EA015231B1 - Устройство для реактора послойного атомного осаждения - Google Patents

Устройство для реактора послойного атомного осаждения Download PDF

Info

Publication number
EA015231B1
EA015231B1 EA200801015A EA200801015A EA015231B1 EA 015231 B1 EA015231 B1 EA 015231B1 EA 200801015 A EA200801015 A EA 200801015A EA 200801015 A EA200801015 A EA 200801015A EA 015231 B1 EA015231 B1 EA 015231B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
loading
chamber
reaction chamber
substrate
vacuum
Prior art date
Application number
EA200801015A
Other languages
English (en)
Other versions
EA200801015A1 (ru
Inventor
Пекка Соининен
Сами Снек
Original Assignee
Бенек Ой
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Бенек Ой filed Critical Бенек Ой
Publication of EA200801015A1 publication Critical patent/EA200801015A1/ru
Publication of EA015231B1 publication Critical patent/EA015231B1/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12Substrate holders or susceptors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16Controlling or regulating
    • C30B25/165Controlling or regulating the flow of the reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к загрузочному устройству для реактора послойного атомного осаждения, причем реактор послойного атомного осаждения содержит вакуумную камеру (2), которая имеет первую торцевую стенку (6) и вторую торцевую стенку (20) с задним фланцем, а также боковую стенку/корпус (22), соединяющие первую и вторую боковые стенки, причем реакционная камера (4) предусмотрена внутри вакуумной камеры (2). Согласно изобретению предусмотрено загрузочное устройство в боковой стенке/корпусе (22) вакуумной камеры (2), так что одна или несколько подложек (10) могут быть введены в реакционную камеру (4) и удалены из нее через боковую стенку (22) вакуумной камеры (2).

Description

Область техники
Настоящее изобретение относится к устройству для загрузки реактора послойного атомного осаждения и к способу обработки подложки в реакторе послойного атомного осаждения. Более конкретно, изобретение относится к загрузочному устройству для реактора послойного атомного осаждения в соответствии с ограничительной частью п.1 формулы изобретения, причем реактор послойного атомного осаждения содержит вакуумную камеру и реакционное пространство, образованное внутри вакуумной камеры. Изобретение относится также к способу обработки подложки в реакторе послойного атомного осаждения в соответствии с п.10 формулы изобретения.
Уровень техники
Согласно уровню техники реакционная камера реактора послойного атомного осаждения загружалась путем помещения подлежащей обработке подложки в загрузочную камеру, в которой обеспечивалось очень низкое разрежение посредством всасывания, поскольку традиционно другие устройства для обработки, в которых давление процесса ниже, чем в процессе послойного атомного осаждения, подсоединяются к так называемому инструменту Клустера (К1и81ег), который содержит такую загрузочную камеру. Такая система с инструментом Клустера раскрыта, например, в патенте США № 6902624, фиг. 2. После этого вакуумный затвор между загрузочной камерой и реактором открывается, а пластина основания реакционной камеры опускается. При этом опорные штыри, прикрепленные к неподвижным конструкциям реактора, проходят через отверстия в подвижной подложке, как показано, например, на фиг. 2 в патенте США № 6579374. Далее передаточные средства, поддерживающие подложку, проталкивают ее в положение над опорными штырями, а опорно-передаточная пластина подложки слегка сдвигается вниз, оставляя подложку лежащей на опорных штырях. После этого передаточные средства выходят из реактора послойного атомного осаждения и вакуумный затвор закрывается. Далее пластина основания реакционной камеры поднимается, забирая подложку с опорных штырей и закрывая реакционную камеру. Удаление подложки производится соответствующим образом.
Проблема, связанная с описанной системой, заключается в том, что загрузка подложки в реакционную камеру требует нескольких согласованных перемещений различных частей реактора и объединения нескольких устройств. Кроме того, в загрузочной камере должно быть обеспечено очень низкое разрежение для замены подложки, поскольку некоторые из устройств, подсоединенных к инструменту Клустера, требуют очень низкого разрежения. К тому же установка устройств затруднена, так как техническое обслуживание машин производится через открываемую крышку вакуумной камеры, что затрудняет управление перемещениями пластины основания реакционной камеры. Далее, после создания разрежения посредством всасывания, конструкции подвергаются силовому воздействию (вызывающему пластическую деформацию несущих конструкций), которое стремится изменить настройку согласованных перемещений по мере пластической деформации несущих конструкций.
Раскрытие изобретения
Задача, на решение которой направлено настоящее изобретение, заключается в создании реактора послойного атомного осаждения и способа обработки подложки в реакторе послойного атомного осаждения, обеспечивающих решение указанных выше проблем.
В соответствии с изобретением решение поставленной задачи достигается за счет создания реактора послойного атомного осаждения в соответствии с отличительной частью п.1 формулы изобретения, отличающегося тем, что он содержит загрузочное устройство, которое расположено в первой или второй торцевой стенке или в боковой стенке/корпусе вакуумной камеры таким образом, что одна или несколько подложек могут быть введены в реакционное пространство внутри вакуумной камеры и соответственно удалены из него посредством одного линейного перемещения.
Решение поставленной задачи также достигается за счет создания способа в соответствии с отличительной частью п.10 формулы изобретения и отличающегося тем, что способ включает следующие этапы: одну или несколько подложек помещают в загрузочную камеру снаружи от вакуумной камеры; в загрузочной камере создают разрежение, соответствующее разрежению в вакуумной камере реактора послойного атомного осаждения; открывают вакуумный затвор; вводят подложку в реакционное пространство внутри вакуумной камеры путем одного линейного перемещения; выполняют обработку подложки и ее удаление из реакционного пространства; закрывают вакуумный затвор; повышают давление в загрузочной камере до атмосферного давления и удаляют подложку из загрузочной камеры.
Предпочтительные примеры осуществления изложены в зависимых пунктах.
Изобретение базируется на том факте, что реактор послойного атомного осаждения загружается не через открываемую пластину основания реакционной камеры, а путем одного линейного перемещения загрузки непосредственно в реакционное пространство. В этом случае в вакуумной камере используется отдельная реакционная камера, причем эта реакционная камера содержит открываемую стенку, а загрузочное отверстие расположено в боковой стенке/корпусе или в одной торцевой стенке вакуумной камеры реактора послойного атомного осаждения. Это достигается путем снабжения одной боковой стенки вакуумной камеры или цилиндрического корпуса вакуумной камеры или одной из ее торцевых стенок загрузочным отверстием, к которому загрузочное устройство подсоединено или встроено в него. Кроме того, расположенная внутри вакуумной камеры реакционная камера снабжена открываемой и закрывае
- 1 015231 мой стенкой, через которую подложка может быть загружена в реакционную камеру.
Загрузочное отверстие предпочтительно расположено на одной линии с открываемой стенкой реакционной камеры, так что загрузочные средства могут загружать подложку в реакционную камеру реактора путем одного линейного перемещения. Таким образом, подложка вводится непосредственно в реакционную камеру через загрузочное отверстие вакуумной камеры и открываемую боковую стенку реакционной камеры.
Согласно другому примеру выполнения нет необходимости в том, чтобы вакуумная камера включала в себя отдельную реакционную камеру, а внутреннее пространство вакуумной камеры или его часть может использоваться в качестве реакционного пространства. Другими словами, для изобретения существенно, что реактор послойного атомного осаждения снабжен загрузочными средствами, которые дают возможность загрузки подложки в реакционное пространство в вакуумной камере и удаления подложки из нее путем одного линейного перемещения.
Преимущество способа и системы по изобретению заключается в том, что по сравнению с загрузкой реактора, известного из уровня техники, могут быть устранены перекрестные перемещения подвижных частей реактора, а загрузка и разгрузка производятся путем одного линейного перемещения. В связи с тем, что устраняется необходимость в синхронизации и координации движений, конструкция реактора послойного атомного осаждения может быть упрощена, а загрузка и разгрузка могут выполняться даже вручную. Далее, поскольку загрузочные средства выполнены таким образом, чтобы обслуживать исключительно реактор послойного атомного осаждения, разрежение в загрузочной камере загрузочных средств может быть таким же, как давление в вакуумной камере реактора послойного атомного осаждения. Таким образом, в вакуумной камере не требуется обеспечивать очень низкое разрежение, которое обычно используется во время загрузки в загрузочной камере уровня техники. В результате давление в реакторе может выдерживаться постоянным во время загрузки и разгрузки и не требуется турбонасоса или подобного агрегата. В этом случае закрепленные исходные материалы могут храниться позади диффузионных уплотнений и они не требуют отдельных запорно-выпускных клапанов, что допускает использование полностью стеклянных труб и более высоких температур для исходных материалов.
Краткое описание чертежей
Далее со ссылками на прилагаемые чертежи будет подробно описан пример осуществления изобретения. На чертежах фиг. 1 изображает реактор послойного атомного осаждения и его загрузочное устройство в положении, когда подложка находится в загрузочном устройстве, фиг. 2 изображает реактор послойного атомного осаждения и его загрузочное устройство в положении, когда подложка загружена в реакционную камеру.
Подробное описание изобретения
На фиг. 1 показан реактор и его загрузочное устройство в соответствии с изобретением. Реактор послойного атомного осаждения содержит вакуумную камеру 2, которая имеет первую торцевую стенку 6 и вторую торцевую стенку 20. Первая торцевая стенка 6 содержит обычный загрузочный люк, который согласно изобретению используется не для загрузки подложки в реактор послойного атомного осаждения, а для технического ухода и обслуживания. В данном примере выполнения первая торцевая стенка снабжена также термическим сопротивлением 40 для нагрева реактора послойного атомного осаждения до желаемой температуры. Вторая торцевая стенка 20 образует задний фланец вакуумной камеры. Вакуумная камера 2 имеет также боковые стенки 22, которые соединяют между собой первую и вторую торцевые стенки 6, 20, проходят между ними и образуют корпус 22 вакуумной камеры, который в примере осуществления по фиг. 1 выполнен цилиндрическим. Далее, две трубы для исходного материала подсоединены к корпусу 22 вакуумной камеры 2 для подачи одного или нескольких реакционных газов в реакционную камеру 4.
Как показано на фиг. 1 и 2, реакционная камера 4 образована внутри вакуумной камеры 2, при этом трубы 50 подачи исходных материалов подсоединены к реакционной камере. Подложку, которая подлежит обработке в ходе процесса послойного атомного осаждения, размещают внутри реакционной камеры. Как видно на фиг. 1 и 2, реакционная камера содержит покрывающую пластину и пластину основания, которые могут быть прикреплены друг к другу или изготовлены в виде одной детали и образуют верхнюю и нижнюю стенки реакционной камеры 4, причем эти стенки расположены, по существу, в горизонтальной плоскости. По существу, перпендикулярные им боковые стенки проходят между верхней и нижней стенками. Верхняя стенка, нижняя стенка и боковые стенки образуют внутреннее пространство реакционной камеры, куда подложку помещают для обработки. Для ввода подложки в реакционную камеру она содержит открываемую и закрываемую боковую стенку 24, через которую подложка может быть введена в реакционную камеру.
Как показано на фиг. 1, корпус 22 вакуумной камеры 2 снабжен загрузочным отверстием 12, через которое подложка может быть введена в вакуумную камеру 2 и далее через открываемую боковую стенку 24 - в реакционную камеру 4. Загрузочные средства встроены или другим образом функционально связаны с загрузочным отверстием в корпусе 22 вакуумной камеры 2. Эти загрузочные средства содержат загрузочную камеру 8, которая снабжена держателем 16 для приема подложки 10. Может быть пре
- 2 015231 дусмотрен один или несколько держателей, а каждый из них может быть выполнен таким образом, чтобы принимать одну или несколько подложек 10, которые на фиг. 1 и 2 представляют собой кремниевый диск. Держатель 16 может также выполнять функцию держателя в реакционной камере 4, и в этом случае нет необходимости в перемещении подложки 10 на отдельную опорную пластину, когда подложку вводят в реакционную камеру 4.
Средства 14 создания давления подсоединены к загрузочной камере 8 для создания разрежения в загрузочной камере 8. Эти средства 14 создания давления могут содержать насос (не показан), который создает разрежение в загрузочной камере 8 посредством всасывания. В примере осуществления изобретения в загрузочной камере 8 предпочтительно должно создаваться такое же разрежение, как в вакуумной камере 2. Между загрузочной камерой 8 и вакуумной камерой 2 имеются клапанные средства 30, такие как вакуумный затвор, для разделения загрузочной камеры 8 и вакуумной камеры 2 и для их соединения для ввода подложки 10 в реакционную камеру 4.
В примере выполнения по фиг. 1 и 2 загрузочные средства содержат также загрузочный манипулятор 18, который присоединен к держателю 16, так что держатель 16 может быть задвинут внутрь реакционной камеры через загрузочное отверстие 12 и открываемую боковую стенку 24 реакционной камеры 4 путем перемещения передаточного манипулятора 18. В данном примере осуществления загрузочный манипулятор является манипулятором с ручным управлением, однако к держателю 16 могут быть присоединены также электрические и/или другие автоматические передаточные средства для перемещения подложки в реакционную камеру 4. Движение подачи может быть реализовано также с помощью магнитного взаимодействия. В этом случае стержень внутри подающей трубы перемещается магнитом, расположенным снаружи подающей трубы. При этом не требуется передачи линейного движения через стенку загрузочной камеры. Для изобретения существенным является то, что загрузочное устройство образовано в боковой стенке/корпусе 22 вакуумной камеры 2 или соединено с ними или встроено в них и/или в них предусмотрено загрузочное отверстие 12, так что одна или несколько подложек 10 могут быть введены в реакционную камеру 4 и удалены из нее через боковую стенку 22 вакуумной камеры 2. В данном случае одна или несколько подложек 10 могут быть введены в реакционную камеру 4 и удалены из нее через загрузочное отверстие 12 в боковой стенке 22 вакуумной камеры 2 и открываемую боковую стенку 24 реакционной камеры 4 с помощью загрузочных средств. Для обеспечения эффективности процесса загрузочное отверстие 12 расположено на одной линии или выровнено с открываемой боковой стенкой 24 реакционной камеры 4, так что подложка 10 может быть введена в реакционную камеру 4 и удалена из нее путем одного линейного перемещения. Далее будет подробно описан процесс ввода подложки в реакционную камеру 4.
В простейшем примере осуществления боковая стенка объединена с передаточным устройством, которое в этом случае закрывает боковую стенку на время обработки. При этом во время процесса обработки манипулятор прикреплен к боковой стенке или может быть снят с боковой стенки, например отвинчен, чтобы предотвратить тепловые потери. Загрузочное устройство может быть также изготовлено таким образом, что содержит исполнительные средства для открывания и закрывания открываемой боковой стенки 24 реакционной камеры 4. Эти исполнительные средства могут быть отдельными и при этом они могут управляться независимо от загрузки подложки 10 в реакционную камеру. Однако предпочтительно исполнительные средства функционально связаны с загрузочными средствами для объединения процессов открывания и закрывания открываемой боковой стенки 24 реакционной камеры 4 с вводом подложки 10 в реакционную камеру 4 и удалением подложки из нее с помощью загрузочных средств. В этом случае открываемая боковая стенка реакционной камеры 4 выполнена таким образом, что она может быть закрыта, когда держатель 16 подложки 10 находится внутри реакционной камеры 4 и когда передаточный манипулятор 18 и/или держатель 16 не находятся внутри реакционной камеры 4. Другими словами, исполнительные средства выполнены таким образом, чтобы открывать открываемую боковую стенку, когда подложка вводится и удаляется, и закрывать открываемую боковую стенку, когда подложка находится внутри реакционной камеры или за ее пределами.
В положении по фиг. 1 подложка 10 расположена в держателе 16 в загрузочной камере 8 для ввода ее в реакционную камеру 4. Разрежение, по существу, соответствующее разрежению в вакуумной камере, создается в загрузочной камере 8 средствами 14 создания давления. После этого открывают вакуумный затвор 30. В типовом случае вакуумный затвор управляется отдельно вручную или с помощью исполнительных средств. Вакуумный затвор может также открываться путем использования движения загрузочного манипулятора. В этом случае движение загрузочного манипулятора открывает вакуумный затвор 30, который расположен в соединении с загрузочным отверстием 12 в корпусе 22 вакуумной камеры 2. При этом образовано соединение между загрузочной камерой 8 и вакуумной камерой 2 для ввода подложки 10 и держателя 16 и/или загрузочного манипулятора 18 в вакуумную камеру. Действие вакуумного затвора 30 может быть связано с движением загрузочного манипулятора 18 и/или держателя 16 таким образом, что вакуумный затвор 30 открывается, когда загрузочный манипулятор 18 начинает перемещать подложку к реакционной камере. В альтернативном варианте вакуумный затвор 30 может открываться отдельными средствами управления независимо от движения загрузочного манипулятора 18 или других передаточных средств.
- 3 015231
После открытия вакуумного затвора 30 подложка линейно вводится вперед к реакционной камере 4 через загрузочное отверстие 12 в корпусе 22 вакуумной камеры 2. В наиболее предпочтительном примере выполнения боковая стенка 24 реакционной камеры встроена в держатель 16 или объединена с ним. В этом случае боковая стенка 24 реакционной камеры закрывается по окончании линейного перемещения, тем самым образуя замкнутое реакционное пространство.
На фиг. 2 подложка 10 показана внутри реакционной камеры 4, при этом загрузочный манипулятор 18 полностью задвинут в камеру. Подложку 10 удаляют из камеры соответствующим образом, но в обратном порядке. Другими словами, после обработки подложки загрузочный манипулятор 18 вытягивают из реактора, при этом боковая стенка 24 реакционной камеры открывается. Загрузочный манипулятор 18 вытягивают до тех пор, пока он не достигнет исходного положения по фиг. 1, при этом вакуумный затвор 30 закрывается и давление в загрузочной камере повышается до атмосферного.
Специалисту в данной области понятно, что загрузочные средства могут быть предусмотрены в любой стенке вакуумной камеры, а также расположены таким образом, что загрузка производится сбоку, снизу, сверху или по диагонали. Кроме того, держатели загрузочных средств могут быть выполнены таким образом, что подложки могут быть помещены в них и поданы в реакционную камеру в горизонтальном, вертикальном или любом промежуточном положении.
Кроме того, загрузочные средства, такие как загрузочный манипулятор или держатель, могут быть снабжены участком стенки, который образует часть стенки реакционной камеры и закрывает реакционное пространство, когда в нем находится подложка. В этом случае данный участок стенки может образовывать, например, часть открываемой стенки реакционной камеры 4. В этом случае реакционное пространство закрывается и герметизируется автоматически, когда загрузочные средства и подложка введены в реакционную камеру. При этом загрузочный манипулятор остается в положении загрузки до тех пор, пока подложка не будет удалена из реакционного пространства.
С помощью описанных выше устройства и способа подложка может быть загружена в реакционную камеру и удалена из нее посредством простого линейного перемещения наиболее простым возможным образом. Для достижения этого загрузочные средства выполнены таким образом, что держатель, который принимает подложку, может быть перемещен непосредственно в реакционное пространство путем одного линейного перемещения, так что загрузка реактора не требует координации нескольких перемещений.
Специалисту в данной области ясно, что реактор может использоваться также в других процессах по осаждению тонкой пленки, таких как процессы в устройствах для химического осаждения из газовой фазы.
Специалисту в данной области понятно, что по мере развития технологии изобретательские идеи могут осуществляться различными путями. Таким образом, изобретение не ограничивается описанными примерами осуществления и возможны различные изменения и модификации в пределах объема защиты, определяемого пунктами формулы изобретения.

Claims (13)

  1. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
    1. Реактор послойного атомного осаждения, содержащий вакуумную камеру (2) и реакционную камеру (4), расположенную внутри вакуумной камеры (2), где реакционная камера (4) снабжена открываемой стенкой (24), загрузочное отверстие (12), образованное в боковой стенке/корпусе (22) или в торцевой стенке (6, 20) вакуумной камеры (2), загрузочное устройство, сообщающееся с загрузочным отверстием, установленное в первой или второй торцевой стенке (6, 20) или в боковой стенке/корпусе (22) вакуумной камеры (2), содержащее загрузочный манипулятор (18) и загрузочную камеру (8), в которую помещают подложку (10) для перемещения в реакционную камеру (4), и клапанное средство (30), установленное между вакуумной камерой (2) и загрузочной камерой (8), где загрузочное устройство содержит участок стенки, который образует по меньшей мере часть открываемой стенки (24) реакционной камеры (4), когда подложка (10) находится внутри реакционной камеры (4), и установлено таким образом, что одна или несколько подложек (10) могут быть введены в реакционную камеру (4) внутри вакуумной камеры (2) и соответственно удалены из нее посредством одного линейного перемещения загрузочного манипулятора (18).
  2. 2. Реактор по п.1, отличающийся тем, что загрузочное устройство соединено с загрузочным отверстием или встроено в него.
  3. 3. Реактор по п.1 или 2, отличающийся тем, что загрузочное устройство содержит один или несколько держателей (16) для приема одной или нескольких подложек (10).
  4. 4. Реактор по п.3, отличающийся тем, что держатель выполнен таким образом, чтобы выполнять функцию держателя подложки (10) во время обработки в реакционной камере (4).
  5. 5. Реактор по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что загрузочные средства дополнительно содержат средства (14) создания давления для обеспечения разрежения в загрузочной камере (8).
  6. 6. Реактор по п.1, отличающийся тем, что загрузочный манипулятор (18) выполнен в виде средства с электрическим управлением.
    - 4 015231
  7. 7. Реактор по п.1, отличающийся тем, что загрузочное отверстие (12) расположено на одном уровне с открываемой стенкой (24) реакционной камеры (4), так что подложка (10) может быть введена в реакционную камеру (4) и удалена из нее путем одного линейного перемещения.
  8. 8. Реактор по любому из пп.1-7, отличающийся тем, что загрузочный манипулятор (18) содержит участок стенки, который образует по меньшей мере часть открываемой стенки (24) реакционной камеры (4).
  9. 9. Реактор по любому из пп.3-7, отличающийся тем, что один или более держателей (16) содержат участок стенки, который образует по меньшей мере часть открываемой стенки (24) реакционной камеры (4).
  10. 10. Способ обработки подложки в реакторе послойного атомного осаждения по любому из пп.1-9, включающий следующие этапы:
    одну или несколько подложек помещают в загрузочную камеру снаружи от вакуумной камеры, в загрузочной камере создают разрежение, соответствующее разрежению в вакуумной камере реактора послойного атомного осаждения, вводят подложку в отдельную реакционную камеру, расположенную внутри вакуумной камеры, через загрузочное отверстие в боковой стенке/корпусе или в первой или второй торцевой стенке вакуумной камеры и открываемую стенку реакционной камеры с использованием загрузочного устройства, обрабатывают подложку и удаляют подложку из реакционной камеры и вакуумной камеры обратно в загрузочную камеру, причем введение подложки в реакционную камеру осуществляют посредством одного линейного перемещения таким образом, что загрузочное устройство образует по меньшей мере часть открываемой стенки реакционной камеры, когда подложка находится внутри реакционной камеры для закрытия реакционной камеры.
  11. 11. Способ по п.10, отличающийся тем, что дополнительно включает нагревание подложки до желаемой температуры после того, как подложка была введена в реакционную камеру, а затем подложку обрабатывают посредством процесса послойного атомного осаждения.
  12. 12. Способ по п.10 или 11, отличающийся тем, что открывание и закрывание открываемой боковой стенки реакционной камеры объединено с этапами ввода подложки в реакционное пространство и удаления ее из реакционного пространства.
  13. 13. Способ по любому из пп.10-12, отличающийся тем, что этапы ввода подложки в реакционную камеру и удаления ее из реакционной камеры выполняют вручную.
EA200801015A 2005-11-17 2006-11-16 Устройство для реактора послойного атомного осаждения EA015231B1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20055613A FI121543B (fi) 2005-11-17 2005-11-17 Järjestely ALD-reaktorin yhteydessä
PCT/FI2006/050499 WO2007057518A1 (en) 2005-11-17 2006-11-16 Arrangement in connection with ald reactor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA200801015A1 EA200801015A1 (ru) 2008-12-30
EA015231B1 true EA015231B1 (ru) 2011-06-30

Family

ID=35458853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA200801015A EA015231B1 (ru) 2005-11-17 2006-11-16 Устройство для реактора послойного атомного осаждения

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090169743A1 (ru)
EP (1) EP1948844A4 (ru)
JP (1) JP2009516076A (ru)
CN (1) CN101310044A (ru)
EA (1) EA015231B1 (ru)
FI (1) FI121543B (ru)
WO (1) WO2007057518A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2620230C2 (ru) * 2012-11-23 2017-05-23 Пикосан Ой Способ загрузки подложки в реактор асо

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI122941B (fi) * 2008-06-12 2012-09-14 Beneq Oy Sovitelma ALD-reaktorin yhteydessä
FR2993044B1 (fr) * 2012-07-04 2014-08-08 Herakles Dispositif de chargement et installation pour la densification de preformes poreuses tronconiques et empilables
FI126863B (en) * 2016-06-23 2017-06-30 Beneq Oy Apparatus for treating particulate matter
CN109536927B (zh) * 2019-01-28 2023-08-01 南京爱通智能科技有限公司 一种适用于超大规模原子层沉积的给料***

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63299110A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 気相成長装置
US5879459A (en) * 1997-08-29 1999-03-09 Genus, Inc. Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition
US20030170403A1 (en) * 2002-03-11 2003-09-11 Doan Trung Tri Atomic layer deposition apparatus and method
US20050120956A1 (en) * 2003-07-31 2005-06-09 Masaki Suzuki Plasma processing apparatus

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0152324B1 (ko) * 1994-12-06 1998-12-01 양승택 웨이퍼 측면파지 이송 반도체 제조장치
US6002109A (en) * 1995-07-10 1999-12-14 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
US5653808A (en) * 1996-08-07 1997-08-05 Macleish; Joseph H. Gas injection system for CVD reactors
US6108937A (en) * 1998-09-10 2000-08-29 Asm America, Inc. Method of cooling wafers
FI118342B (fi) * 1999-05-10 2007-10-15 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
US6753506B2 (en) * 2001-08-23 2004-06-22 Axcelis Technologies System and method of fast ambient switching for rapid thermal processing
JP3616366B2 (ja) * 2001-10-23 2005-02-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US6902624B2 (en) * 2001-10-29 2005-06-07 Genus, Inc. Massively parallel atomic layer deposition/chemical vapor deposition system
JP2003163252A (ja) * 2001-11-27 2003-06-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
DE602004020179D1 (de) * 2003-01-07 2009-05-07 Univ Ramot Peptidenanostrukturen die fremdmaterial enthalten, und verfahren zur herstellung derselben

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63299110A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 気相成長装置
US5879459A (en) * 1997-08-29 1999-03-09 Genus, Inc. Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition
US20030170403A1 (en) * 2002-03-11 2003-09-11 Doan Trung Tri Atomic layer deposition apparatus and method
US20050120956A1 (en) * 2003-07-31 2005-06-09 Masaki Suzuki Plasma processing apparatus

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DATABASE EPODOC/EPO, abstract & JP 20031633252 A (HITACHI INT ELECTRIC INC) 06 June 2003 (2003-06-06), See also English translation *
DATABASE EPODOC/EPO, abstract & JP 63299110 A (NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE), 06 December 1988 (1988-12-06), Figures 1, 2, 4 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2620230C2 (ru) * 2012-11-23 2017-05-23 Пикосан Ой Способ загрузки подложки в реактор асо
US10161038B2 (en) 2012-11-23 2018-12-25 Picosun Oy Substrate loading in an ALD reactor
US11280001B2 (en) 2012-11-23 2022-03-22 Picosun Oy Substrate loading in an ALD reactor

Also Published As

Publication number Publication date
EP1948844A1 (en) 2008-07-30
US20090169743A1 (en) 2009-07-02
FI121543B (fi) 2010-12-31
EP1948844A4 (en) 2011-03-30
FI20055613A0 (fi) 2005-11-17
EA200801015A1 (ru) 2008-12-30
JP2009516076A (ja) 2009-04-16
WO2007057518A1 (en) 2007-05-24
CN101310044A (zh) 2008-11-19
FI20055613A (fi) 2007-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100446485B1 (ko) 원자 층 증착 공정을 위한 공정 스테이션
EP1025278B1 (en) Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition
CN109689930B (zh) 用于原子层沉积的设备和方法
RU2620230C2 (ru) Способ загрузки подложки в реактор асо
US6231290B1 (en) Processing method and processing unit for substrate
EA015231B1 (ru) Устройство для реактора послойного атомного осаждения
US10273579B2 (en) Apparatus for processing two or more substrates in a batch process
KR101923087B1 (ko) 플라즈마 소오스를 갖는 퇴적 반응기
CN110582591B (zh) 原子层沉积设备、方法和阀
CN102870194A (zh) 基板处理设备
KR102372132B1 (ko) 기판 처리 장치의 제어 방법 및 기판 처리 장치
CN114144542A (zh) 移载装置及使用了该移载装置的成膜装置
WO2005004228A1 (ja) 処理装置
KR20160123564A (ko) 기판 버퍼링 장치, 기판처리설비, 및 기판처리방법
KR102454618B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR930010481B1 (ko) 진공가열 처리장치
KR102527108B1 (ko) 기판 프로세싱 장치 및 방법
EP4384650A1 (en) An atomic layer deposition apparatus and method
KR102033526B1 (ko) 네블라이저를 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
KR20080058624A (ko) 기판 처리 장치
KR20090093994A (ko) 고수율 반도체 배치-웨이퍼 처리장비의 자동화

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM