EP0990199B1

EP0990199B1 - Reglervorrichtung

Info

Publication number: EP0990199B1
Application number: EP98934784A
Authority: EP
Inventors: Frank-Lothar Schwertlein; Michael Lenz
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 1997-06-18
Filing date: 1998-05-25
Publication date: 2001-11-07
Anticipated expiration: 2018-05-25
Also published as: DE59802077D1; JP3425961B2; EP0990199A1; JP2002501648A; WO1998058302A1

Description

Die Erfindung betrifft eine Reglervorrichtung, und insbesondere eine Reglervorrichtung mit einer Darlington-Struktur mit geringer Restspannung für Regler mit einem sehr geringen Spannungsabfall.

Regler dienen der Stabilisierung eines Sollwertes, beispielsweise einer Ausgangsspannung oder eines Ausgangsstromes. Ein Stellglied, bei dem es sich üblicherweise um ein (Leistungs-) Halbleiterbauelement in Form eines Transistors handelt, wird durch eine Stellgröße beeinflußt, die aus der Differenz zwischen einem Istwert, z.B. einem bestimmten Bruchteil der Ausgangsspannung bzw. des Ausgangsstromes, und dem Sollwert, z.B. in Form einer Referenzspannung, abgeleitet wird.

Stetige Regler lassen sich, je nach Anordnung des Stellgliedes als Serien- bzw. Längsregler oder als Parallelregler ausführen. Serienregler werden in der Praxis wesentlich häufiger eingesetzt als Parallelregler. Bei Serienregelung bzw. Serienstabilisierung liegt das Stellglied in Reihe zur Last, während es bei Parallelregelung bzw. Parallelstabilisierung parallel zur Last liegt. Parallelregler besitzen einen niedrigeren Wirkungsgrad als Serienregler, da sie auch im Leerlauf vollen Leistungsverbrauch aufweisen. Ein weiterer Nachteil von Parallelreglern gegenüber Serienreglern besteht darin, daß der als Stellglied eingesetzte Transistor die volle Ausgangsspannung aufnehmen muß.

Fig. 1 zeigt den prinzipiellen Aufbau eines üblichen stetigen Serienreglers. Der in Regler besitzt einen Eingang I und einen Ausgang Q. Zwischen den Eingang I und dem Ausgang Q ist als Stellglied ein erstes steuerbares Halbleiterbauelement T1 in Form eines pnp-Transistors geschaltet, dessen Emitter E1 mit dem Eingang I und dessen Kollektor C1 mit dem Ausgang Q verbunden ist. Der Steuer- bzw. Basisanschluß B1 des Halbleiterbauelements T1 ist an den Kollektor C2 eines zweiten Halbleiterbauelements T2 angeschlossen. Das zweite Halbleiterbauelement T2 ist komplementär zu dem ersten Halbleiterbauelement T1 und als npn-Transistor ausgebildet. Der Emitter E2 des zweiten Halbleiterbauelements T2 ist auf Masse M geschaltet. Der Steuer- bzw. Basisanschluß B2 des zweiten Halbleiterbauelements T2 ist an den Ausgang einer Vergleichsschaltung in Form eines Operationsverstärkers Op geschaltet, welcher einen an einem ersten Eingang (+) anliegende Sollwert-Referenzspannung Vref mit einer Istwert-Spannung vergleicht, die zwischen einem Widerstand R1 und einem Widerstand R2 eines Spannungsteilers abgegriffen wird. Durch den Spannungsteiler R1, R2 wird ein Teil der am Ausgang Q anliegenden Spannung als Istwert an den zweiten Eingang (-) der Vergleichsschaltung rückgekoppelt, wobei die Vergleichsschaltung den rückgekoppelten Istwert mit dem Sollwert, d.h. der am zweiten Eingang (+) anliegenden Referenzspannung vergleicht und ein entsprechendes Ansteuersignal an den Steueranschluß B2 des zweiten Halbleiterbauelements T2 abgibt. Das zweite Halbleiterbauelement T2 dient als Treiber und verstärkt in Abhängigkeit von dem Differenzsignal an den beiden Eingängen der Vergleichsschaltung Op den Steuerstrom an dem Steuer bzw. Basisanschluß des ersten Halbleiterbauelements T1.

Dadurch wird die Ausgangsspannung VQ am Ausgang Q des Reglers abhängig von der Referenzspannung Vref und den Widerständen R1, R2 stabilisiert: VQ = Vref * (R1 + R2) / R2

Bei dem Fig. 1 gezeigten Regler, der auf Bipolarbasis hergestellt ist, ist ein pnp-Transistor als erstes Halbleiterbauelement T1 verwendet. Dieser ist üblicherweise als lateraler pnp-Transistor aufgebaut, d.h. als Bipolartransistor, bei dem Emitter, Basis und Kollektor horizontal bzw. lateral angeordnet sind und der Injektionsstrom vom Emitter zum Kollektor in lateraler Richtung entlang der Oberfläche eines Substrats fließt.

Die Herstellung von solchen lateralen pnp-Transistoren erfolgt üblicherweise durch eine Doppel-ISO-PNP-Technologie DOPL.

Die lateralen pnp-Transistoren weisen allerdings eine relativ geringe Stromverstärkung auf, was zur Folge hat, daß der Steuerstrom des ersten als Stellglied dienenden Halbleiterbauelements T1 insbesondere bei hohen Eingangsspannungen hohe Verlustleistungen hervorruft. Der schlechte Wirkungsgrad und die damit verbundenen hohen Verlustleistungen machen es erforderlich derartige Regler zur Kühlung mit Leistungsgehäusen zu versehen. Die notwendigen Leistungsgehäuse sind teuer und erfordern erheblichen Raum, wodurch eine Miniaturisierung der Reglerschaltung verhindert wird.

Um diese Nachteile zu vermeiden werden daher neuerdings anstatt lateraler Strukturen für das erste Halbleiterbauelement T1 vertikale pnp-Transistoren verwendet. Diese besitzen insbesondere bei höheren Strömen deutlich höhere Stromverstärkungen als laterale pnp-Transistoren.

Der Einsatz von Darlington-Strukturen wird wegen der zu hohen Abfall bzw. Dropspannung, d.h. der Spannungsdifferenz zischen dem Emitter und dem Kollektor des Darlington-Transistors nicht praktiziert.

Ein Nachteil bei der Verwendung von vertikalen pnp-Transistoren besteht darin, daß zu deren Herstellung ein kostenintensiver Prozeß notwendig ist, der etwa 20-30% teurer ist als der Herstellungsprozeß für laterale pnp-Transistoren. Darüberhinaus sind vertikale pnp-Transistoren im Vergleich zu lateralen pnp-Transistoren wesentlich empfindlicher gegenüber Umwelteinflüssen, beispielsweise ESD-Einflüssen, und weniger robust.

Es ist daher die Aufgabe der Erfindung eine Reglervorrichtung zu schaffen, die eine geringe Verlustleistung aufweist, robust ist und kostengünstig herstellbar ist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß die in Anspruch 1 definierte Reglervorrichtung gelöst, also durch eine Reglervorrichtung mit einem ersten steuerbaren Halbleiterbauelement, das einen mit dem Reglereingang verbundenen Eingangsanschluß, einen mit dem Reglerausgang verbundenen Ausgangsanschluß und einen Steueranschluß aufweist; einem mit dem Steueranschluß des ersten Halbleiterbauelements verbundenen zweiten Halbleiterbauelement, das einen Eingangsanschluß, einen Ausgangsanschluß und einen Steueranschluß aufweist; einer Vergleichseinrichtung, die einen ersten Eingang, einen zweiten Eingang und einen mit dem Steueranschluß des zweiten Halbleiterbauelements verbundenen Ausgang aufweist; wobei an den ersten Eingang eine Referenzspannung anlegbar ist und der zweite Eingang mit dem Reglerausgang verbunden ist; und einer Treibereinrichtung, die bei Überschreiten eines vorbestimmten Schwellenwertes durch ein am Reglereingang anliegendes Eingangssignal den Strom vom Steueranschluß des ersten Halbleiterbauelements teilweise zum Reglerausgang ableitet.

Der Erfindung liegt die Idee zugrunde, das erste Halbleiterbauelement ab einer vorbestimmten am Reglereingang anliegenden Grenzspannung bzw. Schwellenspannung als Darlington-Struktur zu betreiben und so die Stromverstärkung und den Wirkungsgrad des Reglers deutlich zu steigern.

In den Unteransprüchen sind bevorzugte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Reglervorrichtung angegeben.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung weist die Treibereinrichtung eine Stromspiegelschaltung auf. Dies bietet den besonderen Vorteil, daß die Stromverstärkung auf Werte begrenzt wird, bei der die Regelschleife stabil arbeitet.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Stromspiegelschaltung ein drittes und ein viertes steuerbares Halbleiterbauelement auf, deren erste Hauptanschlüsse miteinander und mit dem Steueranschluß des ersten Halbleiterbauelements verbunden sind und deren Steueranschlüsse miteinander verbunden sind, wobei der zweite Hauptanschluß des dritten Halbleiterbauelements mit dem Reglerausgang und der zweite Hauptanschluß des vierten Halbleiterbauelements mit dem einen Hauptanschluß des zweiten Halbleiterbauelements verbunden ist.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist eine Inversstrom-Sperreinrichtung zwischen dem Ausgangsanschluß des ersten steuerbaren Halbleiterbauelements und der Stromspiegelschaltung geschaltet. Dies bietet den besonderen Vorteil, daß ein Inversbetrieb der Stromspiegelschaltung bei niedriger und negativer Eingangsspannung am Reglereingang verhindert wird und eine Umschaltung vom Darlingtonbetrieb des ersten steuerbaren Halbleiterbauelements auf Normalbetrieb ermöglicht wird.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Inversstrom-Sperreinrichtung als Diode ausgebildet. Dies bietet den besonderen Vorteil einer leichten Integration mit den übrigen Halbleiterstrukturen.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind die verbundenen Steueranschlüsse der Stromspiegelschaltung an den Steueranschluß des ersten Halbleiterbauelements und an den einen Hauptanschluß des zweiten Halbleiterbauelements angeschlossen.

Gemäß einer weiteren Weiterbildung ist zwischen den verbundenen Steueranschlüssen der Stromspiegelschaltung und dem Steueranschluß des ersten Halbleiterbauelements ein Widerstand oder eine aktive Stromquelle geschaltet.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist zwischen dem Steueranschluß des ersten Halbleiterbauelements und dem Reglereingang ein Widerstand oder eine aktive Stromquelle geschaltet.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist das erste Halbleiterbauelement ein Lateral-pnp-Transistor.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind die beiden Halbleiterbauelemente der Stromspiegelschaltung als pnp-Transistoren und das zweite Halbleiterbauelement als npn-Transistor ausgebildet.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Vergleichseinrichtung ein Differenzverstärker.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist der Differenzverstärker ein Operationsverstärker.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist der erste Eingang der Vergleichseinrichtung über einen Spannungsteiler mit dem Reglerausgang verbunden.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Referenzspannung einstellbar.

Im weiteren wird die Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsformen mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1: den Aufbau eines üblichen stetigen seriellen Reglers;
Fig. 2: den Aufbau einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Reglers; und
Fig. 3: die Verlustleistungen des bekannten stetigen seriellen Reglers gemäß Fig. 1 und des erfindungsgemäßen Reglers in Abhängigkeit der am Reglereingang anliegenden Spannung.

Fig. 2 zeigt den Aufbau einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Reglers. Der Regler weist einen Reglereingang 1 und einen Reglerausgang 2 auf. Zwischen den Reglereingang 1 und den Reglerausgang 2 ist ein steuerbares Halbleiterbauelement 3 geschaltet. Bei dem in Fig. 2 gezeigten ersten steuerbaren Halbleiterbauelement 3 handelt es sich um einen bipolaren Lateral-pnp-Tranistor. Das erste Halbleiterbauelement 3 besitzt einen Eingangsanschluß 4, der mit dem Reglereingang 1 verbunden ist, und einen Ausgangsanschluß 5, der mit dem Reglerausgang 2 verbunden ist. Das Halbleiterbauelement 3 wird durch einen Steueranschluß 6 gesteuert. Der Steueranschluß 6 ist der Basisanschluß, der Eingangsanschluß 4 ist der Emitter und der Ausgangsanschluß ist der Kollektor dieses pnp-Transistors 3.

An den Steueranschluß 6 des ersten Halbleiterbauelements 3 ist eine Treiberschaltung 40 in Form einer Stromspiegelschaltung 7 angeschlossen, die durch ein drittes steuerbares Halbleiterbauelement 8 und ein viertes steuerbares Halbleiterbauelement 12 gebildet ist. Das dritte Halbleiterbauelement 8 weist einen Steueranschluß 9, einen Eingangsanschluß 10 und einen Ausgangsanschluß 11 auf. Das vierte Halbleiterbauelement 12 weist einen Steueranschluß 13, einen Eingangsanschluß 14 und einen Ausgangsanschluß 15 auf. Die Steueranschlüsse 9, 13 des dritten Halbleiterbauelements 8 und des vierten Halbleiterbauelements 12 sind an einem Knotenpunkt 16 miteinander verbunden. Das dritte und vierte Halbleiterbauelement 8, 12 sind jeweils durch einen pnp-Transistor gebildet. Die Steueranschlüsse 9, 13 bilden jeweils die Basisanschlüsse, die Eingangsanschlüsse 10, 14 jeweils die Emitteranschlüsse und die Ausgangsanschlüsse 11,15 jeweils die Kollektoranschlüsse der pnp-Transistoren 8, 12.

Der Steueranschluß 6 des ersten Halbleiterbauelements 3 ist über einen Widerstand oder eine aktive Stromquelle 17 mit dem Reglereingang 1 und dem Eingangsanschluß 4 des ersten Halbleiteterbauelements 3 verbunden. Der Steueranschluß 6 ist ferner über einen Widerstand oder eine aktive Stromquelle 18 an den Knotenpunkt 16 und direkt an die Eingangsanschlüsse 10, 14 des dritten und vierten Halbleiterbauelements 8, 12 der Stromspiegelschaltung 7 angeschlossen.

Der Ausgangsanschluß 11 ist an eine Inversstrom-Sperreinrichtung 19, die als Diode ausgebildet ist, angeschlossen. Die Anode der Diode 19 ist mit dem Ausgangsanschluß 11, d.h. dem Kollektor des dritten Halbleiterbauelements 8, und die Kathode der Diode 19 ist mit dem Ausgangsanschluß 5, d.h dem Kollektor des Lateral-pnp-Transistors 3, und mit dem Reglerausgang 2 verbunden. Die Inversstrom-Sperreinrichtung 19 verhindert einen Inversbetrieb des dritten Halbleiterbauelementes 8 bei niedrigen oder negativen Eingangsspannungen am Reglereingang 1 und ermöglicht die Umschaltung vom Darlington-Betrieb des Reglers in den Normal-Betrieb.

Der Ausgangsanschluß 15 des vierten Halbleiterbauelementes 12 und der Knotenpunkt 16 der Stromspiegelschaltung 7 sind mit dem Eingangsanschluß 21 des zweiten Halbleiterbauelementes 20 verbunden. Das zweite Halbleiterbauelement 20 weist neben dem Eingangsanschluß 21 einen Steueranschluß 22 und einen Ausgangsanschluß 23 auf.

Das zweite Halbleiterbauelement 20 ist als bipolarer npn-Transistor ausgebildet und komplementär zu dem ersten Halbleiterbauelement 3. Der Eingangsanschluß 21 wird durch den Kollektor, der Steueranschluß 22 durch die Basis und der Ausgangsanschluß 23 durch den Emitter des bipolaren npn-Transistors gebildet. Der Ausgangsanschluß 23 liegt auf Masse.

Der Eingangsanschluß 22 des zweiten Halbleiterbauelementes 20 ist über eine Ansteuerleitung 24 mit dem Ausgang 26 einer Vergleichsschaltung 25, die durch einen Operationsverstärker gebildet wird, verbunden. Die Vergleichsschaltung 25 besitzt einen ersten nicht invertierenden Eingang 27 (+) und einen zweiten invertierenden Eingang 28 (-), wobei an dem ersten Eingang 27 eine Referenzspannung Vref anliegt und der zweite Eingang 28 über eine Rückkoppelleitung 29 mit einem Abgreifknotenpunkt 31 eines Spannungsteilers 30 verbunden ist. Der Abgreifknotenpunkt 31 liegt zwischen zwei in Reihe geschalteten Widerständen 32, 33, wobei der Spannungsteilerwiderstand 33 zwischen dem Abgreifknotenpunkt 31 und Masse geschaltet ist und der Spannungsteilerwiderstand 32 zwischen dem Abgreifpunkt 31 und dem Reglerausgang 2 angeordnet ist.

Durch den Spannungsteiler 30 wird ein Teil der am Reglerausgang 2 anliegenden Spannung über die Rückkoppelleitung 29 zu dem zweiten Eingang 28 der Vergleichsschaltung 25 rückgekoppelt.

Die Vergleichschaltung 25, die als Differenzverstärker ausgebildet ist, vergleicht den rückgekoppelten Ist-Spannungswert mit einen am ersten Eingang 27 anliegenden Referenz-bzw.Soll-Spannungswert und steuert in Abhängigkeit der zwischen den Eingängen 27,28 anliegenden Spannungsdifferenz über die Steuerleitung 24 den Steuersanschluß 22 des zweiten Halbleiterbaulementes 20. Das zweite Halbleiterbaulement 20 arbeitet als Stromverstärker bzw. Treiber und steuert den Basistrom am Steueranschluß 6 des ersten Halbleiterbauelements 3 in Abhängigkeit von der Spannungsdifferenz zwischen der Referenzspannung Vref und der abgegriffenen und rückgekoppelten Ausgangsspannung des Reglers.

Die Stromspiegelschaltung 7 erzeugt aus einem Referenzstrom einen Konstantstrom und begrenzt die Stromverstärkung auf Werte bei der die Regelschleife stabil arbeitet.

Überschreitet die am Reglereingang 1 anliegende Eingangsspannung Vi einen vorbestimmten Schwellenwert bzw. eine vorbestimmte Grenzspannung Vg, so wird ein Teil des am Steueranschluß 6 des ersten Halbleiterbauelements anliegenden Stroms durch die zwischen dem ersten Halbleiterbauelement 3 und dem zweiten Halbleiterbauelement 20 angeordnete Treibereinrichtung 40 direkt zum Reglerausgang 2 geleitet. Nach Überschreiten der Grenzspannung Vg schaltet das erste Halbleiterbauelement 3 vom normalen Betrieb auf Darlington-Betrieb um und bildet zusammen mit dem dritten Halbleiterbauelement 8 eine eine aus zwei Transistoren bestehende Darlington-Schaltung. Dadurch wird die Gesamtstromverstärkung erhöht.

Der Leistungsverlust Pv in dem zweiten steuerbaren Halbleiterbauelement 20, wird bei Eingangsspannungen die über der Grenzspannung Vg liegen, im Vergleich zu einem herkömmlichen Regler nach dem Stand der Technik, erheblich herabgesetzt. Auf diese Weise entfällt die Notwendigkeit für eine aufwendige und platzraubende Kühlungseinrichtung bzw. für ein Leistungsgehäuse an dem erfindungsgemäßen Regler.

Fig. 3 zeigt den Leistungsverlustverlauf eines herkömmlichen Reglers und eines erfindungsgemäßen Reglers im Vergleich. Der Leistungsverlust Pv, der durch das Produkt aus Eingangsspannung Vi und der Stromstärke am Steueranschluß 6 des Lateral-pnp-Transistors in Fig. 3 bzw. des Transistors T1 in Fig. 1 bestimmt wird, steigt bei dem herkömmlichen Regler (I) mit zunehmender Eingangsspannung Vi linear an. Bei dem erfindungsgemäßen Regler (II) steigt die Verlustleistung bis zu einer Grenzspannung Vg ebenfalls linear an. Bei Erreichen der Grenzspannung Vg schaltet der erfindungsgemäße Regler von Normal-Betrieb auf Darlington-Betrieb um, der erforderlich Basisstrom und somit sie Verlustleistung sinken zunächst stark ab und steigen mit weiter zunehmender Eingangsspanung Vi linear jedoch mit einer geringeren Steigung als bei dem herkömmlichen Regler an.

Die Erfindung ist nicht auf die geschilderte Ausführungsform beschränkt: Beispielsweise können die in Fig. 2 dargestellten bipolaren Transistoren durch Feldeffekttransistoren oder sonstige steuerbare Halbleiterbauelemente ersetzt werden. Desweiteren kann der Aufbau des Reglers zu dem in Fig. 2 gezeigten Aufbau komplementär sein, d.h. das erste, dritte und vierte Halbleiterbauelement 3, 8, 12 werden durch npn-Transistoren gebildet und das zweite Halbleiterbauelement 20 durch einen npn-Transistor. Die Referenzspannunung Vref ist bei einer weiteren Ausführungsform einstellbar. Schließlich ist die Treiberschaltung 40 nicht auf eine Stromspiegelschaltung beschränkt, sondern kann durch jegliche geeignete aktive oder passive Treiberschaltung gebildet sein.

Claims

Reglervorrichtung mit:

einem ersten steuerbaren Halbleiterbauelement (3), das einen mit dem Reglereingang (1) verbundenen Eingangsanschluß (4), einen mit dem Reglerausgang (2) verbundenen Ausgangsanschluß (5) und einen Steueranschluß (6) aufweist;

einem mit dem Steueranschluß (6) des ersten Halbleiterbauelements (3) verbundenen zweiten Halbleiterbauelement (20), das einen Eingangsanschluß (21), einen Ausgangsanschluß (23) und einen Steueranschluß (22) aufweist;

einer Vergleichseinrichtung (25), die einen ersten Eingang (27), einen zweiten Eingang (28) und einen mit dem Steueranschluß (22) des zweiten Halbleiterbauelements (20) verbundenen Ausgang (26) aufweist;

wobei an den ersten Eingang (27) eine Referenzspannung (Vref) anlegbar ist und der zweite Eingang (28) mit dem Reglerausgang (2) verbunden ist; und gekennzeichnet durch

eine Treibereinrichtung (40), die bei Überschreiten eines vorbestimmten Schwellenwertes (Vg) durch ein am Reglereingang (1) anliegendes Eingangssignal den Strom vom Steueranschluß (6) des ersten Halbleiterbauelements (3) teilweise zum Reglerausgang (2) ableitet.
Reglervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Treibereinrichtung (40) eine Stromspiegelschaltung (7) aufweist.
Reglervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromspiegelschaltung (7) ein drittes und ein viertes steuerbares Halbleiterbauelement (8, 12) aufweist, deren erste Hauptanschlüsse (10, 14) miteinander und mit dem Steueranschluß (6) des ersten Halbleiterbauelements (3) verbunden sind und deren Steueranschlüsse (9, 13) miteinander verbunden sind, wobei der zweite Hauptanschluß (11) des dritten Halbleiterbauelements (8) mit dem Reglerausgang (2) und der zweite Hauptanschluß (15) des vierten Halbleiterbauelements (12) mit dem einen Hauptanschluß (21) des zweiten Halbleiterbauelements (20) verbunden ist.
Reglervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Inversstrom-Sperreinrichtung (19) zwischen dem Ausgangsanschluß (5) des ersten Halbleiterbauelements (3) und der Stromspiegelschaltung (7) geschaltet ist.
Reglervorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Inversstrom-Sperreinrichtung (19) eine Diode ist.
Reglervorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die verbundenen Steueranschlüsse (9, 13) an den Steueranschluß (6) des ersten Halbleiterbauelements (3) und an den einen Hauptanschluß (21) des zweiten Halbleiterbauelements (20) angeschlossen sind.
Reglervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Steueranschlüssen (9, 13) und dem Steueranschluß (6) des ersten Halbleiterbauelements (3) ein Widerstand (18) oder eine aktive Stromquelle geschaltet ist.
Reglervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Steueranschluß (6) des ersten Halbleiterbauelements (3) und dem Reglereingang (1) ein Widerstand (17) oder eine aktive Stromquelle geschaltet ist.
Reglervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Halbleiterbauelement (3) ein Lateral-pnp-Transistor oder ein DMOS-Transistor ist.
Reglervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 3 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Halbleiterbauelemente (8, 12) der Stromspiegelschaltung (7) pnp-Transistoren und das zweite Halbleiterbauelement (20) ein npn-Transistor ist.
Reglervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Vergleichseinrichtung (25) ein Differenzverstärker ist.
Reglervorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Differenzverstärker ein Operationsverstärker ist.
Reglervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Eingang (28) der Vergleichseinrichtung über einen Spannungsteiler (30) mit dem Reglerausgang (2) verbunden ist.
Reglervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Referenzspannung einstellbar ist.