DE8706818U1 - Fotodiodenmatrix - Google Patents

Fotodiodenmatrix

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DE8706818U1
DE8706818U1 DE8706818U DE8706818U DE8706818U1 DE 8706818 U1 DE8706818 U1 DE 8706818U1 DE 8706818 U DE8706818 U DE 8706818U DE 8706818 U DE8706818 U DE 8706818U DE 8706818 U1 DE8706818 U1 DE 8706818U1
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Description

Die Erfindung betrifft eine fotoempfindliche Diodenma-S trix nach dem Oberbegriff des Anspruches 1* Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine fotoempfindliche Diodenmatrix! die mindestens eine Fotodiode aufueisti welche hydriertes amorphes Silizium aufweist·
IG Die heutige Forschung auf dem Gebiet der Optoelektronik hat zu einer Vielzahl von Entwicklungen geführti in denen fotöempfindliche Elemente verwendet werden- Ein beachtlicher Forschungsaufwand wurde in der Entwicklung von fotoempfindlichen oder fotovoltaischen Anordnungen betrieben! welche aus einer Mehrzahl von fotoempfindlicheh Empfängern aufgebaut sind- Fotodioden-Anordnungen finden ihre Anwendung in den Bereichen der Telekommunikation (z.B. optische Fasern und integrierte Optiken oder Bildübertragungsvorrichtungen >&tgr; im häuslichen Vi-
HG deobereich (z-B. Kameras mit Halbleitei—Optiken) und in der Industrie (z-B- Fotokopierer und Faksimilegeräte)-
j.KliaP1!! EbflI073iS3."[
Bekannte fotoempfindliche Anordnungen verwenden für gewöhnlish ladungsgekoppelte Bauelemente (CC]>s = Charge Coupled Device) die auf kristallinem Silizium aufgebaut sind- Diese Anordnungen zeichnen sich durch komplexen S Aufbau ausi der wiederum kleine fotoempfindliche Oberflächenbereiche zur Folge hat und benötigen für gewöhnlich eine grope Anzahl von Herstellungsschritten während ihrer Herstellung. Tn Bprgich kurzer !Jellenlcingjen des Lichtss (blau und ultraviolett) ist die Empfindlichkeit dieser
ID CCDs gering· Weitere zusätzliche Nachteile von CCD-Anordnungen sindi aufwendige Taktsteuerungs-Schaltkreise die benötigt werdenn begrenzter Dynamikbereichi begrenzte Spektral- und Leuchtdichtenempfindlichkeit-i übersprechen zwischen benachbarten Elementen-! schnelle Sättigung auf-
IS grund der geringen maximal zulässigen Lichtdichte! mangelnde Linearität als Antwort auf Beleuchtung und Kompensationsprobleme zur Aufhebung eines hohen Dunkelstromes·
Es iist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung! eine ED fotoempfindliche Diodenmatrix zu schaffen! mittels der wenigstens einer der vorstehend genannten Nachteile des Standes der Technik umgangen wird·
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruches 1-
Die UnteransprÜche haben vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung zum Inhalt-
3D Erfindungsgemä0 wird eine fotoempfindliche Diodenmatrix mit mindestens einer Fotodiode aus hydriertem amorphem Silizium (a-Si:H) geschaffen! welche die verschiedenen Nachteile bekannter CCD-Elemente umgeht· Hydriertes amorphes Silizium ist ein Halbleitermaterial mit einer sehr hohen Fotoleitfähigkeiti dip typischerweise im Bereich von ID liegt- In Abhängigkeit des Herstellungsverfahrens liegt die optische Lücke (optical gap) für a-Si:H
, 1 variabel zwischen 1&igr;5 eV und SiS oV-i wohingegen die opti-
f sehe Energieiücke für kristallines Silizium konstant ist
und im Bereich von ItI eV liegt· Somit kann die Empfind« iichkeit Von hydriertem amorphem Silizium bezüglich Ver-S schiedener Wellenlängen des Lichtes auf optimale Werte für spezielle Beleuchtungszweck.* eingestellt werden·
Als Folge seines amorphen Aufbaues sind die optischen Ab^
sarptionseigenschaften von a-Si:'ri denen von kristallinem ID Silicium! aus deinen bisher GCDs gefertigt werden Überlegen· Ungefähr lODmal dünnere Filme werden benötigti um eine festgelegte Lichtmenge im sichtbaren Bereich 2U absorbiereni wenn anstelle von kristallinem Silizium a-SisH verwendet wird· Beispielsweise absorbiert eine i Mikron IS dicke Schicht aus a-Si:H ungefähr ^S'/. des sichtbaren Lichtesi wohingegen eine ungefähr IDD Mikron dicke Schicht aus kristallinem Silizium nötig isti um den gleichen Absorptionsgrad zu erzielen.
SD Da nur ein relativ dünner Film zur Herstellung eines fotoempfindlichen Elementes unter Verwendung von hydrierten amorphen Silizium nötig isti können hochwirksame fotoempfindliche Diodenmatrizen oder fotoempfindliche Arrays hergestellt werden· Metallische Kontakte können auf der
SS Unterseite eines jeden Elementes angebracht werdeni was die Isolierung einzelner Arrayelemente verbessert und den Zugriff oder die Adressierung eines jeden Elementes vereinfacht -
3D Weitere Einzelheiten! Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung-
Es zeigt:
Fig.IA in vereinfachter Schnittdarstellung eine fotoempfindliche Diode gem'äß einer ersten Ausführungsform
KId&P&idiagr; &Iacgr;^&idigr;&udiagr;&Iacgr;&iacgr;^&Igr;
' 1 der vorliegenden Erfindung in der allgemeinsten Form \
Fig-IB in graphischer Barstellung die I-V Charakteristik des Diodenelementes gemäß Fig IAi
Fig-iC einen vereinfachten öuerschnitt durch eine fotoempfindliche Mode gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung^ ID
Fig-&Xgr; eine genauere Schnittdarstellung einer fotoempfindlichen Diode gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenen Erfindung^ und
IS Fig.3 ein schematisches Blockdiagramm einer erfindungsgecsäßen fotoempfindlichen Diodenmatrixn welche aus den fotoempfindlichen Dioden gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist.
Gemäß Fig.lA weist ein fotoempfindliches Diodenelement im wesentlichen eine Kathode 1 aus hydriertem amorphem Silizium des "n" Typs und eine Anode 5 aus hydriertem amorphem Silizium des "p+" Typs aufn wobei die Anode S vorzugsweise in die "n" Kathode durch bekannte Mitteln beispielsweise Ionenimplantation etc· implantiert ist·
Eine Schicht 3 aus Pyroglas bildet eine transparente Abdeckung über der "p + " Anode 5-t wobei durch die Schicht 3 ein externer Anschluß M auf die Anode &Xgr; durchkontaktiert.
3D Unterhalb des Diodenelementes ist ein Anschluß S angeordnet der mit der Kathode 1 über eine hochdotierte Schicht t> aus "n" Polysilizium verbunden isti welche einen Ohmscheri Kontakt zwischen der1 Kathode und dem Metall des Anschlusses B bildet.
Es ist aus der Hälbleifcertheörie bekännti daß ein Strom über eine p-n-Sperrschieht aufgrund einer Versehiebung
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Q7.Da.nfl7
von Hinorifätstr'ägern fließtn die thermisch innerhalb einer Diffusionslä'nqe auf jeder Seite der Sperrschicht erzeugt werden· »ie flinoritätsträger (Elektronen und Elektronenlöcher) diffundieren in eine übergangsregioni welche die Sperrschicht umgibt und werden durch das elektrische Feld an der Sperrschicht durch diese geschobenFür den Fall-i daß die Sperrschicht mit Photonen beleuchtet wirdi deren Energie größer ist als die Lückenenergie (e ) des Halbleitermaterialsn strömt ein zusä'tz-
g
licher Strom aufgrund der Elekti
(Electronhole-Pair Generation).
g
ID licher Strom aufgrund der Elektonenlochpaar-Erzeugung
(denn das fotoempfindliche Diodenelement gemäß Fig.IA an einen Leerlaufschaltkreis angeschlossen ist und die Anode &Xgr; und die Kathode 1 durch die Schicht 3 aus Pyroglas beleuchtet werdeni führt die optische Erzeugung von tiinoritätstr'ägern zu einer Leerlauf spannung an den Kontakten M und S. Da durch die optische Erzeugung von Elektronenlochpaaren die Minoritätsträgerkonzentration erhöht wird
SD steigt auch die Leerlaufspannung! bis sie einen Grenzwert erreichti der gleich dem Gleichgewichts-Kontaktpotential XSt1 der die maximale Durchlaßspannung an der Sperrschicht bildet· Das Auftreten einer Durchlaßspannung an einer beleuchteten Sperrschicht ist auch als fotovoltaischer Effekt bekannt-
Abhängig von der gewünschten Applikation kann das fotoempfindliche Diodenelement gemäß Fig. IA entweder im 3· oder H· fiuadranten seiner I-V Charakteristik betrieben
3D werdenn wie in Fig- IB dargestellt· Im 1J- ßuadranten ist die Sperrschichtspannung positiv und der Strom über das Diodenelement ist negativ als Folge des oben erwähnten optisch erzeugten Stromes· In diesem Falle wird von dem Element Leistung proportional zur Lidhtmenge erzeugt· Die
3S erzeugte Leistung kann dann einem externen Schältkreis zugeführt werdeni der an den Anschlüssen 4 Und S ange-
D?. Dft. &Pgr;&agr;? &iacgr; KläaP:: &Xgr;&Idigr;&iacgr;&iacgr;&Idigr;£&Igr;7:&idiagr;5&Xgr;&idigr;-&Igr;35
schlossen ist..
Fig IC zeigt eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung! bei der eine
S Schottky-Sperrschicht durch Abscheiden einer Schicht 7 aus transparentem Metall wie Gold! Aluminium! Chrom oder Platin über die Schicht aus a~Si:H als Alternative der Ionenimplantation einer "p+"-Anode gebildet wird-Bezüglich der weiteren Einzelheiten und Merkmale der ID Ausführungsform gemäß Fig. IC wird auf diejenigen
Einzelheiten und Merkmale der Ausführungsform gemäß den Fig. IA und IB verwiesen.! da diese im wesentlichen j identisch sind·
IS Fig. &Xgr; zeigt eine genauere Schnittdarstellung durch ein fotoempfindliches Diodenelement gemäß den Ausführungsformen der Fig. IA odsr IC·
Bei einer vorzugsweisen Herstellungsmethode wird eine er-ED ste Schicht &dgr; aus Pyroglas (Oxid) mit einer Stärke &ngr;&agr;?;
ungefähr Dnß Mikron abgeschieden· Danach wird die bereits erwähnte Schicht h aus "n+" Pülysilizium mit einer Stärke von ungefähr Dt3 Mikron abgeschieden· Die Schicht la aus Polysilizium wird danach mit bekannten Mitteln maskiert SS und geätzt·
Danach wird die erste Metallschicht S (Metall I) mit einer Stärke von ungefähr Dt3 Mikron abgeschieden! maskiert und geätzt. Die Metallschicht S erstreckt sich
3D unterhalb nachfolgend abgeschiedener Schichten zu einem externen Kathodenkontakt (nicht dargestellt) zum externen Anschließen dss Diodenelementes· Weiterhin erlaubt die Metallschicht S eine Bestimmung des Abbruchpunktes während des Xtzvcrgangsä der amorphen Siliziumschicht Ii
3S um den KtzVorgang an der ?ölysili2iumschidht abbrechen zu können·
&bull; I ti I ill« < «I ·««« M · it
&bull; &igr;* Ii Ii &kgr;&igr; ti
< 1 1 > t S
07.Dö.nfl7 ;
Danach wird die Kathodenschicht 1 aus hydriertem amorphen Silizium des "n" Typs mit einer St'ärke von vorzugsweise Giö Hikron abgeschieden! maskiert und ge'ätzti wobei die Metallschicht S wie bereits erwähnt als Xtzstop-Barriere
S dient.
Im nächsten Schritt wird die Schicht &Xgr; des "p+n Typs über der Kathode des "n" Typs abgeschiedenn um eine Anode zu bilden· Wie bereits unter Bezugnahme auf die Fig- U und
ID IC erlä'utertT kann die Anodenschicht mit bekannten Ionenimplantations-Techniken implantiert werden oder es kann alternativ hierzu ein dünner transparenter Metallfilm auf der Oberseite der Kathodenschicht 1 abgeschieden werdeni was zu einer Schottky p-n Sperrschicht führti wonach der
IS Metallfilm maskiert und geätzt wird- In jedem Falle sollte die Anodenschicht eine vorzugsweise Stärke von DiDl Mikron aufweisen- Die Struktur mit der Schottky-Sperrschicht ist dann vorzuziehenn wenn eine höhere Empfindlichkeit des Diodenelementes im Bereich von blauem
&Xgr;0 und ultraviolettem Licht gewünscht ist·
über das gesamte Profil der vorhergehenden Schichten wird dann die Schicht 3 aus Pyroglas mit einer St'ärke von ungefähr DnE Mikron abgeschiedenn wonach eine Kontaktmas-HS kierung und ein Ätzschritt durchgeführt werdeni um die Anodenschicht des "p+n Types kontaktieren zu können·
Die Schicht 3 aus Pyroglas dient dazui das Diodenelement zu passiviereni d«h· gegen Feuchtigkeit Korrosion etc.
zu schützen. Die Schicht 3 aus Pyroglas dient weiterhin als EntspiegelungsschichtT um eine maximale Lichttransmission in die Diode zu ermöglichen. GemhQ der Theorie von (lehrsChichtfümen ergibt sich der Reflexionswert R eines Viertelwellönfilmesi wie er durch die Schicht 3
3S geschaffen wird als!
&igr; · · I &igr; &bull; · · C
uobei &eegr; und &eegr; die Brechungsindizes der Substratschicht bzw· des entspiegeinden Viertelwellenfilmes sind· Bei einem erfolgreich erprobten Prototyp gemäß der Vorliegender! Erfindung war es für eine Wellenlänge von Ungefähr Di? Um nütigi die Schicht 3 aus Pyroglgs Ö-ilfl um dick auszufüh-
reni wobei &eegr; l-ifl? Und &eegr; 1&igr;5 betrugen· ti
H &it sirssr Stärke von O-iö Mikron auf die Schicht 3 abgeschieden!
ID Welche die Anodenschicht des "p+n Typs durch die oben ei&mdash; wähnte Kontaktmaske kontaktiert· Die abschließende Metallschicht M weist ein Muster auf-i welches eine Reihe von öffnungen bildet·* um die hydrierten amorphen Siliziumschichten beleuchten zu können·
Vorzugsweise werden eine Mehrzahl der fotöempfindlichen Diodenelemente gemäß Fig. &Xgr; auf einem einzelnen Chip her gestellti um ein Array oder eine Matrix zu bildeni wie sie beispielsweise in Fig· 3 dargestellt ist·
Gemäß Fig. 3 weist eine fotoempfindliche Diodenmatrix bzw- ein fotoempfindliches Diodenarray ID eine Mehrzahl von Reihenleitern 11&tgr;..1&Xgr;&igr; 13-, eine Mehrzahl von Spaltenleitern m-i 15t.-Iti und eine Mehrzahl von Dioden SDA
SS - SDI aufi die in den Kreuzungspunkten der Reihen- und Spaltenleiter angeordnet sind. Jeder der Reihenleiter entspricht einer Metallisierungsschicht Ht wie in Fig· S dargestellt! während die Spaltenleiter der Metallschicht S entsprechen.
Eine Mehrzahl von Reihenkontaktschaltern Sl sind mit den entsprechenden Reihenleitern 11&igr;···1&Xgr;&iacgr; 13 und mit Masse verbunden- Weiterhin ist eine Mehrzahl von Schaltern SS mit den entsprechenden Spaltenleitern 1&EEacgr; ISt --Ib und mit dem Eingang eines Erkennungsschaltkreises S3 verbunden.
&bull; t · Ii
·· &diams; * I I
&Idigr; DeP Erkennungsschaltkreis S3 weist vorzugsweise einen Differenzverstärker SM S1Jf1 dessen invertierender Eingang mit einem Punkt verbunden istn auf den sämtliche Schalter SS zusammengelegt sind und dessen nicht invertierender
S Eingang mit Masse verbunden ist· Ein Rückkopplungswiderstahd SS ist zwischen den Ausgang des Differenzverst'ärkers SM und dem invertierenden Eingang geschaltet und ein
Allenannel.il i^nwefanW 3L &iacgr; &bgr; I· 7 1.11 o/-Urvn Mn^i A I lc>nAn^ *-!*-»«?· T\ 4 ^ ·&mdash;
ferenzverstärksrs SM und Masse geschaltet· Weiterhin ist ID der Ausgang des Verstärkers SM mit einem VIDEO-AusgangsanSchluß verbundenn um ein erzeugtes VIDEO-Ausgangssignal zu übertragen.
Bei einem erfindungsgemäßen Prototyp des Array betrug der lüert des Rückkopplungswiderständes SS IM und der des Ausgängswiderstähdes SL betrug SD ·
Mit den Reihen- und Spaltenschaltern Sl und SS ist eine Logiksteuerung 3D verbundenn um einzelne Paare von Rei-SD hen- und Spaltenschaltern zu schließen! so daß individuelle Diodenelemente adressierbar sind-
Beim Betrieb erfolgt beim Schließen eines bestimmten Paares von Reihen- und Spaltenschaltern eine Adressierung SS eines bestimmten Diodenelementes SDA - SDI derartt daß dessen Anodenanschluß über einen der Schalter Sl mit Masse und die Kathode über einen der Schalter SS mit dem Erkennungsschaltkreis &Xgr;3 verbunden ist-
3D Die Menge des fotoelektrisch erzeugten Stromes wird von dem Erkennungsschaltkreis S3 erfaßti wobei der Strom proportional zu der Lichtmenge isti welche von dem adressierten Diodenelement absorbiert wurde· über die Logiksteuerung 3D werden dann aufeinanderfolgende Diodenelemente derart adressiertn daß von dem Erkennungsschaltkreis S3 ein VIDEO-Ausgangssignal erzeugt wirdi welches
ID
der Lichtmen^e ensprichti die auf die verschiedenen Elemente lies Arrays ID fallt*
Insoweit zusammenfassend zeichnen sich das fotoempfindli-S ehe Diodenelement gemäß der vorliegenden Erfindung Und ein aus diesem hergestelltes Array bzw. eine Diodenmatrix dadurch ausi daß sie einfachen Aufbau haben und demzufolge leicht herstellbar siridn eine definierte Adressierung eines jeden Elementes beispielsweise über ein
ID Schieberegister möglich ist und ein Weiter Dynamikbereich (typischerweise in der Nähe von 1 : ID.DDD) vorliegt-Weiterhin hat sich herausgestellt &tgr; daß die Empfindlichkeit von a-Si:H für blaues und ultraviolettes Licht der Von kristallinem Silizium überlegen ist· Die Haximalem-
IS pfindliehkeit für verschiedene Frequenzen kann eingestellt werden und die lichtempfindliche Oberfläche eines jeden Elementes kann durch die Formgebung der ttetallisierungsschicht M maximiert werden-t um eine Mehrzahl von lichtempfindlichen öffnungen zu erhaltenn wobei eine
2D ausgedehnte fietallisierungsschicht S unter dem Element vorgesehen ist·
Die Elemente in dem Array ID sind typischerweise voneinander isoliertn wie in Fig· 2 dargestellt so daß ein übersprechen zwischen benachbarten Elementen nicht mehr Vorkommti was bisher für CCD-Vorrichtungen typisch war· Das fotoempfindliche Diodenelement in Verwendung als Array ID arbeitet in einem Stromzustandi in dem die Diode belastet isti so daß das Ansprechverhalten sehr linear
3D ist-

Claims (1)

  1. Schutzansprüche
    1- Fotoempfindliche Diodenmatrix mit einer Mehrzahl von fotoempfindlichen Diodenelementeni dadurch gekennzeichnet
    daß die Diodenelemente der Diodenmatrix mit einer ersten Mehrzahl von Spaltenleitern (I1H ISt-.Ii.) und einer zweiten Mehrzahl von Reihenleitern (11·,...IHt 13)t welche über den Spaltenleitern liegeni angeordnet sindn wobei die einzelnen Diodenelemente jeden der Reihen- und Spaltenleiter derart miteinander verbindenn daß die Kathode eines jeden Diodenelements mit einem entsprechenden Spaltenleiter und die Anode mit einem entsprechenden Reihenleiter verbunden isti und
    daß wenigstens einen vorzugsweise alle Diodenelemente eine erste Schicht (1) aus hydriertem amorphen n- SiliziuniT welche eine Kathode bildet und eine zweite Schicht (&Xgr;) aus p+ Material aufweiseni welche eine Anode bildeti wobei die zweite Schicht über der ersten Schicht liegt und für optische Energie
    Postgiföäfiil München 1360 52-802 (BLZ 700 100 80) ■ Deutsche Bank AQ Frelslng 93 020 50 (BLZ 700 700 10) SlädtspärKjisseFfBisin^aoO/ (01!2700"6,1O108) ■ DreednereanJoRelsing 7 828 500 00 (BLZ 700 300 00)
    D7.Dfl.nfi7
    j! 1 durchlässig ist und wobei wenigstens die erste
    Schicht hochleitend wirdi wenn sie der optischen Energie ausgesetzt ist·
    S &Xgr;. Diodenmatrix nach Anspruch It dadurch gekennzeichnet-.
    daß Einrichtungen (&Xgr;&idiagr;&tgr; 5&Xgr;) zum Adressieren individueller Diodenelemente über die Reihen- und Spci-
    ID tenleiter vorgesehen sindn welche eine erste Mehrzahl von Schaltern zum Legen entsprechender Reihen- ; leiter auf Hasse und eine zweite Hehrzahl von
    Schaltern zum Verbinden entsprechender Spalten weiter mit einer Erkp.nnungsvorrichtung (&Xgr;3) aufweisend und
    daß die Erkennungseinrichtung (&Xgr;3) zur Erkennung eines Fotoleitvorganges in den adressierten Diodenelementen und zur Erzeugung eines VIDEO-Ausgangssig-&Xgr;0 nals als Antwort hierauf weiterhin einen Differenzverstärker (SM) &tgr; einen Rückkopplungswiderstand (&Xgr;5) und einen Ausgangswiderstand (St) aufweist! wobei der Rückkopplungswiderstand (ES) zwischen den Ausgang des Differenzverstärkers (SM) und dessen in-SS vertierten Eingang geschaltet der Ausgangswiderstand (EL·) zwischen den Ausgang des Differenverstä'rkers (SM) und der Masse geschaltem und der Ausgang des Differenzverstärkers (SM) mit eingm VI-DEO-Ausgangsanschluß verbunden ist· 3D
    3· Diodenmatrix nach Anspruch Si dadurch gekennzeichnet daß der Differenzverstärker (SM) mit einer j (SS) der beiden Schälteranordnungen verbunden istn
    iff um Stromsignäle zu verstärken! die von adressierten
    S 3fi Diodenelemanten erzeugt werden und ur das VIDEO-Ausgangssignal zu erzeugen«
    M* Diodenmatrix riadh einem der Ansprüche 1 bis 3n dadurch gekenhzeichnet-i daß die zweite Schicht (S) dös Diödenelements aus p+ Material besteht-* Welches in die erste Schicht (1) implantiert ist«
    S* Diodenmatrix nach einem der Ansprüche 1 bis 3i dadurch gekennzeichnet! daß die zweite Schicht O) aus transparentem Metall ist und eine Schottky-Sperrschicht am übergang der ersten und zweiten Schicht bildet.
    b« Diodenmatrix nach einem der Ansprüche 1 bis £&iacgr; dadurch gekennzeichnet &tgr; daß das Diodenelement eine erste Metallschicht (S) &tgr; welche unter der ersten
    IS Schicht (1) einen Kathodananschluß bildet und gine zweite Metallschicht (Ml über der zweiten Schicht (&Xgr;)&tgr; welche einen Anodenanschluß bildet und eine oder mehrere öffnungen aufweist! um die erste und zweite Schicht oer optischen Energie auszusetzen·
    EG
    ?· Diodenmatrix nach einem der Ansprüche 1 bis Ht dadurch gekennzeichnet! daß das Diödenelemerit weiterhin eine Schicht (3) aus Pyroglas über der zweiten Schicht (&Xgr;) aufweist.
    SS
    ö. Diodenmatrix nach einem der Ansprüche 1 bis St dadurch gekennzeichnet-· daß das Diodenelement eine Oxidschicht (b) unter der ersten und zweiten Schicht aufweist.
    3D
    &Iacgr;. Diodenmatrix nach einem der Ansprüche 1 bis Sn dadurch gekennzeichnet-i daß das Diodenelement eine . Substratschicht aus Pyroglas unter der ersten und zweiten Schicht aufweist-
    35
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