EP3187029A1 - Method for producing a multi-layer substrate and multi-layer substrate - Google Patents

Method for producing a multi-layer substrate and multi-layer substrate

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EP3187029A1
EP3187029A1 EP15750994.4A EP15750994A EP3187029A1 EP 3187029 A1 EP3187029 A1 EP 3187029A1 EP 15750994 A EP15750994 A EP 15750994A EP 3187029 A1 EP3187029 A1 EP 3187029A1
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EP
European Patent Office
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layer
contact
hole
connection
metal
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP15750994.4A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Sebastian Brunner
Gerhard Fuchs
Annette Fischer
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Original Assignee
SnapTrack Inc
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Filing date
Publication date
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Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H05K3/429Plated through-holes specially for multilayer circuits, e.g. having connections to inner circuit layers
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    • H05K2201/0183Dielectric layers
    • H05K2201/0195Dielectric or adhesive layers comprising a plurality of layers, e.g. in a multilayer structure

Definitions

  • a ceramic multilayer substrate is specified.
  • the multi-layer substrate serves as a carrier for components, in particular for electrical components.
  • the multilayer substrate has a via (via), which, for example, for contacting a component with a
  • Pads are produced by depositing a metal on the ceramic substrate.
  • a base body having several ceramic layers is provided. At least one of the layers, in particular an outermost layer of the
  • Main body has a hole.
  • the hole is filled with a metal by depositing the metal from a solution.
  • a via can be produced by at least one layer.
  • the ceramic composite is produced in LTCC or HTCC technology.
  • Layer stack is provided with a hole.
  • the hole is introduced, for example, by means of a laser or by punching.
  • the layer stack is sintered.
  • the hole is filled after sintering by depositing a metal from a solution.
  • the hole is completely filled.
  • the metal contains or is, for example, copper.
  • the surface becomes the cathode, where the metal separates from the solution.
  • a seed layer can be applied to the surface which facilitates the deposition of the metal or even makes it possible for the first time
  • Through-hole can be used.
  • Multilayer substrate specified wherein the multi-layer substrate has a base body with a plurality of ceramic layers
  • At least one of the layers has a
  • the hole and, correspondingly, the via formed by deposition of the metal pass through only part of the ceramic layers.
  • the plated through hole only passes through the outermost ceramic layer.
  • Embodiment performs the hole and accordingly through the Deposition formed through hole through several ceramic layers.
  • the via can also pass through the entire layer stack.
  • the multilayer substrate has a further contact, which is arranged in the interior of the base body and is connected to the through-connection. In one embodiment, this differs
  • the via has, for example, copper.
  • the further contact has the same material as the via.
  • both the further contacting and the plated-through hole comprise copper or consist essentially of copper.
  • the further contacting has an inner layer which is arranged on a ceramic layer in the interior of the main body.
  • the inner layer is For example, realized a passive component or a wiring structure.
  • the inner layer is
  • the further contacting can have a further through-connection, which passes through
  • the further via leads the via formed by deposition into the interior of the
  • a terminal contact is also connected to connect the metal
  • connection contact is arranged, for example, from a view of the outside from above the via.
  • the connection contact may be formed as a connection surface.
  • the pad for example, has a greater width than the via.
  • the terminal contact is preferably made in the same process as the via.
  • the terminal contact preferably has the same material as the
  • connection contact can for
  • Training a flat, solderable and bondable surface additionally be provided with a cover layer.
  • the capping layer may contain a metal that is de-energized or deposited with the connection of an external power source. For example, it is about
  • Nickel, palladium, gold, silver and / or tin are deposited by deposition
  • Connection contact can be generated a particularly flat surface of the terminal. This allows it
  • the terminal contact is in the form of a bump or a pillar.
  • connection contact is off the main body.
  • a component can be set at a distance from the surface of the body.
  • Solder balls required for attachment of the device Such a configuration of the connection contact allows a further increase in the packing density of the components.
  • a multilayer substrate is provided, wherein the
  • Multi-layer substrate a basic body with several
  • the multilayer substrate has a via and an associated one
  • the further contact has a different material than the via and / or is produced with a different manufacturing method than the via.
  • the further contacting comprises silver and the plated-through hole comprises copper.
  • the further contacting comprises silver and the plated-through hole comprises copper.
  • the through-connection is produced, for example, only after the sintering of the main body, in particular by depositing a metal from a solution.
  • a multilayer substrate has a base body with a plurality of ceramic layers, wherein the base body is made in HTCC technology and has an electrical contact, which leads through at least one of the layers, wherein the
  • Through-hole copper contains.
  • the plated-through hole is introduced, for example, by depositing a metal from a solution after sintering of the base body.
  • HTCC technology uses tungsten or molybdenum as the materials for via.
  • a through-hole made of copper allows among other things a cost saving and a better thermal and electrical conductivity.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view of a further embodiment of a multilayer substrate
  • FIG. 2B shows in a cross section a further embodiment of a multilayer substrate
  • FIGS. 3A to 3D method steps in a method for
  • FIG. 1 shows, in a cross-section, a multilayer substrate 1 with a main body 26, which has several, one above the other
  • Multilayer substrate 1 has an electrical contact 3, which has a through-connection 4 and a connection contact 5.
  • the connection contact 5 is designed as a connection surface.
  • the electrical contact 3 is in particular for contacting a component, for example one Chips (not shown) formed on the multilayer substrate.
  • the component is an LED, a sensor, a SAW filter or a fluidic reactor. In particular, it may be an electrical component.
  • Multilayer substrate serves, for example, as a carrier for the component and / or as an encapsulation, in particular in the form of a so-called package.
  • a carrier for the component and / or as an encapsulation, in particular in the form of a so-called package.
  • the component connected by a bonding wire to the terminal contact 5.
  • the component can also be connected to the connection contact 5 by solder balls.
  • connection contact 5 can also be used as a mechanical and / or electrical connection of a cover or a further substrate, for example for the formation of a
  • Package-on-package systems serve.
  • the further component is soldered or glued onto the connection contact 5.
  • the via 4 leads from an outer side 6 of the
  • Multilayer substrate 1 through an outermost ceramic layer 7, for example, the uppermost layer of the layer stack, therethrough.
  • the plated-through hole 4 extends from the terminal contact 5 into the interior of the substrate 1
  • Through-hole 4 is designed as a so-called blind via, that is, it does not pass completely through the substrate.
  • the connection contact 5 is arranged on the outer side 6 of the main body 26, in particular on an outermost layer 7.
  • the connection contact 5 is formed integrally with the feedthrough 4.
  • the connection contact 5 is formed integrally with the feedthrough 4.
  • Through-hole 4 and the terminal contact 5 are formed from the same material and are produced in the same process.
  • the via 4 and the terminal 5 copper on and are by
  • the via 4 has, for example, a width of 80 ym.
  • the connection contact 5 in the form of a
  • Terminal surface is much wider than that
  • the pad has a width of 250 ym and a height of 20 ym.
  • FIGS. 2A and 2B show in each case a cross-section of a multilayer substrate 1, in which the connection contact 5 is additionally provided with a cover layer 8.
  • Covering layer 8 is applied to a base layer 9, which is formed like the connection contact 5 in FIG. Through the cover layer 8 receives the connection contact 5 a
  • Cover 8 may also provide protection against corrosion.
  • the cover layer 8 may be formed in multiple layers.
  • the cover layer 8 has a nickel and a silver layer, the nickel layer acting as a solder barrier.
  • the cover layer 8 for example, a nickel and a gold layer.
  • a palladium layer may be applied to the nickel layer.
  • the cover layer 8 is constructed, for example, with Ni-Au or Ni-Pd-Au multilayer.
  • Terminal contact 5 has an open edge 10.
  • the base layer 9 for example, after the Applying the cover layer 8 structured, as will be explained below to Figures 3A to 3D.
  • Covering layer 8 also the lateral areas of the base layer 9, so that the base layer 9 is completely covered by the cover layer 8.
  • the base layer 9 is patterned, for example, even before the application of the cover layer 8, as will be explained below with reference to FIGS. 3A to 3D.
  • FIGS. 3A to 3D show method steps for
  • FIG. 3A shows a base body 26 for a multilayer substrate.
  • main body 26 for a multilayer substrate.
  • the green sheet which later forms the outermost ceramic layer 7, is provided with a hole 27.
  • the hole becomes
  • the green sheets contain, for example, a ceramic powder, a binder and a glass fraction as a sintering aid.
  • a ceramic powder for example, alumina is used as the ceramic powder
  • the LTCC (low
  • temperature cofired ceramics technology
  • HTCC high temperature cofired ceramics
  • very high temperature for example in the range of 1600 ° C sintered.
  • the green sheets here contain no glass content.
  • the surface of the ceramic is pretreated, so that a deposition of a metal to form the electrical contact is facilitated or only possible.
  • FIG. 3B shows schematically the step for pretreatment of the surface.
  • a seed layer is created within the hole 27 and on the outside of the main body 26.
  • the seed layer is for example 100 nm - 500 nm thick.
  • the surface within the hole 27 and on the outside 6 of the body 26 is chemically activated. Upon activation, the surface becomes
  • Example of a palladium chloride solution treated In the process, palladium atoms are deposited on the surface, which catalyze the further metallization.
  • the seed layer can also be applied by sputtering or by means of a PVD (Physical Vapor Deposition) method.
  • the seed layer has, for example, titanium, copper and / or chromium.
  • FIG. 3C shows the multilayer substrate 1, in which a metallization 28 is deposited in the hole 27 and on the outside 6. The hole 27 is completely filled with the metal.
  • copper is deposited. This can be done in two Stages are carried out, initially a relatively thin
  • connection contact 5 Copper layer is deposited electrolessly and then galvanically reinforced. Subsequently, the metallization 28 is structured to form the connection contact 5. For this purpose, for example, a photoresist mask on the metallization 28 at the
  • connection contact 5 Applied outside 6 of the layer stack, exposed and developed according to a desired pattern. There are now not provided for the connection contact 5
  • Figure 3D shows the multilayer substrate with the now
  • the plated-through hole 4 and the terminal contact 5 do not have a sintered metal paste. This allows an increase in the packing density of the components.
  • the plated-through hole 4 and the terminal contact 5 do not have a sintered metal paste. This allows an increase in the packing density of the components.
  • Terminal contact 5 are structured in the described method with a better resolution than is possible in a printing with a paste by screen printing.
  • connection contacts 5 for example with a gap of 30 ym, can be generated. Furthermore, a connection contact 5 with a particularly flat
  • Base 26 be formed very thin, since this
  • Layers 7, 16 in the green state no longer have to have a mechanical stability required for applying or introducing a paste.
  • the via 4 in the interior of the substrate is followed by a further contact, which has a sintered paste.
  • a paste is applied on a green sheet or within a hole in a green sheet, which is then baked with the layer stack. In particular, it is a thick-film paste.
  • a metallization 28 is first generated after the activation, as described above. On the metallization 28, a photoresist layer is applied, exposed and
  • connection contact 5 areas remain free. In these uncovered areas is now on the metallization 28 under connection of a power source or with an electroless method
  • Etching step performed until the metallization 28 is removed on the previously covered by the photoresist mask areas to the substrate. After the etching of the photoresist mask, for example, an open sandwiched Cu-Ni-Ag edge 10 is obtained, as can be seen in FIG. 2A.
  • the cover layer is applied only after the structuring of the base metallization.
  • the topcoat is in a chemical
  • the cover layer 8 also covers the lateral regions of the base layer 9, as can be seen in FIG. 2B.
  • the structuring of the base metallization may take place in the manner described above
  • subtractive methods also take place in an additive process. For this purpose, for example, after the activation of the surface, a photoresist mask is applied.
  • Photoresist mask is attached to the connector
  • the lacquer layer is removed at the exposed areas, so that at least one
  • Figure 4 shows a multilayer substrate 1, the two by
  • Connection contacts 5 has.
  • the two vias 4 have, for example, a distance of 400 ym to 500 ym. But it can also be smaller distances, for example, in the range of 100 ym are generated.
  • the plated-through holes 4 are each connected to a further contact 11 in the interior of the substrate 1.
  • Through hole 12 which continues the through-hole 4 produced by deposition into the interior of the substrate 1 inside.
  • the further via 12 leads through two further ceramic layers 2.
  • the further via 12 is formed from a baked paste. These are in the green films for the
  • the paste is sintered together with the green sheets.
  • the via 12 may also comprise copper.
  • the via 12 may also comprise copper.
  • a plurality of metallic inner layers 13 are provided between ceramic layers 2, wherein one of the
  • Inner layers 13 is electrically connected to the other vias 12.
  • the inner layers 13 for example, passive components and interconnection structures are realized.
  • the inner layers 13 are formed by a baked paste. For this, the green sheets are printed with the paste, laminated and sintered.
  • FIG. 5 shows a further embodiment of a
  • Multilayer substrate 1 Here, electrical contacts 3, 17 produced by deposition are provided on both a bottom side 15 and an upper side 14.
  • Contacts 3, 17 each have vias 4, 18 on.
  • the plated-through holes 4, 18 each pass only through the outermost layer 7, 16 of the substrate 1.
  • the contact 3 on the underside 15 has a through-connection 4 produced by deposition, which is connected directly to an inner layer 13.
  • the inner layer 13 is formed by a baked paste.
  • the contacting 17 on the upper side 14 has a through-connection 18 produced by deposition, which is connected to a further through-connection 12.
  • the further through-connection 12 is formed by a baked-on paste and leads through several ceramic layers 2 into the interior of the substrate 1.
  • the contact 17 on the top 14 has a
  • Terminal contact 19 in the form of a bump.
  • Terminal contact 19 is formed like the connection area shown in the preceding figures for contacting a component.
  • the bump is integral with the feedthrough 18
  • FIG. 6 shows a further embodiment for a metal from a solution.
  • a metal for example, it is a Cu-bump.
  • the terminal 19 may be provided with a coating, such as a tin coating, thereby enabling Cu-Sn diffusion bonding. But it is also possible Cu-Cu bonding.
  • FIG. 6 shows a further embodiment for a
  • Multi-layer substrate 1 The individual ceramic layers are not shown for reasons of clarity. There are several generated by deposition Through contacts 4, 20, 21 formed. A via 4 passes only through the outermost layer 7 and is connected to a further contact 11 formed by a baked paste.
  • a via 21 is not connected to any further contact.
  • the other via 20 is connected to a
  • FIG. 7 shows a further embodiment of a
  • Multi-layer substrate 1 in which the connection contacts 22 are formed in a columnar shape. These are so-called pillars, which are used in particular in power amplifiers.
  • a component 23 is attached on the multi-layer substrate 1.
  • connection contacts 22 are produced by deposition of a metal from a solution and connected to plated-through holes 4.
  • the connection contacts 22 can be generated together with the plated-through holes 4.
  • a solder layer 24 On the connection contacts 22 is a solder layer 24 for
  • the component 23 also has columnar connection contacts 25 which are placed on the terminal contacts 22 of the substrate 1 and connected thereto by the solder layer 24.

Abstract

The invention relates to a method for producing a multi-layer substrate (1), wherein a main body (26), having a plurality of ceramic layers (2), is provided, wherein at least one layer (2) has a hole (27). To form an inter-layer connection (4, 18, 20, 21), the hole (27) is filled with a metal by precipitating the metal from a solution. The invention further relates to a multi-layer substrate, wherein an inter-layer connection (4, 18, 20, 21) in the interior of the main body (26) is connected to a further connection (11), wherein the inter-layer connection (4, 18, 20, 21) has a different material than the further connection (11) and/or is produced by means of a different method.

Description

Beschreibung description
Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtsubstrats Method for producing a multilayer substrate
und Mehrschichtsubstrat and multilayer substrate
Es wird ein keramisches Mehrschichtsubstrat angegeben. A ceramic multilayer substrate is specified.
Beispielsweise dient das Mehrschichtsubstrat als Träger für Bauelemente, insbesondere für elektrische Bauelemente. For example, the multi-layer substrate serves as a carrier for components, in particular for electrical components.
Beispielsweise handelt es sich um einen LTCC (low temperature cofired ceramics) - oder um einen HTCC (high temperature cofired ceramics ) -Keramikverbund . Das Mehrschichtsubstrat weist eine Durchkontaktierung (Via) auf, die beispielsweise zur Kontaktierung eines Bauelements mit einem For example, it is a LTCC (low temperature cofired ceramics) - or a HTCC (high temperature cofired ceramics) - ceramic composite. The multilayer substrate has a via (via), which, for example, for contacting a component with a
Anschlusskontakt verbunden ist. Die erreichbare Connection contact is connected. The achievable
Packungsdichte der Bauelemente hängt maßgeblich von der The packing density of the components depends significantly on the
Ausgestaltung der Vias und der Anschlusskontakte ab. Design of the vias and the connection contacts from.
Aus der Druckschrift DE 10 2004 030 800 AI geht ein From the document DE 10 2004 030 800 AI is received
keramisches Mehrschichtsubstrat hervor, bei dem lötbare ceramic multilayer substrate, wherein the solderable
Anschlussflächen durch Abscheiden eines Metalls auf das keramische Substrat erzeugt werden. Pads are produced by depositing a metal on the ceramic substrate.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein It is an object of the present invention to provide a
verbessertes Mehrschichtsubstrat und ein Verfahren zur improved multilayer substrate and a method for
Herstellung eines Mehrschichtsubstrats anzugeben. To specify a multi-layer substrate.
Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtsubstrats According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multilayer substrate
angegeben. Dabei wird ein Grundkörper aufweisend mehrere keramische Schichten bereitgestellt. Wenigstens eine der Schichten, insbesondere eine äußerste Schicht des specified. In this case, a base body having several ceramic layers is provided. At least one of the layers, in particular an outermost layer of the
Grundkörpers, weist ein Loch auf. Das Loch wird mit einem Metall durch Abscheiden des Metalls aus einer Lösung befüllt. Auf diese Weise kann eine Durchkontaktierung durch wenigstens eine Schicht erzeugt werden. Main body, has a hole. The hole is filled with a metal by depositing the metal from a solution. In this way, a via can be produced by at least one layer.
Beispielsweise wird der Keramikverbund in LTCC- oder in HTCC- Technologie hergestellt. Dabei werden Grünfolien zur For example, the ceramic composite is produced in LTCC or HTCC technology. Here are green sheets to
Ausbildung der keramischen Schichten bereitgestellt und übereinander gestapelt. Eine äußerste Schicht des  Forming the ceramic layers provided and stacked. An outermost layer of the
Schichtstapels ist mit einem Loch versehen. Das Loch wird beispielsweise mittels eines Lasers oder durch Stanzen eingebracht. Der Schichtstapel wird gesintert. Zur Erzeugung der Durchkontaktierung wird das Loch nach dem Sintern durch Abscheiden eines Metalls aus einer Lösung befüllt. Layer stack is provided with a hole. The hole is introduced, for example, by means of a laser or by punching. The layer stack is sintered. To produce the via, the hole is filled after sintering by depositing a metal from a solution.
Vorzugsweise wird das Loch vollständig befüllt. Das Metall enthält oder ist beispielsweise Kupfer. Preferably, the hole is completely filled. The metal contains or is, for example, copper.
Zur Abscheidung des Metalls wird beispielsweise ein For the deposition of the metal, for example
galvanisches Verfahren verwendet. Insbesondere wird eine äußere Stromquelle angeschlossen. Die zu beschichtende galvanic process used. In particular, an external power source is connected. The to be coated
Oberfläche wird dabei zur Kathode, an der sich das Metall aus der Lösung abscheidet. The surface becomes the cathode, where the metal separates from the solution.
Die Oberfläche des Grundkörpers, auf der das Metall The surface of the main body on which the metal
abgeschieden werden soll, insbesondere die Oberfläche should be deposited, especially the surface
innerhalb des Lochs, wird beispielsweise vor dem Abscheiden des Metalls vorbehandelt. Insbesondere kann eine Keimschicht („seed layer") auf die Oberfläche aufgebracht werden, die das Abscheiden des Metalls erleichtert oder überhaupt erst ermöglicht. Beispielsweise wird als Keimschicht eine within the hole, for example, is pretreated prior to the deposition of the metal. In particular, a seed layer can be applied to the surface which facilitates the deposition of the metal or even makes it possible for the first time
Metallisierung auf die Oberfläche der Keramik aufgebracht. Anschließend wird das Metall auf die Keimschicht durch Metallization applied to the surface of the ceramic. Subsequently, the metal is passed through to the seed layer
Abscheiden aus einer Lösung aufgebracht. Die Herstellung einer Durchkontaktierung durch Abscheiden eines Metalls hat den Vorteil, dass das Metall für die Deposited from a solution. The production of a via by depositing a metal has the advantage that the metal for the
Durchkontaktierung erst nach dem Sintern des Keramikverbundes eingebracht werden kann. Somit ist die Wahl des Metalls weitgehend unabhängig von der Herstellungsart des Through-connection can be introduced only after sintering of the ceramic composite. Thus, the choice of metal is largely independent of the production of the
Keramikverbundes, z. B. unabhängig davon, ob eine LTCC- oder HTCC-Technologie verwendet wird. Beispielsweise werden bei der HTCC-Technologie für die Durchkontaktierungen  Ceramic composite, z. Regardless of whether LTCC or HTCC technology is used. For example, in the HTCC technology for the vias
üblicherweise Einbrandpasten enthaltend Wolfram oder Molybdän verwendet. Bei der Herstellung der Durchkontaktierung durch Abscheiden eines Metalls kann stattdessen auch in der HTCC- Technologie beispielsweise Kupfer als Material für die commonly used branding pastes containing tungsten or molybdenum. In the production of the via by depositing a metal, for example, in the HTCC technology, for example, copper as a material for the
Durchkontaktierung verwendet werden. Through-hole can be used.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein According to another aspect of the invention is a
Mehrschichtsubstrat angegeben, wobei das Mehrschichtsubstrat einen Grundkörper mit mehreren keramischen Schichten Multilayer substrate specified, wherein the multi-layer substrate has a base body with a plurality of ceramic layers
aufweist. Wenigstens eine der Schichten weist eine having. At least one of the layers has a
Durchkontaktierung auf, wobei die Durchkontaktierung ein Metall aufweist, das durch Abscheiden aus einer Lösung eingebracht ist. Alle Eigenschaften, die in Bezug auf das Verfahren und das Mehrschichtsubstrat offenbart sind, sind auch entsprechend in Bezug auf die jeweiligen anderen Aspekte offenbart und umgekehrt, auch wenn die jeweilige Eigenschaft nicht explizit im Kontext des jeweiligen Aspekts erwähnt wird . Via, wherein the via has a metal, which is introduced by deposition from a solution. All the properties disclosed with respect to the method and the multilayer substrate are also disclosed correspondingly with respect to the respective other aspects and vice versa, even if the respective property is not explicitly mentioned in the context of the respective aspect.
In einer Ausführungsform führt das Loch und entsprechend die durch Abscheidung des Metalls gebildete Durchkontaktierung nur durch einen Teil der keramischen Schichten hindurch. In one embodiment, the hole and, correspondingly, the via formed by deposition of the metal pass through only part of the ceramic layers.
Beispielsweise führt die Durchkontaktierung nur durch die äußerste keramische Schicht hindurch. In einer weiteren For example, the plated through hole only passes through the outermost ceramic layer. In another
Ausführungsform führt das Loch und entsprechend die durch Abscheidung gebildete Durchkontaktierung durch mehrere keramische Schichten hindurch. Die Durchkontaktierung kann auch durch den gesamten Schichtstapel hindurchführen. In einer Ausführungsform weist das Mehrschichtsubstrat eine Weiterkontaktierung auf, die im Inneren des Grundkörpers angeordnet ist und mit der Durchkontaktierung verbunden ist. In einer Ausführungsform unterscheidet sich die Embodiment performs the hole and accordingly through the Deposition formed through hole through several ceramic layers. The via can also pass through the entire layer stack. In one embodiment, the multilayer substrate has a further contact, which is arranged in the interior of the base body and is connected to the through-connection. In one embodiment, this differs
Weiterkontaktierung im Material und/oder im Further contact in the material and / or in the
Herstellungsverfahren von der Durchkontaktierung. Manufacturing process of the via.
In einer Ausführungsform weist die Weiterkontaktierung In one embodiment, the on-line contact
Silber, Molybdän oder Wolfram auf. Die Durchkontaktierung weist beispielsweise Kupfer auf. In einer Ausführungsform weist die Weiterkontaktierung das gleiche Material auf wie die Durchkontaktierung. Beispielsweise weisen sowohl die Weiterkontaktierung als auch die Durchkontaktierung Kupfer auf oder bestehen im Wesentlichen aus Kupfer. In einer Ausführungsform wird zur Herstellung der Silver, molybdenum or tungsten on. The via has, for example, copper. In one embodiment, the further contact has the same material as the via. For example, both the further contacting and the plated-through hole comprise copper or consist essentially of copper. In one embodiment, to manufacture the
Weiterkontaktierung eine Paste verwendet, die gemeinsam mit den Grünfolien gesintert wird. Die Durchkontaktierung wird beispielsweise erst nach dem Sintern durch Abscheiden des Metalls erzeugt. Die Kombination der durch Abscheiden  Further contacting a paste used, which is sintered together with the green sheets. The through-connection is produced, for example, only after sintering by depositing the metal. The combination of the by deposition
erzeugten Durchkontaktierung mit einer Weiterkontaktierung aus einer eingebrannten Paste hat den Vorteil, dass durch die Weiterkontaktierung auch Bereiche des Grundkörpers produced via contact with a Weitererkontaktierung from a baked paste has the advantage that by further contacting areas of the body
kontaktiert werden können, die bei einem Abscheideverfahren nicht oder nur schlecht erreichbar sind. can be contacted, which are not or only slightly accessible in a deposition process.
In einer Ausführungsform weist die Weiterkontaktierung eine Innenlage auf, die auf einer keramischen Schicht im Inneren des Grundkörpers angeordnet ist. Durch die Innenlage wird beispielsweise eine passive Komponente oder eine Verschaltungsstruktur realisiert. Die Innenlage wird In one embodiment, the further contacting has an inner layer which is arranged on a ceramic layer in the interior of the main body. Through the inner layer is For example, realized a passive component or a wiring structure. The inner layer is
beispielsweise als Paste auf eine Grünfolie aufgebracht, die dann mit den anderen Grünfolien zu einem Stapel angeordnet und gesintert wird. For example, applied as a paste on a green sheet, which is then arranged with the other green sheets in a stack and sintered.
Alternativ oder zusätzlich dazu kann die Weiterkontaktierung eine weitere Durchkontaktierung aufweisen, die durch Alternatively or additionally, the further contacting can have a further through-connection, which passes through
wenigstens eine weitere keramische Schicht hindurchführt. Beispielsweise führt die weitere Durchkontaktierung die durch Abscheidung gebildete Durchkontaktierung ins Innere des at least one further ceramic layer passes. For example, the further via leads the via formed by deposition into the interior of the
Grundkörpers hinein fort. Basic body into it.
In einer Ausführungsform wird beim Abscheiden des Metalls aus der Lösung auch ein Anschlusskontakt zum Anschließen desIn one embodiment, as the metal is separated from the solution, a terminal contact is also connected to connect the metal
Bauelements auf der Außenseite des Grundkörpers erzeugt. Der Anschlusskontakt ist beispielsweise von einer Aufsicht auf die Außenseite aus gesehen oberhalb der Durchkontaktierung angeordnet. Der Anschlusskontakt kann als Anschlussfläche ausgebildet sein. Die Anschlussfläche weist beispielsweise eine größere Breite auf als die Durchkontaktierung. Component produced on the outside of the body. The connection contact is arranged, for example, from a view of the outside from above the via. The connection contact may be formed as a connection surface. The pad, for example, has a greater width than the via.
Der Anschlusskontakt wird vorzugsweise im gleichen Verfahren wie die Durchkontaktierung hergestellt. Der Anschlusskontakt weist vorzugsweise das gleiche Material wie die The terminal contact is preferably made in the same process as the via. The terminal contact preferably has the same material as the
Durchkontaktierung auf. Der Anschlusskontakt kann zur  Through contact on. The connection contact can for
Ausbildung einer ebenen, löt- und bondbaren Oberfläche zusätzlich mit einer Deckschicht versehen sein. Die Training a flat, solderable and bondable surface additionally be provided with a cover layer. The
Deckschicht kann beispielsweise ein Metall enthalten, das stromlos oder unter Anschluss einer äußeren Stromquelle abgeschiedenen wird. Beispielsweise handelt es sich um For example, the capping layer may contain a metal that is de-energized or deposited with the connection of an external power source. For example, it is about
Nickel, Palladium, Gold, Silber und/oder Zinn. Bei einer derartigen, durch Abscheiden aufgebrachten Nickel, palladium, gold, silver and / or tin. In such deposited by deposition
Durchkontaktierung und einem darauf aufgebrachten Through-hole and an applied on it
Anschlusskontakt kann eine besonders ebene Oberfläche des Anschlusskontakts erzeugt werden. Dies erlaubt es Connection contact can be generated a particularly flat surface of the terminal. This allows it
beispielsweise, Lotkugeln zur Befestigung eines Bauelements direkt oberhalb der Durchkontaktierung auf den Anschluss¬ kontakt aufzubringen, so dass die Packungsdichte an For example, to apply solder balls for mounting a device directly above the feedthrough on the terminal ¬ contact, so that the packing density
Bauelementen erhöht werden kann. In einer Ausführungsform ist der Anschlusskontakt in Form eines Buckels („Bump") oder einer Säule („Pillar") Components can be increased. In one embodiment, the terminal contact is in the form of a bump or a pillar.
ausgebildet. In diesem Fall steht der Anschlusskontakt vom Grundkörper ab. Auf den Anschlusskontakt kann ein Bauelement in einem Abstand von der Oberfläche des Grundkörpers gesetzt werden. Insbesondere sind bei einer buckel- oder educated. In this case, the connection contact is off the main body. On the terminal contact, a component can be set at a distance from the surface of the body. In particular, in a humpback or
säulenartigen Ausgestaltung des Anschlusskontakts keine columnar configuration of the terminal no
Lotkugeln zur Befestigung des Bauelements erforderlich. Eine derartige Ausgestaltung des Anschlusskontakts erlaubt eine weitere Erhöhung der Packungsdichte der Bauelemente. Solder balls required for attachment of the device. Such a configuration of the connection contact allows a further increase in the packing density of the components.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Mehrschichtsubstrat angeben, wobei das According to another aspect of the present invention, a multilayer substrate is provided, wherein the
Mehrschichtsubstrat einen Grundkörper mit mehreren Multi-layer substrate a basic body with several
keramischen Schichten aufweist. Das Mehrschichtsubstrat weist eine Durchkontaktierung und eine damit verbundene having ceramic layers. The multilayer substrate has a via and an associated one
Weiterkontaktierung auf, wobei die Durchkontaktierung durch wenigstens eine der Schichten führt, und die  Weitererkontaktierung, wherein the via leads through at least one of the layers, and the
Weiterkontaktierung im Inneren des Grundkörpers angeordnet ist. Die Weiterkontaktierung weist ein anderes Material als die Durchkontaktierung auf und/oder ist mit einem anderen Herstellungsverfahren als die Durchkontaktierung erzeugt. Beispielsweise weist die Weiterkontaktierung Silber und die Durchkontaktierung Kupfer auf. Beispielsweise wird die Weitererkontaktierung is arranged inside the body. The further contact has a different material than the via and / or is produced with a different manufacturing method than the via. By way of example, the further contacting comprises silver and the plated-through hole comprises copper. For example, the
Weiterkontaktierung durch eine eingebrannte Paste gebildet. Die Durchkontaktierung wird beispielsweise erst nach dem Sintern des Grundkörpers, insbesondere durch Abscheidens eines Metalls aus einer Lösung, erzeugt. Further contact formed by a baked paste. The through-connection is produced, for example, only after the sintering of the main body, in particular by depositing a metal from a solution.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Mehrschichtsubstrat angegeben. Das Mehrschichtsubstrat weist einen Grundkörper mit mehreren keramischen Schichten auf, wobei der Grundkörper in HTCC-Technologie hergestellt ist und eine elektrische Kontaktierung aufweist, die durch wenigstens eine der Schichten führt, wobei die According to another aspect of the present invention, a multilayer substrate is provided. The multilayer substrate has a base body with a plurality of ceramic layers, wherein the base body is made in HTCC technology and has an electrical contact, which leads through at least one of the layers, wherein the
Durchkontaktierung Kupfer enthält. Die Durchkontaktierung wird beispielsweise durch Abscheiden eines Metalls aus einer Lösung nach dem Sintern des Grundkörpers eingebracht. Through-hole copper contains. The plated-through hole is introduced, for example, by depositing a metal from a solution after sintering of the base body.
Üblicherweise werden bei der HTCC-Technologie als Materialien für eine Durchkontaktierung Wolfram oder Molybdän verwendet. Eine Durchkontaktierung aus Kupfer ermöglicht unter anderem eine Kostenersparnis sowie eine bessere thermische und elektrische Leitfähigkeit. Typically, HTCC technology uses tungsten or molybdenum as the materials for via. A through-hole made of copper allows among other things a cost saving and a better thermal and electrical conductivity.
In der vorliegenden Offenbarung sind mehrere Aspekte einer Erfindung beschrieben. Alle Eigenschaften, die in Bezug auf das Verfahren oder eines der Mehrschichtsubstrate offenbart sind, sind auch entsprechend in Bezug auf die jeweiligen anderen Aspekte offenbart und umgekehrt, auch wenn die jeweilige Eigenschaft nicht explizit im Kontext des In the present disclosure, several aspects of an invention are described. All the properties disclosed with respect to the method or one of the multilayer substrates are also disclosed correspondingly with respect to the respective other aspects, and vice versa, even if the respective property is not explicitly described in the context of
jeweiligen Aspekts erwähnt wird. Im Folgenden werden die hier beschriebenen Gegenstände anhand von schematischen und nicht maßstabsgetreuen Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen: respective aspect is mentioned. The objects described here are explained in more detail below with reference to schematic and not to scale embodiments. Show it:
Figur 1 in einem Querschnitten eine Ausführungsform eines Figure 1 in a cross-section an embodiment of a
Mehrschichtsubstrats , Figur 2A in einem Querschnitten eine weitere Ausführungsform eines Mehrschichtsubstrats,  FIG. 2A is a cross-sectional view of a further embodiment of a multilayer substrate,
Figur 2B in einem Querschnitten eine weitere Ausführungsform eines Mehrschichtsubstrats, FIG. 2B shows in a cross section a further embodiment of a multilayer substrate,
Figuren 3A bis 3D Verfahrensschritte in einem Verfahren zur FIGS. 3A to 3D method steps in a method for
Herstellung eines Mehrschichtsubstrats,  Preparation of a multilayer substrate,
Figuren 4 bis 7 in Querschnitten weiter Ausführungsformen von Figures 4 to 7 in cross-sections further embodiments of
Mehrschichtsubstraten.  Multilayer substrates.
Vorzugsweise verweisen in den folgenden Figuren gleiche Preferably, the same reference in the following figures
Bezugszeichen auf funktionell oder strukturell entsprechende Teile der verschiedenen Ausführungsformen. Reference numerals to functionally or structurally corresponding parts of the various embodiments.
Figur 1 zeigt in einem Querschnitt ein Mehrschichtsubstrat 1 mit einem Grundkörper 26, der mehrere, übereinander FIG. 1 shows, in a cross-section, a multilayer substrate 1 with a main body 26, which has several, one above the other
angeordnete, keramische Schichten 2 aufweist. Das arranged, ceramic layers 2 has. The
Mehrschichtsubstrat 1 weist eine elektrische Kontaktierung 3 auf, die eine Durchkontaktierung 4 und einen Anschlusskontakt 5 aufweist. Der Anschlusskontakt 5 ist als Anschlussfläche ausgebildet. Die elektrische Kontaktierung 3 ist insbesondere zur Kontaktierung eines Bauelements, beispielsweise eines Chips (nicht abgebildet) , ausgebildet, das auf dem Mehrschichtsubstrat angeordnet wird. Beispielsweise handelt es sich bei dem Bauelement um eine LED, einen Sensor, einen SAW-Filter oder um einen Fluidik-Reaktor . Insbesondere kann es sich um ein elektrisches Bauelement handeln. Das Multilayer substrate 1 has an electrical contact 3, which has a through-connection 4 and a connection contact 5. The connection contact 5 is designed as a connection surface. The electrical contact 3 is in particular for contacting a component, for example one Chips (not shown) formed on the multilayer substrate. For example, the component is an LED, a sensor, a SAW filter or a fluidic reactor. In particular, it may be an electrical component. The
Mehrschichtsubstrat dient beispielsweise als Träger für das Bauelement und/oder als Verkapselung, insbesondere in Form eines sogenannten Packages. Beispielsweise wird das  Multilayer substrate serves, for example, as a carrier for the component and / or as an encapsulation, in particular in the form of a so-called package. For example, that will
Bauelement durch einen Bonddraht mit dem Anschlusskontakt 5 verbunden. Das Bauelement, kann auch durch Lotkugeln („solder balls") mit dem Anschlusskontakt 5 verbunden werden. Component connected by a bonding wire to the terminal contact 5. The component can also be connected to the connection contact 5 by solder balls.
Der Anschlusskontakt 5 kann aber auch als mechanischer und/oder elektrischer Anschluss eines Deckels oder eines weiteren Substrats, beispielsweise zur Ausbildung einesHowever, the connection contact 5 can also be used as a mechanical and / or electrical connection of a cover or a further substrate, for example for the formation of a
Package-On-Package Systems, dienen. Beispielsweise wird die weitere Komponente auf den Anschlusskontakt 5 aufgelötet oder aufgeklebt . Die Durchkontaktierung 4 führt von einer Außenseite 6 desPackage-on-package systems, serve. For example, the further component is soldered or glued onto the connection contact 5. The via 4 leads from an outer side 6 of the
Mehrschichtsubstrats 1 durch eine äußerste keramische Schicht 7, beispielsweise die oberste Schicht des Schichtstapels, hindurch. Insbesondere verläuft die Durchkontaktierung 4 vom Anschlusskontakt 5 ins Innere des Substrats 1. Die Multilayer substrate 1 through an outermost ceramic layer 7, for example, the uppermost layer of the layer stack, therethrough. In particular, the plated-through hole 4 extends from the terminal contact 5 into the interior of the substrate 1
Durchkontaktierung 4 ist als sogenannte Blindvia ausgeführt, d.h., sie führt nicht ganz durch das Substrat hindurch. Der Anschlusskontakt 5 ist an der Außenseite 6 des Grundkörpers 26, insbesondere auf einer äußersten Schicht 7, angeordnet. Der Anschlusskontakt 5 ist mit der Durchkontaktierung 4 einteilig ausgebildet. Insbesondere sind die Through-hole 4 is designed as a so-called blind via, that is, it does not pass completely through the substrate. The connection contact 5 is arranged on the outer side 6 of the main body 26, in particular on an outermost layer 7. The connection contact 5 is formed integrally with the feedthrough 4. In particular, the
Durchkontaktierung 4 und der Anschlusskontakt 5 aus dem gleichen Material gebildet und werden im gleichen Verfahren hergestellt. Beispielsweise weisen die Durchkontaktierung 4 und der Anschlusskontakt 5 Kupfer auf und werden durch Through-hole 4 and the terminal contact 5 are formed from the same material and are produced in the same process. For example, the via 4 and the terminal 5 copper on and are by
Abscheiden eines Metalls aus einer Lösung erzeugt. Depositing a metal from a solution.
Die Durchkontaktierung 4 weist beispielsweise eine Breite von 80 ym auf. Der Anschlusskontakt 5 in Form einer The via 4 has, for example, a width of 80 ym. The connection contact 5 in the form of a
Anschlussfläche ist wesentlich breiter als die Terminal surface is much wider than that
Durchkontaktierung 4 ausgebildet. Beispielsweise weist die Anschlussfläche eine Breite von 250 ym auf und eine Höhe von 20 ym auf. Through connection 4 formed. For example, the pad has a width of 250 ym and a height of 20 ym.
Die Figuren 2A und 2B zeigen in jeweils einem Querschnitt ein Mehrschichtsubstrat 1, bei dem der Anschlusskontakt 5 zusätzlich mit einer Deckschicht 8 versehen ist. Die FIGS. 2A and 2B show in each case a cross-section of a multilayer substrate 1, in which the connection contact 5 is additionally provided with a cover layer 8. The
Deckschicht 8 ist auf eine Grundschicht 9 aufgebracht, die wie der Anschlusskontakt 5 in Figur 1 ausgebildet ist. Durch die Deckschicht 8 erhält der Anschlusskontakt 5 eine Covering layer 8 is applied to a base layer 9, which is formed like the connection contact 5 in FIG. Through the cover layer 8 receives the connection contact 5 a
besonders glatte, löt- und bondbare Oberfläche. Die particularly smooth, solderable and bondable surface. The
Deckschicht 8 kann auch einen Schutz vor Korrosion bieten. Die Deckschicht 8 kann mehrschichtig ausgebildet sein. Cover 8 may also provide protection against corrosion. The cover layer 8 may be formed in multiple layers.
Beispielsweise weist die Deckschicht 8 eine Nickel- und eine Silberschicht auf, wobei die Nickelschicht als Lötbarriere fungiert. Alternativ weist die Deckschicht 8 beispielsweise eine Nickel- und eine Goldschicht auf. Auf die Nickelschicht kann zusätzlich eine Palladiumschicht aufgebracht sein. Somit ist die Deckschicht 8 beispielsweise mit Ni-Au oder Ni-Pd-Au mehrschichtig aufgebaut.  For example, the cover layer 8 has a nickel and a silver layer, the nickel layer acting as a solder barrier. Alternatively, the cover layer 8, for example, a nickel and a gold layer. In addition, a palladium layer may be applied to the nickel layer. Thus, the cover layer 8 is constructed, for example, with Ni-Au or Ni-Pd-Au multilayer.
Bei der Ausführungsform gemäß Figur 2A bedeckt die In the embodiment according to FIG
Deckschicht 8 nur die Oberseite der Grundschicht 9. Der Cover 8 only the top of the base layer 9. The
Anschlusskontakt 5 weist eine offene Kante 10 auf. In diesem Fall wird die Grundschicht 9 beispielsweise erst nach dem Aufbringen der Deckschicht 8 strukturiert, wie nachfolgend zu den Figuren 3A bis 3D erläutert wird. Terminal contact 5 has an open edge 10. In this case, the base layer 9, for example, after the Applying the cover layer 8 structured, as will be explained below to Figures 3A to 3D.
Bei der Ausführungsform gemäß Figur 2B bedeckt die In the embodiment of Figure 2B covers the
Deckschicht 8 auch die seitlichen Bereiche der Grundschicht 9, so dass die Grundschicht 9 vollständig von der Deckschicht 8 bedeckt ist. In diesem Fall wird die Grundschicht 9 beispielsweise schon vor dem Aufbringen der Deckschicht 8 strukturiert, wie nachfolgend zu den Figuren 3A bis 3D erläutert wird. Covering layer 8 also the lateral areas of the base layer 9, so that the base layer 9 is completely covered by the cover layer 8. In this case, the base layer 9 is patterned, for example, even before the application of the cover layer 8, as will be explained below with reference to FIGS. 3A to 3D.
In den Figuren 3A bis 3D sind Verfahrensschritte zur FIGS. 3A to 3D show method steps for
Herstellung eines derartigen Mehrschichtsubstrats gezeigt. Figur 3A zeigt einen Grundkörper 26 für ein Mehrschichtsubstrat. Zur Herstellung des Grundkörpers 26 werden Production of such a multilayer substrate shown. FIG. 3A shows a base body 26 for a multilayer substrate. For the preparation of the main body 26 are
Grünfolien zur Ausbildung von keramischen Schichten 2 Green films for the formation of ceramic layers 2
übereinander zu einem Schichtstapel angeordnet und gemeinsam gesintert. Für die Durchkontaktierung 4 ist die Grünfolie, die später die äußerste keramische Schicht 7 bildet, mit einem Loch versehen 27. Beispielsweise wird das Loch arranged one above the other to form a layer stack and sintered together. For the via 4, the green sheet, which later forms the outermost ceramic layer 7, is provided with a hole 27. For example, the hole becomes
eingestanzt oder mittels eines Lasers eingebracht. punched or introduced by means of a laser.
Die Grünfolien enthalten beispielsweise ein Keramikpulver, ein Bindemittel und einen Glasanteil als Sinterhilfsmittel. Beispielsweise wird als Keramikpulver Aluminiumoxid The green sheets contain, for example, a ceramic powder, a binder and a glass fraction as a sintering aid. For example, alumina is used as the ceramic powder
verwendet. In einer Ausführungsform wird die LTCC(low used. In one embodiment, the LTCC (low
temperature cofired ceramics ) -Technologie angewendet. Dabei wird beispielsweise bei einer Temperatur von um die 900 °C gesintert. Alternativ wird die HTCC (high temperature cofired ceramics ) -Technologie angewendet. In diesem Fall wird bei sehr hoher Temperatur, beispielsweise im Bereich von 1600 °C gesintert. Hier enthalten die Grünfolien beispielsweise keinen Glasanteil. temperature cofired ceramics) technology. In this case, for example, sintered at a temperature of around 900 ° C. Alternatively, HTCC (high temperature cofired ceramics) technology is used. In this case, at very high temperature, for example in the range of 1600 ° C sintered. For example, the green sheets here contain no glass content.
Nach dem Sintern des Schichtstapels wird die Oberfläche der Keramik vorbehandelt, so dass eine Abscheidung eines Metalls zur Ausbildung der elektrischen Kontaktierung erleichtert oder erst ermöglicht wird. After sintering of the layer stack, the surface of the ceramic is pretreated, so that a deposition of a metal to form the electrical contact is facilitated or only possible.
Figur 3B zeigt schematisch den Schritt zur Vorbehandlung der Oberfläche. Insbesondere wird eine Keimschicht innerhalb des Lochs 27 und an der Außenseite des Grundkörpers 26 erzeugt. Die Keimschicht ist beispielsweise 100 nm - 500 nm dick. FIG. 3B shows schematically the step for pretreatment of the surface. In particular, a seed layer is created within the hole 27 and on the outside of the main body 26. The seed layer is for example 100 nm - 500 nm thick.
In einer Ausführungsform wird die Oberfläche innerhalb des Lochs 27 und an der Außenseite 6 des Grundkörpers 26 chemisch aktiviert. Bei der Aktivierung wird die Oberfläche In one embodiment, the surface within the hole 27 and on the outside 6 of the body 26 is chemically activated. Upon activation, the surface becomes
beispielsweise mit einer palladiumhaltigen Lösung, zum for example, with a palladium-containing solution, for
Beispiel einer Palladiumchlorid-Lösung behandelt. Dabei scheiden sich Palladium-Atome auf der Oberfläche ab, die die weitere Metallisierung katalysieren. Alternativ dazu kann die Keimschicht auch durch Sputtern oder mittels eines PVD- Verfahrens (Physical Vapor Deposition) aufgebracht werden. Die Keimschicht weist beispielsweise Titan, Kupfer und/oder Chrom auf. Example of a palladium chloride solution treated. In the process, palladium atoms are deposited on the surface, which catalyze the further metallization. Alternatively, the seed layer can also be applied by sputtering or by means of a PVD (Physical Vapor Deposition) method. The seed layer has, for example, titanium, copper and / or chromium.
Nachfolgend wird auf der aktivierten Fläche eine Subsequently, on the activated surface, a
Metallisierung 28 durch Abscheiden eines Metalls aus einer Lösung erzeugt. Figur 3C zeigt das Mehrschichtsubstrat 1, bei dem im Loch 27 und auf der Außenseite 6 eine Metallisierung 28 abgeschieden ist. Das Loch 27 ist vollständig mit dem Metall gefüllt. Metallization 28 produced by depositing a metal from a solution. FIG. 3C shows the multilayer substrate 1, in which a metallization 28 is deposited in the hole 27 and on the outside 6. The hole 27 is completely filled with the metal.
Beispielsweise wird Kupfer abgeschieden. Dies kann in zwei Stufen erfolgen, wobei zunächst eine relative dünne For example, copper is deposited. This can be done in two Stages are carried out, initially a relatively thin
Kupferschicht stromlos abgeschieden wird und anschließend galvanisch verstärkt wird. Nachfolgend wird die Metallisierung 28 zur Ausbildung des Anschlusskontakts 5 strukturiert. Dazu wird beispielsweise eine Photolackmaske auf die Metallisierung 28 an der Copper layer is deposited electrolessly and then galvanically reinforced. Subsequently, the metallization 28 is structured to form the connection contact 5. For this purpose, for example, a photoresist mask on the metallization 28 at the
Außenseite 6 des Schichtstapels aufgebracht, entsprechend einem gewünschten Muster belichtet und entwickelt. Es sind nun die nicht für den Anschlusskontakt 5 vorgesehenen Applied outside 6 of the layer stack, exposed and developed according to a desired pattern. There are now not provided for the connection contact 5
Bereiche von der Photolackmaske unbedeckt. Anschließend werden die unbedeckten Bereiche geäzt. Beispielsweise wird als Ätzmittel eine Eisen (III) -Ionen-haltige wässrige Lösung verwendet. Anschließend wird die Photolackmaske,  Areas of the photoresist mask uncovered. Subsequently, the uncovered areas are etched. For example, an iron (III) ion-containing aqueous solution is used as etchant. Then the photoresist mask,
beispielsweise mit einem Lösungsmittel, entfernt. for example, with a solvent removed.
Figur 3D zeigt das Mehrschichtsubstrat mit dem nun Figure 3D shows the multilayer substrate with the now
strukturierten Anschlusskontakt 5 und der Durchkontaktierung 4. structured connection contact 5 and the via 4.
Bei einer Herstellung mit dem beschriebenen Verfahren weisen die Durchkontaktierung 4 und der Anschlusskontakt 5 keine gesinterte Metallpaste auf. Dies ermöglicht eine Erhöhung der Packungsdichte der Bauelemente. Insbesondere kann der When manufactured using the method described, the plated-through hole 4 and the terminal contact 5 do not have a sintered metal paste. This allows an increase in the packing density of the components. In particular, the
Anschlusskontakt 5 bei dem beschriebenen Verfahren mit einer besseren Auflösung strukturiert werden als dies bei einem Bedrucken mit einer Paste durch Siebdruck möglich ist. Terminal contact 5 are structured in the described method with a better resolution than is possible in a printing with a paste by screen printing.
Dadurch können mehrere Anschlusskontakte 5, beispielsweise mit einem Zwischenraum von 30 ym, erzeugt werden. Weiterhin kann ein Anschlusskontakt 5 mit einer besonders ebenen As a result, a plurality of connection contacts 5, for example with a gap of 30 ym, can be generated. Furthermore, a connection contact 5 with a particularly flat
Oberfläche hergestellt werden, so dass z. B. Lotkugeln direkt oberhalb der Durchkontaktierung 4 angeordnet werden können. Dies ermöglicht ebenfalls eine Erhöhung der Packungsdichte. Zudem gewährleistet eine derartige Kontaktierung 3 eine sehr gute elektrische, thermische, mechanische und Hochfrequenz¬ technische Anbindung des Außenkontakts 5 an das Innenleben des Substrats 1. Weiterhin kann die Anzahl der Surface are prepared so that z. B. solder balls can be arranged directly above the feedthrough 4. This also allows an increase in packing density. In addition, such contacting 3 ensures a very good electrical, thermal, mechanical and high-frequency ¬ technical connection of the external contact 5 to the interior of the substrate 1. Furthermore, the number of
Arbeitsschritte reduziert werden, wenn die Durchkontaktierung 4 und der Anschlusskontakt 5 in einem gemeinsamen Verfahren hergestellt werden. Operations are reduced when the via 4 and the terminal contact 5 are produced in a common process.
Weiterhin können die äußersten Schichten 7, 16 des Furthermore, the outermost layers 7, 16 of the
Grundkörpers 26 sehr dünn ausgebildet sein, da diese Base 26 be formed very thin, since this
Schichten 7, 16 im grünen Zustand nicht mehr eine für das Auf- bzw. Einbringen einer Paste erforderliche mechanische Stabilität aufweisen müssen. In einer Ausführungsform schließt sich an die Durchkontaktierung 4 im Inneren des Substrats eine Weiter- kontaktierung an, die eine gesinterte Paste aufweist. In diesem Fall wird auf einer Grünfolie oder innerhalb eines Lochs in einer Grünfolie eine Paste aufgebracht, die dann mit dem Schichtstapel eingebrannt wird. Insbesondere handelt es sich um eine Dickschichtpaste.  Layers 7, 16 in the green state no longer have to have a mechanical stability required for applying or introducing a paste. In one embodiment, the via 4 in the interior of the substrate is followed by a further contact, which has a sintered paste. In this case, a paste is applied on a green sheet or within a hole in a green sheet, which is then baked with the layer stack. In particular, it is a thick-film paste.
Gemäß einer Variante zur Herstellung des Anschlusskontakts 5 wird nach der Aktivierung zunächst, wie oben beschrieben, eine Metallisierung 28 erzeugt. Auf die Metallisierung 28 wird eine Photolackschicht aufgebracht, belichtet und According to a variant for the production of the connection contact 5, a metallization 28 is first generated after the activation, as described above. On the metallization 28, a photoresist layer is applied, exposed and
entwickelt, wobei die für den Anschlusskontakt 5 vorgesehenen Bereiche frei bleiben. In diesen nicht bedeckten Bereichen wird auf die Metallisierung 28 nun unter Anschluss einer Stromquelle oder mit einem stromlosen Verfahren eine developed, with the areas provided for the connection contact 5 areas remain free. In these uncovered areas is now on the metallization 28 under connection of a power source or with an electroless method
Deckschicht 8 (siehe Figur 2A) aufgebracht. Anschließend wird die Photolackmaske entfernt und ein Cover layer 8 (see Figure 2A) applied. Subsequently, the photoresist mask is removed and a
Ätzschritt durchgeführt, bis die Metallisierung 28 an den vorher von der Photolackmaske bedeckten Bereichen bis auf das Substrat entfernt ist. Nach dem Ätzen der Photolackmaske erhält man beispielsweise eine offene sandwichartige Cu-Ni- Ag-Kante 10, wie in Figur 2A zu sehen ist. Etching step performed until the metallization 28 is removed on the previously covered by the photoresist mask areas to the substrate. After the etching of the photoresist mask, for example, an open sandwiched Cu-Ni-Ag edge 10 is obtained, as can be seen in FIG. 2A.
Gemäß einer alternativen Variante wird die Deckschicht erst nach dem Strukturieren der Grundmetallisierung aufgebracht. Beispielsweise wird die Deckschicht in einem chemischen According to an alternative variant, the cover layer is applied only after the structuring of the base metallization. For example, the topcoat is in a chemical
Verfahren stromlos auf der Grundschicht 9 abgeschieden. In diesem Fall bedeckt die Deckschicht 8 auch die seitlichen Bereiche der Grundschicht 9, wie in Figur 2B zu sehen ist.  Process is deposited electrolessly on the base layer 9. In this case, the cover layer 8 also covers the lateral regions of the base layer 9, as can be seen in FIG. 2B.
Gemäß einer alternativen Variante kann die Strukturierung der Grundmetallisierung statt in dem oben beschriebenen According to an alternative variant, the structuring of the base metallization may take place in the manner described above
subtraktiven Verfahren auch in einem additiven Verfahren erfolgen. Dazu wird beispielsweise nach der Aktivierung der Oberfläche eine Photolackmaske aufgebracht. Die subtractive methods also take place in an additive process. For this purpose, for example, after the activation of the surface, a photoresist mask is applied. The
Photolackmaske wird an den für den Anschlusskontakt Photoresist mask is attached to the connector
vorgesehenen Stellen belichtet. Die Lackschicht wird an den belichteten Stellen entfernt, so dass wenigstens eine exposed areas. The lacquer layer is removed at the exposed areas, so that at least one
Aussparung gebildet wird. In die Aussparung wird die Recess is formed. In the recess is the
Metallisierung für den Anschlusskontakt galvanisch Metallization for the connection contact galvanic
eingebracht. Anschließend werden die restlichen Bereiche der Photolackmaske entfernt. brought in. Subsequently, the remaining areas of the photoresist mask are removed.
Figur 4 zeigt ein Mehrschichtsubstrat 1, das zwei durch Figure 4 shows a multilayer substrate 1, the two by
Abscheidung erzeugte Durchkontaktierungen 4 und Deposition generated vias 4 and
Anschlusskontakte 5 aufweist. Die zwei Durchkontaktierungen 4 weisen beispielsweise einen Abstand von 400 ym bis 500 ym auf. Es können aber auch kleinere Abstände, beispielsweise im Bereich von 100 ym erzeugt werden. Die Durchkontaktierungen 4 sind im Inneren des Substrats 1 jeweils mit einer Weiterkontaktierung 11 verbunden. Die Connection contacts 5 has. The two vias 4 have, for example, a distance of 400 ym to 500 ym. But it can also be smaller distances, for example, in the range of 100 ym are generated. The plated-through holes 4 are each connected to a further contact 11 in the interior of the substrate 1. The
Weiterkontaktierungen 11 weisen jeweils eine weitere Further contacts 11 each have one more
Durchkontaktierung 12 auf, die die durch Abscheidung erzeugte Durchkontaktierung 4 ins Innere des Substrats 1 hinein fortführt. Die weitere Durchkontaktierung 12 führt durch zwei weitere keramische Schichten 2 hindurch. Through hole 12, which continues the through-hole 4 produced by deposition into the interior of the substrate 1 inside. The further via 12 leads through two further ceramic layers 2.
Die weitere Durchkontaktierung 12 ist aus einer eingebrannten Paste gebildet. Dazu werden in die Grünfolien für die The further via 12 is formed from a baked paste. These are in the green films for the
keramischen Schichten 2, die mit der weiteren Durchkontaktierung 12 versehen werden sollen, Löcher eingebracht und mit einer Paste gefüllt. Die Paste wird gemeinsam mit den Grünfolien gesintert. Beispielsweise weist die weitere ceramic layers 2 to be provided with the further via 12 holes introduced and filled with a paste. The paste is sintered together with the green sheets. For example, the other
Durchkontaktierung 12 Silber auf. Die Durchkontaktierung 12 kann auch Kupfer aufweisen. Insbesondere bei Verwendung einer HTCC-Technologie eignen sich als Materialien auch Wolfram oder Molybdän. Zusätzlich sind zwischen keramischen Schichten 2 mehrere metallische Innenlagen 13 vorgesehen, wobei eine der Through hole 12 silver on. The via 12 may also comprise copper. In particular, when using a HTCC technology are suitable as materials and tungsten or molybdenum. In addition, a plurality of metallic inner layers 13 are provided between ceramic layers 2, wherein one of the
Innenlagen 13 mit den weiteren Durchkontaktierungen 12 elektrisch verbunden ist. Durch die Innenlagen 13 werden beispielsweise passive Komponenten und Verschaltungs- strukturen realisiert. Auch die Innenlagen 13 werden durch eine eingebrannte Paste gebildet. Dazu werden die Grünfolien mit der Paste bedruckt, laminiert und gesintert. Inner layers 13 is electrically connected to the other vias 12. By the inner layers 13, for example, passive components and interconnection structures are realized. The inner layers 13 are formed by a baked paste. For this, the green sheets are printed with the paste, laminated and sintered.
Figur 5 zeigt eine weitere Ausführungsform eines FIG. 5 shows a further embodiment of a
Mehrschichtsubstrats 1. Hier sind sowohl an einer Unterseite 15 als auch an einer Oberseite 14 durch Abscheidung erzeugte elektrische Kontaktierungen 3, 17 vorgesehen. Die Multilayer substrate 1. Here, electrical contacts 3, 17 produced by deposition are provided on both a bottom side 15 and an upper side 14. The
Kontaktierungen 3, 17 weisen jeweils Durchkontaktierungen 4, 18 auf. Die Durchkontaktierungen 4, 18 führen jeweils nur durch die äußerste Schicht 7, 16 des Substrats 1 hindurch. Contacts 3, 17 each have vias 4, 18 on. The plated-through holes 4, 18 each pass only through the outermost layer 7, 16 of the substrate 1.
Die Kontaktierung 3 an der Unterseite 15 weist eine durch Abscheidung erzeugte Durchkontaktierung 4 auf, die direkt mit einer Innenlage 13 verbunden ist. Die Innenlage 13 ist von einer eingebrannten Paste gebildet. The contact 3 on the underside 15 has a through-connection 4 produced by deposition, which is connected directly to an inner layer 13. The inner layer 13 is formed by a baked paste.
Die Kontaktierung 17 an der Oberseite 14 weist eine durch Abscheidung erzeugte Durchkontaktierung 18 auf, die mit einer weiteren Durchkontaktierung 12 verbunden ist. Die weitere Durchkontaktierung 12 ist von einer eingebrannten Paste gebildet und führt durch mehrere keramische Schichten 2 ins Innere des Substrats 1. The contacting 17 on the upper side 14 has a through-connection 18 produced by deposition, which is connected to a further through-connection 12. The further through-connection 12 is formed by a baked-on paste and leads through several ceramic layers 2 into the interior of the substrate 1.
Die Kontaktierung 17 an der Oberseite 14 weist einen The contact 17 on the top 14 has a
Anschlusskontakt 19 in Form eines Bumps auf. Der Terminal contact 19 in the form of a bump. Of the
Anschlusskontakt 19 ist wie die in den vorhergehenden Figuren gezeigte Anschlussfläche zur Kontaktierung eines Bauelements ausgebildet . Terminal contact 19 is formed like the connection area shown in the preceding figures for contacting a component.
Der Bump ist mit der Durchkontaktierung 18 einteilig The bump is integral with the feedthrough 18
ausgebildet und durch Abscheiden eines Metalls aus einer Lösung erzeugt. Beispielsweise handelt es sich um einen Cu- Bump. Der Anschlusskontakt 19 kann mit einer Beschichtung, beispielsweise einer Zinn-Beschichtung, versehen sein, wodurch Cu-Sn-Diffusionsbonden ermöglicht wird. Es ist aber auch Cu-Cu-Bonden möglich. Figur 6 zeigt eine weitere Ausführungsform für ein formed and produced by depositing a metal from a solution. For example, it is a Cu-bump. The terminal 19 may be provided with a coating, such as a tin coating, thereby enabling Cu-Sn diffusion bonding. But it is also possible Cu-Cu bonding. FIG. 6 shows a further embodiment for a
Mehrschichtsubstrat 1. Die einzelnen keramischen Schichten sind aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht eingezeichnet. Es sind mehrere durch Abscheidung erzeugte Durchkontaktierungen 4, 20, 21 ausgebildet. Eine Durchkontaktierung 4 führt nur durch die äußerste Schicht 7 hindurch und ist mit einer durch eine eingebrannte Paste gebildeten Weiterkontaktierung 11 verbunden. Multi-layer substrate 1. The individual ceramic layers are not shown for reasons of clarity. There are several generated by deposition Through contacts 4, 20, 21 formed. A via 4 passes only through the outermost layer 7 and is connected to a further contact 11 formed by a baked paste.
Zwei Durchkontaktierungen 20, 21 führen durch mehrere Two feedthroughs 20, 21 lead through several
Schichten 2 des Substrats hindurch. Eine Durchkontaktierung 21 ist nicht mit einer Weiterkontaktierung verbunden. Die andere Durchkontaktierung 20 ist mit einer Layers 2 of the substrate through. A via 21 is not connected to any further contact. The other via 20 is connected to a
Weiterkontaktierung 11 aufweisend eine Innenlage 13 und eine weitere Durchkontaktierung 12 verbunden. Die Innenlage 13 und die weitere Durchkontaktierung 12 sind durch eingebrannte Pasten gebildet. In einer weiteren Ausführungsform führt eine durch Weitererkontaktierung 11 having an inner layer 13 and a further feedthrough 12 connected. The inner layer 13 and the further via 12 are formed by baked pastes. In another embodiment, a through
Abscheidung erzeugte Durchkontaktierung ganz durch das  Deposition generated through hole entirely through the
Mehrschichtsubstrat hindurch. Multilayer substrate through.
Figur 7 zeigt eine weitere Ausführungsform eines FIG. 7 shows a further embodiment of a
Mehrschichtsubstrats 1, bei dem die Anschlusskontakte 22 säulenförmig ausgebildet sind. Es handelt sich um sogenannte Pillars, die insbesondere bei Leistungsverstärkern eingesetzt werden. Auf dem Mehrschichtsubstrat 1 ist ein Bauelement 23 befestigt . Multi-layer substrate 1, in which the connection contacts 22 are formed in a columnar shape. These are so-called pillars, which are used in particular in power amplifiers. On the multi-layer substrate 1, a component 23 is attached.
Die Anschlusskontakte 22 sind durch Abscheidung eines Metalls aus einer Lösung erzeugt und mit Durchkontaktierungen 4 verbunden. Beispielsweise können die Anschlusskontakte 22 gemeinsam mit den Durchkontaktierungen 4 erzeugt werden. Auf den Anschlusskontakten 22 ist eine Lotschicht 24 zur The connection contacts 22 are produced by deposition of a metal from a solution and connected to plated-through holes 4. For example, the connection contacts 22 can be generated together with the plated-through holes 4. On the connection contacts 22 is a solder layer 24 for
Befestigung eines Bauelements 23, insbesondere eine Attachment of a component 23, in particular a
Zinnschicht, aufgebracht. Alternativ kann auch Cu-Cu Bonden zum Einsatz kommen. Das Bauelement 23 weist ebenfalls säulenförmige Anschlusskontakte 25 auf, die auf die Anschlusskontakte 22 des Substrats 1 aufgesetzt und mit diesen durch die Lotschicht 24 verbunden sind. Tin layer, applied. Alternatively, Cu-Cu bonding can also be used. The component 23 also has columnar connection contacts 25 which are placed on the terminal contacts 22 of the substrate 1 and connected thereto by the solder layer 24.
Bezugs zeichenliste Reference sign list
1 Mehrschichtsubstrat 1 multi-layer substrate
2 keramische Schicht  2 ceramic layer
3 elektrische Kontaktierung 3 electrical contact
4 Durchkontaktierung  4 via
5 Anschlusskontakt  5 connection contact
6 Außenseite  6 outside
7 äußerste Schicht  7 outermost layer
8 Deckschicht 8 topcoat
9 Grundschicht  9 base layer
10 Kante  10 edge
11 Weiterkontaktierung  11 Further contact
12 weitere Durchkontaktierung  12 more via
13 Innenlage 13 inner layer
14 Oberseite  14 top
15 Unterseite  15 bottom
16 äußerste Schicht  16 outermost layer
17 elektrische Kontaktierung  17 electrical contact
18 Durchkontaktierung 18 via
19 Anschlusskontakt  19 connection contact
20 Durchkontaktierung  20 via
21 Durchkontaktierung  21 via
22 Anschlusskontakt  22 connection contact
23 Bauelement 23 component
24 Lotschicht  24 solder layer
25 Anschlusskontakt des Bauelements 26 Grundkörper  25 terminal contact of the device 26 main body
27 Loch  27 holes
28 Metallisierung 28 metallization

Claims

Patentansprüche claims
1. Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtsubstrats,1. A method for producing a multilayer substrate,
A) Bereitstellen eines Grundkörpers (26) aufweisend mehrere keramische Schichten (2), wobei wenigstens eine Schicht (2) ein Loch (27) aufweist, A) providing a base body (26) comprising a plurality of ceramic layers (2), wherein at least one layer (2) has a hole (27),
B) Befüllen des Lochs (27) mit einem Metall durch Abscheiden des Metalls aus einer Lösung zur Ausbildung einer  B) filling the hole (27) with a metal by depositing the metal from a solution to form a
Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21). Through-hole (4, 18, 20, 21).
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Metall Kupfer 2. The method of claim 1, wherein the metal is copper
enthält . contains.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei das Loch (27) durch mehrere keramische Schichten (2) 3. The method according to any one of claims 1 or 2, wherein the hole (27) through a plurality of ceramic layers (2)
hindurchführt . passes through.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, 4. The method according to any one of claims 1 to 3,
wobei das Mehrschichtsubstrat (1) im Inneren des Grundkörpers (26) eine Weiterkontaktierung (11) aufweist, die mit derwherein the multilayer substrate (1) in the interior of the base body (26) has a further contact (11), which with the
Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) verbunden ist, wobei sich die Weiterkontaktierung (11) im Material und/oder dem Through connection (4, 18, 20, 21) is connected, wherein the further contact (11) in the material and / or the
Herstellungsverfahren von der Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) unterscheidet. Manufacturing method of the through hole (4, 18, 20, 21) is different.
5. Verfahren nach Anspruch 4, 5. The method according to claim 4,
bei dem die Weiterkontaktierung (11) Silber, Wolfram, in which the further contact (11) silver, tungsten,
Molybdän und/oder Kupfer aufweist. Molybdenum and / or copper has.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, 6. The method according to any one of claims 4 or 5,
bei dem die Weiterkontaktierung (11) eine eingebrannte Paste aufweist . in which the further contact (11) has a baked-on paste.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, 7. The method according to any one of claims 4 to 6,
bei dem die Weiterkontaktierung (11) eine Innenlage (13) aufweist, die auf einer keramischen Schicht (2) im Inneren des Grundkörpers (26) angeordnet ist. in which the further contact (11) has an inner layer (13) which is arranged on a ceramic layer (2) in the interior of the main body (26).
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7, 8. The method according to any one of claims 4 to 7,
bei dem die Weiterkontaktierung (11) eine weitere Durch- kontaktierung (12) aufweist, die durch wenigstens eine weitere keramische Schicht (2) führt. in which the further contacting (11) has a further through-contacting (12) which leads through at least one further ceramic layer (2).
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, 9. The method according to any one of claims 1 to 8,
wobei beim Abscheiden des Metalls ein Anschlusskontakt (5, 19, 22) zum Anschließen eines Bauelements (23) auf einer Außenseite (6, 14, 15) des Grundkörpers erzeugt wird. wherein during the deposition of the metal, a connection contact (5, 19, 22) for connecting a component (23) on an outer side (6, 14, 15) of the base body is produced.
10. Mehrschichtsubstrat, aufweisend einen Grundkörper (26) mit mehreren keramischen Schichten (2), wobei wenigstens eine der Schichten (2) eine Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) aufweist, die ein Metall enthält, das durch Abscheiden aus einer Lösung eingebracht ist. 10. multilayer substrate, comprising a base body (26) with a plurality of ceramic layers (2), wherein at least one of the layers (2) has a through-hole (4, 18, 20, 21) containing a metal, which by deposition from a solution is introduced.
11. Mehrschichtsubstrat, aufweisend einen Grundkörper (26) mit mehreren keramischen Schichten (2), wobei das 11. Multi-layer substrate, comprising a base body (26) with a plurality of ceramic layers (2), wherein the
Mehrschichtsubstrat eine Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) und eine damit verbundene Weiterkontaktierung (11) aufweist, wobei die Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) durch wenigstens eine der Schichten (2) führt, und die Weiterkontaktierung ( 11 ) im Inneren des Grundkörpers (26) angeordnet ist und wobei die Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) ein anderes Material als die Weiterkontaktierung (11) aufweist und/oder mit einem anderen Herstellungsverfahren erzeugt ist. Multilayer substrate has a via (4, 18, 20, 21) and an associated further contact (11), wherein the via (4, 18, 20, 21) leads through at least one of the layers (2), and the further contact (11) is arranged inside the base body (26) and wherein the through-connection (4, 18, 20, 21) has a different material than the further contact (11) and / or is produced by a different manufacturing method.
12. Mehrschichtsubstrat nach Anspruch 11, 12. multilayer substrate according to claim 11,
wobei die Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) Kupfer aufweist und die Weiterkontaktierung Silber, Wolfram, Molybdän wherein the via (4, 18, 20, 21) comprises copper and the further contacting comprises silver, tungsten, molybdenum
und/oder Kupfer aufweist. and / or copper.
13. Mehrschichtsubstrat, aufweisend einen Grundkörper (26) mit mehreren keramischen Schichten (2), wobei der Grundkörper (26) in HTCC-Technologie hergestellt ist und eine 13. multilayer substrate, comprising a base body (26) with a plurality of ceramic layers (2), wherein the base body (26) is made in HTCC technology and a
Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) aufweist, die durch wenigstens eine der Schichten führt, wobei die Through-hole (4, 18, 20, 21), which leads through at least one of the layers, wherein the
Durchkontaktierung (4, 18, 20, 21) Kupfer enthält.  Through-hole (4, 18, 20, 21) contains copper.
14. Mehrschichtsubstrat nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei die Weiterkontaktierung (11) eine weitere 14. Multi-layer substrate according to one of claims 11 to 13, wherein the further contact (11) another
Durchkontaktierung (18) wenigstens einer keramischen Schicht aufweist . Through contact (18) has at least one ceramic layer.
15. Mehrschichtsubstrat nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei die Weiterkontaktierung (11) eine Innenlage (13) im Inneren des Grundkörpers (26) aufweist, die auf einer 15. Multi-layer substrate according to one of claims 11 to 14, wherein the further contact (11) has an inner layer (13) in the interior of the base body (26), which on a
keramischen Schicht (2) angeordnet ist. ceramic layer (2) is arranged.
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