 nm m / min and particularly preferably 50 to 80 nm m / min can be achieved.
Figur 15 zeigt eine mittlere Abscheiderate einer SiNx:H-Antireflexionsschicht auf einem monokristallinen Siliziumwafer in der Durchlaufanlage nach einem Ausführungsbeispiel als Funktion des Drucks für unterschiedliche Gasflussraten. Eine mittlere Abscheiderate >4 nm/s, bevorzugt >5 nm/s und besonders bevorzugt >6 nm/s kann erreicht werden. FIG. 15 shows an average deposition rate of a SiN x : H antireflection coating on a monocrystalline silicon wafer in the continuous-flow system according to one exemplary embodiment as a function of the pressure for different gas flow rates. An average deposition rate> 4 nm / s, preferably> 5 nm / s and particularly preferably> 6 nm / s can be achieved.
Die Durchlaufanlage kann zur Abscheidung von Siliziumnitrid konfiguriert sein. Die Durchlaufanlage kann wenigstens ein Prozessmodul zur Abscheidung von Siliziumnitrid aufweisen.  The continuous system can be configured for the deposition of silicon nitride. The continuous system can have at least one process module for the deposition of silicon nitride.
Die Abscheidung von Siliziumnitrid kann mit einer dynamischen Abscheiderate >20nm m/min, bevorzugt >30nm m/min, besonders bevorzugt >40 nm m/min und insbesondere bevorzugt 50 bis 80 nm m/min erfolgen.  The deposition of silicon nitride can be carried out with a dynamic deposition rate> 20 nm m / min, preferably> 30 nm m / min, more preferably> 40 nm m / min and particularly preferably 50 to 80 nm m / min.
Die Abscheidung von Siliziumnitrid kann mit einer mittleren Abscheiderate >4 nm/s, bevorzugt >5 nm/s und besonders bevorzugt >6 nm/s erfolgen.  The deposition of silicon nitride can be carried out with an average deposition rate> 4 nm / s, preferably> 5 nm / s and particularly preferably> 6 nm / s.
Die Abscheiderate von Siliziumnitrid kann durch die Gasströmungsrate von SiH4 und NH3 variiert und kontrolliert werden, wie in Figur 14 dargestellt ist. The deposition rate of silicon nitride can be varied and controlled by the gas flow rate of SiH 4 and NH 3 , as shown in FIG.
Die Abscheiderate von Siliziumnitrid kann alternativ oder zusätzlich auch durch die RF- Leistung gezielt beeinflusst werden.  The deposition rate of silicon nitride can alternatively or additionally be influenced in a targeted manner by the RF power.
Die Ausdehnung der durch eine Plasmaquelle abgeschiedenen Siliziumnitrid- Beschichtung parallel zur Transportrichtung kann <50cm, bevorzugt <25 cm, besonders bevorzugt <20 cm und insbesondere bevorzugt 5 bis 20 cm betragen. Die Ausdehnung der Beschichtung parallel zur Transportrichtung kann durch die Öffnung der Plasmaquelle, insbesondere die Lage der Öffnung(en) der Gasverteiler, und/oder eine Blende senkrecht zur Transportrichtung zwischen der Plasmaquelle und dem Substratträger bestimmt werden. Bei der Abscheidung von Siliziumnitrid kann die Gesamtgasflussrate pro Plasmaquelle für SiH4 und NH3 im Bereich von 0,5 bis 10 slm (Standard Litern pro Minute), bevorzugt im Bereich von 3 bis 8 slm liegen. The extent of the deposited by a plasma source silicon nitride coating parallel to the transport direction may be <50 cm, preferably <25 cm, more preferably <20 cm and particularly preferably 5 to 20 cm. The extent of the coating parallel to the transport direction can be determined by the opening of the plasma source, in particular the position of the opening (s) of the gas distributor, and / or an aperture perpendicular to the transport direction between the plasma source and the substrate carrier. In the deposition of silicon nitride, the total gas flow rate per SiH 4 and NH 3 plasma source can be in the range of 0.5 to 10 slm (standard liters per minute), preferably in the range of 3 to 8 slm.
Eine Abscheidung von SiNx:H- Schichten kann in einem Druckbereich von >1 Pa und <l00Pa, bevorzugt zwischen 1 Pa bis 60 Pa im Prozessraum erfolgen. Der Druck in anderenDeposition of SiN x : H layers can take place in a pressure range of> 1 Pa and <100 Pa, preferably between 1 Pa and 60 Pa in the process space. The pressure in others
Bereichen der Prozesskammer kann abhängig von der Anbindung der Vakuummessröhren um einen Faktor 0,1-10 abweichen. Bei gegebener Saugleistung der Areas of the process chamber may deviate by a factor of 0.1-10 depending on the connection of the vacuum gauges. For a given suction of the
Vakuumerzeugungs Vorrichtung kann der Druck im Prozessbereich durch Veränderung des Leitwerts (z.B. Blenden, Drosseln) variiert werden.  Vacuum generating device, the pressure in the process area can be varied by changing the conductance (e.g., aperture, chokes).
Eine Massendichte der SiNx:H-Schichten kann durch Prozessparameter wie dieA mass density of the SiN x : H layers can be determined by process parameters such as
Substrattemperatur und die RF-Leistung gesteuert oder geregelt werden. Die Massendichte kann bevorzugt im Bereich von 2,4 bis 2,9 g/cm3 liegen. Substrate temperature and the RF power can be controlled or regulated. The mass density may preferably be in the range of 2.4 to 2.9 g / cm 3 .
Ein Wasserstoffanteil kami durch eine Einstellung von Prozessparametem wie RF- Leistung, Substrattemperatur und Gaszusammensetzung eingestellt werden. Die  A hydrogen content could be set by adjusting process parameters such as RF power, substrate temperature, and gas composition. The
abgeschiedenen SiNx:H-Schichten können einen H-Anteil von >5%, bevorzugt >8% besonders bevorzugt 8% bis 20% aufweisen. deposited SiN x : H layers can have an H content of> 5%, preferably> 8%, particularly preferably 8% to 20%.
Der Brechungsindex der Siliziumnitridschicht kann durch die Gasströmungsrate, insbesondere durch das Verhältnis von SiH4 und NH3, variiert und kontrolliert werden. Es können SiNx:H-Schichten mit einem Brechungsindex von 1,9 bis 2,4 abgeschieden werden Eine fouriertransformierte Infrarotspektroskopie (FTIR) kann zur Bestimmung derThe refractive index of the silicon nitride layer can be varied and controlled by the gas flow rate, in particular by the ratio of SiH 4 and NH 3 . SiN x : H layers with a refractive index of 1.9 to 2.4 can be deposited. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) can be used to determine the
Bindungen und Bindungsdichten in den Siliziumnitridschichten verwendet werden. Ein typisches Absorptionsspektrum ist in Fig. 16 dargestellt. Im Bereich um die Wellenzahl 600- 1300 cm 1 ist die Absorption der [Si-N] -Bindungen ersichtlich. Bei Wellenzahl 2050-2300 cm 1 sind die [Si-H]- und bei Wellenzahlen 3200-3400 cm 1 die [N-H]- Bindungen zu erkennen. Bonds and bond densities can be used in the silicon nitride layers. A typical absorption spectrum is shown in FIG. In the region around the wavenumber 600-1300 cm 1 , the absorption of the [Si-N] bonds can be seen. At wavenumber 2050-2300 cm 1 the [Si-H] - and at wavenumbers 3200-3400 cm 1 the [NH] - bonds can be recognized.
Für die Herstellung von SiNx:H-Schichten mit zufriedenstellender Qualität und zufriedenstellender Lebensdauer wird folgende bevorzugte chemische Zusammensetzung in Bezug auf die Bindungen und die Bindungsdichten bevorzugt: [N-H] 3350 cm 1, [Si-H] 2170-2180 cm 1 mit Bindungsdichten >5xl021 l/cm3, bevorzugt 8-10 xlO21 l/cm3 und [Si-N] 830-840 cm 1 mit Bindungsdichten >100 x 1021 l/cm3, bevorzugt >110 x 1021 l/cm3, insbesondere bevorzugt >120 x 1021 l/cm3. Die Substrattemperatur für die Abscheidung von SiNx:H-Schichten mit zufriedenstellender Qualität und zufriedenstellender Lebensdauer kann unter 600°C, bevorzugt unter 500°C und besonders bevorzugt im Bereich von 300 bis 480°C liegen. For the preparation of SiN x : H layers of satisfactory quality and satisfactory lifetime, the following preferred chemical composition in terms of bonds and bond densities is preferred: [NH] 3350 cm -1 , [Si-H] 2170-2180 cm 1 with bond densities > 5 × 10 21 l / cm 3 , preferably 8-10 × 10 21 l / cm 3 and [Si-N] 830-840 cm 1 with bond densities> 100 × 10 21 l / cm 3 , preferably> 110 × 10 21 l / cm 3 , particularly preferably> 120 × 10 21 l / cm 3 . The substrate temperature for the deposition of SiN x : H layers of satisfactory quality and satisfactory lifetime may be below 600 ° C, preferably below 500 ° C, and more preferably in the range of 300 to 480 ° C.
Mehrschichtsystem aus SiNx:H mit unterschiedlichen Funktionen der Teilschichten, z.B. zur Passivierung und als Antireflexionsbeschichtung, lassen sich durch Variation der Prozessparameter an der einzelnen Plasmaquellen erzielen. Multi-layer system made of SiN x : H with different functions of the sublayers, eg for passivation and as antireflection coating, can be achieved by varying the process parameters at the individual plasma sources.
Die Durchlaufanlage und das Verfahren nach Ausführungsbeispielen erlauben die Abscheidung einer a-SiNx:H-Schicht als Antireflexionsbeschichtung, beispielsweise durch ein Verfahren zur plasmaunterstützten Gasphasenabscheidung unter Verwendung einer induktiv gekoppelten Plasmaquelle (ICP-PECVD-Verfahren). Mit einem ICP-PECVD-Verfahren können die gewünschten dynamischen Abscheideraten erreicht werden. The continuous-flow system and the method according to exemplary embodiments allow the deposition of an a-SiN x : H layer as an antireflection coating, for example by a plasma-assisted vapor deposition method using an inductively coupled plasma source (ICP-PECVD method). With an ICP-PECVD method, the desired dynamic deposition rates can be achieved.
Dabei kann eine induktiv gekoppelte Plasmaquelle (ICP) verwendet werden, die von einem Radioffequenz (RF)-Generator, beispielsweise bei einer Anregungsfrequenz im  In this case, an inductively coupled plasma source (ICP) can be used, which of a radio frequency (RF) generator, for example at an excitation frequency in the
Bereich von 13 MHz bis 100 MHz angeregt wird. Die ICP-Quelle dient zur Erzeugung eines Plasmas auf einer Länge >1000 mm, bevorzugt >1500 mm, besonders bevorzugt >1700 mm. Die RF-Generatoren können eine Leistung >4 kW, bevorzugt >6 KW, besonders bevorzugt 7 bis 30 kW und insbesondere bevorzugt 8 bis 16 kW aufweisen. Der RF-Generator kann gepulst betrieben werden. Range from 13 MHz to 100 MHz is excited. The ICP source is used to generate a plasma over a length> 1000 mm, preferably> 1500 mm, particularly preferably> 1700 mm. The RF generators may have a power> 4 kW, preferably> 6 KW, particularly preferably 7 to 30 kW and particularly preferably 8 to 16 kW. The RF generator can be operated pulsed.
Amorphe SfNx:H-Filme können unter Verwendung von NH3 als Reaktionsgas und SH4 als Precursor abgeschieden werden. Amorphous SfN x : H films can be deposited using NH 3 as the reaction gas and SH 4 as the precursor.
Das NH3 kann direkt in die Plasmakammer geführt werden, um einen Plasmastrahl mit niedriger Energie (<20 eV) zu erzeugen. Das SiH4 kann nahe dem Substrat in den Prozess eingeführt werden, um mit den NHx-PIasmaradikalen den a- SiNx:H-Film zu bilden. Die Substrate können beispielsweise durch Infrarotstrahlung auf Temperaturen von 300°C bis 480°C, beispielsweise von 300°C bis 400°C geheizt werden. The NH 3 can be fed directly into the plasma chamber to generate a plasma jet with low energy (<20 eV). The SiH 4 can be introduced into the process near the substrate to form the a-SiN x : H film with the NH x -Piasmaradikale. The substrates can be heated for example by infrared radiation to temperatures of 300 ° C to 480 ° C, for example from 300 ° C to 400 ° C.
Ein Parameter, durch den die Abscheiderate gesteuert oder geregelt werden kann, ist der Gesamtgasfluss, wie aus Figur 14 und Figur 15 deutlich wird. Durch eine Veränderung der Gaszusammensetzung und Substrattemperatur können die Eigenschaften des abgeschiedenen Films (optische Eigenschaften und Massendichte) für unterschiedliche Gesamtgasflüsse im Wesentlichen konstant gehalten werden. Eine mittlere Abscheiderate >4 nm/s, bevorzugt >5 nm/s und besonders bevorzugt >6 nm/s kann erreicht werden.  One parameter by which the deposition rate can be controlled or regulated is the total gas flow, as shown in FIG. 14 and FIG. By changing the gas composition and substrate temperature, the properties of the deposited film (optical properties and mass density) can be kept substantially constant for different total gas flows. An average deposition rate> 4 nm / s, preferably> 5 nm / s and particularly preferably> 6 nm / s can be achieved.
Die Massendichte ist ein wichtiger Parameter des abgeschiedenen Films, der die Passivierungseigenschaften von a- SiNx:H unmittelbar beeinflusst. Die Massendichte kann insbesondere durch die Substrattemperatur und RF-Leistung beeinflusst werden. Durch Einstellung dieser beiden Parameter und der Gaszusammensetzung (NH3 / SiH4) kann die Massendichte von 2.5 g/cm3 bis 2.9 g/cm3 eingestellt werden, ohne die optischen The bulk density is an important parameter of the deposited film, which directly influences the passivation properties of a-SiN x : H. The mass density can especially influenced by the substrate temperature and RF power. By adjusting these two parameters and the gas composition (NH 3 / SiH 4 ), the mass density of 2.5 g / cm 3 can be adjusted to 2.9 g / cm 3 , without the optical
Eigenschaften des abgeschiedenen Films wesentlich zu beeinflussen. Significantly affect the properties of the deposited film.
Der gesamte Wasserstoffanteil hängt mit der Massendichte zusammen und kann ähnlich wie die Massendichte gesteuert oder geregelt werden. Der Wasserstoffanteil kann durch FTIR bestimmt werden.  The total hydrogen content is related to the mass density and can be controlled or regulated similarly to the mass density. The hydrogen content can be determined by FTIR.
Unter Verwendung eines weiteren, sauerstoffhaltigen Prozessgases können auch Suboxide oder Oxide, wie z.B. SiNxOy:H , a-SixOy:FI (i, n, p) und dergleichen abgeschieden werden, die als Passivier-, Dotier-, Tunnel- und /oder Antireflexionsbeschichtungen auf Halbleitersubstraten verwendet werden können Using a further, oxygen-containing process gas, it is also possible to deposit suboxides or oxides, such as SiN x O y : H, a-Si x O y : FI (i, n, p) and the like, which can be used as passivating, doping, Tunneling and / or antireflection coatings can be used on semiconductor substrates
Mit der Durchlaufanlage und dem Verfahren nach Ausführungsbeispielen können reproduzierbare Dicken von a- SiNx:H-Schichten auf Siliziumzellen erreicht werden. With the continuous-flow system and the method according to exemplary embodiments, reproducible thicknesses of a-SiN x : H layers on silicon cells can be achieved.
Alternativ oder zusätzlich zur Abscheidung von Siliziumnitrid kann die  Alternatively or in addition to the deposition of silicon nitride, the
Durchlaufanlage zur Abscheidung von Aluminiumoxid konfiguriert sein. Die Conveyor be configured for the deposition of alumina. The
Durchlaufanlage kann wenigstens ein Prozessmodul zur Abscheidung von Aluminiumoxid aufweisen.  Continuous installation can have at least one process module for the deposition of aluminum oxide.
Die Abscheidung von Aluminiumoxid kann mit einer dynamischen Abscheiderate pro Plasmaquelle >5 nm m/min, bevorzugt >8 nm m/min, besonders bevorzugt >10 mn m/min und insbesondere bevorzugt 10 bis 20nm m/min erfolgen.  The deposition of aluminum oxide can be carried out with a dynamic deposition rate per plasma source> 5 nm m / min, preferably> 8 nm m / min, more preferably> 10 mn m / min and especially preferably 10 to 20 nm m / min.
Die Abscheidung von Aluminiumoxid kann mit einer mittleren Abscheiderate >0,5 nm/s, bevorzugt >1,0 nm/s und besonders bevorzugt >l,4nm/s erfolgen.  The deposition of aluminum oxide can take place with an average deposition rate of> 0.5 nm / s, preferably> 1.0 nm / s and particularly preferably> 1.4 nm / s.
Die Abscheiderate von Aluminiumoxid kann durch die Gasströmungsrate von einem aluminiumhaltigen Precursor, z.B. (CH3)3Al, und einem sauerstoffhaltigem Reaktivgas, z.B. N20, variiert und kontrolliert werden. Die Abscheiderate von Aluminiumoxid kann auch durch die RF-Leistung gezielt beeinflusst werden. The deposition rate of alumina can be varied and controlled by the gas flow rate of an aluminum-containing precursor, eg, (CH 3 ) 3 Al, and an oxygen-containing reactive gas, eg, N 2 O. The deposition rate of alumina can also be influenced by the RF power.
Die Ausdehnung der durch eine Plasmaquelle abgeschiedenen Aluminiumoxid- Beschichtung in Transportrichtung kann <50cm, bevorzugt <25 cm, besonders bevorzugt <20 cm und insbesondere bevorzugt 5 bis 20 cm sein. Die Ausdehnung der Beschichtung parallel zur Transportrichtung kann durch die Öffnung der Plasmaquelle, insbesondere die Lage der Öffnung(en) der Gasverteiler, und/oder die Breite einer Blende senkrecht zur  The extent of the deposited by a plasma source aluminum oxide coating in the transport direction may be <50 cm, preferably <25 cm, more preferably <20 cm and particularly preferably 5 to 20 cm. The extension of the coating parallel to the transport direction may be through the opening of the plasma source, in particular the position of the opening (s) of the gas distributor, and / or the width of a diaphragm perpendicular to
Transportrichtung zwischen der Plasmaquelle und dem Substratträger bestimmt werden. Bei der Abscheidung von Aluminiumoxid kann eine Gesamtgasflussrate pro Transport direction between the plasma source and the substrate carrier can be determined. In the deposition of alumina, a total gas flow rate per
Plasmaquelle für (CH3)3Al und N20 im Bereich von 0,5 bis 10 slm (Standard Litern pro Minute), bevorzugt im Bereich von 3 bis 8 slm liegen. Plasma source for (CH 3 ) 3 Al and N 2 0 in the range of 0.5 to 10 slm (standard liters per minute), preferably in the range of 3 to 8 slm.
Der Brechungsindex der Aluminiumoxidschicht kann durch die Gasströmungsrate, insbesondere durch das Verhältnis von (CH3)3Al und N20, variiert und kontrolliert werden. The refractive index of the alumina layer can be varied and controlled by the gas flow rate, in particular by the ratio of (CH 3 ) 3 Al and N 2 O.
Es können A10X:H Schichten mit einem Brechungsindex > 1,57 abgeschieden werden.A10 X : H layers with a refractive index> 1.57 can be deposited.
Weitere Schichteigenschaften der Aluminiumoxidschicht können sein: Further layer properties of the aluminum oxide layer can be:
Schichtdicke: 4 - 30 nm, bevorzugt 4 - 20 nm, weiter bevorzugt 4 - 15 nm  Layer thickness: 4 - 30 nm, preferably 4 - 20 nm, more preferably 4 - 15 nm
Defektzustandsdichte: Djt < 2 x 1011 cm 2 eV 1 Defect state density: Dj t <2 × 10 11 cm 2 eV 1
negative feste Ladungen an der Grenzfläche („negative fixed Charge density“):  Negative solid charges at the interface ("negative fixed charge density"):
Qtot.f = -4 x l012 cm ' Qtot.f = -4 x 10 12 cm '
Rekombinationsgeschwindigkeiten: Srear <10 cm 1 Recombination rates: S rear <10 cm 1
Die Substrattemperatur für die Abscheidung von A10X:H-Schichten mit The substrate temperature for the deposition of A10 X : H layers with
zufriedenstellender Qualität und zufriedenstellender Lebensdauer kann unter 600°C, bevorzugt unter 500°C und besonders bevorzugt im Bereich von 200 bis 400°C liegen. satisfactory quality and satisfactory life can be below 600 ° C, preferably below 500 ° C and more preferably in the range of 200 to 400 ° C.
Figur 17 zeigt das Reflexionsspektrum 211 für eine einzelne SiNx:H- Antireflexionsschicht und das Reflexionsspektrum 212 für eine SiN/SiNO-Doppelschicht, die jeweils durch ICP-PECVD mit einem erfmdungsgemäßen Verfahren abgeschieden wurden. Numerisch simulierte Daten sind mit gestrichelten Linien dargestellt. Figure 17 shows the reflection spectrum 211 for a single SiN x : H antireflection layer and the reflection spectrum 212 for a SiN / SiNO double layer, each deposited by ICP-PECVD using a method according to the invention. Numerically simulated data is shown with dashed lines.
Während Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die Figuren beschrieben wurden, können zusätzliche und alternative Merkmale bei weiteren Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. Beispielsweise ist es nicht unbedingt erforderlich, dass wenigstens ein Prozessmodul eine Plasmaquelle aufweist. Dabei können planare Magnetrons und Rohrmagnetrons sowie induktiv und/oder kapazitiv gekoppelte oder durch Mikrowellen angeregte Plasmaquellen für unterschiedliche Beschichtungsverfahren wie PVD (physikalische Gasphasenabscheidung) oder PECVD (plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung) oder andere  While embodiments have been described with reference to the figures, additional and alternative features may be employed in other embodiments. For example, it is not absolutely necessary for at least one process module to have a plasma source. In this case, planar magnetrons and tubular magnetrons and inductively and / or capacitively coupled or microwave excited plasma sources for different coating methods such as PVD (physical vapor deposition) or PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) or others
Plasmaprozesse (z.B. Aktivieren, Ätzen, Reinigen, Implantieren) eingesetzt werden. Ein Schichtsystem aus Einzelschichten kann ohne Vakuumunterbrechung abgeschieden werden, ähnlich wie unter Bezugnahme auf Figur 5 und Figur 6 erläutert. Plasma processes (e.g., activation, etching, cleaning, implanting). A layer system of single layers can be deposited without vacuum interruption, similar to that explained with reference to FIG. 5 and FIG.
Die Durchlaufanlage und das Verfahren können nicht nur zur Herstellung von PERX- oder anderen Siliziumzellen mittels PECVD, zur Aufbringung einer  The continuous flow system and the process can not only for the production of PERX or other silicon cells by means of PECVD, for applying a
Antireflexionsbeschichtung oder Passivierungsschicht oder zur Durchführung einer physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), sondern auch zur Aufbringung transparenter, leitfähiger Beschichtungen wie TCO, ITO, AZO, etc., zur Aufbringung von Antireflection coating or passivation layer or to perform a physical vapor deposition (PVD), but also for the application of transparent, Conductive coatings such as TCO, ITO, AZO, etc., for the application of
Kontaktierungsschichten, zur Aufbringung vollflächiger Metallbeschichtungen Contacting layers, for applying full-surface metal coatings
(beispielsweise Ag, Al, Cu, NiV) oder zur Aufbringung von Barriereschichten verwendet werden, ohne hierauf beschränkt zu sein. (for example Ag, Al, Cu, NiV) or for the application of barrier layers, without being limited thereto.
Die Durchlaufanlage kann als Plattform für verschiedene Vorbehandlungs- und  The continuous flow system can be used as a platform for various pretreatment and
Beschichtungsprozesse ausgestaltet sein, so dass grundlegende konstruktive Elemente wie die Vakuumschleuse, die Transportvorrichtung, die Ausgestaltung der Kammern, der Steuerung und der Automatisierung universell verwendbar sind, während die Art der Plasmaquellen und Vakuumpumpen der spezifischen Anwendung (z.B. Magnetron- Sputtern oder  Coating processes so that basic design elements such as the vacuum lock, transport device, chamber design, control and automation are universally applicable, while the type of plasma sources and vacuum pumps are of the specific application (e.g., magnetron sputtering or vacuum pumping)
plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD)) entsprechend angepasst werden. plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)).
Die folgende Liste von Aspekten definiert weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung: The following list of aspects defines further embodiments of the invention:
Aspekt 1 : Durchlaufanlage zur Beschichtung von Substraten, aufweisend: Aspect 1: Continuous installation for coating substrates, comprising:
ein Prozessmodul oder mehrere Prozessmodul e; und  a process module or a plurality of process modules e; and
eine Vakuumschleuse zum Einschleusen der Substrate oder zum Ausschleusen der a vacuum lock for introducing the substrates or for discharging the
Substrate, wobei die Vakuumschleuse eine Kammer zur Aufnahme eines Substrates, wherein the vacuum lock a chamber for receiving a
Substratträgers mit mehreren Substraten aufweist.  Substrate carrier having a plurality of substrates.
Aspekt 2: Durchlaufanlage nach Aspekt 1, wobei die Vakuumschleuse ferner eine Strömungskanalanordnung zum Evakuieren und Fluten der Kammer aufweist, wobei die Strömungskanalanordnung einen ersten Kanal zum Evakuieren und Fluten der Kammer und einen zweiten Kanal zum Evakuieren und Fluten der Kammer aufweist, wobei der erste Kanal und der zweite Kanal an entgegengesetzten Seiten der Kammer angeordnet sind.  Aspect 2: A continuous flow system according to aspect 1, wherein the vacuum lock further comprises a flow channel arrangement for evacuating and flooding the chamber, the flow channel arrangement having a first channel for evacuating and flooding the chamber and a second channel for evacuating and flooding the chamber, the first channel and the second channel are disposed on opposite sides of the chamber.
Aspekt 3: Durchlaufanlage nach Aspekt 1 oder Aspekt 2, wobei wenigstens ein  Aspect 3: Continuous installation according to aspect 1 or aspect 2, wherein at least one
Prozessmodul eine Plasmaquelle, eine Gaszuführeinrichtung zum Zuführen mehrerer Process module, a plasma source, a gas supply device for feeding a plurality
Prozessgase über getrennte Gasverteiler und wenigstens eine Gasabsaugeinrichtung zum Absaugen der Prozessgase aufweist. Having process gases via separate gas distributor and at least one gas suction device for extracting the process gases.
Aspekt 4: Durchlaufanlage nach Aspekt 3 wobei das wenigstens eine Prozessmodul mit der Plasmaquelle eine erste Gasabsaugeinrichtung, deren Absaugöffnung entlang einer Förderrichtung der Substrate stromaufwärts der Plasmaquelle angeordnet ist, und eine zweite Gasabsaugeinrichtung aufweist, deren Absaugöffnung entlang der Förderrichtung  Aspect 4: Continuous installation according to aspect 3, wherein the at least one process module with the plasma source comprises a first gas suction device whose suction opening is arranged along a conveying direction of the substrates upstream of the plasma source, and a second gas suction device, the suction opening along the conveying direction
stromabwärts der Plasmaquelle angeordnet ist. is arranged downstream of the plasma source.
Aspekt 5: Durchlaufanlage nach Aspekt 3 oder Aspekt 4, wobei die Plasmaquelle und die Gaszuführeinrichtung in einem Anlagenbauteil kombiniert sind, das als Modul von der Durchlaufanlage demontierbar ist. Aspect 5: Continuous installation according to Aspect 3 or Aspect 4, wherein the plasma source and the gas supply device are combined in a plant component which is used as a module by the Continuous system is removable.
Aspekt 6: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte, ferner aufweisend: eine Transporteinrichtung zum kontinuierlichen Transportieren eines Zugs von  Aspect 6: Continuous installation according to one of the preceding aspects, further comprising: a transport device for continuously transporting a train from
Substratträgem durch wenigstens einen Abschnitt der Durchlaufanlage, und Substratträgem through at least a portion of the continuous system, and
ein Überführungsmodul zum Überfuhren des Substratträgers zwischen der  a transfer module for transferring the substrate carrier between the
Vakuumschleuse und der Transporteinrichtung, wobei das Überführungsmodul zwischen der Vakuumschleuse und dem Prozessmodul oder den Prozessmodulen angeordnet ist.  Vacuum lock and the transport device, wherein the transfer module between the vacuum lock and the process module or the process modules is arranged.
Aspekt 7: Durchlaufanlage nach Aspekt 6, wobei das Überführungsmodul eine  Aspect 7: Continuous installation according to aspect 6, wherein the transfer module a
Heizeinrichtung mit Temperaturregelung aufweist, wobei optional die Heizeinrichtung konfiguriert ist, die Substrate von beiden Seiten zu heizen. Heater with temperature control, optionally with the heater configured to heat the substrates from both sides.
Aspekt 8: Durchlaufanlage nach Aspekt 6 oder Aspekt 7, wobei  Aspect 8: Continuous installation according to aspect 6 or aspect 7, wherein
die Vakuumschleuse eine Vakuumschleuse zum Einschleusen der Substrate ist und die Durchlaufanlage ferner eine zweite Vakuumschleuse zum Ausschleusen der Substrate aufweist, wobei die zweite Vakuumschleuse aufweist:  the vacuum lock is a vacuum lock for introducing the substrates, and the pass-through installation also has a second vacuum lock for discharging the substrates, the second vacuum lock having:
eine zweite Kammer zur Aufnahme des Substratträgers und eine zweite Strömungskanalanordnung zum Evakuieren und Fluten der zweiten Kammer, wobei die zweite Strömungskanalanordnung einen dritten Kanal zum Evakuieren und Fluten der zweiten Kammer und einen vierten Kanal zum Evakuieren und Fluten der zweiten Kammer aufweist, wobei der dritte Kanal und der vierte Kanal an entgegengesetzten Seiten der zweiten Kammer angeordnet sind.  a second chamber for receiving the substrate carrier and a second flow channel arrangement for evacuating and flooding the second chamber, the second flow channel arrangement having a third channel for evacuating and flooding the second chamber and a fourth channel for evacuating and flooding the second chamber, the third channel and the fourth channel are disposed on opposite sides of the second chamber.
Aspekt 9: Durchlaufanlage nach Aspekt 8, wobei die Durchlaufanlage ferner aufweist: ein zweites Überführungsmodul zum Überführen des Substratträgers von der  Aspect 9: Continuous installation according to aspect 8, wherein the pass-through system further comprises: a second transfer module for transferring the substrate support from the
Transporteinrichtung zu der diskontinuierlich arbeitenden zweiten Vakuumschleuse. Transport device to the discontinuous second vacuum lock.
Aspekt 10: Durchlaufanlage nach Aspekt 8 oder Aspekt 9, wobei die Durchlaufanlage konfiguriert ist, die Substrate zwischen der ersten Vakuumschleuse und der zweiten  Aspect 10: Continuous flow system according to aspect 8 or aspect 9, wherein the flow plant is configured, the substrates between the first vacuum lock and the second
Vakuumschleuse ohne Unterbrechung eines Vakuums durch die Durchlaufanlage zu transportieren. Vacuum lock without interruption of a vacuum through the conveyor system to transport.
Aspekt 11 : Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei die Durchlaufanlage mehrere Prozessmodule und wenigstens eine zwischen zwei Prozessmodulen angeordnete Transferkammer aufweist.  Aspect 11: Continuous installation according to one of the preceding aspects, wherein the continuous system has a plurality of process modules and at least one transfer chamber arranged between two process modules.
Aspekt 12: Durchlaufanlage nach Aspekt 1 1, wobei die Transferkammer zum  Aspect 12: Continuous flow system according to aspect 1 1, wherein the transfer chamber to the
Überführen der Substrate zwischen den zwei Prozessmodulen konfiguriert ist. Aspekt 13: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei die Durchlaufanlage konfiguriert ist, ein stickstoffhaltiges erstes Prozessgas und ein Transferring the substrates between the two process modules is configured. Aspect 13: Continuous flow system according to one of the preceding aspects, wherein the continuous flow system is configured, a nitrogen-containing first process gas and a
siliziumhaltiges zweites Prozessgas in ein Prozessmodul mit einer Plasmaquelle über separate Gasverteiler zuzuführen. to supply silicon-containing second process gas in a process module with a plasma source via separate gas distributor.
Aspekt 14: Durchlaufanlage nach Aspekt 13, wobei die Durchlaufanlage konfiguriert ist, ein sauerstoffhaltiges drittes Prozessgas und ein aluminiumhaltiges viertes Prozessgas in ein weiteres Prozessmodul mit einer weiteren Plasmaquelle zuzufuhren.  Aspect 14: Continuous flow system according to aspect 13, wherein the continuous flow system is configured to supply an oxygen-containing third process gas and an aluminum-containing fourth process gas into another process module with a further plasma source.
Aspekt 14: Durchlaufanlage nach Aspekt 13 oder Aspekt 14, wobei die  Aspect 14: Continuous flow system according to aspect 13 or aspect 14, wherein the
Durchlaufanlage eine Durchlaufanlage zur Herstellung von Solarzellen ist, insbesondere zur Herstellung einer der folgenden Solarzellen ist: PERC („Passivated Emitter Rear Cell“)-Zelle; PERT (Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffiised Back Surface Field)-Zelle; PERL (Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field)-Zelle; Heterojunction-Solarzelle; Solarzelle mit passivierten Kontakten. Continuous flow plant is a continuous plant for the production of solar cells, in particular for the production of one of the following solar cells is: Passaged Emitter Rear Cell (PERC) cell; PERT (Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffused Back Surface Field) cell; PERL (Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field) cell; Heterojunction solar cell; Solar cell with passivated contacts.
Aspekt 16: Durchlaufanlage nach Aspekt 13, wobei die Durchlaufanlage eine  Aspect 16: Continuous installation according to aspect 13, wherein the continuous installation a
Durchlaufanlage zum Aufbringen einer Antireflexionsbeschichtung ist. Continuous flow system for applying an anti-reflection coating is.
Aspekt 17: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei die Durchlaufanlage eine Durchlaufanlage zum Beschichten kristalliner Siliziumwafer ist.  Aspect 17: Continuous installation according to one of the preceding aspects, wherein the continuous installation is a continuous installation for coating crystalline silicon wafers.
Aspekt 18: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei die Vakuumschleuse derart konfiguriert ist, dass ein Druckunterschied zwischen  Aspect 18: Continuous flow system according to one of the preceding aspects, wherein the vacuum lock is configured such that a pressure difference between
Substratträgeroberflächen des Substratträgers maximal 10 Pa, bevorzugt maximal 5 Pa, besonders bevorzugt maximal 4Pa beträgt, wenn bei einem Abpumpvorgang oder Substrate support surfaces of the substrate support is at most 10 Pa, preferably at most 5 Pa, more preferably at most 4 Pa, when in a pumpdown or
Flutvorgang der Kammer eine Druckänderungsrate 100 hPa/s, bevorzugt 300 hPa/s übersteigt. Flooding the chamber exceeds a pressure change rate 100 hPa / s, preferably 300 hPa / s.
Aspekt 19: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte, die zur  Aspect 19: Continuous installation according to one of the preceding aspects, which belongs to
Bearbeitung von wenigstens 4000 Substraten pro Stunde, bevorzugt von wenigstens 5000 Substraten pro Stunde konfiguriert ist. Processing of at least 4000 substrates per hour, preferably configured by at least 5000 substrates per hour.
Aspekt 20: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei eine Zykluszeit der Durchlaufanlage weniger als 60 s, bevorzugt weniger als 50 s, weiter bevorzugt weniger als 45 s beträgt.  Aspect 20: Continuous installation according to one of the preceding aspects, wherein a cycle time of the continuous installation is less than 60 s, preferably less than 50 s, more preferably less than 45 s.
Aspekt 21 : Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei eine mittlere Transportgeschwindigkeit in der Durchlaufanlage wenigstens 26 mm/s, bevorzugt wenigstens 30 mm/s, weiter bevorzugt wenigstens 33 mm/s beträgt.  Aspect 21: Continuous installation according to one of the preceding aspects, wherein an average transport speed in the continuous installation is at least 26 mm / s, preferably at least 30 mm / s, more preferably at least 33 mm / s.
Aspekt 22: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei eine Arbeitsdauer zum Abpumpen der Vakuumschleuse weniger als 25 s, bevorzugt weniger als 20 s, weiter bevorzugt weniger als 18 s beträgt. Aspect 22: Continuous installation according to one of the preceding aspects, wherein a working time for pumping off the vacuum lock is less than 25 s, preferably less than 20 s, more preferably less than 18 s.
Aspekt 23 : Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei die Kammer der Vakuumschleuse ein Kammeroberteil und einem Kammerunterteil und eine erste und eine zweite Innenoberfläche aufweist.  Aspect 23: A flow system according to any one of the preceding aspects, wherein the chamber of the vacuum lock comprises a chamber top and a chamber bottom and a first and a second inner surface.
Aspekt 24: Durchlaufanlage nach Aspekt 23 in Abhängigkeit von Aspekt 2, wobei die Aspect 24: Continuous installation according to Aspect 23 as a function of Aspect 2, wherein the
Strömungskanalanordnung konfiguriert ist, eine Gasströmung sowohl in einem ersten Bereich zwischen der ersten Innenoberfläche und einer der ersten Innenoberfläche Flow channel arrangement is configured, a gas flow in both a first region between the first inner surface and one of the first inner surface
gegenüberliegenden ersten Substratträgeroberfläche als auch in einem zweiten Bereich zwischen der zweiten Innenoberfläche und einer der zweiten Innenoberfläche opposite first substrate carrier surface as well as in a second region between the second inner surface and one of the second inner surface
gegenüberliegenden zweiten Substratträgeroberfläche hervorzurufen. cause the opposite second substrate carrier surface.
Aspekt 25: Durchlaufanlage nach Aspekt 24, wobei ein Verhältnis eines ersten  Aspect 25: Continuous flow system according to aspect 24, wherein a ratio of a first
Abstands dl zwischen der ersten Innenoberfläche und der ersten Substratträgeroberfläche zu einer Länge L des Substratträgers kleiner als 0,1, bevorzugt kleiner als 0,05, weiter bevorzugt kleiner als 0,025 ist. Distance dl between the first inner surface and the first substrate carrier surface to a length L of the substrate carrier is less than 0.1, preferably less than 0.05, more preferably less than 0.025.
Aspekt 26: Durchlaufanlage nach Aspekt 24 oder Aspekt 25, wobei ein Verhältnis eines zweitens Abstands d2 zwischen der zweiten Innenoberfläche und der zweiten  Aspect 26: Continuous flow system according to aspect 24 or aspect 25, wherein a ratio of a second distance d2 between the second inner surface and the second one
Substratträgeroberfläche zu einer Länge L des Substratträgers kleiner als 0,1, bevorzugt kleiner als 0,05, weiter bevorzugt kleiner als 0,025 ist. Substrate carrier surface to a length L of the substrate carrier is less than 0.1, preferably less than 0.05, more preferably less than 0.025.
Aspekt 27: Durchlaufanlage nach einem der Aspekte 23 bis 26, wobei die  Aspect 27: Continuous installation according to one of the aspects 23 to 26, wherein the
Vakuumschleuse so konfiguriert ist, dass ein Verhältnis eines ersten Strömungswiderstands zwischen dem Substratträger und der ersten Innenoberfläche zu einem zweiten Vacuum lock is configured so that a ratio of a first flow resistance between the substrate carrier and the first inner surface to a second
Strömungswiderstand zwischen dem Substratträger und der zweiten Innenoberfläche zwischen 0,95 und 1,05, bevorzugt zwischen 0,97 und 1,03, liegt. Flow resistance between the substrate carrier and the second inner surface is between 0.95 and 1.05, preferably between 0.97 and 1.03.
Aspekt 28: Durchlaufanlage nach einem der Aspekte 23 bis 27, wobei ein  Aspect 28: Continuous installation according to one of the aspects 23 to 27, wherein a
Druckunterschied zwischen der ersten Substratträgeroberfläche und der zweiten Pressure difference between the first substrate carrier surface and the second
Substratträgeroberfläche maximal lOPa, bevorzugt maximal 5 Pa, besonders bevorzugt maximal 4 Pa beträgt, wenn bei einem Evakuieren oder Fluten der Kammer eine  Substrate support surface maximum lOPa, preferably not more than 5 Pa, more preferably not more than 4 Pa, if in an evacuation or flooding of the chamber a
Druckänderungsrate in der Kammer 100 hPa/s, bevorzugt 300 hPa/s übersteigt. Pressure change rate in the chamber exceeds 100 hPa / s, preferably 300 hPa / s.
Aspekt 29: Durchlaufanlage nach einem der Aspekte 23 bis 28, wobei der Substratträger so zwischen der ersten und der zweiten Innenoberfläche positioniert wird, dass  Aspect 29: Continuous flow system according to one of the aspects 23 to 28, wherein the substrate carrier is positioned between the first and the second inner surface, that
|di - d2|/max(di, d2) < 15 %, bevorzugt |df - d2|/max(di, d2) < 8 %, | di -d 2 | / max (di, d 2 ) <15%, preferably | d f -d 2 | / max (di, d 2 ) <8%,
wobei d) ein erster Abstand zwischen der ersten Substratträgeroberfläche und der ersten Innenoberfläche ist und d2 ein zweiter Abstand zwischen der zweiten Substratträgeroberfläche und der zweiten Innenoberfläche ist. wherein d) is a first distance between the first substrate carrier surface and the first inner surface and d 2 is a second distance between the second substrate carrier surface and the second inner surface.
Aspekt 30: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte in Abhängigkeit von Aspekt 2, wobei die Strömungskanalanordnung konfiguriert ist, beim Fluten und/oder Evakuieren der Kammer eine senkrecht zu einer Längsrichtung des ersten Kanals gerichtete Gasströmung an wenigstens einem Bereich einer ersten Substratträgeroberfläche und wenigstens einem Bereich einer zweiten Substratträgeroberfläche zu erzeugen und  Aspect 30: A flow system according to any one of the preceding aspects as dependent on Aspect 2, wherein the flow channel assembly is configured to flood and / or evacuate the chamber a gas flow directed perpendicularly to a longitudinal direction of the first channel at at least a portion of a first substrate support surface and at least one region to produce a second substrate carrier surface and
Querströmungen parallel zur Längsrichtung des ersten Kanals in dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich zu unterbinden. To prevent transverse flows parallel to the longitudinal direction of the first channel in the first region and the second region.
Aspekt 31 : Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte in Abhängigkeit von Aspekt 2, wobei der erste Kanal und der zweite Kanal parallel zueinander sind.  Aspect 31: Continuous installation according to one of the preceding aspects, dependent on aspect 2, wherein the first channel and the second channel are parallel to one another.
Aspekt 32: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte in Abhängigkeit von Aspekt 2, wobei der erste Kanal und der zweite Kanal an Stirnseiten der Kammer der Vakuumschleuse angeordnet sind.  Aspect 32: Continuous installation according to one of the preceding aspects as a function of Aspect 2, wherein the first channel and the second channel are arranged on end faces of the chamber of the vacuum lock.
Aspekt 33: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte in Abhängigkeit von Aspekt 2, wobei der erste Kanal und der zweite Kanal um mindestens eine Länge des Substratträgers voneinander beabstandet sind.  Aspect 33: A flow plant according to any one of the preceding aspects as dependent on Aspect 2, wherein the first channel and the second channel are spaced apart by at least a length of the substrate support.
Aspekt 34: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte in Abhängigkeit von Aspekt 2, wobei der erste Kanal und der zweite Kanal in Bezug auf eine Mittelebene der Kammer spiegelsymmetrisch zueinander angeordnet sind.  Aspect 34: Continuous flow system according to one of the preceding aspects as a function of aspect 2, wherein the first channel and the second channel are arranged with respect to a center plane of the chamber mirror-symmetrical to each other.
Aspekt 35: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte in Abhängigkeit von Aspekt 2, wobei die Strömungskanal anordnung einen weiteren ersten Kanal aufweist, der durch wenigstens eine Überströmöffnung mit dem ersten Kanal in einer Fluidverbindung steht, und/oder wobei die Strömungskanalanordnung einen weiteren zweiten Kanal aufweist, der durch wenigstens eine zweite Überströmöffnung mit dem zweiten Kanal in einer  Aspect 35: Continuous installation according to one of the preceding aspects as a function of Aspect 2, wherein the flow channel arrangement has a further first channel, which is in fluid communication with the first channel through at least one overflow opening, and / or wherein the flow channel arrangement has a further second channel at least one second overflow opening with the second channel in one
Fluidverbindung steht. Fluid connection is.
Aspekt 36: Durchlaufanlage nach Aspekt 35, ferner mit einer Einrichtung zur  Aspect 36: Continuous installation according to Aspect 35, further comprising means for
Vergleichmäßigung der Strömung zwischen dem ersten Kanal und dem weiteren ersten Kanal, die die wenigstens eine Überströmöffnung aufweist, wobei optional die Equalization of the flow between the first channel and the further first channel, which has the at least one overflow opening, wherein optionally the
Überströmöffnung kleiner als ein Querschnitt des weiteren ersten Kanales ist; und/oder Overflow is smaller than a cross section of the other first channel; and or
ferner mit einer Einrichtung zur Vergleichmäßigung der Strömung zwischen dem zweiten Kanal und dem weiteren zweiten Kanal, die die wenigstens eine zweite  further comprising means for equalizing the flow between the second channel and the further second channel, the at least one second
Überströmöffnung aufweist, wobei optional die zweite Überströmöffnung kleiner als ein Querschnitt des weiteren zweiten Kanales ist. Aspekt 37: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte in Abhängigkeit von Aspekt 2, wobei die Strömungskanalanordnung konfiguriert ist, beim Fluten und/oder Evakuieren der Kammer die Gasströmung derart zu erzeugen, dass an einer ersten Has overflow opening, wherein optionally the second overflow opening is smaller than a cross section of the further second channel. Aspect 37: Continuous flow system according to one of the preceding aspects, dependent on Aspect 2, wherein the flow channel arrangement is configured to generate the gas flow during flooding and / or evacuation of the chamber in such a way that at a first
Substratträgeroberfläche und einer zweiten Substratträgeroberfläche ein Druckgradient in einer Richtung parallel zur Längsrichtung des wenigstens einen Kanals minimiert wird. Substrate carrier surface and a second substrate carrier surface, a pressure gradient in a direction parallel to the longitudinal direction of the at least one channel is minimized.
Aspekt 38: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte in Abhängigkeit von Aspekt 2, wobei sich der erste Kanal und der zweite Kanal senkrecht oder parallel zu einer Transportrichtung des Substratträgers in der Durchlaufanlage erstrecken.  Aspect 38: Continuous installation according to one of the preceding aspects as a function of aspect 2, wherein the first channel and the second channel extend perpendicular or parallel to a transport direction of the substrate carrier in the continuous system.
Aspekt 39: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte in Abhängigkeit von Aspekt 2, wobei die Durchlaufanlage konfiguriert ist, den Substratträger beim Fluten und Evakuieren der Kammer nicht-überlappend mit dem ersten Kanal und dem zweiten Kanal zu positionieren.  Aspect 39: A flow system according to any one of the preceding aspects as dependent on aspect 2, wherein the flow system is configured to position the substrate support non-overlapping with the first channel and the second channel upon flooding and evacuating the chamber.
Aspekt 40: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte in Abhängigkeit von Aspekt 2, wobei der erste Kanal und der zweite Kanal jeweils eine Öffnung für eine Fluidverbindung mit einer Fluteinrichtung und/oder einer Evakuierungseinrichtung aufweist.  Aspect 40: A continuous flow installation according to one of the preceding aspects, dependent on Aspect 2, wherein the first channel and the second channel each have an opening for a fluid connection to a flooding device and / or an evacuation device.
Aspekt 41 : Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte in Abhängigkeit von Aspekt 2, wobei die Vakuumschleuse ferner ein Gasprallblech zur Ablenkung eines Gasstromes gegen eine Wand der Kammer beim Fluten aufweist.  Aspect 41: A continuous flow plant according to any one of the preceding aspects as dependent on aspect 2, wherein the vacuum lock further comprises a gas baffle for deflecting a flow of gas against a wall of the chamber during flooding.
Aspekt 42: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei die Vakuumschleuse ferner wenigstens einem Anschlussstutzen zur Verbindung mit einer Evakuierungseinrichtung und/oder einer Fluteinrichtung aufweist.  Aspect 42: Continuous installation according to one of the preceding aspects, wherein the vacuum lock further comprises at least one connecting piece for connection to an evacuation device and / or a flooding device.
Aspekt 43: Durchlaufanlage nach einem der vorhergehenden Aspekte, wobei die Durchlaufanlage ferner wenigstens einer Ventilanordnung aufweist, die zwischen der Kammer und der Evakuierungseinrichtung und/oder Fluteinrichtung vorgesehen ist.  Aspect 43: Continuous installation according to one of the preceding aspects, wherein the continuous installation further comprises at least one valve arrangement which is provided between the chamber and the evacuation device and / or flooding device.
Aspekt 44: Durchlaufanlage nach Aspekt 43, wobei die Ventilanordnung ein erstes Ventil und ein zweites Ventil, die unterschiedlich dimensioniert sind, aufweist.  Aspect 44: Continuous flow system according to aspect 43, wherein the valve arrangement comprises a first valve and a second valve, which are dimensioned differently.
Aspekt 45: Durchlaufanlage nach Aspekt 44, wobei die Durchlaufanlage eine Steuerung zum Ansteuem des ersten Ventils und des zweiten Ventils für ein zweistufiges Fluten oder ein zweistufiges Evakuieren der Kammer aufweist.  Aspect 45: A continuous flow system according to aspect 44, wherein the continuous flow system comprises a controller for driving the first valve and the second valve for a two-stage flooding or a two-stage evacuation of the chamber.
Aspekt 46: Durchlaufanlage nach einem der Aspekte 42 bis 45, ferner mit zueinander symmetrisch ausgestalteten Fluidverbindungsleitungen zwischen der  Aspect 46: Continuous installation according to one of the aspects 42 to 45, further with mutually symmetrically designed fluid connection lines between the
Evakuierungseinrichtung und entgegengesetzten Seiten der Kammer und/oder zueinander symmetrisch ausgestalteten Fluidverbindungsleitungen zwischen der Fluteinrichtung und entgegengesetzten Seiten der Kammer. Evacuation device and opposite sides of the chamber and / or mutually symmetrically designed fluid communication lines between the flooding device and opposite sides of the chamber.
Aspekt 47: Durchlaufanlage nach Aspekt 46, wobei die Fluidverbindungsleitungen die entgegengesetzten Seiten der Kammer mit einer gemeinsamen Evakuierungseinrichtung oder mit einer gemeinsamen Fluteinrichtung verbinden.  Aspect 47: Continuous flow system according to aspect 46, wherein the fluid communication lines connect the opposite sides of the chamber to a common evacuation device or to a common flooding device.
Aspekt 48: Verfahren zum Beschichten von Substraten in einer Durchlaufanlage, die ein Aspect 48: Method of Coating Substrates in a Continuous Flow Plant Using
Prozessmodul oder mehrere Prozessmodule aufweist, wobei das Verfahren aufweist: Process module or multiple process modules, the method comprising:
Einschleusen der Substrate in die Durchlaufanlage unter Verwendung einer ersten Introducing the substrates into the conveyor system using a first
V akuumschl euse, V akuumschl euse,
Behandeln der Substrate in dem Prozessmodul oder den Prozessmodulen und Ausschleusen der Substrate aus der Durchlaufanlage unter Verwendung einer zweiten Vakuumschleuse,  Treating the substrates in the process module or the process modules and discharging the substrates from the continuous system using a second vacuum lock,
wobei wenigstens eine der ersten und zweiten Vakuumschleusen eine Kammer zur Aufnahme eines Substratträgers mit daran gehaltenen Substraten aufweist.  wherein at least one of the first and second vacuum locks has a chamber for receiving a substrate carrier having substrates held thereon.
Aspekt 49: Verfahren nach Aspekt 48, wobei die wenigstens eine der ersten und zweiten Vakuumschleusen eine Strömungskanalanordnung zum Evakuieren und Fluten der Kammer, wobei die Strömungskanalanordnung einen ersten Kanal zum Evakuieren und Fluten der Kammer und einen zweiten Kanal zum Evakuieren und Fluten der Kammer aufweist, wobei der erste Kanal und der zweite Kanal an entgegengesetzten Seiten der Kammer angeordnet sind.  Aspect 49: The method of aspect 48, wherein the at least one of the first and second vacuum locks comprises a flow channel arrangement for evacuating and flooding the chamber, the flow channel arrangement having a first channel for evacuating and flooding the chamber and a second channel for evacuating and flooding the chamber; wherein the first channel and the second channel are disposed on opposite sides of the chamber.
Aspekt 50: Verfahren nach Aspekt 48 oder Aspekt 49, wobei die erste Vakuumschleuse und die zweite Vakuumschleuse jeweils derart konfiguriert sind, dass ein Druckunterschied zwischen Substratträgeroberflächen des Substratträgers maximal 10 Pa, bevorzugt maximal 5 Pa, besonders bevorzugt maximal 4Pa beträgt, wenn bei einem Abpumpvorgang oder  Aspect 50: Method according to aspect 48 or aspect 49, wherein the first vacuum lock and the second vacuum lock are each configured such that a pressure difference between substrate carrier surfaces of the substrate carrier is at most 10 Pa, preferably at most 5 Pa, particularly preferably at most 4 Pa when in a pumpdown process or
Flutvorgang der Kammer eine Druckänderungsrate 100 hPa/s, bevorzugt 300 hPa/s übersteigt. Flooding the chamber exceeds a pressure change rate 100 hPa / s, preferably 300 hPa / s.
Aspekt 51 : Verfahren nach einem der Aspekte 48 bis 50, wobei die Substrate kristalline Aspect 51: A method according to any one of aspects 48 to 50, wherein the substrates are crystalline
Siliziumwafer sind. Silicon wafers are.
Aspekt 52: Verfahren nach einem der Aspekte 48 bis 51, wobei die Durchlaufanlage wenigstens 4000 Substraten pro Stunde, bevorzugt wenigstens 5000 Substraten pro Stunde bearbeitet.  Aspect 52: Method according to one of aspects 48 to 51, wherein the continuous processing plant processes at least 4,000 substrates per hour, preferably at least 5,000 substrates per hour.
Aspekt 53: Verfahren nach einem der Aspekte 48 bis 52, wobei eine Zykluszeit der Aspect 53: Method according to one of the aspects 48 to 52, wherein a cycle time of the
Durchlaufanlage weniger als 60 s, bevorzugt weniger als 50 s, weiter bevorzugt weniger als 45 s beträgt. Continuous flow system less than 60 s, preferably less than 50 s, more preferably less than 45 s.
Aspekt 54: Verfahren nach einem der Aspekte 48 bis 53, wobei eine mittlere Transportgeschwindigkeit in der Durchlaufanlage wenigstens 26 mm/s, bevorzugt wenigstens 30 mm/s, weiter bevorzugt wenigstens 33 mm/s beträgt. Aspect 54: Method according to any one of aspects 48 to 53, wherein a mean Transport speed in the continuous system at least 26 mm / s, preferably at least 30 mm / s, more preferably at least 33 mm / s.
Aspekt 55: Verfahren nach einem der Aspekte 48 bis 54, wobei eine Arbeitsdauer der Vakuumschleuse weniger als 25 s, bevorzugt weniger als 20 s, weiter bevorzugt weniger als 18 s beträgt.  Aspect 55: The method of any one of aspects 48 to 54, wherein a duration of operation of the vacuum lock is less than 25 seconds, preferably less than 20 seconds, more preferably less than 18 seconds.
Aspekt 56: Verfahren nach einem der Aspekte 48 bis 55, wobei die Kammer ein Kammeroberteil und einem Kammerunterteil und eine erste und eine zweite Innenoberfläche aufweist.  Aspect 56: The method of any of aspects 48 to 55, wherein the chamber has a chamber top and a chamber bottom, and first and second inner surfaces.
Aspekt 57: Verfahren nach Aspekt 56 in Abhängigkeit von Aspekt 49, wobei die Strömungskanalanordnung konfiguriert ist, eine Gasströmung sowohl in einem ersten Bereich zwischen der ersten Innenoberfläche und einer der ersten Innenoberfläche  Aspect 57: The method of aspect 56 as dependent on aspect 49, wherein the flow channel assembly is configured to provide gas flow in both a first region between the first inner surface and one of the first inner surface
gegenüberliegenden ersten Substratträgeroberfläche als auch in einem zweiten Bereich zwischen der zweiten Innenoberfläche und einer der zweiten Innenoberfläche opposite first substrate carrier surface as well as in a second region between the second inner surface and one of the second inner surface
gegenüberliegenden zweiten Substratträgeroberfläche hervorzurufen. cause the opposite second substrate carrier surface.
Aspekt 58: Verfahren nach Aspekt 57, wobei ein Verhältnis eines ersten Abstands dl zwischen der ersten Innenoberfläche und der ersten Substratträgeroberfläche zu einer Länge L des Substratträgers kleiner als 0,1 , bevorzugt kleiner als 0,05, weiter bevorzugt kleiner als 0,025 ist.  Aspect 58: The method of aspect 57, wherein a ratio of a first distance dl between the first inner surface and the first substrate carrier surface to a length L of the substrate carrier is less than 0.1, preferably less than 0.05, more preferably less than 0.025.
Aspekt 59: Verfahren nach Aspekt 57 oder Aspekt 58, wobei ein Verhältnis eines zweitens Abstands d2 zwischen der zweiten Innenoberfläche und der zweiten  Aspect 59: A method according to aspect 57 or aspect 58, wherein a ratio of a second distance d2 between the second inner surface and the second one
Substratträgeroberfläche zu einer Länge L des Substratträgers kleiner als 0,1, bevorzugt kleiner als 0,05, weiter bevorzugt kleiner als 0,025 ist. Substrate carrier surface to a length L of the substrate carrier is less than 0.1, preferably less than 0.05, more preferably less than 0.025.
Aspekt 60: Verfahren nach einem der Aspekte 57 bis 59, wobei ein Verhältnis eines ersten Strömungswiderstands zwischen dem Substratträger und der ersten Innenoberfläche zu einem zweiten Strömungswiderstand zwischen dem Substratträger und der zweiten  Aspect 60: The method of any one of aspects 57 to 59, wherein a ratio of a first flow resistance between the substrate carrier and the first inner surface to a second flow resistance between the substrate carrier and the second
Innenoberfläche zwischen 0,95 und 1,05, bevorzugt zwischen 0,97 und 1,03, liegt. Inner surface between 0.95 and 1.05, preferably between 0.97 and 1.03, is located.
Aspekt 61 : Verfahren nach einem der Aspekte 57 bis 60, wobei ein Druckunterschied zwischen der ersten Substratträgeroberfläche und der zweiten Substratträgeroberfläche maximal 1 OPa, bevorzugt maximal 5 Pa, besonders bevorzugt maximal 4 Pa beträgt, wenn bei einem Evakuieren oder Fluten der Kammer eine Druckänderungsrate in der Kammer 100 hPa/s, bevorzugt 300 hPa/s übersteigt.  Aspect 61: Method according to one of the aspects 57 to 60, wherein a pressure difference between the first substrate carrier surface and the second substrate carrier surface is a maximum of 1 OPa, preferably a maximum of 5 Pa, more preferably a maximum of 4 Pa, if a rate of pressure change during evacuation or flooding of the chamber the chamber exceeds 100 hPa / s, preferably 300 hPa / s.
Aspekt 62: Verfahren nach einem der Aspekte 57 bis 61 , wobei der Substratträger so zwischen der ersten und der zweiten Innenoberfläche positioniert wird, dass jdi - d2|/max(di, d2) < 15 %, bevorzugt }d - d2j/max(d , d2) < 8 %, Aspect 62: The method of any one of aspects 57 to 61, wherein the substrate carrier is positioned between the first and second inner surfaces jdi - d 2 | / max (di, d 2 ) <15%, preferably} d - d 2j / max (d, d 2 ) <8%,
wobei di ein erster Abstand zwischen der ersten Substratträgeroberfläche und der ersten Innenoberfläche ist und d2 ein zweiter Abstand zwischen der zweiten Substratträgeroberfläche und der zweiten Innenoberfläche ist. wherein di is a first distance between the first substrate carrier surface and the first inner surface, and d 2 is a second distance between the second substrate carrier surface and the second inner surface.
Aspekt 63: Verfahren nach einem der Aspekte 57 bis 62, wobei beim Fluten und/oder Evakuieren der Kammer eine senkrecht zu einer Längsrichtung des ersten Kanals gerichtete Gasströmung an wenigstens einem Bereich einer ersten Substratträgeroberfläche und wenigstens einem Bereich einer zweiten Substratträgeroberfläche zu erzeugen und  Aspect 63: The method of any one of aspects 57 to 62, wherein upon flooding and / or evacuating the chamber, a gas flow directed perpendicularly to a longitudinal direction of the first channel is generated at at least a portion of a first substrate carrier surface and at least a portion of a second substrate carrier surface;
Querströmungen parallel zur Längsrichtung des ersten Kanals in dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich zu unterbinden. To prevent transverse flows parallel to the longitudinal direction of the first channel in the first region and the second region.
Aspekt 64: Verfahren nach einem der Aspekte 48 bis 63, das von der Durchlaufanlage nach einem der Aspekte 1 bis 47 ausgeführt wird.  Aspect 64: Method according to one of the aspects 48 to 63, which is carried out by the continuous flow system according to one of the aspects 1 to 47.
Verschiedene Wirkungen können mit den Durchlaufanlagen und Verfahren nach Ausführungsbeispielen erreicht werden. Die Qualität der abgeschiedenen Beschichtung oder Schichtsystem auf Substraten kann verbessert werden. Die Produktivität der Durchlaufanlage kann erhöht werden. Ein- und Ausschleuszeit für Substrathalter mit Substraten können so klein sein, dass sie den Durchsatz der Durchlaufanlage nicht limitieren.  Various effects can be achieved with the continuous flow systems and methods of embodiments. The quality of the deposited coating or layer system on substrates can be improved. The productivity of the continuous system can be increased. Insertion and removal time for substrate holders with substrates can be so small that they do not limit the throughput of the continuous system.
Bei Verwendung zur Herstellung von Solarzellen können die Herstellungskosten für die Beschichtung von Solarzellen reduziert werden. Hocheffiziente Solarzellen können zu niedrigen Kosten hergestellt werden, wodurch die Solarzellen wettbewerbsfähiger für die Erzeugung von Strom gemacht werden. Gute Passivierungsschichten der vorderen Oberfläche und der hinteren Oberfläche können dazu beitragen, die Rekombination der erzeugten Elektronen oder Löcher in der gebildeten Si-Solarzelle zu reduzieren und Rekombination der Ladungsträger zu verhindern.  When used for the production of solar cells, the production costs for the coating of solar cells can be reduced. Highly efficient solar cells can be manufactured at low cost, making the solar cells more competitive for generating electricity. Good passivation layers of the front surface and the back surface may help reduce the recombination of the generated electrons or holes in the formed Si solar cell and prevent recombination of the charge carriers.
Die Durchlaufanlage bietet ein skalierbares Anlagenkonzept, so dass Durchsatz und Produktivität an die Anforderungen durch Anpassung der Anlagenparameter erfüllt werden können. Beispielsweise kann die Breite der Durchlaufanlage und des Substratträgers erhöht werden, um einen größeren Durchsatz zu ermöglichen. Die Vakuumschleuse oder die Vakuumschleusen der Durchlaufanlage kann bzw. können skalierbar sein, so dass sie für unterschiedliche Durchsätze von Substraten anpassbar sind. Dazu kann die Breite und/oder Länge der Vakuumschleusen gemäß den Abmessungen des Substratträgers gewählt werden, der zum Erreichen des gewünschten Soll-Umsatzes geschleust werden soll.  The continuous flow system offers a scalable system concept, so that throughput and productivity can be met by adjusting the system parameters. For example, the width of the continuous system and the substrate carrier can be increased in order to allow a larger throughput. The vacuum lock or the vacuum locks of the continuous flow system can or can be scalable, so that they can be adapted for different throughputs of substrates. For this purpose, the width and / or length of the vacuum locks can be selected according to the dimensions of the substrate carrier, which is to be channeled to achieve the desired target conversion.
Eine Reduktion der Anlagenverschmutzung kann erreicht werden. Dies führt zu einer Verlängerung der mittleren Zeit zwischen Wartungsarbeiten. Die mittlere Wartungsdauer kann reduziert werden. A reduction of plant pollution can be achieved. This leads to a Extension of the mean time between maintenance work. The average maintenance time can be reduced.
Ausführungsbeispiele der Erfindung können vorteilhaft zur Beschichtung von Wafern eingesetzt werden. Die erfindungsgemäße Durchlaufanlage kann beispielsweise eine Beschichtungsanlage für rechteckige oder runde Wafer sein, ohne darauf beschränkt zu sein.  Embodiments of the invention can be advantageously used for coating wafers. The continuous flow system according to the invention may be, for example, a coating system for rectangular or round wafers, without being limited thereto.

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Durchlaufanlage (100) zur Beschichtung von Substraten (103), aufweisend: 1. Continuous installation (100) for coating substrates (103), comprising:
ein Prozessmodul (130; l30a, 130b; l30a, l30b, l30c) oder mehrere Prozessmodule (l30a, l30b; l30a, l30b, l30c); und  a process module (130, 130a, 130b, 130a, 130b, 130c) or multiple process modules (130a, 130b, 130a, 130b, 130c); and
eine Vakuumschleuse (10; 110, 150) zum Einschleusen der Substrate (103) oder zum Ausschleusen der Substrate (103), wobei die Vakuumschleuse (10; 110, 150) aufweist:  a vacuum lock (10, 110, 150) for introducing the substrates (103) or for discharging the substrates (103), the vacuum lock (10, 110, 150) comprising:
eine Kammer (30) zur Aufnahme eines Substratträgers (102) mit mehreren Substraten (103) und  a chamber (30) for receiving a substrate carrier (102) having a plurality of substrates (103) and
eine Strömungskanalanordnung (51, 52, 56, 57; 111, 112) zum Evakuieren und Fluten der Kammer (30), wobei die Strömungskanalanordnung (51, 52, 56, 57; 111, 112) einen ersten Kanal (51 ; 111) zum Evakuieren und Fluten der Kammer (30) und einen zweiten Kanal (52; 1 12) zum Evakuieren und Fluten der Kammer (30) aufweist, wobei der erste Kanal (51 ; 111) und der zweite Kanal (52; 112) an entgegengesetzten Seiten der Kammer (30) angeordnet sind.  a flow channel arrangement (51, 52, 56, 57, 111, 112) for evacuating and flooding the chamber (30), wherein the flow channel arrangement (51, 52, 56, 57, 111, 112) has a first channel (51; Evacuating and flooding the chamber (30) and a second channel (52; 1 12) for evacuating and flooding the chamber (30), wherein the first channel (51; 111) and the second channel (52; 112) on opposite sides the chamber (30) are arranged.
2. Durchlaufanlage (100) nach Anspruch 1 , wobei wenigstens ein Prozessmodul (130; l30a, 130b; l30a, 130b, l30c) eine Plasmaquelle, eine Gaszufuhreinrichtung zum Zufuhren mehrerer Prozessgase über getrennte Gasverteiler und wenigstens eine Gasabsaugeinrichtung zum Absaugen der Prozessgase aufweist. 2. Continuous installation (100) according to claim 1, wherein at least one process module (130, 130a, 130b, 130a, 130b, 130c) has a plasma source, a gas supply device for supplying a plurality of process gases via separate gas distributors and at least one gas extraction device for extracting the process gases.
3. Durchlaufanlage (100) nach Anspruch 2, wobei das wenigstens eine Prozessmodul (130; l30a, l30b; 130a, 130b, 130c) mit der Plasmaquelle eine erste Gasabsaugeinrichtung, deren Absaugöffnung entlang einer Förderrichtung (101) der Substrate (103) stromaufwärts der Plasmaquelle angeordnet ist, und eine zweite Gasabsaugeinrichtung aufweist, deren Absaugöffnung entlang der Förderrichtung stromabwärts der Plasmaquelle angeordnet ist. The continuous-flow system (100) according to claim 2, wherein the at least one process module (130; 130a, 130b, 130a, 130b, 130c) has with the plasma source a first gas suction device whose suction opening is along a conveying direction (101) of the substrates (103) upstream of the Plasma source is arranged, and a second Gasabsaugeinrichtung, the suction opening is arranged along the conveying direction downstream of the plasma source.
4. Durchlaufanlage (100) nach Anspruch 2 oder Anspruch 3, wobei die Plasmaquelle und die Gaszuführeinrichtung in einem Anlagenbauteil kombiniert sind, das als Modul von der Durchlaufanlage (100) demontierbar ist. 4. continuous flow system (100) according to claim 2 or claim 3, wherein the plasma source and the gas supply means are combined in a plant component, which is disassembled as a module of the continuous system (100).
5. Durchlaufanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner aufweisend: eine Transporteinrichtung zum kontinuierlichen Transportieren eines Zugs von 5. conveyor system (100) according to one of the preceding claims, further comprising: a transport device for continuously transporting a train of
Substratträgem (102) durch wenigstens einen Abschnitt der Durchlaufanlage (100), und  Substratträgem (102) through at least a portion of the continuous system (100), and
ein Überführungsmodul (120, 140) zum Überführen des Substratträgers (102) zwischen der Vakuumschleuse (10; 1 10, 150) und der Transporteinrichtung, wobei das  a transfer module (120, 140) for transferring the substrate support (102) between the vacuum lock (10; 110, 150) and the transport device, wherein the
Überfuhrungsmodul (120, 140) zwischen der Vakuumschleuse (10; 110, 150) und dem Prozessmodul (130; l30a, l30b; l30a, l30b, l30c) oder den Prozessmodulen (130a, l30b; l30a, 130b, l30c) angeordnet ist. Transfer module (120, 140) between the vacuum lock (10; 110, 150) and the process module (130; l30a, l30b, l30a, l30b, l30c) or the process modules (130a, l30b, l30a, 130b, l30c) is arranged.
6. Durchlaufanlage (100) nach Anspruch 5, wobei das Überführungsmodul (120) eine Temperaturregeleinrichtung (121, 122) aufweist, wobei optional die 6. conveyor system (100) according to claim 5, wherein the transfer module (120) comprises a temperature control device (121, 122), wherein optionally the
Temperaturregeleinrichtung (121, 122) eine Heizeinrichtung aufweist, um die Substrate (103) von beiden Seiten zu heizen.  Temperature control means (121, 122) comprises a heating means for heating the substrates (103) from both sides.
7. Durchlaufanlage (100) nach Anspruch 5 oder Anspruch 6, wobei 7. continuous system (100) according to claim 5 or claim 6, wherein
die Vakuumschleuse (10; 110, 150) eine Vakuumschleuse (10; 110) zum Einschleusen der Substrate (103) ist und  the vacuum lock (10, 110, 150) is a vacuum lock (10, 110) for introducing the substrates (103) and
die Durchlaufanlage (100) ferner eine zweite Vakuumschleuse (10; 150) zum  the continuous system (100) further comprises a second vacuum lock (10; 150) for
Ausschleusen der Substrate (103) aufweist, wobei die zweite Vakuumschleuse (10; 150) aufweist: Discharging the substrates (103), wherein the second vacuum lock (10; 150) comprises:
eine zweite Kammer (30) zur Aufnalnne des Substratträgers (102) und eine zweite Strömungskanalanordnung (51, 52, 56, 57; 11 1, 1 12) zum Evakuieren und Fluten der zweiten Kammer (30), wobei die zweite  a second chamber (30) for supporting the substrate support (102) and a second flow channel arrangement (51, 52, 56, 57; 11 1, 1 12) for evacuating and flooding the second chamber (30), the second one
Strömungskanalanordnung (51, 52, 56, 57; 1 1 1 , 1 12) einen dritten Kanal zum Evakuieren und Fluten der zweiten Kammer (30) und einen vierten Kanal zum Evakuieren und Fluten der zweiten Kammer (30) aufweist, wobei der dritte Kanal und der vierte Kanal an entgegengesetzten Seiten der zweiten Kammer (30) angeordnet sind.  Flow channel arrangement (51, 52, 56, 57, 1 1 1, 1 12) has a third channel for evacuating and flooding the second chamber (30) and a fourth channel for evacuating and flooding the second chamber (30), wherein the third channel and the fourth channel is disposed on opposite sides of the second chamber (30).
8. Durchlaufanlage (100) nach Anspruch 7, wobei die Durchlaufanlage (100) ferner aufweist: The continuous flow system (100) of claim 7, wherein the continuous flow system (100) further comprises:
ein zweites Überführungsmodul (140) zum Überfuhren des Substratträgers (102) von der Transporteinrichtung zu der diskontinuierlich arbeitenden zweiten Vakuumschleuse (150). a second transfer module (140) for transferring the substrate support (102) from the transport means to the discontinuous second vacuum lock (150).
9. Durchlaufanlage (100) nach Anspruch 7 oder Anspruch 8, wobei die Durchlaufanlage (100) konfiguriert ist, die Substrate (103) zwischen der ersten Vakuumschleuse (110) und der zweiten Vakuumschleuse (150) ohne Unterbrechung eines Vakuums durch die The conveyor system (100) of claim 7 or claim 8, wherein the continuous flow system (100) is configured to move the substrates (103) between the first vacuum lock (110) and the second vacuum lock (150) without interrupting a vacuum
Durchlaufanlage (100) zu transportieren. Continuous flow system (100) to transport.
10. Durchlaufanlage ( 100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die 10. Continuous installation (100) according to one of the preceding claims, wherein the
Durchlaufanlage (100) mehrere Prozessmodule (l30a, l30b) und wenigstens eine zwischen zwei Prozessmodulen (l30a, l30b) angeordnete Transferkammer (170) aufweist. Throughflow system (100) a plurality of process modules (L30a, L30b) and at least one arranged between two process modules (L30a, L30b) transfer chamber (170).
1 1. Durchlaufanlage ( 100) nach Anspruch 10, wobei die Transferkammer (170) zum Schleusen der Substrate (103) zwischen den zwei Prozessmodulen (l30a, l30b) konfiguriert ist. 11. The conveyor system according to claim 10, wherein the transfer chamber is configured to lock the substrates between the two process modules.
12. Durchlaufanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die 12. Continuous installation (100) according to one of the preceding claims, wherein the
Durchlaufanlage (100) konfiguriert ist, ein stickstoffhaltiges erstes Prozessgas und ein siliziumhaltiges zweites Prozessgas in ein Prozessmodul (130b; 130b, l30c) mit einer Plasmaquelle über separate Gasverteiler zuzuführen. Flow system (100) is configured to supply a nitrogen-containing first process gas and a silicon-containing second process gas in a process module (130b, 130b, l30c) with a plasma source via separate gas distributor.
13. Durchlaufanlage (100) nach Anspruch 12, wobei die Durchlaufanlage (100) konfiguriert ist, ein sauerstoffhaltiges drittes Prozessgas und ein aluminiumhaltiges viertes Prozessgas in ein weiteres Prozessmodul (l30a) mit einer weiteren Plasmaquelle zuzuführen. 13. Continuous-flow system (100) according to claim 12, wherein the continuous-flow system (100) is configured to supply an oxygen-containing third process gas and an aluminum-containing fourth process gas to another process module (130a) with a further plasma source.
14. Durchlaufanlage (100) nach Anspruch 12 oder Anspruch 13, wobei die Durchlaufanlage (100) eine Durchlaufanlage (100) zur Herstellung von Solarzellen ist, insbesondere zur Herstellung einer der folgenden Solarzellen: 14. Continuous-flow system (100) according to claim 12 or claim 13, wherein the continuous-flow system (100) is a continuous-flow system (100) for producing solar cells, in particular for producing one of the following solar cells:
PERC („Passivated Emitter Rear Cell“)-Zelle;  PERC ("Passivated Emitter Rear Cell") cell;
PERT (“Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffused Back Surface Field”)- PERT ("Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffused Back Surface Field") -
Zelle; Cell;
PERL (“Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field”)- PERL ("Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field") -
Zelle; Cell;
Heterojunction-Solarzelle;  Heterojunction solar cell;
Solarzelle mit passivierten Kontakten. Solar cell with passivated contacts.
15. Durchlaufanlage (100) nach Anspruch 12, wobei die Durchlaufanlage (100) eine Durchlaufanlage (100) zum Aufbringen einer Antireflexionsbeschichtung und/oder einer Passivierungsschicht ist. 15. Continuous installation (100) according to claim 12, wherein the continuous installation (100) is a continuous installation (100) for applying an antireflection coating and / or a passivation layer.
16. Durchlaufanlage ( 100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die 16. Continuous installation (100) according to one of the preceding claims, wherein the
Vakuumschleuse (10; 110, 150) derart konfiguriert ist, dass ein Druckunterschied zwischen vorder- und rückseitigen Oberflächen der Substrate und des Substratträgers (102) maximal 10 Pa, bevorzugt maximal 5 Pa, besonders bevorzugt maximal 4Pa beträgt, wenn bei einem Abpump Vorgang oder Flutvorgang der Kammer (30) eine Druckänderungsrate 100 hPa/s, bevorzugt 300 hPa/s übersteigt. Vacuum lock (10, 110, 150) is configured such that a pressure difference between the front and back surfaces of the substrates and the substrate carrier (102) is at most 10 Pa, preferably at most 5 Pa, particularly preferably at most 4 Pa, when in a pumpdown process or Flooding process of the chamber (30) exceeds a pressure change rate 100 hPa / s, preferably 300 hPa / s.
17. Durchlaufanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die 17. Continuous installation (100) according to one of the preceding claims, wherein the
Durchlaufanlage (100) eine Durchlaufanlage (100) zum Beschichten kristalliner Continuous line (100) a continuous line (100) for coating crystalline
Siliziumwafer ist. Silicon wafer is.
18. Durchlaufanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die zur Bearbeitung von wenigstens 4000 Substraten (103) pro Stunde, bevorzugt von wenigstens 5000 Substraten (103) pro Stunde konfiguriert ist. 18. Continuous installation (100) according to one of the preceding claims, which is configured to process at least 4000 substrates (103) per hour, preferably of at least 5000 substrates (103) per hour.
19. Durchlaufanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine 19. Continuous installation (100) according to one of the preceding claims, wherein a
Zykluszeit der Durchlaufanlage (100) weniger als 60 s, bevorzugt weniger als 50 s, weiter bevorzugt weniger als 45 s beträgt. Cycle time of the continuous system (100) less than 60 s, preferably less than 50 s, more preferably less than 45 s.
20. Durchlaufanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine mittlere Transportgeschwindigkeit in der Durchlaufanlage (100) und/oder im Prozessmodul wenigstens 25 mm/s, bevorzugt wenigstens 30 mm/s, weiter bevorzugt wenigstens 33 mm/s beträgt. 20. Continuous installation (100) according to one of the preceding claims, wherein an average transport speed in the continuous system (100) and / or in the process module is at least 25 mm / s, preferably at least 30 mm / s, more preferably at least 33 mm / s.
21. Durchlaufanlage ( 100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine 21. Continuous installation (100) according to one of the preceding claims, wherein a
Arbeitszeit zum Abpumpen der Vakuumschleuse (10; 110, 150) weniger als 25 s, bevorzugt weniger als 20 s, weiter bevorzugt weniger als 18 s beträgt, und/oder Working time for pumping out the vacuum lock (10, 110, 150) less than 25 s, preferably less than 20 s, more preferably less than 18 s, and / or
wobei eine Arbeitszeit zum Fluten der Vakuumschleuse (10; 110, 150) weniger als lös, bevorzugt weniger als 10 s, weiter bevorzugt weniger als 6 s beträgt. wherein a working time for flooding the vacuum lock (10; 110, 150) is less than solving, preferably less than 10 s, more preferably less than 6 s.
22. Durchlaufanlage (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei wenigstens ein Prozessmodul eine Sputterkathode aufweist. 22. Continuous installation (100) according to one of the preceding claims, wherein at least one process module has a sputtering cathode.
23. Verfahren zum Beschichten von Substraten (103) in einer Durchlaufanlage (100), die ein Prozessmodul (130; l30a, l30b; l30a, l30b, l30c) oder mehrere Prozessmodule (l30a, l30b; l30a, l30b, l30c) aufweist, wobei das Verfahren aufweist: 23. A method for coating substrates (103) in a continuous-flow system (100), which has a process module (130, 130a, 130b, 130a, 130b, 130c) or a plurality of process modules (130a, 130b, 130a, 130b, 130c), wherein the method comprises:
Einschleusen der Substrate (103) in die Durchlaufanlage (100) unter Verwendung einer ersten Vakuumschleuse (10; 110, 150),  Introducing the substrates (103) into the continuous system (100) using a first vacuum lock (10, 110, 150),
Behandeln der Substrate (103) in dem Prozessmodul (130; l30a, l30b; l30a, 130b, 130c) oder den Prozessmodulen (130a, 130b; !30a, l30b, 130c) und  Treating the substrates (103) in the process module (130; 130a, 130b, 130a, 130b, 130c) or the process modules (130a, 130b; 30a, 130b, 130c) and
Ausschleusen der Substrate (103) aus der Durchlaufanlage (100) unter Verwendung einer zweiten Vakuumschleuse (10; 1 10, 150),  Discharging the substrates (103) from the continuous system (100) using a second vacuum lock (10; 1 10, 150),
wobei wenigstens eine der ersten und zweiten Vakuumschleusen (10; 110, 150) Folgendes aufweist:  wherein at least one of the first and second vacuum locks (10; 110, 150) comprises:
eine Kammer (30) zur Aufnahme eines Substratträgers (102) mit daran gehaltenen Substraten (103) und  a chamber (30) for receiving a substrate carrier (102) with substrates (103) held thereon and
eine Strömungskanalanordnung (51, 52, 56, 57; 111, 112) zum Evakuieren und Fluten der Kammer (30), wobei die Strömungskanalanordnung (51, 52, 56, a flow channel arrangement (51, 52, 56, 57, 111, 112) for evacuating and flooding the chamber (30), the flow channel arrangement (51, 52, 56,
57 ; 111, 112) einen ersten Kanal (51 ; 111) zum Evakuieren und Fluten der Kammer (30) und einen zweiten Kanal (52; 112) zum Evakuieren und Fluten der Kammer (30) aufweist, wobei der erste Kanal (51; 111) und der zweite Kanal (52; 112) an entgegengesetzten Seiten der Kammer (30) angeordnet sind. 57; 111, 112) has a first channel (51; 111) for evacuating and flooding the chamber (30) and a second channel (52; 112) for evacuating and flooding the chamber (30), the first channel (51; 111) and the second channel (52; 112) are disposed on opposite sides of the chamber (30).
24. Verfahren nach Anspruch 23, wobei die erste Vakuumschleuse (10; 110, 150) und die zweite Vakuumschleuse (10; 110, 150) jeweils derart konfiguriert sind, dass ein 24. The method of claim 23, wherein the first vacuum lock (10, 110, 150) and the second vacuum lock (10, 110, 150) are each configured such that a
Druckunterschied zwischen Substratträgeroberflächen des Substratträgers (102) maximal 10 Pa, bevorzugt maximal 5 Pa, besonders bevorzugt maximal 4Pa beträgt, wenn bei einem Abpump Vorgang oder Flutvorgang der Kammer (30) eine Druckänderungsrate 100 hPa/s, bevorzugt 300 hPa/s übersteigt. Pressure difference between the substrate support surfaces of the substrate support (102) is at most 10 Pa, preferably at most 5 Pa, more preferably at most 4 Pa, if in a Abpump process or flooding the chamber (30) exceeds a pressure change rate 100 hPa / s, preferably 300 hPa / s.
25. Verfahren nach Anspruch 23 oder Anspruch 24, wobei die Substrate (103) kristalline Siliziumwafer sind. 25. The method of claim 23 or claim 24, wherein the substrates (103) crystalline Silicon wafers are.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 25, wobei das Verfahren zur Herstellung von Solarzellen eingesetzt wird, insbesondere zur Herstellung einer der folgenden 26. The method according to any one of claims 23 to 25, wherein the method is used for the production of solar cells, in particular for the production of one of the following
Solarzellen: solar Cells:
PERC („Passivated Emitter Rear Cell“)-Zelle;  PERC ("Passivated Emitter Rear Cell") cell;
PERT (“Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffused Back Surface Field”)- PERT ("Passivated Emitter and Rear Cell with Totally Diffused Back Surface Field") -
Zelle; Cell;
PERL (“Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field”)- PERL ("Passivated Emitter and Rear Cell with Locally Diffused Back Surface Field") -
Zelle; Cell;
Heterojunction-Solarzelle;  Heterojunction solar cell;
Solarzelle mit passivierten Kontakten.  Solar cell with passivated contacts.
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 26, das von der Durchlaufanlage (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 22 ausgefuhrt wird. 27. The method according to any one of claims 23 to 26, which is executed by the continuous system (100) according to one of claims 1 to 22.
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