DE919125C - Zweifach stabile Kreise mit Transistoren - Google Patents

Zweifach stabile Kreise mit Transistoren

Info

Publication number
DE919125C
DE919125C DEW11083A DEW0011083A DE919125C DE 919125 C DE919125 C DE 919125C DE W11083 A DEW11083 A DE W11083A DE W0011083 A DEW0011083 A DE W0011083A DE 919125 C DE919125 C DE 919125C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistors
electrode
control electrode
transistor
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEW11083A
Other languages
English (en)
Inventor
William Shockley
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE919125C publication Critical patent/DE919125C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/313—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with two electrodes, one or two potential barriers, and exhibiting a negative resistance characteristic
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/35—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar semiconductor devices with more than two PN junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf Halbleitersignal-Übertragungseinrichtungen, insbesondere auf zweifach stabile Kreise mit Halbleitereinrichtungen der Art, wie sie unter dem Namen Transistoren bekannt sind.
Transistoren der Art, wie sie als Verbindungstransistoren bekannt sind, bestehen im allgemeinen aus einem halbleitenden Körper, z. B. aus Germanium oder Silizium, der eine Zone mit einem Leitfähigkeitstyp (P oder N) zwischen und angrenzend an zwei Zonen mit entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp enthält. An den äußeren Zonen sind Steuerelektroden- und Sammelelektrodenanschlüsse angebracht; ein dritter Anschluß, der Basiselektrode genannt wird, befindet sich an der Mittelzone. Die verschiedenen Zonen definieren zwei Verbindungen, die hier mit Steuerelektroden- und Sammelelektrodenverbindung bezeichnet werden. Im allgemeinen ist beim Betrieb der Einrichtung die Sammelelektrodenverbindung in Sperrichtung bzw. in der Richtung mit hohem Widerstand und die Steuerelektrodenverbindung in Flußrichtung bzw. in der Richtung mit niedrigem Widerstand vorgespannt.
Normalerweise, d. h. bei der Spannung Null oder bei kleinen Spannungen, die zwischen den Endzonen eines Transistors des allgemeinen, soeben beschriebenen Aufbaus angelegt sind, ist die Impedanz zwischen den Klemmen an diesen Zonen sehr hoch. Ferner ist bei solchen Einrichtungen
der Stromvervielfachungsfaktor verhältnismäßig klein und nähert sich im Grenzfall dem Wert Eins. Ein allgemeiner Gegenstand der Erfindung besteht darin, neue und verbesserte Betriebskennwerte bei Schaltelementen mit Transistoren zu erhalten. Speziellere Erfindungsgegenstände bestehen darin, verhältnismäßig hohe Stromvervielfachungsfaktoren bei Übertragungseinrichtungen mit Transistoren zu erreichen, eine leichte Regelung der Impedanz zwischen den Außenzonen von Verbindungstransistoren zu ermöglichen und einen zweifach stabilen Transistorkreis zu schaffen, der leicht von einem Zustand mit niedrigem Strom bzw. als offener Kreis in einen Zustand mit ig hohem Strom bzw. als geschlossener Kreis übergeht.
Gemäß einem Merkmal der Erfindung wird ein Paar Transistoren von ungleichem Leitfähigkeitstyp so verbunden, daß ein Schaltelement mit ao neuen vorteilhaften Kennwerten gebildet wird.
Gemäß einem Erfindungsmerkmal wird insbesondere ein Paar Verbindungstransistoren, von denen nur einer NPN- und der andere PNP-Aufbau aufweist, so zusammengeschaltet, daß die as Basiselektrode jedes Transistors mit der Sammelelektrode des anderen verbunden ist und die Steuerelektroden jeweils mit einer Klemme eines Klemmenpaars verbunden sind. Die Kombination, wie sie weiter unten geschildert wird, bildet einen äquivalenten Transistor mit einem Stromvervielfachungsfaktor, der wesentlich größer als die Faktoren der Teileinheiten ist.
Weiterhin sind bei Spannungen an den genannten Klemmen unterhalb eines gewissen Wertes beide einzelnen Transistoren und die Kombination in einem Zustand mit niedrigem Strom. Jedoch gehen die Einrichtungen bei Spannungen mit einer gewissen Mindestgröße plötzlich in einen Zustand mit hohem Strom über. Somit ist die Kombination insbesondere als Schaltungssteuerelement oder als Schalter von Nutzen, der vom Zustand als offener Kreis nach Anlegen einer Spannung von vorgeschriebener Größe zwischen den Klemmen in einen Zustand als geschlossener Kreis übergeführt werden kann. Die Einrichtung arbeitet in zwei Richtungen und hat in beiden Richtungen im wesentlichen die gleichen Übertragungseigenschaften. Ferner bringt sie in einem zwischen den Klemmen angeschlossenen Kreis im wesentlichen vernachlässigbare Verluste hervor.
Gemäß einem weiteren Erfindungsmerkmal sind Mittel vorgesehen, um die Spannung genau voreinzustellen, die zum Kippen der Einrichtung vom Zustand mit niedrigem Strom in den Zustand mit hohem Strom erforderlich ist. Insbesondere ist gemäß einem Erfindungsmerkmal eine Halbleiterdiode mit einer vorgeschriebenen Zener-Spannung parallel zu einer der Verbindungen in den Transistoren geschaltet und für Spannungen der normalen, an den genannten Klemmen aufgedrückten Polarität in Sperrichtung gepolt.
Die Erfindung sowie ihre obengenannten und weiteren Merkmale werden klarer und vollständiger an Hand der folgenden, ins einzelne gehenden Erläuterung und der Zeichnungen verständlich werden.
Fig. ι ist ein Schaltbild, das ein Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
Fig. 2, 3 und 4 zeigen weitere Ausführungen der Erfindung mit Zener-Dioden, die mit den Transistoren verbunden sind;
Fig. 5 zeigt eine Abänderung der in Fig. 1 dargestellten Ausführung, die insbesondere zur Erreichung niedriger Sättigungsströme geeignet ist;
Fig. 6 zeigt eine weitere Ausführung der Erfindung, die insbesondere durch eine Kennlinie mit konstantem Strom gekennzeichnet ist;
Fig. 7 ist eine graphische Darstellung, die eine typische Kennlinie eines Schaltungssteuerelements oder Schalters zeigt, der erfindungsgemäß aufgebaut ist;
Fig. 8 ist ein Ersatzschaltbild, das später zur Untersuchung von erfindungsgemäß aufgebauten Einrichtungen herangezogen wird.
Die in Fig. 1 dargestellte Einrichtung enthält ein Paar Verfoindungstransistoren 10 und 11, die jeweils über Reihenwiderstände 14 und 15 zwischen ein Klemmenpaar 12 und 13 geschaltet sind. Einer der Transistoren 10 weist PNP-Aufbau auf und enthält eine Steuerelektrode JS10, eine Basiselektrode S10 und eine Sammelelektrode C10; der andere hat NPN-Aufbau und enthält eine Steuerelektrode JS11, eine Basiselektrode B11 und eine Sammelelektrode C11. Der erstere enthält die Steuerelektroden- und Sammelelektrodenverbindüngen J1 und Z2 und der letztere die Steuerelektroden- und Sammelelektrodenverbindungen J3 und Z4. Beide Transistoren haben vorteilhafterweise Einkristallaufbau; ihr Halbleiterkörper besteht aus Germanium oder Silizium. Ferner besitzen die beiden Transistoren vorteilhafterweise im wesentlichen die gleichen Betriebskennlinien, selbstverständlich mit Ausnahme der Polungen. Zwischen die Klemmen 12 und 13 ist in Reihe mit einer durch den Widerstand 17 dargestellten Belastung eine Quelle 16 geschaltet, wie sich aus der Zeichnung ergibt. Die Klemmen 12 und 13 können z. B. die Kreuzungspunkte in einem Telefonschaltsystem sein.
Es kann leicht gezeigt werden, daß die Kornbination der beiden gemäß Fig. 1 verbundenen Transistoren unter Weglassen der Widerstände 14 und 15 im wesentlichen dem in Fig. 8 gezeichneten Kreis äquivalent ist. In dieser Figur sind i?£l0 und Re11 die Widerstände der S teuer elektrodenverbindungen J1 und J3, ferner sind Rc 10 und Rq n die Widerstände der Sammelelektrodenverbindungen J2 und Z4; Ct1 und O2 sind die Stromvervielfachungsfaktoren der Transistoren 10 und 11, so daß der äquivalente Kreis zwei Stromgeneratoren
Jg10 und O2Zg11 enthält, die jeweils die entsprechende Sammelelektrodenverbindung überbrücken.
Für den Fall, daß Zi10 als Steuerelektrodenklemme, Zi11 als Sammelelektrodenklemme und B10 als Basiselektrodenklemme verwendet wird, kann
gezeigt werden, daß die in Fig. ι gezeichnete und in Fig. 8 dargestellte Kombination von zwei Transistoren einen äquivalenten Transistor mit einem äquivalenten Stromvervielfachungsfaktor α bildet, der durch folgende Beziehung gegeben ist:
α =
ι —αχ
Hieraus ergibt sich, wenn man sich erinnert, ίο daß sowohl Ct1 als auch a2 ihrer Natur nach kleiner als Eins sind, daß der Stromvervielfachungsfaktor α für die Kombination wesentlich größer als derjenige eines der Transistoren io oder ii allein ist. Zum Beispiel ist, wenn
O1 = a2 = 0,9 ist, α = g.
Der Sammelelektrodenwiderstand Rc für den äquivalenten Transistor ist gegeben durch die Gleichung
e 11
c 10
Mit Bezugnahme auf Fig. ι sei bemerkt, daß bei der dargestellten Polung der Quelle i6 wenig-
s5 stens eine in Sperrichtung vorgespannte Verbindung in jedem Strom weg liegt, der sich zwischen den Klemmen 12 und 13 und über die Transistoren verfolgen läßt. Zum Beispiel sind die Verbindungen J2 und /4 bei der in der Figur angegebenen Polung der Quelle 16 in Sperrichtung bzw. in der Richtung mit hohem Widerstand vorgespannt, und wenigstens eine der Verbindungen liegt in jedem Stromweg der Kombination. Es ist offensichtlich, daß dann normalerweise die Kombination der Transistoren 10 und 11 eine hohe Impedanz zwischen den Klemmen 12 und 13 darstellt, d. h. sie ist im Zustand mit niedrigem Strom bzw. als offener Kreis.
Eine kurze, sozusagen empirische Untersuchung des Kreises der Fig. 1 wird genügen, um festzustellen, daß die Kombination der beiden Transistoren im Zustand mit niedrigem Strom stabil ist und daß sie außerdem einen stabilen Zustand mit hohem Strom hat. Bei niedrigen Strömen
♦5 sind die Spannungsabfälle an den Widerständen 14 und 15 vernachlässigbar, so daß die Steuerelektrodenvorspannung für jeden Transistor 10 und 11 im wesentlichen Null ist. Zum Beispiel können in einem typischen Fall die Sammelelektroden-Sättigungsströme der Transistoren 10 und 11 größenordnungsmäßig io~~5 Amp. sein. Wenn z. B. die Widerstände 14 und 15 je 100 0hm sind, beträgt der Spannungsabfall an jedem Widerstand bei dem genannten Sammelelektrodensättigungsstrom nur io~3 Volt, so daß eine so kleine Steuerelektrodenvorspannung vorhanden ist, daß sich keine Instabilität ergibt.
Wenn die Spannung zwischen den Klemmen 12 und 13 erhöht wird, werden die Ströme größer, die durch die in Sperrichtung vorgespannten Verbindungen fließen. Dieser Strom geht durch die Widerstände 15 und 14, wodurch die Vorspannung an den Steuerelektroden E10 und E11 gegen die entsprechenden Basiselektroden B10 und S11 anwächst. Wenn z. B. der Strom in der Kombination größenordnungsmäßig 20 mAmp. beträgt und die Transistoren jeweils ein α von 0,8 oder mehr aufweisen, wird der Spannungsabfall an den Widerständen 15 und 14 größenordnungsmäßig 1 Volt, und eine wesentliche Vorspannung in Fluß richtung entsteht an der Steuerelektrode der Transistoren. Das sich ergebende Anwachsen des Steuerelektrodenstroms hat eine Änderung des Sammelelektrodenstroms zur Folge. Dies bewirkt wiederum eine Änderung der Steuerelektrodenvorspannung mit einer daraus folgenden Änderung des Steuerelektrodenstroms. Die Kombination geht über einen unstabilen Zustand in einen stabilen Zustand mit hohem Strom über. In erster Näherung sind beim letzteren Zustand die Widerstandswerte der Transistoren 10 und 11 und die der Widerstände 14 und 15 vergleichbar. Genauer ist der Strom, der zum Halten der Kombination im Zustand mit hohem Strom erforderlich ist, im wesentlichen der Strom, welcher notwendig ist, um eine Spannungsverstärkung in der Schleife von S10 über C10 und S11 nach C11 zu erhalten. In erster Annäherung wird diese Bedingung erreicht, wenn eine Spannungsverstärkung von der Basiselektrode zur Sammelelektrode bei jedem Transistor vorhanden ist. Diese Bedingung entspricht etwa gR > 1, wobei g die Steilheit und R die Belastung ist. Für einen Verbindungstransistor ist die Steilheit annähernd proportional dem Sammelelektrodenstrom bei normalen Arbeitsbedingungen. Dies führt zu dem Ergebnis, daß der Strom in jedem Transistor, der zum Halten der Kombination im Zustand mit hohem Strom erforderlich ist, annähernd ist
T __
wobei /o der Sammelelektrodensättigungsstrom des Transistors 11 ist, wenn die Vorspannung Steuerelektrode-Basiselektrode Null ist, ^11 die Steilheit des Transistors 11 bei Vorspannung Steuerelektrode-Basiselektrode Null ist und Ru der Wert des Widerstandes 14 ist.
Die Stromspannungskennlinie der Kombination der Transistoren 10 und 11 ist in Fig. 7 graphisch aufgetragen, wobei sowohl Strom als auch Spannung zwischen den Klemmen 12 und 13 gemessen sind. Wie dargestellt, wächst der Strom bei Anwachsen der Spannung V von Null aus nur wenig, bis eine Maximalspannung erreicht ist. Der Widerstand ist offensichtlich groß. Wenn die Maximalspannung erreicht ist, geht die Einrichtung plötzlich vom Zustand mit niedrigem Strom und großem Widerstand über einen Bereich N mit negativem Widerstand in einen Zustand H mit hohem Strom und kleinem Widerstand über. iao
Somit wird ersichtlich, daß die in Fig. 1 dargestellte Transistorkombination in der Tat von einem Zustand als im wesentlichen offener Kreis (niedriger Strom) in einen Zustand als geschlossener Kreis (hoher Strom) gekippt werden kann, und zwar 1*5 durch Anlegen einer Spannung von vorgegebener
Größe zwischen den Klemmen 12 und 13, nämlich der Maximalspannung.
Die Spannung oder der Strom, die den Übergang der Kombination nach Fig. 1 vom Zustand als offener Kreis in den Zustand als geschlossener Kreis bewirken können, hängen von einer Anzahl Faktoren ab, wie das α, der Sammelelektrodenwiderstand, die Steuerelektroden- und Sammelelektrodenströme und das Verhältnis zwischen diesen Faktoren. Jedoch ist gemäß einem Merkmal der Erfindung der Punkt, bei dem der Kreis kippt, genau bei einem gewünschten Wert vorbestimmt. Insbesondere ist bei einer in Fig. 2 dargestellten Ausführung eine Halbleiterverbindungsdiode 18, z. B. aus Germanium oder Silizium, in Reihe mit dem Widerstand 15 zwischen die Klemmen 12 und 13 geschaltet. Diese Diode ist, wie in Fig. 2 angegeben ist, in bezug auf die Polarität der zwischen den Klemmen angelegten Spannung in Sperrichtung ao gepolt. Ferner hat die Diode eine vorbestimmte Zener-Spannung. Bekanntlich ist unterhalb dieser Spannung der Sperrstrom der Diode sehr klein. Wenn aber diese Spannung erreicht ist, nimmt der Strom plötzlich zu. Wenn also eine so große Spanas nung zwischen den Klemmen 12 und 13 aufgedrückt wird, daß die Diode 18 in den Zener-Bereich gebracht wird, fließt ein großer Strom durch den Widerstand 15, und es wird eine wesentliche Vorspannung in Flußrichtung an die Steuerelektrode E11 des Transistors 11 angelegt, und der Sammelelektrodenstrom des letzteren wird wesentlich. Infolgedessen wächst der Spannungsabfall am Widerstand 14, wobei die Vorspannung der Steuerelektrode E10 des Transistors 10 erhöht wird, so daß der letztere in den Zustand mit hohem Strom gebracht wird. Wenn also die Zener-Spannung an der Diode 18 erreicht ist, kippt in der Tat die Kombination der Transistoren 10 und 11 vom Zustand als offener Kreis in den Zustand als geschlossener Kreis.
Bei der in Fig. 3 dargestellten Ausführung der Erfindung ist die Diode 18 in Reihe mit beiden Widerständen 14 und 15 geschaltet, so daß, wenn die Spannung zwischen den Klemmen 12 und 13 so groß ist, daß die Zener-Spannung an der Diode liegt, der entstehende große Strom, der durch die Widerstände 14 und 15 fließt, solche Vorspannungen an den S teuer elektroden beider Transistoren hervorbringt, daß beide Transistoren und ihre Kombination vom Zustand mit niedrigem Strom in den Zustand mit hohem Strom übergehen.
Es sei bemerkt, daß bei den bisher beschriebenen Ausführungen der Erfindung die Einrichtung, wenn sie erst einmal in den Zustand mit hohem Strom bzw. als geschlossener Kreis gekippt ist, in diesem Zustand bleibt, bis die Spannung zwischen den Klemmen 12 und 13 im wesentlichen auf Null herabgesetzt wird. Ferner sei bemerkt, daß bei den in den Fig. 2 und 3 dargestellten Ausführungen die Einrichtung bei jeder gewünschten Spannung zum Kippen gebracht werden kann, indem die Zener-Spannung gleich der gewünschten Kippspannung gemacht wird.
Fig. 4 zeigt eine andere Ausführung der Erfindung, die besonders vorteilhaft zur Verwendung bei kleinen Erregerströmen kurzer Dauer ist. Wie bei der in Fig. 2 dargestellten Ausführung liegt bei der Ausführung in Fig. 4 die Zener-Diode in Reihe mit dem Widerstand 15. Jedoch ist der Widerstand 15 über einen Widerstand 20 durch den Kondensator 19 überbrückt. Der Widerstand 15 ist im Vergleich zu jedem der Widerstände 14 und 20 verhältnismäßig klein, während der Widerstand 14 groß ist.
Wegen des verhältnismäßig großen Wertes des Widerstandes 14 im Vergleich zu seinem Wert bei den vorher beschriebenen Ausführungen erhält man in der vorher genannten Schleife eine größere Verstärkung. Wenn die Zener-Spannung an der Diode 18 erreicht ist, geht der Transistor 11 in den Zustand mit hohem Strom über, wie aus der vorangegangenen Schilderung ersichtlich ist, und die Kombination der Transistoren kippt ebenfalls in den Zustand als geschlossener Kreis. Auch wenn die Spannung zwischen den Klemmen 12 und 13 auf einen niedrigen Wert fällt, bevor der Übergang zum Zustand mit hohem Strom beendet ist, entsteht dieser Zustand, weil der Widerstand 15 den Kondensator 19 wegen des verhältnismäßig großen Wertes des Widerstandes 20 langsam entlädt. Der Spannungsabfall bei dem Zustand mit hohem Strom ist klein, weil ein Stromweg mit kleinem Widerstandswert über den Widerstand 15 vorhanden ist. Bei der in Fig. 5 dargestellten Ausführung der Erfindung ist eine Zener-Diode 18 zwischen jede Steuerelektrode und die entsprechenden Klemmen 12 und 13 geschaltet, die für Spannungen normaler Polarität zwischen den Klemmen 12 und 13 in Sperrichtung gepolt ist. Jede Diode wirkt als hohe Impedanz für kleine Steuerelektrodenspannungen, so daß der Sammelelektrodenstrom bei niedrigen Spannungen herabgesetzt wird. Wenn die Zener-Spannung an der Diode erreicht ist, bildet diese eine kleine Impedanz. Die Zener-Spannung soll selbstverständlich klein sein, und zwar viel kleiner als die Spannung, die zum Kippen der Transistorkombination z. B. nach Fig. 1 vom Zustand mit niedrigem Strom in den Zustand mit hohem Strom erforderlich ist. Im Zustand mit hohem Strom ist die aufrechterhaltende Spannung größer als die Summe der Spannungen der Zener-Dioden in den S teuerelektrodenkreisen.
Die Erfindung kann auch dazu verwendet werden, um einen Kreis mit im wesentlichen konstantem Strom zu schaffen, von dem eine Form in Fig. 6 dargestellt ist. Wie aus dieser Figur zu ersehen ist, ist je eine Zener-Diode x8A und xSB zwischen Basiselektrode und Steuerelektrode jedes der Transistoren 10 und 11 über je einen Widerstand 21A und 21B geschaltet. Im Zustand mit iao hohem Strom ist jede der Dioden mit ihrer kritischen Spannung vorgespannt, die groß im Vergleich zur Vorspannung Steuerelektrode-Basiselektrode ist. Infolgedessen ist der Steuerelektrodenstrom des Transistors 11 durch die kritische Spannung der Diode 18 B dividiert durch den Wert des
Widerstandes 2i ß bestimmt. Wenn der Transistor 11 eine hohe Sammelelektrodenimpedanz hat, ist der Sammelelektrodenstrom im wesentlichen α mal dem Steuerelektrodenstrom und hat somit einen Wert, der unabhängig von der zwischen den Klemmen 12 und 13 liegenden Spannung ist, vorausgesetzt, daß diese groß genug ist, um die kritischen Spannungen an den Dioden 18A und i85 hervorzubringen. Die gleichen Betrachtungen gelten für den Transistor 10. Der Strom durch den Kreis ist somit unabhängig von der Spannung zwischen den Klemmen 12 und 13. Der Übergang in den Zustand mit hohem Strom kann in derselben Weise stattfinden, wie bei Fig. 1 beschrieben wurde, wenn die Verstärkung in den Rückkopplungsschleifen klein genug ist. Andererseits wird, wenn die Dioden 18 A und 18 B eine genügend hohe Impedanz bei kleiner Spannung haben, der Zustand mit hohem Strom auch bei niedrigen Spannungen vorhanden sein,
ao und der Strom wird anwachsen, bis die kritischen Spannungen überschritten sind, wonach er gesättigt sein wird.
Wenn auch die Erfindung bis hierher unter besonderer Bezugnahme auf Einrichtungen mit Veras bindungstransistoren beschrieben wurde, so kann sie auch bei Verwendung von Punktkontakttransistoren oder Punktverbindungstransistoren oder Kombinationen von Transistoren verschiedener Art durchgeführt werden. In diesem Zusammenhang sei erwähnt, daß ein NPN-Verbindungstransistor schaltungsgemäß das Gegenstück eines Punktkontakttransistors ist, dessen Halbleiterkörper P-Leitfähigkeit besitzt, wobei beide Einrichtungen als P-Typ-Transistoren bezeichnet werden können.
Ebenso sind ein PNP-Verbindungstransistor und ein Punktkontakttransistor mit einem Halbleiterkörper mit N-Leitfähigkeit analog und können als N-Typ-Transistoren bezeichnet werden.
Wenn auch spezielle Ausführungen der Erfindung beschrieben und dargestellt wurden, so ist es doch selbstverständlich, daß diese nur als Beispiele gedacht sind und daß verschiedene Abänderungen vorgenommen werden können, ohne daß man sich vom Wesen und Ziel der Erfindung entfernt.

Claims (8)

  1. PATENTANSPRÜCHE:
    I. Signalübertragungseinrichtung, die ein Paar Transistoren enthält, von denen jeder eine Basiselektrode, eine Sammelelektrode und eine Steuerelektrode aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp besitzen, wobei die Basiselektrode eines jeden Transistors mit der Sammelelektrode des anderen verbunden und eine gemeinsame Spannungsquelle zwischen die Steuerelektroden des Transistorpaars geschaltet ist.
  2. 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstand zwischen die Basiselektrode und die Steuerelektrode jedes Transistors geschaltet ist.
  3. 3. Einrichtung nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Diode zwischen die S teuer elektroden des Transistorpaars geschaltet ist, wobei die Diode in bezug auf Spannungen, die durch die gemeinsame Quelle zwecks Vorspannung der beiden Steuerelektroden in Flußrichtung angelegt sind, in Sperrichtung gepolt ist und die Diode eine vorbestimmte Zener-Spannung hat.
  4. 4. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode auch zwischen die Steuerelektrode und die Sammelelektrode eines der beiden Transistoren geschaltet ist.
  5. 5. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode auch zwischen die Sammelelektroden der beiden Transistoren geschaltet ist.
  6. 6. Einrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der eine der beiden Transistoren ein PNP-Verbindungstransistor und der andere ein NPN-Verbindungstransistor ist und daß jeder Widerstand parallel zu der entsprechenden Steuerelektrodenverbindung geschaltet ist.
  7. 7. Einrichtung nach Anspruch 6, bei der die Diode auch zwischen die Steuerelektrode und die Sammelelektrode einer der beiden Transistoren geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kondensator die Steuerelektrodenverbindung des anderen der beiden Transistoren überbrückt und ein zusätzlicher Widerstand zwischen die Kondensatorklemmen und den zu dieser Steuerelektrodenverbindung gehörigen Widerstand geschaltet ist.
  8. 8. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Dioden jeweils die Steuerelektrodenverbindung eines der beiden Transistoren und den zugehörigen Widerstand überbrücken, wobei jede Einrichtung eine vorbestimmte Zener-Spannung hat und entgegengesetzt wie die entsprechende Steuerelektrodenverbindung gepolt ist.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    9554 10.54
DEW11083A 1952-07-22 1953-04-24 Zweifach stabile Kreise mit Transistoren Expired DE919125C (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US300220A US2655609A (en) 1952-07-22 1952-07-22 Bistable circuits, including transistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE919125C true DE919125C (de) 1954-10-14

Family

ID=23158200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW11083A Expired DE919125C (de) 1952-07-22 1953-04-24 Zweifach stabile Kreise mit Transistoren

Country Status (5)

Country Link
US (1) US2655609A (de)
BE (1) BE521569A (de)
DE (1) DE919125C (de)
FR (1) FR1077707A (de)
GB (1) GB753014A (de)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1058553B (de) * 1956-09-28 1959-06-04 Atomic Energy Authority Uk Bistabiler Transistor-Steuerkreis
DE1074649B (de) * 1960-02-04 Siemens Schuckertwerke Aktien gesellschaft Berlin und Erlangen Emrich tung zum Schalten und Steuern von Stromkreisen
DE1075154B (de) * 1960-02-11 Standard Elektrik Lorenz Aktiengesellschaft, Stuttgart-Zufienhausen Polarisiertes elektronisches Relais zur Umwandlung einer Stcuerspannung in Doppelstromzeichen
DE1077706B (de) * 1958-03-29 1960-03-17 Siemens Ag Einrichtung zum Schalten und Steuern von Starkstromkreisen
DE1085917B (de) * 1957-12-04 1960-07-28 Westinghouse Electric Corp Bistabiler Verstaerker mit Transistoren
DE1098037B (de) * 1957-04-23 1961-01-26 Western Electric Co Transistor-Schalteinrichtung mit einem Dreiklemmenkreis
DE1105005B (de) * 1955-11-29 1961-04-20 Int Standard Electric Corp Zweidrahtverstaerker-Station mit negativen Widerstaenden
DE1127399B (de) * 1959-12-30 1962-04-12 Siemens Ag UEber eine Diode bzw. ein Diodengatter gekoppelte Schalttransistoren
DE1133429B (de) * 1957-04-23 1962-07-19 Western Electric Co Bistabile Transistor-Schaltung
DE975754C (de) * 1953-09-18 1963-06-12 Siemens Ag Anordnung zur Entdaempfung von UEbertragungsleitungen mittels negativer Widerstaendeunter Verwendung von Halbleiterverstaerkern
DE1158106B (de) * 1957-12-27 1963-11-28 Ibm Deutschland Impulsverstaerker mit Transistoren
DE1163923B (de) * 1959-04-23 1964-02-27 Philips Nv Anordnung zur Stabilisierung von Speisespannungen
DE1215200B (de) * 1962-03-26 1966-04-28 Gen Time Corp Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsen aus beliebigen Eingangssignalen
DE1221291B (de) * 1965-01-23 1966-07-21 Telefunken Patent UEberlastungsschutzeinrichtung fuer mehrstufige transistorisierte Verstaerker, insbesondere fuer Traegerfrequenz-Leitungsverstaerker
DE1225749B (de) * 1958-11-07 1966-09-29 Siemens Ag Programmsteuerung von Arbeitsmaschinen
DE2854000A1 (de) * 1978-12-14 1980-06-19 Fraunhofer Ges Forschung Schaltungsanordnung fuer eine schaltbare doppelkonstantspannungsquelle

Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2899571A (en) * 1959-08-11 Switching circuit
US2899569A (en) * 1959-08-11 Diode circuits
BE523250A (de) * 1952-11-05
BE526156A (de) * 1953-02-02
GB746490A (en) * 1953-05-22 1956-03-14 Standard Telephones Cables Ltd Electrical circuits using two-electrode devices
US2844739A (en) * 1953-07-01 1958-07-22 Rca Corp Sawtooth current wave generator
GB770200A (en) * 1953-07-24 1957-03-20 Rca Corp Temperature controlled semi-conductor bias circuit
US2894150A (en) * 1953-10-07 1959-07-07 Avco Mfg Corp Transistor signal translating circuit
BE532755A (de) * 1953-10-24
NL191906A (de) * 1953-10-29
NL192335A (de) * 1953-12-18
BE534549A (de) * 1953-12-31
GB771625A (en) * 1953-12-31 1957-04-03 Ibm Electric charge storage apparatus
US2884545A (en) * 1954-03-17 1959-04-28 Gen Precision Lab Inc Transistor protection circuit
US2900530A (en) * 1954-04-16 1959-08-18 Vitro Corp Of America Transistor protection circuitry
BE539180A (de) * 1954-06-21
US2850694A (en) * 1954-07-07 1958-09-02 Bell Telephone Labor Inc Current supply apparatus for load voltage regulation
US3036226A (en) * 1958-12-15 1962-05-22 Ibm Negative resistance semiconductor circuit utilizing four-layer transistor
BE541098A (de) * 1954-09-08
US2871378A (en) * 1954-09-24 1959-01-27 Rca Corp Stepwave generator
US2891172A (en) * 1954-09-30 1959-06-16 Ibm Switching circuits employing junction transistors
US2831113A (en) * 1954-10-14 1958-04-15 Bell Telephone Labor Inc Transistor relaxation circuits
US2901639A (en) * 1954-12-31 1959-08-25 Rca Corp Semi-conductor multivibrator circuit
US2825821A (en) * 1955-01-03 1958-03-04 Ibm Latch circuit
US2864062A (en) * 1955-02-15 1958-12-09 Gen Electric Negative resistance using transistors
US2820155A (en) * 1955-03-09 1958-01-14 Bell Telephone Labor Inc Negative impedance bistable signaloperated switch
US2853631A (en) * 1955-03-09 1958-09-23 Bell Telephone Labor Inc Signal-operated switch
US2926267A (en) * 1955-03-10 1960-02-23 Itt Direct-current transistor switching amplifier circuit
DE1025450B (de) * 1955-03-26 1958-03-06 Dr Phil Habil Oskar Vierling Untersetzerschaltung fuer periodische Impulse unter Verwendung einer mit zwei Flaechentransistoren gebildeten Kippschaltung
BE546329A (de) * 1955-04-20
US2840728A (en) * 1955-04-26 1958-06-24 Bell Telephone Labor Inc Non-saturating transistor circuits
US2966979A (en) * 1955-05-11 1961-01-03 Clark Controller Co Transistor control systems
US3098158A (en) * 1955-06-06 1963-07-16 Thompson Ramo Wooldridge Inc Multivibrator circuits employing voltage break-down devices
US2831984A (en) * 1955-06-16 1958-04-22 Bell Telephone Labor Inc Crosspoint switching circuit
BE549248A (de) * 1955-07-05
US3113217A (en) * 1955-08-03 1963-12-03 Sylvania Electric Prod Trigger circuits employing transistors of complementary characteristics
US2916637A (en) * 1955-08-09 1959-12-08 Thompson Ramo Wooldridge Inc Multivibrator circuits with improved power-frequency capacity
US2916636A (en) * 1955-08-09 1959-12-08 Thompson Ramo Wooldridge Inc Current feedback multivibrator utilizing transistors
NL209116A (de) * 1955-09-07
US3011067A (en) * 1955-10-25 1961-11-28 Purdue Research Foundation Semiconductor rectifying device having non-rectifying electrodes
US2841712A (en) * 1956-02-27 1958-07-01 Westinghouse Electric Corp Transistor sweep generator
DE1045459B (de) * 1956-02-27 1958-12-04 Westinghouse Electric Corp Astabile Kippschaltung mit zwei Transistoren zur Erzeugung von Impulsen
DE1057173B (de) * 1956-03-27 1959-05-14 Westinghouse Electric Corp Selbstsperrender Transistorschaltkreis
US2840727A (en) * 1956-03-27 1958-06-24 Westinghouse Electric Corp Self-locking transistor switching circuit
US2887542A (en) * 1956-05-28 1959-05-19 Bell Telephone Labor Inc Non-saturating junction-transistor circuits
US2986651A (en) * 1956-08-09 1961-05-30 Philips Corp Trigger circuit-arrangement comprising two transistors
DE1141335B (de) * 1956-08-29 1962-12-20 Westinghouse Electric Corp Impulszaehler unter Verwendung eines Kondensators
US2945134A (en) * 1956-09-14 1960-07-12 Norman F Moody Bistable semiconductor circuit
US2980805A (en) * 1957-02-11 1961-04-18 Norman F Moody Two-state apparatus
US2990478A (en) * 1957-02-25 1961-06-27 Thompson Ramo Wooldridge Inc Anti-saturation circuits for transistor amplifiers
US2939967A (en) * 1957-04-04 1960-06-07 Avco Mfg Corp Bistable semiconductor circuit
US3046493A (en) * 1957-04-23 1962-07-24 Bell Telephone Labor Inc Transistor multivibrator circuit
US2924724A (en) * 1957-04-24 1960-02-09 Westinghouse Electric Corp Time delay circuits
US2896094A (en) * 1957-04-29 1959-07-21 Norman F Moody Monostable two-state apparatus
US3023406A (en) * 1957-04-29 1962-02-27 Baldwin Piano Co Optical encoder
US2993127A (en) * 1957-12-04 1961-07-18 Itt Transistor circuit having reverse base current supply means
US3019351A (en) * 1957-12-20 1962-01-30 Ibm Voltage level translating circuit using constant voltage portion of device characteristic
US2917714A (en) * 1957-12-23 1959-12-15 Honeywell Regulator Co Plural phase oscillator
US3047667A (en) * 1958-02-24 1962-07-31 Bell Telephone Labor Inc Transistor crosspoint switching network
US3025415A (en) * 1958-03-24 1962-03-13 Ibm Bistable transistor circuit
NL122949C (de) * 1958-06-25 1900-01-01
US3051850A (en) * 1958-10-02 1962-08-28 Bell Telephone Labor Inc Transistor multivibrator circuit with variable impedance operation stabilizing means
US3300658A (en) * 1958-11-12 1967-01-24 Transitron Electronic Corp Semi-conductor amplifying device
US3121802A (en) * 1959-01-23 1964-02-18 Sylvania Electric Prod Multivibrator circuit employing transistors of complementary types
US3065360A (en) * 1959-05-19 1962-11-20 Lucio M Vallese Transistor thyratron circuit employing grounded-emitter silicon controlled rectifieror equivalent
US3090873A (en) * 1960-06-21 1963-05-21 Bell Telephone Labor Inc Integrated semiconductor switching device
US3167724A (en) * 1960-12-28 1965-01-26 Lucio M Vallese Hook type transistor relaxation oscillator
BE622488A (de) * 1961-09-15
US3210564A (en) * 1961-11-20 1965-10-05 Rca Corp Negative resistance circuits
US3231758A (en) * 1962-12-12 1966-01-25 Singer Inc H R B Pulse gate
US3508081A (en) * 1966-08-17 1970-04-21 Honeywell Inc Circuit arrangement for supplying a current signal to one or two loads
YU43752B (en) * 1978-10-16 1989-12-31 Marko Petrovic Transistorized voltage limiter
US7812404B2 (en) 2005-05-09 2010-10-12 Sandisk 3D Llc Nonvolatile memory cell comprising a diode and a resistance-switching material
US7834338B2 (en) * 2005-11-23 2010-11-16 Sandisk 3D Llc Memory cell comprising nickel-cobalt oxide switching element
US7816659B2 (en) * 2005-11-23 2010-10-19 Sandisk 3D Llc Devices having reversible resistivity-switching metal oxide or nitride layer with added metal
US7829875B2 (en) 2006-03-31 2010-11-09 Sandisk 3D Llc Nonvolatile rewritable memory cell comprising a resistivity-switching oxide or nitride and an antifuse
US7808810B2 (en) * 2006-03-31 2010-10-05 Sandisk 3D Llc Multilevel nonvolatile memory cell comprising a resistivity-switching oxide or nitride and an antifuse
US7875871B2 (en) * 2006-03-31 2011-01-25 Sandisk 3D Llc Heterojunction device comprising a semiconductor and a resistivity-switching oxide or nitride
US7846785B2 (en) * 2007-06-29 2010-12-07 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same
US8233308B2 (en) 2007-06-29 2012-07-31 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same
US7824956B2 (en) * 2007-06-29 2010-11-02 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same
US7902537B2 (en) * 2007-06-29 2011-03-08 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1074649B (de) * 1960-02-04 Siemens Schuckertwerke Aktien gesellschaft Berlin und Erlangen Emrich tung zum Schalten und Steuern von Stromkreisen
DE1075154B (de) * 1960-02-11 Standard Elektrik Lorenz Aktiengesellschaft, Stuttgart-Zufienhausen Polarisiertes elektronisches Relais zur Umwandlung einer Stcuerspannung in Doppelstromzeichen
DE975754C (de) * 1953-09-18 1963-06-12 Siemens Ag Anordnung zur Entdaempfung von UEbertragungsleitungen mittels negativer Widerstaendeunter Verwendung von Halbleiterverstaerkern
DE1105005B (de) * 1955-11-29 1961-04-20 Int Standard Electric Corp Zweidrahtverstaerker-Station mit negativen Widerstaenden
DE1058553B (de) * 1956-09-28 1959-06-04 Atomic Energy Authority Uk Bistabiler Transistor-Steuerkreis
DE1133429B (de) * 1957-04-23 1962-07-19 Western Electric Co Bistabile Transistor-Schaltung
DE1098037B (de) * 1957-04-23 1961-01-26 Western Electric Co Transistor-Schalteinrichtung mit einem Dreiklemmenkreis
DE1085917B (de) * 1957-12-04 1960-07-28 Westinghouse Electric Corp Bistabiler Verstaerker mit Transistoren
DE1158106B (de) * 1957-12-27 1963-11-28 Ibm Deutschland Impulsverstaerker mit Transistoren
DE1077706B (de) * 1958-03-29 1960-03-17 Siemens Ag Einrichtung zum Schalten und Steuern von Starkstromkreisen
DE1225749B (de) * 1958-11-07 1966-09-29 Siemens Ag Programmsteuerung von Arbeitsmaschinen
DE1163923B (de) * 1959-04-23 1964-02-27 Philips Nv Anordnung zur Stabilisierung von Speisespannungen
DE1127399B (de) * 1959-12-30 1962-04-12 Siemens Ag UEber eine Diode bzw. ein Diodengatter gekoppelte Schalttransistoren
DE1215200B (de) * 1962-03-26 1966-04-28 Gen Time Corp Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Impulsen aus beliebigen Eingangssignalen
DE1221291B (de) * 1965-01-23 1966-07-21 Telefunken Patent UEberlastungsschutzeinrichtung fuer mehrstufige transistorisierte Verstaerker, insbesondere fuer Traegerfrequenz-Leitungsverstaerker
DE2854000A1 (de) * 1978-12-14 1980-06-19 Fraunhofer Ges Forschung Schaltungsanordnung fuer eine schaltbare doppelkonstantspannungsquelle

Also Published As

Publication number Publication date
BE521569A (de) 1953-08-14
FR1077707A (fr) 1954-11-10
GB753014A (en) 1956-07-18
US2655609A (en) 1953-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE919125C (de) Zweifach stabile Kreise mit Transistoren
DE918033C (de) Transistorverstaerker mit einem Transistorpaar
DE932435C (de) Verstaerkerschaltung mit Transistoren
DE939699C (de) Bistabile Kippschaltung mit Kristalltriode
DE2401978A1 (de) Temperaturempfindlicher steuerschalter
DE1283891B (de) Elektronische Schaltungsanordnung zum Ein- und Ausschalten einer Nutzsignal-UEbertragung
DE2254618B2 (de) Integrierte spannungsregelschaltung
DE1143541B (de) Monostabile Kippschaltung unter Verwendung einer Vierschichtdiode oder eines Vierschichttransistors
DE2207233C3 (de) Elektronischer Signalverstärker
DE2240538C3 (de) Stromstabilisierungseinrichtung
DE2639790A1 (de) Schaltungsanordnung zur lieferung konstanten stroms
DE943964C (de) Halbleiter-Signaluebertragungseinrichtung
DE1905993A1 (de) Regeleinrichtung
DE1039570B (de) Elektronischer Umschalter zur Schaltung der Stromrichtung in einem Verbraucher
DE3035304C2 (de) Triggerschaltung
DE1265862B (de) Komparator
DE1074086B (de) Als Relais arbeitender magnetischer Verstärker
DE1126496B (de) Stromregler zur Aufrechterhaltung eines konstanten Gleichstromes
DE1588527B2 (de) Einrichtung zur Drehzahlregelung und zur Kurzschlußbremsung eines konstant erregten Gleichstromnebenschlußmotors
DE2811188A1 (de) Josephson-schaltkreis mit automatischer rueckstellung
DE3238301A1 (de) Konstantstromquellenschaltung
DE2045634A1 (de) Spannungs und temperaturkompensier ter Multivibrator
DE1135038B (de) Bistabile Kippanordnung mit Tunneldioden und Schalttransistoren
DE2059787B2 (de) Schwellwertschaltung fuer niedrige eingangsspannungen
DE2416533B2 (de) Elektronische Schaltungsanordnung zur Spannungsstabilisierung