EP2715824A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements

Info

Publication number
EP2715824A1
EP2715824A1 EP12714270.1A EP12714270A EP2715824A1 EP 2715824 A1 EP2715824 A1 EP 2715824A1 EP 12714270 A EP12714270 A EP 12714270A EP 2715824 A1 EP2715824 A1 EP 2715824A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
optoelectronic component
adhesive
layer
electrode
various embodiments
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
EP12714270.1A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Dirk Becker
Erwin Lang
Daniel Steffen Setz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram Oled GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of EP2715824A1 publication Critical patent/EP2715824A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/80—Constructional details
    • H10K10/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the invention relates to an optoelectronic component and to a method for producing an optoelectronic component
  • OLED Organic light-emitting diodes
  • OLED organic light-emitting diodes
  • stacked organic light-emitting diodes are so far prone to
  • LEDs are installed. Such particles can be referred to as so-called latent short circuits (also referred to as latent short circuits (also referred to as latent short circuits).
  • HIL doped hole conductor layer
  • Hole transport layer usually with a layer thickness of several 100 nm, as a so-called short-circuit protective layer (Engl
  • an optoelectronic component for example, an organic light emitting diode (OLED)
  • OLED organic light emitting diode
  • a thin layer encapsulated OLED by a novel method or. a novel process for
  • Emission characteristic (or the absorption characteristic) of the optoelectronic component for example the OLED
  • the optoelectronic component for example the OLED
  • the thermal management in the optoelectronic component for example the OLED
  • Optoelectronic component may have at least one layer of the optoelectronic component; at least one adhesive on the layer of the optoelectronic component; and a cover on the adhesive; wherein the at least one adhesive is cured only in a partial region above the substrate and / or above the layer.
  • the partial region can have the edge region of the adhesive.
  • the edge region may be at least part of a peripheral structure of the adhesive.
  • the subregion may be arranged at least partially laterally outside an active region of the optoelectronic component.
  • an active area can in various embodiments a
  • Component of received light is located.
  • the at least one adhesive may have a plurality of adhesives of different viscosities.
  • particles may be provided in the adhesive which have a different refractive index to the adhesive.
  • the adhesive may have a lower refractive index than the cover.
  • the cover may be provided an optically refractive layer.
  • a refractive layer can be understood as meaning a layer which has periodic structures, for example in the US Pat
  • a refractive layer lenses pyramids, or truncated conical structures may at least partially enclose an area in which a liquid non-adhesive material or a liquid adhesive is provided.
  • the layer may have a
  • the cover may comprise or be glass or a foil.
  • the method comprising: applying a cover to a layer of the optoelectronic
  • Component by means of at least one adhesive; and changing the viscosity of the at least one adhesive only in a partial region above a substrate of the optoelectronic component and / or above the layer or only outside the layer.
  • the viscosity by means of
  • the light irradiation can be effected by irradiation of ultraviolet light.
  • Figure 2 is a cross-sectional view of an optoelectronic
  • Figure 3 is a cross-sectional view of an optoelectronic
  • FIGS. 4A to 4E show cross-sectional views of the optoelectronic component according to FIG. 1 to different ones
  • Figure 5 is a cross-sectional view of an optoelectronic
  • FIG. 6 shows a plan view of the optoelectronic component according to FIG. 5;
  • FIGS. 7A to 7C show principle cross-sectional views, by means of which possible damage to an optoelectronic component in conventional full-surface curing of the adhesive is illustrated;
  • FIGS. 8A to 8C are cross-sectional views through which a lamination of an optoelectronic component with a curing of the adhesive is illustrated only in a partial region according to various exemplary embodiments;
  • Figure 9 is a cross-sectional view of an optoelectronic
  • FIG. 10 shows a plan view of the optoelectronic component according to FIG. 9;
  • Figures IIA and IIB is a cross-sectional view of a
  • Figs. 12A and 12B are a cross-sectional view of one
  • FIG. 13 is a flowchart in which a method for the
  • an optoelectronic device is provided.
  • An optoelectronic component may be in different
  • Embodiments as an organic light emitting diode (OLED), as a
  • OPD organic photodiode
  • OSC organic solar cell
  • OTFT organic thin film transistor
  • the plurality of optoelectronic components can be housed in a common housing.
  • the plurality of optoelectronic components can be
  • FIG. 1 shows an organic light-emitting diode 100 as a
  • LED 100 in Figure 1 is still not encapsulated and not yet with a cover, such as a
  • the optoelectronic component 100 in the form of a
  • Organic light emitting diode 100 may include a substrate 102.
  • the substrate 102 may serve as a support for electronic elements or layers, such as optoelectronic elements.
  • the substrate 102 may include or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material, or any other suitable material.
  • the substrate 102 may be a plastic film or a laminate having one or more Have plastic or be formed from it.
  • the plastic may be one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene (PE) or
  • the plastic may be polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC),
  • PVC polyvinyl chloride
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • PET Polyethylene terephthalate
  • PES polyethersulfone
  • PEN polyethylene naphthalate
  • the substrate 102 for example, a
  • Metal foil for example, an aluminum foil, a stainless steel foil, a copper foil or a combination or a stack of layers thereon.
  • the substrate 102 may include one or more of the above materials.
  • the substrate 102 may be translucent, for example
  • translucent layer can be used in
  • a layer is transparent to light, for example, for the light generated by the optoelectronic component, for example, one or more wavelength ranges, for example, for light in a wavelength range
  • visible light for example, at least in one
  • Translucent layer in various exemplary embodiments is to be understood as meaning that essentially the entire amount of light coupled into a structure (for example a layer) is also coupled out of the structure (for example layer).
  • transparent layer can be used in
  • a layer is transparent to light (for example, at least in a subregion of the wavelength range of 380 nm to 780 nm), wherein in a structure (for example, a layer) coupled light substantially without Scattering or light conversion also from the structure
  • a first electrode 104 (for example in the form of a first electrode layer 104) may be applied on or above the substrate 102.
  • the first electrode 104 (also referred to below as the lower electrode 104) may consist of a first electrode 104
  • electrically conductive material or be formed such as a metal or a conductive transparent oxide (TCO) or a stack of layers of the same or different metal or metals and / or the same or different TCOs.
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example metal oxides, such as, for example, zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal-oxygen compounds such as ZnO, Sn0 2, or In 2 03
  • ternary metal-oxygen compounds such as Zn 2 Sn0 4, CdSn0 3, ZnSn0 3, Mgrn 2 0 4, Galn0 3, Zn in 0 5 or In 4 Sn 3 0i 2 or mixtures of different transparent conductive oxides to the group of TCOs.
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • the first electrode 104 may be formed as an anode, that is, as a hole-injecting material.
  • Electrode 104 are formed by a. Layer stack of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium tin oxide
  • the first electrode 104 may include a metal (eg, Ag, Pt, Au, Mg) or a metal
  • the first electrode 104 may comprise AlZnO or similar materials.
  • Electrode 104 have a metal which can serve, for example, as a cathode material, ie as an electron-injecting material.
  • a cathode material may include, for example, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca or Li and
  • the organic light emitting diode 100 may be configured as a so-called To emitter and / or as a so-called bottom emitter.
  • a top emitter can be understood in various embodiments as an organic light emitting diode in which the light from the organic light emitting diode upwards,
  • a bottom emitter for example, through the second electrode, is emitted.
  • Under a bottom emitter can be in different
  • a first electrode 104 (for example in the form of a first electrode layer 104) may be applied.
  • the first electrode 104 (also referred to below as lower electrode 104) may consist of a
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide, Cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • metal oxides such as zinc oxide, tin oxide, Cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO).
  • ITO indium tin oxide
  • ZnO, SnC> 2, or In 2 03 also include ternary metal oxygen compounds such as AlZnO, Zn 2 Sn0 4 , CdSn0 3 , ZnSn0 3 , Mgln 2 0 4 , Galn0 3 , Zn 2 In 2 05 or
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 104 comprises a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm or Li, and
  • Electrode 104 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium-tin-oxide
  • ITO-Ag-ITO multilayers Silver layer deposited on an indium-tin-oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • ITO indium-tin-oxide
  • Electrode provide one or more of the following materials as an alternative or in addition to the materials mentioned above: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag; Networks off
  • Carbon nanotubes Carbon nanotubes; Graphene particles and layers; Networks of semiconducting nanowires.
  • these electrodes may comprise conductive polymers or transition metal oxides or conductive transparent oxides.
  • the first electrode 104 and the substrate 102 may be formed to be translucent or transparent. In this case, in the event that the first
  • Electrode 104 is formed of a metal, the first electrode 104, for example, have a layer thickness of less than or equal to about 25 nm, for example a
  • the first electrode 104 may have, for example, a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 15 nm
  • the first electrode 104 a the first electrode 104 a
  • Layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the first electrode 104 has, for example, a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness of a range of about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of
  • first electrode 104 is made of, for example, a network of metallic nanowires, such as Ag, which may be combined with conductive polymers
  • the first electrode 104 for example, have a layer thickness in one
  • the first electrode 104 can also be configured opaque or reflective.
  • the first electrode 104 may be, for example, a
  • the first electrode 104 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • the first electrode 104 may be a first electrical
  • a first electrical potential (provided by a power source (not shown) (e.g., a power source or a voltage source) can be applied.)
  • the first electrical potential may be applied to the substrate 102 and then indirectly to the first electrode 104.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • the optoelectronic component 100 may have an organic functional layer structure 106, which is or will be applied on or above the first electrode 104.
  • the organic functional layer structure 106 may include one or more emitter layers 108, for example, with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole-line layers 110.
  • Optoelectronic device 100 according to various aspects
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and also metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2-) (2-pyridyl) henyl- (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent
  • Such non-polymeric emitters are for example Abscheidba by thermal evaporation. Furthermore, can
  • Polymer emitter are used, which in particular by wet chemical methods, such as spin coating or slot dye coating, are deposited.
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • Emitter materials are also provided in other embodiments.
  • Optoelectronic component 100 may for example be selected such that the optoelectronic component 100 White light emitted.
  • the emitter layer (s) 108 may comprise a plurality of emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) 108 may be constructed of multiple sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer 108 or blue
  • the organic functional layer structure 106 may generally include one or more functional layers.
  • the one or more functional layers may or may not be organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules, or a combination of these materials
  • the organic functional layer structure 106 may be one or more functional
  • the organic electroluminescent layer structure may comprise one or more functional layers, which may be referred to as a
  • Electron transport layer (not shown) and / or designed as an electron injection layer (not shown) EP2012 / 055602
  • electroluminescent region is made possible.
  • the material for the hole transporting layer 110 tertiary amines, carbazoderivatives, conductive polyaniline or polythylenedioxythiophene may, for example, be used.
  • the one or more functional layers may or may be embodied as an electroluminescent layer.
  • Hole transport pushes 110 may be deposited on or over the first electrode 104, for example deposited, and the emitter layer 108 may be on or above the first electrode 104
  • Hole transport layer 110 applied for example
  • the organic functional layer structure 106 ie, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 110 and
  • Emitter layer (s) 108) have a layer thickness of at most about 1, 5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most, about 1, 2 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of a maximum of about 800 nm, for example a layer thickness of at most about 500 nm, for example a layer thickness of at most about 400 nm, for example a layer thickness of at most about 300 nm.
  • a layer thickness of at most about 1, 5 ⁇ for example, a layer thickness of at most, about 1, 2 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1 ⁇ , for example, a layer thickness of a maximum of about 800 nm, for example a layer thickness of at most about 500 nm, for example a layer thickness of at most about 400 nm, for example a layer thickness of at most about 300 nm.
  • Layer structure 106 for example, a stack of
  • each OLED has light emitting diodes (OLEDs).
  • a layer thickness may have a maximum of about 1, 5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1, 2 ⁇ , for example, a layer thickness of ma imal approximately hr 1 ⁇ , for example, a layer thickness of maximum about 800 nm, for example, a layer thickness of ma imal about 500 nm, for example, a layer thickness of at most about 400 nm, for example, a layer thickness of at most about 300 nm.
  • the organic functional layer structure 106 may have a maximum of about 1, 5 ⁇ , for example, a layer thickness of at most about 1, 2 ⁇ , for example, a layer thickness of ma imal approximately hr 1 ⁇ , for example, a layer thickness of maximum about 800 nm, for example, a layer thickness of ma imal about 500 nm, for example, a layer thickness of at most about 400 nm, for example, a layer thickness of at most about 300 nm.
  • the organic functional layer structure 106 may have a maximum of about 1, 5
  • the organic functional layer structure 106 may have superposed OLEDs, in which case, for example, the organic functional layer structure 106 may have a layer thickness of at most about 3 tm.
  • the optoelectronic component 100 may optionally generally further organic functional layers, for example
  • a second electrode 112 (for example in the form of a second electrode 112) may be provided.
  • Electrode layer 112) may be applied.
  • the second electrode layer 112 may be applied.
  • the second electrode layer 112 may be applied.
  • Electrode 112 may comprise or be formed from the same materials as the first electrode 104, wherein
  • electrode 112 may have a layer thickness of less than or equal to about 50 nm, for example one
  • a layer thickness of less than or equal to about 40 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 35 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 20 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 112 may generally be formed similarly to, or different from, the first electrode 104.
  • the second electrode 112 may in one or more embodiments
  • transducible or transparent may be formed as described above in connection with the first electrode 104.
  • Electrode 112 (which may also be referred to as
  • Cover contact 112) may be formed semitransparent or transparent.
  • electrode 112 have an arbitrarily greater layer thickness, for example, a layer thickness of at least 1 ⁇ when the second electrode 112 is formed semitransparent or transparent.
  • the second electrode 112 may have a second electrical connection, to which a second electrical connection
  • the second electrical potential may, for example, have a value such that the difference to the first electrical potential has a value in a range of approximately 1.5V to approximately 20V, for example a value in a range of approximately 2.5V to about 15V, for example, a value in a range of about 5V to about 10V.
  • a mirror layer structure 114 is applied in various exemplary embodiments.
  • the mirror layer structure 114 has a layer thickness of at least 1 ⁇ m.
  • the mirror layer structure 114 may include one or more metal films
  • the one or more metal films of the mirror layer structure 114 may each have a layer thickness in a range of about 5 nm to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 1000 nm,
  • the mirror layer structure 114 for example, have a layer thickness in a range of about 50 n to about 300 nm, so that the mirror layer structure 114 has an overall layer structure thickness in the range of about 10 nm to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range from about 15 nm to about 1000 nm,
  • all of the materials used for the mirror layer structure 114, as listed above for the second electrode 112, may also be used doped metal oxide
  • the mirror layer structure 114 may include one or more mirrors. If the mirror layer structure 114 has a plurality of mirrors, the respective mirrors are separated from one another by means of a respective dielectric layer.
  • the mirror layer structure 114 may also be omitted and their
  • Additional layers for example, to improve the adhesion or the processability can be provided in various embodiments.
  • the organic light-emitting diode 100 can still have one or more encapsulation layers (not shown),
  • the light is in various embodiments by the optically translucent, for example, optically
  • Electrode of the optoelectronic component, such as the OLED, emitted (in this case, the OLED
  • Fig. 2 shows an organic light emitting diode 200 as a
  • the organic light emitting diode 200 according to Figure 2 is in many embodiments.
  • Mirror layer structure 202 is not formed on or above the second electrode 112, but below the first
  • Electrode 104
  • the power source is connected in these embodiments to the first electrical connection of the first electrode 104 and to the second electrical connection of the second electrode 112.
  • the organic light-emitting diode 200 according to FIG. 2 can be designed as a top emitter.
  • the organic light-emitting diode 200 according to Figure 2 illustratively a
  • Both contacts ⁇ i. the first electrode 104 and the second electrode 112) are semitranslucent in this embodiment, for example
  • an encapsulation layer structure 20 for example in the form of a thin-layer encapsulation 20, is arranged on or above the second electrode 112.
  • the substrate side is illustrative
  • Embodiments transmitted to a surface side emitting optoelectronic device for example a surface emitting OLED
  • a surface side emitting optoelectronic device for example a surface emitting OLED
  • the external metal mirror below the optically translucent
  • the OLED may be arranged or be transparent, basic contact.
  • transparent cover contact for example, the second electrode
  • transparent cover contact is thus formed for example as a top emitter.
  • the mirror layered structure such as the thick metal mirror, may be applied directly to the substrate 102 while maintaining the bottom contact, i. the first electrode 302 of the
  • optoelectronic component 300 for example, an OLED 300 form. Such an optoelectronic component 300 is shown in FIG.
  • Component 300 according to FIG. 3 is identical to the layer stack of the optoelectronic component 200 according to FIG.
  • the organic light emitting diode can also iron any other suitable structure.
  • FIGS. 4A to 4F show the optoelectronic component 100 according to various embodiments at different times during its manufacture. The others
  • Optoelectronic components 200, 300 can be used in any combination
  • FIG. 4A shows the optoelectronic component 100 at a first point in time 400 during its production.
  • the first electrode 104 is applied to the substrate 102, for example, deposited,
  • a CVD method chemical vapor deposition, chemical vapor deposition
  • a PVD process physical vapor deposition, physical vapor deposition
  • PE-CVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • the dielectric layer can be reduced as compared to a plasma-less CVD process.
  • This may be advantageous, for example, if the element, for example the light-emitting electronic component to be formed, is connected to a
  • the Ma imaltemperatur may be about 120 ° C, for example, in a light-emitting electronic component to be formed according to various embodiments, so that the temperature at which, for example, the dielectric layer is applied, less than or equal to 120 ° C and, for example, less than or equal to 80 ° C. can.
  • 4B shows the optoelectronic component 100 at a second point in time 402 during its production. At this time, the one or more hole conductive layers 110 become or become the first electrode 104
  • CVD chemical vapor deposition, chemical vapor deposition
  • PVD physical vapor deposition, physical vapor deposition, for example sputtering
  • Evaporation alternatively by means of a plating process; a Tauchabborgevons; a spin coating process; Printing; Doctoring; or spraying.
  • 4C shows the optoelectronic component 100 at a third time 404 during its production.
  • the one or more emitter layers 108 will become or become one or more
  • CVD chemical vapor deposition, chemical vapor deposition
  • PVD physical vapor deposition, physical vapor deposition, for example sputtering, ion-assisted
  • 4D shows the optoelectronic component 100 at a fourth time 406 during its production.
  • the second electrode 112 will be attached to the one or more other organic functional layers (if present) or to the one or more
  • Emitter layers 108 applied, for example
  • CVD chemical vapor deposition, chemical vapor deposition
  • PVD physical vapor deposition, physical vapor deposition, for example sputtering, ion-assisted
  • FIG. 4E shows the optoelectronic component 100 at a fifth time 408 during its production.
  • the mirror layered structure 114 having the above-described lateral thermal conductivity is applied to the second electrode 112, for example, by CVD (Chemical Vapor Deposition) method or PVD (Physical Deposition Method) method Gas phase, physical vapor deposition, for example sputtering, ion-assisted
  • FIG. 5 shows a cross-sectional view of an optoelectronic component 500 with cover according to various
  • the optoelectronic component 500 a carrier 502, for example, a substrate 502, have.
  • the carrier 502 may comprise any, for example, electrically insulating material. I different
  • the carrier 502 also from the
  • Substrate 102 are formed. In different
  • the carrier 502 can be formed from the materials as described above in connection with
  • Optoelectronic component (optionally already provided with a thin-layer encapsulation), for example, the organic light-emitting diode 100, 200, 300 applied,
  • a cover 506, for example a glass cover 506, is fastened, for example glued, by means of an adhesive 504 in various exemplary embodiments,
  • an electrically insulating film such as a plastic sheet
  • an electrically conductive film such as a
  • the adhesive 504 may include or consist of one or more of the following materials: polymeric materials, such as epoxy resins, acrylates, fluoropolymers,
  • PMMA Polymethyl methacrylate
  • MA + PMMA Polymethyl methacrylate
  • EVA ethylene vinyl acetate
  • polyesters Polyurethanes or the like.
  • the adhesive 504 is liquid when applied
  • jelly or jelly-like for example, jelly or jelly-like and has a
  • Embodiments lamination process is the cover 506, for example, a glass cover 506, (for example, the entire surface) on the organic light emitting diode 100, 200, 300, for example, on the back,
  • the adhesive 504 is applied over the whole area to the organic light-emitting diode 100, 200, 300 and conventionally with the entire surface
  • the adhesive 504 is exposed to ultraviolet radiation (see FIGS. 7A to 7C)
  • the adhesive 504 usually contracts by a few percent or expands depending on
  • Embedded particles can, for example, in the
  • organic light emitting diode 100, 200, 300 are pushed in or torn out. During operation of the organic light-emitting diode 100, 200, 300, this can lead to short-circuiting of the entire optoelectronic component. Stretch the
  • FIG. 7A shows, in a first view 700, the not yet cured adhesive 504, wherein particles 702 are contained in the adhesive 504 and / or in the organic light emitting diode 100, 200, 300.
  • 7A shows in a second view 710 the cured by full-surface UV exposure adhesive 712, which contracts or expands due to the UV exposure. This results in mechanical stresses at the interface between the organic light-emitting diode 100, 200, 300 and the adhesive 712, which act on the particles 702 (symbolized in FIG. 7B by means of arrows 714). In operation, the organic heats up
  • the encapsulation layer (s) can lead, symbolized with a lightning symbol 716).
  • the adhesive 504 is only in a partial area above the substrate 502 and / or above the organic light emitting diode 100, 200, 300, for example, above the
  • the portion is an area above the carrier 502 adjacent to the organic light emitting diode 100, 200, 300.
  • an edge portion 508 of the adhesive 504 is cured, whereas one of the edge portion 508 of the adhesive 504 is substantially completely enclosed
  • Inside area 510 of the adhesive 504 remains substantially unchanged in its viscosity and thus remains liquid, for example, gel-like or jelly-like (see, for example, the top view in Figure 6, in which the cover 506 is not shown).
  • the organic light-emitting diode 100, 200, 300 shown in dashed lines is symbolized that it is completely covered by the adhesive 504. Vividly can in different
  • Embodiments of the edge region 508 of the adhesive 504 a peripheral region of the adhesive 504 on iron or of
  • the edge region 510 laterally to the edge of the organic light emitting diode 100, 200, 300th
  • edge region partially or completely above the organic light emitting diode 100, 200, 300 and thus above the active region of the
  • optoelectronic component 500 wherein, however, an inner region above the organic light emitting diode 100, 200, 300 and thus above the active region of the
  • optoelectronic component 500 adhesive 504 on eist which remains substantially unchanged in its viscosity and thus continue liquid, such as gel or
  • the adhesive 504 is clearly illustrated on the carrier 502 and / or the organic light emitting diode 100, 200, 300 and / or the entire surface
  • Cover 506 applied, edoch only a portion of the adhesive 504, for example, above an edge region of the optoelectronic device 500, for example of the
  • Hardened edge region 510 (for example, outside the active surface of the optoelectronic device 500),
  • exposed for example, exposed by means of UV light. But it can also light in another
  • Wavelength range for curing the adhesive 504 are used, for example, light with even smaller wavelengths. It should be noted that in alternative Embodiments other methods of curing the adhesive 504 in the sub-area can also be used, for example, a local heating by means of an electric heat source (not shown), by the local curing of the adhesive only in a partial area
  • the adhesive 504 retains its gelatinous or
  • FIG. 5 shows an optoelectronic component 500, for example an OLED 500, with glass lamination and uncured adhesive in the active region of the optoelectronic component 500, for example the OLED 500.
  • the adhesive 504 is cured and thus provides the (Adhesive) connection between the carrier 502 and the cover 506, for example, the cover glass 506 ago. Slippage of the cover 506, for example, the cover glass 506, relative to the carrier 502 is thus prevented.
  • Particles 802 which are located in the adhesive 504, or even during the vapor deposition of the individual layers of the organic light emitting diode 100, 200, 300 in the organic
  • Light emitting diode 100, 200, 300 were introduced, are now no longer pressed or pulled out in the organic light-emitting diode 100, 200, 300 according to various embodiments.
  • Figs. 5A to 8C show principle cross-sectional views by means of which a lamination of an optoelectronic
  • the adhesive 504 is applied to the organic light emitting diode 100, 200, 300 the adhesive 504 applied over the entire surface and only in one
  • the adhesive 504 is polymerized in the exposed portion, for example. In this case, the adhesive 504 usually draws in the exposed portion
  • Embedded particles 802 are therefore also subject to no or only reduced mechanical stresses.
  • the adhesive 504 is designed to be electrically insulating in various embodiments, the adhesive 504 clearly smothers or insulates the defect location 822. A kind of courtyard, in which there is less adhesive material, is created around it.
  • the heat generated at an existing hotspot can be better discharged to the outside, since the medium is movable (liquid) and thus a better heat exchange (possibly also by convection) can take place.
  • delamination of the cover 506, such as the glass cover 506, also becomes referred to as coverslip 506, prevented at the shorted locations, resulting in cured adhesive 504 by the sudden evaporation of the materials to the
  • Embodiments (significantly) larger than the actual short-circuit area.
  • transparent components for example, this has the disadvantage that such delamination parts have the appearance of the optoelectronic component,
  • an OLED both in the off state negative affect or in the on state to large area (for example, in a range of
  • FIG. 9 shows a cross-sectional view of an optoelectronic component 900 with cover according to various
  • FIG. 10 shows a plan view of the optoelectronic component 900 according to FIG.
  • the adhesives 902, 904 may have different curing properties on iron such that they are selectively curable, for example; so can
  • a first adhesive 902 already cure when irradiated with light of a wavelength or energy at which a second adhesive 904 does not harden. So can
  • the first adhesive 902 is arranged in various exemplary embodiments above the carrier 502, for example in an edge region of the carrier 502 or the cover 506, and encloses, for example, the second adhesive 904 laterally so that the cured first adhesive 902
  • Embodiment even a part of the first adhesive 902 may be completely cured and / or a part of the second adhesive 904 may be completely cured.
  • the first adhesive 902 may include or consist of one or more of the following materials: Polymeric materials
  • Fluoropolymers perfluoropolyethers, PFPE (meth) acrylates, silicones, polymethyl methacrylate (PMMA), MMA + PMMA,
  • EVA Ethylene vinyl acetate
  • the second adhesive 904 may comprise or consist of one or more of the following materials: polymer materials, which for example consist of epoxy resins, acrylates, fluoropolymers,
  • PMMA Polymethyl methacrylate
  • MMA + PMMA Polymethyl methacrylate
  • EVA ethylene vinyl acetate
  • polyesters polyurethanes or the like.
  • various materials for example different adhesives for the adhesive area, for example, at the edge of the substrate, can be used
  • the first adhesive 902 may be formed at the edge by a dispersion process
  • the second adhesive 904 may be applied in the interior region of the optoelectronic device, for example in the active region of the optoelectronic device, for example of a different viscosity, by means of a printing process.
  • another liquid such as gelatinous or jelly-like
  • Material be provided, for example, a gel, generally a liquid, oil, silicone, etc. be provided in the interior of the optoelectronic device,
  • the active region of the optoelectronic device for example, enclosed by the first
  • Component for example, in the active region of the optoelectronic device, a material is introduced, which can not be cured by means of light (for example, not by UV light), generally not in the manner in which the first adhesive 902 is cured, creating a preventing later hardening of the second adhesive 904 or the alternative liquid material intended for this during later operation.
  • a material for example, in the active region of the optoelectronic device, a material is introduced, which can not be cured by means of light (for example, not by UV light), generally not in the manner in which the first adhesive 902 is cured, creating a preventing later hardening of the second adhesive 904 or the alternative liquid material intended for this during later operation.
  • Inner area generally outside the portion in which the adhesive 504, 902 is cured or is provided, for example, in the active area, scattering particles or scattering materials may be provided in an appropriate manner.
  • the fixation of the cover 506 is then carried out in differentariesbeis ie1en at the edge region by means of the cured adhesive 50, 902, clearly through the adhesive edge formed.
  • Scattering particles can the light within this layer
  • a liquid such as an oil, or a silicone, etc. having a lower refractive index in the interior region of the optoelectronic component
  • the emission profile of the optoelectronic component for example the OLED, can be modified and, for example, adjusted in a targeted manner in various embodiments in this way.
  • the designed cover glass it may have a higher refractive index than the liquid, such as the oil, or the silicone, etc.
  • FIG. IIA and FIG. IIB show a cross-sectional view of an optoelectronic component 1100 (FIG. IIA) according to FIG.
  • the optoelectronic component 1100 is similar to the optoelectronic component 500 according to FIG. 5 or the optoelectronic component 900 according to FIG. 9, for which reason only some differences will be explained below. With regard to the remaining features, reference is made to the statements regarding the optoelectronic component 500 according to FIG. 5 and with regard to the optoelectronic component 900 according to FIG. As shown in FIG. IIA
  • Cover 506, for example, the cover glass 506 or the cover 506, for example, a lens structure 1104 on. Furthermore, the material in the interior has a
  • FIGS. 12A and 12B show a cross-sectional view of an optoelectronic component 1200 (FIG
  • the optoelectronic component 1200 is Similar to the optoelectronic component 500 according to FIG. 5 or the optoelectronic component 900 according to FIG. 9, for which reason only some differences will be explained below. With regard to the remaining features, reference is made to the statements regarding the optoelectronic component 500 according to FIG. 5 and with regard to the optoelectronic component 900 according to FIG. As in Fig. 12A
  • a lens structure 1204 on. Furthermore, the material in the inner region has a refractive index which is smaller than the refractive index of the material of FIG.
  • a low refractive adhesive or a corresponding low refractive liquid in the interior area becomes
  • an OLED used.
  • thermally conductive particles such as glass or
  • organic light emitting diode 100, 200, 300, can lead.
  • hotspots that have led to a short circuit with conventional methods can be reduced or mitigated in their effect.
  • the HIL layer thickness can be reduced, resulting in cost savings by reducing the material consumption.
  • the reduction of the HIL layer thickness in various embodiments has a positive influence on the transparency, since a lower total layer thickness can reduce the absorption within the OLED and the transparency can be pushed into the first broad maximum of the etaion effect.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • organic layers of the organic optoelectronic component, for example, the OLED, in the active surface is not damaged by UV light, resulting in an improvement of the aging behavior of the organic optoelectronic
  • Component such as the OLED can lead.
  • the luminance distribution can be homogenized. Furthermore, the luminance aging can be improved for large-area components.
  • the output can be improved, for example, in the case of top-emitting OLEDs become . But even with transparent OLEDs it is in
  • cover glasses / foils with a special structure it is also possible, in accordance with various embodiments, for cover glasses / foils with a special structure, to have the
  • Optoelectronic component or at the edge of the cover 506, on the one hand and for the medium in the inner region, for example, the active region of the optoelectronic device, on the other hand, can be used as the medium optical gel. This can be done in different
  • Embodiments for example, a printing process
  • the medium in the inner region for example the active region of the optoelectronic component, and at the edge a dispensing process for the
  • Glue 504 are used.
  • a liquid or a gel for improving the optical coupling or to avoid short circuits.
  • materials can be used which the thermal conductivity Leitf
  • FIG. 13 shows a flowchart 1300, in which a method for producing an optoelectronic component according to various exemplary embodiments is illustrated.
  • the method may include, in 1302, applying a cover to a layer of the optoelectronic component by means of at least one adhesive.
  • the adhesive may initially be applied to a surface of the cover
  • Light-emitting diode for example organic light-emitting diode
  • the adhesive can be applied to the carrier and the layer of the optoelectronic component (for example, a front-end-of-line process
  • the method may include, in 1304, a
  • the viscosity can be changed by means of light irradiation.
  • the light irradiation can be done by irradiation of ultraviolet light.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (500) bereitgestellt. Das optoelektronische Bauelement (500) kann aufweisen mindestens eine Schicht (100, 200, 300) des optoelektronischen Bauelements (500); mindestens einen Kleber (504) auf der Schicht (100, 200, 300) des optoelektronischen Bauelements (500); und eine Abdeckung (506) auf dem mindestens einen Kleber (504); wobei der mindestens eine Kleber (504) nur in einem Teilbereich (508) oberhalb eines Substrats (502) und/oder oberhalb der Schicht (100, 200, 300) ausgehärtet ist.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements . Organische Leuchtdioden (OLED) , insbesondere gestapelte organische Leuchtdioden, sind bisher anfällig gegenüber
Rauheiten auf der Substratoberfläche bzw. Partikel oder
Inhomogenitäten in den Schichten oder ähnlichem, die während der Prozessierung in die Schichten der organischen
Leuchtdioden eingebaut werden. Solche Partikel können zu so genannten latenten Kurzschlüssen (auch bezeichnet als
Hotspots} in einer j eweiligen organischen Leuchtdiode führen, die sich zunächst unter anderem noch nicht detektieren lassen, d.h. beispielsweise keine Signatur in der Infrarot- Spektroskopie bzw. ein erhöhtes elektrisches Untergrundsignal haben . Solche Hotspots können j edoch später zu Ausfällen der OLED im Betrieb der OLED führen.
Zur Vermeidung solcher spontaner Kurzschlüsse gestapelter OLEDs ist es üblich, eine dicke dotierte Lochleiterschicht (engl.; hole inj ection layer (HIL) , auch bezeichnet als
Lochtransportschicht , engl.: hole transport layer (HTL) ) , üblicherweise mit einer Schichtdicke von mehreren 100 nm, als so genannte Kurzschluss-Schutzschicht (engl.: Shorts
protection layer) vorzusehen. Dadurch sollen Partikel oder ähnliches eingeebnet werden . Geeignete Materialien hierfür sind j edoch noch sehr teuer und stellen einen erheblichen Kostenfaktor dar. Generell gilt , dass je dicker die HIL- Schicht ist , desto Kurzschluss-resistenter ist die OLED.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird das
Kurzschlussverhalten von einem optoelektronischen Bauelement , beispielsweise einer organischen Leuchtdiode (OLED) ,
beispielsweise einer dünnschichtverkapselten OLED durch ein neuartiges Verfahren bzw . einen neuartigen Prozess zur
Realisierung beispielsweise der Rückseitentechnologie
(beispielsweise der Abdeckungslamination, beispielsweise der Glaslamination) reduziert . Durch Adaption des neuen
Verfahrens/Prozesses gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen werden neue Möglichkeiten
bereitgestellt zur Realisierung von effektiven
Auskoppelschichten bzw. zur Beeinflussung der
Abstrahlcharakteristik (oder der Absorptionscharakteristik) des optoelektronischen Bauelements (beispielsweise der OLED) , beispielsweise bei einer Top-emittierenden OLED, und zur Verbesserung der Wärmeverteilung bzw. des Wärmemanagements in dem optoelektronischen Bauelement (beispielsweise der OLED) .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt . Das
optoelektronische Bauelement kann aufweisen mindestens eine Schicht des optoelektronischen Bauelements ; mindestens einen Kleber auf der Schicht des optoelektronischen Bauelements ; und eine Abdeckung auf dem Kleber; wobei der mindestens eine Kleber nur in einem Teilbereich oberhalb des Substrats und/oder oberhalb der Schicht ausgehärtet ist .
In einer Ausgestaltung kann der Teilbereich den Randbereich des Klebers aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung kann der Randbereich zumindest ein Teil einer Umfangsstruktur des Klebers sein.
In noch einer Ausgestaltung kann der Teilbereich zumindest teilweise lateral außerhalb eines aktiven Bereichs des optoelektronischen Bauelements angeordnet sein. Als aktiver Bereich kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein
Bereich des optoelektronischen Bauelements , der im
Strahlengang des von dem optoelektronischen Bauelement emittierten Lichts oder des von dem optoelektronischen
Bauelement empfangenen Lichts liegt.
In noch einer Ausgestaltung kann der mindestens eine Kleber mehrere Kleber unterschiedlicher Viskosität aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung können in dem Kleber Partikel vorgesehen sein, welche einen zu dem Kleber unterschiedlichen Brechungsindex aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung kann der Kleber einen niedrigeren Brechungsindex aufweisen als die Abdeckung .
In noch einer Ausgestaltung kann auf mindestens einer
Oberfläche der Abdeckung eine optisch refraktive Schicht vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann unter einer refraktiven Schicht eine Schicht verstanden werden, die periodische Strukturen aufweist , beispielsweise in der
Größenordnung mehrerer Mikrometer. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann eine refraktive Schicht Linsen Pyramiden, oder Kegelstumpfstrukturen aufweisen. In noch einer Ausgestaltung kann der Teilbereich zumindest teilweise einen Bereich umschließen, in dem ein flüssiges nicht-klebendes Material oder ein flüssiger Kleber vorgesehen ist . In noch einer Ausgestaltung kann das optoelektronische
Bauelement eingerichtet sein oder aufweisen eine Leuchtdiode , beispielsweise eine organische Leuchtiode .
In noch einer Ausgestaltung kann die Schicht eine
Verkapselungsschicht des optoelektronischen Bauelements sein. In noch einer Ausgestaltung kann die Abdeckung Glas oder eine Folie aufweisen oder sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
bereitgestellt , wobei das Verfahren aufweist : Aufbringen einer Abdeckung auf eine Schicht des optoelektronischen
Bauelements mittels mindestens einen Klebers ; und Verändern der Viskosität des mindestens einen Klebers nur in einem Teilbereich oberhalb eines Substrats des optoelektronischen Bauelements und/oder oberhalb der Schicht bzw. nur außerhalb der Schicht .
In einer Ausgestaltung kann die Viskosität mittels
Lichteinstrahlung verändert werden.
In noch einer Ausgestaltung kann die Lichteinstrahlung mittels Einstrahlens von ultraviolettem Licht erfolgen. Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert .
Es zeigen Figur 1 eine QuerSchnittansicht eines optoelektronischen
Bauelements unverkapselt und ohne Abdeckung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 2 eine Querschnittansicht eines optoelektronischen
Bauelements unverkapselt und ohne Abdeckung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 3 eine QuerSchnittansicht eines optoelektronischen
Bauelements unverkapselt und ohne Abdeckung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; Figuren 4A bis 4E Querschnittansichten des optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 1 zu verschiedenen
Zeitpunkten während der Herstellung desselben; Figur 5 eine Querschnittansicht eines optoelektronischen
Bauelements mit Abdeckung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 6 eine Draufsicht auf das optoelektronische Bauelement gemäß Figur 5;
Figuren 7A bis 7C Prinzip-QuerSchnittansichten, mittels derer eine mögliche Schädigung eines optoelektronischen Bauelements beim herkömml ichen ganzflächigen Aushärten des Klebers dargestellt ist ;
Figuren 8A bis 8C Prinzi -Querschnittansichten, mittels derer eine Laminierung eines optoelektronischen Bauelements mit einem Aushärten des Klebers nur in einem Teilbereich gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen dargestellt ist;
Figur 9 eine Querschnittansicht eines optoelektronischen
Bauelements mit Abdeckung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ;
Figur 10 eine Draufsicht auf das optoelektronische Bauelement gemäß Figur 9 ; Figuren IIA und IIB eine Querschnittansieht eines
optoelektronischen Bauelements (Figur IIA) gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen und ein
zugehöriges Abstrahlprofil (Figur IIB) ; Figuren 12A und 12B eine Querschnittansieht eines
optoelektronischen Bauelements (Figur 12A) gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen und ein
zugehöriges Abstrahlprofil (Figur 12B) ; und
Figur 13 ein Ablaufdiagramm , in dem ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen dargestellt ist .
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „ unten" , „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die
Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet . Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben . Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert .
Im Rahmen dieser Beschreibung werde die Begriffe
"verbunden" , " angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kop lung . In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen
Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist . In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt. Ein optoelektronisches Bauelement kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen als eine organische lichtemittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als eine
organische Photodiode (organic photodiode, OPD) , als eine organische Solarzelle (organic solar cell , OSC) , oder als ein organischer Transistor, beispielsweise als ein organischer Dünnfilmtransistor (organic thin film transistor, OTFT) ausgebildet sein. Das optoelektronische Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von
optoelektronischen Bauelementen vorgesehen sein,
beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse . Die mehreren optoelektronischen Bauelemente können
nebeneinander und/ode übereinander gestapelt angeordnet sein.
Fig.1 zeigt eine organische Leuchtdiode 100 als eine
Implementierung eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Die organische
Leuchtdiode 100 in Fig.1 ist noch unverkapselt und auch noch nicht mit einer Abdeckung, beispielsweise einer
Schutzabdeckung versehen, wie sie im Folgenden noch näher erläutert wird.
Das optoelektronische Bauelement 100 in Form einer
organischen Leuchtdiode 100 kann ein Substrat 102 aufweisen. Das Substrat 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise optoelektronische Elemente, dienen . Beispielsweise kann das Substrat 102 Glas , Quarz , und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann das Substrat 102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststoff olien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder
Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,
Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Weiterhin kann das Substrat 102 beispielsweise eine
Metallfolie aufweisen, beispielsweise eine Aluminiumfolie , eine Edelstahlfolie , eine Kupferfolie oder eine Kombination oder einen Schichtenstapel darauf . Das Substrat 102 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien aufweisen. Das Substrat 102 kann transluzent , beispielsweise
transparent, teilweise transluzent, beispielsweise teilweise transparent , ausgeführt sein .
Unter dem Begriff „ transluzente Schicht" kann in
verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist, beispielsweise für das von dem optoelektronischen Bauelement erzeugte Licht , beispielsweise einer oder mehrerer Wellenlängenbereiche , beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich
sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem
Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
U ter dem Begriff „transparente Schicht" kann in
verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine S ruktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur
(beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Auf oder über dem Substrat 102 kann eine erste Elektrode 104 (beisp elsweise in Form einer ersten Elektrodenschicht 104 } aufgebracht sein. Die erste Elektrode 104 ( im Folgenden auch als untere Elektrode 104 bezeichnet) kann aus einem
elektrisch leitfähigen Material gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid {transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben oder unterschiedlichen Metalls oder Metalle und/oder desselben oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitf hige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium- Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02 , oder In203 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSn03 , Mgrn204 , Galn03 , Zn In 05 oder In4Sn30i2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitf higer Oxide zu der Gruppe der TCOs . Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. Die erste Elektrode 104 kann als Anode , also als löcherinj izierendes Material ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 104 gebildet werden von einem. Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 104 ein Metall aufweisen (beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg) oder eine
Metalllegierung der beschriebenen Materialien (beispielsweise eine AgMg-Legierung) auf eisen . In verschiedenen Äusführungsbeispielen kann die erste Elektrode 104 AlZnO oder ähnliche Materialien aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 104 ein Metall aufweisen, das beispielsweise als Kathodenmaterial, also als elektroneninjizierendes Material, dienen kann. Als Kathodenmaterial können unter anderem beispielweise AI, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca oder Li sowie
Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser
Materialien in verschiedenen Äusführungsbeispielen vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode 100 als ein so genannter To -Emitter und/oder als ein so genannter Bottom-Emitter eingerichtet sein. Unter einem Top-Emitter kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine organische Leuchtdiode verstanden werden, bei der das Licht von der organischen Leuchtdiode nach oben,
beispielsweise durch die zweite Elektrode, abgestrahlt wird. Unter einem Bottom-Emitter kann in verschiedenen
Äusführungsbeispielen eine organische Leuchtdiode 100
verstanden werden, bei der das Licht von der organischen Leuchtdiode 100 nach unten, beispielsweise durch das Substrat und die erste Elektrode, abgestrahlt wird.
Auf oder über dem Substrat 102 kann eine erste Elektrode 104 (beispielsweise in Form einer ersten Elektrodenschicht 104) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 104 (im Folgenden auch als untere Elektrode 104 bezeichnet) kann aus einem
elektrisch leitfähigen Material gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem. Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben oder unterschiedlichen Metalls oder Metalle und/oder desselben oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO) . Neben binären MetallSauerstoffVerbindungen, wie
beispielsweise ZnO, SnC>2 , oder In203 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04 , CdSn03 , ZnSn03 , Mgln204 , Galn03 , Zn2In205 oder
l Sn30]_2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs . Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stochiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 104 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt , Au, Mg, AI , Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm oder Li , sowie
Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser
Materialien.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 104 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs , oder umgekehrt . Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium- Zinn-Oxid- Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag- ITO Multischichten. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode eines oder mehrere der folgenden Materialien vorsehen alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Materialien: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus
Kohlenstof f -Nanoröhren ; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.
Ferner können diese Elektrode leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder leitfähige transparente Oxide aufweisen. Für den Fall , dass das lichtemittierende Bauelement 100 Licht durch das Substrat abstrahlt, können die erste Elektrode 104 und das Substrat 102 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In diesem Fall kann für den Fall, dass die erste
Elektrode 104 aus einem Metall gebildet wird, kann die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungef hr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 104 eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungef hr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm.
Weiterhin kann für den Fall einer transluzenten oder
transparenten ersten Elektrode 104 und für den Fall , dass die erste Elektrode 104 aus einem leitf higen transparenten Oxid (TCO) gebildet wird, die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Ferner kann für den Fall einer transluzenten oder
transparenten ersten Elektrode 104 und für den Fall , dass die erste Elektrode 104 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag , die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem
Netzwerk aus Kohlenstoff -Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder von Graphen- Schichten und Kompositen gebildet wird, die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem
Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm.
Für den Fall , dass das lichtemittierende Bauelement 100 Licht ausschließlich nach oben abstrahlt, kann die erste Elektrode 104 auch opak oder reflektierend eingerichtet sein. In diesem Fall kann die erste Elektrode 104 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungef hr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 50 nm.
Die erste Elektrode 104 kann als Anode , also als
löcherinj izierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als elektroneninj izierend . Die erste Elektrode 104 kann einen ersten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt) (beispielsweise eine Stromquelle oder eine Spannungsquelle) anlegbar ist . Alternativ kan das erste elektrische Potential an das Substrat 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar der ersten Elektrode 104 zugeführt werden oder sein . Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.
Weiterhin kann das optoelektronische Bauelement 100 eine organische funktionelle Schichtens ruktur 106 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 104 aufgebracht ist oder wird .
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 106 kann eine oder mehrere Emitterschichten 108 , beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, enthalten, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 110.
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem
optoelektronischen Bauelement 100 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 108
eingesetzt werden können, schließen organische oder
organometa1Iische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2 - oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium- Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3 , 5-dif luoro-2- (2-pyridyl) henyl- (2- carboxypyridyl ) -Iridium III) , grün phosphores z ierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2 -phenylpyridin} iridium III) , rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6 ) (Tris' 4,4' -di-tert- butyl- (2,2' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4 , 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
(9, 10-Bis [N,N-di- (p-tolyl) -araino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4 -Dicyanomethylen) - 2 -methyl - 6 - julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein.
Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidba . Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels nasschemischen Verfahren, wie beispielsweise Spin Coating oder Slot Dye Coating, abscheidbar sind.
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein .
Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete
Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind. Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 108 des
optoelektronischen Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das optoelektronische Bauelement 100 Weisslicht emittiert. Die Emitterschicht (en) 108 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 108 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 108 oder blau
phosphoreszierenden Emitterschicht 108, einer grün
phosphoreszierenden EmitterSchicht 108 und einer rot
phosphoreszierenden Emitterschicht 108. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die .Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) PrimärStrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 106 kann allgemein eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren funktionellen Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht -pol yraere Moleküle (,, small molecules" ) oder eine Kombination dieser Materialien
aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 106 eine oder mehrere funktionelle
Schichten aufweisen, die als LochtransportSchicht 110
ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive Löcherinjektion in eine
elektrolumineszierende Schicht oder einen
elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht werden. Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische elektrolumines zente Schichtenstruktur eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als
ElektronentransportSchicht (nicht dargestellt) und/oder als Elektroneninjektionsschicht (nicht dargestellt) ausgeführt EP2012/055602
ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive Elektroneninjektion in eine
elektrolumineszierende Schicht oder einen
elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Material für die LochtransportSchicht 110 können beis ielsweise tertiäre Amine, Carbazoderivate , leitendes Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren funktionellen Schichten als elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.
In verschiedenen Ausf hrungsbeispielen kann die
Lochtransportschiebt 110 auf oder über der ersten Elektrode 104 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 108 kann auf oder über der
Lochtransportschicht 110 aufgebracht , beispielsweise
abgeschieden, sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 106 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht (en) 110 und
Emitterschicht (en) 108 ) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1 , 5 μπι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal, ungefähr 1 , 2 μηι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μιη, beispielsweise eine Schichtdicke, von maximal ungef hr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle
Schichtenstruktur 106 beispielsweise einen Stapel von
mehreren direkt übereinander angeordneten organischen
Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungef hr 1 , 5 μττι, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 , 2 μτη, beispielsweise eine Schichtdicke von ma imal ungef hr 1 μΐΏ, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ma imal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 106
beispielsweise einen Stapel von drei oder vier direkt
übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die organische funktionelle Schichtenstruktur 106 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 tm.
Das optoelektronische Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten 108 aufweisen, die dazu dienen, die
Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements 100 weiter zu verbessern.
Auf oder über der organischen f nktionellen Schichtenstruktur 106 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder mehreren weiteren organischen Funkt.ionsschichten kann eine zweite Elektrode 112 (beispielsweise in Form einer zweiten
Elektrodenschicht 112 ) aufgebracht sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 112 die gleichen Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 104 , wobei in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders
geeignet sind .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 112 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungef hr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm.
Die zweite Elektrode 112 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 104, oder unterschiedlich zu dieser. Die zweite Elektrode 112 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder
mehreren der Materialien und mit der j eweiligen Schichtdicke {je nachdem, ob die zweite Elektrode reflektierend,
tra sluzent oder transparent ausgebildet werden soll) ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 104 beschrieben.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 112 (die auch bezeichnet werden kann als
Deckkontakt 112 ) semitransparent oder transparent ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 112 jedoch eine beliebig größere Schichtdicke aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mindestens 1 μτη, wenn die zweite Elektrode 112 semitransparent oder transparent ausgebildet ist .
Die zweite Elektrode 112 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten
elektrischen Potential) , bereitgestellt von der
Energiequelle, anlegbar is . Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart , dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1, 5 V bis ungefähr 20 V aufweist , beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2 , 5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 5 V bis ungefähr 10 V.
Auf oder über der zweiten Elektrode 112 ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Spiegel -Schichtenstruktur 114 aufgebracht .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Spiegel - Schichtenstruktur 114 eine Schichtdicke von mindestens 1 μπι auf .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Spiegel- Schichtenstruktur 114 einen oder mehrere Metallfilme
aufweisen.
Der eine oder die mehreren Metallfilme der Spiegel- Schichtenstruktur 114 können ( j eweils ) eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungef hr 5 nm bis ungef hr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 1000 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungef hr 50 n bis ungefähr 300 nm, so dass die Spiegel- Schichtenstruktur 114 eine Gesamt-Schichtstrukturdicke auf eist in einem Bereich von ungef hr 10 nm bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 1000 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungef hr 300 nm. Es können für diesen Fall alle diejenigen Materialien für die Spiegel - Schichtenstruktur 114 verwendet werden, wie sie oben aufgeführt worden sind für die zweite Elektrode 112. So können beispielsweise auch dotierte metalloxidische
Verbindungen wie ITO, IZO oder AZO vorgesehen sein, die mittels einer schädigungsarmen Abseheidetechnologie
abgeschieder. werden können wie beispielsweise mittels „ Facial Target Sputtering". Die Spiegel-Schichtenstruktur 114 kann einen oder mehrere Spiegel aufweisen. Weist die Spiegel-Schichtens ruktur 114 mehrere Spiegel auf , so sind die j eweiligen Spiegel mittels einer jeweiligen Dielektrikumsschicht voneinander getrennt .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Spiegel- Schichtenstruktur 114 auch weggelassen werden und ihre
Funktionalität von der zweiten Elektrode 112 bereitgestellt werden.
Zusätzliche Schichten beispielsweise zur Verbesserung der Haftung bzw. der Prozessierbarkeit können in verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen sein.
Weiterhin kann die organische Leuchtdiode 100 noch eine oder mehrere Verkapselungsschichten (nicht dargestellt) ,
beispielsweise eine oder mehrere Dünnschicht- Verkapselungsschichten aufweisen, die beispielsweise im
Rahmen eines Back-End-of-Line-Prozesses aufgebracht we den können.
Das Licht wird in verschiedenen Ausführungsbeispielen durch den optisch transluzenten, beispielsweise optisch
transparenten Grundkontakt (auch bezeichnet als erste
Elektrode) des optoelektronischen Bauelements, beispielsweise der OLED, abgestrahlt (in diesem Fall ist das
optoelektronische Bauelement eingerichtet als „Bottom- Emitter") .
Fig.2 zeigt eine organische Leuchtdiode 200 als eine
Implementierung eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. Die organische Leuchtdiode 200 gemäß Fig.2 ist in vielen
Aspekten gleich der organischen Leuchtdiode 100 gemäß Fig.1, weshalb im Folgenden lediglich die Unterschiede der organischen Leuchtdiode 200 gemäß Fig.2 zu der organischen Leuchtdiode 100 gemäß Fig .1 näher erläutert werden;
hinsichtlich der übrigen Elemente der organischen Leuchtdiode 200 gemäß Fig.2 wird auf obige Ausführungen zu der
organischen Leuchtdiode 100 gemäß Fig.1 verwiesen.
Im Unterschied zu der organischen Leuchtdiode 100 gemäß Fig.l ist bei der organischen Leuchtdiode 200 gemäß Fig, 2 die
Spiegel-Schichtenstruktur 202 nicht auf oder über der zweiten Elektrode 112 gebildet, sondern unterhalb der ersten
Elektrode 104.
Die Energiequelle ist in diesen Ausführungsbeispielen an den ersten elektrischen Anschluss der ersten Elektrode 104 und an den zweiten elektrischen Anschluss der zweiten Elektrode 112 angeschlossen.
Die organische Leuchtdiode 200 gemäß Fig.2 kann als Top- Emitter ausgebildet sein oder werden .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die organische Leuchtdiode 200 gemäß Fig.2 anschaulich eine
oberflächenemittierende OLED . Beide Kontakte {d.h. die erste Elektrode 104 und die zweite Elektrode 112) sind in diesem Ausführungsbeispiel semitransluzent , beispielsweise
semitransparent .
Weiterhin ist in der organischen Leuchtdiode 200 gemäß Fig .2 eine Verkapselungs-Schichtenstruktur 20 , beispielsweise in Form einer Dünnschicht-Verkapselung 20 , auf ode über der zweiten Elektrode 112 angeordnet .
Somit ist anschaulich das Substratseitig emittierende
optoelektronische Bauelement (beispielsweise die
substratseitig emittierende OLED) in verschiedenen
Ausführungsbeispielen übertragen auf ein oberflächenseitig emittierendes optoelektronisches Bauelement (beispielsweise eine oberflächenseitig emittierende OLED) , wie es oder sie in Fig.2 oder Fig.3 dargestellt ist. Dabei kann der externe Metallspiegel unterhalb des optisch transluzenten,
beispielsweise transparenten, Grundkontaktes angeordnet werden oder sein. Das Licht verlässt die OLED in diesem Fall beispielsweise durch den optisch transluzenten,
beispielsweise transparenten Deckkontakt (beispielsweise die zweite Elektrode) und ist somit beispielsweise als Top- Emitter ausgebildet .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Spiegel- Schichtenstruktur , beispielsweise der dicke Metallspiegei , direkt auf das Substrat 102 aufgebracht sein und gleichzeitig den unteren Kontakt , d.h. die erste Elektrode 302 des
optoelektronischen Bauelements 300 , beispielsweise einer OLED 300 , bilden. Ein solches optoelektronisches Bauelement 300 ist in Fig.3 dargestellt .
Der restliche Schichtenstapel des optoelektronischen
Bauelements 300 gemäß Fig.3 ist gleich dem Schichtenstapel des optoelektronischen Bauelements 200 gemäß Fig.2.
Es ist darauf hinzuweisen, dass im Rahmen alternativer
Ausführungsbeispiele die organische Leuchtdiode auch einen beliebigen anderen geeigneten Aufbau auf eisen kann.
Fig.4A bis Fig.4F zeigen das optoelektronische Bauelement 100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verschiedenen Zeitpunkten während dessen Herstellung . Die anderen
optoelektronische Bauelemente 200 , 300 können in
entsprechender Weise hergestellt werden.
Fig.4A zeigt das optoelektronische Bauelement 100 zu einem ersten Zeitpunkt 400 während dessen Herstellung .
Zu diesem Zeitpunkt wird die erste Elektrode 104 auf das Substrat 102 aufgebracht , beispielsweise abgeschieden, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase , chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens {physikalisches Abscheiden aus der Gasphase , physical vapor deposition, beispielsweise
Sputtern, ionenunterstütztes Abscheideverfahren oder
thermisches Verdampfen) , alternativ mittels eines Plating- Verfahrens ; eines Tauchabscheideverfahrens ; eines
AufSchleuderverfahrens (spin coating) ; Druckens ; Rakelns oder Sprühens .
Als CVD-Verfahren kann in verschiedenen Ausführungsbei spielen ein plasmaünterstütztes chemisches Abscheideverfahren aus der Gasphase (plasma enhanced chemical vapor deposition, PE-CVD) eingesetzt werden . Dabei kann in einem Volumen über und/oder um das Element, auf das die auf zubringende Schicht
aufgebracht werden soll , herum ein Plasma erzeugt , wobei dem Volumen zumindest zwei gasförmige Ausgangsverbindungen zugeführt werden , die in dem Plasma ionisiert und zur
Reaktion miteinander angeregt werden. Durch die Erzeugung des Plasmas kann es möglich sein, dass die Temperatur , auf welche die Oberfläche des Elements aufzuheizen ist, um eine
Erzeugung beispielsweise der dielektrischen Schicht zu ermöglichen, im Vergleich zu einem plasmalosen CVD-Verfahren erniedrigt werden kann. Das kann beispielsweise von Vorteil sein, wenn das Element, beispielsweise das zu bildende lichtemittierende elektronische Bauelement, bei einer
Temperatur oberhalb einer Maximaltemperatur geschädigt werden würde . Die Ma imaltemperatur kann beispielsweise bei einem zu bildenden lichtemittierenden elektronischen Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen etwa 120 °C betragen, so dass die Temperatur, bei der beispielsweise die dielektrische Schicht aufgebracht wird, kleiner oder gleich 120 °C und beispielsweise kleiner oder gleich 80 °C sein kann . Fig.4B zeigt das optoelektronische Bauelement 100 zu einem zweiten Zeitpunkt 402 während dessen Herstellung . Zu diesem Zeitpunkt wird oder werden die eine oder mehreren Lochleitungsschichten 110 auf die erste Elektrode 104
aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase , chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD- Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase , physical vapor deposition, beispielsweise Sputtern,
ionenunterstütztes Abscheideverfahren oder thermisches
Verdampfen) , alternativ mittels eines Plating-Verfahrens ; eines Tauchabscheideverfahrens ; eines AufSchleuderverfahrens (spin coating) ; Druckens ; Rakelns ; oder Sprühens .
Fig.4C zeigt das optoelektronische Bauelement 100 zu einem dritten Zeitpunkt 404 während dessen Herstellung .
Zu diesem Zeitpunkt wird oder werden die eine oder mehreren Emitterschichten 108 auf die eine oder mehreren
Lochleitungsschichten 110 aufgebracht , beispielsweise
abgeschieden, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase , chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD- Verfahrens {physikalisches Abscheiden aus der Gasphase, physical vapor deposition, beispielsweise Sputtern, ionenunterstütztes
Abscheideverfahren oder thermisches Verdampfen) , alternativ mittels eines Plating-Verfahrens ; eines
Tauchabscheideverfahrens ; eines AufSchleuderverfahrens (spin coating) ; Druckens ; Rakelns ; oder Sprühens .
Fig.4D zeigt das optoelektronische Bauelement 100 zu einem vierten Zeitpunkt 406 während dessen Herstellung.
Zu diesem Zeitpunkt wird die zweite Elektrode 112 auf die eine oder mehreren weitere organischen Funktionsschichten (wenn vorhanden) oder auf die eine oder mehreren
Emitterschichten 108 aufgebracht , beispielsweise
abgeschieden, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase , chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase , physical vapor deposition, beispielsweise Sputtern, ionenunterstütztes
Abscheideverfahren oder thermisches Verdampfen) , alternativ mittels eines Plating-Verfahrens ; eines
Tauchabscheideverfahrens ; eines AufSchleuderverfahrens (spin coating) ; Druckens ; Rakelns ; oder Sprühens .
Fig.4E zeigt das optoelektronische Bauelement 100 zu einem fünften Zeitpunkt 408 während dessen Herstellung .
Zu diesem Zeitpunkt wird die Spiegel -Schichtenstruktur 114 mit der oben beschriebenen lateralen Wärmeleitfähigkeit auf die zweite Elektrode 112 aufgebracht , beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase , chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase, physical vapor deposition, beispielsweise Sputtern, ionenunterstütztes
Abscheideverfahren oder thermisches Verdampfen) , alternativ mittels eines Plating-Verfahrens ; eines
Tauchabscheideverfahrens ; eines AufSchleuderverfahrens (spin coating) ; Druckens ; Rakelns oder Sprühens .
Fig .5 zeigt eine QuerSchnittansicht eines optoelektronischen Bauelements 500 mit Abdeckung gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen .
Wie in Fig .5 dargestellt kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen das optoelektronische Bauelement 500 einen Träger 502 , beispielsweise ein Substrat 502 , aufweisen. Der Träger 502 kann ein beliebiges , beispielsweise elektrisch isolierendes Material aufweisen . I verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann der Träger 502 auch von dem
Substrat 102 gebildet werden . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann der Träger 502 aus den Materialien gebildet werden, wie sie oben im Zusammenhang mit dem
Substrat 102 beschrieben worden sind. Auf dem Träger 502 ist das (noch unvollständige)
optoelektronische Bauelement (gegebenenfalls schon versehen mit einer Dünnschicht-Verkapselung) , beispielsweise die organische Leuchtdiode 100, 200, 300 aufgebracht,
beispielsweise befestigt , beispielsweise aufgeklebt oder darauf abgeschieden.
Auf dem (noch unvol1ständigen) optoelektronischen Bauelement , beispielsweise auf der organischen Leuchtdiode 100 , 200 , 300 ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Abdeckung 506, beispielsweise eine Glasabdeckung 506 , mittels eines Klebers 504 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ,
beispielsweise laminiert . Somit ist anschaulich der Kleber 504 auf der organischen Leuchtdiode 100 , 200 , 300 ,
beispielsweise auf einer oberen freiliegenden Schicht der organischen Leuchtdiode 100 , 200 , 300 aufgebracht und die Abdeckung 506 ist auf dem Kleber 504 aufgebracht,
beispielsweise aufgelegt . In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die Abdeckung von einer elektrisch isolierenden Folie , beispielsweise einer Plastikfolie, einer elektrisch leitf higen Folie , beispielsweise einer
Metallfolie, oder dergleichen gebildet werden . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Kleber 504 eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen : Polymere Materialien, die beispielsweise bestehen aus Epoxidharzen, Acryiaten, Fluorpolymere ,
Perfluoropolyether, PFPE- (Meth) acrylates , Silicone,
Polymethylmethacrylat ( PMMA) , MA+PMMA, Ethylenvinylacetat (EVA) , Polyester, Polyurethane, oder dergleichen) .
Zunächst ist der Kleber 504 beim Aufbringen flüssig,
beispielsweise gelartig oder geleeartig und weist eine
Viskosität auf in einem Bereich von ungefähr 0.001 Pa*s bis 3000 Pa*s, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 Pa*s bis 500 Pa*s , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 Pa*s bis 60 Pa*s {wobei die angegebenen Werte typische Werte bei Raumtemperatur sind) , Später wird ein Teil des Klebers 504 oder der gesarate Kleber 504 (beispielsweise wenn sich der Kleber nur in dem Teilbereich befindet, und beispielsweise der Innenbereich, der im Folgenden noch näher erläutert wird, mit einem anderen Material gefüllt ist) in seiner Viskosität verändert, beispielsweise ausgehärtet , beispielsweise laminiert, wie im Folgenden noch näher
erläutert wird.
Beispielsweise im Rahmen eines in verschiedenen
Ausführungsbeispielen vorgesehenen Laminationsprozesses wird die Abdeckung 506, beispielsweise eine Glasabdeckung 506 , (beispielsweise ganzflächig) auf die organische Leuchtdiode 100 , 200 , 300 , beispielsweise auf dessen Rückseite,
auf laminiert . Zum Aushärten des Klebers 504 wird der Kleber 504 ganzflächig auf die organische Leuchtdiode 100 , 200 , 300 aufgebracht und herkömmlicherweise ganzflächig mit
ultravioletter Strahlung belichtet (siehe Fig.7A bis Fig.7C) , Bei diesem Vorgang wird der Kleber 504 beispielsweise
polymerisiert . Dabei zieht sich der Kleber 504 in der Regel um einige Prozent zusammen bzw. dehnt sich je nach
verwendetem Kleber 504 entsprechend aus . Dieser Vorgang kann j edoch mechanische Spannungen an der Grenzfläche zwischen der organischen Leuchtdiode 100 , 200 , 300 (beispielsweise
inklusive ihrer gegebenenfalls vorgesehenen
Dünnschichtverkapselung) und dem Kleber 504 induzieren.
Eingebettete Partikel können so beispielsweise in die
organische Leuchtdiode 100 , 200 , 300 hineingedrückt oder herausgerissen werden. Im Betrieb der organischen Leuchtdiode 100, 200 , 300 kann dies zum Kurzschließen des gesamten optoelektronischen Bauteils führen . Dehnen sich die
Materialien während des Betriebs unterschiedlich aus , so kann dies zu einem ähnlichen Verhalten führen . Fig .7A zeigt in einer ersten Ansicht 700 den noch nicht ausgehärteten Kleber 504 , wobei Partikel 702 in dem Kleber 504 und/oder in der organischen Leuchtdiode 100, 200 , 300 enthalten sind. Fig.7A zeigt in einer zweiten Ansicht 710 den mittels ganzflächiger UV-Belichtung ausgehärteten Kleber 712, der sich aufgrund der UV-Belichtung zusammenzieht oder ausdehnt . Dadurch entstehen mechanische Spannungen an der Grenzfläche zwischen der organischen Leuchtdiode 100, 200, 300 und dem Kleber 712, die auf die Partikel 702 wirken (in Fig.7B symbolisiert mittels Pfeilen 714 ) . Im Betrieb erwärmt sich die organische
Leuchtdiode 100 , 200 , 300 und induziert wiederum mechanische Spannungen . Organik kann aus der organischen Leuchtdiode 100 , 200 , 300 herausgerissen werden oder in die organische
Leuchtdiode 100 , 200 , 300 hineingedrückt werden (in Fig .7C symbolisiert in einer dritten Ansicht 720 mit einem Bereich 722 erhöhter mechanischer Belastung) , was zu einem
Kurzschluss oder auch zu einer Delamination beispielsweise der Verkapselungsschicht (en) führen kann, symbolisiert mit einem Blitzsymbol 716) .
Wieder Bezug nehmend auf Fig .5 ist bei dem optoelektronischen Bauelement 500 der Kleber 504 nur in einem Teilbereich oberhalb des Substrats 502 und/oder oberhalb der organischen Leuchtdiode 100 , 200 , 300, beispielsweise oberhalb der
Schicht ausgehärtet . In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist der Teilbereich ein Bereich oberhalb des Trägers 502 neben der organischen Leuchtdiode 100 , 200 , 300. In diesem Fall ist anschaulich beispielsweise ein Randbereich 508 des Klebers 504 ausgehärtet , wohingegen ein von dem Randberei h 508 des Klebers 504 im Wesentlichen vollständig umschlossener Innenbereich 510 des Klebers 504 in seiner Viskosität im Wesentlichen unverändert bleibt und somit weiterhin flüssig, beispielsweise gelartig oder geleeartig ausgebildet bleibt (siehe beispielsweise die Draufsicht in Fig.6, bei d r die Abdeckung 506 nicht gezeigt ist) . Mittels der gestrichelt dargestellten organischen Leuchtdiode 100 , 200 , 300 wird symbolisiert , dass diese von dem Kleber 504 vollständig bedeckt ist . Anschaulich kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen der Randbereich 508 des Klebers 504 einen Umfangsbereich des Klebers 504 auf eisen oder von
diesem gebildet werden.
Es ist anzumerken, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen der Randbereich 510 sich lateral bis an den Rand der organischen Leuchtdiode 100 , 200, 300
erstrecken, kann, so dass sich neben der organischen
Leuchtdiode 100 , 200, 300 kein flüssiger Kleber 504 befindet, sondern sich direkt der ausgehärtete Teil des Klebers 504 lateral an die organische Leuchtdiode 100 , 200, 300
anschließt .
Weiterhin kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen
vorgesehen sein, dass der Randbereich sich teilweise oder vollständig auch oberhalb der organischen Leuchtdiode 100 , 200 , 300 und damit oberhalb des aktiven Bereichs des
optoelektronischen Bauelements 500 erstreckt, wobei j edoch ein Innenbereich oberhalb der organischen Leuchtdiode 100 , 200 , 300 und damit oberhalb des aktiven Bereichs des
optoelektronischen Bauelements 500 Kleber 504 auf eist , der in seiner Viskosität im Wesentlichen unverändert bleibt und somit weiterhin flüssig, beispielsweise gelartig oder
geleeartig ausgebildet bleibt . Somit wird anschaulich in verschiedenen Äusführungsbeispielen der Kleber 504 zwar ganzflächig auf den Träger 502 und/oder die organische Leuchtdiode 100 , 200 , 300 und/oder die
Abdeckung 506 aufgebracht, edoch nur ein Teilbereich des Klebers 504 , beispielsweise oberhalb eines Randbereichs des optoelektronischen Bauelements 500 , beispielsweise des
Randbereichs 510 (beispielsweise außerhalb der aktiven Fläche des optoelektronischen Bauelements 500 ) ausgehärtet ,
beispielsweise belichtet , beispielsweise belichtet mittels UV-Licht. Es kann edoch auch Licht in einem anderen
Wellenlängenbereich zum Aushärten des Klebers 504 eingesetzt werden, beispielsweise Licht mit noch kleineren Wellenlängen . Es ist darauf hinzuweisen, dass in alternativen Ausführungsbeispielen andere Verfahren zum Aushärten des Klebers 504 in dem Teilbereich ebenfalls eingesetzt werden können, beispielsweise ein lokales Erhitzen mittels einer elektrischen Wärmequelle (nicht dargestellt) , Durch das lokale Aushärten des Klebers nur in einem Teilbereich
oberhalb des Substrats oder der organischen Leuchtdiode 100 , 200 , 300 behält der Kleber 504 seine gelartige oder
geleeartige Konsistenz außerhalb des Teilbereichs , in dem der Kleber 504 ausgehärtet wird, bei , beispielsweise in dem aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements 500.
Anschaulich zeigt Fig.5 ein optoelektronisches Bauelement 500 , beispielsweise eine OLED 500, mit Glaslamination und nicht ausgehärtetem Kleber in dem aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements 500 , beispielsweise der OLED 500. In einem Randbereich des Klebers 504 ist der Kleber 504 ausgehärtet und stellt somit die (Klebe- ) Verbindung zwischen dem Träger 502 und der Abdeckung 506 , beispielsweise dem Deckglas 506, her . Ein Verrutschen der Abdeckung 506, beispielsweise des Deckglases 506 , relativ zu dem Träger 502 wird somit verhindert .
Partikel 802 , die sich in dem Kleber 504 befinden, oder die schon während des Aufdampfens der einzelnen Schichten der organischen Leuchtdiode 100, 200, 300 in die organische
Leuchtdiode 100 , 200 , 300 eingebracht wurden, werden nunmehr gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen nicht mehr in die organische Leuchtdiode 100 , 200, 300 hineingedrückt oder herausgezogen .
Fig.SA bis Fig.8C zeigen Prinzip-Querschnittansichten, mittels derer eine Laminierung eines optoelektronischen
Bauelements mit einem Aushärten des Klebers nur in einem Teilbereich gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen
dargestellt ist . Wie in einer ersten Ansicht 800 in Fig.8A dargestellt is , wird zum lokalen Aushärten des Klebers 504 der Kleber 504 auf die organische Leuchtdiode 100 , 200 , 300 der Kleber 504 ganzflächig aufgebracht und nur in einem
Teilbereich ganzflächig ausgehärtet, beispielsweise mit ultravioletter Strahlung belichtet {siehe zweite Ansicht 810 in Fig.8B) , wobei der in Fig.8B gezeigte Teilbereich nicht ausgehärtet wird und somit in seiner Viskosität im
Wesentlichen unverändert bleibt {in Fig.8B bezeichnet mit 812) . Bei diesem Vorgang wird der Kleber 504 beispielsweise in dem belichteten Teilbereich polymerisiert . Dabei zieht sich der Kleber 504 in der Regel in dem belichteten
Teilbereich um einige Prozent zusammen bzw. dehnt sich je nach verwendetem Kleber 504 entsprechend aus . Da der in
Fig .8B dargestellte Bereich 812 des Klebers 504 j edoch nicht ausgehärtet wird, treten in diesem im Vergleich zu der herkömmlichen Vorgehensweise keine oder zumindest nur
reduzierte mechanischen Spannungen auf . Eingebettete Partikel 802 unterliegen somit ebenfalls keinen oder nur reduzierten mechanischen Spannungen . Im Betrieb der organischen
Leuchtdiode 100 , 200 , 300 kann selbst für den Fall , dass die Partikel 802 aus der organischen Leuchtdiode 100, 200 , 300 herausgerissen wird, der noch flüssige Teil 812 des Klebers 504 in die entstandene Materiallücke (auch bezeichnet als Defektstelle 822, siehe dritte Ansicht 820 in Fig.8C)
hineinfließen und diese ausfüllen. Da der Kleber 504 in verschiedenen Ausführungsbeispiel elektrisch isolierend ausgebildet ist, erstickt oder isoliert der Kleber 504 anschaulich die Defektstelle 822. Drumherum entsteht eine Art Hof, in dem weniger Klebermaterial vorhanden ist .
Durch das flüssige, beispielsweise gelartige oder geleeartige Medium in dem Innenbereich 510 , beispielsweise in dem aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements, kann die Wärme , die an einem schon vorhandenen Hotspot entsteht , besser nach außen abgeleitet werden, da das Medium beweglich (flüssig) ist und somit ein besserer Wärmeaustausch (eventuell auch durch Konvektion) stattfinden kann . Außerdem wird gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ein Delaminieren der Abdeckung 506 , beispielsweise der Glasabdeckung 506, auch bezeichnet als Deckglas 506, an den kurzgeschlossenen Stellen verhindert, was bei ausgehärtetem Kleber 504 durch das schlagartige Verdampfen der Materialien an den
kurzgeschlossenen Stellen in der Regel hervorgerufen würde . Der Bereich der Delamination ist gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen (deutlich) größer als der eigentliche Kurzschlussbereich. Dies hat beispielsweise bei transparenten Bauteilen, den Nachteil , dass solche Delaminationssteilen das Erscheinungsbild des optoelektronischen Bauelements ,
beispielsweise einer OLED, sowohl im ausgeschalteten Zustand negative beeinflussen bzw. im eingeschalteten Zustand zu großflächigen (beispielsweise in einem Bereich vo
2
einigen cm } nicht- leuchtenden Bereichen führt . Fig.9 zeigt eine QuerSchnittansicht eines optoelektronischen Bauelements 900 mit Abdeckung gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen; und Fig.10 zeigt eine Draufsicht auf das optoelektronische Bauelement 900 gemäß Fig.9. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann es vorgesehen sein, dass nicht nur ein Kleber 504 verwendet wird, sondern mehrere unterschiedliche Kleber 902 , 0 , die beispielsweise voneinander unterschiedliche Viskositäten aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Kleber 902 , 904 unterschiedliche Aushärteeigenschaften auf eisen, so dass sie beispielsweise selektiv härtbar sind; so kann
beispielsweise ein erster Kleber 902 schon bei Bestrahlung mit Licht einer Wellenlänge oder Energie aushärten, bei der ein zweiter Kleber 904 noch nicht aushärtet . So kann
beispielsweise (selbst ohne Belichtungs-Maske) der erste
Kleber 902 ausgehärtet werden und der zweite Kleber 904 in seiner Viskosität im Wesentlichen unverändert , auf jeden Fall j edoch noch nicht vollständig ausgehärtet , verbleiben. Der erste Kleber 902 ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen ereich oberhalb des Trägers 502 , beispielsweise in einem Randbereich des Trägers 502 oder der Abdeckung 506 angeordnet und umschließt beispielsweise den zweiten Kleber 904 lateral, so dass der gehärtete erste Kleber 902
anschaulich einen Aufnahmebereich zum Aufnehmen des (nicht (vollständig) ausgehärteten) zweiten Klebers 904 bilde . Es ist darauf hinzuweisen, dass in einer alternativen
Ausgestaltung auch nur ein Teil des ersten Klebers 902 vollständig ausgehärtet sein kann und/oder auch ein Teil des zweiten Klebers 904 vollständig ausgehärtet sein kann.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der erste Kleber 902 eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Polymere Materialien, die
beispielsweise bestehen aus Epoxidharzen, Acrylaten,
Fluorpolymere , Perfluoropolyether, PFPE- (Meth) acrylates , Silicone, Polymethylmethacrylat (PMMA) , MMA+PMMA,
Ethylenvinylacetat (EVA) , Polyester, Polyurethane, oder dergleichen) . Weiterhin kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann der zweite Kleber 904 eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen : Polymere Materialien, die beispielsweise bestehen aus Epoxidharzen, Acrylaten, Fluorpolymere ,
Perfluoropolyether, PFPE- (Meth) acrylates , Silicone,
Polymethylmethacrylat (PMMA) , MMA+PMMA, Ethylenvinylacetat (EVA) , Polyester, Polyurethane, oder dergleichen) . Somi lassen sich in verschiedenen Ausführungsbeispielen verschiedene Materialien (beispielsweise verschiedene Kleber) für den Klebebereich beispielsweise am Rand des
optoelektronischen Bauelements und als „ Füllmaterial" in dem Innenbereich des optoelektronischen Bauelements,
beispielsweise in dem aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements, kombinieren. So kann beispielsweise der erste Kleber 902 am Rand durch einen Dispersionsprozess gebildet werden, und der zweite Kleber 904 in dem Innenbereich des optoelektronischen Bauelements , beispielsweise in dem aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements , beispielsweise mit anderer Viskosität, kann beispielsweise mittels eines Druckprozesses aufgebracht werden . Alternativ kann anstelle des zweiten Klebers 904 ein anderes flüssiges, beispielsweise gelartiges oder geleeartiges
Material vorgesehen sein, beispielsweise ein Gel, allgemein eine Flüssigkeit, Öl , Silikon, etc . vorgesehen sein in dem Innenbereich des optoelektronischen Bauelements ,
beispielsweise in dem aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements , beispielsweise umschlossen von dem ersten
Kleber 902.
Somit kann in dem Innenbereich des optoelektronischen
Bauelements, beispielsweise in dem aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements , ein Material eingebracht werde , das nicht mittels Lichts (beispielsweise nicht mittels UV-Lichts) , allgemein nicht auf die Weise, in der der erste Kleber 902 ausgehärtet wird, ausgehärtet werden kann, wodurch eine spätere Aushärtung des zweiten Klebers 904 oder des alternati dazu vorgesehenen flüssigen Materials im späteren Betrieb verhindert wird.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können in dem
Innenbereich, allgemein außerhalb des Teilbereichs, in dem der Kleber 504 , 902 gehärtet wird oder ist, beispielsweise in dem aktiven Bereich, Streupartikel oder Streumaterialien in geeigneter Weise vorgesehen sein. Die Fixierung der Abdeckung 506 erfolgt dann in verschiedenen Ausführungsbeis ie1en an dem Randbereich mittels des gehärteten Klebers 50 , 902 , anschaulich durch den gebildeten Kleberand . Durch die
Streupartikel kann das Licht innerh lb dieser Schicht
gestreut werden, und kann dadurch effektiver ausgekoppelt werden.
Weiterhin ist es in verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen, eine Flüssigkeit , beispielsweise ein Öl, oder ein Silikon, etc . mit einem niedrigeren Brechungsindex in dem Innenbereich des optoelektronischen Bauelements ,
beispielsweise in dem aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements, zu verwenden . Im Zusammenhang mi einer mit spezieller Struktur ausgeführten Abdeckung, beispielsweise einem mit spezieller Struktur ausgeführten Deckglas , lässt sich in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf diese Weise das Abstrahlprofil des optoelektronischen Bauelements, beispielsweise der OLED, verändern und beispielsweise gezielt einstellen . Die mit spezieller Struktur ausgeführte
Abdeckung, beispielsweise das mit spezieller Struktur
ausgeführte Deckglas , kann dabei einen höheren Brechungsindex aufweisen als die Flüssigkeit , beispielsweise das Öl, oder das Silikon, etc .
Fig . IIA und Fig . IIB zeigen eine Querschnittansieht eines optoelektronischen Bauelements 1100 (Fig . IIA) gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen und ein zugehöriges
Abstrahlprofil 1152 , dargestellt in einem ersten Diagramm 1150 (Fig. IIB) . Das optoelektronische Bauelement 1100 ist ähnlich dem optoelektronischen Bauelement 500 gemäß Fig.5 oder dem optoelektronischen Bauelement 900 gemäß Fig.9, weshalb lediglich einige Unterschiede im Folgenden erläutert werden . Hinsichtlich der restlichen Merkmale wird auf die Ausführungen hinsichtlich des optoelektronischen Bauelements 500 gemäß Fig .5 bzw. hinsichtlich des optoelektronischen Bauelements 900 gemäß Fig.9 verwiesen. Wie in Fig . IIA
dargestellt weist die freiliegende Oberfläche 1102 der
Abdeckung 506 , beispielsweise des Abdeckglases 506 oder der Abdeckfolie 506 , beispielweise eine Linsenstruktur 1104 auf . Ferner weist das Material in dem Innenbereich einen
Brechungsindex auf der kleiner ist als der Brechungsindex des Materials der Abdeckung 506. Dies führt zu einem verengten Abstrahlprofil 1152, wie in Fig. IIB dargestellt .
Fig .12A und Fig .12B zeigen eine QuerSchnittansicht eines optoelektronischen Bauelements 1200 (Fig.l2A) gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen und ein zugehöriges
Abstrahlprofil 1252 , dargestellt in einem zweiten Diagramm 1250 (Fig.12B) . Das optoelektronische Bauelement 1200 ist ähnlich dem optoelektronischen Bauelement 500 gemäß Fig.5 oder dem optoelektronischen Bauelement 900 gemäß Fig.9, weshalb lediglich einige Unterschiede im Folgenden erläutert werden. Hinsichtlich der restlichen Merkmale wird auf die Ausführungen hinsichtlich des optoelektronischen Bauelements 500 gemäß Fig .5 bzw. hinsichtlich des optoelektronischen Bauelements 900 gemäß Fig.9 verwiesen. Wie in Fig .12A
dargestellt weist die Oberfläche 1202 der Abdeckung 506 , beispielsweise des Abdeckglases 506 oder der Abdeckfolie 506, die zu dem Kleber 504 , 904 hin ausgerichtet ist,
beispielweise eine Linsenstruktur 1204 auf . Ferner weist das Material in dem Innenbereich einen Brechungsindex auf der kleiner ist als der Brechungsindex des Materials der
Abdeckung 506. Dies führt zu einem so genannten „BatWing"- Abstrahlprofil 1252 , wie in Fig.12B dargestellt .
Somit wird anschaulich in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein niedrigbrechender Klebstoff oder eine entsprechende niedrigbrechende Flüssigkeit in dem Innenbereich zur
Strahlformung des optoelektronischen Bauelements ,
beispielsweise einer OLED, verwendet .
Ferner kann es in verschiedenen Ausführungsbeispielen
vorgesehen sein, in den nicht ausgehärteten Kleber oder die Flüssigkei , beispielsweise das Öl , oder das Silikon, etc . , wärmeleitende Partikel wie beispielsweise Glas oder
Graphitpartikel einzubringen, womit die Wärmeleitfähigkeit der Schicht weiter erhöht werden kann, was zu einer
verbesserten Wärmeabfuhr von den aktiven Schichten des optoelektronischen Bauelements , beispielsweise der
organischen Leuchtdiode 100 , 200 , 300 , führen kann.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können Hotspots, die mit herkömmlichen Verfahren zu einem Kurzschluss geführt haben, reduziert oder in ihrer Wirkung gemildert werden. Es sind zwar in verschiedenen Ausführungsbeispielen Hotspots detektierbar , die aber nicht unbedingt zu einem Ausfall des optoelektronischen Bauelements führen müssen. Dies kann zu einer Verbesserung der Gesamtausbeute bei der Herstellung solcher optoelektronischen Bauelemente , beispielsweise von OLEDs, führen und damit zu einer potentiellen Reduktion der Herstellungskosten .
Ferner kann durch verschiedene Ausfuhrungsbeispiele die HIL- Schichtdicke reduzieren, wodurch sich Kosteneinsparungen durch Reduzierung des Materialverbrauchs ergeben.
Bei optisch transparenten OLED-Bauteilen hat die Reduzierung der HIL-Schichtdicke in verschiedenen Ausführungsbeispielen einen positiven Einfluss auf die Transparenz , da durch eine geringere Gesamtschichtdicke die Absorption innerhalb der OLED reduziert werden kann und die Transparenz in das erste breite Maximum des Etaioneffekts geschoben werden kann.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen werden die
organischen Schichten des organischen optoelektronischen Bauelements, beispielsweise der OLED, in der aktiven Fläche nicht mit UV-Licht geschädigt, was zu einer Verbesserung des Alterungsverhaltens des organischen optoelektronischen
Bauelements , beispielsweise der OLED, führen kann .
Durch die Verwendung von Materialien mit besserer thermischer Leitf higkeit in dem aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements, beispielsweise der Leuchtdiode, beispielsweise der OLED, gemäß verschiedenen Äusführungsbeispielen kann die Leuchtdichteverteilung homogenisiert werden ferner kann die Leuchtdichtealterung bei großflächigen Bauteilen verbessert werden .
Durch die Einführung von geeigneten Streuschichten innerhalb des aktiven Bereichs des optoelektronischen Bauelements, beispielsweise der Leuchtdiode , beispielsweise der OLED, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen kann beispielsweise bei Top-emittierenden OLEDs die Auskopplung verbessert werden . Aber auch bei transparenten OLEDs ist es in
verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen, eine geringe Konzentration von Streupartikeln einzubringen, welche vom Auge noch nicht wahrgenommen werden.
Durch die Verwendung von Flüssigkeiten/Ölen/Silikonen, etc . mi speziellem Brechungsindex und in Kombination mit
Deckgläsern/Folien mit spezieller Struktur ist es gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen zudem möglich, die
Abstrahlcharakteristik des optoelektronischen Bauelements , beispielsweise der Leuchtdiode, beispielsweise der OLED, zu beeinflussen.
Wie oben beschrieben worden ist kann bei Verwendung von zwei unterschiedlichen Materialien gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für den Kleber am Rand des
optoelektronischen Bauelements bzw. am Rand der Abdeckung 506 , einerseits und für das Medium in dem Innenbereich, beispielsweise dem aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements, andererseits kann als das Medium optisches Gel verwendet werden. Hierzu kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen beispielsweise ein Druckprozess
(beispielsweise unter Verwendung einer Schablone oder eines Rakels , oder dergleichen) für das Medium in dem Innenbereich, beispielsweise dem aktiven Bereich des optoelektronischen Bauelements , und an dem Rand ein Dispensprozess für den
Kleber 504 zur Anwendung kommen .
Als Medium ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen, wie oben schon beschrieben, eine Flüssigkeit oder ein Gel zur Verbesserung der optischen Auskopplung oder zur Vermeidung von Kurzschlüssen vorgesehen . Ferner können Materialien verwendet werden, welche die thermische Leitf higkeit
verbessern und somit die Lebensdauer des optoelektronischen Bauelements , beispielsweise der OLED, erhöhen. Fig.13 zeigt ein Ablaufdiagramm 1300, in dem ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen dargestellt ist. Das Verfahren kann aufweisen, in 1302, ein Aufbringen einer Abdeckung auf eine Schicht des optoelektronischen Bauelements mittels mindestens eines Klebers, Dabei kann beispielsweise zunächst der Kleber auf eine Oberfläche der Abdeckung
aufgebracht werden und dann kann die Abdeckung mit dem Kleber zu dem Träger hin ausgerichtet , auf den Träger und die
Schicht des optoelektronischen Bauelements (beispielsweise eine im Front-End-of-Line Prozess fertiggestellte
Leuchtdiode, beispielsweise organische Leuchtdiode)
aufgebracht werden. Alternativ kann zunächst der Kleber auf den Träger und die Schicht des optoelektronischen Bauelements (beispielsweise eine im Front-End-of -Line Prozess
fertiggestellte Leuchtdiode, beispielsweise organische
Leuchtdiode) aufgebracht werden und dann kann die Abdeckung auf den Kleber aufgebracht werden.
Weiterhin kann das Verfahren aufweisen, in 1304 , ein
Verändern der Viskosität des mindestens einen Klebers nur in einem Teilbereich oberhalb eines Substrats des
optoelektronisehen Bauelements und/oder oberhalb der Schicht .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Viskosität mittels Lichteinstrahlung verändert werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Lichteinstrahlung mittels Einstrahlens von ultraviolettem Licht erfolgen.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement (500) , aufweisend:
• mindestens eine Schicht (IOC, 200 , 300) des
optoelektronischen Bauelements (500)
• mindestens einen Kleber (504 } auf der Schicht (100 , 200, 300) des optoelektronischen Bauelements (500) ; und
• eine Abdeckung (506) auf dem mindestens einen
Kleber (504) ;
• wobei der mindestens eine Kleber { 504 ) nur in einem Teilbereich (508) oberhalb eines Substrats (502) und/oder oberhalb der Schicht (100 , 200 , 300) ausgehärtet ist .
2. Optoelektronisches Bauelement (500) gemäß Anspruch 1, wobei der Teilbereich (508) den Randbereich (508) des mindestens einen Klebers (504 ) aufweis .
3. Optoelektronisches Bauelement (500) gemäß Anspruch 2, wobei der Randbereich (508 ) zumindest ein Teil einer Umfangsstruktur (508) des mindestens einen Klebers (504) ist .
4. Optoelektronisches Bauelement (500) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 3 ,
wobei der Teilbereich (508) zumindest teilweise lateral außerhalb eines aktiven Bereichs des optoelektronischen Bauelements (500) angeordnet is .
Optoelektronisches Bauelement (500) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 ,
wobei der mindestens eine Kleber (504) mehrere Kleber unterschiedlicher Viskosität aufweist .
Optoelektronisches Bauelement (500) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5 , wobei der Teilbereich (508) zumindest teilweise einen Bereich (510} umschließt , in dem ein flüssiges nicht- klebendes Material oder ein flüssiger Kleber vorgesehen ist .
7. Optoelektronisches Bauelement (500) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 6,
wobei in dem Kleber (504 ) Partikel vorgesehen sind, welche einen zu dem Kleber (504 ) unterschiedlichen Brechungsindex aufweisen.
8. Optoelektronisches Bauelement (500) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 7 ,
wobei der Kleber (50 ) einen niedrigeren Brechungsindex aufweist als die Abdeckung (506) .
9. Optoelektronisches Bauelement (500) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 8 ,
wobei auf mindestens einer Oberfläche der Abdeckung (506) eine optisch refraktive Schicht vorgesehen ist .
10. Optoelektronisches Bauelement (500) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 9,
eingerichtet als Leuchtdiode .
11. Optoelektronisches Bauelement (500) gemäß Anspruch 10 , eingerichtet als organische Leuchtdiode.
12. Optoelektronisches Bauelement (500) gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 11,
wobei die Schicht (100, 200 , 300) eine
Verkapselungsschicht des optoelektronischen Bauelements (500) aufweist oder davon gebildet ist .
Optoelektronisches Bauelement (500) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Abdeckung Glas oder eine Folie aufweist oder daraus besteht .
14. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen
Bauelements (500) , wobei das Verfahren aufweist:
• Aufbringen einer Abdeckung auf eine Schicht (100, 200 , 300) des optoelektronischen Bauelements (500) mittels mindestens eines Klebers (504 ) ; und
• Verändern der Viskosität des mindestens einen
Klebers (504 ) nur in einem Teilbereich (508) oberhalb eines Substrats (502) des
optoelektronischen Bauelements (500) und/oder oberhalb der Schicht (100, 200, 300) .
Verf hren gemäß Anspruch 14 ,
wobei die Viskosität mittels Lichteinstrahlung verändert wird .
Verfahren gemäß Anspruch 15 ,
wobei die Lichteinstrahlung mittels Einstrahlens ultraviolettem Licht erfolgt .
EP12714270.1A 2011-05-31 2012-03-29 Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements Ceased EP2715824A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011076750A DE102011076750A1 (de) 2011-05-31 2011-05-31 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
PCT/EP2012/055602 WO2012163569A1 (de) 2011-05-31 2012-03-29 Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2715824A1 true EP2715824A1 (de) 2014-04-09

Family

ID=45954637

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP12714270.1A Ceased EP2715824A1 (de) 2011-05-31 2012-03-29 Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9190628B2 (de)
EP (1) EP2715824A1 (de)
KR (2) KR20150055627A (de)
CN (1) CN103563116A (de)
DE (1) DE102011076750A1 (de)
WO (1) WO2012163569A1 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2794814B1 (de) 2011-12-19 2017-10-18 InovisCoat GmbH Leuchtelemente mit einer elektrolumineszenzanordnung sowie verfahren zur herstellung eines leuchtelements
CN103337593A (zh) * 2013-04-09 2013-10-02 南京第壹有机光电有限公司 一种有机电致发光面板
DE102013111736A1 (de) * 2013-10-24 2015-04-30 Osram Oled Gmbh Organische lichtemittierende Diode und Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Diode
US9728663B1 (en) * 2014-05-20 2017-08-08 Solaero Technologies Corp. Solar cell assembly and method of bonding a solar cell component to a flexible support
KR102271696B1 (ko) * 2014-10-29 2021-07-01 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치용 봉지 필름, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
US9913392B2 (en) * 2016-04-13 2018-03-06 Motorola Mobility Llc Flexible display stack-up and method for arranging
CN105870327A (zh) * 2016-06-17 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled的制作方法及柔性oled
US11380813B2 (en) 2019-02-11 2022-07-05 Solaero Technologies Corp. Metamorphic solar cells
EP3421278B1 (de) * 2017-06-29 2022-10-19 PLASMAN Europe AB Beleuchtete zierleiste

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110121350A1 (en) * 2009-11-23 2011-05-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3721935B2 (ja) * 2000-04-19 2005-11-30 住友電気工業株式会社 光学装置
US6867539B1 (en) * 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
US6692610B2 (en) * 2001-07-26 2004-02-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oled packaging
JP2003197366A (ja) 2001-12-25 2003-07-11 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置及びその製造方法
US6897474B2 (en) * 2002-04-12 2005-05-24 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
US6835950B2 (en) * 2002-04-12 2004-12-28 Universal Display Corporation Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer
US20040217702A1 (en) * 2003-05-02 2004-11-04 Garner Sean M. Light extraction designs for organic light emitting diodes
JP4590932B2 (ja) * 2004-05-18 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
DE102004035965B4 (de) * 2004-07-23 2007-07-26 Novaled Ag Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit zumindest einer organischen Schicht
EP1722258A1 (de) * 2005-05-13 2006-11-15 STMicroelectronics S.r.l. Kopplungsmodul für optische Strahlung
KR100685845B1 (ko) 2005-10-21 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
EP1830421A3 (de) 2006-03-03 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung, Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Vorrichtung und blattförmiges Dichtungsmaterial
US20090041500A1 (en) 2006-03-30 2009-02-12 Mitsubishi Chemical Corporation Image forming apparatus
KR20080055243A (ko) * 2006-12-15 2008-06-19 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
DE102007044597A1 (de) * 2007-09-19 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102008023874A1 (de) 2008-02-26 2009-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Anordnung
KR101513869B1 (ko) * 2008-07-17 2015-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20100112740A (ko) * 2009-04-10 2010-10-20 도레이첨단소재 주식회사 저반사 필름
DE102009018518A1 (de) * 2009-04-24 2010-10-28 Tesa Se Transparente Barrierelaminate
KR101646808B1 (ko) 2009-10-28 2016-08-08 가부시키가이샤 제이올레드 렌즈 시트, 표시 패널 장치 및 표시 장치
JP5216806B2 (ja) * 2010-05-14 2013-06-19 株式会社日立製作所 有機発光ダイオード及びこれを用いた光源装置
KR101814769B1 (ko) * 2010-07-07 2018-01-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110121350A1 (en) * 2009-11-23 2011-05-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN103563116A (zh) 2014-02-05
US20140077201A1 (en) 2014-03-20
WO2012163569A1 (de) 2012-12-06
KR20140021052A (ko) 2014-02-19
US9190628B2 (en) 2015-11-17
KR20150055627A (ko) 2015-05-21
DE102011076750A1 (de) 2012-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012163569A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
DE102013109451B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102013021185A1 (de) Herstellung flexibler organischer elektronischer Vorrichtungen
DE102013106508A1 (de) Elektrode und optoelektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2014048971A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
WO2014023807A2 (de) Bauelemente und verfahren zum herstellen von bauelementen
DE102011084437A1 (de) Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements
WO2013131826A1 (de) Optoelektronisches bauelement
WO2013007443A1 (de) Lichtemittierende bauelemente und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements
WO2013007485A1 (de) Organisches lichtemittierendes bauelement und verfahren zum herstellen eines organischen lichtemittierenden bauelements
WO2015036287A2 (de) Verfahren zum herstellen eines bauelementes
WO2014023781A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes und verfahren zum strukturieren eines organischen, optoelektronischen bauelementes
WO2014206775A1 (de) Verfahren zum bearbeiten eines elektronischen bauelements und elektronische bauelementeanordnung
DE102012204432B4 (de) Elektronische Struktur, aufweisend mindestens eine Metall-Aufwachsschicht sowie Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Struktur
WO2015032810A1 (de) Optoelektronisches bauelement, optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
WO2012055694A1 (de) Elektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines elektronischen bauelements
DE102011079063A1 (de) Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements
DE102011079160B4 (de) Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelements
WO2014207039A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes
WO2013007444A1 (de) Lichtemittierendes bauelement und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements
DE102011076733B4 (de) Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, Verwendung einer Glasfritte zur Kantenpassivierung einer Elektrode eines optoelektronischen Bauelements, und Verwendung einer Glasfritte zur Passivierung einer oder mehrerer metallischer Busleitungen eines optoelektronischen Bauelements
WO2015110428A1 (de) Optoelektronische bauelemente und verfahren zum herstellen optoelektronischer bauelemente
DE102013106942A1 (de) Elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektromagnetische Strahlung emittierenden Bauelements
DE102014111346B4 (de) Optoelektronische Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung
EP2656403A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20130710

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

RIN1 Information on inventor provided before grant (corrected)

Inventor name: BECKER, DIRK

Inventor name: LANG, ERWIN

Inventor name: SETZ, DANIEL STEFFEN

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: OSRAM OLED GMBH

17Q First examination report despatched

Effective date: 20160310

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R003

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION HAS BEEN REFUSED

18R Application refused

Effective date: 20190726