DE838924C - Trockengleichrichter und Photoelement - Google Patents
Trockengleichrichter und PhotoelementInfo
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Description
- Trockengleichrichter und Photoelement Trockengleichrichter haben im allgemeinen einen schichtenmäßigen Aufbau. Auf einer Grundelektro-d e die meistens aus leitendem -Material, Metall ()der hohle od. dgl. besteht, befindet sich eine Halbleiterschicht. Als Halbleiter werden Seleii, Tellur. Silicium. Gerinanitiin ti. a. oder auch verscliiecknartige Metallverbindungen verwendet. Auf der Halbleiterschicht wird eine metallische Gegenelektrode angebracht. Die Wirkung des Gleichrichters lrertiht auf einer Sperrschicht, die sich zwischen der Halbleiterschicht und einer angrenzenden Elektrode bildet. Im Falle von Selen z. B. bildet sie sich an der Berührungsfläche zwischen dem Selen und der Gegenelektrode.
- Um die Ausführungsmöglichkeiten und die Anpassungsfähigkeit sowie den Verwendungsbereich von Selentrockengleichrichtern und Photoelementen zu erweitern und die Herstellungsmethoden zu verbessern, wird gemäß der Erfindung der Aufbau der Trockengleichrichter unter Verwendung von leitenden Kunststoffen durchgeführt. Neuerdings sind solche Kunststoffe von bemerkenswerten Eigenschaften bekanntgeworden. Sie liegen als Thermoplasten vor, oder aber sie sind in der Wärme aushärtbar.
- Die Anwendung dieser leitenden Kunststoffe kann in der Weise erfolgen, daß entweder die Grundelektrode oder die Gegenelektrode oder alle leide durch je einen oder auch je einen anderen Kunststoff ersetzt werden. Andererseits ist es möglich, Gleichrichter des bisher üblichen Aufbaus an einer oder an beiden Seiten noch mit einer Schicht aus leitelideni Kunststoff ztt bedecken. Diese `la%tiahnie kann lreson<.i@ers dann gerechtfertigt sein, wenn dadurch die Grund- und/cxier die Gegenelektrode z. B. wesentlich dünner werden kann, al daß etwa eilte biegsame Form voll (3leichrichter-oder I'hotoelenlenteti entstellt. So kann z. B. die Grundelektrode etwa aus Eisen oder au:s Leichtinetall als dünne Schicht auf (lern leitenden Kunststoff niedergeschlagen oder elektrolytisch aufgebracht werden. Auch können noch beliebige Zwischenschichten oder aller Legierungen bzw. aus mehreren Stoffen zusammengesetzte Übergangs-;cliic.liteti auf dein Kunststoff niedergeschlagen werdest. [)a die leitenden Kunststoffe in manchen Ausführungen mindestens transparent sind, so kann bei Photoelementen auch die Gegenelektrode be sim(iers dünn sein. Sie braucht lediglich das für die photoelektrische Wirksamkeit benötigte Material zti enthalten, sie braucht aber nicht mehr mit lZücksicht auf eitle möglichst hohe elektrische Leitf:ihigkeit Ix#niesserl zu werden, da eine erhebliche \'erstärkting und eilte Verbesserung der elektrischen 1,c#itf:ihigkeit durch leitende Kunststoffe erfolgen können. In einer solchen Ausführungkann ein solches 1#'leni.etit sowohl als Photozelle wie auch als Gleichrichter dienen. In jedem Falle würde inan auch Stoffe, die zur Gegenelektrode gehören, zunächst auf dem leitenden Kunststoff anbringen können, der etwa in l,' olieilforni vorliegen mag, und dann die Gegcilelektrode zusammen mit der Auflage auf der Halbleiterschicht etwa durch Wärine fest aufbringen. Hierfür kommt z. B. Thallium in Frage, welches als Deckelektrodenbestandteil bei Selengleichrichtern von erheblicher Wichtigkeit ist. Auch kann man in der Anwendung als Photoelement verschiedene Schichtsysteme übereinander anordnen und. indem man sehr dünne Schichten sowohl des Halbleiters als auch der angrenzenden Elektrode anw:ndet, zu Mehrfachphotozellen gelangen, die zu einer höherprozentigen Lichtausbeute führen.
- :Mit lZücksicht auf die Umwandlung des Selens in die leitende lflodifikation sind solche elektrisch leitenden Kunststoffe zu bevorzugen, welche einen sehr hohen Erweichungspunkt Haben oder welche als aushärtbane Stoffe holte Temperaturgrade aushalten können. Dieser beim Selen erforderliche Umwandlungsprozeß, der bei erhöhter Temperatur durchgeführt wird, läßt sich im übrigen der Natur des I\'titlststoffes anpassen. An sich gilt die Regel, d.iß die Dauer der Uniwandlung um so kürzer ist, je Höher die Temperatur ist, die jedoch in jedem Falle unterhalb der Schmelz- bzw. l:rweicliungstemperatur des Selens bleiben muß. Die Rücksichtnalline auf einen niedrigeren Erweichungspunkt des leitenden Kunststoffes würde also lediglich zur Folge haben, daß die Temperatur etwas länger dauert. Dies wird im allgemeinen unerheblich sein. (gegebenenfalls -wirken aber bereits die Halogenzusätze zum Selen günstig für die Kristallisation.
- Indem nian davon ausgeht, (laß Gleichrichter des ollen aufgeführten Schichtenaufhaus möglich sind, k(>nnen nun verschiedene weitere zweckmäßig Gleichrichter- und/oder 1.'hotoeleinenteformen hergeleitet werden. Da in vieler Beziehung das physikalische Verhalten der leitenden Kunststoffe dem der isolierenden Kunststoffe entspricht, können isolierende und leitende Kunststoftschichten zti beliebigeli Schaltungen kombiniert werden, z. B. zu Reihenschaltungen oder zu Parallelschaltungen. Es könnten Gleichrichter nach Art voll Kondensatoren gewickelt werden. Oft wird sich ein dachziegelartiger Aufbau einpfelilen, durch welchen eine Reihenschaltung entstellt, wie er für Photoelemente bereits bekannt ist. I?s können durch entsprechende Weiterschaltungen große Flächen als Gleichrichter-oder Photoelement aasgeführt werden, die, falls sie mechanisch fest genug ausgeführt werden, sogar als Umhüllung der von ihnen oder mit ihnen betriebenen Geräte dienen können. Für den Fall. da ß die mechanische Festigkeit nicht ausreicht, können diese flächenhaften Gebilde größerer Ausdehnung auch auf Geweben aufgebracht, z. B. verklebt werden. Einseitige oder beiderseitige Überdeckung mit isolierenden, durchsichtigen Kunststoffen ergibt beliebig schaltbare photoelektrische Flächen, die als Bedachuilg von Gebäuden oder für die Bespannung voll Kraftwagen. Flugzeugen, Eisenbahnwagen oder anderen Verkehrsmitteln dienen können. um dort, wo elektrische Energiequellen anderer Art nicht zur `'e:-fügung stehen oder wo an Gewicht gespart werden soll, als Energiequelle für den Betrieb von Radiogeräten, Sendern und gegebenenfalls auch elektrischen Apparaten größerer Leistung zu dienen. Durch entsprechende Bedeckung kann zur Anwendung als Photozelle die spektrale Empfindlichkeit eingestellt werden. Bestimmte Spektralbereiche können, wie bekannt, ausgefiltert werden. Man kann z. B. auch die eilte Seite eines solchen flächenhaften Gebildes für einen bestimmten Spektralbereich, z. B. für Tageslicht, empfindlich machen, während die andere Seite z. B. infrarotempfindlich sein kann. In diesem Zusammenhang mag erw,ihnt werden, daß z. B. das Germanium für infrarote Strahlen durchsichtig ist. Für die eine Seite eines solchen Gebildes kann dann das Tageslicht als Energiequelle dienen, während für die andere Seite ein Feuer bzw. ein Ofen als Energiequelle dienen kann. Durch dachziegelartige Überlappung voll aneinanderstoßenden Elementen in der richtigen Schichtfolge läßt sich die Reihenschaltung zaldreicher 1?lemente durchführen, uni eilte gewünschte höhere Spannung zu erzielen. Durch einseitige oder beiderseitige Isolierung mit einer diitlnen. durchsichtigen Schicht aus leitendem Kunststoff läßt sich eilte derartige Energiequelle gefahrlos verwenden. Für abgelegene Gegenden, in welchen keine elektrische Energie zur Verfügung steht. läßt sich so die Haushedachting oder eine 'Zeltplane' als Anodenspannungsquelle für Radiogeräte verwenden, insbesondere dann, wenn Kristallverstärker verwendet werden. Da diese Kristallverstärker ('Transistoren) keine Heizspan= nung benötigen, so sind für solche Gegenden die gekenlweichneten Photoelemente mit Vorteil zu verwenden. Auch für transportable Geräte, z. B. Reisegeräte, ist ihre Anwendung vorteilhaft, ins-
- In Abb. 6 ist stark schematisiert eine Anordnung dargestellt. \velche für biegsame Schichtensysteme großer Fläche in 1,-rage kommen kann. Mit 2 ist die Halbleiterschicht bezeichnet, die gegebenenfalls mit dünnen C11.ergangsschichten geeigneten Materials versehen zu denken ist. .I und 5 sind die angrenzenden Schichten aus leitendem Kunststoff: während j und 8 Schutzschichten aus Isolierstoff sind. Sie können z. B. aus durchsichtigem Kunststoff hestch,cn. ebenso wie auch die Schichten I und 3 durchsichtig sein können. Es kann sich empfehlen, .um auch die Halbleiterschicht mit den gewünschten inec'hanischen Eigensdiaften auszustatten, diese iitit einem Zusatz zu versehen oder zu imprägnieren, welcher bei Formänderungen etwa entstehende Poren od.,dgl. ausfüllt, der- also die Biegsamkeit der Halbleiterschicht gewährleistet. Es i-st unter Umständen bereits genügend, wenn die in Abb. :I mit 6 bezeichnete poröse Lackschicht so mit dem Halbleiter verarbeitet wird, d'@aß seine Biegsamkeit gewährleistet ist. Im übrigen ist es mindestens für Selengleichric'hter :bekannt, eine der Schicht 6 entsprechende, dünne, isolierende Schicht zwecks Erhöhung der Sperrspannung zu verwenden. Die Imprägnierung oder sonstige Älaß= nahmen, von Natur spröde Sc'hic'hten biegsam zu machen, sind natürlich auch auf etwaige der Halbleitersc;hicht benachbarte Schieliten anwendbar. Beim Selen ist es zweckmäß,i@g, die I-rn:prägnierung nach der tliei-niisdlien Um\vandlung des Selens durchzuführen.
- In den weiteren Abbildungen sind nun Maßnahmen gezeigt, wie flächenhafte Elemente der gekennzeicIhneten Art in Reihe oder parallel geschaltet werden können. In Abb. 7 ist eine Anordnung schematisch dargestellt, welche als dachziegelartiger Aufbau angesprochen werden kann. Dort steht i,in Bereiche von a bis b die leitende Kwnststoffschicht 5 mit der leitenden Ku.nststoffsc'hidht :I des nach rechts folgenden Elementes in Kontakt. Um wegen der Dünne der Schichten einen Kurzschl.uß zu vermeiden, ist ein Streifen 9 aus Isoliermaterial, z. B. aus Kunststoff, vorgesehen, der es verhindert, daß unbeabsichtigt ein Kontakt zwischen den Schichtete 5 benachbarter Elemente entsteht.
- Die strichpunktierte Linie 7 deutet wieder eine schützende t111(1 isolierende Schicht an, die -das ganze Aggregat Überzieht. Von unten her kann eine gleiche Schicht vorgesehen sein. Die Schichtstärke ist in der Abb.7 übertrieben dick dargestellt. Gegebenenfalls in der Verwendung als Photoelement kann von ututen her ein anderer Spe.lktralbereich lichtelektrisch wirksam sein als von oben her. Es kann auch spiegelbildlich zu dein in Abb. 7 dargestellten System ein zweites damit vereinigt sein, xvelches die gleichen oder in wünschenswerter Weise abgeänderte Eigenschaften haben kann. Durch ,die -dargestellte Anordnung können mit Photoelementen Spannungen von einigen Polt erzielt werden.
- In Abb. 8 ist die Übergangsstelle von einem Element zurr andern in etwas abgewandelter Forin dargestellt. Die Sc'hiidht aus Hafbleiterinaterial 2, die bis zum Rande ausgedehnt ist, wird nur nacili unten durch einen Isolierstoffstreifen io In [email protected] liegt gleiclhfalls nur ein Iso1ierstoflstreifen von ihaliber Gesamtstärke vor, doch ist in diesem Falle die Halibleiterschicht nicht bis zum Rande, sondern nur Abis zum Isolierstreifen geführt worden. In Abb. io, die der A,bb. 9 ini wesentlichen entspricht, ist der Isolierstreifen io nach unten verlegt worden. Insbesondere Abb. io ist geeignet, den Übergang von einem Element zum andern, wie er in Abb.7 <bargestellt ist, finit zuverlässiger Isolierung zati bewerkstelligen.
- In Abb. i s und i i a ist ein Beispiel für eine Parallelschaltung dargestellt; während mit 9 die in Gien Abb.7 bis 1o dargestellten Isolierstreifen gemeint sind, sind in Abb. 1i mit 11 und 12 ISOl.lerstreifen bezeichnet worden, die dann erforderlich sind, wenn man wegen der Dünne der Schichten ein stumpfes Aneinanderfügen zweier Schichtensysteine nicht durchführen kann. In Abb. i i a (im Querschnitt dargestellt) werden die beiden niiteinander parallel zu schaltenden Schic'htsysteine einander bis auf den Spalt 13 genähert. Der Spalt 13 muß an sich nicht vorhanden sein. Durch den Streifen 14 aus leitendem Kunststofft werden sodann die Schichten 5 miteinander verbunden, während durch den Streifen 15 die Schichten 4 über die Isolierstreifen 1i und 12 hinweg miteinander verbunden werden. Die beiden Streifen i i und 12 können im übrigen au dh ;aus einem einzigen Streifen -größerer Breite bestellen, welcher dann mit dem einen der beiden Sahiidhtensysteine verbunden wird. Eine andere Anordnung ist in Abb.12 dargestellt. Die beiden Schichten 5 sind einfach ,durch Überlappurig miteinander verbunden. Die Isolierstreifen i i und 12 werden durch den Isolierstreifen 16 überbrückt, der die Überlapp-ungsstelle zu isolieren 'hat. Der Streifen 15 verbindet dann wieder über die Stoßstelle ',hinweg die beiden Schichten 4.
- Wieder eine andere Anordnung ist in Abb. 13 dargestellt. Dort sind die Isoliierstreifen 11, 12 und 16 aus Abb. 12 zu einem einzigen Streifen 17 zasammengefaßt, der die Überlappungsstelle zu isolieren hat.
- Für die balgenarti.ge Ausführung ist in Abb. 14 lediglich ein einfaches schematisches Beispiel dargestellt. Nach Art einer Ziehharmonika kann ein als lihotoele'ktrisches Element ged,adhtes Systems verkürzt oder verlängert werden. Es ist denkbar, dieses System so auszuführen, daß es im zusammengeklappten Zustande flach in eine Tasche gesteckt werden kann. Unter Verwendung kleinster. Bauteile, seien es Röhren, Kristallverstärker oder ähnliches, läßt sich auf diese Weise ein Verstärker erstellen, der etwa mit Tageslichtenergie betrieben werden kann. Gegebenenfalls kann ein Teil des lialgciis als Lautsprechermeml)ran ausgebildet werden. Sind die N%erhältnisse so, daß man lediglich auf am Ort zur 1'erfüguiig stehende Licht-oder Strahlungsenergie angewiesen ist und steht z. B. für den Elektronenspender eine Heizstromquelle nicht zur Verfügung, .dann kann durch Linsen oder Spiegel(dan der in Frage kommenden Stelle die erforderliche \Värine erzeugt werden. Al,s Anodenspannung wird die dein verstellbaren Balgen in einstellbarer H<illie zu entne!h,mende l@liotoelektrisc'he Spannung entnommen. Die Schaltung wird dabei zweckmäßig nach dem Schema der Abb. 7 ausgeführt. Je nach den Umständen kann es sich empfehlen, die Übergangsstellen der Reih ensdhalturig von den Faltkanten des Bal;gens in die Flanken zu verlegen.
- Im übrigen können gerade in der Anwendung als Spannungsquelle für Verstärker auch andere Ausführungen gewählt werden. Während in 11i1>. L4 (las Innere des Balgens, z. 13. an der Stelle 18, zur Aufri,älsine einer 1@erstärkereinrichtung dienen kann, sind in anderen Fällen fächerförmige Ausführungen vorzuziehen, die dann finit Leichtigkeit in dem Gehäuse des Verstärkers untergebracht werden können. Auch einfacllie Flächen, die längs paralleler Linien gefaltet werden, sind denkbar. Das Schema der Abb. 14 steht für zahlreiche Ausfii'hrungsmöglicJlrkeiten, die daraus abgeleitet werden können.
- Auch im Zusammenarbeiten finit :lkkumu@atorenbatterien sind die ,gekeunzeic'hneten Elemente vorteilhaft. Der Herstellungsprozeß läßt sich ganz oder weitgehend automatisieren, so daß die Gleichrichter mit fortlaufenden Folien aus leitendem Kunststoff in einem kontinuierlichen Verfahren hergestellt werden können.
- Es liegt in der Natur des Erfindungsgedankei .daß, soweit es sich ium die Ausnutzung etwa von Tageslicht in Photoelementen handelt, manche Gegenden gleichmäßige und vorsehbare Bedingungen ergeben. In manchen Fällen ist es dagegen unvermeidbar, durch entsprechende Reserveh.altung oder Umschaltung von Parallel- auf Reilhenverbindung bestimmter Gruppen, automatische Umstellung und Regulierung notwendige Ausgleiche zu schaffen. Immerhin ergibt auch die balgenartige Form schon die Möglichkeit, in sehr weitem Bereich einen Ausgleich zu schaffen. Immerhin reizt das erzielbare leichte Gewicht zur Anwendung dort, wo an Gewicht gespart werden muß.
- Für die Verwendung als Gleichrichter kann noch darauf 'hingewiesen werden, claß nach vollständiger Umhüllung mit einem nichtleitenden Kunststoff in jedem Falle, mit einseitiger Umhüllung in manchen Fiilleii eine intensive Kühlung z. 14. auch mit Wasser iiiüglicli ist. Halbleiter, die auf hohe Betriebstemperaturen mit erhöhter Halterung reagieren, 'können bei intensiver Kühlung !höher belastet werden.
Claims (4)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Aus Schichten aufgebauter Trockengleichrichter oder Photoeleineilt, dessen Halbleiterschicht mit jeder Oberfläche an je eine Leiterschicht geeigneter Zusammensetzung stößt, die als Grundelektrode oder Deckelektrode dienen, d'adurc'h gekennzeichnet, daß Grund- und/oder Deckelektrode aus leitendem Kunststoff bestehen oder sich auf einer Schicht aus leitendem Kunststoff befinden.
- 2. Trockengleichrichter oder Photoelement nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundelektrode aus einer Schicht aus leitendem Kunststoff besteht, auf welcher auf der dein Halbleiter zugekehrten Seite ein geeignetes Material, z. B. Eisen oder Aluminium oder Leichtmetall oder auch andere Stoffe oder Genlische oder Legierungen anderer Stoffe, als vorzugsweise dünne Schicht oder Schichten aufgebracht sind, wie z. B. Eisen und Wismut.
- 3. Trockengleichrichter oder Photoelement nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckelektrode aus einer Schicht aus leitendem Kunststoff besteht, auf welcher auf der dem Halbleiter zugekehrten Seite ein geeignetes Material oder geeignete Materialien gemischt oder nach Schichten getrennt aufgebracht sind. Trockengleichrichter oder Photoelement nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die den Gleichrichter oder das Photoelement aufbauenden Schichten durch Elektrolyse, durch Aufdampfen, durch kathodisc(hes Aufstäuben, .durch Aufstreichen, Aufspritzen od, dgl., gegebenenfalls unter Anwendung von Druck @und/oder Wärme aufgebracht sind. Gleichrichter oder Photoelement nach Anspruch i bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten aus solchen Materialien hergestellt sind bzw. so dünn sind, daß der Gleichrichter oder das Photoelement nach jeder Seite biegsam ist. 6. Gleichrichter oder Photoelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, d@aß Schichten, die von Natur spröde sind, durch Imprägnierung mit einem Lack od..dgl. biegsam gensacht sind. 7. Selengleichrichter oder Photoelement nach _lnspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Selenschicht vor oder nach der Umwandlung in die kristalline leitende Modifikation mit einem Lack od. dgl. imprägniert oder überzogen ist, der die Biegsamkeit des Selens ergibt. B. Gleichrichter oder Photoelement nach Anspruch i bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß durch streifenweise Überlappung, etwa nach Dachziegelart, eine beliebigeAnzahlvonElementen zur Erzielung einer höheren Gleichrichter-oder Photospannung in Reihe geschaltet ist. g. Gleichrichter oder Photoelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verineidung von Kurzschlüssen mindestens eine der Cberlappun.gskanten ganz oder schichtweise in einen Isolierstoffstreifen (g, to) ausläuft. io. Gleichrichter oder Photoelement nach Anspruch i bis g, dadurch gekennzeichnet, daß eine Parallelschaltung von Elementen dadurch erfolgt ist, daß vorzugsweise durch le@itendeKunststoffstreifen, gegebenenfalls unter Einfügung von isolierenden Kunststoffstreifen (1i, 12, 16, i7), gleichpolige Schichten von Photoelementen miteinander verbunden sind. i i. Gleichrichter oder Photoelement nach Anspruch i bis io, dadurch gekennzeichnet, daß ein- oder beidseitig eine vorzugsweisedurchsich tige Schicht von isolierendem Kunststoff als Hülle vorgesehen ist. 1,2. Photoelement nach Anspruch I bis I i, dadurch gekennzeichnet, daß das Photoelement zweiseitig wirksam gestaltet ist und daß jede Seite für einen gleichen oder für verschiedene Spektralbereiche wirksam ist, z. B. auf der einen Seite für Tageslicht, auf der andern Seite für Infrarot. 13. Gleichrichter oder Photoelement nach Anspruch i bis i i, dadurch gekennzeichnet, daß das Element zylindrisch bzw. als Gleichrichter in Form eines Winkels ausgeführt ist. 14. Gleichrichter oder Photoelement nach Anspruch i bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß größere Flächen solcher Elemente zwecks Raumersparnis balgenartig gefaltet sind. 15. Gleichrichter oder Photoelement nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß Üiberlappungsstellen zum Zwecke der Reihen- oder Parallelschaltung in die Falten des Ballgens verlegt sind. 16. Gleichrichter oder Photoelement nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß Überlappungsstellen in die Flanken der Balgen verlegt sind. 17. Photoelement nach Anspruch 15 und 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Balgen verstellbar ausgeführt ist und je nach Stärke der Lichteinstrahlung zudrehen oder in der Fläche zu verändern ist. 09. Verstärker mit Photoelementen nach Anspruch i bis 15 als Anodenspannungsquelle, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verstärkung Kristalldetektoren (Transistoren) verwendet sind. ig. Verstärker nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das Photoelement als Behälter gegebenenfalls balgenartig ausziehbar ausgestaltet ist und daß die Verstärkereinric'htung innerhalb dies Behälters untergebracht ist. 20. Verstärker nach Anspruch 18 und ig, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil des Behälters oder ein Teil der balgenartirien L'nthüllung als Lautsprechermembran dient. 21. Verstärker nach Anspruch t9 und 20, dadurch gekennzeichnet, claß das Photoelement als lichtelektrische Stromduelle gegenüber der 1-Iauptlichteinstrahlungsric'htungverstellhar, insbesondere drehbar angeordnet ist, 22. Photoelement bzw. Verstärker nach Anspruch i Iris 21. dadurch gekennzeichnet, daß die Einstellung des Photoelementes durch Drehen oder Balgenlängenänderung zur LichteinfallrIchtung automatisch erfolgt. so <laß eine l,,xwiinscltte, itislx#sotrdere eine konstante @pannung zu erhalten ist. 23. Photoelement nach Anspruch t bis 17 tind 22. dadurch gekennzeichnet. (1a13 es gegebenenfalls nach Aufbringung auf einem Gewebe als lacergiequ,elle in Form einer Bedeckung von Fahrzeugen oder Gebäuden od. dgl. verwendet ist. 2.
- 4. Photoelement lrzw. Gleichrichter nach den vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet. claß zur Zusammenarbeit mit (lern Gleichrichter oder Photoelement eine Batterie vorgesehen ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DES18297A DE838924C (de) | 1950-08-05 | 1950-08-05 | Trockengleichrichter und Photoelement |
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DES18297A DE838924C (de) | 1950-08-05 | 1950-08-05 | Trockengleichrichter und Photoelement |
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DE838924C true DE838924C (de) | 1952-07-10 |
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DES18297A Expired DE838924C (de) | 1950-08-05 | 1950-08-05 | Trockengleichrichter und Photoelement |
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Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE838924C (de) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1021097B (de) * | 1954-03-05 | 1957-12-19 | Western Electric Co | Sperrschicht-Photo-Element zur Umwandlung von Sonnenstrahlung in elektrische Energie |
DE1032669B (de) * | 1953-03-17 | 1958-06-19 | Haloid Co | Lichtempfindliches Material zur Erzeugung eines latenten Ladungsbildes |
DE1046795B (de) * | 1954-11-10 | 1958-12-18 | Freiberger Praez Smechanik Veb | Halbleiter-Photoelement, bei dem die Oberflaeche der Halbleiterschicht mit der Lichteinfallsrichtung einen von 90íÒ abweichenden Winkel bildet |
DE1075238B (de) * | 1960-02-11 | Optische Anstalt C. P. Goerz Gesellschaft m.b.H., Wien | Selenphotoelement | |
DE1105521B (de) * | 1958-09-26 | 1961-04-27 | Walter Brandt G M B H | Verfahren zur Herstellung von Selenflachgleichrichtern |
DE1116324B (de) * | 1957-10-18 | 1961-11-02 | Reich Robert W | Radioaktive Stromquelle unter Anwendung von schichtfoermigen Photoelementen und von schichtfoermigem, selbstleuchtendem radioaktivem Leuchtstoff |
DE1213749B (de) * | 1961-03-14 | 1966-03-31 | Western Electric Co | Sonnenzellen-Anordnung |
DE1246126B (de) * | 1958-09-10 | 1967-08-03 | Engelbert Kunkel | Sonnenbatterie zur Stromversorgung von im Freien aufgestellten elektrischen Geraeten, insbesondere fuer Impulserzeuger fuer elektrische Weidezaeune |
DE1290639B (de) * | 1963-10-30 | 1969-03-13 | Electronique Et D Automatique | Photoelektronisches Verstaerkerelement mit hoher Leistungsverstaerkung fuer groessere Ausgangsleistungen |
-
1950
- 1950-08-05 DE DES18297A patent/DE838924C/de not_active Expired
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1075238B (de) * | 1960-02-11 | Optische Anstalt C. P. Goerz Gesellschaft m.b.H., Wien | Selenphotoelement | |
DE1032669B (de) * | 1953-03-17 | 1958-06-19 | Haloid Co | Lichtempfindliches Material zur Erzeugung eines latenten Ladungsbildes |
DE1021097B (de) * | 1954-03-05 | 1957-12-19 | Western Electric Co | Sperrschicht-Photo-Element zur Umwandlung von Sonnenstrahlung in elektrische Energie |
DE1046795B (de) * | 1954-11-10 | 1958-12-18 | Freiberger Praez Smechanik Veb | Halbleiter-Photoelement, bei dem die Oberflaeche der Halbleiterschicht mit der Lichteinfallsrichtung einen von 90íÒ abweichenden Winkel bildet |
DE1116324B (de) * | 1957-10-18 | 1961-11-02 | Reich Robert W | Radioaktive Stromquelle unter Anwendung von schichtfoermigen Photoelementen und von schichtfoermigem, selbstleuchtendem radioaktivem Leuchtstoff |
DE1246126B (de) * | 1958-09-10 | 1967-08-03 | Engelbert Kunkel | Sonnenbatterie zur Stromversorgung von im Freien aufgestellten elektrischen Geraeten, insbesondere fuer Impulserzeuger fuer elektrische Weidezaeune |
DE1105521B (de) * | 1958-09-26 | 1961-04-27 | Walter Brandt G M B H | Verfahren zur Herstellung von Selenflachgleichrichtern |
DE1213749B (de) * | 1961-03-14 | 1966-03-31 | Western Electric Co | Sonnenzellen-Anordnung |
DE1290639B (de) * | 1963-10-30 | 1969-03-13 | Electronique Et D Automatique | Photoelektronisches Verstaerkerelement mit hoher Leistungsverstaerkung fuer groessere Ausgangsleistungen |
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