EP0271595A1 - On-Chip-Spannungsstabilisierungsschaltung - Google Patents
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- EP0271595A1 EP0271595A1 EP86117494A EP86117494A EP0271595A1 EP 0271595 A1 EP0271595 A1 EP 0271595A1 EP 86117494 A EP86117494 A EP 86117494A EP 86117494 A EP86117494 A EP 86117494A EP 0271595 A1 EP0271595 A1 EP 0271595A1
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- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
Definitions
- the problem on which the invention is based is therefore to largely prevent the noise of the usual constant voltage sources by means of circuit measures so that audio channels are no longer audibly disturbed. Furthermore, it is to be achieved with the invention that several supply voltages and constant currents can be derived from the voltage of the constant voltage source, which serve to operate the individual chip subcircuits. The solution to this problem is given in the claims.
- the embodiment of the invention represented by its circuit diagram in FIG. 1 relates to the implementation by means of bipolar transistors of one and the same conductivity type, namely by means of npn transistors.
- npn transistors are used instead of npn transistors.
- MOS transistors instead of bipolar transistors and then to use either n-channel or p-channel transistors.
- the constant voltage source already mentioned is not indicated in the figures of the drawing, but only the line to which the constant voltage u of the constant voltage source is connected is shown. From this line, the resistor r belonging to the RC low pass leads to the base of the transistor t. In the manner of the known Darlington circuit, this is connected upstream of the emitter follower transistors te1, tem, the bases of which are common to the emitter of the transistor t and the collectors of which lie together with that of the transistor t to the constant voltage u, and one of the supply voltages v1 ... vm is to be removed; these are decoupled from one another.
- the base of the transistor t is also connected via the outer chip connection ca to the capacitor c belonging to the RC low-pass filter, the other end of which is at the outer Circuit zero is sn. This is connected via the further outer chip connection ca ⁇ to the inner circuit zero point sn ⁇ .
- the current mirror circuit s is also provided, with which the constant currents i1, iy are generated.
- the current mirror circuit s is also provided, with which the constant currents i1, iy are generated.
- it consists of the first transistor t1, the emitter of which is connected to the internal circuit zero point sn ⁇ via the first resistor r1 and the collector of which is connected to the output of the RC low-pass filter and the second resistor r2 at the base of the transistor t.
- the second transistor t2 is provided, the base of which is connected to the collector and the emitter of which is connected to the base of the first transistor t1 and the collector of which is connected to a point carrying a suitable voltage.
- This can be the constant voltage u above, for example, but also the emitter of the transistor t.
- the bases of the output transistors ta1, tay are the bases of the output transistors ta1, tay, whose emitters are located directly or via an emitter resistor re at the inner circuit zero point sn ⁇ .
- the circuit part containing the transistors t, te1, tem and the current mirror circuit are provided a second time.
- the circuit part contains the corresponding transistors t ⁇ , te1 ⁇ , tem ⁇ .
- the base of the transistor t ⁇ lies on the base of the transistor t.
- This expansion generates additional supply voltages v1 ⁇ , vm ⁇ , the opposite the supply voltages v1, vm are better decoupled from one another than these.
- Such an arrangement is particularly advantageous when two audio channels, for example stereo channels, are provided in the integrated circuit which are intended to influence one another as little as possible.
- the further current mirror circuit s ⁇ consists of the transistors t1 ⁇ , t2 ⁇ , ta1 ⁇ , tay ⁇ and the resistors r1 ⁇ , r2 ⁇ , re ⁇ . If necessary, further such partial and current mirror circuits can be provided. The number of each is freely selectable; that is, FIG. 2 with two subcircuits and two current mirror circuits shows only one possible embodiment.
- npn transistors In addition to the variants already mentioned above when realizing the invention using different transistor types, it is also possible to implement part of the circuit using npn transistors and the other part using pnp transistors. Likewise, n-channel and p-channel field effect transistors can be used mixed. This will apply in particular if the constant current source is not related to the circuit zero, that is to say acts as a current sink as in the exemplary embodiments in FIGS. 1 and 2, but rather, conversely, constant currents from the constant voltage u should be generated, which flow into further sub-circuits.
- the capacitance of the capacitor c will generally be between 2 and 20 micro-farads.
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Abstract
Zur weitgehenden Unterdrückung des Rauschens von integrierten Konstantspannungsquellen sieht die Erfindung einen RC-Tiefpaß vor, dessen Kondensator (c) über den äußeren Chipanschluß (ca) mit dem äußeren Schaltungsnullpunkt (sn) verbunden ist, während der Rest der Schaltung auf dem Chip angeordnet ist. Der Widerstand (r) des RC-Tiefpaßes liegt an der Konstantspannung (u) der Konstantspannungsquelle und der Ausgang des RC-Tiefpasses an der Basis eines Darlington-artig Emitterfolgern (te1...tem) vorgeschalteten Transistors (t), deren Emittern die Vorsorgungsspannungen (v1, vm) entnommen werden können. Ferner ist die vom Ausgang des RC-Tiefpasses über den Widerstand (r2) angesteuerte Konstantstromquelle (s) vorgesehen, die als Stromsenke für die Konstantströme (i1, iy) dient.
Description
- Üblicherweise werden in integrierten Schaltungen intern benötigte Versorgungsspannungen mittels einer mitintegrierten Konstantspannungsquelle gewonnen. Eine häufig verwendete derartige Konstantspannungsquelle ist die sogenannte Bandabstand-Referenzschaltung. Es hat sich jedoch gezeigt, daß in bestimmten Anwendungsfällen, wie z.B. bei Analog-Digital-Wandlern für hochwertige Audioanwendungen, das Rauschen der üblichen Konstantspannungsquellen in den Audiokanal gelangt und somit hörbar wird.
- Das der Erfindung zugrundeliegende Problem besteht daher darin, mittels Schaltungsmaßnahmen das Rauschen der üblichen Konstantspannungsquellen so weitgehend zu unterbinden, daß Audiokanäle niche mehr hörbar gestört werden. Ferner soll mit der Erfindung erreicht werden, daß aus der Spannung der Konstantspannungsquelle mehrere Versorgungsspannungen und Konstantströme abgeleitet werden können, die zum Betrieb der einzelnen Chip-Teilschaltungen dienen. Die Lösung dieser Problemstellung ist in den Ansprüchen angegeben.
- Die Erfindung wird nun anhand der Figuren der Zeichnung näher erläutert.
- Fig. 1 zeigt das Schaltbild eines Ausführungsbeispiels der Erfindung, und
- Fig. 2 zeigt eine Weiterbildung und eine Ausgestaltung der Erfindung.
- Das in Fig. 1 durch sein Schaltbild wiedergegebene Ausführungsbeispiel der Erfindung bezieht sich auf die Realisierung mittels bipolarer Transistoren ein und desselben Leitungstyps, nämlich mittels npn-Transistoren. Es liegt jedoch im Rahmen fachmännischer Abwandlung der Erfindung, wenn anstatt npn-Transistoren pnp-Transistoren verwendet werden. Es ist jedoch auch möglich, anstatt Bipolartransistoren MOS-Transistoren zu verwenden und dann entweder n-Kanal- oder p-Kanal-Transistoren einzusetzen.
- Die bereits erwähnte Konstantspannungsquelle ist in den Figuren der Zeichnung nicht angegeben, sondern es ist lediglich diejenige Leitung gezeichnet, an die die Konstantspannung u der Konstantspannungsquelle gelegt ist. Von dieser Leitung aus führt der zum RC-Tiefpaß gehörende Widerstand r zur Basis des Transistors t. Dieser ist nach Art der bekannten Darlington-Schaltung den Emitterfolgertransistoren te1, tem vorgeschaltet, deren Basen gemeinsam am Emitter des Transistors t und deren Kollektoren zusammen mit dem des Transistors t an der Konstantspannung u liegen und an deren Emittern jeweils eine der Vorsorgungsspannungen v1...vm abzunehmen ist; diese sind untereinander entkoppelt.
- Die Basis des Transistors t ist ferner über den äußeren Chipanschluß ca mit dem zum RC-Tiefpaß gehörenden Kondensator c verbunden, dessen anderes Ende am äußeren Schaltungsnullpunkt sn liegt. Dieser ist über den weiteren äußeren Chipanschluß caʹ am inneren Schaltungsnullpunkt snʹ angeschlossen.
- In Fig. 1 ist ferner die Stromspiegelschaltung s vorgesehen, mit der die Konstantströme i1, iy erzeugt werden. Hierzu besteht sie aus dem ersten Transistor t1, dessen Emitter über den ersten Widerstand r1 am inneren Schaltungsnullpunkt snʹ und dessen Kollektor über den zweiten Widerstand r2 am Ausgang des RC-Tiefpasses und somit auch an der Basis des Transistors t liegt.
- Ferner ist der zweite Transistor t2 vorgesehen, dessen Basis am Kollektor und dessen Emitter an der Basis des ersten Transistors t1 sowie dessen Kollektor an einem eine geeignete Spannung führenden Punkt angeschlossen ist. Dies kann beispielsweise die Konstantspannung u ober aber auch der Emitter des Transistors t sein. Schließlich liegen an der Basis des Transistors t1 die Basen der Ausgangstransistoren ta1, tay, deren Emitter direkt oder über jeweils einen Emitterwiderstand re am inneren Schaltungsnullpunkt snʹ liegen.
- In der Weiterbildung nach Fig. 2 sind der die Transistoren t, te1, tem enthaltende Schaltungsteil sowie die Stromspiegelschaltung ein zweites Mal vorgesehen. Der Schaltungsteil enthält die entsprechenden Transistoren tʹ, te1ʹ, temʹ. Dabei liegt die Basis des Transistors tʹ an der Basis des Transistors t. Durch diese Erweiterung werden weitere Versorgungsspannungen v1ʹ, vmʹ erzeugt, die gegenüber den Versorgungsspannungen v1, vm besser entkoppelt sind als diese untereinander. Eine derartige Anordnung ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn in der integrierten Schaltung zwei Audiokanäle, z.B. Stereokanäle, vorgesehen sind, die sich möglichst wenig gegenseitig beeinflussen sollen. Die weitere Stromspiegelschaltung sʹ besteht aus den Transistoren t1ʹ, t2ʹ, ta1ʹ, tayʹ und den Widerständen r1ʹ, r2ʹ, reʹ. Nach Bedarf können noch weitere derartige Teil- und Stromspiegelschaltungen vorgesehen werden. Dabei ist deren jeweilige Anzahl frei wählbar; d.h. die Fig. 2 mit zwei Teilschaltungen und zwei Stromspiegelschaltungen zeigt lediglich ein mögliches Ausführungsbeispiel.
- In Fig. 2 ist schließlich die bereits erwähnte Ausgestaltung eingezeichnet, bei der der Kollektor des Transistors t2 der Konstantstromquelle s am Emitter des Transistors t liegt.
- Zusätzlich zu den bereits oben erwähnten Varianten bei der Realisierung der Erfindung mittels verschiedener Transistortypen ist es auch möglich, einen Teil der Schaltung mittels npn-, den anderen Teil jedoch mittels pnp-Transistoren zu realisieren. Ebenso können n-Kanal- und p-Kanal-Feldeffekttransistoren gemischt verwendet werden. Dies wird insbesondere dann zutreffen, wenn die Konstantstromquelle nicht schaltungsnullpunktbezogen sein, also wie in den Ausführungsbeispielen der Fig. 1 und 2 als Stromsenke wirken soll, sondern gerade umgekehrt aus der Konstantspannung u konstante Ströme erzeugt werden sollen, die in weitere Teilschaltungen fließen.
- Für die Bemessung des RC-Tiefpasses ist es vorteilhaft, wenn seine Grenzfrequenz unterhalb 50 Hz liegt, was bedeutet, daß die Kapazität des Kondensators c im allgemeinen zwischen 2 und 20 Mikro-Farad liegen wird.
Claims (5)
1. On-Chip-Spannungsstabilisierungsschaltung
- mit einer Konstantspannungsquelle,
- mit nach Art eines Emitterfolgers betriebenen Transistoren (= Emitterfolgertransistoren) (te1, tem), die aus deren Konstantspannung (u) Versorgungsspannungen (v1, vm; v1ʹ, vmʹ) für Chip-Teilschaltungen ableiten,
- mit einer auf die Konstantspannung (u) bezogenen Stromspiegelschaltung (s), die Konstantströme (i1, iy) zur Speisung von Chip-Teilschaltungen abgibt, und
- mit einem RC-Tiefpaß, dessen Widerstand (r) zwischen dem Ausgang der Konstantspannungsquelle (u) und der Steuerelektrode eines den Emitterfolgertransistoren in Darlington-artig vorgeschalteten Transistors (t) liegt und dessen Kondensator (c) von dieser Steuerelektrode über einen äußeren Chip-Anschluß (ca) zum äußeren Schaltungsnullpunkt (sn) führt.
- mit einer Konstantspannungsquelle,
- mit nach Art eines Emitterfolgers betriebenen Transistoren (= Emitterfolgertransistoren) (te1, tem), die aus deren Konstantspannung (u) Versorgungsspannungen (v1, vm; v1ʹ, vmʹ) für Chip-Teilschaltungen ableiten,
- mit einer auf die Konstantspannung (u) bezogenen Stromspiegelschaltung (s), die Konstantströme (i1, iy) zur Speisung von Chip-Teilschaltungen abgibt, und
- mit einem RC-Tiefpaß, dessen Widerstand (r) zwischen dem Ausgang der Konstantspannungsquelle (u) und der Steuerelektrode eines den Emitterfolgertransistoren in Darlington-artig vorgeschalteten Transistors (t) liegt und dessen Kondensator (c) von dieser Steuerelektrode über einen äußeren Chip-Anschluß (ca) zum äußeren Schaltungsnullpunkt (sn) führt.
2. Schaltung nach Anspruch 1 mit einer oberen Grenzfrequenz des RC-Tiefpasses, die kleiner als 50 Hz ist.
3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2 mit mindestens einem weiteren, Darlington-artig weiteren Emitterfolgertransistoren (teʹ, temʹ) vorgeschalteten Transistor (tʹ), dessen Steuerelektrode am Ausgang des RC-Tiefpasses liegen.
4. Bipolare Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3 mit einer Stromspiegelschaltung (s) aus
- einem ersten Transistor (t1), dessen Emitter über einen ersten Widerstand (r1) am inneren Schaltungsnullpunkt (snʹ) und dessen Kollektor über einen zweiten Widerstand (r2) am Ausgang des RC-Tiefpasses liegt,
- einem zweiten Transistor (t2), dessen Basis am Kollektor und dessen Emitter an der Basis des ersten Transistors (t1) sowie dessen Kollektor an einem eine geeignete Spannung führenden Punkt, insbesondere am Emitter eines der Emitterfolgertransistoren (t, tʹ), liegt, und
- Ausgangstransistoren (ta1, tay), deren Basen an der Basis des ersten Transistors (t1) sowie deren Emitter direkt oder über jeweils einen Emitterwiderstand (re) am inneren Schaltungsnullpunkt (snʹ) liegen und an deren Kollektoren die Konstantströme (i1, iy) abzugreifen sind.
- einem ersten Transistor (t1), dessen Emitter über einen ersten Widerstand (r1) am inneren Schaltungsnullpunkt (snʹ) und dessen Kollektor über einen zweiten Widerstand (r2) am Ausgang des RC-Tiefpasses liegt,
- einem zweiten Transistor (t2), dessen Basis am Kollektor und dessen Emitter an der Basis des ersten Transistors (t1) sowie dessen Kollektor an einem eine geeignete Spannung führenden Punkt, insbesondere am Emitter eines der Emitterfolgertransistoren (t, tʹ), liegt, und
- Ausgangstransistoren (ta1, tay), deren Basen an der Basis des ersten Transistors (t1) sowie deren Emitter direkt oder über jeweils einen Emitterwiderstand (re) am inneren Schaltungsnullpunkt (snʹ) liegen und an deren Kollektoren die Konstantströme (i1, iy) abzugreifen sind.
5. Bipolare Schaltung nach den Ansprüchen 3 und 4 mit mindesten einer weiteren Stromspiegelschaltung (sʹ), bei der der Kollektor von deren zweitem Transistor (t2ʹ) am Emitter des weiteren Transistors (tʹ) liegt.
Priority Applications (2)
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EP86117494A EP0271595A1 (de) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | On-Chip-Spannungsstabilisierungsschaltung |
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Publications (1)
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