DE763972C - Photosensitive layer produced according to the process described in patent 713401 - Google Patents

Photosensitive layer produced according to the process described in patent 713401

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Publication number
DE763972C
DE763972C DEZ25228D DEZ0025228D DE763972C DE 763972 C DE763972 C DE 763972C DE Z25228 D DEZ25228 D DE Z25228D DE Z0025228 D DEZ0025228 D DE Z0025228D DE 763972 C DE763972 C DE 763972C
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DE
Germany
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photosensitive layer
layer according
lithium
layer
silver
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Expired
Application number
DEZ25228D
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German (de)
Inventor
Paul Dr Goerlich
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Zeiss Ikon AG
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Zeiss Ikon AG
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J40/00Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas
    • H01J40/02Details
    • H01J40/04Electrodes
    • H01J40/06Photo-emissive cathodes

Landscapes

  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Description

Lichtempfindliche Schicht, welche nach dem im Patent 713 401 beschriebenen Verfahren hergestellt wird Zusatz zum Patent 713401 In dem Hauptpatent 713 401 ist eine licht#-empfindliche Schich-t vorgeschlagen worden, die dadurch gekennzeichnet ist, daß sie aus einer gegebenenfalls mit Sauerstoff oder seinen Homologen vorbehandelter Antimon-oder Wismutschicht besteht-, welche mit einer Cäsium- oder Rubiid#i.umsch-icht legiert wird. Derartige Schichten zeigen eine besonders große Lichtempfindlichkeit, die" sich. praktisch über das ganze sichtbare Spektralgebiet erstreckt. Die vorgeschlagene Schicht kann sowohl in lichtdurchassiger als, auch- inAichtundurchlässiger Form hergestellt werden.Photosensitive layer, which is produced according to the process described in patent 713 401 Addition to patent 713401 In main patent 713 401, a photosensitive layer has been proposed which is characterized in that it is made up of an optionally with oxygen or its homologues There is a pretreated antimony or bismuth layer which is alloyed with a cesium or rubid layer. Such layers show a particularly high sensitivity to light, which "extends practically over the entire visible spectral region. The proposed layer can be produced in both light-permeable and non-transparent form.

Esi wurde nun gefunden, daß eine Legierung der Antimon- bzw. Wismutschicht mit Lithium besondere Vorteile bietet. Bei Lithium ist nämlich die thermische Emission sehr gering, so daß auch nur ein sehr kleiner Dunkelstrom auftritt, da, dieser bekanntlich in der Hauptsache von der thermischen Emission abhängt. Der Dunkelstrorn le-derter Wismut- bzw. Antimon- und Lithiumschichten liegt etwa in der Größenordnung der Dunkelströme von hydrierten Kaliumzellen. Gleichzeitig ist aber die Empfindlichkeit größer als bei vielen der Msher bekannten Zellen. Der Ouotient aus der Empfindlichkeit und dem Dunkelstrorn ist bei den Lithium-Antimon-Zellen größer als der so-wohl bei Ruhidium-Antimon- als auch bei Cäsium-Antimon-Zellen. Dieser Ouotient ist für die Praxis besonders -,vichti-,; * Die Lichtempfindlichkeit der Schicht-en nach der Erfindung kann weiterhin dadurch erhöht werden, daß in die Legierun,-skathode Fremdmetallteile eingebaut werden, die in der Fachliteratur als Störstellen bezeichnet werden und photo-,elektrisch besonders wirksam sind. Als besonders geeignet ist das Silber anzusehen. Durch den Einbau von zusätzlichen leitfähigen Störstellen wird außer der Erhöhung der Lichtempfindlichkeit eine 'Verbesserun der Ouerleitfähigkeit der Schicht erzielt.It has now been found that an alloy of the antimony or bismuth layer with lithium offers particular advantages. In the case of lithium, the thermal emission is namely very low, so that only a very small dark current occurs, since, as is well known, this mainly depends on the thermal emission. The dark currents of the bismuth or antimony and lithium layers are roughly in the order of magnitude of the dark currents of hydrogenated potassium cells. At the same time, however, the sensitivity is greater than that of many of the cells known from Msher. The ouotient from the sensitivity and the dark current is greater in lithium-antimony cells than that in both Ruhidium-antimony and cesium-antimony cells. This ouotient is especially for practice -, vichti- ,; * The light sensitivity of the layer-ene according to the invention can be increased further characterized in that, referred to in the literature as an impurity in the alloy prof, -skathode foreign metal parts are installed and photo-, are electrically especially effective. Silver is to be regarded as particularly suitable. The incorporation of additional conductive impurities not only increases the sensitivity to light, but also improves the conductivity of the layer.

Der Einbau der Störstellen kann auf verschiedene Welse erfolgen. Es kann. z. B. zunächst die Wismut-Lithlum- bzw. Antimon-Lithium-Legierungskathode hergestellt werden. auf welche alsdann Silber aufgedampft wird. Das aufgedampfte Silber dringt vermutlich schon von sich aus in die Legierungsschicht ein. Dieser Vorgang kann ab-er gegebenenfalls durch eine nochmalige Wärmebehandlung beschleunigt bzw. begünstigt werden. Ei; ist aber auch möglich, die Silberschicht oder eine Schfchteinesanderen -Metalls zunächst auf die Antimon- oder Wismutschicht aufzudampfen und dann -nach Aufbringung der Lithiumschicht durch Wärmehühandlung zu legieren.The installation of the disturbance points can be done in different ways. It can. z. B. initially the bismuth-lithium or antimony-lithium alloy cathode getting produced. on which silver is then vaporized. The vaporized Silver probably penetrates the alloy layer by itself. This The process can, if necessary, be accelerated by repeated heat treatment or be favored. Egg; but it is also possible to use the silver layer or another layer -Metal first to vaporize on the antimony or bismuth layer and then -after Alloy application of the lithium layer by heat treatment.

In Sinne der Erfindung liegt es auch, die Schichten nach der Erfindung mit einer metallischen Unterlage, z.Br. aus Silber, zu versehen. Diese 'Maßnahme ist insbesondere dann vorteilhaft. wenn die erfinduneszernäßen 1 e - Kathoden als Sekundäremissionsschichten j Verwendun- finden. Es ist nämlich zu verrnuten, daß diese Sekundärelektronen. in großer Tiefe ausgelöst werden und daß daher die Elektronennachlieferung von wesentlicher Bedeutung ist. Wird die erfindungsgemäße Schicht für Selundäremis-#;iornsz,#vecle benutzt, so wird diese entweder auf die Elektroden'. an denen Sekundärelektronen ausgelöst werden sollen, aufgetragen, oder aber man verwendet sie in Form von Folien-, die voirzulgsweise hintereinander als Selundäremissionselektroden angeordnet werden. Der Vorteil der Folien besteht darin, daß die gesamten Primärelektronen ausgenutzt werden, was bekanntlich bei Verwendung von Gittern oder Netzen als Sekundäremissionselektroden nicht der Fall ist. Weiterhin ist es zweckmäßig, die Dicke der Folien so zu wählen, daß man auf der Rückseite der auf der Vorderseite von den Primärelektronen getroffenen Folien gerade das Maximum der Sekundärernission erhält.It is also within the meaning of the invention to provide the layers according to the invention with a metallic substrate, e.g. made of silver. This' measure is particularly advantageous. if the inventive 1 e cathodes are used as secondary emission layers. It is to be assumed that these secondary electrons. are triggered in great depth and that therefore the electron replenishment is of essential importance. If the layer according to the invention is used for Selundäremis - #; iornsz, # vecle, it is either applied to the electrodes. on which secondary electrons are to be triggered, applied, or they are used in the form of foils, which may be arranged one behind the other as secondary emission electrodes. The advantage of the foils is that all of the primary electrons are used, which is known not to be the case when grids or nets are used as secondary emission electrodes. Furthermore , it is expedient to choose the thickness of the foils so that the maximum secondary emission is obtained on the back of the foils hit by the primary electrons on the front.

Claims (2)

PATENTANSPRÜCHE: i. Licht-empfindliche Schicht, welche nach dem im Patent 713 401 beschriebenen Verfahren hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet, daß an Stelle der Legierungsbestandteile Cäsium oder Rubidium-Lithium gewählt ist. PATENT CLAIMS: i. Light-sensitive layer which is produced according to the method described in patent 713 401, characterized in that cesium or rubidium-lithium is selected instead of the alloy components. 2. Lichtempfindliche Schicht nach Anspruch i. dadurch gekennzeichnet, daß die Antimon- oder Wismutschicht vor Aufdampfen der Lithiumschicht mit Sauerstoff oder seinen Homologen vorbehandelt ist. 3. Lichtempfindliche Schicht nach den Ansprüchen i und 2, dadurch gekennzeichnet, daß diese zusätzlich mit leitfähigen Störstellen versehen ist. 4. Licht-empfindliche Schicht nach den Ansprüchen i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ganze Schicht mit Störstellen durchsetzt ist. 5. Lichtempfindliche Schicht nach den Ansprüchen i bis -t, dadurch gek-ennzeichnet. daß die Störstellen aus Silber bestehen. 6. Lichtempfindliche Schicht nach den Ansprüchen i bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß diese mit einer metallischen Unterlage versehen ist. 7. Lichtempfindliche Schicht nach den Ansprüchen i bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Unterlage aus Silber besteht. 8. Anwendung der Schicht nach den Ansprüchen i bis 7 für Sekundärernissions-Zwecke. g. Lichtempfindliche Schicht für die Zwecke nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet. daß diese aus einer frei tragenden Folie besteht. io. Lichtempfindliche Schicht nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Folie derart bemessen ist, daß beim Auftreffen von Elektronen auf die Vorderseite der Folie das Maximum der Elektroden auf der Rückseite entsteht. ii. Lichtempfindliche Schicht nach den Ansprüchen 9 und io -, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Folien zwecks Auslösung von Sekundärelektronen in Kornz#, bination verwendet werden.2. Photosensitive layer according to claim i. characterized in that the antimony or bismuth layer is pretreated with oxygen or its homologues prior to vapor deposition of the lithium layer. 3. Photosensitive layer according to claims i and 2, characterized in that it is additionally provided with conductive impurities. 4. Light-sensitive layer according to claims i to 3, characterized in that the entire layer is interspersed with imperfections. 5. Photosensitive layer according to claims i to -t, characterized in. that the imperfections consist of silver. 6. Photosensitive layer according to claims i to 5, characterized in that it is provided with a metallic base. 7. Photosensitive layer according to claims i to 6, characterized in that the metallic substrate consists of silver. 8. Application of the layer according to claims i to 7 for secondary emission purposes. G. Photosensitive layer for the purposes according to claim 8, characterized. that this consists of a self-supporting film. ok Photosensitive layer according to Claim 9, characterized in that the thickness of the film is such that when electrons strike the front side of the film, the maximum number of electrodes is produced on the rear side. ii. Photosensitive layer according to claims 9 and 10, characterized in that several foils are used in combination for the purpose of releasing secondary electrons.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB460012A (en) * 1935-08-08 1937-01-19 Zeiss Ikon Ag Improvements in or relating to light sensitive layers for photoelectric cells

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB460012A (en) * 1935-08-08 1937-01-19 Zeiss Ikon Ag Improvements in or relating to light sensitive layers for photoelectric cells

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