EP0006442A2 - Abgleichbarer Dünnschicht-Widerstand - Google Patents

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EP0006442A2
EP0006442A2 EP79101562A EP79101562A EP0006442A2 EP 0006442 A2 EP0006442 A2 EP 0006442A2 EP 79101562 A EP79101562 A EP 79101562A EP 79101562 A EP79101562 A EP 79101562A EP 0006442 A2 EP0006442 A2 EP 0006442A2
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squares
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
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    • H01C7/006—Thin film resistors
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    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49082—Resistor making
    • Y10T29/49099—Coating resistive material on a base

Definitions

  • the invention relates to an adjustable thin-film resistor with the largest possible range of variation with regard to the achievable resistance values with the smallest possible space requirement.
  • Film resistors are generally used in printed circuits and include so-called thick film resistors, which are conventionally produced by screen printing a resistive material on an insulating substrate, and so-called thin film resistors, which are conventionally realized by sputtering or evaporation of a resistive material on an insulating substrate .
  • thick film resistors which are conventionally produced by screen printing a resistive material on an insulating substrate
  • thin film resistors which are conventionally realized by sputtering or evaporation of a resistive material on an insulating substrate .
  • the cut can be made by mechanical or chemical means or by evaporation of the resistance material by laser radiation. The advantages of a comparison with a laser beam are a higher production output, greater flexibility in the comparison and closer tolerances of the resistance values achieved.
  • a thin-film pattern is generated that contains lines connected in series and in parallel. With the help of a laser beam, certain lines are interrupted, so that the length of the thin layer changes.
  • This method has the advantage that, starting from a given thin-film structure, it guarantees a wide range of variation with regard to the achievable resistance values.
  • the disadvantage is that the thin-film resistors produced in this way require a very large area.
  • metallized ceramic modules are used, which are arranged on a printed circuit board and carry at least one integrated semiconductor die.
  • a large number of so-called terminating resistors are arranged on a metallized, ceramic substrate with a side length of 25.04 mm.
  • the resistors connect the die to input / output terminals.
  • thick-film resistors with a thickness of the order of 24 ⁇ m have been tried.
  • Each of the ceramic pastes used to manufacture these resistors has a certain resistance value, so that it is necessary to mix several such pastes at a time.
  • the invention as characterized in the claims, therefore solves the problem of specifying a trimmable thin-film resistor, in which its surface geometry and a suitable choice of trimming points ensure that a maximum range of variation for the resistance values is achieved with a minimal space requirement .
  • the adjustable thin-film resistor is produced in particular by using a ceramic-metal compound (CrSiO) as the material for the thin film.
  • the thickness of the thin layer is of the order of 100 nm, which ensures good stability and at the same time only thin laser cuts are required for the adjustment.
  • the adjustment is carried out by means of a laser beam, by means of which the material evaporates in sharply delimited areas, thus increasing the resistance value.
  • the surface geometry of the resistor and the adjustment points are now selected so that a maximum adjustment range is achieved with a minimum area requirement of the resistor. For this reason, one chooses a surface geometry for the thin layer which is determined by a low ratio of length to width.
  • the sheet resistance of the material used is preferably 1000 ohms / square square.
  • the material is applied to an insulating substrate and connected to suitable electrodes.
  • the number of square squares results from the ratio of length to width of the thin layer.
  • laser cuts are carried out, which change the surface geometry and make it possible to generate many surface squares. In this way, an extremely high adjustment width is obtained, so that, based on a basic resistance value, a wide range of variation with regard to the resistance values is achieved. This range of variation makes it possible to provide a common basic structure for the thin-film resistor for many applications which require different resistance values, so that only one part number is required in each case.
  • the adjustable thin-film resistor according to the invention has the desired surface geometry with a small ratio of length to width of the thin film.
  • the resistance is in the unbalanced state.
  • the material of the thin layer of the resistor 10 preferably consists of a composition of 62% Cr and 38% SiO.
  • the sheet resistance of this ceramic-metal compound is dependent on the composition, the resistance increasing with an increasing proportion of SiO. Suitable compositions range from 70% Cr - 30% SiO to 50% Cr - 50% SiO. The biggest flexi However, stability adjustment can be achieved with a composition of 62% Cr - 38% SiO.
  • the thin layer 10 is applied to a ceramic substrate 11 having a side length of 25.4 mm, which at the same time forms the basis for a metallized ceramic module.
  • a complete module (not shown) then contains an integrated semiconductor die, a metallic line pattern, a plurality of input / output connections and a plurality of thin-film resistors, which serve, for example, as terminating resistors between semiconductor dies and the input / output connections.
  • the thin layer 10 is preferably applied by sputtering as a continuous layer on the ceramic substrate 11, since this method is quick and inexpensive.
  • the thickness of the thin layer can be, for example, in the range from 50 to 150 m. In the exemplary embodiment under consideration, the thickness is 100 nm.
  • the sheet resistance of the material can vary from 700 to 3000 ohms / square square. By using a conventional four-point measurement method, the sputtering process can be controlled so that a resistance value of 1000 ohms / square area is achieved.
  • the resistance layer has a length of 0.508 mm, which corresponds to the current path between the electrodes, and a width of 2.032 mm. This corresponds to a surface geometry with a ratio of length to width of 1 to 4.
  • the resistance layer itself is preferably defined by plasma etching, since this allows tighter tolerances and higher long-term constancy to be achieved. With the thin-film resistor according to the invention, tolerances of + 2% are possible.
  • the resistance value of the thin film depends on the number of square squares, which varies with the ratio of length to width. 1 should have a sheet resistance of 1000 ohms / square and the ratio of length to width before the adjustment is 1 to 4, the resistance in the original state has a resistance value corresponding to 1/4 square, which is 250 ohms .
  • These different resistances can be produced by the surface geometry and matching method according to the invention, which is characterized by a change in the number of surface squares.
  • the unbalanced resistor has a length of 0.508 mm and a width of 2.032 mm, which results in 1/4 area square with a resistance of 250 ohms.
  • the in Figs. 3 to 5 shown matched resistors have a different number of surface squares, which are arranged in parallel between the electrodes. Through this different The number of square squares increases the resistance value.
  • a L aser bain 14 provided mm by a ratio of length to width of the order of 0.508 to 1.524 mm is obtained. This creates a 1/3 square, which corresponds to 333 ohms.
  • a laser cut 15 in FIG. 4 generates 1/2 square area, which results in 500 ohms.
  • the laser cut 16 provided in FIG. 5 generates a 1 square area, which results in 1000 ohms.
  • the adjustment changes the number of square squares that lie serially between the electrodes, thereby increasing the resistance value.
  • the laser cut 17 brings about a ratio of length to width of 0.508 mm to 0.254 mm. The result is a current path from 2 area- q uadraten between the electrodes and thus a resistance of 2000 ohms.
  • laser cuts 18 and 19 generate a current path of 9 square squares between the electrodes, so that a resistance value of 9000 ohms results.
  • laser cuts 20, 21 and 22 provide a current path comprising 16 square squares and thus a resistance value of 1600 ohms.

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Abstract

Bei einem abgleichbaren Dünnschicht-Widerstand ist die auf ein Substrat aufgebrachte Dünnschicht (10) in einer durch ein niedriges Verhältnis von Länge zu Breite bestimmten Flächengeometrie angeordnet. Dabei entspricht die Länge dem Stromweg zwischen den Elektroden (12, 13) des Widerstandes. Der Abgleich erfolgt durch Laserschnift (15), durch die die Dünnschicht (10) in Teilflächenquadrate unterteilt wird. Die zum Stromfluß beitragenden Teilflächenquadrate, die die Elektroden (12, 13) in serieller oder paralleler Anordnung verbinden, bestimmen den jeweiligen Widerstandswert. Auf diese Weise kann bei möglichst geringem Flächenbedarf eine möglichst hohe Variationsbreite hinsichtlich der Widerstandswerte erreicht werden.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen abgleichbaren Dünnschicht-Widerstand mit bei möglichst geringem Flächenbedarf möglichst großer Variationsbreite hinsichtlich der erzielbaren Widerstandswerte.
  • Schichtwiderstände werden im allgemeinen in gedruckten Schaltungen verwendet und umfassen sogenannte Dickschicht-Widerstände, die konventionell durch Siebdruck eines widerstandsbehafteten Materials auf einem isolierenden Substrat hergestellt werden, und sogenannten Dünnschicht-Widerständen, die konventionell durch Kathodenzerstäubung oder Aufdampfen eines widerstandsbehafteten Materials auf ein isolierendes Substrat verwirklicht werden. In gedruckten Schaltungen ist es oft erforderlich, den Widerstandswert der Dünnschicht-Widerstände abzugleichen. Um den Widerstandswert eines Dünnschicht-Widerstandes zu erhöhen, wird entlang des elektrischen Stromweges ein Schnitt durchgeführt, durch den die effektive Breite des Widerstandes kleiner und damit der Widerstandswert größer wird. Der Schnitt kann auf mechanischem oder chemischen Wege oder auch durch Verdampfung des Widerstandsmaterials durch Laserbestrahlung eingebracht werden. Die Vorteile eines Abgleiches mit einem Laserstrahl liegen in einem höheren Produktionsausstoß, einer größeren Flexibilität im Abgleich und in engeren Toleranzen der erzielten Widerstandswerte.
  • Es sind mehrere Methoden zum Abgleich von beispielsweise aus einer Keramik-Metall-Verbindung (CrSiO) bestehenden Dünnschicht-Widerständen mittels Laserstrahl bekannt. Beim sogenannten Impulsabgleich werden durch den Widerstand Stromimpulse geleitet, die den Widerstandswert durch Änderung der Struktur und Zusammensetzung des Materials verändern. Die maximale Variationsbreite des Widerstandswertes beträgt dabei etwa 50 %. Bei einer entsprechenden Methode wird das Widerstandsmaterial mit einem Laserstrahl geringer Intensität erwärmt, wodurch sich der Widerstandswert verändert. Auch hierbei erhält man eine maximale Variationsbreite des Widerstandswertes von etwa 50 %.
  • Beim sogenannten Netzwerkabgleich wird ein Dünnschicht-Muster erzeugt, das seriell und parallel verbundene Leitungen enthält. Mit Hilfe eines Laserstrahles werden bestimmte Leitungen unterbrochen, so daß sich die Länge der Dünnschicht verändert. Diese Methode hat den Vorteil, daß sie ausgehend von einer gegebenen Dünnschicht-Struktur eine große Variationsbreite hinsichtlich der erzielbaren Widerstandswerte gewährleistet. Nachteilig ist, daß die auf diese Weise hergestellten Dünnschicht-Widerstände einen sehr hohen Flächenbedarf aufweisen.
  • Schießlich ist eine Methode bekannt, bei der das Widerstandsmaterial in begrenzten Gebieten verdampft wird, so daß sich der Widerstandswert erhöht.
  • Es kann festgestellt werden, daß für die bekannten abgleichbaren Dünnschicht-Widerstände eine Variationsbreite der erzielbaren Widerstandswerte in der Größe von etwa 50 % bis 100 % angenommen werden kann.
  • In der gegenwärtig angewandten Technik der gedrucken Schaltungen werden metallisierte keramische Moduln verwendet, die auf einer gedruckten Schaltungsplatte angeordnet sind und mindestens ein integriertes Halbleiterplättchen tragen. Dabei werden beispielsweise eine Vielzahl von sogenannten Abschlußwiderständen auf einem metallisierten, keramischen Substrat mit einer Seitenlänge von 25,04 mm angeordnet. Die Widerstände verbinden das Halbleiterplättchen mit Eingabe/Ausgabeanschlüssen. Beispielsweise benötigt man Widerstände von 750 Ohm und ebenfalls Widerstände von 7500 Ohm. Beim Versuch diese Forderungen zu erfüllen, hat man Dickschicht-Widerstände ausprobiert, die eine Dicke in der Größenordnung von 24 µm aufweisen. Von denen zu Herstellung dieser Widerstände verwendeten keramischen Pasten weist jede einen bestimmten Widerstandswert auf, so daß es erforderlich ist, jeweils mehrere solcher Pasten zu mischen. Beim Abgleich dieser Widerstände kann man, will man noch eine ausreichende Stabilität gewährleisten, lediglich eine Variationsbreite von etwa dem dreifachen Ausgangswert erreichen. Daraus folgt die Notwendigkeit, eine Vielzahl von Substraten unterschiedlicher Teilenummern auf Lager zu halten, was außerordentlich kostspielig ist. Außerdem ist festzustellen, daß bei dieser Art von Widerständen die Widerstandspaste zunächst auf eine Seite und dann die Metallisierung auf die andere Seite des Substrates aufzubringen ist, da die zum Aushärten der Paste erforderliche Erhitzung auf eine Temperatur von etwa 800 0c für die Metallisierung zu hoch wäre. Das bedeutet aber, daß eine doppelte Maskierung erforderlich ist, was außerordentlich zeitaufwendig und kostspielig ist.
  • Es ist also eine Widerstandsart zu fordern, bei der der eigentliche Widerstand und die Metallisierung auf einer Seite des Substrats angeordnet sind und bei der eine möglichst große Variationsbreite der Widerstandswerte gewährleistet ist.
  • Die Erfindung, wie sie in den Ansprüchen gekennzeichnet ist, löst demnach die Aufgabe, einen abgleichbaren Dünnschicht-Widerstand anzugeben, bei dem durch seine Flächengeometrie und durch geeignete Wahl der Abgleichstellen dafür gesorgt ist, daß bei minimalem Flächenbedarf eine maximale Variationsbreite für die Widerstandswerte erzielt wird. Zusammengefaßt stellen sich die Erfindung und die durch sie erreichten Vorteile folgendermaßen dar: Hergestellt wird der abgleichbare Dünnschicht-Widerstand insbesondere durch Verwendung einer Keramik-Metall-Verbindung (CrSiO) als Material für die Dünnschicht. Die Dicke der Dünnschicht liegt in der Größenordnung von 100 nm, wodurch eine gute Stabilität gewährleistet ist und gleichzeitig nur dünne Laserschnitte für den Abgleich benötigt werden. Das Abgleichen erfolgt mittels Laserstrahl, durch den das Material in scharf begrenzten Gebieten verdampft und damit eine Erhöhung des Widerstandswertes herbeigeführt wird. Die Flächengeometrie des Widerstandes und die Abgleichstellen sind nun so gewählt, daß ein maximaler Abgleichbereich bei gleichzeitig minimalem Flächenbedarf des Widerstandes erzielt wird. Man wählt aus diesem Grunde für die Dünnschicht eine durch ein niedriges Verhältnis von Länge zu Breite bestimmte Flächengeometrie. Der Schichtwiderstand des verwendeten Materials liegt vorzugsweise bei 1000 Ohm/Flächenquardrat. Das Material ist auf ein isolierendes Substrat aufgebracht und mit geeigneten Elektroden verbunden. Die Anzahl der Flächenquadrate ergibt sich aus dem Verhältnis von Länge zu Breite der Dünnschicht. Zum Abgleichen des Widerstandes werden Laserschnitte durchgeführt, die die Flächengeometrie ändern und es erlauben, viele Flächenquadrate zu erzeugen. Auf diese Weise erhält man eine extrem hohe Abgleichbreite, so daß man ausgehend von einem Widerstandsgrundwert eine große Variationsbreite hinsichtlich der Widerstandswerte erzielt. Diese Variationsbreite ermöglicht es, für viele Anwendungen, die unterschiedliche Widerstandswerte verlangen, eine gemeinsame Grundstruktur für den Dünnschicht-Widerstand vorzusehen, so daß nur jeweils eine Teilenummer erforderlich ist.
  • Im folgenden wird die Erfindung anhand von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • Es zeigen:
    • Fig. 1 in schematischer Darstellung die Draufsicht eines erfindungsgemäßen Dünnschicht-Widerstandes im unabgeglichenen Zustand,
    • Fig. 2 eine schematische Seitenansicht des Widerstandes nach Fig. 1,
    • Fig. 3 bis schematische Draufsichten des Widerstandes 5 gemäß Fig. 1 nach definierten, mittels eines Laserstrahls vorgenommenen Abgleichoperationen, so daß eine unterschiedliche Anzahl paralleler Flächenquadrate zwischen den Elektroden und damit unterschiedliche Widerstandswerte erzeugt werden, und
    • Fign. 6 bis schematische Draufsichten des Widerstandes ge-8 mäß Fig. 1, wobei durch Laserstrahlen unterschiedliche Anzahlen von seriell zwischen den Elektroden liegenden Flächenquadraten und damit entsprechende Widerstandswerte erzeugt sind.
  • Der in den Fign. 1 und 2 dargestellte erfindungsgemäße abgleichbare Dünnschicht-Widerstand weist die angestrebte Flächengeometrie mit kleinem Verhältnis von Länge zu Breite der Dünnschicht auf. Der Widerstand befindet sich im unabgeglichenen Zustand. Das Material der Dünnschicht des Widerstandes 10 besteht bevorzugt aus einer Zusammensetzung von 62 % Cr und 38 % SiO. Der Schichtwiderstand dieser Keramik-Metall-Verbindung ist abhängig von der Zusammensetzung, wobei der Widerstand mit größer werdendem Anteil an SiO zunimmt. Geeignete Zusammensetzungen liegen im Bereich von 70 % Cr - 30 % SiO bis 50 % Cr - 50 % SiO. Die größte Flexibilität für den Abgleich des Widerstandes erreicht man jedoch bei einer Zusammensetzung von 62 % Cr - 38 % SiO.
  • Im betrachteten Ausführungsbeispiel ist die Dünnschicht 10 auf ein eine Seitenlänge von 25,4 mm aufweisende keramisches Substrat 11 aufgebracht, das gleichzeitig die Basis für ein metallisiertes keramisches Modul bildet. Ein vollständiges Modul (nicht dargestellt) enthält dann ein integriertes Halbleiterplättchen, ein metallisches Leitungsmuster, mehrere Eingangs/Ausgangs-Anschlüsse und mehrere Dünnschicht-Widerstände, die beispielsweise als Abschlußwiderstände zwischen Halbleiterplättchen und den Eingangs/Ausgangs-Anschlüssen dienen.
  • Die Dünnschicht 10 wird vorzugsweise durch Kathodenzerstäubung als durchgehende Schicht auf das keramische Substrat 11 aufgebracht, da diese Methode schnelle und kostmäßig unaufwendig ist. Die Dicke der Dünnschicht kann beispielsweise im Bereich von 50 bis 150 m liegen. Beim betrachteten Ausführungsbeispiel beträgt die Dicke 100 nm. Der Schichtwiderstand des Materials kann von 700 bis 3000 Ohm/Flächenquadrat variieren. Durch Anwendung einer konventionellen Vierpunkt-Meßmethode kann der Zerstäubungsprozeß so gesteuert werden, daß ein Widerstandswert von 1000 Ohm/Flächenquadrat erreicht wird.
  • Nach dem Aufbringen der Dünnschicht 10 wird darüber eine Schicht aus Cr-Cu-Cr aufgedampft. Unter Anwendung konventioneller Photoätztechnik wird die aufgebrachte Metallschicht und die Dünnschicht so geätzt, daß mehrere Dünnschicht-Widerstände 10 auf dem Substrat entstehen, die jeweils Elektroden 12 und 13 aufweisen. Beim betrachteten Ausführungsbeispiel weist die Widerstandsschicht eine Länge von 0,508 mm auf, die dem Stromweg zwischen den Elektroden entspricht, und eine Breite von 2,032 mm. Dies entspricht einer Flächengeometrie mit einem Verhältnis von Länge zu Breite von 1 zu 4. Die Widerstandsschicht selbst wird vorzugsweise durch Plasmaätzen definiert, da sich dabei engere Toleranzen und eine höhere Langzeitkonstanz erreichen lassen. Beim erfindungsgemäßen Dünnschicht-Widerstand sind Toleranzen von + 2 % möglich.
  • Der Widerstandswert der Dünnschicht hängt von der Anzahl der Flächenquadrate ab, die mit dem Verhältnis von Länge zu Breite variiert. Da der Widerstand nach Fig. 1 einen Schichtwiderstand von 1000 Ohm/Flächenquadrat aufweisen soll und das Verhältnis von Länge zu Breite vor dem Abgleich 1 zu 4 ist, hat der Widerstand im ursprünglichen Zustand einen Widerstandswert entsprechend 1/4 Flächenquadrat, was also 250 Ohm ergibt.
  • Wie bereits ausgeführt, ist es ein Ziel der Erfindung, mit einer Widerstands-Grundstruktur durch Abgleich über einen weiten Bereich verteilte Widerstandswerte einstellen zu können, ohne daß dadurch ein Einfluß auf den Flächenaufwand festzustellen wäre. Bei einer Anwendung ist es beispielsweise erforderlich, mehrere Abschlußwiderstände auf einem Modul zur Verfügung zu haben, von denen einige einen Widerstandswert von 750 und andere einen Widerstandswert von 7500 Ohm aufweisen. Diese unterschiedlichen Widerstände lassen sich durch die erfindungsgemäße Flächengeometrie und Abgleichsmethode, die durch eine Veränderung der Anzahl der Flächenquadrate gekennzeichnet ist, herstellen.
  • Wie in Fig. 1 dargestellt, weist der nicht abgeglichene Widerstand eine Länge von 0,508 mm und eine Breite von 2,032 mm auf, was 1/4 Flächenquadrat mit einem Widerstand von 250 Ohm ergibt. Die in den Fign. 3 bis 5 dargestellten abgeglichenen Widerstände weisen eine unterschiedliche Anzahl von Flächenquadraten auf, die parallel zwischen den Elektroden angeordnet sind. Durch diese unterschiedliche Anzahl von Flächenquadraten wird der Widerstandswert erhöht. Im Beispiel der Fig. 3 ist ein Laserschnitt 14 vorgesehen, durch den ein Verhältnis von Länge zu Breite in der Größe von 0,508 mm zu 1,524 mm erzielt wird. Dadurch entsteht ein 1/3 Flächenquadrat, was 333 Ohm entspricht. In entsprechender Weise erzeugt ein Laserschnitt 15 in Fig. 4 1/2 Flächenquadrat, was 500 Ohm ergibt. Der in Fig. 5 vorgesehene Laserschnitt 16 erzeugt ein 1 Flächenquadrat, was 1000 Ohm ergibt.
  • In den Ausführungsbeispielen gemäß Fign. 6 bis 8 wird durch den Abgleich die Anzahl der Flächenquadrate verändert, die seriell zwischen den Elektroden liegen, um dadurch den Widerstandswert zu erhöhen. Im Beispiel der Fig. 6 bewirkt der Laserschnitt 17 ein Verhältnis von Länge zu Breite von 0,508 mm zu 0,254 mm. Es entsteht ein Stromweg von 2 Flächen- quadraten zwischen den Elektroden und somit ein Widerstandswert von 2000 Ohm. Im Beispiel der Fig. 7 erzeugen die Laserschnitte 18 und 19 einen Stromweg von 9 Flächenquadraten zwischen den Elektroden, so daß sich ein Widerstandswert von 9000 Ohm ergibt. Am Beispiel der Fig. 8 liefern die Laserschnitte 20, 21 und 22 einen 16 Flächenquadrate umfassenden Stromweg und damit einen Widerstandswert von 1600 Ohm.
  • Es zeigt sich, daß durch Anwendung der beschriebenen Flächengeometrie und Laserschnitte, die beispielsweise eine Breite von 0,25 mm aufweisen, Widerstände mit weit auseinanderliegenden Widerständswerten verwirklichbar sind, wobei nur ein minimaler Teil der Substratoberfläche aufgewendet werden muß.

Claims (7)

1. Abgleichbarer Dünnschicht-Widerstand mit bei möglichst geringem Flächenbedarf möglichst großer Variationsbreite hinsichtlich der erzielbaren Widerstandswerte, dadurch gekennzeichnet,
daß für die Dünnschicht eine durch ein niedriges Verhältnis von Länge zu Breite bestimmte Flächengeometrie vorgesehen ist und daß der Abgleich jeweils durch Festlegung einer Anzahl von Teilflächenquadraten erfolgt, die in serieller und/oder paralleler Anordnung widerstandsbestimmend zum Stromfluß beitragen.
2. Dünnschicht-Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Festlegung der Anzahl der Teilflächenquadrate durch Laserschnitte (14 bis 22) in der Dünnschicht (10) erfolgt.
3. Dünnschicht-Widerstand nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Dünnschicht (10) eine Keramik-Metall-Verbindung dient.
4. Dünnschicht-Widerstand nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Keramik-Metall-Verbindung.aus CrSiO besteht.
5. Dünnschicht-Widerstand nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die Zusammensetzung der Keramik-Metall-Verbindung im Bereich von 70 % Cr - 30 % SiO bis 50 % Cr - 50 % SiO liegt.
6. Dünnschicht-Widerstand nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß das Verhältnis von Länge zu Breite der Dünnschicht (10) 1 zu 4 ist und daß die Festlegung der Teilflächenquadrate im Bereich von 1/4 Flächenquadrat bis 16 Flächenquadraten liegt.
7. Dünnschicht-Widerstand nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß der Schichtwiderstand des Materials für die Dünnschicht (10) bei 1000 Ohm/Flächenquadrat liegt.
EP79101562A 1978-07-03 1979-05-22 Abgleichbarer Dünnschicht-Widerstand Expired EP0006442B1 (de)

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EP79101562A Expired EP0006442B1 (de) 1978-07-03 1979-05-22 Abgleichbarer Dünnschicht-Widerstand

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