EA033577B1 - Полосковый светодиод - Google Patents
Полосковый светодиод Download PDFInfo
- Publication number
- EA033577B1 EA033577B1 EA201800095A EA201800095A EA033577B1 EA 033577 B1 EA033577 B1 EA 033577B1 EA 201800095 A EA201800095 A EA 201800095A EA 201800095 A EA201800095 A EA 201800095A EA 033577 B1 EA033577 B1 EA 033577B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- heat
- led
- substrate
- chips
- dissipating
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 20
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 241000446313 Lamella Species 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/20—Light sources comprising attachment means
- F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
- F21K9/232—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/20—Light sources comprising attachment means
- F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
- F21K9/233—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating a spot light distribution, e.g. for substitution of reflector lamps
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/502—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components
- F21V29/506—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components of globes, bowls or cover glasses
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/56—Cooling arrangements using liquid coolants
- F21V29/58—Cooling arrangements using liquid coolants characterised by the coolants
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2107/00—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Изобретение относится к сфере конструкций и технологий производства светодиодов. Для расширения направленности диаграммы светодиода от ламбертовской до тороидальной светодиод изготавливается в виде стержня, состоящего из прозрачной сапфировой подложки светодиода, выполненной в виде полосы, с установленными на неё и соединенными в последовательную электрическую цепь светодиодными чипами, покрытой люминофорной композицией, на концах стержня установлены ламели для включения светодиода во внешнюю электрическую цепь и крепления в надсистеме. Отвод тепла, выделяемого светодиодными чипами, осуществляется в виде тепловой радиации, излучаемой подложкой светодиода и люминофорной композицией.
Description
Область техники, к которой относится изобретение
Изобретение относится к конструкции светодиодов, используемых в качестве источника света в светодиодных лампах и осветительных приборах.
Уровень техники
В настоящее время известен широкий ряд бескорпусных конструкций светодиодов, в которых один мощный светодиодный чип или несколько светодиодных чипов средней мощности установлены на изолирующую теплопроводящую подложку, имеющую форму квадрата или прямоугольника, близкого к квадрату.
На керамической теплопроводящей подложке бескорпусного светодиода располагаются контактные площадки для подключения устройства во внешнюю электрическую цепь, контактные площадки для подключения к ним светодиодных чипов, токопроводящие проводники, соединяющие контактные площадки для подключения чипов с контактными площадки для подключения устройства во внешнюю электрическую цепь. Светодиодные чипы могут быть соединены в последовательную электрическую цепь, в параллельную электрическую цепь, последовательно-параллельную электрическую цепь. Область расположения чипов на керамической теплопроводящей подложке покрыта люминофорной композицией, которая выполняет функцию частичного преобразования синего излучения чипа в излучение желтого цвета, которое при интерференции с синим излучением чипа воспринимается глазом человека как белый свет, также эта люминофорная композиция обеспечивает защиту располагаемых на теплопроводной подложке чипов и проводников, соединяющих чипы, от внешних химических и механических воздействий.
Светодиодные чипы на теплопроводящей подложке размещены концентрированно, рядами, в месте расположения расстояние между чипами составляет 3 -5 линейных размеров чипа, как внутри ряда, так и между рядами.
На керамической теплопроводной подложке, со стороны размещения чипов, вокруг области, покрытой люминофорной композицией, имеется свободное пространство, которое используется для прижима обратной стороны керамической теплопроводящей подложки к внешнему теплоотводу, не являющемуся элементом конструкции светодиода, для отвода тепла, вырабатываемого светодиодами, расположенными на теплопроводящей подложке, во внешнюю среду.
Недостатки вышеприведенных конструкций и способов
Недостатком конструкции US7510888 является невозможность полного рассеивания светодиодом избыточного тепла, вырабатываемого чипами светодиода в рабочем состоянии, во внешнюю среду и соответственно необходимость в дополнительных устройствах для отведения избыточного тепла от светодиода в надсистему.
Диаграмма направленности излучения светодиода соответствует диаграмме направленности ламбертовского излучателя. Такие излучатели не оптимальны для создания ламп, имеющих диаграмму направленности, близкую к сферической. Для них необходимы источники света с большим телесным углом излучения, в идеале с диаграммой направленности, близкой к сферической, или, как минимум, с тороидальной диаграммой направленности.
Изобретение ставит своей целью исключить необходимость отвода тепла от светодиода, обеспечить полное рассеивание тепловой мощности и реализовать тороидальную диаграмму направленности светодиода.
Указанная цель достигается следующим образом.
Полное тепловое рассеяние достигается за счет приданию теплопроводящей подложке формы полосы, у которой длина многократно превосходит ширину, а размещение светодиодных чипов осуществляется в один ряд вдоль длины подложки. В такой схеме размещения светодиодных чипов области теплопроводящей подложки прилегающие к чипу со сторон боковых краев полосы могут излучать тепловую энергию, генерируемую чипом. (Плотность размещения чипов, устанавливаемых в несколько рядов, соответствующая имеющемуся уровню техники, не позволяет подложке рассеивать тепло, выделяемое работающими светодиодными чипами).
Тороидальная диаграмма направленности светодиода реализуется за счет использования для создания теплопроводящей подложки оптически прозрачного материала, например сапфира или стекла.
Прозрачная теплопроводящая подложка также повышает внешний квантовый выход установленных на ней светодиодных чипов, т.к. становится возможным выход квантов из чипа в сторону теплопроводящей подложки. Повышение внешнего квантового выхода чипа снижает количество выделяемого чипом тепла и соответственно количество тепла, подлежащего рассеянию теплопроводящей подложкой.
Описание устройства в статике
Светодиод представляет собой систему из теплорассеивающей подложки, светодиодных чипов, токопроводящих проводников, монтажных выводов, люминофорной композиции.
Теплорассеивающая подложка представляет собой полосу, выполненную из сапфира. Теплорассеивающая подложка может быть также выполнена из стекла, из оптически прозрачного полимерного материала. Теплорассеивающая подложка может иметь полностью или частично криволинейную объемнопространственную форму в виде спирали и/или отдельных её фрагментов.
На концах теплорассеивающей подложки установлены металлические монтажные выводы в виде
- 1 033577 ламелей.
На теплорассеивающей подложке, между ламелями, вдоль серединной линии располагается ряд светодиодных чипов, электрически соединенных между собой токопроводящими проводниками в электрическую цепь и подключенных к ламелям.
Электрическое соединение чипов и ламелей осуществляется токопроводящими печатными проводниками, установленными на теплорассеивающую подложку. Ламели и расположенные между ними светодиодные чипы образуют последовательную электрическую цепь.
Печатный проводник может быть выполнен из металла, например меди, или из оптически прозрачного электропроводящего материала, в частности из прозрачных оксидных материалов: оксида индия, оксида индия, легированного оловом (ITO), оксида цинка, оксида олова.
Теплорассеивающая подложка, выполненная из оптически прозрачного материала, покрыта люминофорной композицией с двух сторон - со стороны размещения светодиодных чипов и с противоположной ей стороны. Люминофорная композиция также может располагаться на всех поверхностях прозрачной теплорассеивающей подложки.
Теплорассеивающая подложка, выполненная из оптически непрозрачного материала, покрыта люминофорной композицией с одной стороны - со стороны размещения светодиодных чипов.
Устройство работает следующим образом.
На ламели подается электрическое напряжение, величина которого определяется как произведение количества светодиодных чипов, последовательно установленных на теплорассеивающей подложке, на номинальное напряжение, которое необходимо подать на один светодиодный чип, использованный в светодиоде.
В последовательной электрической цепи, образованной ламелями, токопроводящими проводниками теплорассеивающей подложки и подключенными к ней светодиодными чипами, возникает электрический ток.
Электрический ток, проходящий через светодиодные чипы, вызывает в них генерацию квантов излучения синего цвета.
Кванты света выходят из тел светодиодных чипов в сторону прозрачной теплорассеивающей подложки и проходят сквозь неё. Далее они попадают в люминофорную композицию.
Кванты света, выходящие из тел светодиодных чипов от теплорассеивающей подложки, проходят сквозь неё. Далее они попадают в люминофорную композицию.
Кванты света, выходящие из тел светодиодных чипов в сторону непрозрачной теплорассеивающей подложки, частично поглощаются ею, а частично отражаются. Отраженные от теплорассеивающей подложки кванты попадают в люминофорную композицию.
Кванты излучения синего цвета, попавшие в люминофорную композицию, частично проходят сквозь неё и частично поглощаются ею. Большая часть поглощенных люминофорной композицией квантов излучения синего цвета преобразуется во вторичное излучение желтого цвета, в дополняющий синий цвет до цвета, воспринимаемого человеком как белый, меньшая часть - в тепловую радиацию.
Вторичное излучение смешивается с первичным и образует световое излучение белого цвета, которое выходит из поверхности люминофорной композиции, покрывающей теплорассеивающую подложку.
Тепловая энергия, вырабатываемая светодиодными чипами при генерации света, передается посредством теплового контакта теплорассеивающей подложке в большей своей части и люминофорной композиции в меньшей своей части.
Также тепловая энергия вырабатывается люминофорной композицией при вторичной генерации светового излучения.
Практически вся выработанная тепловая энергия излучается теплорассеивающей подложкой и нанесенной на неё люминофорной композицией в виде тепловой радиации в окружающую среду. Часть тепловой энергии передается в надсистему через ламели, подключенные к внешнему источнику напряжения.
Claims (5)
1. Светодиод, состоящий из одного и более чипов на основе GAN, установленных на изолирующей керамической теплопроводящей подложке, с установленными на этой подложке токопроводящими проводниками, имеющими электрический контакт с контактными площадками светодиодных чипов и соединяющими светодиодные чипы в последовательную, параллельную или последовательно параллельную электрическую цепь с контактными площадками, для подключения во внешнюю электрическую цепь, теплопроводящая подложка со стороны установленных светодиодных чипов покрыта люминофорной композицией для обеспечения частичного преобразования спектров излучения чипов в спектр излучения, дополняющий итоговый спектр до заданного, чипы установлены в центральной части теплопроводящей пластины, имеющей диаграмму направленности излучения, близкую к ламбертовскому излучателю, теплопроводящая подложка светодиодных чипов имеет поля, свободные от светодиодных чипов и люминофорной композиции, для крепления светодиода к элементам надсистемы посредством прижима
- 2 033577 всей поверхностью теплопроводящей подложки к элементу надсистемы, например теплоотводу, многократно превосходящему по массе и габаритам светодиод, отличающийся тем, что теплопроводящая подложка является теплорассеивающей, представляет собой полосу, на теплорассеивающую подложку установлено более одного чипа, чипы соединены в последовательную электрическую цепь, контактные площадки светодиода расположены на противоположных концах теплорассеивающей подложки и на них установлены проводники в виде ламелей для подключения светодиода во внешнюю электрическую цепь, люминофорная композиция покрывает всю поверхность теплорассеивающей подложки между ламелями, ламели являются элементами механического крепления светодиода в надсистеме.
2. Светодиод, указанный в п.1 настоящей формулы, отличающийся тем, что теплорассеивающая подложка выполнена из оптически прозрачного материала: или из сапфира, или из стекла, или из полимерного материала.
3. Светодиод, указанный в п.1 настоящей формулы, отличающийся тем, что люминофорная композиция на теплорассеивающую подложку нанесена с обратной стороны подложки, противолежащей стороне размещения чипов, а также может быть нанесена с боковых сторон по всей длине теплорассеивающей подложки.
4. Светодиод, указанный в п.1 настоящей формулы, отличающийся тем, что теплорассеивающая подложка, выполненная в виде полосы, может иметь криволинейную форму в пространстве на отдельных своих участках или по всей длине и может образовывать в пространстве замкнутый или незамкнутый контур.
5. Светодиод, указанный в п.1 настоящей формулы, отличающийся тем, что чипы, включенные в электрическую цепь между ламелями, имеют параллельное или последовательно-параллельное электрическое подключение.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010145033/07A RU2010145033A (ru) | 2010-11-08 | 2010-11-08 | Светодиод-лампа |
| RU2011106380/07A RU2011106380A (ru) | 2011-02-22 | 2011-02-22 | Светодиод и светодиодная лампа с нормированной яркостью |
| RU2011121318/28A RU2011121318A (ru) | 2011-05-27 | 2011-05-27 | Светодиодный чип |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA201800095A1 EA201800095A1 (ru) | 2018-12-28 |
| EA033577B1 true EA033577B1 (ru) | 2019-11-06 |
Family
ID=46051179
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201300441A EA029315B1 (ru) | 2010-11-08 | 2011-11-07 | Светодиод-лампа, светодиод с нормированной яркостью, мощный чип для светодиода |
| EA201800095A EA033577B1 (ru) | 2010-11-08 | 2011-11-07 | Полосковый светодиод |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201300441A EA029315B1 (ru) | 2010-11-08 | 2011-11-07 | Светодиод-лампа, светодиод с нормированной яркостью, мощный чип для светодиода |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EA (2) | EA029315B1 (ru) |
| WO (1) | WO2012064227A1 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU198748U1 (ru) * | 2019-11-01 | 2020-07-28 | Общество с ограниченной ответственностю "Экселент Тулс" | Светодиодный светильник |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6730533B2 (en) * | 2000-09-01 | 2004-05-04 | General Electric Company | Plastic packaging of LED arrays |
| CN101188224A (zh) * | 2007-10-12 | 2008-05-28 | 上海大学 | 高散热多芯片集成大功率白光发光二极管模块及其制备方法 |
| US7510888B2 (en) * | 2004-04-30 | 2009-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED arrangement |
| RU83587U1 (ru) * | 2009-01-20 | 2009-06-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Технологии Энергосбережения" | Светильник уличный светодиодный |
| CN101728466A (zh) * | 2008-10-29 | 2010-06-09 | 先进开发光电股份有限公司 | 高功率发光二极管陶瓷封装结构及其制造方法 |
| RU95181U1 (ru) * | 2009-12-04 | 2010-06-10 | Открытое акционерное общество "Еврогрупп XXI" (ООО "Еврогрупп XXI") | Лампа светодиодная высокой мощности |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT410266B (de) * | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
| RU2220478C2 (ru) * | 2001-11-23 | 2003-12-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" | Источник света |
| RU2231171C1 (ru) * | 2003-04-30 | 2004-06-20 | Закрытое акционерное общество "Инновационная фирма "ТЕТИС" | Светоизлучающий диод |
| RU2265969C1 (ru) * | 2004-03-10 | 2005-12-10 | Ногинов Александр Леонидович | Декоративный многоцветный светильник с устройством управления |
| RU66118U1 (ru) * | 2007-02-27 | 2007-08-27 | Валентин Николаевич Щербаков | Светодиодное устройство |
| US8021025B2 (en) * | 2009-01-15 | 2011-09-20 | Yeh-Chiang Technology Corp. | LED lamp |
| RU87598U1 (ru) * | 2009-06-11 | 2009-10-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Ледел" | Светодиодный потолочный светильник |
| RU2402837C1 (ru) * | 2009-10-21 | 2010-10-27 | Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР" | Полупроводниковый светоизлучающий прибор с пористым буферным слоем |
-
2011
- 2011-11-07 EA EA201300441A patent/EA029315B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-11-07 WO PCT/RU2011/000859 patent/WO2012064227A1/ru active Application Filing
- 2011-11-07 EA EA201800095A patent/EA033577B1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6730533B2 (en) * | 2000-09-01 | 2004-05-04 | General Electric Company | Plastic packaging of LED arrays |
| US7510888B2 (en) * | 2004-04-30 | 2009-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED arrangement |
| CN101188224A (zh) * | 2007-10-12 | 2008-05-28 | 上海大学 | 高散热多芯片集成大功率白光发光二极管模块及其制备方法 |
| CN101728466A (zh) * | 2008-10-29 | 2010-06-09 | 先进开发光电股份有限公司 | 高功率发光二极管陶瓷封装结构及其制造方法 |
| RU83587U1 (ru) * | 2009-01-20 | 2009-06-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Технологии Энергосбережения" | Светильник уличный светодиодный |
| RU95181U1 (ru) * | 2009-12-04 | 2010-06-10 | Открытое акционерное общество "Еврогрупп XXI" (ООО "Еврогрупп XXI") | Лампа светодиодная высокой мощности |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012064227A1 (ru) | 2012-05-18 |
| EA201800095A1 (ru) | 2018-12-28 |
| EA201300441A1 (ru) | 2014-03-31 |
| EA029315B1 (ru) | 2018-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20170186923A1 (en) | Light emitting device | |
| JP5101578B2 (ja) | 発光ダイオード照明装置 | |
| EP2800925B1 (en) | A lighting assembly, a light source and a luminaire | |
| KR20150105255A (ko) | 발광 소자 | |
| JP2007142173A (ja) | 照明装置 | |
| US9468066B2 (en) | Photo sensor-integrated tubular light emitting apparatus and lighting system using the same | |
| KR20150064414A (ko) | 발광소자 및 이를 포함하는 조명 장치 | |
| JP2011192703A (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
| JP2016171147A (ja) | 発光装置および照明装置 | |
| KR101822600B1 (ko) | 열전냉각모듈이 내장된 ｌｅｄ 모듈을 포함하는 ｌｅｄ 조명기구 | |
| EP3091279A1 (en) | Led light source heat dissipation structure and heat dissipation method thereof | |
| WO2016197957A1 (zh) | 一种led灯五金支架 | |
| KR20140099659A (ko) | 조명 장치 | |
| EA033577B1 (ru) | Полосковый светодиод | |
| CN103489995B (zh) | 柔性led光源灯丝 | |
| US20180063931A1 (en) | Light-emitting device and illuminating apparatus | |
| KR20160028014A (ko) | 반도체 소자 패키지 제조방법 | |
| RU160075U1 (ru) | Светодиодный излучатель | |
| TWI512235B (zh) | 發光裝置 | |
| KR101199592B1 (ko) | Ｌｅｄ 패키지용 방열장치 및 이를 이용한 ｌｅｄ 패키지 | |
| KR20100113419A (ko) | 엘이디 패키지와 그 엘이디 방열 장치 및 이를 이용한 엘이디 소켓 | |
| KR101473715B1 (ko) | Led 칩 실장 모듈 | |
| KR20150054357A (ko) | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 | |
| CN102954378A (zh) | 高光功率密度led光源模块 | |
| KR101230321B1 (ko) | 광 조사 및 열 방출 성능이 향상된 엘이디 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ KG MD TJ TM |