EP0056671A1 - Dispositif de détection photoélectrique - Google Patents

Dispositif de détection photoélectrique Download PDF

Info

Publication number
EP0056671A1
EP0056671A1 EP82200039A EP82200039A EP0056671A1 EP 0056671 A1 EP0056671 A1 EP 0056671A1 EP 82200039 A EP82200039 A EP 82200039A EP 82200039 A EP82200039 A EP 82200039A EP 0056671 A1 EP0056671 A1 EP 0056671A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
photosensitive
photosensitive layer
substrate
detection device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP82200039A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP0056671B1 (fr
Inventor
Pierre Dolizy
Françoise Grolière
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Laboratoires dElectronique Philips SAS
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Electronique & Physique
Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Electronique & Physique, Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee, Philips Gloeilampenfabrieken NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Electronique & Physique
Publication of EP0056671A1 publication Critical patent/EP0056671A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP0056671B1 publication Critical patent/EP0056671B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode

Definitions

  • the present invention relates to a photoelectric detection device for radiation of wavelength included in a certain field, which device comprises in a vacuum envelope a photosensitive layer supported by a substrate which is transperent to the incident radiation and in addition, for optical adaptation, an intermediate layer transparent to said radiation, disposed between the photosensitive layer and the substrate, the refractive index of the material constituting the intermediate layer being between that of the substrate and that of the material of the photosensitive layer.
  • Such devices can be, for example, photoelectric cells, image intensifier tubes, image tubes integrated into television recording systems or even photomultipliers.
  • a photoelectric detection device comprises a photosensitive layer deposited directly on a substrate
  • the photoelectric detection efficiency of the device is considerably reduced. It is known to improve this efficiency by attenuating the reflection phenomena which occur at the substrate-photosensitive layer interface by means of one or more intermediate layers transparent to incident radiation placed between substrate and photosensitive layer.
  • Such a device comprising only a single intermediate layer, as according to the invention, is the subject, for example, of patent of the United States of America No. 3,254,253.
  • the intermediate layer introduced is chosen for its low absorption.
  • its optical constants and its thickness are such that, taking into account the optical constants of the substrate and the photosensitive layer, the lights reflected respectively at the substrate-intermediate layer interface and at the intermediate layer-photosensitive layer interface are. substantially the same amplitude and opposite phases, so that they tend to cancel each other out by interference.
  • Such a device considerably attenuates the losses due to reflection phenomena but does not necessarily represent the device which, constructed with layers of the same composition, would have the optimal photoemission efficiency.
  • the object of the invention is to propose a photoelectric detection device comprising a photosensitive layer supported by a substrate transparent to incident radiation with an intermediate layer also transparent, between substrate and photosensitive layer, the photoemission efficiency of said device being optimal taking into account the nature of the constituent materials of the substrate and of the photosensitive and intermediate layers respectively.
  • a device of the kind described in the preamble is characterized in that the thickness e of the photosensitive layer and the thickness e 1 of the intermediate layer are proportioned so that the absorption of photons in the wavelength considered is preferably carried out in the photosensitive layer in the vicinity of the interface of said layer with the vacuum of the device, in a thickness slice, measured from said interface, of the order of magnitude of the exhaust depth L towards the vacuum of the photoelectrons created.
  • the invention is based on theoretical expressions of the photoemission efficiency of a photoelectric detection device with or without an intermediate layer between substrate and photosensitive layer, the absorption of light in the photosensitive layer being assumed to be carried out in the photosensitive layer.
  • the materials used for the substrate have a refractive index of magnitude of the order of 1.5 to 2 and those, used for the transparent intermediate layer (k 1 ⁇ 0), a refractive index greater than that of the substrate and smaller than that of the photosensitive layer.
  • Figure 1 is a sectional view of an embodiment of a device in which the substrate consists of a disc 11 transparent to radiation on which are deposited the photosensitive layer 12 of thickness e and the intermediate layer 13 of thickness e l also transparent to radiation.
  • This stack is supposed to constitute the entrance to a photoelectric tube, the light to be detected being present on the left side of the stack in the direction of arrow 14, the vacuum of the tube 15 being on the right side.
  • the photoemission efficiency ⁇ ⁇ of such a layer is maximum in each of the domains for a certain value of the thickness e of the layer. The order of magnitude of this value appears on line 2 of Table I below depending on of the spectral domain.
  • the intermediate layer introduced between the photosensitive layer and the substrate is a layer for example of Ti0 2 with a refractive index 2.6.
  • each curve corresponds to a value of e l of the intermediate layer, this value being indicated opposite each curve.
  • the photoemission efficiency ⁇ ' ⁇ of the device is optimal in each of the spectral domains when the pairs of values of e and e 1 are those indicated in lines 4 and 5 of table I, the efficiency being for its part indicated in line 6.
  • Line 7 indicates the ratio equal to 1.3; 1.25; 1.1; in the blue, green and red spectral domains respectively.
  • the highest photoelectric gain is therefore obtained in blue light with a photocathode thickness comparable to the photosensitive layers of type S 20 of the same composition deposited directly on the substrate.
  • the photoelectric detection device according to the invention is not limited to that corresponding to thicknesses e and e 1 , the pairs of values of which are those indicated in table 1.
  • each pair of values corresponds to a variant of the invention.
  • These pairs of values appear for each of the spectral domains in Table II below.
  • the invention extends to devices for which the sum e + e 1 is equal to the values previously indicated to within 15%.
  • the invention leads to devices which are defined in a similar manner and whose sums e + e 1 are characteristic of the spectral domains considered.
  • a second embodiment of the invention consists in the use of some of the devices obtained according to the first embodiment as a photoelectric detection device in the visible and near infrared spectrum with obtaining uniformity of sensitivity in said spectrum as good. as possible.
  • the invention extends to all devices comprising on the substrate a photosensitive layer and a transparent intermediate layer (K 1 ⁇ 0) whose refractive index of the material is between that of the substrate and that of the photosensitive material.
  • the photosensitive layer is bialcaline of chemical formula Sb Ax
  • a and B are alkaline elements and x, y coefficients, if it is a question of increasing the sensitivities in blue and green or of the Sb Ax type if it is a question of increasing the sensitivity only in the blue or of the Ag 0 Cs type for the increase of the sensitivity in all the visible and near infrared spectrum of the light.
  • the material Ti0 2 of the intermediate layer is for example replaced by Ta 2 0 5 or else In 2 0 3 or Sn 0 2 (except in the presence of sodium) or SiO, MnO, Al 2 O 3 Si 3 N 4 , Mg 0 or a lanthanum glass prepared in a thin layer.
  • the thicknesses e and e 1 of the device are found to have substantially the same values as those indicated in Tables I and II, variations of 15% being authorized without significantly deviating from the optimization of the photoemission efficiency of the device.

Landscapes

  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

Le dispositif de détection photoélectrique comporte une couche photosensible (12) supportée par un substrat (11) transparent aux radiations incidentes et une couche intermédiaire (13) d'adaptation optique placée entre couche photosensible et substrat. Les épaisseurs respectives desdites couches intermédiaire et photosensible sont dimensionnées pour que l'absorption des photons s'effectue dans la couche photosensible en sortie de ladite couche dans une épaisseur de l'ordre de grandeur de la profondeur d'échappement des électrons de telle façon que le rendement de photoémission du dispositif soit optimal compte tenu de la nature des matériaux de couches.
Application à la photodétection.

Description

  • La présente invention concerne un dispositif de détection photoélectrique pour un rayonnement de longueur d'onde comprise dans un certain domaine, lequel dispositif comprend dans une enveloppe à vide une couche photosensible supportée par un substrat qui est trans- pârent au rayonnement incident et en outre, pour l'adaptation optique, une couche intermédiaire transparente audit rayonnement, disposée entre la couche photosensible et le substrat, l'indice de réfraction du matériau constitutif de la couche intermédiaire étant compris entre celui du substrat et celui du matériau de la couche photosensible.
  • De tels dispositifs peuvent être par exemple des cellules photoélectriques, des tubes intensificateurs d'image, des tubes image intégrés dans des systèmes de prise de vues de télévision ou encore des photomultiplicateurs.
  • Quand un dispositif de détection photoélectrique comporte une couche photosensible déposée directement sur un substrat, il en résulte en général une mauvaise adaptation optique de la couche photosensible sur le substrat si bien qu'une bonne partie de la lumière incidente sur le substrat est mal utilisée pour la conversion des photons en électrons. L'efficacité de détection photoélectrique du dispositif s'en trouve considérablement réduite. Il est connu d'améliorer cette efficacité en atténuant les phénomènes de réflexion qui se produisent à l'interface substrat-couche photosensible au moyen d'une ou plusieurs couches intermédiaires transparentes au rayonnement incident placées entre substrat et couche photosensible.
  • Un tel dispositif ne comportant qu'une seule couche intermédiaire, comme selon l'invention, fait l'objet par exemple du brevet des Etats-Unis d'Amérique N° 3 254 253. La couche intermédiaire introduite est choisie pour sa faible absorption. Par ailleurs, ses constantes optiques et son épaisseur sont telles que, compte tenu des constantes optiques du substrat et de la couche photosensible, les lumières réfléchies respectivement à l'interface substrat-couche intermédiaire et à l'interface couche intermédiaire-couche photosensible sont. sensiblement de même amplitude et de phases opposées, si bien qu'elles tendent à s'annuler mutuellement par interférence.
  • Un tel dispositif atténue considérablement les pertes dues aux phénomènes de réflexion mais ne représente pas nécessairement le dispositif qui, construit avec des couches de même composition, présenterait le rendement de photoémission optimal.
  • Le but de l'invention est de proposer un dispositif de détection photoélectrique comprenant une couche photosensible supportée par un substrat transparent aux radiations incidentes avec couche intermédiaire également transparente, entre substrat et couche photosensible, le rendement de photoémission dudit dispositif étant optimal compte tenu de la nature des matériaux constitutifs respectivement du substrat et des couches photosensible et intermédiaire.
  • Selon l'invention, un dispositif du genre décrit dans le préambule est caractérisé en ce que l'épaisseur e de la couche photosensible et l'épaisseur e1 de la couche intermédiaire sont proportionnées de telle sorte que l'absorption des photons du domaine de longueur d'onde considéré s'effectue préférentiellement dans la couche photosensible au voisinage de l'interface de ladite couche avec le vide du dispositif, dans une tranche d'épaisseur, mesurée à partir de ladite interface, de l'ordre de grandeur de la profondeur d'échappement L vers le vide des photoélectrons créés.
  • Pour naître, l'invention se fonde sur les expressions théoriques du rendement de photoémission d'un dispositif de détection photoélectrique avec ou sans couche intermédiaire entre substrat et couche photosensible, l'absorption de la lumière dans la couche photosensible étant supposée s'effectuer dans la couche photosensible.
  • En l'absence de couche intermédiaire, ce rendement est fonction de l'épaisseur e de la couche photosensible et de ses constantes optiques n, k (n indice de réfraction et k indice d'extinction du matériau). Son expression s'écrit :
    Figure imgb0001
    dans laquelle les symboles ont la signification suivante :
    • - x distance mesurée entre l'interface couche photosensible vide du tube (x = 0) et le lieu d'absorption des photons dans la couche ;
    • - W énergie des photoélectrons ;
    • - Aλ (n,k,x) fonction d'absorption de la radiation de longueur d'onde À dans la couche photosensible à la distance x de l'interface couche photosensible vide ;
    • - P(W,O) probabilité de sortie des photoélectrons à l'interface couche photosensible vide (x = 0), prise égale à l'unité dans les applications qui suivent ;
    • - L profondeur d'échappement des photoélectrons de la couche photosensible ;
    • - f(x,L) loi caractérisant le transport des électrons dans la couche ; e épaisseur de la couche photosensible.
  • En présence d'une couche intermédiaire d'épaisseur e1 et de constantes optiques ni, k1 (n1 indice de réfraction, k1 indice d'extinction) entre le substrat et la couche photosensible, la fonction d'absorption Aλ des photons dans la couche photosensible est fonction non seulement de n, k, x mais aussi de el, nl, k1 et l'expression donnant le rendement ρ'λ de photoémission de la structure s'écrit :
    Figure imgb0002
    Des applications numériques des expressions (1) et (2) en prenant comme loi de transport des électrons f(x,L) = e L (où e représente ici le nombre de Neper) pour quelques cas théoriques, suivies de vérifications expérimentales servent à illustrer l'invention. Les matériaux utilisés pour le substrat présentent un indice de réfraction de grandeur de l'ordre de 1,5 à 2 et ceux,utilisés pour la couche intermédiaire transparente (k1 ≠ 0), un indice de réfraction plus grand que celui du substrat et plus petit que celui de la couche photosensible.
  • L'invention est décrite ci-après plus en détail au moyen d'exemples en référence à des dessins qui représentent :
    • Figure 1 : une vue schématique en coupe du dispositif de photoémission selon l'invention.
    • Figure 2 : un réseau de courbes en coordonnée: cartésiennes indiquant le rendement de photoémission du dispositif en fonction de l'épaisseur e de la couche photosensible pour différentes valeurs e1 de la couche intermédiaire à la longueur d'onde λ = 4360 Å, le matériau photoémissif étant (Sb Na2 K, Cs) et celui de la couche intermédiaire TiO2.
    • - Figure 3 : un réseau de courbes semblables indiquant le rendement de photoémission du dispositif à la longueur d'onde λ = 5460 Å.
    • - Figure 4 : un réseau de courbes semblables indiquant le rendement de photoémission du dispositif à la longueur d'onde λ = 8000 Å.
    • - Figure 5 : un réseau de courbes indiquant la sensibilité énergétique en fonction de l'épaisseur e de couche photosensible d'un dispositif de photoémission avec et sans couche intermédiaire en TiO2 d'épaisseur e1 = 500 Å.
    • - Figure 6 : la sensibilité spectrale énergétique d'un dispositif de photoémission selon l'invention en fonction de la longueur d'onde de la lumière, avec couche intermédiaire d'épaisseur e1 = 500 Å en Ti02 et couche photoémissive d'épaisseur e = 900 Å en (Sb Na2 K, Cs), et la sensibilité de la même couche photoémissive d'épaisseur 1300 R déposée directement sur le substrat de verre (couche dite S 25).
  • La figure 1 est une vue en coupe d'une réalisation d'un dispositif dans lequel le substrat consiste en un disque 11 transparent au rayonnement sur lequel sont déposées la couche photosensible 12 d'épaisseur e et la couche intermédiaire 13 d'épaisseur el transparente également aux radiations. Cet empilement est censé constituer l'entrée d'un tube photoélectrique, la lumière à détecter se présentant du côté gauche de l'empilement dans le sens de la flèche 14, le vide du tube 15 se trouvant du côté droit.
  • Selon un premier mode de réalisation, l'invention se propose d'améliorer le rendement de photoémission d'une couche photosensible par exemple de type S 20 trialcaline de formule chimique (Sb Na2 K, Cs) déposée directement sur un substrat de verre d'indice de réfraction de l'ordre de 1,5 dans des domaines respectivement bleu, vert, rouge du spectre de la lumière centré sur les longueurs d'onde respectivement : λ = 4360 Å, λ = 5460 Å, λ = 8000 Å. Le rendement ρλ, de photoémission d'une telle couche est maximal dans chacun des domaines pour une certaine valeur de l'épaisseur e de la couche. L'ordre de grandeur de cette valeur apparaît sur la ligne 2 du tableau I ci-après en fonction du domaine spectral. Sur la ligne 3 du même tableau est indiqué le rendement de photoémission correspondant exprimé en électrons par 100 photons incidents. Selon ce premier mode de réalisation, la couche intermédiaire introduite entre la couche photosensible et le substrat est une couche par exemple en Ti02 d'indice de réfraction 2,6. Sur les figures 2, 3, 4 sont représentées en coordonnées cartésiennes les variations en fonction de l'épaisseur e de la couche photosensible, du rendement de photoémission du dispositif construit pour des lumières respectivement bleue, verte et rouge centrées sur les longueurs d'onde À respectivement : λ = 4360 Å,λ = 5460 Å,λ= 8000 Å. Sur ces figures, chaque courbe correspond à une valeur de el de la couche intermédiaire, cette valeur étant indiquée en regard de chaque courbe. Le rendement ρ'λ de photoémission du dispositif est optimal dans chacun des domaines spectraux lorsque les couples de valeurs de e et e1 sont ceux indiqués aux lignes 4 et 5 du tableau I, le rendement étant pour sa part indiqué à la ligne 6. Sur la ligne 7 on a indiqué le rapport
    Figure imgb0003
     égal à 1,3 ; 1,25 ; 1,1 ; dans les domaines spectraux respectivement bleu, vert et rouge. Le gain photoélectrique le plus important est donc obtenu en lumière bleu avec une épaisseur de photocathode comparable aux couches photosensibles de type S 20 de même composition déposée directement sur le substrat.
  • Le dispositif de détection photoélectrique selon l'invention ne se limite pas à celle correspondant à des épaisseurs e et e1 dont les couples de valeurs sont ceux indiqués sur le tableau 1.
    Figure imgb0004
  • En effet, comme il apparaît sur chacune des figures 2, 3, 4, il existe d'autres couples de valeurs pour lesquelles le rendement de photoémission est sensiblement optimal. Chaque couple de valeurs correspond à une variante de l'invention. Ces couples de valeurs apparaissent pour chacun des domaines spectraux dans le tableau II ci-après.
    Figure imgb0005
    Dans les domaines spectraux bleu et vert, les couples des valeurs se groupent dans deux ensembles correspondant chacun à une somme des épaisseurs e et e1 sensiblement constante à savoir dans le bleu e + e1 = 1450 Å et e + e1 = 700 Å et dans le vert e + e1 = 1900 Å, e + e1 = 900 Å. Dans le domaine rouge les couples des valeurs forment un ensemble pour lequel e + e1 = 1450 Å. Compte tenu de la précision des mesures, l'invention s'étend aux dispositifs pour lesquels la somme e + e1 est égale aux valeurs précédemment indiquées à 15 % près. Pour des domaines de longueurs d'onde différents, l'invention conduit à des dispositifs se définissant de manière analogue et dont les sommes e + e1 sont caractéristiques des domaines spectraux considérés.
  • Un second mode de réalisation de l'invention consiste dans l'utilisation de certains des dispositifs obtenus selon le premier mode de réalisation comme dispositif de détection photoélectrique dans le spectre visible et proche infrarouge avec obtention d'une uniformité de sensibilité dans ledit spectre aussi bonne que possible. Le dispositif choisi est par exemple celui pour lequel les matériaux de couches photosensible et intermédiaire sont respectivement (Sb Na2 K, Cs) et Ti02 avec des épaisseurs e et e1 de l'ordre e1 = 500 Å et e = 900 Å. La figure 5 représente à ce sujet trois couples de courbes répertoriés B, V, R indiquant la sensibilité énergétique, exprimée en mA par Watt de dispositifs de détection photoélectrique dans les domaines, respectivement bleu, vert, rouge du spectre en fonction de l'épaisseur de la couche photosensible, les courbes en pointillés corespondant à un dispositif avec un dépôt direct de la couche photosensible sur le substrat, les courbes en traits pleins à un dispositif avec couche photosensible déposée sur couche intermédiaire d'épaisseur e1 = 500 Å entre substrat et couche photosensible, la probabilité P(W,O) de sortie des électrons de la couche photosensible étant prise égale à 0,5 dans tous les cas. L'ensemble de ces courbes permet de comparer la sensibilité du dispositif photoélectrique selon l'invention avec celle d'une couche photosensible S 25 déposée directement sur le verre et dont l'épaisseur serait 1300 R. Ce gain photoélectrique obtenu, selon l'invention, par rapport à la couche S 25 est de l'ordre de 1,1 dans le rouge, 1,5 dans le vert, 2,5 dans le bleu. Les conséquences apparaissent sur les courbes 61 et 62 de la figure 6 représentant les variations, en fonction de la longueur d'onde λ de la lumière, de la sensibilité énergétique exprimée en mA par Watt respectivement de la couche S 25 et du dispositif selon l'invention. Par rapport à la couche S 25, la sensibilité se trouve augmentée dans le bleu et le vert et de ce fait présente une certaine uniformité.
  • Il va de soi que l'invention s'étend à tous les dispositifs comportant sur le substrat une couche photosensible et une couche intermédiaire transparente (K1 ≠ 0) dont l'indice de réfraction du matériau est compris entre celui du substrat et celui du matériau photosensible.
  • Ainsi, selon des variantes de ces modes de réalisation, la couche photosensible est bialcaline de formule chimique Sb Ax By dans laquelle A et B sont des éléments alcalins et x,y des coefficients, s'il s'agit d'accroître les sensibilités dans le bleu et le vert ou encore de type Sb Ax s'il s'agit d'accroître la sensibilité seulement dans le bleu ou encore de type Ag 0 Cs pour l'accroissement de la sensibilité dans tout le spectre visible et proche infrarouge de la lumière. Par ailleurs, le matériau Ti02 de la couche intermédiaire est par exemple remplacé par Ta205 ou encore In2 03 ou Sn 02 (sauf en cas de présence de sodium) ou SiO, MnO, Al2O3 Si3N4, Mg 0 ou encore un verre au lanthane préparé en couche mince. Lorsque les matériaux des couches photosensible et intermédiaire sont ceux précédemment indiqués, les épaisseurs e et e1 du dispositif se trouvent avoir sensiblement les mêmes valeurs que celles indiquées dans les tableaux I et II, des variations de 15 % étant autorisées sans s'écarter sensiblement de l'optimalisation du rendement de photoémission du dispositif..
  • Parmi les autres avantages présentés par les dispositifs selon l'invention, on peut noter la faiblesse des épaisseurs de couche photosensible par rapport à celles dans les dispositifs de l'art antérieur et, par ailleurs, le fait que certaines des couches intermédiaires par exemple Sn02 et In2039 en présentant une résistance électrique très faible, permettent une stabilisation du potentiel électrique à la surface de la couche photosensible favorable à son fonctionnement en photocathode.

Claims (7)

1. Dispositif de détection photoélectrique pour un rayonnement de longueur d'onde comprise dans un certain domaine, lequel dispositif comprend dans une enveloppe à vide une couche photosensible (12) supportée par un substrat (11) qui est transparent au rayonnement incident et en outre, pour l'adaptation optique, une couche intermédiaire (13) transparente audit rayonnement disposée entre la couche photosensible et le substrat, l'indice de réfraction de matériau constitutif de la couche intermédiaire étant compris entre celui du substrat et celui du matériau de la couche photosensible, caractérisé en ce que l'épaisseur e de la couche photosensible (12) et l'épaisseur e1 de la couche intermédiaire (13) sont proportionnées de telle sorte que l'absorption des photons du domaine de longueur d'onde considéré s'effectue préférentiellement dans la couche photosensible au voisinage de l'interface de ladite couche avec le vide (15) du dispositif,dans une tranche d'épaisseur, mesurée à partir de ladite interface, de l'ordre de grandeur de la profondeur d'échappement L vers le vide (15) des photoélectrons créés.
2. Dispositif de détection photoélectrique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il fait partie d'un groupe de dispositifs dont les matériaux constitutifs sont identiques de l'un à l'autre et pour lcsquels la somme e + e1 des couches est égale sensiblement à une constante dépendant du domaine de longueur d'onde considéré et desdits matériaux constitutifs.
3. Dispositif de détection photoélectrique selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le substrat (11) étant du verre d'indice de réfraction de l'ordre de 1,5, le matériau de la couche photosensible (12) étant compris dans le groupe (Sb Ax By Cs), (Sb Ax By), (Sb Ax), Ag 0 Cs, A et B étant des éléments alcalins, x et y des coefficients compris entre 0 et 3 et.le matériau de couche intermédiaire (13) pouvant être tout matériau, transparent auxdites radiations, d'indice de réfraction dont l'ordre de grandeur est compris entre 1,9 et 2,6 et compatible chimiquement avec le matériau photosensible, les valeurs des épaisseurs e et el, respectives de couche photosensible (12) et de couche intermédiaire (13) sont en fonction du domaine de détection considéré bleu, vert, rouge, centré sur la longueur d'onde respectivement : λ = 4360 8, λ = 5460 Å,λ = 8000 Å, celles indiquées dans l'une des colonnes du tableau II avec une tolérance d'au maximum de l'ordre de 15%.
4. Dispositif de détection photoélectrique selon la revendication 3, caractérisé en ce que le matériau photosensible étant compris dans le groupe Sb K2 Cs, Sb K2 Rb, Sb Rb2 Cs, Sb Cs3, Ag 0 Cs, le matériau de couche intermédiaire (13) est compris dans le groupe TiO2, Ta2O5, In2O3, Sn 02, SiO, MnO, Al2O3, Si3N4, MgO, verre au lanthane.
5. Dispositif de détection photoélectrique selon la revendication 3, caractérisé en ce que le matériau photosensible étant compris dans le groupe Sb K2 Cs, Sb Na2 K Cs, Sb K2 Rb, Sb Rb2 Cs, Sb Cs3 Ag 0 Cs, le matériau de couche intermédiaire (13) est compris dans le groupe TiO2, Ta2O5, SiO, MnO, Al2O3, MgO, Si3N4, verre au lanthane.
6. Dispositif de détection photoélectrique selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les valeurs de e et e1 sont respectivement : e1 = 500 Å et e = 900 Å avec une tolérance de l'ordre de 15 % au maximum.
7. Application du dispositif de détection photoélectrique selon la revendication 6, caractérisée en ce que ledit dispositif est utilisé pour la détection de radiations de longueurs d'onde appartenant à un large spectre visible et proche infrarouge avec une bonne uniformité de sensibilité énergétique spectrale.
EP82200039A 1981-01-21 1982-01-14 Dispositif de détection photoélectrique Expired EP0056671B1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8101039 1981-01-21
FR8101039A FR2498321A1 (fr) 1981-01-21 1981-01-21 Structure de detection photoelectrique

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0056671A1 true EP0056671A1 (fr) 1982-07-28
EP0056671B1 EP0056671B1 (fr) 1987-08-26

Family

ID=9254354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP82200039A Expired EP0056671B1 (fr) 1981-01-21 1982-01-14 Dispositif de détection photoélectrique

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4490605A (fr)
EP (1) EP0056671B1 (fr)
JP (1) JPS57142521A (fr)
DE (1) DE3277100D1 (fr)
FR (1) FR2498321A1 (fr)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011058480A1 (fr) 2009-11-11 2011-05-19 Pirelli Tyre S.P.A. Procédé de commande de formation de fente dans une couche d'étanchéité d'un pneu durant un processus de fabrication de pneus auto-vulcanisants pour roues de véhicule et processus de fabrication de pneus auto- vulcanisants pour roues de véhicule
US8815136B2 (en) 2009-11-27 2014-08-26 Meus S.R.L. Method for the production of bodies in plastic material comprising at least two portions hinged to each other by a single rotation pin

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2515870A1 (fr) * 1981-11-04 1983-05-06 Labo Electronique Physique Photocathode pour entree de tube electronique comportant un dispositif semi-conducteur avec photo-emission par transmission
JPH08280276A (ja) * 1995-04-11 1996-10-29 Taishiyoo:Kk 水田用給水装置
JP4926504B2 (ja) * 2006-03-08 2012-05-09 浜松ホトニクス株式会社 光電面、それを備える電子管及び光電面の製造方法
JP5342769B2 (ja) * 2006-12-28 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 光電陰極、電子管及び光電子増倍管
JP5563869B2 (ja) * 2009-04-02 2014-07-30 浜松ホトニクス株式会社 光電陰極、電子管及び光電子増倍管

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2972691A (en) * 1952-08-06 1961-02-21 Leitz Ernst Gmbh Photocathode for photocells, photoelectric quadrupler and the like
FR1345063A (fr) * 1962-10-23 1963-12-06 Thomson Houston Comp Francaise Cathode photoélectrique
GB1005708A (en) * 1960-12-14 1965-09-29 Emi Ltd Improvements relating to photo electrically sensitive devices
DE1564481A1 (de) * 1966-04-22 1969-09-11 Rodenstock Optik G Verbesserung in Fotokathoden von Bildwander- und Bildverstaerkerroehren

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2972691A (en) * 1952-08-06 1961-02-21 Leitz Ernst Gmbh Photocathode for photocells, photoelectric quadrupler and the like
GB1005708A (en) * 1960-12-14 1965-09-29 Emi Ltd Improvements relating to photo electrically sensitive devices
US3254253A (en) * 1960-12-14 1966-05-31 Emi Ltd Photo-electrically sensitive devices
FR1345063A (fr) * 1962-10-23 1963-12-06 Thomson Houston Comp Francaise Cathode photoélectrique
DE1564481A1 (de) * 1966-04-22 1969-09-11 Rodenstock Optik G Verbesserung in Fotokathoden von Bildwander- und Bildverstaerkerroehren

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Applied Optics, Vol. 7, No. 1 Janvier 1968 New York, US J.A. LOVE et al.: "Interference Enhanced Photoemission", pages 11-15 * page 11, Resume; pages 12-15, paragraphs Intitules: "Experimental Results" et "Theoretical Results", figure 1b * *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011058480A1 (fr) 2009-11-11 2011-05-19 Pirelli Tyre S.P.A. Procédé de commande de formation de fente dans une couche d'étanchéité d'un pneu durant un processus de fabrication de pneus auto-vulcanisants pour roues de véhicule et processus de fabrication de pneus auto- vulcanisants pour roues de véhicule
US8815136B2 (en) 2009-11-27 2014-08-26 Meus S.R.L. Method for the production of bodies in plastic material comprising at least two portions hinged to each other by a single rotation pin

Also Published As

Publication number Publication date
FR2498321A1 (fr) 1982-07-23
DE3277100D1 (en) 1987-10-01
EP0056671B1 (fr) 1987-08-26
JPS57142521A (en) 1982-09-03
JPH0552444B2 (fr) 1993-08-05
US4490605A (en) 1984-12-25
FR2498321B1 (fr) 1984-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0186225B1 (fr) Capteur d'images pour caméra fonctionnant en mode "jour-nuit"
EP0851503B1 (fr) Détecteur d'image à contraste amelioré
JPH06205768A (ja) Ｘ線検査装置
EP0056671B1 (fr) Dispositif de détection photoélectrique
EP3836214A1 (fr) Capteur de lumiere
EP0060752B1 (fr) Dispositif photosensible solide à deux dimensions, et dispositif d'analyse d'image, utilisant le transfert de charges électriques, comportant un tel dispositif
CA2887442C (fr) Photocathode semi-transparente a taux d'absorption ameliore
EP0319080B1 (fr) Tube intensificateur d'images à rayons X
EP1573821A1 (fr) Matrice de detecteurs multispectraux
EP0540092B1 (fr) Détecteur d'images à lumière parasite réduite et application à un senseur de terre
EP3281217A1 (fr) Photocathode multibande et détecteur associé
EP0079651B1 (fr) Structure de détection photoélectrique
EP0182405B1 (fr) Dispositif photoélectrique pour la détection d'évènements lumineux
EP0412887A1 (fr) Ecran cathodoluminescent à haute efficacité pour tubes à rayons cathodiques haute luminance
EP1597562A1 (fr) DISPOSITIF DE SUPPORT D’ELEMENTS CHROMOPHORES
FR2768522A1 (fr) Detecteur a scintillation, revetement refracteur pour scintillateur et procede de fabrication d'un tel revetement
WO2022044556A1 (fr) Dispositif de détection de lumière
FR2536616A1 (fr) Dispositif analyseur d'images pour une camera de television en couleurs
EP0053530A1 (fr) Tube photodétecteur à multiplication d'électrons utilisable dans un lecteur vidéo couleur
EP0418965B1 (fr) Tube à rayons cathodiques muni d'un photodeviateur
JPS63174244A (ja) 受光素子
EP0527085B1 (fr) Détecteur photoélectrique à transfert de charges à qualité d'image améliorée
FR2520557A1 (fr) Capteur chromatique
JPH02105024A (ja) 光検出管

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 19820114

AK Designated contracting states

Designated state(s): DE FR GB

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN

Owner name: LABORATOIRES D'ELECTRONIQUE ET DE PHYSIQUE APPLIQU

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): DE FR GB

REF Corresponds to:

Ref document number: 3277100

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19871001

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed
REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: CD

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 19951222

Year of fee payment: 15

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 19960130

Year of fee payment: 15

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: CJ

Ref country code: FR

Ref legal event code: CD

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 19960322

Year of fee payment: 15

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Effective date: 19970114

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 19970114

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Effective date: 19970930

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Effective date: 19971001

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST