EP2155628A2 - Component having a metalized ceramic base - Google Patents

Component having a metalized ceramic base

Info

Publication number
EP2155628A2
EP2155628A2 EP08736302A EP08736302A EP2155628A2 EP 2155628 A2 EP2155628 A2 EP 2155628A2 EP 08736302 A EP08736302 A EP 08736302A EP 08736302 A EP08736302 A EP 08736302A EP 2155628 A2 EP2155628 A2 EP 2155628A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
weight
copper
ceramic body
metallization
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
EP08736302A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Claus Peter Kluge
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ceramtec GmbH
Original Assignee
Ceramtec GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ceramtec GmbH filed Critical Ceramtec GmbH
Publication of EP2155628A2 publication Critical patent/EP2155628A2/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/003Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
    • C04B37/005Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts consisting of glass or ceramic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/003Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
    • C04B37/006Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts consisting of metals or metal salts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/023Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
    • C04B37/025Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of glass or ceramic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/023Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
    • C04B37/026Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81Coating or impregnation
    • C04B41/85Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/88Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81Coating or impregnation
    • C04B41/89Coating or impregnation for obtaining at least two superposed coatings having different compositions
    • C04B41/90Coating or impregnation for obtaining at least two superposed coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3731Ceramic materials or glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/04Ceramic interlayers
    • C04B2237/06Oxidic interlayers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/04Ceramic interlayers
    • C04B2237/06Oxidic interlayers
    • C04B2237/064Oxidic interlayers based on alumina or aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12Metallic interlayers
    • C04B2237/121Metallic interlayers based on aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12Metallic interlayers
    • C04B2237/123Metallic interlayers based on iron group metals, e.g. steel
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12Metallic interlayers
    • C04B2237/124Metallic interlayers based on copper
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/36Non-oxidic
    • C04B2237/366Aluminium nitride
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4882Assembly of heatsink parts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials
    • H05K2201/0175Inorganic, non-metallic layer, e.g. resist or dielectric for printed capacitor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/0332Structure of the conductor
    • H05K2201/0335Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355Metal foils
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495Thickness [relative or absolute]

Definitions

  • the invention relates to a component with a ceramic body, which is covered at least at one point of its surface with a metallization and a method for producing such a component.
  • DE 196 03 822 C2 describes a method for producing a ceramic substrate with at least one layer of aluminum nitride ceramic and the ceramic substrate produced by this method.
  • an auxiliary or intermediate layer of aluminum oxide is produced, for which the metallization side surface provided with a layer of copper or copper oxide or other copper-containing compounds and then heat treated in an oxygen-containing atmosphere.
  • the object of the invention is to provide a component with a ceramic body, which is covered at least at one point of its surface with a metallization and plate-shaped or spatially structured and a method for producing such a component in which the metallization adheres particularly well.
  • the object is achieved with a component having the characterizing features of claim 1 and according to the method with the aid of the characterizing features of claim 19.
  • Advantageous embodiments of the invention are presented in the dependent claims.
  • the component according to the invention consists of a ceramic body, which is covered at least at one point of its surface with a metallization.
  • the ceramic body is plate-shaped or spatially structured. It can for example have an E-shape. Such a form, for example, heatsinks.
  • a heatsink is understood to mean a body which carries electrical or electronic components or circuits and which is shaped in such a way that it can dissipate the heat generated in the components or circuits in such a way that no accumulation of heat occurs, which can damage the components or circuits.
  • the carrier body is a body made of a material that is electrically non-conductive or almost non-conductive and has good thermal conductivity.
  • the ideal material for such a body is ceramic.
  • the body is integral and has heat dissipating or feeding elements for protecting the electronic components or circuits.
  • the carrier body is a circuit board and the elements are bores, channels, ribs and / or recesses, which can be acted upon by a heating or cooling medium.
  • the medium can be liquid or gaseous.
  • the carrier body and / or the cooling element preferably consist of at least one ceramic component or a composite of different ceramic materials.
  • the ceramic material contains as main component 50.1% by weight to 100% by weight ZrO 2 / HfO 2 or 50.1% by weight to 100% by weight Al 2 O 3 or 50.1% by weight to 100
  • the main components and the Secondary components with deduction of a content of impurities of ⁇ 3% by weight, can be combined in any combination with one another to give a total composition of 100% by weight.
  • the metallization can consist, for example, of tungsten, silver, gold, copper, platinum, palladium, nickel, aluminum or steel in pure or industrial quality or of mixtures of at least two different metals.
  • the metallization can also, for example, additionally or alone, from reaction solders, soft solders or brazing alloys.
  • the material on the surface of the ceramic body is chemically and / or crystallographically and / or physically modified with or without the addition of suitable reactants over the entire surface or part of its area by chemical or physical processes.
  • at least one dense or porous layer which has the same or unequal thickness of at least 0.001 nanometers and which consists of at least one homogeneous or heterogeneous new material, is formed on the ceramic body at the treated body or sites.
  • the remaining base material of the ceramic body remains unchanged. With this new material, at least one metallization can be connected over part or all of its surface.
  • the reactants are essentially metals such as copper or copper oxides by the DCB process (direct copper bonding) or calcium compounds or manganese oxide or oxygen.
  • Active metal components in the AMB process are, for example, Zn, Sn, Ni, Pd, Ag, Cu, In, Zr, Ti, Ag, Yt, T, N.
  • a new material is produced on the surface of metal oxide ceramics at least over the entire surface or part of the surface.
  • a layer of intermetallic phases is formed, with the help of which Metallizations can be applied to ceramic body without bubbles, flaking and other defects, especially under thermal stress occur.
  • the layer formed from the new material may comprise a mixed layer which consists at least of aluminum oxide or copper oxides of different or identical oxidation states or solid-chemical mixtures thereof.
  • the formed layer can, depending on the metallization, a
  • Intermediate layer comprising at least aluminum oxide or copper oxides of different or identical oxidation states or solid-chemical mixtures thereof.
  • Combinations of at least one intermediate layer and at least one mixed layer are also possible.
  • an intermediate layer of aluminum oxide the surface of a ceramic body made of aluminum nitride over the entire surface or part of a surface with a layer of copper or copper oxide or other copper-containing compounds or combinations thereof in a minimum thickness of 0.001 nanometers provided and then in an oxygen-containing atmosphere at a temperature between 700 0 C to 1380 0 C treated until the intermediate layer has formed with the desired thickness, which may be between 0.05 and 80 micrometers.
  • the intermediate layer contains at least in one part over its thickness a proportion of 0.01 to 80 weight percent copper oxide.
  • These intermediate layers, mixed layers or combinations of these layers enable a strong bond between the ceramic material and the metallization.
  • the copper oxide melts from applied copper foils and forms a defect-free, particularly durable compound with the layer formed.
  • composition of at least one layer or intermediate layer or mixed layer is a homogeneous or graded and at least one
  • Ceramic body increase or the concentration of a mixed phase of
  • Proportions of copper oxides of different or identical oxidation states with aluminum oxide decrease towards the aluminum oxide layer. This makes it possible to match the composition of the intermediate or mixed layer to the intended metallization.
  • At least one further identical or unequal metallization can be applied over the whole area or over a partial area, for example for the production of solder joints with electronic components.
  • a metal or copper layer can be fixed over the whole area or part of the area.
  • metallization may be performed on at least one of the intermediate layers produced a metal foil by means of the AMB process, preferably made of copper, aluminum or steel, are fixed over the entire surface or part of the area.
  • At least one identical or dissimilar DCB substrate and / or a DCB-based circuit or at least one identical or dissimilar AMB substrate and / or an AMB-based circuit or at least one substrate-based circuit or board or an active and / or a passive component and / or at least one sensory element can be connected to at least one metallization.
  • FIG. 1 shows a component according to the invention, which has been metallized by the DCB method, with an electronic component
  • Figure 2 shows an inventive component, which has been metallized by the AMB method, with an electronic component.
  • the component 1 in Figure 1 has a ceramic body 2 made of aluminum nitride, which is spatially structured, it is E-shaped.
  • the body 2 is a heat sink.
  • the upper side 3 and the lower side 4 of the ceramic body 2 each have a different sized surface.
  • the bottom 4 has cooling fins 5.
  • the upper side 3 of the component 1 has a flat surface in the present exemplary embodiment.
  • On the top 3 and on the leg of the outer fin 5 are metallized areas 6, where, for example, electronic components can be soldered.
  • an intermediate layer 7 was initially formed at the points 6 of the ceramic body 2 which are metallised
  • the metallization 8 is a copper foil with a copper oxide layer 9, which is connected via a layer 10 to the intermediate layer 7. In the layer 10 are proportions of copper oxide and alumina.
  • the upper side 3 of the ceramic body 2 is a circuit carrier.
  • an electronic component for example a chip 11 is fastened by means of a solder connection 12. Via lines 13 it is connected to a further metallized area 6.
  • This chip 11 represents a heat source whose heat is dissipated via the cooling fins 7.
  • the component 1 in Figure 2 has a ceramic body 2, which corresponds to that known from the figure 1. Matching features are therefore provided with the same reference numerals.
  • the ceramic body can consist, for example, of aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, zirconium oxides or carbides. He is spatially structured, he is E-shaped. In the present embodiment, the body 2 is also a heat sink.
  • the upper side 3 and the lower side 4 of the ceramic body 2 each have a different sized surface.
  • the bottom 4 has cooling fins 5.
  • the upper side 3 of the component 1 has a flat surface in the present exemplary embodiment.
  • On the top 3 and on the leg of the outer fin 5 are metallized areas 6, where, for example, electronic components can be soldered.
  • the metallization was carried out by means of the AMB method.
  • a metallic filler material filled as solder which contains active metallic additives, which with the surface of the Ceramic body 2 can react directly.
  • the alloys of the metallic filler contain as active metal components, for example, Zn, Sn, Ni, Pd, Ag, Cu, In, Zr, Ti, Ag, Yt, T, N. The remainder is formed by other alloying constituents. These alloys are preferably applied in the form of a paste on the surface of the ceramic body.
  • the brazing is preferably carried out in a vacuum or in an inert gas atmosphere of helium or argon.
  • the molten metallic filler material, the solder 16 has formed with the ceramic material of the ceramic body 2 a compound, a layer 17, in which the ceramic material has been changed.
  • the metallization 15 is connected to the ceramic body 2.
  • the upper side 3 of the ceramic body 2 is a circuit carrier.
  • an electronic component for example a chip 11 is fastened by means of a solder connection 12. Via lines 13 it is connected to a further metallized area 6.
  • This chip 11 represents a heat source whose heat is dissipated via the cooling fins 5.

Abstract

The invention relates to components having a ceramic base the surface of which is covered in at least one area by a metalized coating. For coatings of said type, problems with respect to their stability and adhesion may arise. The invention is characterized in that the material on the surface of the ceramic base is chemically and/or crystallographically and/or physically modified with or without addition of suitable reactants across the entire surface or on partial surfaces of the metalized areas and forms at least one nonporous or porous layer, joined to the ceramic base, that has the same or different thickness of at least 0.001 nanometers, said layer consisting of at least one homogeneous or heterogeneous new material.

Description

Bauteil mit einem metallisierten Keramikkörper Component with a metallized ceramic body
Die Erfindung betrifft ein Bauteil mit einem Keramikkörper, der an mindestens einer Stelle seiner Oberfläche mit einer Metallisierung bedeckt ist sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils.The invention relates to a component with a ceramic body, which is covered at least at one point of its surface with a metallization and a method for producing such a component.
In der DE 196 03 822 C2 wird ein Verfahren zur Herstellung eines Keramik- Substrats mit wenigstens einer Schicht aus Aluminiumnitrid-Keramik sowie das nach diesem Verfahren hergestellte Keramik-Substrat beschrieben. Zur Erhöhung der Haltbarkeit der Metallisierung wird eine Hilfs- oder Zwischenschicht aus Aluminiumoxid erzeugt, wofür die zur Metallisierung vorgesehene Oberflächenseite mit einer Schicht aus Kupfer oder aus Kupferoxid oder aus anderen kupferhaltigen Verbindungen versehen und anschließend in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre wärmebehandelt wird.DE 196 03 822 C2 describes a method for producing a ceramic substrate with at least one layer of aluminum nitride ceramic and the ceramic substrate produced by this method. To increase the durability of the metallization, an auxiliary or intermediate layer of aluminum oxide is produced, for which the metallization side surface provided with a layer of copper or copper oxide or other copper-containing compounds and then heat treated in an oxygen-containing atmosphere.
Bei Bauteilen mit einem Keramikkörper, der an mindestens einer Stelle seiner Oberfläche mit einer Metallisierung bedeckt ist, können Probleme mit der Haltbarkeit und der Haftfestigkeit der metallischen Beschichtungen auftreten.For components having a ceramic body covered with metallization at at least one location on its surface, durability and bond strength problems of the metallic coatings may occur.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Bauteil mit einem Keramikkörper vorzustellen, der an mindestens einer Stelle seiner Oberfläche mit einer Metallisierung bedeckt und plattenförmig ausgebildet oder räumlich strukturiert ist sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils, bei dem die Metallisierung besonders gut haftet.The object of the invention is to provide a component with a ceramic body, which is covered at least at one point of its surface with a metallization and plate-shaped or spatially structured and a method for producing such a component in which the metallization adheres particularly well.
Die Lösung der Aufgabe erfolgt mit einem Bauteil mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 und verfahrensgemäß mit Hilfe der kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 19. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung werden in den abhängigen Ansprüchen vorgestellt. Das erfindungsgemäße Bauteil besteht aus einem Keramikkörper, der an mindestens einer Stelle seiner Oberfläche mit einer Metallisierung bedeckt ist. Der Keramikkörper ist plattenförmig ausgebildet oder räumlich strukturiert. Er kann beispielsweise eine E-Form aufweisen. Eine solche Form haben beispielsweise Heatsinks.The object is achieved with a component having the characterizing features of claim 1 and according to the method with the aid of the characterizing features of claim 19. Advantageous embodiments of the invention are presented in the dependent claims. The component according to the invention consists of a ceramic body, which is covered at least at one point of its surface with a metallization. The ceramic body is plate-shaped or spatially structured. It can for example have an E-shape. Such a form, for example, heatsinks.
Unter einem Heatsink wird ein Körper verstanden, der elektrische oder elektronische Bauelemente oder Schaltungen trägt und der so geformt ist, dass er die in den Bauelementen oder Schaltungen entstehende Wärme so abführen kann, dass kein Wärmestau entsteht, der den Bauelementen oder Schaltungen schaden kann. Der Trägerkörper ist ein Körper aus einem Werkstoff, der elektrisch nicht oder nahezu nicht leitend ist und eine gute Wärmeleitfähigkeit besitzt. Der ideale Werkstoff für einen solchen Körper ist Keramik.A heatsink is understood to mean a body which carries electrical or electronic components or circuits and which is shaped in such a way that it can dissipate the heat generated in the components or circuits in such a way that no accumulation of heat occurs, which can damage the components or circuits. The carrier body is a body made of a material that is electrically non-conductive or almost non-conductive and has good thermal conductivity. The ideal material for such a body is ceramic.
Der Körper ist einstückig und weist Wärme ab- oder zuführende Elemente zum Schutz der elektronischen Bauelemente oder Schaltungen auf. Bevorzugt ist der Trägerkörper eine Platine und die Elemente sind Bohrungen, Kanäle, Rippen und/oder Ausnehmungen, die mit einem Heiz- oder Kühlmedium beaufschlagbar sind. Das Medium kann flüssig oder gasförmig sein. Der Trägerkörper und/oder das Kühlelement bestehen vorzugsweise aus mindestens einer keramischen Komponente oder einem Verbund von unterschiedlichen Keramikwerkstoffen.The body is integral and has heat dissipating or feeding elements for protecting the electronic components or circuits. Preferably, the carrier body is a circuit board and the elements are bores, channels, ribs and / or recesses, which can be acted upon by a heating or cooling medium. The medium can be liquid or gaseous. The carrier body and / or the cooling element preferably consist of at least one ceramic component or a composite of different ceramic materials.
Der Keramikwerkstoff enthält als Hauptkomponente 50,1 Gew-% bis 100 Gew-% ZrO2/HfO2 oder 50,1 Gew-% bis 100 Gew-% AI2O3 oder 50,1 Gew-% bis 100The ceramic material contains as main component 50.1% by weight to 100% by weight ZrO 2 / HfO 2 or 50.1% by weight to 100% by weight Al 2 O 3 or 50.1% by weight to 100
Gew-% AIN oder 50,1 Gew-% bis 100 Gew-% Si3N4 oder 50,1 Gew-% bis 100 Gew-% BeO, 50,1 Gew-% bis 100 Gew-% SiC oder eine Kombinatinon von mindestens zwei der Hauptkomponenten in beliebiger Kombination im angegebenen Anteilsbereich sowie als Nebenkomponente die Elemente Ca, Sr, Si, Mg, B, Y, Sc, Ce, Cu, Zn, Pb in mindestens einer Oxidationsstufe und / oder Verbindung mit einem Anteil von < 49,9 Gew-% einzeln oder in beliebiger Kombination im angegebenen Anteilsbereich. Die Hauptkomponenten und die Nebenkomponenten, unter Abzug eines Anteils an Verunreinigungen von < 3 Gew-%, sind in beliebiger Kombination miteinander zu einer Gesamtzusammensetzung von 100 Gew-% miteinander kombinierbar.% By weight AIN or 50.1% by weight to 100% by weight of Si 3 N 4 or 50.1% by weight to 100% by weight of BeO, 50.1% by weight to 100% by weight of SiC or a Kombinatinon of at least two of the main components in any combination in the specified range of shares and as a minor component the elements Ca, Sr, Si, Mg, B, Y, Sc, Ce, Cu, Zn, Pb in at least one oxidation state and / or compound with a content of <49 , 9% by weight, individually or in any combination in the specified range of shares. The main components and the Secondary components, with deduction of a content of impurities of <3% by weight, can be combined in any combination with one another to give a total composition of 100% by weight.
Die Metallisierung kann beispielsweise aus Wolfram, Silber, Gold, Kupfer, Platin, Palladium, Nickel, Aluminium oder Stahl in reiner oder technischer Qualität oder aus Mischungen von mindestens zwei unterschiedlichen Metallen bestehen. Die Metallisierung kann beispielsweise auch, zusätzlich oder allein, aus Reaktionsloten, Weichloten oder Hartloten bestehen.The metallization can consist, for example, of tungsten, silver, gold, copper, platinum, palladium, nickel, aluminum or steel in pure or industrial quality or of mixtures of at least two different metals. The metallization can also, for example, additionally or alone, from reaction solders, soft solders or brazing alloys.
Damit die Metallisierung auf dem Keramikkörper des Bauteils gut haftet, wird der Werkstoff an der Oberfläche des Keramikkörpers vollflächig oder teilflächig durch chemische oder physikalische Vorgänge chemisch und/oder kristallografisch und/oder physikalisch mit oder ohne Zugabe geeigneter Reaktionsstoffe verändert. Dadurch entsteht auf dem Keramikkörper an der oder den behandelten Stellen mindestens eine mit dem Keramikkörper verbundene dichte oder poröse Schicht mit einer gleichen oder ungleichen Dicke von mindestens 0,001 Nanometern, die aus mindestens einem homogenen oder heterogenen neuen Werkstoff besteht. Der restliche Grundwerkstoff des Keramikkörpers bleibt unverändert. Mit diesem neuen Werkstoff kann teilflächig oder vollflächig mindestens einer Metallisierung verbunden werden.In order for the metallization to adhere well to the ceramic body of the component, the material on the surface of the ceramic body is chemically and / or crystallographically and / or physically modified with or without the addition of suitable reactants over the entire surface or part of its area by chemical or physical processes. As a result, at least one dense or porous layer, which has the same or unequal thickness of at least 0.001 nanometers and which consists of at least one homogeneous or heterogeneous new material, is formed on the ceramic body at the treated body or sites. The remaining base material of the ceramic body remains unchanged. With this new material, at least one metallization can be connected over part or all of its surface.
Die Reaktionsstoffe sind im Wesentlichen Metalle wie Kupfer oder Kupferoxide beim DCB-Verfahren (Direct Copper Bonding) oder Calziumverbindungen oder Manganoxid oder Sauerstoff. Aktive Metallkomponenten beim AMB-Verfahren (Active Metal Brazing) sind beispielsweise Zn, Sn, Ni, Pd, Ag, Cu, In, Zr, Ti, Ag, Yt, T, N.The reactants are essentially metals such as copper or copper oxides by the DCB process (direct copper bonding) or calcium compounds or manganese oxide or oxygen. Active metal components in the AMB process (Active Metal Brazing) are, for example, Zn, Sn, Ni, Pd, Ag, Cu, In, Zr, Ti, Ag, Yt, T, N.
Durch das oben beschriebene Verfahren wird auf der Oberfläche von Metalloxid- Keramiken mindestens vollflächig oder teilflächig ein neuer Werkstoff erzeugt. Es wird eine Schicht intermetallischer Phasen gebildet, mit deren Hilfe Metallisierungen auf Keramikkörper aufgebracht werden können, ohne dass Blasen, Abplatzungen und andere Fehlstellen, insbesondere bei thermischer Belastung, auftreten.By the method described above, a new material is produced on the surface of metal oxide ceramics at least over the entire surface or part of the surface. A layer of intermetallic phases is formed, with the help of which Metallizations can be applied to ceramic body without bubbles, flaking and other defects, especially under thermal stress occur.
Die aus dem neuen Werkstoff gebildete Schicht kann, in Abhängigkeit von der Metallisierung, eine Mischschicht umfassen, die mindestens aus Aluminiumoxid oder Kupferoxiden unterschiedlicher oder gleicher Oxidationsstufen oder festkörperchemischen Mischungen hiervon besteht.Depending on the metallization, the layer formed from the new material may comprise a mixed layer which consists at least of aluminum oxide or copper oxides of different or identical oxidation states or solid-chemical mixtures thereof.
Die gebildete Schicht kann, in Abhängigkeit von der Metallisierung, eineThe formed layer can, depending on the metallization, a
Zwischenschicht umfassen, die mindestens aus Aluminiumoxid oder Kupferoxiden unterschiedlicher oder gleicher Oxidationsstufen oder festkörperchemischen Mischungen hiervon besteht.Intermediate layer comprising at least aluminum oxide or copper oxides of different or identical oxidation states or solid-chemical mixtures thereof.
Es sind auch Kombinationen von mindestens einer Zwischenschicht und mindestens einer Mischschicht möglich.Combinations of at least one intermediate layer and at least one mixed layer are also possible.
Zur Erzeugung einer Zwischenschicht aus Aluminiumoxid wird die Oberfläche eines Keramikkörpers aus Aluminiumnitrid vollflächig oder teilflächig mit einer Schicht aus Kupfer oder aus Kupferoxid oder aus anderen kupferhaltigen Verbindungen oder Kombinationen hiervon in einer minimalen Dicke von 0,001 Nanometern versehen und anschließend in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre bei einer Temperatur zwischen 700 0C bis 1380 0C so lange behandelt, bis sich die Zwischenschicht mit der gewünschten Dicke gebildet hat, die zwischen 0,05 und 80 Mikrometern liegen kann. Die Zwischenschicht enthält zumindest in einem Teil über ihre Dicke einen Anteil an 0,01 bis 80 Gewichtsprozent Kupferoxid.To produce an intermediate layer of aluminum oxide, the surface of a ceramic body made of aluminum nitride over the entire surface or part of a surface with a layer of copper or copper oxide or other copper-containing compounds or combinations thereof in a minimum thickness of 0.001 nanometers provided and then in an oxygen-containing atmosphere at a temperature between 700 0 C to 1380 0 C treated until the intermediate layer has formed with the desired thickness, which may be between 0.05 and 80 micrometers. The intermediate layer contains at least in one part over its thickness a proportion of 0.01 to 80 weight percent copper oxide.
Wenn das Aluminiumnitrid mit sauerstoffhaltiger Atmosphäre behandelt wird, kann gleichzeitig ein kupferoxidhaltiger Werkstoff über die Gasphase zurWhen the aluminum nitride is treated with an oxygen-containing atmosphere, at the same time a copper oxide-containing material via the gas phase for
Reaktion mit dem sich bildenden Aluminiumoxid gebracht werden. Die Behandlung in der sauerstoffhaltigen Atmosphäre mit einem Anteil an dampfförmigem Kupferoxid erfolgt so lange, bis sich eine Schichtdicke von 0,05 bis 80 Mikrometern eingestellt hat.Reaction with the forming alumina are brought. The Treatment in the oxygen-containing atmosphere with a proportion of vaporous copper oxide takes place until a layer thickness of 0.05 to 80 micrometers has been established.
Diese Zwischenschichten, Mischschichten oder Kombinationen dieser Schichten ermöglichen eine haftfeste Verbindung zwischen dem keramischen Werkstoff und der Metallisierung. Insbesondere bei der Metallisierung mit Kupfer schmilzt das Kupferoxid von aufgelegten Kupferfolien auf und bildet mit der gebildeten Schicht eine fehlerfreie, besonders haltbare Verbindung.These intermediate layers, mixed layers or combinations of these layers enable a strong bond between the ceramic material and the metallization. Particularly in the case of metallization with copper, the copper oxide melts from applied copper foils and forms a defect-free, particularly durable compound with the layer formed.
Die Zusammensetzung mindestens einer Schicht oder Zwischenschicht oder Mischschicht ist eine homogene oder gradierte und mindestens eineThe composition of at least one layer or intermediate layer or mixed layer is a homogeneous or graded and at least one
Gradierung weist in eine oder mehrere Richtungen. So kann in einer gradiertenGrading points in one or more directions. So can in a graded
Schicht die Konzentration an Aluminiumoxid hin zum Aluminiumnitrid desLayer the concentration of aluminum oxide towards the aluminum nitride of the
Keramikkörpers ansteigen oder die Konzentration einer Mischphase vonCeramic body increase or the concentration of a mixed phase of
Anteilen an Kupferoxiden unterschiedlicher oder gleicher Oxidationsstufen mit Aluminiumoxid zur Aluminiumoxidschicht hin abnehmen. Dadurch ist es möglich, die Zusammensetzung der Zwischen- oder Mischschicht auf die vorgesehene Metallisierung abzustimmen.Proportions of copper oxides of different or identical oxidation states with aluminum oxide decrease towards the aluminum oxide layer. This makes it possible to match the composition of the intermediate or mixed layer to the intended metallization.
Auf eine Metallisierung kann mindestens eine weitere gleiche oder ungleiche Metallisierung vollflächig oder teilflächig aufgetragen werden, beispielsweise zur Herstellung von Lotverbindungen mit elektronischen Bauteilen.On a metallization, at least one further identical or unequal metallization can be applied over the whole area or over a partial area, for example for the production of solder joints with electronic components.
Nach der Behandlung der Oberfläche des Keramikkörpers kann auf mindestens einer der erzeugten Zwischenschichten eine Metallisierung unter Verwendung einer oxidierten Metall- oder Kupferfolie mittels des DCB-Verfahrens eine Metall- oder Kupferschicht vollflächig oder teilflächig befestigt werden.After the treatment of the surface of the ceramic body, metallization using at least one of the intermediate layers produced by using an oxidized metal or copper foil by means of the DCB method, a metal or copper layer can be fixed over the whole area or part of the area.
Nach der Behandlung der Oberfläche des Keramikkörpers kann auf mindestens einer der erzeugten Zwischenschichten eine Metallisierung unter Verwendung einer Metallfolie mittels des AMB-Verfahrens, vorzugsweise aus Kupfer, Aluminium oder Stahl, vollflächig oder teilflächig befestigt werden.After the treatment of the surface of the ceramic body, metallization may be performed on at least one of the intermediate layers produced a metal foil by means of the AMB process, preferably made of copper, aluminum or steel, are fixed over the entire surface or part of the area.
Mindestens ein gleiches oder ungleiches DCB-Substrat und/oder eine DCB- basierte Schaltung oder mindestens ein gleiches oder ungleiches AMB-Substrat und/oder eine AMB-basierte Schaltung oder mindestens eine substratbasierte Schaltung oder Platine oder ein aktives und/oder ein passives Bauelement und/oder mindestens ein sensorisches Element kann mit mindestens einer Metallisierung verbunden werden.At least one identical or dissimilar DCB substrate and / or a DCB-based circuit or at least one identical or dissimilar AMB substrate and / or an AMB-based circuit or at least one substrate-based circuit or board or an active and / or a passive component and / or at least one sensory element can be connected to at least one metallization.
An Hand von Ausführungsbeispielen wird die Erfindung näher erläutert. Es zeigen:With reference to embodiments, the invention is explained in detail. Show it:
Figur 1 ein erfindungsgemäßes Bauteil, das nach dem DCB-Verfahren metallisiert wurde, mit einem elektronischen Bauteil,1 shows a component according to the invention, which has been metallized by the DCB method, with an electronic component,
Figur 2 ein erfindungsgemäßes Bauteil, das nach dem AMB-Verfahren metallisiert wurde, mit einem elektronischen Bauteil.Figure 2 shows an inventive component, which has been metallized by the AMB method, with an electronic component.
Das Bauteil 1 in Figur 1 hat einen Keramikkörper 2 aus Aluminiumnitrid, der räumlich strukturiert ist, er ist E-förmig. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Körper 2 ein Heatsink. Die Oberseite 3 und die Unterseite 4 des Keramikkörpers 2 haben jeweils eine unterschiedlich große Oberfläche. Die Unterseite 4 weist Kühlrippen 5 auf. Die Oberseite 3 des Bauteils 1 weist im vorliegenden Ausführungsbeispiel eine ebene Oberfläche auf. Auf der Oberseite 3 sowie an dem Schenkel der äußeren Kühlrippe 5 befinden sich metallisierte Bereiche 6, an denen beispielsweise elektronische Bauteile angelötet werden können.The component 1 in Figure 1 has a ceramic body 2 made of aluminum nitride, which is spatially structured, it is E-shaped. In the present embodiment, the body 2 is a heat sink. The upper side 3 and the lower side 4 of the ceramic body 2 each have a different sized surface. The bottom 4 has cooling fins 5. The upper side 3 of the component 1 has a flat surface in the present exemplary embodiment. On the top 3 and on the leg of the outer fin 5 are metallized areas 6, where, for example, electronic components can be soldered.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren wurde an den Stellen 6 des Keramikkörpers 2, die metallisiert sind, zunächst eine Zwischenschicht 7 ausBy means of the method according to the invention, an intermediate layer 7 was initially formed at the points 6 of the ceramic body 2 which are metallised
Aluminiumoxid gebildet, mit der über weitere Schichten, einer Mischschicht, die Metallisierung verbunden ist. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel erfolgte die Metallisierung nach dem DCB-Verfahren. Die Metallisierung 8 ist eine Kupferfolie mit einer Kupferoxidschicht 9, die über eine Schicht 10 mit der Zwischenschicht 7 verbunden ist. In der Schicht 10 befinden sich Anteile von Kupferoxid und Aluminiumoxid.Alumina is formed, with the over other layers, a mixed layer, the Metallization is connected. In the present embodiment, the metallization was carried out by the DCB method. The metallization 8 is a copper foil with a copper oxide layer 9, which is connected via a layer 10 to the intermediate layer 7. In the layer 10 are proportions of copper oxide and alumina.
Die Oberseite 3 des Keramikkörpers 2 ist ein Schaltungsträger. Auf der Metallisierung 8 auf der Oberseite 3 ist ein elektronisches Bauteil, beispielsweise ein Chip 11 , mittels einer Lotverbindung 12 befestigt. Über Leitungen 13 ist er mit einem weiteren metallisierten Bereich 6 verbunden. Dieser Chip 11 stellt eine Wärmequelle dar, deren Wärme über die Kühlrippen 7 abgeführt wird.The upper side 3 of the ceramic body 2 is a circuit carrier. On the metallization 8 on the upper side 3, an electronic component, for example a chip 11, is fastened by means of a solder connection 12. Via lines 13 it is connected to a further metallized area 6. This chip 11 represents a heat source whose heat is dissipated via the cooling fins 7.
Das Bauteil 1 in Figur 2 hat einen Keramikkörper 2, der mit dem aus der Figur 1 bekannten übereinstimmt. Übereinstimmende Merkmale sind deshalb mit denselben Bezugsziffern versehen. Der Keramikkörper kann beispielsweise aus Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Siliziumnitrid, Zirkonoxide oder Carbiden bestehen. Er ist räumlich strukturiert, er ist E-förmig. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der Körper 2 ebenfalls ein Heatsink. Die Oberseite 3 und die Unterseite 4 des Keramikkörpers 2 haben jeweils eine unterschiedlich große Oberfläche. Die Unterseite 4 weist Kühlrippen 5 auf. Die Oberseite 3 des Bauteils 1 weist im vorliegenden Ausführungsbeispiel eine ebene Oberfläche auf. Auf der Oberseite 3 sowie an dem Schenkel der äußeren Kühlrippe 5 befinden sich metallisierte Bereiche 6, an denen beispielsweise elektronische Bauteile angelötet werden können.The component 1 in Figure 2 has a ceramic body 2, which corresponds to that known from the figure 1. Matching features are therefore provided with the same reference numerals. The ceramic body can consist, for example, of aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, zirconium oxides or carbides. He is spatially structured, he is E-shaped. In the present embodiment, the body 2 is also a heat sink. The upper side 3 and the lower side 4 of the ceramic body 2 each have a different sized surface. The bottom 4 has cooling fins 5. The upper side 3 of the component 1 has a flat surface in the present exemplary embodiment. On the top 3 and on the leg of the outer fin 5 are metallized areas 6, where, for example, electronic components can be soldered.
Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel erfolgte die Metallisierung mittels des AMB-Verfahrens. Dabei wird zwischen die zwei zu verbindenden Teile, dem Keramikkörper 2 und einer Metallfolie als Metallisierung 15, beispielsweise aus Kupfer, Aluminium oder Stahl, ein metallischer Füllwerkstoff als Lot gefüllt, welcher aktive metallische Zusätze enthält, welche mit der Oberfläche des Keramikkörpers 2 direkt reagieren können. Die Legierungen des metallischen Füllwerkstoffs enthalten als aktive Metallkomponenten beispielsweise Zn, Sn, Ni, Pd, Ag, Cu, In, Zr, Ti, Ag, Yt, T, N. Der Rest wird durch sonstige Legierungsbestandteile gebildet. Diese Legierungen werden vorzugsweise in Form einer Paste auf die Oberfläche des Keramikkörpers aufgetragen. Das Hartlöten (Brazing) erfolgt vorzugsweise im Vakuum oder in einer Inertgas- Atmosphäre aus Helium oder Argon.In the present embodiment, the metallization was carried out by means of the AMB method. In this case, between the two parts to be joined, the ceramic body 2 and a metal foil as a metallization 15, for example made of copper, aluminum or steel, a metallic filler material filled as solder, which contains active metallic additives, which with the surface of the Ceramic body 2 can react directly. The alloys of the metallic filler contain as active metal components, for example, Zn, Sn, Ni, Pd, Ag, Cu, In, Zr, Ti, Ag, Yt, T, N. The remainder is formed by other alloying constituents. These alloys are preferably applied in the form of a paste on the surface of the ceramic body. The brazing is preferably carried out in a vacuum or in an inert gas atmosphere of helium or argon.
Beim Hartlöten hat der aufgeschmolzene metallische Füllwerkstoff, das Lot 16, mit dem keramischen Werkstoff des Keramikkörpers 2 eine Verbindung, eine Schicht 17, gebildet, in der der keramische Werkstoff verändert wurde. Über diese Schicht 17 ist die Metallisierung 15 mit dem Keramikkörper 2 verbunden.In brazing, the molten metallic filler material, the solder 16, has formed with the ceramic material of the ceramic body 2 a compound, a layer 17, in which the ceramic material has been changed. About this layer 17, the metallization 15 is connected to the ceramic body 2.
Die Oberseite 3 des Keramikkörpers 2 ist ein Schaltungsträger. Auf der Metallisierung 15 auf der Oberseite 3 ist ein elektronisches Bauteil, beispielsweise ein Chip 11 , mittels einer Lotverbindung 12 befestigt. Über Leitungen 13 ist er mit einem weiteren metallisierten Bereich 6 verbunden. Dieser Chip 11 stellt eine Wärmequelle dar, deren Wärme über die Kühlrippen 5 abgeführt wird. The upper side 3 of the ceramic body 2 is a circuit carrier. On the metallization 15 on the upper side 3, an electronic component, for example a chip 11, is fastened by means of a solder connection 12. Via lines 13 it is connected to a further metallized area 6. This chip 11 represents a heat source whose heat is dissipated via the cooling fins 5.

Claims

Patentansprüche claims
1. Bauteil mit einem Keramikkörper, der an mindestens einer Stelle seiner Oberfläche mit einer Metallisierung bedeckt ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikkörper plattenförmig oder räumlich strukturiert ist, dass der Werkstoff an der Oberfläche des Keramikkörpers vollflächig oder teilflächig durch chemische oder physikalische Vorgänge chemisch und/oder kristallografisch und/oder physikalisch mit oder ohne Zugabe geeigneter Reaktionsstoffe verändert ist und mindestens eine mit dem Keramikkörper verbundene dichte oder poröse Schicht mit einer gleichen oder ungleichen Dicke von mindestens 0,001 Nanometern bildet, die aus mindestens einem homogenen oder heterogenen neuen Werkstoff besteht, dass dieser neue Werkstoff teilflächig oder vollflächig mit mindestens einer Metallisierung verbunden ist und dass der restliche Grundwerkstoff des Keramikkörpers unverändert ist.1. component having a ceramic body, which is covered at least at one point of its surface with a metallization, characterized in that the ceramic body is plate-shaped or spatially structured, that the material on the surface of the ceramic body over the entire surface or part of the surface by chemical or physical processes or is crystallographically and / or physically modified with or without the addition of suitable reactants and forms at least one dense or porous layer of the same or unequal thickness of at least 0.001 nanometers bonded to the ceramic body, consisting of at least one homogeneous or heterogeneous new material this new material is part-surface or full-surface connected to at least one metallization and that the rest of the base material of the ceramic body is unchanged.
2. Bauteil nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, der Keramikwerkstoff als Hauptkomponente 50,1 Gew-% bis 100 Gew-% ZrO2/HfO2 oder 50,12. Component according to claim 1, characterized in that the ceramic material as the main component 50.1 wt% to 100 wt% ZrO 2 / HfO 2 or 50.1
Gew-% bis 100 Gew-% AI2O3 oder 50,1 Gew-% bis 100 Gew-% AIN oder% By weight to 100% by weight Al 2 O 3 or 50.1% by weight to 100% by weight AIN or
50,1 Gew-% bis 100 Gew-% Si3N4 oder 50,1 Gew-% bis 100 Gew-% BeO, 50,1 Gew-% bis 100 Gew-% SiC oder eine Kombinatinon von mindestens zwei der Hauptkomponenten in beliebiger Kombination im angegebenen50.1% by weight to 100% by weight of Si 3 N 4 or 50.1% by weight to 100% by weight of BeO, 50.1% by weight to 100% by weight of SiC or a Kombinatinon of at least two of the main components in any combination in the specified
Anteilsbereich enthält sowie als Nebenkomponente die Elemente Ca, Sr, Si, Mg, B, Y, Sc, Ce, Cu, Zn, Pb in mindestens einer Oxidationsstufe und / oder Verbindung mit einem Anteil von < 49,9 Gew-% einzeln oder in beliebiger Kombination im angegebenen Anteilsbereich enthält und dass die Hauptkomponenten und die Nebenkomponenten, unter Abzug einesProportions contains and as a minor component, the elements Ca, Sr, Si, Mg, B, Y, Sc, Ce, Cu, Zn, Pb in at least one oxidation state and / or compound with a content of <49.9% by weight individually or in contains any combination in the specified range of shares and that the main components and the secondary components, with deduction of a
Anteils an Verunreinigungen von < 3 Gew-%, in beliebiger Kombination miteinander zu einer Gesamtzusammensetzung von 100 Gew-% miteinander kombiniert sind. Content of impurities of <3% by weight combined in any combination with each other to a total composition of 100% by weight.
3. Bauteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallisierung vorzugsweise aus Wolfram, Silber, Gold, Kupfer, Platin, Palladium, Nickel, Aluminium oder Stahl in reiner oder technischer Qualität oder aus Mischungen von mindestens zwei unterschiedlichen Metallen oder, zusätzlich oder allein, aus Reaktionsloten, Weichloten oder Hartloten besteht.3. Component according to claim 1 or 2, characterized in that the metallization preferably made of tungsten, silver, gold, copper, platinum, palladium, nickel, aluminum or steel in pure or technical grade or mixtures of at least two different metals or, in addition or alone, consists of reaction solders, soft solders or brazing alloys.
4. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Reaktionsstoffe zur Bildung der Schicht aus dem neuen Werkstoff Calziumverbindungen oder Manganoxid oder Sauerstoff sind.4. Component according to one of the preceding claims, characterized in that the reactants for forming the layer of the new material are calcium compounds or manganese oxide or oxygen.
5. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass beim DCB-Verfahren die Reaktionsstoffe zur Bildung der Schicht aus dem neuen Werkstoff im Wesentlichen Metalle wie Kupfer oder Kupferoxide sind.5. Component according to one of the preceding claims, characterized in that the DCB method, the reactants for forming the layer of the new material are substantially metals such as copper or copper oxides.
6. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass beim AMB-Verfahren die Reaktionsstoffe zur Bildung der Schicht aus dem neuen Werkstoff im Wesentlichen aktive Metallkomponenten von Zn, Sn, Ni, Pd, Ag, Cu, In, Zr, Ti, Ag, Yt, T, N sind.6. Component according to one of the preceding claims, characterized in that in the AMB method, the reactants for forming the layer of the new material substantially active metal components of Zn, Sn, Ni, Pd, Ag, Cu, In, Zr, Ti, Ag, Yt, T, N are.
7. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die aus dem neuen Werkstoff gebildete Schicht eine7. Component according to one of the preceding claims, characterized in that the layer formed from the new material a
Mischschicht umfasst, die mindestens aus Aluminiumoxid oder Kupferoxiden unterschiedlicher oder gleicher Oxidationsstufen oder festkörperchemischen Mischungen hiervon besteht.Mixed layer comprising at least aluminum oxide or copper oxides of different or identical oxidation states or solid-chemical mixtures thereof.
8. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die aus dem neuen Werkstoff gebildete Schicht eine8. Component according to one of the preceding claims, characterized in that the layer formed from the new material a
Zwischenschicht umfasst, die mindestens aus Aluminiumoxid oder aus Kupferoxiden unterschiedlicher oder gleicher Oxidationsstufen oder festkörperchemischen Mischungen hiervon besteht.Interlayer includes, at least alumina or off Copper oxides of different or identical oxidation states or solid-chemical mixtures thereof.
9. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung einer Zwischenschicht aus Aluminiumoxid eine Fläche des Keramikkörpers mit einer Schicht aus9. Component according to one of the preceding claims, characterized in that for producing an intermediate layer of aluminum oxide, a surface of the ceramic body with a layer of
Kupfer oder aus Kupferoxid oder aus anderen kupferhaltigen Verbindungen oder Kombinationen hiervon mit einer minimalen Dicke von 0,001 Nanometern versehen ist.Copper or of copper oxide or of other copper-containing compounds or combinations thereof with a minimum thickness of 0.001 nanometers.
10. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht eine Schichtdicke von 0,05 bis10. Component according to one of the preceding claims, characterized in that the intermediate layer has a layer thickness of 0.05 to
80 Mikrometern aufweist.80 microns.
11. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in der Zwischenschicht zumindest in einem Teil über ihre Dicke der Anteil an Kupferoxid zwischen 0,01 und 80 Gewichtsprozent beträgt.11. Component according to one of the preceding claims, characterized in that in the intermediate layer at least in one part over its thickness, the proportion of copper oxide is between 0.01 and 80 weight percent.
12. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Kombinationen von mindestens einer Zwischenschicht und mindestens einer Mischschicht vorliegen.12. Component according to one of the preceding claims, characterized in that combinations of at least one intermediate layer and at least one mixed layer are present.
13. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusammensetzung mindestens einer Schicht oder Zwischenschicht oder Mischschicht eine homogene oder gradierte ist und mindestens eine Gradierung in eine oder mehrere Richtungen weist.13. Component according to one of the preceding claims, characterized in that the composition of at least one layer or intermediate layer or mixed layer is a homogeneous or graded and has at least one gradation in one or more directions.
14. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in einer gradierten Schicht die Konzentration an Aluminiumoxid hin zum Aluminiumnitrid des Keramikkörpers ansteigt. 14. Component according to one of the preceding claims, characterized in that in a graded layer, the concentration of aluminum oxide increases towards the aluminum nitride of the ceramic body.
15. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Konzentration einer Mischphase von Anteilen an Kupferoxiden unterschiedlicher oder gleicher Oxidationsstufen mit Aluminiumoxid zur Aluminiumoxidschicht hin abnimmt.15. Component according to one of the preceding claims, characterized in that the concentration of a mixed phase of proportions of copper oxides of different or the same oxidation state decreases with aluminum oxide to the aluminum oxide layer.
16. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf eine Metallisierung mindestens eine weitere gleiche oder ungleiche Metallisierung vollflächig oder teilflächig aufgetragen ist.16. Component according to one of the preceding claims, characterized in that on a metallization at least one further equal or unequal metallization is applied over the entire surface or part of the area.
17. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein gleiches oder ungleiches DCB-17. Component according to one of the preceding claims, characterized in that at least one equal or unequal DCB
Substrat und/oder eine DCB-basierte Schaltung oder mindestens ein gleiches oder ungleiches AMB-Substrat und/oder eine AMB-basierte Schaltung oder mindestens eine substratbasierte Schaltung oder Platine oder ein aktives und/oder ein passives Bauelement und/oder mindestens ein sensorisches Element mit mindestens einer Metallisierung verbunden ist.Substrate and / or a DCB-based circuit or at least one same or dissimilar AMB substrate and / or an AMB-based circuit or at least one substrate-based circuit or board or an active and / or passive device and / or at least one sensory element with connected to at least one metallization.
18. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikkörper ein keramischer Heatsink ist.18. Component according to one of the preceding claims, characterized in that the ceramic body is a ceramic Heatsink.
19. Verfahren zum Herstellen eines Bauteils mit einem Keramikkörper, der an mindestens einer Stelle seiner Oberfläche mit einer Metallisierung bedeckt wird, insbesondere nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikkörper plattenförmig ausgebildet oder räumlich strukturiert wird, dass der Werkstoff an der Oberfläche des Keramikkörpers vollflächig oder teilflächig durch chemische oder physikalische Vorgänge chemisch und/oder kristallografisch und/oder physikalisch mit oder ohne Zugabe geeigneter Reaktionsstoffe verändert wird und dadurch mindestens eine mit dem Keramikkörper verbundene dichte oder poröse Schicht mit einer gleichen oder ungleichen Dicke von mindestens 0,01 Nanometer gebildet wird, die aus mindestens einem homogenen oder heterogenen neuen Werkstoff besteht, dass dieser neue Werkstoff teilflächig oder vollflächig mit mindestens einer Metallisierung verbunden wird und dass der restliche Grundwerkstoff des Keramikkörpers nicht verändert wird.19. A method for producing a component with a ceramic body, which is covered at least at one point of its surface with a metallization, in particular according to one of claims 1 to 18, characterized in that the ceramic body is plate-shaped or spatially structured, that the material to the surface of the ceramic body is chemically and / or crystallographically and / or physically changed over the entire surface or part of the surface by chemical or physical processes with or without addition of suitable reactants and thereby at least one connected to the ceramic body dense or porous layer is formed with an equal or unequal thickness of at least 0.01 nanometer, which consists of at least one homogeneous or heterogeneous new material that this new material is partially or fully connected to at least one metallization and that the remaining base material of the ceramic body not changed.
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Keramikwerkstoff aus einer Hauptkomponente von 50,1 Gew-% bis 100 Gew-% ZrO2/HfO2 oder 50,1 Gew-% bis 100 Gew-% AI2O3 oder 50,1 Gew- % bis 100 Gew-% AIN oder 50,1 Gew-% bis 100 Gew-% Si3N4 oder 50,120. The method according to claim 19, characterized in that the ceramic material of a main component of 50.1 wt% to 100 wt% ZrO 2 / HfO 2 or 50.1 wt% to 100 wt% AI 2 O 3 or 50.1% by weight to 100% by weight of AlN or 50.1% by weight to 100% by weight of Si 3 N 4 or 50.1
Gew-% bis 100 Gew-% BeO, 50,1 Gew-% bis 100 Gew-% SiC oder aus einer Kombinatinon von mindestens zwei der Hauptkomponenten in beliebiger Kombination im angegebenen Anteilsbereich sowie aus mindestens einer Nebenkomponente aus den Elementen Ca, Sr, Si, Mg, B, Y, Sc, Ce, Cu, Zn, Pb in mindestens einer Oxidationsstufe und / oder% By weight to 100% by weight of BeO, 50.1% by weight to 100% by weight of SiC or of a Kombinatinon of at least two of the main components in any combination in the specified range of shares and at least one minor component of the elements Ca, Sr, Si , Mg, B, Y, Sc, Ce, Cu, Zn, Pb in at least one oxidation state and / or
Verbindung mit einem Anteil von < 49,9 Gew-% einzeln oder in beliebiger Kombination im angegebenen Anteilsbereich zusammengesetzt wird und dass die Hauptkomponenten und die Nebenkomponenten, unter Abzug eines Anteils an Verunreinigungen von < 3 Gew-%, in beliebiger Kombination miteinander zu einer Gesamtzusammensetzung von 100 Gew-Compound having a content of <49.9% by weight, singly or in any combination, in the stated proportion range, and in that the main components and minor components, with an impurity content of <3% by weight, are combined in any combination to form a total composition of 100
% miteinander kombiniert werden.% be combined with each other.
21. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallisierung des Keramikkörpers des Bauteils vorzugsweise mit Wolfram, Silber, Gold, Kupfer, Platin, Palladium, Nickel, Aluminium oder Stahl in reiner oder technischer Qualität oder aus Mischungen von mindestens zwei unterschiedlichen Metallen oder, zusätzlich oder allein, mit Reaktionsloten, Weichloten oder Hartloten vorgenommen wird. 21. The method according to claim 19 or 20, characterized in that the metallization of the ceramic body of the component preferably with tungsten, silver, gold, copper, platinum, palladium, nickel, aluminum or steel in pure or technical grade or from mixtures of at least two different Metals or, in addition or alone, with reaction solders, soft solders or brazing alloys.
22. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Reaktionsstoffe zur Bildung der Schicht aus dem neuen Werkstoff Calziumverbindungen oder Manganoxid oder Sauerstoff wirken.22. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that act as reactants for forming the layer of the new material calcium compounds or manganese oxide or oxygen.
23. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass beim DCB-Verfahren als Reaktionsstoffe zur Bildung der Schicht aus dem neuen Werkstoff im Wesentlichen Metalle wie Kupfer oder Kupferoxide wirken.23. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the DCB process as reactants for forming the layer of the new material essentially metals such as copper or copper oxides act.
24. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass beim AMB-Verfahren als Reaktionsstoffe zur Bildung der Schicht aus dem neuen Werkstoff im Wesentlichen die aktiven Metallkomponenten von Zn, Sn, Ni, Pd, Ag, Cu, In, Zr, Ti, Ag, Yt, T, N wirken.24. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that in the AMB process as reactants for forming the layer of the new material substantially the active metal components of Zn, Sn, Ni, Pd, Ag, Cu, In, Zr, Ti , Ag, Yt, T, N act.
25. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die aus dem neuen Werkstoff gebildete Schicht eine25. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the layer formed from the new material a
Mischschicht umfasst, die mindestens aus Aluminiumoxid oder aus Kupferoxiden unterschiedlicher oder gleicher Oxidationsstufen oder festkörperchemischen Mischungen hiervon gebildet wird.Mixed layer which is formed at least from alumina or from copper oxides of different or identical oxidation states or solid-chemical mixtures thereof.
26. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die aus dem neuen Werkstoff gebildete Schicht eine26. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the layer formed from the new material a
Zwischenschicht umfasst, die mindestens aus Aluminiumoxid oder aus Kupferoxiden unterschiedlicher oder gleicher Oxidationsstufen oder festkörperchemischen Mischungen hiervon gebildet wird.Intermediate layer comprises, which is formed at least from alumina or from copper oxides of different or identical oxidation states or solid-chemical mixtures thereof.
27. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Kombinationen von mindestens einer27. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that combinations of at least one
Zwischenschicht und mindestens einer Mischschicht erzeugt werden. Intermediate layer and at least one mixed layer are generated.
28. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass an der Oberfläche eines Keramikkörpers aus Aluminiumnitrid mindestens vollflächig oder teilflächig mindestens eine Zwischenschicht aus Aluminiumoxid erzeugt wird, wozu diese Flächen mit einer Schicht aus Kupfer oder aus Kupferoxid oder aus anderen kupferhaltigen Verbindungen oder Kombinationen hiervon mit einer minimalen Dicke von 0,001 Nanometern versehen und anschließend in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre wärmebehandelt werden.28. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that on the surface of a ceramic body of aluminum nitride at least over the entire surface or part of at least one intermediate layer of alumina is produced, including these surfaces with a layer of copper or copper oxide or other copper-containing compounds or combinations of which are provided with a minimum thickness of 0.001 nanometers and then heat-treated in an oxygen-containing atmosphere.
29. Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung bei einer Temperatur zwischen 700 0C bis 1380 0C erfolgt.29. The method according to claim 28, characterized in that the heat treatment takes place at a temperature between 700 0 C to 1380 0 C.
30. Verfahren nach Anspruch 28 oder 29, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlung des Aluminiumnitrids in der sauerstoffhaltigen Atmosphäre so lange erfolgt, bis sich für die jeweilige Zwischenschicht eine Schichtdicke von 0,05 bis 80 Mikrometern eingestellt hat.30. The method of claim 28 or 29, characterized in that the treatment of the aluminum nitride in the oxygen-containing atmosphere takes place until a layer thickness of 0.05 to 80 micrometers has been set for the respective intermediate layer.
31. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dann, wenn das Aluminiumnitrid mit sauerstoffhaltiger Atmosphäre behandelt wird, gleichzeitig ein kupferoxidhaltiger Werkstoff über die Gasphase zur Reaktion mit dem sich bildenden Aluminiumoxid gebracht wird.31. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that when the aluminum nitride is treated with an oxygen-containing atmosphere, at the same time a copper oxide-containing material via the gas phase to the reaction with the forming alumina is brought.
32. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlung in der sauerstoffhaltigen Atmosphäre mit einem Anteil an dampfförmigen Kupferoxid so lange erfolgt, bis sich eine Schicht aus Aluminiumoxid mit einer Dicke von 0,05 bis 80 Mikrometern eingestellt hat. 32. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the treatment takes place in the oxygen-containing atmosphere with a proportion of vaporous copper oxide until a layer of aluminum oxide has been set with a thickness of 0.05 to 80 micrometers.
33. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in der Zwischenschicht zumindest in einem Teil über ihre Dicke ein Anteil an Kupferoxid zwischen 0,01 und 80 Gewichtsprozent erzeugt wird.33. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that in the intermediate layer, at least in one part over its thickness, a proportion of copper oxide between 0.01 and 80 weight percent is generated.
34. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach der Behandlung der Oberfläche eines Keramikkörpers auf der mindestens einen erzeugten Zwischenschicht eine Metallisierung unter Verwendung einer oxidierten Metall- oder Kupferfolie mittels des DCB-Verfahrens flächig befestigt wird.34. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that after the treatment of the surface of a ceramic body on the at least one interlayer generated a metallization using an oxidized metal or copper foil by means of the DCB method is attached flat.
35. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach der Behandlung der Oberfläche eines Keramikkörpers aus Aluminiumnitrid mindestens eine Zwischenschicht erzeugt wird und dass auf der mindestens einen Zwischenschicht unter Verwendung des DCB-Verfahrens eine Metall- oder Kupferschicht aufgebracht wird.35. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that after the treatment of the surface of a ceramic body of aluminum nitride at least one intermediate layer is produced and that on the at least one intermediate layer using the DCB method, a metal or copper layer is applied.
36. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, nach der Behandlung der Oberfläche eines Keramikkörpers auf der mindestens einen erzeugten Zwischenschicht eine Metallisierung unter Verwendung einer Metallfolie mittels des AMB- Verfahrens, vorzugsweise aus Kupfer, Aluminium oder Stahl, flächig befestigt wird.36. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that after the treatment of the surface of a ceramic body on the at least one intermediate layer produced a metallization using a metal foil by means of the AMB process, preferably made of copper, aluminum or steel, is attached flat.
37. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach der Behandlung der Oberfläche eines Keramikkörpers mindestens eine Zwischenschicht erzeugt wird und dass auf der mindestens einen Zwischenschicht unter Verwendung des AMB-37. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that after the treatment of the surface of a ceramic body at least one intermediate layer is produced and that on the at least one intermediate layer using the AMB
Verfahrens eine Metallfolie, vorzugsweise aus Kupfer, Aluminium oder Stahl, aufgebracht wird. Method is applied a metal foil, preferably made of copper, aluminum or steel.
EP08736302A 2007-04-24 2008-04-17 Component having a metalized ceramic base Ceased EP2155628A2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007019632 2007-04-24
PCT/EP2008/054630 WO2008128948A2 (en) 2007-04-24 2008-04-17 Component having a metalized ceramic base

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2155628A2 true EP2155628A2 (en) 2010-02-24

Family

ID=39777665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP08736302A Ceased EP2155628A2 (en) 2007-04-24 2008-04-17 Component having a metalized ceramic base

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20100147571A1 (en)
EP (1) EP2155628A2 (en)
JP (1) JP5538212B2 (en)
KR (1) KR101476343B1 (en)
CN (1) CN101687717A (en)
DE (1) DE102008001226A1 (en)
WO (1) WO2008128948A2 (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009025033A1 (en) 2009-06-10 2010-12-16 Behr Gmbh & Co. Kg Thermoelectric device and method of manufacturing a thermoelectric device
MX2015004009A (en) 2012-09-28 2015-12-09 Ellis Kline Glycosidase regimen for treatment of infectious disease.
JP6307832B2 (en) * 2013-01-22 2018-04-11 三菱マテリアル株式会社 Power module board, power module board with heat sink, power module with heat sink
JP6111764B2 (en) * 2013-03-18 2017-04-12 三菱マテリアル株式会社 Power module substrate manufacturing method
JP5672324B2 (en) 2013-03-18 2015-02-18 三菱マテリアル株式会社 Manufacturing method of joined body and manufacturing method of power module substrate
JP5751357B1 (en) * 2014-02-03 2015-07-22 トヨタ自動車株式会社 Joining structure of ceramic and metal parts
DE102014107217A1 (en) * 2014-05-19 2015-11-19 Ceram Tec Gmbh The power semiconductor module
DE102017210723A1 (en) * 2016-06-24 2017-12-28 Ceramtec Gmbh Components for connectors
FR3054721B1 (en) * 2016-07-29 2018-12-07 Safran ELECTRONIC POWER MODULE OF AN AIRCRAFT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
DE102017122575B3 (en) * 2017-09-28 2019-02-28 Rogers Germany Gmbh Cooling device for cooling an electrical component and method for producing a cooling device
DE102021106952A1 (en) 2021-03-22 2022-09-22 Infineon Technologies Austria Ag DBC SUBSTRATE FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICES, METHOD FOR MANUFACTURING DBC SUBSTRATE AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DBC SUBSTRATE

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4072771A (en) * 1975-11-28 1978-02-07 Bala Electronics Corporation Copper thick film conductor
US4182412A (en) * 1978-01-09 1980-01-08 Uop Inc. Finned heat transfer tube with porous boiling surface and method for producing same
US4359086A (en) * 1981-05-18 1982-11-16 The Trane Company Heat exchange surface with porous coating and subsurface cavities
DE3587481T2 (en) * 1984-02-27 1993-12-16 Toshiba Kawasaki Kk Circuit substrate with high thermal conductivity.
JPS62113783A (en) * 1985-11-13 1987-05-25 日本セメント株式会社 Method of metallizing silicon nitride sintered body
US5352482A (en) * 1987-01-22 1994-10-04 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Process for making a high heat-conductive, thick film multi-layered circuit board
US5418002A (en) * 1990-12-24 1995-05-23 Harris Corporation Direct bonding of copper to aluminum nitride substrates
US5395679A (en) * 1993-03-29 1995-03-07 Delco Electronics Corp. Ultra-thick thick films for thermal management and current carrying capabilities in hybrid circuits
US5545473A (en) * 1994-02-14 1996-08-13 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive interface
US6861290B1 (en) * 1995-12-19 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Flip-chip adaptor package for bare die
DE19603822C2 (en) * 1996-02-02 1998-10-29 Curamik Electronics Gmbh Process for producing a ceramic substrate and ceramic substrate
US5981085A (en) * 1996-03-21 1999-11-09 The Furukawa Electric Co., Inc. Composite substrate for heat-generating semiconductor device and semiconductor apparatus using the same
JPH10284808A (en) * 1997-04-08 1998-10-23 Denki Kagaku Kogyo Kk Circuit board
JP2000281460A (en) * 1999-03-31 2000-10-10 Tokuyama Corp Metal powder brazing material and bonding between aluminum nitride member and metal member
WO2002059965A1 (en) * 2001-01-22 2002-08-01 Parker Hannifin Corporation Clean release, phase change thermal interface
JP3931855B2 (en) * 2003-08-08 2007-06-20 株式会社日立製作所 Electronic circuit equipment
DE102004033933B4 (en) * 2004-07-08 2009-11-05 Electrovac Ag Method for producing a metal-ceramic substrate
US7332807B2 (en) * 2005-12-30 2008-02-19 Intel Corporation Chip package thermal interface materials with dielectric obstructions for body-biasing, methods of using same, and systems containing same
TWI449137B (en) * 2006-03-23 2014-08-11 Ceramtec Ag Traegerkoerper fuer bauelemente oder schaltungen

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2008128948A2 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008128948A3 (en) 2009-05-14
WO2008128948A2 (en) 2008-10-30
CN101687717A (en) 2010-03-31
JP5538212B2 (en) 2014-07-02
DE102008001226A1 (en) 2008-10-30
KR20100017327A (en) 2010-02-16
KR101476343B1 (en) 2014-12-24
US20100147571A1 (en) 2010-06-17
JP2010524831A (en) 2010-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2155628A2 (en) Component having a metalized ceramic base
DE102012214901B4 (en) Semiconductor device with a diffusion solder layer on a sintered silver layer and method for the production thereof
DE102005042554B4 (en) Metal-ceramic substrate and method for producing a metal-ceramic substrate
DE102009029577B3 (en) Process for producing a high-temperature-resistant power semiconductor module
EP1233935B1 (en) Method for attaching a body, which is comprised of a metal matrix composite (mmc) material, to a ceramic body
WO2011000360A2 (en) Electronic device
EP1989741B1 (en) Method for the production of peltier modules
DE102015104518B3 (en) A method of making a circuit carrier assembly having a support having a surface formed by an aluminum-silicon carbide-metal matrix composite
DE60214572T2 (en) HARD SOLDER METALLIZATIONS FOR DIAMOND COMPONENTS
WO2008128944A1 (en) Component having a ceramic base the surface of which is metalized
WO2008128945A1 (en) Component having a ceramic base with a metalized surface
DE102014105000A1 (en) Method for producing and assembling a circuit carrier
DE10314876B4 (en) Method for the multi-stage production of diffusion solder joints and its use for power components with semiconductor chips
DE102008001224A1 (en) Method for producing a metallized component, component and a carrier for supporting the component in the metallization
DE102018115509A1 (en) Heat dissipation device, semiconductor packaging system and method of manufacturing the same
DE2150695B2 (en) PROCESS FOR THE INSULATED CONSTRUCTION OF SEMICONDUCTOR ELEMENTS, PRINTED AND / OR MONOLITHIC AND / OR HYBRID INTEGRATED CIRCUITS
DE102006011743A1 (en) Peltier module manufacture method involves connecting Peltier components or chips to contact areas on ceramic substrates by means of terminal surfaces during production process, in which contact areas have metallic or sinter layers
DE102011076774A1 (en) Semiconductor component for use in e.g. power electronic area, has solderable layers formed at surfaces of carrier and cooling body, respectively, where surfaces of carrier and body face body and carrier, respectively
EP0170012A2 (en) Metal-ceramic composite element and process for its production
DE102010025311B4 (en) Method for applying a metallic layer to a ceramic substrate, use of the method and composite material
DE69734341T2 (en) PCB for power module
DE102006060899A1 (en) Lead wire, method of making such and assembly
EP2287899A1 (en) Solder connection with a multilayered solderable layer
EP4047648A1 (en) Power module with a power component bonded to a substrate by sintering and soldering and corresponding manufacturing method
EP1129048A1 (en) Composite plate and method for producing and using such a composite plate

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20091124

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL NO PL PT RO SE SI SK TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: AL BA MK RS

17Q First examination report despatched

Effective date: 20101021

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: CERAMTEC GMBH

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
17Q First examination report despatched

Effective date: 20130410

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R003

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION HAS BEEN REFUSED

18R Application refused

Effective date: 20140724