DE9212486U1 - Halbleiterkörper mit verlöteter Trägerplatte - Google Patents
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Description
92 &Bgr; 1 6 H DE
Siemens Aktiengesellschaft
Halbleiterkörper mit verlöteter Trägerplatte 5
Die Erfindung bezieht sich auf einen aus Silizium bestehenden Halbleiterkörper, der mit einer metallenen Trägerplatte
über eine Folge von Metallschichten verlötbar ist, die ausgehend vom Silizium in Richtung zur Trägerplatte vor dem Löten
eine Nickelschicht und eine Silberschicht enthält.
Solche Halbleiterkörper sind in Halbleiterbauelemente eingebaut, die sich in großer Zahl am Markt befinden. Die Folge
von Metallschichten enthält, wie in der Figur dargestellt, eine Aluminiumschicht 3, die auf einem Silizium-Halbleiterkörper
l sitzt. Die Aluminiumschicht haftet gut auf Silizium und bildet insbesondere mit p-dotiertem Silizium einen einwandfreien
ohmschen Kontakt. Auf der Aluminiumschicht 3 sitzt eine Titanschicht 4, die als Haftvermittler und Diffusionssperre
zwischen einer auf der Titanschicht 4 sitzenden Nickelschicht 5 und der Aluminiumschicht 3 dient. Auf die
Nickelschicht 5 wird nach dem Stand der Technik direkt eine Silberschicht 7 aufgebracht. Das Silber haftet jedoch nicht
sehr gut auf dem Nickel, so daß bei mechanischer oder thermischer Beanspruchung (z.B. Messungen bei Temperaturen
> 500C vor dem Löten die Silberschicht von der Nickelschicht
abgelöst werden kann. Dies tritt insbesondere dann auf, wenn die Halbleiterkörper nach dem Sägen von einer Sägefolie entfernt
werden müssen.
92 6 1 6 H OE
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die mechanische Haftung der Silberschicht auf der Nickelschicht ohne Verschlechterung
der Lötfähigkeit zu verbessern. Diese Aufgabe wird gelöst durch eine zwischen der Nickelschicht
und der Silberschicht liegende Titanschicht mit einer Dicke von weniger als 15 ran.
Vorzugsweise beträgt die Dicke der Titanschicht etwa 3 nm.
In der Figur ist die Schichtfolge der Metalle vor dem Verlöten gezeigt. Gemäß der Erfindung liegt zwischen der Nickelschicht
5 und der Silberschicht 7 eine Titanschicht 6 mit einer Dicke weniger als 15 nm. Die Titanschicht 6 dient in
bekannter Weise als Haftvermittler zwischen der Silberschicht und der Nickelschicht, d.h. die Haftung der einzelnen
Schichten zueinander wird deutlich verbessert und ein Ablösen der Silberschicht vermieden. Die geringe Dicke der
Titanschicht von vorzugsweise etwa 3 nm ist so gewählt, daß sie beim Lötvorgang vollständig aufgelöst wird und die eigentliche
Lötverbindung - wie allgemein üblich und bekannt wieder zwischen dem Lot (Zinn) und dem Nickel stattfinden
kann. Aufgrund der nur geringen Titanmenge werden Benetzung und Fließverhalten des Lotes sowie die Stabilität der Lotverbindung
nicht beeinträchtigt. Beim Lötvorgang schmilzt die zwischen die Trägerplatte 2 und die Silberschicht 7 des
Halbleiterkörpers eingelegte Lotschicht (z.B. aus Zinn/Silber) - in der Figur mit 8 bezeichnet - auf, die Silberschicht
7 und die sehr dünne Titanschicht 6 werden aufgelöst. Von der dann folgenden Nickelschicht 5 wird nur eine
Dicke von 1/1000 der Lotschichtdicke angelöst, da nach dem Phasendiagramm für Zinn/Nickel bei den üblichen Löttemperaturen
(250° - 4000C) nur relativ wenig Nickel (etwa 1%)
92 6 1 6 H OE
durch das Zinn aufgelöst wird. Auch mit vergleichsweise dünnen Nickelschichten (~l/un) auf der Chiprückseite sind deshalb
gute Lötverbindungen möglich. Die beschriebene Schichtenfolge ergibt einen mechanisch und elektrisch stabilen
Kontakt.
Die Erfindung ist zwar für einen Kontakt mit einer Schichtfolge
Al/Ti/NI/Ti/Ag beschrieben worden. Sie ist jedoch
selbstverständlich auch für Schichtfolgen anwendbar, bei der zwischen der Nickelschicht 5 und dem Halbleiterkörper l andere
Metallschichten vorgesehen sind. Wesentlich ist, daß die dünne Titanschicht als haftvermittelnde Schicht zwischen
einer Nickelschicht und einer Silberschicht liegt, die Silber- und Titanschicht beim Löten aufgelöst werden, die
Nickelschicht jedoch, wie üblich, nur angelöst wird.
Claims (2)
1. Aus Silizium bestehender Halbleiterkörper (l), der mit
einer metallenen Trägerplatte (2) über eine Folge von Metallschichten verlötbar ist, die vor dem Löten ausgehend vom
Silizium in Richtung zur Trägerplatte eine Nickelschicht (5) und eine Silberschicht (7) enthält,
gekennzeichnet durch eine zwischen der Nickelschicht (5) und der Silberschicht (7) liegende Titanschicht
(6) mit einer Dicke von weniger als 15 nm.
2. Halbleiterkörper nach Anspruch l,
gekennzeichnet durch eine Dicke der Titanschicht (6) von etwa 3 nm.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0756325A2 (de) * | 1995-07-27 | 1997-01-29 | Philips Patentverwaltung GmbH | Halbleitervorrichtung mit einem Träger |
EP0788150A2 (de) * | 1996-02-01 | 1997-08-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Löten eines Halbleiterkörpers auf eine metallene Trägerplatte |
EP0790647A2 (de) * | 1996-02-19 | 1997-08-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterkörper mit Lotmaterialschicht und Verfahren zum Auflöten des Halbleiterkörpers auf eine metallene Trägerplatte |
WO1999008322A1 (de) * | 1997-08-08 | 1999-02-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterkörper mit rückseitenmetallisierung |
DE102005042780B4 (de) * | 2004-09-08 | 2017-02-02 | Denso Corporation | Halbleiteranordnung mit einer Lotschicht auf Zinnbasis und Verfahren zum Herstellen derselben |
-
1992
- 1992-09-16 DE DE9212486U patent/DE9212486U1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0756325A2 (de) * | 1995-07-27 | 1997-01-29 | Philips Patentverwaltung GmbH | Halbleitervorrichtung mit einem Träger |
EP0756325A3 (de) * | 1995-07-27 | 1998-12-30 | Philips Patentverwaltung GmbH | Halbleitervorrichtung mit einem Träger |
EP0788150A2 (de) * | 1996-02-01 | 1997-08-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Löten eines Halbleiterkörpers auf eine metallene Trägerplatte |
EP0788150A3 (de) * | 1996-02-01 | 1998-09-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Löten eines Halbleiterkörpers auf eine metallene Trägerplatte |
EP0790647A2 (de) * | 1996-02-19 | 1997-08-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterkörper mit Lotmaterialschicht und Verfahren zum Auflöten des Halbleiterkörpers auf eine metallene Trägerplatte |
EP0790647A3 (de) * | 1996-02-19 | 1999-06-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterkörper mit Lotmaterialschicht und Verfahren zum Auflöten des Halbleiterkörpers auf eine metallene Trägerplatte |
WO1999008322A1 (de) * | 1997-08-08 | 1999-02-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterkörper mit rückseitenmetallisierung |
US6147403A (en) * | 1997-08-08 | 2000-11-14 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor body with metallizing on the back side |
US6309965B1 (en) | 1997-08-08 | 2001-10-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of producing a semiconductor body with metallization on the back side that includes a titanium nitride layer to reduce warping |
DE102005042780B4 (de) * | 2004-09-08 | 2017-02-02 | Denso Corporation | Halbleiteranordnung mit einer Lotschicht auf Zinnbasis und Verfahren zum Herstellen derselben |
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