EP0213556A2 - Vorrichtung für das Aufdampfen von anorganischen Verbindungen mittels einer Photonen-erzeugenden thermischen Strahlungsheizquelle in kontinuierlich betriebenen Vakuumbedampfungsanlagen - Google Patents
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- EP0213556A2 EP0213556A2 EP86111560A EP86111560A EP0213556A2 EP 0213556 A2 EP0213556 A2 EP 0213556A2 EP 86111560 A EP86111560 A EP 86111560A EP 86111560 A EP86111560 A EP 86111560A EP 0213556 A2 EP0213556 A2 EP 0213556A2
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- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
Definitions
- the evaporation rate is sufficient for continuous evaporation on an industrial scale, where speeds of up to 10 linear meters / second or more are required, by far not enough.
- the evaporator boats which are usually used to hold the vapor-deposited material, are quickly destroyed by contact corrosion. So far it has not been possible to evaporate a single film roll of 10,000 running meters with a coherent and non-porous layer of a compound, for example silicon monoxide.
- the known vapor deposition products and vapor deposition devices only allow the condensation of X-ray amorphous layers only exceptionally due to the low layer formation rate caused by the low vapor deposition rate and the crystal formation thereby favored, although the latter, for example, as additional gas and vapor diffusion inhibiting additional layers for aluminum vapor-deposited packaging films, Ka catalyst poison for auto-regenerative capacitors, Protective layers for stamping foils and other decorative foils, electronegative cover for metal layer edges at risk of spark erosion, capacitor dielectrics and weather-resistant protective layers for aluminum-coated radar screens are of great importance.
- the vapor deposition material is in solid form, for example from powders or granules, which can also be compacted to form a self-supporting block or mass.
- the thermal heat source usually a tungsten wire, is arranged in a cavity within the vapor-deposition material, for example in the form of a hairpin, so that the evaporated molecules can escape from the cavity through an outlet opening (cf. US Pat. No. 2,762,722).
- the material to be evaporated is accommodated in granular form in a cylindrical container.
- the thermal heat source is located within this container, for example in the form of a perforated tube or a spiral heating wire in a vertical arrangement, so that the vaporized molecules can escape upwards through the cavity inside the tube or heating wire (cf. US-A-3 129 315 and US-A-3 153 137).
- Such an embodiment is known from the literature, for example, under the name "Drumheller device”.
- a device is also known in which the powdery vapor-deposition material is located in an exchangeable container which is arranged within a heating cylinder.
- This heating cylinder is shielded from the outside by heat shields, so that the evaporated molecules can only escape upwards and there can also be accelerated or vaporized by a second heating source in the form of a grid (cf. US Pat. No. 3,104,178).
- Devices in which the granulated evaporation material is accommodated in a hollow cylinder with a perforated inner wall and a tungsten wire is arranged in the interior of the hollow cylinder can also be switched by an additional power supply in such a way that the evaporation can be carried out not only by thermal radiation but also by electron radiation . This is said to achieve a particularly uniform vapor deposition and to better prevent unwanted ejection of unevaporated particles (cf. US Pat. No. 3,244,857).
- a device for the vapor deposition of refractory metals such as chromium
- the material to be evaporated consists of a compact rod which is mounted on a solid support and the rod and carrier are arranged within a radiant heating source, such as a hollow cylinder made of tantalum sheet metal (cf. -A-3 313 914).
- the vapor deposition material is arranged in a stationary form, regardless of whether it is accommodated in a container as powder or granules or compacted as a self-supporting solid.
- This material to be vapor-deposited is connected in a contactless manner to a radiant heating source which is also arranged in a stationary manner.
- Devices of this type with a stationary arrangement of vapor deposition material and radiant heating source can be used in conventional vacuum vapor deposition apparatus for the discontinuous vapor deposition of, in particular, high-melting compounds in the amount required for each batch, since this enables "sputter-free" vapor deposition with high kinetic energy of the vaporized molecules and high vapor deposition rate .
- Such devices are, however, not suitable for continuously operated vacuum vapor deposition systems, in which a large supply of vapor-deposition material is required, because the radiation heating source heats up more and more with increasing consumption of the vapor-deposition material must be used to allow even evaporation with unchanged vapor pressure, which leads to local overheating of the heating source and thus often to premature destruction of the same.
- a dielectric layer is first evaporated from a mixture of 3 parts by weight of Cr 2 0 3 with 1 part by weight of Si, which is heated in vacuo with the aid of a radiant heating source heated to approximately 2000 ° C., but occurs after the required further increase in temperature progressive transition of the subsequent condensate into an electrically conductive layer instead.
- This device consists of the vapor deposition in solid form, which consists of at least one powdery inorganic compound with a melting point of> 1000 ° C or of mixtures of at least one powdery inorganic compound with a melting point of> 1000 ° C and at least one powdery element with a melting point of 1000 ° C has been produced by compression and shaping and from the thermal radiation heating source, the vapor deposition material and the thermal radiation heating source being connected without contact.
- the vapor deposition is designed as at least one, preferably porous, solid body and the solid body and / or thermal radiant heating source are arranged to be movable.
- the device according to the invention can in principle be constructed in such a way that the solid body or the thermal radiation heating source or both can be moved mechanically.
- embodiments are preferred in which only the
- the Solid body is movably arranged and the thermal radiation heating source is immovable or stationary.
- the preferably porous solids used as vapor deposition material in the device according to the invention can be of any shape and size. They are advantageously designed as hollow bodies.
- the weight is used as a guideline for the size and can generally be in the range from about 10 to 100 g.
- the size of the pores present must be at least in the region of the light wavelength for the penetration of the photons from the radiant heating source, and the surface generating the steam must be large enough to ensure uniform evaporation with a high evaporation rate.
- the porous solids must also be sufficiently stable so that they can be easily handled even with continuous replenishment.
- the porous solids can be produced from the powdery starting materials by any known molding process.
- powders or powder mixtures can be mixed together with a temporary binder or dispersed in a solvent.
- the shaping can be carried out by customary known measures, for example by die pressing, isostatic pressing, injection molding, extrusion molding or slip molding at room temperature or elevated temperature.
- the porous solids are advantageously subjected to a thermal treatment by heating to at least 500 ° C. The thermal treatment can achieve additional solidification of the porous solids and virtually complete degassing thereof.
- This additional solidification of the vapor-deposition material avoids the undesired "spitting" or jumping around of individual solid particles during the vapor deposition process, which is frequently observed with a vapor-deposition material consisting of loose powder or granules.
- the degassing of the evaporation material is particularly easy in the case of continuous refilling Magazine advantageous. This prevents the vapor-deposition material from degassing during the vapor deposition process, which can lead to premature destruction of the photon source by conversion into volatile oxygen compounds.
- a known heating source can be used as the thermal radiation heating source for generating the photons, which heating source consists, for example, of a high-melting wire or rod and which is preferably designed with little induction. Examples of these are meandering or bifilar wound radiators made of tungsten.
- the device according to the invention preferably with a movable arrangement of the vapor deposition material consisting of porous solid bodies, enables the relatively simple construction of vapor deposition devices which are suitable for the continuous vaporization of several 1000 grams of high-melting compounds.
- the material to be vapor-deposited can be designed, for example, as a porous hollow body which is arranged in a holding device which is designed as a hollow chamber with openings and which at the same time serves as radiation protection.
- the radiant heating source is arranged inside the hollow body and connected to it without contact.
- magazines are attached to the hollow chamber to replenish the vapor-deposited material, it can be moved mechanically in any direction or by gravity alone.
- the vapor deposition is g ut formed in the shape of hollow cylinders, such as sleeves or rings which are contact-connected to a coaxial heating coil immersed.
- the hollow cylinders are housed in a sleeve made of steel or other high-melting material, which serves as a holding device.
- the sleeve is movably arranged so that it be together with the hollow cylinders during the vapor deposition process can be moved.
- the hollow cylinders can, however, also be arranged so that they can move in a permanently mounted support sleeve, so that they can be moved alone during the vapor deposition process.
- the heat load on the carrier sleeve is relatively low, since the material to be vapor-deposited itself at least partially acts as a heat insulator.
- the movable arrangement of the hollow cylinders with or without a holding device with the heating coil arranged so as to be immovable ensures that during the vapor deposition process, unused vapor-deposition material is continuously supplied and thereby local overheating of the heating coil is avoided.
- the vapor deposition material is designed as a solid body, which is connected to a radiant heating source from outside without contact.
- This solid body is movably arranged on a support and is progressively hollowed out or drilled out by the radiant heating source itself by evaporation in the course of the vapor deposition process.
- the radiation heat source can be designed with preferably increased radiation emission at the tip, which can be achieved, for example, by denser winding of a tungsten spiral used as a heat source or tapering of the latter, for example by electrolytic polishing.
- the solid body can be provided with notches on its surface, which is connected in a contactless manner to a heating spiral immersed in these notches. In this case too, it is ensured that, by pushing the solid body in the direction of the immovably arranged heating source, unused evaporation material is continuously supplied.
- the surface of the radiant heater should not be, or should not be significantly smaller than, the apparent surface of the irradiated part of the vapor-deposition material, particularly if vapor-deposition products with low volatility, such as the oxides of cerium or titanium are used.
- the high temperature of the photon-emitting heating source also favors the in-situ, that is, the generation of high-melting, partly previously unknown chemical compounds from various solidified powder mixtures only in the course of the vapor deposition process.
- the desired reaction product silicon monoxide can already be evaporated intensively at temperatures of less than 1000 ° C. of the vapor-deposited material due to the heat of reaction that arises.
- Mixtures of powders of high-melting, volatile oxygen-producing elements, such as B, Cr, Fe, Ge, Mo, Nb and Si, with compounds which give off oxygen when heated in vacuo, such as various oxygen compounds of Co, Cr, Fe and Si, are suitable for producing a large one Number of different coatings previously unknown in continuous evaporation technology and especially in band evaporation technology.
- Mixtures of Si and Cr 2 0 3 can thus homogeneous, electrically conductive glasses are vapor-deposited, although thin layers consisting of such glasses could previously only be achieved after the mixtures had been melted in inert gas and subsequent sputtering of the solidified melt using the complex cathode sputtering.
- the sleeve and cylinder shape of the preferably porous solid body which is favorable for series production, is permitted their advantageous use as Aufdampfgut in additional I l with electron beam guns equipped coaters.
- the cylinder or cylinders can be mounted on a rotatable shaft or roller which is preferably provided with a heating device for degassing. By slowly rotating the device, the material to be deposited is evaporated uniformly by means of photon and electron bombardment.
- a cylinder from the outside can also be bombarded with electrons and vaporized, for example by applying a voltage between a cathode consisting of a tungsten spiral and a simultaneous photon source and an anode and a simultaneous radiation protection plate, and the cavity-shaped one Evaporated material is evaporated by the combined action of electrons and photons.
- a cathode consisting of a tungsten spiral and a simultaneous photon source and an anode and a simultaneous radiation protection plate
- the cavity-shaped one Evaporated material is evaporated by the combined action of electrons and photons.
- the devices according to the invention with a movable arrangement of the vapor-deposition material consisting of porous solids and an immovable arrangement of the thermal radiant heating source are particularly suitable for use in continuously operated strip steaming systems, since it can also be used to uniformly vaporize wide substrates, for example made of plastic or paper foils, over their entire width.
- the uniformity can be further increased by means of a double vapor deposition process, by first vapor deposition of a substrate consisting of a high-melting metal or such a compound and the condensed layer in a separate vapor deposition process which takes place in the same vacuum system or by conventional methods (electron bombardment, photon radiation or resistance heating) to the second, i.e. final, for example wise film-shaped substrate is transferred.
- a double vapor deposition process by first vapor deposition of a substrate consisting of a high-melting metal or such a compound and the condensed layer in a separate vapor deposition process which takes place in the same vacuum system or by conventional methods (electron bombardment, photon radiation or resistance heating) to the second, i.e. final, for example wise film-shaped substrate is transferred.
- a steel or molybdenum strip which is attached to a slowly rotating roller and is vapor-coated with a layer of SiO that is not quite uniform, is reheated during the rotation, at a time when it is parallel and close to the guide roller of the Plastic film is located, so part of the condensed SiO layer can be transferred to the plastic film completely evenly, because the non-uniformities in the SiO layer thickness that are produced on the metal strip are very small compared to the distance between the metal strip and guide roller.
- FIG. 3 shows an embodiment in which the radiant heating source 5 is also supported at the end, that is to say at the bottom, by a bottom 3a made of sintered ceramic with a support pin 3b.
- the steel sleeve 2 can move smoothly around this fixed floor 3a thanks to a small game 3c.
- the vapor deposition apparatus in the B edampfungsstrom can also use the steel sleeve 2 and the bottom 3 be immovably mounted, only the Aufdampfgutringe so 1a to 1f according to consumption moved solely by the force of gravity will be. It is advantageous here to apply a sliding layer 2a between the vapor deposition rings 1a to 1f and the steel sleeve 2.
- 1 to 3 can also be operated vertically.
- FIG. 5 shows an embodiment which can be used horizontally and vertically.
- a radiant heating source 5a is immersed in the tube 2, which is double-meandering in shape, as shown in FIG. 6 in perspective.
- a stamp 10 ensures replenishment in the direction of arrow 10a.
- a cooling device 11 cools before the air intake.
- this device When this device is used in a continuous vapor deposition system, which is operated under a pressure of 0.0133 Pa and heating the steel heating source 5a by resistance heating to about 1800 ° C., the material to be evaporated begins to evaporate in the indentations 9 of the solid body 1a with the formation of steam, that escapes upwards.
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Abstract
Description
- Es ist bekannt, daß mit Hilfe der aufwendigen Kathodenzerstäubung eine große Zahl auch hochschmelzender Verbindungen langsam, das heißt in einem viele Stunden dauernden Vorgang kontinuierlich in beispielsweise Bandbestäubungsanlagen aufkondensiert werden können.
- Bisher ist jedoch keine Bandbedampfungsanlage bekannt, in welcher einfache chemische Verbindungen und insbesondere hochschmelzende, anorganische Verbindungen, wie Zinksulfid, Siliciumnitrid, Titandioxid, Siliciummonoxid, Chromoxid und elektrisch leitende oder nicht-leitende Silicatgläser porenfrei und mit der erforderlichen hohen Geschwindigkeit aufgedampft werden können. Zwar gibt es viele Arten von Aufdampfquellen, die entweder das geschmolzene oder noch feste Aufdampfgut aufzudampfen in der Lage sind, jedoch ist die Aufdampfrate infolge der geringen und häufig stark entgasenden, Dampf abgebenden Oberfläche des Aufdampfgutes gering, das heißt, die Aufdampfrate reicht zum kontinuierlichen Bedampfen in großtechnischem Maßstab, bei dem Geschwindigkeiten von bis zu 10 Laufmeter/Sekunde und mehr erforderlich sind, bei weitem nicht aus. Darüberhinaus werden die Verdampferschiffchen, die üblicherweise zur Aufnahme des Aufdampfgutes verwendet werden, durch Kontaktkorrosion rasch zerstört. So war es bisher nicht möglich, eine einzige Filmrolle von 10 000 Lfm mit einer zusammenhängenden und porenfreien Schicht einer Verbindung, beispielsweise Siliciummonoxid, zu bedampfen.
- Nicht besser liegen die Verhältnisse bei dem aufwandreichen Elektronenstrahl-Aufdampfverfahren, welches bisher aufgrund der bekannten Cavitations- bzw. Implosionseffekte ebenfalls nur zum diskontinuierlichen Aufdampfen von beispielsweise Siliciummonoxid, eingesetzt werden konnte. Auch mit Hilfe eines Hochleistungslasers als Energiequelle in einer Vorrichtung,bei welcher aus einem kalten Tiegel heraus verdampft wird und somit Tiegelreaktionen vermieden werden, können beispielsweise Siliciumdioxidschichten nur diskontinuierlich hergestellt werden (vgl. DE-A-16 21 306).
- Ein weiterer erheblicher Nachteil der bisher bekannten Aufdampfgüter und Aufdampfvorrichtungen für insbesondere hochschmelzende Verbindungen ist die oft unzureichende Qualität der kondensierten Schichten. Diese sind nicht nur porenreich, sondern meistens auch ungenügend dicht und ebenso ungenügend haftfest, da die verdampften Moleküle im besten Falle mit der geringen, nur der Aufdampftemperatur entsprechenden kinetischen Energie auf der Folie oder auf einem anderen Substrat auftreffen. Deshalb war es bisher häufig notwendig, kondensierte Schichten von beispielsweise Siliciummonoxid oder Siliciumdioxid mit Hilfe einer zusätzlich aufkondensierten Schicht von beispielsweise einer in einer Glimmentladung aufpolymerisierten, ebenfalls Silicium enthaltenden Verbindung zu imprägnieren und zu verfestigen. Darüberhinaus kann auch bei sorgfältigem Aufdampfen aus widerstandsbeheizten Verdampferschiffchen das Entstehen von Pünktchen, die durch das Erwärmen des Aufdampfgutes auf der Rückseite als Folge von katapultierten Feinstkörnchen entstehen, nur bei geringsten Aufdampfraten und mit Hilfe von Mehrfachaufdampfkammern vermieden werden. Schließlich gestatten die bekannten Aufdampfgüter und Aufdampfvorrichtungen infolge der durch die geringe Aufdampfrate bedingten geringen Schichtbildungsgeschwindigkeit und der dadurch begünstigten Kristallbildung nur ausnahmsweise das Aufkondensieren von röntgenamorphen Schichten, obwohl letztere beispielsweise als Gas- und Dampfdiffusion hemmende Zusatzschichten für aluminiumbedampfte Verpackungsfolien, Katalysatorgift für autoregenerative Kondensatoren, Schutzschichten für Prägefolien und andere dekorative Folien, elektronegative Abdeckung für funkenerosionsgefährdete Metallschicht-Kanten, Kondensatordielektrika und witterungsbeständige Schutzschichten für aluminiumbedampfte Radarschirme von großer Bedeutung sind.
- Bei den bekannten Vorrichtungen, die bisher zum Aufdampfen hochschmelzender Verbindungen, wie SiO oder ZnS mittels einer thermischen Strahlungsheizquelle verwendet wurden, besteht das Aufdampfgut in fester Form, beispielsweise aus Pulvern oder Granulaten, die auch unter Bildung eines selbsttragenden Blockes oder Masse kompaktiert sein können. Die thermische Heizquelle, üblicherweise ein Wolframdraht, ist dabei in einem Hohlraum innerhalb des Aufdampfgutes beispielsweise in Haarnadelform angeordnet, sodaß die verdampften Moleküle durch eine Austrittsöffnung aus dem Hohlraum entweichen können (vgl. US-A-2 762 722).
- Bei anderen Ausführungsformen ist das Aufdampfgut in granulierter Form in einem zylinderförmigen Behälter untergebracht. Innerhalb dieses Behälters befindet sich die thermische Heizquelle, beispielsweise in Form eines perforierten Rohres oder eines spiralförmigen Heizdrahtes in vertikaler Anordnung, sodaß die verdampften Moleküle durch den Hohlraum innerhalb des Rohres oder Heizdrahts nach oben entweichen können (vgl. US-A-3 129 315 und US-A-3 153 137). Eine derartige Ausführungsform ist beispielsweise unter der Bezeichnung "Drumheller-Vorrichtung" literaturbekannt.
- Bekannt ist auch eine Vorrichtung, bei welcher sich das pulverförmige Aufdampfgut in einem auswechselbaren Behälter befindet, der innerhalb eines Heizzylinders angeordnet ist. Dieser Heizzylinder ist nach außen durch Hitzeschilde abgeschirmt, sodaß die verdampften Moleküle nur nach oben entweichen und dort von einer zweiten Heizquelle in Form eines Gitters zusätzlich beschleunigt oder verdampft werden können (vgl. US-A-3 104 178).
- Vorrichtungen, bei welchen das granulierte Aufdampfgut in einem Hohlzylinder mit perforierter Innenwand untergebracht ist und ein Wolframdraht im Inneren des Hohlzylinders angeordnet ist, können durch zusätzliche Stromversorgung auch so geschaltet werden, daß die Verdampfung nicht nur durch thermische Strahlung, sondern zusätzlich durch Elektronenstrahlung vorgenommen werden kann. Dadurch soll ein besonders gleichmäßiges Aufdampfen erreicht und das unerwünschte Herausschleudern unverdampfter Teilchen besser verhindert werden können (vgl. US-A-3 244 857).
- Schließlich ist auch eine Vorrichtung zum Aufdampfen hochschmelzender Metalle, wie Chrom bekannt, bei welcher das Aufdampfgut aus einem kompakten Stab besteht, der auf einem festen Träger montiert ist und Stab und Träger innerhalb einer Strahlungsheizquelle, wie einem Hohlzylinder aus Tantalblech angeordnet sind (vgl. US-A-3 313 914).
- Bei allen diesen bekannten Vorrichtungen ist jedoch das Aufdampfgut in fester Form stationär angeordnet, unabhängig davon, ob es als Pulver oder Granulat in einem Behälter untergebracht oder kompaktiert als selbsttragender Festkörper vorliegt. Dieses Aufdampfgut ist mit einer Strahlungsheizquelle kontaktlos verbunden, die ebenfalls stationär angeordnet ist. Derartige Vorrichtungen mit stationärer Anordnung von Aufdampfgut und Strahlungsheizquelle können in üblichen Vakuumaufdampfapparaturen zum diskontinuierlichen Aufdampfen von insbesondere hochschmelzenden Verbindungen in der jeweils für eine Charge erforderlichen Menge eingesetzt werden, da hierdurch ein "Spuckerfreies" Aufdampfen mit hoher kinetischer Energie der verdampften Moleküle und hoher Aufdampfgeschwindigkeit ermöglicht wird. Für kontinuierlich betriebene Vakuumbedampfungsanlagen, in welchen ein großer Vorrat an Aufdampfgut benötigt wird, sind derartige Vorrichtungen indessen nicht geeignet, weil die Strahlungsheizquelle mit zunehmendem Verbrauch des Aufdampfguts immer stärker erhitzt werden muß um bei unverändertem Dampfdruck ein gleichmäßiges Aufdampfen zu ermöglichen.Das führt zu lokaler Überhitzung der Heizquelle und damit häufig zu einer vorzeitigen Zerstörung derselben.
- Nicht weniger nachteilig ist der Umstand, daß einige Verbindungen, wie beispielsweise Siliciumnitrid, im Vakuum beim Erhitzen in Stickstoff und elementares Silicium zerfallen und das Aufdampfen des letzteren praktisch nur nach dem Absaugen des Stickstoffes durch die Vakuumpumpen der kontinuierlichen Vakuumbedampfungsanlage beginnt. Wird hingegen Siliciumnitrid laufend der thermischen Strahlungsheizquelle zugeführt, so dampft nicht nur Silicium auf, sondern es entweicht auch gleichzeitig Stickstoff aus jenen Teilen des Aufdampfgutes, die nicht unmittelbar von der Strahlungsheizquelle bestrahlt werden, so daß das verdampfende Silicium wieder Stickstoff aufnehmen (gettern) kann.
- Auch bilden viele Pulvermischungen, die Übergangsmetalle-enthalten, beim Erhitzen im Vakuum nicht nur eine einzige, sondern mehrere Verbindungen mit unterschiedlichen Dampfdrücken, so daß die Verbindung mit dem niedrigsten Dampfdruck erst am Ende eines klassischen Aufdampfverfahrens verdampft und als Ergebnis eine nicht homogene kondensierte Schicht ergibt. So wird beispielsweise aus einer Mischung von 3 Gewichtsteilen Cr203 mit 1 Gewichtsteil Si, welche im Vakuum mit Hilfe einer auf etwa 2000°C erwärmten Strahlungsheizquelle erhitzt wird, zuerst eine dielektrische Schicht aufgedampft, doch findet nach der erforderlichen weiteren Erhöhung der Temperatur ein progressiver Übergang des anschließend entstandenen Kondensats in eine elektrisch leitende Schicht statt. Wird hingegen dieselbe Schicht kontinuierlich aufgedampft, mit Hilfe einer auf etwa 2000*C erwärmten Strahlungsheizquelle der das Aufdampfgut mit gleichbleibender Geschwindigkeit zugeführt wird, so erhält man ein homogenes, elektrisch leitendes Glas als auf die Folie oder dergleichen aufkondensierte Schicht.
- Es stellt sich somit die Aufgabe, eine Vorrichtung für das Aufdampfen von hochschmelzenden anorganischen Verbindungen mittels einer Photonen erzeugenden thermischen Strahlungsheizquelle, in kontinuierlich betriebenen Vakuumbedampfungs- anlagen zur Verfügung zu stellen, die ein gleichmäßiges "Spuckerfreies" Aufdampfen der hochschmelzenden Verbindungen auf beliebige Substrate aus einem großen Aufdampfgutvorrat ermöglicht, ohne daß die thermische Heizquelle durch lokale Überhitzung vorzeitig zerstört wird.
- Diese Vorrichtung besteht aus dem Aufdampfgut in fester Form, das aus mindestens einer pulverförmigen anorganischen Verbindung mit einem Schmelzpunkt von > 1000°C oder aus Gemischen von mindestens einer pulverförmigen anorganischen Verbindung mit einem Schmelzpunkt von > 1000°C und mindestens einem pulverförmigen Element mit einem Schmelzpunkt von 1000°C durch Verdichten und Formgebung hergestellt worden ist und aus der thermischen Strahlungsheizquelle, wobei Aufdampfgut und thermische Strahlungsheizquelle kontaktlos verbunden sind.
- Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Aufdampfgut als mindestens ein, vorzugsweise poröser Festkörper ausgebildet ist und Festkörper und/oder thermische Strahlungsheizquelle beweglich angeordnet sind.
- Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann grundsätzlich so aufgebaut sein, daß der Festkörper oder die thermische Strahlungsheizquelle oder beide mechanisch bewegt werden können. Aus Gründen des einfacheren Aufbaus der Vorrichtung sind jedoch Ausführungsformen bevorzugt, in welchen nur der
- Festkörper beweglich angeordnet ist und die thermische Strahlungsheizquelle unbeweglich oder stationär angeordnet ist. Die in der erfundungsgemaßen Vorrichtung als Aufdampfgut verwendeten, vorzugsweise porösen Festkörper können von beliebiger Form und Größe sein. Vorteilhaft sind sie als Hohlkörper ausgebildet. Als Anhaltspunkt für die Größe dient das Gewicht, das im allgemeinen im Bereich von etwa 10 bis 100 g liegen kann. Die Größe der vorhandenen Poren muß mindestens im Bereich der Lichtwellenlänge liegen für das Eindringen der Photonen aus der Strahlungsheizquelle, und die Dampf erzeugende Oberfläche muß ausreichend groß sein, um das gleichmäßige Aufdampfen mit hoher Aufdampfrate zu gewährleisten. Die porösen Festkörper müssen außerdem genügend standfest sein, damit sie auch bei kontinuierlichem Nachschub leicht gehandhabt werden können.
- Die porösen Festkörper können aus den pulverförmigen Ausgangsmaterialien nach beliebigen bekannten Formgebungsverfahren hergestellt werden. Für die Formgebung können Pulver oder Pulvergemische zusammen mit einem temporären Bindemittel vermischt oder in einem Lösungsmittel dispergiert werden. Die Mitverwendung des temporären Bindemittels ist jedoch nicht unbedingt erforderlich. Die Formgebung kann durch übliche bekannte Maßnahmen, beispielsweise durch Gesenkpressen, isostatisches Pressen, Spritzgießen, Strangpressen oder Schlikkergießen bei Raumtemperatur oder erhöhter Temperatur vorgenommen werden. Nach der Formgebung werden die porösen Festkörper vorteilhaft einer thermischen Behandlung durch Erhitzen auf mindestens 500°C unterzogen. Durch die thermische Behandlung kann eine zusätzliche Verfestigung der porösen Festkörper und eine praktisch vollständige Entgasung derselben erreicht werden. Durch diese zusätzliche Verfestigung des Aufdampfgutes, worunter ein festeres Zusammenbacken oder sogar Sintern zu verstehen ist, wird das unerwünschte "Spucken" oder Herumspringen einzelner Feststoffteilchen während des Aufdampfvorgangs vermieden, das bei einem aus losem Pulver oder Granulat bestehendem Aufdampfgut häufig zu beobachten ist. Die Entgasung des Aufdampfgutes ist insbesondere bei kontinuierlichem Nachfüttern aus einem Magazin vorteilhaft. Hierdurch wird verhindert, daß das-Aufdampfgut während des Aufdampfvorgangs entgast, was zu einer vorzeitigen Zerstörung der Photonen-Quelle durch Umwandlung in flüchtige Sauerstoffverbindungen führen kann.
- Als thermische Strahlungsheizquelle zum Erzeugen der Photonen kann eine bekannte Heizquelle verwendet werden, die beispielsweise aus einem hochschmelzenden Draht oder Stab besteht und die vorzugsweise induktionsarm ausgebildet ist. Beispiele hierfür sind in Mäanderform oder bifilar gewickelte Strahlungsheizkörper aus Wolfram.
- Die erfindungsgemäße Vorrichtung mit vorzugsweise beweglicher Anordnung des aus porösen Festkörpern bestehenden Aufdampfgutes ermöglicht den verhältnismäßig einfachen Aufbau von Aufdampfvorrichtungen, die zum kontinuierlichen Verdampfen von mehreren 1000 Gramm hochschmelzender Verbindungen geeignet sind. Das Aufdampfgut kann beispielsweise als poröser Hohlkörper ausgebildet sein, der in einer Haltevorrichtung angeordnet ist, die als Hohlkammer mit Öffnungen ausgebildet ist und die gleichzeitig als Strahlungsschutz dient. Die Strahlungsheizquelle ist innerhalb des Hohlkörpers angeordnet und mit diesem kontaktlos verbunden.
- Werden an der Hohlkammer Magazine zum Nachfüttern des Aufdampfgutes angebracht, so kann dieses in beliebiger Richtung mechanisch oder allein durch die Schwerkraft bewegt werden.
- Wird das Aufdampfgut nicht allein, sondern auf Trägern, die beispielsweise aus SiC-Plättchen bestehen, nachgefüttert, so können die Träger anschließend aus der Hohlkammer in entleertem oder teil-entleertem Zustand ausgestoßen werden. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist das Aufdampf- gut in Form von Hohlzylindern, wie Hülsen oder Ringen ausgebildet, die kontaktlos mit einer koaxial eintauchenden Heizspirale verbunden sind. Die Hohlzylinder sind in einer Hülse aus Stahl oder anderem hochschmelzendem Material untergebracht, die als Haltevorrichtung dient. Die Hülse ist beweglich angeordnet, sodaß sie während des Aufdampfvorganges zusammen mit den Hohlzylindern bewegt werden kann. Die Hohlzylinder konnen jedoch auch in einer festmontierten Tragerhulse beweglich angeordnet sein, sodaß sie wahrend des Aufdampfvorganges allein bewegt werden können. Hierbei ist die Warmebelastung der Tragerhulse verhältnismäßig gering, da das Aufdampfgut selbst mindestens teilweise als Wärmeisolator wirkt.
- Durch die bewegliche Anordnung der Hohlzylinder mit oder ohne Haltevorrichtung bei unbeweglich angeordneter Heizspirale ist sichergestellt, daß während des Aufdampfvorganges unverbrauchtes Aufdampfgut kontinuierlich nachgeliefert wird und dadurch eine lokale Überhitzung der Heizspirale vermieden wird.
- Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist das Aufdampfgut als Vollkörper ausgebildet, der kontaktlos von außen mit einer Strahlungsheizquelle verbunden ist. Dieser Vollkörper ist beweglich auf einem Träger angeordnet und wird in situ, das heißt im Laufe des Aufdampfvorganges von der Strahlungsheizquelle selbst durch Verdampfen progressiv ausgehöhlt oder aufgebohrt. Zur Erleichterung des allein durch Strahlungseinwirkung eintretenden Vorgangs kann die Strahlungsheizquelle mit vorzugsweise erhöhter Strahlenabgabe an der Spitze ausgebildet sein, die beispielsweise durch dichtere Wicklung einer als Heizquelle eingesetzten Wolframspirale oder Verjüngen der letzteren beispielsweise durch elektrolytisches Polieren erreicht werden kann. Zusätzlich kann der Vollkörper an seiner Oberfläche mit Einkerbungen versehen sein, der kontaktlos mit einer in diese Einkerbungen eintauchenden Heizspirale verbunden ist. Auch in diesem Falle ist sichergestellt, daß durch Nachschieben des Vollkörpers in Richtung der unbeweglich angeordneten Heizquelle unverbrauchtes Aufdampfgut kontinuierlich nachgeliefert wird.
- Ein weiterer wichtiger Beitrag zur Erzielung der gewünschten großen verdampfenden Oberfläche des Aufdampfgutes ergibt sich aus der bevorzugten Porosität des Festkörpers. Dadurch entsteht eine die scheinbare Oberflache erheblich übertreffende effektive Oberfläche, welche viele kleine, zum Einfangen der Photonen besonders gut geeignete hohlraumförmige Vertiefungen aufweist. Dadurch werden aber die Anforderungen an die Strahlungsheizkörper besonders groß und damit diese die erforderliche hohe Strahlungsdichte auch leisten können, soll die Oberfläche des Strahlungsheizkörpers nicht oder nicht erheblich kleiner sein als die scheinbare Oberfläche des bestrahlten Teiles des Aufdampfgutes, insbesondere wenn Aufdampfgüter mit geringer Flüchtigkeit, wie die Oxide von Cerium oder Titan eingesetzt werden.
- Die hohe Temperatur der photonenabstrahlenden Heizquelle begünstigt auch das in situ, das heißt erst im Laufe des Aufdampfprozesses erfolgte Erzeugen von hochschmelzenden, zum Teil bisher unbekannten chemischen Verbindungen aus verschiedenen verfestigten Pulvermischungen. So kann beispielsweise aus den bekannten Mischungen von Silicium mit Siliciumdioxid (hochdisperse Kieselsäure) das gewünschte Reaktionsprodukt Siliciummonoxid infolge der entstehenden Reaktionswärme bereits bei Temperaturen von weniger als 1000°C des Aufdampfgutes intensiv aufgedampft werden. Mischungen von Pulvern hochschmelzender, flüchtige Sauerstoffverbindungen erzeugender Elemente, wie B, Cr, Fe, Ge, Mo, Nb und Si mit beim Erhitzen in Vakuum Sauerstoff abgebenden Verbindungen, wie verschiedene Sauerstoffverbindungen von Co, Cr, Fe und Si eignen sich zur Herstellung einer großen Anzahl von verschiedenen, in der kontinuierlichen Aufdampftechnik und insbesondere in der Bandbedampfungstechnik bisher unbekannten Beschichtungen. Aus Mischungen von Si und Cr203 können somit homogene, elektrisch leitende Gläser aufgedampft werden, obwohl aus solchen Gläsern bestehende dünne Schichten bisher nur nach Schmelzen der Mischungen in inertem Gas und nachfolgendes Aufstäuben der erstarrten Schmelze mit Hilfe der aufwendigen Kathodenzerstäubung erzielt werden konnten.
- Ein reaktives: Aufdampfen, wie die Umwandlung von Siliciummonoxid in Siliciumdioxid kann beispielsweise wie folgt durchgeführt werden: Aus einem hohlraumförmigen, mit in diesem kontaktlos eingetauchter Heizquelle erhitzten Aufdampfgut wird im Hochvakuum Siliciummonoxid verdampft. Sobald der aus dem Hohlraum herausströmende SiO-Dampf die erwünschte Intensität erreicht, wird in die Vakuumanlage Sauerstoff vom erforderlichen Partialdruck, beispielsweise ungefähr 4,0 Pa eingelassen. Da der Partialdruck des Sauerstoffs viel niedriger ist, als der Dampfdruck des aus dem hohlraumförmigen Aufdampfgut strömenden SiO-Dampfes, kann der Sauerstoff, die aus beispielsweise Wolfram bestehende Heizquelle nicht angreifen. Es wird dementsprechend das kontinuierliche reaktive Aufdampfen ermöglicht, um so mehr, als die Heizquelle vom SiO-Dampf nicht merkbar korrodiert wird.
- Bei bestimmten Anwendungen, beispielsweise bei gleichzeitigem Aufdampfen mehrerer Schichten in einer Bandbedampfungsanlage, kann es vorteilhaft sein, einzelne Heizquellen in horizontaler oder schräger Lage anzuordnen. Damit in solchen Fällen das Aufdampfgut sicher gehalten oder geführt wird und nicht einzelne seiner Teile auf die Heizquelle fallen, ist die Möglichkeit vorgesehen, das Aufdampfgut auf einen Träger beweglich anzuordnen oder beide so zu verbinden, daß Aufdampfgut und Träger gemeinsam bewegt werden können.
- Die für die serienmäßige Herstellung günstige Hülsen- und Zylinderform des vorzugsweise porösen Festkörpers gestattet auch ihre vorteilhafte Anwendung als Aufdampfgut in zusätz- lich mit Elektronenstrahlkanonen ausgerüsteten Aufdampfanlagen. So können beispielsweise der oder die Zylinder auf eine drehbare, zwecks Entgasen vorzugsweise mit einer Heizvorrichtung versehene Achse oder Walze montiert werden. Durch langsames Rotieren der Vorrichtung wird das Aufdampfgut gleichmäßig durch Photonen- und Elektronenbeschuß abgedampft. Nicht nur ein Zylinder von außen, sondern auch ein Hohlkörper von innen kann zusätzlich mit Elektronen beschossen und verdampft werden, in dem beispielsweise zwischen einer aus einer Wolframspirale bestehenden Kathode und gleichzeitiger Photonen-quelle und einer Anode und gleichzeitigem Strahlungsschutzblech eine entsprechende Spannung gelegt und das hohlraumförmige Aufdampfgut durch die kombinierte Wirkung von Elektronen und Photonen verdampft wird. Erfahrungsgemäß werden bogenförmige Entladungen bereits durch das intensiv vor sich gehende Verdampfen verhindert, sonst können solche mit bekannten Mitteln, wie beispielsweise Magnetfeldern verhindert werden.
- Die erfindungsgemäßen Vorrichtungen mit beweglicher Anordnung des aus porösen Festkörpern bestehenden Aufdampfgutes und unbeweglicher Anordnung der thermischen Strahlungsheizquelle sind insbesondere für den Einsatz in kontinuierlich betriebenen Bandbedampfungsanlagen geeignet, da hiermit auch breite, beispielsweise aus Kunststoff oder Papierfolien bestehende Substrate auf ihrer ganzen Breite gleichmäßig bedampft werden können.
- Darüberhinaus kann die Gleichmäßigkeit durch ein doppeltes Aufdampfverfahren weiter gesteigert werden, indem zuerst ein aus einem hochschmelzenden Metall oder einer solchen Verbindung bestehendes Substrat bedampft und die kondensierte Schicht in einem getrennten oder noch in derselben Vakuumanlage erfolgenden Aufdampfverfahren durch konventionelle Methoden (Elektronenbeschuß,Photonenbestrahlung oder Widerstandserwärmung) auf das zweite, also endgültige, beispielsweise folienförmige Substrat übertragen wird. Wird beispielsweise ein Stahl- oder Molybdänband, welches auf einer langsam rotierenden Walze befestigt ist und mit einer nicht ganz gleichmäßigen SiO-Schicht bedampft wird, während des Rotierens erneut erhitzt und zwar zu einem Zeitpunkt, da es sich parallel und in der Nähe der Leitwalze der Kunststoff-Folie befindet, so kann ein Teil der aufkondensierten SiO-Schicht vollkommen gleichmäßig auf die Kunststoff-Folie übertragen werden, denn die auf dem Metallband entstandenen Ungleichmäßigkeiten der SiO-Schichtdicke sind sehr klein im Vergleich zum Abstand Metallband-Leitwalze. Eine Voraussetzung der erwünschten, bisher nur mit Hilfe der aufwendigen und langsamen Kathodenzerstäubung erzielbaren gleichmäßigen Folienbeschichtung ist allerdings, daß der erste Träger, das heißt das Metallband im beschriebenen Fall, sehr gleichmäßig erwärmt wird und seine Abmessungen so gewählt sind, daß es -;um ein Absinken der Schichtdicke am Rande der Folie zu vermeiden - diese etwas überragt. Bei diesem neuen zweistufigen "Destillierverfahren" tritt also anstelle der chemischen eine physikalische Veredelung ein, die sich vorzüglich zur Herstellung von im Bandbedampfungsverfahren bisher nicht bekannten Produkten eignet. Das Verfahren kann mit einem konventionellen Metallisieren kombiniert werden und es können auch gleichzeitig mehrere veredelte Schichten auf dasselbe endgültige Substrat übertragen werden. Dementsprechend können neue, auf Kunststoff-Folien aufkondensierte Interferenzfilter, Dekorationsfolien, Prägefolien, in welchen die gesamte Beschichtung in einem einzigen Arbeitsgang bis und inklusive der Metallschicht aufgedampft und somit die mit verschiedenen Nachteilen behaftete, farbige oder ungefärbte organische Lackschicht durch eine bedeutend bessere und billigere, keine umweltfeindliche Lösungsmittel benötigende, anorganische Schicht ersetzt werden kann, erzeugt werden. Es ist somit möglich, einen altbekannten Effekt mit neuen und entschieden einfacheren Mitteln zu erzeugen.
- Eine unerwünschte chemische Reaktion der übertragenen Schicht mit dem Überträger tritt praktisch nicht ein, da die aus den Pulvermischungen gebildeten Reaktionsprodukte im allgemeinen weniger korrosiv sind, als die Bestandteile der Pulvermischungen selbst; außerdem bilden die auf dem Überträger kondensierten Schichten einen hervorragenden Kontakt mit diesem und können dementsprechend leicht erwärmt werden.
- Der Gegenstand der Erfindung wird anhand der Figuren 1 bis 7 näher erläutert.
- Fig. 1 zeigt eine erste Ausführungsform der Vorrichtung im Längsschnitt, horizontal arbeitend, bei Arbeitsbeginn;
- Fig. 2 zeigt die Vorrichtung nach Fig. 1 in einer Zwischenarbeitsstellung;
- Fig. 3 zeigt eine andere Ausführungsform im Längsschnitt, horizontal arbeitend;
- Fig. 4 zeigt eine Ausführungsform im Längsschnitt, vertikal arbeitend;
- Fig. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform im Längsschnitt, vertikal arbeitend dargestellt;
- Fig. 6 zeigt in Perspektive und schematisch die Strahlungsheizquelle von Fig. 5;
- Fig. 7 zeigt die Anordnung von erfindungsgemäßen Vorrichtungen in einer kontinuierlich betriebenen Bedampfungsanlage für ein doppeltes Aufdampfverfahren in schematischer Darstellung.
- Zu Figur 1 und 2:
- In der waagrechten Stahlhülse 2 von 200 mm Länge, einem Außendurchmesser von 50 mm und einem Innendurchmesser von 46 mm, die an einem Ende durch den angeschweißten Stahlboden 3 verschlossen ist, sind die porösen Aufdampfgutringe 1a bis 1f, die durch Verpressen von Pulvergemischen aus einem Gew.-Tl. Si + 2 Gew.-Tl. Si02 hergestellt wurden, nebeneinander angeordnet (Fig. 1). Zur Entgasung des Aufdampfgutes wurde die Stahlhülse samt Inhalt einige Minuten unter Luftzutritt auf 500°C erhitzt, bevor sie in einer zweiten Stahlhülse, die als Trägerhülse 4 dient, beweglich angeordnet wird, so, daß sie in Pfeilrichtung 6 mechanisch bewegt werden kann. Als Strahlungsheizquelle 5 dient ein Wolframdraht von 3 mm Durchmesser und 2000 mm Länge, der bifilar in enger-Wicklung zu einer Spirale mit einem Innendurchmesser von 20 mm geformt ist. Diese Spirale 5 wird durch das offene Ende der der ersten Stahlhülse 2 so eingeführt, daß sie die Aufdampfgutringe 1a bis 1f nicht berührt und etwa 10 mm vor dem Boden 3 endet und in dieser Stellung fixiert ist. Bei Einsatz dieser Vorrichtung in einer kontinuierlichen Bedampfungsanlage, die unter einem Druck von 0,0133 Pa und Erhitzen der Stahlungsheizquelle 5 durch Widerstandserwärmung auf etwa 1800°C betrieben wird, beginnt der am Boden 3 befindliche Aufdampfgutring 1a, der durch das Ende der Heizspirale 5 am stärksten erhitzt wird, zu verdampfen. Nach Verbrauch dieses Ringes 1a unter Bildung von SiO-Dampf, der durch das offene Ende der Stahlhülse 2 entweicht, wird die Stahlhülse 2 in Pfeilrichtung 6 bewegt (Fig. 2), so daß nunmehr der Aufdampfgutring 1b zu verdampfen beginnt. Durch weiteres Hineinziehen der Stahlhülse 2 in Richtung des Pfeiles 6 mit den darin angeordneten Aufdampfgutringen in die Trägerhülse 4 können somit auch die Ringe 1c bis 1f nacheinander verdampfen. Durch diese kontinuierliche Nachlieferung von unverbrauchtem Aufdampfgut bleibt die Leistung der Strahlungsheizquelle 5 und damit deren Energiebedarf praktisch unverändert. Auf diese Weise wird das Überhitzen und damit das vorzeitige Zerstören der Stahlungsheizquelle 5 wirksam verhindert. Es wurde festgestellt, daß mit dieser Ausführungsform von beweglich angeordnetem Aufdampfgut und festmontierter Strahlungsheizquelle Standzeiten für die Strahlungsheizquelle von mehr als 100 Stunden erreicht werden konnten. Zusätzlich kann die Stahlhülse 2, die mit den Aufdampfgutringen 1a bis 1f beschickt ist, während des Aufdampfvorganges gedreht werden, wodurch ein besonders gleichmäßiges Erhitzen der Innenoberfläche der Aufdampfgutringe erreicht wird.
- In Fig. 3 ist eine Ausführung gezeigt, bei welcher die Strahlungsheizquelle 5 endseitig, das heißt bodenseitig, ebenfalls abgestützt ist, und zwar durch einen Boden 3a aus Sinterkeramik mit Stützstift 3b. Um diesen ortsfesten Boden 3a herum kann sich die Stahlhülse 2 gleitend bewegen dank eines kleinen Spiels 3c.
- Bei vertikaler Anordnung gem. Fig. 4 der Aufdampfvorrichtung in der Bedampfungsanlage können auch die Stahlhülse 2 und der Boden 3 unbeweglich montiert sein, sodaß nur die Aufdampfgutringe 1a bis 1f nach Verbrauch allein durch die Schwerkraft bewegt werden. Hierbei ist es vorteilhaft, zwischen den Aufdampfgutringen 1a bis 1f und der Stahlhülse 2 eine Gleitschicht 2a anzubringen.
- Die Anordnungen nach Fig. 1 bis 3 können auch vertikal betrieben werden.
- Die Figur 5 zeigt eine Ausführung welche waagrecht und senkrecht arbeitend verwendbar ist.
- In dem aus hochschmelzendem Material hergestelltem Vierkantrohr 2 ist scheibenförmiges oder massives Aufdampfgut 1a.... usw. eingebracht.
- Am oberen bzw. vorderen Ende taucht in das Rohr 2 eine Strahlungsheizquelle 5a ein, welche doppelmäanderförmig geformt ist wie das Fig. 6 in Perspektive zeigt.
- Ein Stempel 10 sorgt für Nachschub in Richtung des Pfeils 10a.
- Eine Kühleinrichtung 11 kühlt vor dem Lufteinlassen.
- Bei Einsatz dieser Vorrichtung in einer kontinuierlichen Bedampfungsanlage, die unter einem Druck von 0,0133 Pa und Erhitzen der Stahlungsheizguelle 5a durch Widerstandserwärmung auf etwa 1800°C betrieben wird, beginnt das Aufdampfgut in den Einkerbungen 9 des Festkörpers 1a zu verdampfen unter Bildung von Dampf, der nach oben entweicht.
- Durch Nachschieben der Festkörper 1a ..... usw. in Pfeilrichtung 10a das heißt in Richtung der keilförmigen Spitzen 5b der Strah- lungsheizquelle 5a wird das Aufdampfgut durch die Strahlungswärme ebenfalls keilförmig weiter abgetragen und verdampft.
- Zu Figur 7:
- Der durch die wassergekühlten Trägerwalzen 13 und 14 im Uhrzeigersinn rotierende hülsenförmige Überträger 15 wird durch die Aufdampfvorrichtungen 12a, 12b und 12c, die erfindungsgemäß aus beweglich angeordnetem Aufdampfgut und unbeweglich angeordneter Heizquelle gemäß den vorstehend gezeigten Ausführungsformen bestehen, bedampft. Durch die Elektronenkanone 16 wird ein streng definierter Teil des thermisch gut leitenden Überträgers 15 erhitzt. Dadurch wird ein Teil der auf dem Träger 15 aufkondensierten Primär-Schicht 18 auf die Folien 20 tragende Leitwalze 17 in Strahlungsrichtung 21 übertragen. Bei ausreichender Dicke der auf dem Träger 15 kondensierten Primär-Schicht 18 wird die Dicke und die Gleichmäßigkeit der auf die Folien 20 tragende Leitwalze 17 übertragene Sekundär-Schicht 19 nur durch die Emission der Elektronenkanone 16 und den relativen Geschwindigkeiten des Überträgers 15 und der Leitwalze 17 bestimmt.
Claims (9)
dadurch gekennzeichnet,
daß das Aufdampfgut als mindestens ein Festkörper ausgebildet ist und Festkörper und/oder thermische Strahlungsheizquelle beweglich angeordnet sind.
dadurch gekennzeichnet,
daß das Aufdampfgut als mindestens ein poröser Festkörper ausgebildet ist und poröser Festkörper und/oder thermische Strahlungsheizquelle beweglich angeordnet sind.
dadurch gekennzeichnet,
daß das Aufdampfgut als mindestens ein Festkörper ausgebildet ist, der Festkörper beweglich und die thermische Strahlungsheizquelle unbeweglich angeordnet ist.
dadurch gekennzeichnet,
daß das Aufdampfgut als mindestens ein Hohlkörper ausgebildet ist, der Hohlkörper beweglich und die thermische Strahlungsheizquelle innerhalb des Hohlkörpers angeordnet ist.
dadurch gekennzeichnet,
daß das Aufdampfgut als mindestens ein poröser Hohlzylinder ausgebildet ist, der kontaktlos mit einer koaxial eintauchenden Heizspirale verbunden ist.
dadurch gekennzeichnet,
daß das Aufdampfgut als mindestens ein Vollkörper augebildet ist, der Vollkörper beweglich und die thermische Strahlungsheizquelle außerhalb des Vollkörpers unbeweglich angeordnet ist.
dadurch gekennzeichnet,
daß das Aufdampfgut als ein poröser Vollkörper mit Einkerbungen an der Oberfläche ausgebildet ist, der kontaktlos mit einer in diese Einkerbungen eintauchenden Heizspirale verbunden ist.
dadurch gekennzeichnet,
daß das Aufdampfgut auf einem Träger beweglich angeordnet oder mit einem beweglich angeordneten Träger verbunden ist derart, daß der unbeweglich angeordneten Strahlungsheizquelle kontinuierlich unverbrauchtes Aufdampfgut nachgeliefert wird.
daß ein doppeltes Aufdampfverfahren durchgeführt wird, derart,
daß zuerst ein aus einem hochschmelzenden Metallband bestehendes Substrat bedampft und die darauf kondensierte Schicht mittels einer 2. Heizquelle auf das endgültige, aus einer Folie bestehende Substrat übertragen wird.
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