DE922896C - Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters

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DE922896C
DE922896C DES15120D DES0015120D DE922896C DE 922896 C DE922896 C DE 922896C DE S15120 D DES15120 D DE S15120D DE S0015120 D DES0015120 D DE S0015120D DE 922896 C DE922896 C DE 922896C
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Germany
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selenium
hydrochloric acid
rectifier
manufacturing
aluminum
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DES15120D
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English (en)
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Ernst Dipl-Ing Siebert
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Siemens AG
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Siemens AG
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/08Preparation of the foundation plate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
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Description

  • Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters Um zwecks Herstellung eines Gleichrichters die Selenschicht auf einer Unterlage aus Leichtmetall aufzubringen, ist es notwendig, die Oberfläche der Unterlage aufzu.rauhen bzw. so vorzubereiten, daß die Verbindung zwischen Trägermetall und Selen sowohl in mechanischer als auch elektrischer Beziehung möglichst gut wird. Hierzu hat man sich bisher eines Sandstrahlgebläses bedient. Das Aufrauhen mittels Sandstrahls bringt aber den Nachteil mit sich, daß im mikroskopischen Gefüge der Leichtmetalloberfläche scharfe Spitzen entstehen, an denen das Selen schlecht oder gar nicht haftet. Infolgedessen kommt bei dünner Selenschicht leicht die Gegenelektrode, die üblicherweise aufgespritzt wird, in unmittelbare Berührung mit diesen Spitzen der Leichtmetallunterlage, wodurch Kurzschlüsse entstehen. Wenn es nicht gelingt, diese Kurzschlüsse beim Formieren oder ähnlichen Nachbehandlungsarbeitern wieder zu beseitigen, ist das Element als Gleichrichter unbrauchbar.
  • Demgegenüber wird bei der Herstellung eines Selengleichrichters durch Aufschmelzen einer Selenschicht auf eine Unterlage aus Leichtmetall, z. B. Aluminium, Magnesium oder deren Legierungen, nach der Erfindung die Oberfläche der Unterlage vor dem Aufbringen des Selens durch Beizen mittels Salzsäure, die gegebenenfalls einen geringen Eisenzusatz enthält, aufbereitet und die Beizung so lange fortgesetzt, bis die Oberfläche der Unterlage ein marmoriertes graues Aussehen erreicht. Dabei ist es, wenn Salzsäure mit einem geringen Eisenzusatz verwendet wird, zweckmäßig, in i 1 im Verhältnis i : i verdünnter warmer Salzsäure i g Eisen aufzulösen.
  • Durch eine derartige Aufbereitung der Metalloberfläche wird die Verbindung der Unterlage mit der aufgeschmolzenen Selenschicht wesentlich inniger, gleichmäßiger und dauerhafter als beim Aufrauhen der Metalloberfläche mittels Sandstrahl, und es besteht überdies keine Gefahr von Kurzschlüssen.
  • Es ist bekannt, eine als Unterlage für die Selenr schiebt eines Trockengleichrichters dienende Aluminiumscheibe aufzurauhen. Dem Schrifttum ist hierüber jedoch nur die allgemeine Angabe zu entnehmen, daß die Aufrauhung auf mechanischem oder auf chemischem Wege vorgenommen werden kann, nicht dagegen die Vorschrift, zum Aufrauhen Salzsäure zu verwenden und diese Art der Aufbereitung so lange fortzusetzen, bis die Oberfläche der Scheibe ein marmoriertes graues: Aussehen erlangt.
  • Es ist ferner bekannt, Leichtmetalle durch Ätzen für die Plattierung vorzubereiten und dabei als Ätzmittel Salzsäure mit Eisenzusatz zu verwenden. Abgesehen davon, daß es sich hierbei um einen ganz anderen Verwendungszweck als bei dem Verfahren nach der Erfindung handelt, enthält die bekannte Vorschrift nicht die Angäbe, die Behandlung mit Salzsäure so lange fortzusetzen, bis die Oberfläche des Leichtmetalls ein marmoriertes graues Aussehen erlangt.
  • Die gute Wirkung des Verfahrens nach der Erfindung beruht in erster Linie darauf, daß durch das lange fortgesetzte Beizen mittels Salzsäure, die gegebenenfalls einen schwachen Eisenzusatz enthält, die Metalloberfläche, de dem Selen zum Festhaften dargeboten wird, erheblich vergrößert wird, ohne daß man, wie es bei der mechanischen Aufrauhung der Fall ist, Gefahr läuft, daß sich Spitzen bilden, di,e Kurzschlüsse herbeiführen könnten. Daneben wird aber eine z. B. aus Aluminium bestehende Leichtmetallscheibe durch die angegebene Aufbereitungsbehandlung von - Fremdschichten, also z. B. einer schlecht leitenden Aluminiümoxydschicht, wirkungsvoll befreit, indem sich eine wahrscheinlich aus Aluminiumselenid bestehende Zwischenschicht bildet. Möglicherweise wird die Haftung des Selens auf der gebeizten Leichtmetalloberfläche auch durch das Entstehen gewisser Chlorverbindungen günstig beeinflußt.
  • Um einen Gleichrichter gemäß der Erfindung herzustellen, verfährt man beispielsweise folgendermaßen: Eine Unterlage, die aus handelsüblichem Aluminium bestehen kann, wird in verdünnter warmer Salzsäure, der auf I 1 eine Eisenmenge von I g zugesetzt ist, gebeizt. Auf die Oberfläche, die nach dem Beizen vor weiteren chemischen Angriffen zu schützen ist, wird verflüssigtes Selen aufgebracht und in einer Presse einem ausreichenden Druck unterworfen, der eine .gute und gleichmäßige Verteilung des Selens auf der Oberfläche der Aluminiumplatte gewährleistet.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters durch Aufschmelzen einer Selenschicht auf eine Unterlage aus Leichtmetall, z. B. Aluminium, Magnesium oder deren Legierungen, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Unterlage vor dem Aufbringen des Selens durch Beizen mittels Salzsäure, die gegebenenfalls einen geringen Eisenzusatz enthält, aufbereitet und die Bei.zung so lange fortgesetzt wird., bis die Oberfläche der Unterlage ein marmoriertes graues Aussehen erreicht. Angezogene Druckschriften: USA.-Patentschriften Nr. 2 030 443, 2 035 o22; britische Patentschrift Nr. 433 8I8.
DES15120D 1938-08-16 1938-08-16 Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters Expired DE922896C (de)

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FR858998D FR858998A (fr) 1938-08-16 1939-08-11 Procédé pour la fabrication de redresseurs au sélénium
US289790A US2221614A (en) 1938-08-16 1939-08-12 Method of manufacturing selenium rectifiers
BE435957D BE435957A (de) 1938-08-16 1939-08-12

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US2221614A (en) 1940-11-12

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