DE9409744U1 - Beleuchtungseinrichtung für ein optisches System mit einem Reticle-Markierungssystem - Google Patents
Beleuchtungseinrichtung für ein optisches System mit einem Reticle-MarkierungssystemInfo
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 7
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 10
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70108—Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Description
Beschreibung: 9403 9 G
Beleuchtungseinrichtung für ein optisches System mit einem Reticle-Maskierungssystem
Anmeldegegenstand ist eine Beleuchtungseinrichtung für ein optisches System, insbesondere eine mikrolithographische
Projektions-Belichtungsanlage mit einem Reticle-Maskierungs
system.
Mit einer Projektions-Belichtungsanlage können unterschiedliche
Mikrochips hergestellt werden, wobei sich die Formate der Masken auf dem Reticle unterscheiden können. Es ist daher
notwendig, eine variable exakte Begrenzung des Beleuchtungsflecks auf dem Reticle vorzusehen, da sonst
Belichtungsfehler auftreten. Anordnungen möglichst nahe am
Reticle behindern dessen Handhabung und können die Anforderungen an die Kantensteilheit der Blendenwirkung, wie
sie für hoch aufgelöste Strukturen gestellt sind, nicht erfüllen. Bekannt ist es daher, im Beleuchtungsstrahlengang
eine zusätzliche Zwischen-Feldebene zu schaffen, in der das Reticle-Masking-System exakt positioniert werden kann. Die
dafür nötigen zusätzlichen Linsen erfordern bei den gegebenen Forderungen hinsichtlich Bildfeld, Apertur, Homogenität und
Achromasie einen hohen Aufwand und zusätzlichen Bauraum.
&iacgr;.
EP 0 297 161 Al gibt für eine Projektions-Belichtungsanlage mit
Lichtleiter-Glasstab im Beleuchtungs-Strahlengang an, daß nach dem Glasstab ein Verlaufsfilter angebracht werden kann. Dies
dient offenbar der weiteren Homogenisierung, nicht der Abblesndung.
Aufgabe ist. es daher, ein Reticle-Maskierungs-System mit hoher
Güte und geringem Mehraufwand zu schaffen.
Dies gelingt für eine gattungsgemäße Beleuchtungsanordnung mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1, wonach ein
Glasstab zur Lichtintegration vorgesehen ist und das Reticle-
Maskierungs-System am Austrittsende des Glasstabs angeordnet
ist. Bei gattungsgemäßen Beleuchtungsanordnungen sind Wabenkondensoren zur Homogenisierung der Lichtverteilung
üblich. Alternativ kann ein Glasstab diese Funktion übernehmen. Es wird nun davon Gebrauch gemacht, daß an dessen Austrittsende
eine für die Reticle-Maskierung geeignete Zwischen-Feldebene vorhanden ist. Zusätzliche Maßnahmen zur Erzeugung einer
Zwischen-Feldebene sind also nicht erforderlich.
Vorteilhafte Ausführungsformen sind Gegenstand der
Unteransprüche. Die Gegenstände der Ansprüche 2, 3 und 13 bis 19 sind auch in der Patentanmeldung "Beleuchtungseinrichtung"
vom gleichem Anmeldetag, Anmelder und Erfinder beschrieben.
Die Gegenstände der Ansprüche 4 bis 12 sind auch in der Patentanmeldung DE 43 42 424 vom 13.12.1993, deren Priorität
beansprucht wird, beschrieben. Die Offenbarungen dieser beiden
Anmeldungen sind auch Teil dieser Anmeldung.
Zur näheren Beschreibung dient die Zeichnung.
Fig. 1 zeigt schematisch eine Ausführungsform mit Zoom-Axicon;
Fig. 2a zeigt schematisch eine Ausführungsform mit
verstellbarer Spiegelanordnung zur Wahl der Beleuchtungsart in seitlicher Darstellung;
Fig. 2b zeigt das gleiche in Aufsicht.
Fig. 1 ist auch in oben genannter gleichzeitiger Patentanmeldung enthalten und beschrieben.
Figur 1 zeigt ein Beispiel einer erfindungsgemäßen Beleuchtungseinrichtung für die Projektions-Lithographie bei
Auflösungen bis unterhalb 1 &mgr;&tgr;&agr;, z.B. für die Herstellung
integrierter Schaltkreise.
• ·
Eine Lampe (1), eine Quecksilber-Kurzbogenlampe für die i-Linie von 3 65 nm Wellenlänge, ist im einen Brennpunkt eines
elliptischen Spiegels (12) angeordnet, der das emittierte Licht im zweiten Brennpunkt (121) sammelt.
Abweichend von der Regel ist der Verschluß (13) außerhalb des Brennpunktes (121) angeordnet, und zwar ist der Abstand zum
Scheitel des elliptischen Spiegels (12) etwa 5% bis 20%, vorzugsweise 10%, größer als der Abstand des Brennpunkts (121)
zum Scheitel. Dadurch wird erreicht, daß die hier gebildete sekundäre Lichtquelle homogener wird.und die partiell kohärente
Wirkung der Beleuchtung auf die optische Abbildung verbessert wird. Ein extra Misch-System zu diesem Zweck kann damit
eingespart werden. Diese Maßnahme ist auch bei einer sonst konventionellen Beleuchtungseinrichtung sinnvoll.
Alternativ ist auch ein UV-Laser als Lichtquelle sinnvoll.
Das folgend.e Objektiv (2) besteht aus einer ersten Linsengruppe (21) , dem konkaven ersten Axicon (22), dem konvexen zweiten
Axicon (23) und einer zweiten Linsengruppe (24). Stellmittel (231) und (241) erlauben die axiale Verschiebung eines Axicons
(23) und eines Elements der zweiten Linsengruppe (24). Damit kann sowohl der Abstand der Axicons (22, 23) untereinander
verstellt werden und somit der Ringfeldcharakter verändert werden, als auch eine Zoom-Wirkung zur Veränderung des
ausgeleuchteten Pupillendurchmessers, also des Kohärenzgrads (&sgr;), erreicht werden.
Nach der Pupillenzwischenebene (3) folgt ein zweites Objektiv (4) , mit dem das Licht in den Glasstab (5) von ca. 0,5m Länge
eingekoppelt wird. Der Ausgang des Glasstabs (5) ist eine Zwischen-Feldebene, in der ein Maskierungssystem (51)
angeordnet ist, das anstelle konventioneller REMA- (reticle masking) Systeme eingesetzt wird. Die sonst übliche Schaffung
einer zusätzlichen Zwischen-Feldebene für das REMA-System mit aufwendigen Linsengruppen wird eingespart.
Die Ausbildung des Reticle-Maskierungs-Systems (51) entspricht
ansonsten den üblichen feinmechanischen Ausführungen. Es ist jedoch darauf zu achten, daß die Begrenzungslinien exakt in
einer Ebene verlaufen. Vorteilhaft ist eine Ausbildung mit symmetrisch zur optischen Achse schräg stehenden
Blendenschneiden, da so Reflexe von deren Flächen wirksam aus dem Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung entfernt werden
können.
Das folgende Objektiv (6) bildet die Zwischen-Feldebene mit dem
Maskierungssystem (51) auf das Reticle (7) (Maske,
Lithographievorlage) ab und enthält eine erste Linsengruppe (61), eine Pupillen-Zwischenebene (52), in die Filter oder
Blenden eingebracht werden können, zweite und dritte Linsengruppen (63 und 65) und dazwischen einen Umlenkspiegel
(64) , der es ermöglicht, die große Beleuchtungseinrichtung (ca. 3 m Lä.nge) horizontal einzubauen und dabei das Reticle (7)
waagerecht zu lagern.
In Figur 2a und in Figur 2b ist eine Quecksilber-Kurzbogenlampe als Lichtquelle (1') dargestellt, von deren Lichtfluß vier
Kollektoren (21'-24') jeweils einen großen Raumwinkelbereich erfassen, so daß ein Großteil des Lichts den vier Lichtleitern
(31'-34') zugeführt wird. Die Lichtleiter (31'-34') sind als
Querschnittswandler ausgebildet, deren Austrittsflächen ringsegmentförmig sind. Zur weitgehenden Homogenisierung der
Lichtintensität über die Austrittsflächen sind die Lichtleiter (31'-34') z.B. aus statistisch durchmischten Einzelfasern
zusammengesetzt. Auch kann ihr Eingangsquerschnitt an die Lichtverteilung angepaßt sein.
Alternativ kann die Beleuchtung der Lichtleiter (31'-34') auch
durch einen Laser mit Strahlaufweitungsoptik und Pyramidenspiegel als geometrischem Strahlteiler realisiert
werden. Der Laser ist dann z.B. ein im UV emittierender Excimer-Laser.
An die Austrittsflächen der vier Lichtleiter (31'-34')
schließen sich je eine Einheit aus einer Relaisoptik (41'-44'),
einem ersten Umlenkspiegel (511'-514') und einem zweiten
Umlenkspiegel (521'-524') an. Diese Einheiten einschließlich der verbundenen Enden der flexibel ausgeführten Lichtleiter
(31'-34') sind durch Stellantriebe (541'-544') jeweils radial
und azimutal verstellbar bzw. scanbar. Eine Steuerung (100') kontrolliert die Stellantriebe (541'-544').
Über den Einkoppelspiegel (61) wird das von den vier
Umlenkspiegeln (521'-524') kommende Licht auf die Eintrittsfläche (71') eines Glasstabs (V) abgebildet. Diese
Eintrittsfläche (71') liegt in einer Pupillenebene P der Beleuchtungsanordnung und jede der vier Einheiten kann je nach
Stellung der Stellantriebe (541'-544') jeweils Teile eines Quadranten dieser Eintrittsfläche ausleuchten. Die vier von den
Kollektoren (21'-24') erfaßten Lichtströme werden also hier geometrisch zusammengesetzt zu einer effektiven sekundären
Lichtquelle.
Bei der Austrittsfläche (72') des Glasstabes (7') befindet sich
eine Feldebene F, in der erfindungsgemäß ein Reticle-Masking-System
(8'}, also eine verstellbare Blende, angeordnet ist. Mit
dem Stellmittel (81') wird das Reticle-Masking-System (REMA) bedarfsgemäß verstellt.
Das Reticlei-Masking-System (8T) an dieser Stelle erspart
gegenüber bekannten Lösungen den Aufwand für die Bereitstellung einer zusätzlichen Feldebene nur für das Reticle-Masking-System.
Das folgende Zwischenabbildungssystem (9') ist ein Objektiv mit
einer Pupillenebene P (93'), davor dem Inter-Masking-System
(91') und danach einer symbolisch dargestellten Strahlumlenkung (93'), bestehend aus einem Planspiegel, welcher in bekannter
Weise einen kompakteren Gesamtaufbau ermöglicht. Es folgt das zu beleuchtende Reticle (10) in der Feldebene F.
·· · t tilt* »*t
In der Anmeldung DE-P 43 42 424 sind diese Figuren 2a und 2b enthalten und beschrieben.
Das folgende Projektionsobjektiv und der zu belichtende Wafer
sind bekannt und nicht dargestellt.
Claims (20)
1. Beleuchtungseinrichtung für ein optisches System, insbesondere eine mikrolithographische
Projektionsbelichtungsanlage, mit einem Reticle-Maskierungs-System
(51), dadurch gekennzeichnet, daß ein Glasstab (5) zur Lichtintegration vorgesehen ist und das
Reticle-Maskierungs-System (51) am Austrittsende des Glasstabs (5) angeordnet ist.
2. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Lichtquelle (1) und Glasstab
(5) ein Objektiv (2) mit Axicon (24) angeordnet ist.
3. Beleuchtungseinrichtung nach■Anspruch 2 mit zwei Axicons
(22, 23), dadurch gekennzeichnet, daß durch Verstellen des Abstands der beiden Axicons (21, 23) stufenlos sowohl
konventionelle Beleuchtung als auch Ringfeld- oder Multipolbeleuchtung verschiedener Geometrie eingestellt
werden können.
4. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Lichtquelle (I1) und Glasstab
(7') eine Anordnung vorgesehen ist für die wahlweise Bereitstellung verschiedener Beleuchtungsarten
einschließlich konventioneller Beleuchtung mit einstellbarem Kohärenzfaktor (&sgr;), Ringfeldbeleuchtung und
symmetrischer schiefer Beleuchtung aus zwei oder vier Richtungen
mit Mitteln (21'-24') zum getrennten Erfassen von Lichtflüssen aus zwei oder vier Raumwinkelbereichen
des von der Lichtquelle (I1) emittierten Lichtflusses,
mit Mitteln (31'-34') zum Formen oder Ausblenden der
erfaßten Lichtflüsse,
mit einer Spiegelanordnung (511'-514', 521'-524', 531', 533'; 6') zur Abbildung der Lichtflüsse auf
Sektoren einer Pupillenebene (93 '), die konjugiert
zur Reticleebene für das abzubildende Reticle (10') ist,
mit Verstellmitteln .(541'-544') derart, daß die
Bilder der Lichtflüsse in der Pupillenebene (93') radial und azimutal verschoben werden können.
5. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Erfassen (21'-24') oder
die Mittel zum Formen (31'-34') oder Ausblenden der erfaßten Lichtflüsse Lichtleiter (31'-34') enthalten.
6. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstellmittel (541'-544') die
Lage der Ausgänge der Lichtleiter (31'-34') verstellen.
7. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstellmittel (541'-544') Teile
der Spiegelanordnung (511'-533') verstellen.
8. Beleuchtungseinrichtung nach mindestens einem der
Ansprüche 4-7, dadurch gekennzeichnet, daß die Bilder der Lichtflüsse in der Pupillenebene (93') so dimensioniert
sind, daß sie ohne Scanningbewegung geeignet sind für die symmetrische schiefe Beleuchtung oder für die
konventionelle Beleuchtung..-*
9. Beleuchtungseinrichtung nach mindestens einem der
Ansprüche 4-8, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zum Verändern der Größe der Bilder der Lichtflüsse in der
Pupillenebene vorgesehen sind.
10. Beleuchtungseinrichtung nach mindestens einem der
Ansprüche 4-9, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zum Verändern der Form der Lichtflüsse vorgesehen sind.
11. Beleuchtungseinrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 4-10, dadurch gekennzeichnet, daß die
Lichtflüsse in Ringsegmentform gebracht werden.
12. Beleuchtungseinrichtung nach mindestens einem der
Ansprüche 1-12, dadurch gekennzeichnet, daß die
Lichtquelle ein Laser ist.
Lichtquelle ein Laser ist.
13. Beleuchtungseinrichtung für ein optisches System, insbesondere eine mikrolithographische
Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1, 2 oder 3,
mit zwei Axicons (22, 23), dadurch gekennzeichnet, daß die zwei Axicons (22, 23) im Strahlengang unmittelbar
aufeinander folgen und ihr Abstand verstellbar ist, ein Axicon (22) konkav und ein zweites Axicon (23) konvex ist
und die Spitzen der beiden Axicons (22, 23) in die gleiche Richtung weisen.
14. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Axicons (22, 23) soweit
fertigungstechnisch machbar und funktionell wirksam gleichen Spitzenwinkel (a) haben.
fertigungstechnisch machbar und funktionell wirksam gleichen Spitzenwinkel (a) haben.
15. Beleuchtungseinrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand (d23) der beiden Axicons
(22, 23) bis zur Berührung reduziert werden kann.
16. Beleuchtungseinrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 13-15, dadurch gekennzeichnet, daß die Axicons
(22, 23) konisch sind.
17. Beleuchtungseinrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 13-15, dadurch gekennzeichnet, daß die Axicons
(22, 23) pyramidenförmig sind.
18. Beleuchtungseinrichtung nach mindestens einem der
Ansprüche 1-17, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein Objektiv (2) mit Zoomfunktion enthält.
19. Beleuchtungseinrichtung nach mindestens einem der
Ansprüche 1-18 mit einer Lichtquelle (1) in einem Fokus
eines Lampenspiegels, dadurch gekennzeichnet, daß eine
eine sekundäre Lichtquelle bildende Blende (13) außerhalb eines Fokus (121) des Lampenspiegels (12) angeordnet ist.
eine sekundäre Lichtquelle bildende Blende (13) außerhalb eines Fokus (121) des Lampenspiegels (12) angeordnet ist.
20. Beleuchtungsanordnung nach mindestens einem der Ansprüche 1-19, dadurch gekennzeichnet, daß das Reticle-Maskierungssystem
(51) schräg gestellte Blendenbleche
aufweist.
aufweist.
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Family
ID=6504852
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4342424A Ceased DE4342424A1 (de) | 1992-12-13 | 1993-12-13 | Beleuchtungseinrichtung für eine Projektions-Mikrolithographie- Belichtungsanlage |
DE9409744U Expired - Lifetime DE9409744U1 (de) | 1992-12-13 | 1994-06-17 | Beleuchtungseinrichtung für ein optisches System mit einem Reticle-Markierungssystem |
DE59406271T Expired - Fee Related DE59406271D1 (de) | 1993-12-13 | 1994-10-22 | Beleuchtungseinrichtung für eine Projektions-Mikrolithographie-Belichtungsanlage |
DE59407337T Expired - Fee Related DE59407337D1 (de) | 1993-12-13 | 1994-10-22 | Beleuchtungseinrichtung für ein optisches System mit einem Reticle-Maskierungssystem |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4342424A Ceased DE4342424A1 (de) | 1992-12-13 | 1993-12-13 | Beleuchtungseinrichtung für eine Projektions-Mikrolithographie- Belichtungsanlage |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59406271T Expired - Fee Related DE59406271D1 (de) | 1993-12-13 | 1994-10-22 | Beleuchtungseinrichtung für eine Projektions-Mikrolithographie-Belichtungsanlage |
DE59407337T Expired - Fee Related DE59407337D1 (de) | 1993-12-13 | 1994-10-22 | Beleuchtungseinrichtung für ein optisches System mit einem Reticle-Maskierungssystem |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (2) | KR100334147B1 (de) |
DE (4) | DE4342424A1 (de) |
TW (2) | TW300282B (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0747772A1 (de) * | 1995-06-06 | 1996-12-11 | Carl Zeiss | Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät |
EP0783137A2 (de) | 1995-12-27 | 1997-07-09 | Carl Zeiss | REMA-Objektiv für Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen |
US6285443B1 (en) | 1993-12-13 | 2001-09-04 | Carl-Zeiss-Stiftung | Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus |
US7130129B2 (en) | 1996-12-21 | 2006-10-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Reticle-masking objective with aspherical lenses |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10132988B4 (de) * | 2001-07-06 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage |
DE10251087A1 (de) * | 2002-10-29 | 2004-05-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungseinrichtung für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0266203B1 (de) * | 1986-10-30 | 1994-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Belichtungseinrichtung |
NL8801348A (nl) * | 1988-05-26 | 1989-12-18 | Philips Nv | Belichtingsstelsel. |
US5305054A (en) * | 1991-02-22 | 1994-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging method for manufacture of microdevices |
-
1993
- 1993-12-13 DE DE4342424A patent/DE4342424A1/de not_active Ceased
-
1994
- 1994-06-17 DE DE9409744U patent/DE9409744U1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-22 DE DE59406271T patent/DE59406271D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-22 DE DE59407337T patent/DE59407337D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-14 KR KR1019940029834A patent/KR100334147B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-11-14 KR KR1019940029833A patent/KR100333566B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-11-25 TW TW083110967A patent/TW300282B/zh not_active IP Right Cessation
- 1994-11-25 TW TW083110968A patent/TW311182B/zh active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6285443B1 (en) | 1993-12-13 | 2001-09-04 | Carl-Zeiss-Stiftung | Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus |
EP0747772A1 (de) * | 1995-06-06 | 1996-12-11 | Carl Zeiss | Beleuchtungseinrichtung für ein Projektions-Mikrolithographie-Gerät |
EP0783137A2 (de) | 1995-12-27 | 1997-07-09 | Carl Zeiss | REMA-Objektiv für Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen |
EP0783137A3 (de) * | 1995-12-27 | 1999-10-27 | Carl Zeiss | REMA-Objektiv für Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen |
US7130129B2 (en) | 1996-12-21 | 2006-10-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Reticle-masking objective with aspherical lenses |
US7372634B2 (en) | 1996-12-21 | 2008-05-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Reticle-masking objective with aspherical lenses |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR950019950A (ko) | 1995-07-24 |
TW311182B (de) | 1997-07-21 |
DE59407337D1 (de) | 1999-01-07 |
KR950019951A (ko) | 1995-07-24 |
KR100334147B1 (ko) | 2002-11-23 |
KR100333566B1 (ko) | 2002-11-30 |
DE59406271D1 (de) | 1998-07-23 |
DE4342424A1 (de) | 1995-06-14 |
TW300282B (de) | 1997-03-11 |
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