DE937212C - Verfahren zum Aufdampfen einer Dielektrikumschicht auf leitenden Unterlagen - Google Patents

Verfahren zum Aufdampfen einer Dielektrikumschicht auf leitenden Unterlagen

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DE937212C
DE937212C DES23632A DES0023632A DE937212C DE 937212 C DE937212 C DE 937212C DE S23632 A DES23632 A DE S23632A DE S0023632 A DES0023632 A DE S0023632A DE 937212 C DE937212 C DE 937212C
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vapor deposition
dielectric layer
dielectric
conductive substrates
layer
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Expired
Application number
DES23632A
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English (en)
Inventor
Ernst Steiner
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Siemens AG
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Siemens AG
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541Heating or cooling of the substrates

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
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  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
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Description

  • Verfahren zum Aufdampfen einer Dielektrikumschicht auf leitenden Unterlagen Das Aufdampfen von Quarzschichten auf metallische Unterlagen ist grundsätzlich bekannt. Man ging dabei häufig so vor, daß zunächst eine Schicht von Siliziumoxyd aufgedampft wurde, die sich anschließend zu Quarz aufoxydieren läßt. Mit dem bekannten Verfahren wird jedoch nur bei sehr dünnen Schichten eine homogene Auflage erhalten. Sobald die aufgedampfte Schicht eine größere Dicke als etwa o, i ,u erreicht, wird die Quarzschicht porös. Dies ist besonders nachteilig, wenn die aufgedampfte Schicht das Dielektrikum in einem Kondensator bilden soll. Es war daher nicht möglich, Kondensatoren aus Folien mit aufgedampften Quarz= schichten herzustellen.
  • Gemäß der Erfindung wird nun die metallische Unterlage, z. B. eine Metallfolie, während des Auf -dampfungsprozesses einer Dielektrikumsschicht .erhitzt, vorzugsweise auf eine Temperatur oberhalb 2oo°. Durch dieses Verfahren gelingt es, eine homogene Schicht, z. B. von Siliziumoxyd, auch größerer Dicke herzustellen, die dann in bekannter Weise zu Quarz aufoxydi:ert werden kann. Als optimal für den Aufdampfprozeß haben sich Temperaturen zwischen 200 und ¢0o° herausgestellt. Es gelingt dabei, Schichtdicken der Größenordnung von i o ,u aufzudampfen. Bei Kondensatorfolien läßt sich dieser Belag z. B. auf beide Seiten der Folie aufdampfen. Auf eine derart mit einer relativ dicken Dielektrikumsschicht bedeckten Folie läßt sich dann wieder durch Metallbedampfung ein leitender Belag aufbringen. Die in dieser Weise behandelten Folien eignen sich besonders zur Herstellung von Wickelkondensatoren. Infolge der hervorragenden Eigenschaften des Quarz-Delektrikums (hohe Spannungsfestigkeit) lassen sieh Kondensatoren herstellen, die :eine sehr große Volumenkapazität und Spannungsfestigkeit haben. Das Dielektrikum kann hoch beansprucht werden, da bei einem eventuell auftretenden Durchschlag die Störstelle selbst regeneriert wird. Wird die Dicke der Dielektrikumsschicht genügend groß gewählt, so daß im Betrieb keine Regenerationsstöße mehr auftreten, so erhält man Kondensatoren außerordentlich hoher Konstanz.
  • Das Verfahren nach der Erfindung äst nicht auf das Aufdampfen von Quarzschichten (Si02) beschränkt. Man kann .danach auch entsprechende Dielektrikuwnsschichten, insbesondere Metalloxydschichten, aufdampfen, z: B. Ti02, A1203 od. dgl. Ferner Mischungen von Metalloxyden, z. B. A1203 und SiO2 oder Ti02 und Sri02 oder 'Sn02 um(d Pb O oder Ti 02 und Pb O. Nach denn Verfahren der Erfindung kann man homogene Schichten auch erhalten, wenn man an Stelle des niederen Metalloxydes; z. B. Si O, :das endgültige, stabile Metalloxid, z. B. Si02, das Dielektrikuan 'bilden soll, unmitttelbar auMampft.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zum Aufdampfen einer Dielektrikumsschicht, insbesondere Metalloxydächicht, auf einer vorzugsweise elektrisch leitenden Unterlage, z. B. einer metallischen Folie, dadurch. gekennzeichnet, daß die metallische Unterlage während des Aufdampfprozesses erhitzt wird, vorzugsweise auf .eine Temperatur oberhalb 200°.
  2. 2. Nach Anspruch i hergestellte Metallfolien, dadurch gekennzeichnet, daß auf den mit einem Dielektxikumsbelag versehenen Flächen durch Bediampfung ein Metallbelag aufgebracht ist.
DES23632A 1951-06-22 1951-06-22 Verfahren zum Aufdampfen einer Dielektrikumschicht auf leitenden Unterlagen Expired DE937212C (de)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1079588B (de) * 1955-03-09 1960-04-14 Heberlein & Co Ag Verfahren zur Erzeugung von Farbeffekten auf textilen Flaechengebilden unter Hochvakuumaufdampfung
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