DE8325321U1 - Vorrichtung zur erzeugung von negativen ionen - Google Patents

Description

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Vorrichtung zur Erzeugung von negativen Ionen

Die Erfindung bezieht sieh auf eine Vorrichtung zur Erzeugung eines Überschusses von negativen Ionen In geschlossenen Räumen durch an negative Hochspannung S liegende Ionisierungsspitzen» die Im elektrisch hochisolierten mit Auslässen für den Ionenstrom versehenen Gehäuse untergebracht sind.

Derartige Vorrichtungen sind bekannt. So können z.B. die Ionisierungsspitzen als Strahlenkranz bei Lampenkörpern oder in anderer Fora angebracht werden. Bei diesen bekannten Ausführungen ist nun eine verhältnismäßig hohe Ionenkonzentration in unmittelbarer Nähe dieses loflenerzeugers vorhanden» in der Segel ist ein Raum nicht rund, sondern rechteckig.

Die Aufgabe der Erfindung ist es» Ionenerzeuger so auszubilden» daß sie sich möglichst der Raumform anpassen» d.h. eine möglichst gleichmäßige Dichte im ganzen Raum erreicht wird. Durch die ständige Erzeugung negativer Kleinionen in den Räumen stellt sich auch eine sehr günstige biologische Wirkung ein. Während positiv geladene Luftionen im wesentlichen aus geladener Kohlensäure bestehen» die das Reiz* hormon Serotonin aus dem Gewelbe freisetzt» sind negative Luftionen überwiegend geladener Sauerstoff» der durch Beeinflußung eines Ferments den Abbau des Serotonins be- schleunigt.

Die Lösung der Aufgabe nach der Erfindung besteht darin» daß ein elektrisch gut leitender Ionenreflektor zwischen einem isolierenden Außengehäuse und den Ionisierungsspitzen angeordnet ist.

Ähnlich wie bei der elektrostatischen Beflockung wird

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durch den lonenreflektor die Austrittsgeschwindigkeit und damit auch die Menge der negativen Ionen beeinflußt. Je nach ob am lonenreflektor eine höhere oder niederere negative Spannung liegt, kann man dadurch den loneneferom S beeinflußen bzw. eich dem Rdum anpassen.

Eine bevorzugte Aueführung besteht darin, daß der lonenreflektor von einem Gehäuse gebildet ist, das in Abströmrichtung der negativen Ionen offen ist. Bei dieser Ausführung verwendet man zweckmäßig ein U-förmiges Profil. '^ 10 Selbstverständlich lassen sich auch alle anderen Profile verwenden, wesentlich ist nur, daß der Reflektor gewißermaßen als Bündelung die negativen Ionen in deren Abströmrichfcung wirkt.

Wesentlich ist ferner, daß das U-förmige Profil des Reflektros perforiert ist mit einem Über 20 % liegenden Perforationsanteil.

Der Reflektor muß um eine entsprechende Wirksamkeit zu haben, in einem isolierenden Außengehäuse angeordnet sein, wobei dieses Außengehäuse nach einer bevorzugten Ausbildung der Erfindung ebenfalls ein U-förmiges Profil auf- weist, welches in Abströmrichtung der negativen Ionen offen ist.

Im Gegensatz zum Reflektor ist dann dieses isolierende Außengehäuse mit einem höheren Perforierungsanteil als das Gehäuse des Ionenreflektors versehen.

Diese verschiedenartigen Perforierungen dienen dazu, daß der Ionenstrom, d.h. auch der Luftstrom nicht behindert wird, wenn er durch das Gehäuse und den lonenreflektor strömt und dabei an den Ionisierungsspitzen die von Nadeln gebildet sind, vorbeiströmt.

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Eine bevorzugte Ausführung ergibt sich darin, daß die Ionisierungsspitzen von Nadeln gebildet sind, die &uf einem elektrisch hochleitenden z.B. metallischen schmalen Band elektrisch gut leitend senkrecht zur Bandlänge und das Band nach der offenen Seite des Ionenreflektors hin überragend befestigt sind.

Es ist schwierig, Ionisierungsspitzen in richtiger Länge, richtigem Abstand vom Reflektor und vom Außengehäuse so anzubringen, daß eine gleichmäßige Ionisierung erfolgt. Mit Hilfe eines schmalen Bandes, auf dem diese Nadeln befestigt sind, läßt sich das fertigungstechnisch sehr einfach durchfuhren. Dabei wird dann dieses Band innerhalb des Reflektors gespannt, wobei zweckmäßig zwei Bänder parallel zueinander angeordnet sind.

Diese Spannvorrichtungen, bei denen Klemmen oder Halterungen auf beiden Seiten das Band befestigen und diese Spannvorrichtungen dann mittels Gewinde und einer Kontermutter gespannt werden sind zweckmäßig an den Stirnseiten des U-förmigen Außengehäuses angeordnet und zwar i/n den Abschlußdeckeln dieser Stirnseiten. Um eine kompakte Ausführung zu gewährleisten, ist es wichtig, daß gewißermaßen in einem Gehäuse auch der Gleichspannungsgenerator untergebracht ist. Dabei sind in der Zeichnungebeschreibung noch weiter· wesentlich« Brfindungaoerknal· angegeben.

In der Zeichnung zeigtt

Figur 1 einen Schnitt läng· der Linie I-I der 7igur 2y Figur 2 einen Schnitt läng· der Linie H-II der Figur 1y Figur 3 lat die Drauf»loht auf die Figur 1;

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Figur 4 perspektivisch das ganze Gerät.

Es wird betont, daß die Zeichnungen nur echetnatisch sind und nur die wichtigsten Teile wiedergeben.

S In der Figur 1 ist der Ionenreflektor 1 im AuBengehäuse 2 untergebracht. Im lonenreflektor sind außerdem noch Ionisierungsspitzen 3, wobei die Abströmrichtung 4 der negativen Ionen dargestellt ist. Der lonenreflektor 1 wird von einem U-förmigen Profil 5 gebildet, während das Außengehäuse von einem U-förmigen Profil 6 gebildet wird. Die Ionisierungsspitzen sind am Ende von veredelten Nadeln 7,8 vorhanden. Diese Nadeln 7, 8 sind in entsprechenden Abständen auf den Bändern 9, 10 elektrischleitend befestigt. Die Bänder 9, 10 sind wie die Figuren 1,2 und 3 zeigen, in parallem Abstand innerhalb des Reflektors angeordnet, wobei die Ionisierungsspitzen 3 die Oberkante des Ionenreflektors 1 überragen. Der Abstand 12 zwischen den Bändern 9, 10 wird aufrechterhalten durch die in den Abschlußdeckeln 13, 14 angeordneten Spannvorrichtungen 15, die nur schematisch dargestellt sind, aber über einen Isolator 16 die Abschlußdeckel 13, 14 durchdringen und dann mittels einer Gegenschraube, die sich an den Abschlußdeckeln abstützt, dann die Bänder spannen bzw. in ihrer Lage arretieren. Die Gehäusewand 17 setzt sich weiter fort und bildet das Gehäuse für den Gleichspannungsgenerator 18, der wie die Figur 5 zeigt, eine Fortsetzung hinsichtlich des Profils des Ionenerzeugers darstellt. Die negative Gleichspannung 21, die an den Ionisierungsspitzen liegt, ist höher negativ als die negative Gleichspannung 22, die am Reflektor liegt. Diese Spannung wird durch eine ansich bekannte Kaskadenschaltung 29 erzeugt, wie die Figur 4 darstellt. Stutzisolatoren 23, 24 dienen der Befestigung des lonenreflektors 1 innerhalb des U-förmigen Profiles 6. Die in Abstrumrichtung 4 offenen

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Seiten der U-Proflie 5 und 6 werden durch eine Rasterplatte 25 gegen zufälliges Berühren abgedeckt. Diese Rasterplatte 25, die aus Isolierendem Werkstoff hergestellt ist, ist auf Abkröpfungen 26 befestigt, die mit dem ü-förmigen Profil 6 verbunden sind. De* Abstand 27 der Ionisierungsspitzen liegt zwischen 35 - 55 mm. Der Abstand 12 der Bänder voneinander beträgt ca. 25 ram. Diese Abstände sind zweckmäßig, wenn der Ionenreflektor an iiOOO bis 6000 Volt negativer Gleichspannung liegt und die Ionisierungsspitzen 3 an einer negativen Gleich-W\ spannung zwischen 8000 und 9000 Volt liegen.

Die Spitzen haben in Längsrichtung der Bünder bei diesen Spannimgsgrößen einen Abstand von ca. 35 bis 55 mm.

Die Kaskadenschaltung zusammen mit anderen hochspannungsführenden Schaltelementen ist in einem Gehäuse 28 eingegossen. Dieses Gehäuse 28 liegt unter einer Abdeckung 30, die in Ebene der Rasterplatte 25 angeordnet ist. Diese Abdeckung 30 ist eine Einschaltlampe 3* vorgesehen. Aus diesem Gehäuse ragt dann ein Netzanschluß 32, wobei ein Gehäuse 34 die ganze elektrische Anordnung aufnimmt. Zu erwähnen wäre noch, daß die freie Länge 33 der Spitzen 15 bis 25 mm aufweist.

Nicht dargestellt sind Möglichkeiten um mittels Potentiometern die Spannungsverhältnisse der negativen Gleich- spannungen 21, 22 zu regeln. Möglicherweise wird nur die am Reflektor liegende Gleichspannung 22 geregelt falls man sich hier bestimmten Räumen anpassen will, wenn eine gewisse Dichte erreicht werden soll. Es ist selbstverständlich, daß die durch den Reflektor beschleunigten Ionen in größerer Zahl austreten, je wirksamer der Reflektor ist.

Als Anwendungsgebiet der Erfindung sind alle Vorrichtungen zu bezeichnen, um elektrisch den Austritt von Ionen zu beschleunigen bzw. deren Menge zu beeinflußen.

Claims (20)

' PATENTANWÄLTE * '"*"··" DR.ING. G. RIEBLING DR.-ING. P. RIEBLING Dipl.-Ing„ Ing. (grad.) Dipl.-lng. uropUacnen Patentamt Professional Representatives before European Patent Off fce Mandataimt egroes pres rqffiea emopeort des brants JWt8 kl der Antwort wiede FAGSIMiLE/TELECOnCü POST LINDAU l_ J (08382) 24244 Group 1&2 Ihr Zeichen Ihm Nachricht vom D-8990 Lindau (ΒθαβΠ3θθ) Rennerle 10 ■ Postlach 318C { ) 18. November 1983 β·*·* amtl.A. Z.: G 83 25 321.1 Anmelder : Gesellschaft für lonentechnik mbH, Wilhelm-Haspel-Str. 63, 7032Sindelfingen |i Sch-itzansprüche i!

1. Vorrichtung zur Erzeugung eines Überschusses von negativen Ionen in geschlossenen Räumen durch an negativen Hochspannungen liegende Ionisierungsspitzen, die in elektrisch hochisolierenden,mit Auslassen für den Ionenstrom versehenen,Gehäuse untergebracht sind, dadurch gekennzeichnet, daß ein elektrisch gut. leitender Ionenreflektor (1) zwischen einem isolierenden Außengehäuse (2) und den Ionisierungsspitzen (3) angeordnet ist.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der lonenreflektor (1) von einem Gehäuse gebildet ist, daß in Abströmrichtung (4) der negativen Ionen offen ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Ionenreflektor (1) ein U-förmiges Profil (5) aufweist.

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Lindau (08382) 0S4374|pat-d) ■ pstiMlndsu . " · '. HaVe/.'VefSlrubank Lindau (B) Nr. 1208578 (BU 73520074) München 29525-809

S02S . ". ', .' '", MvDO-B)Nk Lindau (B) Nr. 8870-278820 (BLZ 73320442)

·..'·.,'.· · · VolksBJink Llniau (B) Nr. 51720000 (BLZ 73590120)

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4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch

^ gekennzeichnet, daß das ü-förmige Profil

perforiert ist mit einem über 20% liegenden Perforationsanteil .

{

5. Vorrichtung nach Ansprüchen 1 - 3, dadurch

\. gekennzeichnet, daß das isolierende Außen-

! gehäuse (2) ein ü-förmiges Profil (6) aufweist, das in

Abströmrichtung (4) der negativen Ionen offen ist.

6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das isolierende Außengehäuse (2) perforiert ist mit einem höheren Perforationsanteil als das Gehäuse(5) des Ionenreflektors (1).

7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Ionisierungsspitzen (3) von Nadeln (7,8) gebildet sind, die auf einem elektrisch hochleitenden, z.B. metallischen, schmalen, Band (9,10) elektrisch gut leitend senkrecht zur Bandlänge und das Band (9,10) nach der offenen Seite des Ionenreflektors (1) hin überragend befestigt sind.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß das Band (9,10) ein Kupferband ist, welches im Abstand von den Wänden des Ionenreflektors (1) isoliert vom Außengehäuse (2) parallel zu dessen Seitenflächen gespannt ist, wobei die Ionisierungsspitzen (3) den Ionenref lektoi· (1) überragen.

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch

gekennzeichnet , daß im \bstand (12) voneinander zwei Bänder (9,10) mit daran befestigten Ionisierungsspitzen (3) vorhanden sind.

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10. Vorrichtung nach Ansprüchen 1-9, dadurch gekennzeichnet, daß die Stirnseiten des U-fornigen Außengehäuses (6) von Abechlußdeckeln (13, 14) gebildet sind, von denen der eine eine Spannvorrichtung « S (15) mit Isolator (16) für die Binder (9, 10) aufweist und | der andere neben dieser Spannvorrichtung nit Isolator gleichseitig als Gehäusewand (17) für den Gleichspannung*' generator (18) ausgebildet ist.

11* Vorrichtung nach Ansprüchen 1-10, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse des Gleichspannungsgenerators (16) an die Stirnwand des Außengehauses (6) angeordnet ist, wobei sich die wende (19, 20) des Außengehäusee (6) über das Generatorgehäuse hin erstrecken .

12. Vorrichtung nach Ansprüchen 1-11, dadurch gekennzeichnet, daß der Ionenreflektor (1) an einer negativen Gleichspannung (22) zwischen 5000 und 6000 Volt und die Ionisierungsspitzen (3) an einer negativen Gleichspannung (21) von 8000 - 9000 Volt liegt.

13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet , daß die negative Gleichspannung (22) des Ionenreflektors (1) geringer ist als die an der die im Ionenreflektor (1) angeordneten Ionisierungsspitzen (3) liegen.

14. Vorrichtung nach Ansprüchen 1-13, dadurch gekennzeichnet , daß die Spannung (22) des Ionenreflektros (1) regelbar ist.

15. Vorrichtung nach Ansprüchen 1-14, dadurch gekennzeichnet , daß das elektrisch leitfähige ü-förmige Gehäuse (5) des Ionenreflektors (1) isolierend über Stützisolatoren (23, 24) am Außengehäuse (2) befestigt ist.

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16. Vorrichtung nach Ansprüchen 1 - 15, dadurch gekennzeichnet, daß die offenen Seiten des U-Profils des Außengehäuses (6) und des Ionenreflektors (5) für den Ionenaustritt in Abströmrichtung (4) durch eine elektrisch hochisolierende Rasterplatte (25) abgedeckt ist.

17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet , daß die Rasterplatte (25) auf Abkröpfungen (26) des U-Profils (6) des Außengehäuses (2) befestigt ist.

18. Vorrichtung nach Ansprüchen 1 - 17, dadurch gekennzeichnet , daß die ionisierungsspitzen

(3) im Abstand (27) von 35 - 55 mm angeordnet sind, eine freie Länge (33) von 15 - 25 mm aufweisen und die parallelen Bänder einen Abstand (12) von ca. 25 nun voneinander haben.

19. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß in einem Gehäuse (28) teilweise der Gleichspannungserzeuger (18) angeordnet ist.

20. Vorrichtung nach Ansprüchen 1-19 mit einer Einschaltanzeige, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckung (30) des Gehäuses (34) des Gleichspannungsgenerators (18) in der Ebene der Rasterplatte (25) liegt und die Einschaltanzeige (31) als Lichtquelle ausgebildet ist.