DE858925C - Lot mit niedrigem Schmelzpunkt - Google Patents

Lot mit niedrigem Schmelzpunkt

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DE858925C
DE858925C DES17767A DES0017767A DE858925C DE 858925 C DE858925 C DE 858925C DE S17767 A DES17767 A DE S17767A DE S0017767 A DES0017767 A DE S0017767A DE 858925 C DE858925 C DE 858925C
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DE
Germany
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solder
melting point
low melting
indium
point solder
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Expired
Application number
DES17767A
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English (en)
Inventor
Eduard Dr Phil Justi
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C28/00Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)

Description

  • Lot mit niedrigem Schmelzpunkt Die bekannten Lote mit niedrigem Schmelzpunkt, die aus wismuthaltigen Legierungen nach Newton, R o s e oder W o o d bestehen, haben den Nachteil, ciaß sie nicht gut fließen, sondern nur örtlich mehr oder weniger fest kleben und größere mechanische Beanspruchung nicht aushalten. Es ist daher auch nicht möglich, mit derartigen Loten vakuumdichte Verbindungen herzustellen. Ein weiterer Nachteil dieser Lote besteht darin, daß der spezifische elektrische Widerstand sehr groß ist, nämlich 3o- bis d.omal so groß als der von Kupfer. Die mit solchen Loten hergestellten Verbindungen weisen Kontaktwiderstände auf, die noch erheblich größer sind, als es dem genannten Verhältnis der spezifischen Widerstände entspricht. Dies ist dadurch bedingt, daß diese tiefschmelzenden Legierungen nur an wenigen Stellen mit den zu verbindenden Metallen Kontakt geben.
  • Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, diese Nachteile zu beseitigen und ein Lot zu schaffen, das trotzdem leicht fließt. Erfindungsgemäß besteht- das Lot ganz oder teilweise aus Indium. Besonders vorteilhaft ist es, eine Legierung aus Indium und Zinn zu benutzen, die beispielsweise 2o bis 60 % Zinn enthalten kann. Das Eutektikum mit 51 % Indium und .49 % Zinn mit seiner niedrigen Schmelztemperatur von nur 1t7° hat sich in Versuchen als besonders geeignet erwiesen. Dieses Lot fließt fast noch leichter als das gewöhnliche Weichlot, und man kann dieselben Flußmittel wie bei diesem verwenden, was einen besonderen Vorteil dieses Lotes darstellt. Die mit dem erfindungsgemäßen Lot hergestellten Verbindungen weisen eine sehr gute mechanisch(. Festigkeit auf und haben den weiteren Vorteil, claß das Lot weniger rasch oxydiert als gewöhnliches Weichlot. Der spezifische Widerstand bei o' ist nur ungefähr iomal so hoch als bei reinem Kupfer.
  • Es ist gemäß weiterer Erfindung in manchen Fällen vorteilhaft, der Indium-Zinn=Legierung weitere Stoffe zuzusetzen, die z. B. bei der Lötung eine vollständige Desoxydation der zu lötenden Teile hervorrufen. Beispielsweise haben sich o.o5 bis 3 °/o Phosphor als Zusatz bewährt.
  • Das erfindungsgemäße Lot eignet sich insbesondere zum Löten niedrigschmelzender therrnoelektrischer metallischer Werkstoffe, wie Wismut oder Wismutlegierungen, für die Verbindung der Schenkel von Thermoelernenten. Besondere Vorteile ergeben sich, wenn man die Thermoelemente zur elektrischen Kälteerzeugung gemäß dem Peltier-Effekt an den Stellen lötet, wo ein niedrigschmelzender Thermoelementsahenkel an die kalte Lötstelle stößt. Durch die Anwendung des erfindungsgemäßen Lotes gelingt es, den Kontaktwiderstand unter o,oooi Ohm/cm= herabzudrücken, so daß nicht mehr wie bisher die entstehende joulesche Wärine die Peltier-Kälte weitgehend aufhebt.
  • Auch beim Bau von Vakuumapparaten oder ähnlichen physikalischen oder technischen Geräten bringt die Verwendung des erfindungsgemäßen Lotes besondere Vorteile. Bisher konnte man nur ,einen Metallteil z. B. mit Silber hart löten und mußte dann alle anderen Teile weich löten. Die Erfinduns ermöglicht es nun, ein drittes gut fließendes und vakuumdichtes Lot von erheblich niedrigerem Schmelzpunkt anzuwenden, so daß man alle notwendigen Lötungen bei drei verschiedenen Temperaturen vornehmen kann. Dadurch wird die Gefahr vermindert, daß beim Löten der letzten Teile die vorhergehenden Lötungen sich wieder lösen.
  • Auch bei der Lötung von Konservendosen oder ähnlichen Behältern für leicht verderbliche Lebens-und Genußmittel ist das neue Lot infolge seines geringen Schmelzpunktes von Vorteil.
  • Ferner können die Berührungsflächen von Konus-und ähnlichen Verbindungen, z. B. Verschraubungen, wie sie z. B. in der Kältetechnik angewendet werden, vorteilhaft mit diesem Lot bestrichen und danach .die beiden Flächen auch ohne erhebliche Erwärmung vollständig gasdicht aneinandergeschlossen werden.

Claims (5)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Lot mit niedrigem Schmelzpunkt, dadurch gekennzeichnet, daß es ganz oder teilweise aus Indium besteht.
  2. 2. Lot nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß es aus einer Indium-Zinn-Legierung besteht.
  3. 3. Lot nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß es aus 2o bis 6o 1/o Zinn, Rest Indium besteht.
  4. 4.. Lot nach Anspruch i und z, dadurch gekennzeichnet, daß es einen Zusatz, z. B. 0,05 bis 3 % Phosphor, enthält, der bei der Lötung eine vollständige Desoxydation der zu lötenden Teile bewirkt.
  5. 5. Verwendung des Lotes nach einem der Ansprüche 1 bis 4. für die Verbindung der Schenkel von Thermoelementen, die insbesondere zur elektrothermischen Kälteerzeugung dienen.
DES17767A 1950-07-21 1950-07-21 Lot mit niedrigem Schmelzpunkt Expired DE858925C (de)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1028241B (de) * 1953-12-15 1958-04-17 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer vakuumdichten Verbindung fuer elektrische Entladungsgefaesse od. dgl.
DE1086350B (de) * 1957-05-09 1960-08-04 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, z. B. eines Siliziumgleichrichters
DE1093911B (de) * 1957-06-03 1960-12-01 Sperry Rand Corp Verfahren zur Befestigung einer metallischen Kontakt-Elektrode an dem Koerper aus halbleitendem Material einer Halbleiteranordnung
DE1099823B (de) * 1954-07-07 1961-02-16 Emi Ltd Verfahren zum vakuumdichten Verbinden der Teile von Gefaessen, insbesondere von elektrischen Entladungsroehren
DE1251777B (de) * 1967-10-12 Siemens-Electrogeräte Gesellschaft mit beschränkter Haftung, Berlin und München, München Peltierelement

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DE1086350B (de) * 1957-05-09 1960-08-04 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, z. B. eines Siliziumgleichrichters
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